JP2943673B2 - 半導体基板の製造装置及び製造方法 - Google Patents
半導体基板の製造装置及び製造方法Info
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Description
置及び製造方法に係り、特に半導体装置を形成するため
の形状を改良した半導体基板を、効率良く製造するため
の製造装置及びその製造方法に関するものである。
(A)に示すように円板の一端を直線上に切断加工した
直線部分51を有する形状、若しくは図13(B)に示
すように円板の一部分を切り取った切取り部分52を有
する形状となっている。この直線部分51はオリエンテ
ーションフラット、また、切り取り部分52はノッチと
呼ばれ、それぞれ半導体基板1の結晶方位を規定する目
的で形成される。
ンフラットという)51や切り取り部分(以下、ノッチ
という)52を有する半導体基板1は、形状が真円でな
いため、半導体装置の様々な製造工程中において、不均
一性を生じ歩留りの低下を招く。この不均一性を生じる
幾つかの工程例をつぎに挙げる。
を受け、オリエンテーションフラット51やノッチ52
に熱応力が働き、結晶欠陥が発生し、歩留りの低下を招
く。
において、オリエンテーションフラット51やノッチ5
2での温度不均一性や、ガスの流れの不均一性により、
膜厚ムラが生じる。
成長(CVD)装置における膜の形成工程で、オリエン
テーションフラット51やノッチ52でのガスの流れに
おける不均一性が生じて膜厚ムラが生じる。
ソグラフィ工程における感光性樹脂の回転塗布工程にお
いて、オリエンテーションフラット51若しくはノッチ
52で塗布膜厚のムラが生じる。
イエッチング工程において、オリエンテーションフラッ
ト51やノッチ52でのプラズマ形成状態に不均一性が
生じ、エッチング速度の不均一性が生じる。
とで解決することができる。しかしながら、オリエンテ
ーションフラット51や、ノッチ52が無い真円の半導
体基板においては、結晶方位を簡便に知ることはできな
いため、結晶方位によって変化するトランジスタ特性の
バラツキの増加を招く。それを防ぐために、半導体装置
の製造工程中に結晶方位の検出をすることは工程数の増
加や、クリーン度の低下につながる。そのため、真円の
半導体基板において、簡便に結晶方位を知ることが重要
な技術課題となる。
において、結晶方位を簡便に知ることを目的とし、この
真円の半導体基板にレーザーマーキングを行う技術が知
られている(特開平2−34906号公報:発明の名称
「半導体基板」)。この従来の半導体基板は、図14に
示すように、真円の半導体基板1の形成面の外周部から
内側1mmの位置に長さ3mm、深さ100μm、間隔
3mmの3本の溝からなる認識マーク61がレーザーマ
ーキングにより形成されていることを特徴とする。
ションフラットに代わるものであり、半導体基板1が
(100)単結晶シリコンの場合には、通常[001]
方向端部に円弧状に記入され、半導体装置製造工程中の
フォトリソグラフィ工程における目合わせの基準として
用いられる。
技術はその他にも知られており、例えば、図15
(A)、(B)及び(C)に示すように、平行線により
構成された認識マーク62や、点状に形成された認識マ
ーク63、直線状に形成された認識マーク64及び65
が提案されている(特開平5−13290号公報:発明
の名称「半導体ウェーハ」)。
特開平2−34906号公報や、特開平5−13290
号公報記載の従来の半導体基板では、真円の半導体基板
1にマーキングを行う時期や方法に関しては全く述べら
れていない。
置は図16に示すように、真空チャック71に吸着され
た半導体基板1に対して、YAGレーザー等のレーザー
発振装置70から発振されたレーザー光を光学レンズ7
2、反射ミラー73、収束レンズ74を介して半導体基
板1上に収束し、マーキングを行う構成である。
と反射ミラー73の間のシャッタ76によりレーザー光
が断続される。なお、半導体基板1表面付近には排気ダ
クト77が設けられている。この従来のレーザーマーキ
ング装置を用いて半導体基板1にマーキングを行う際に
は、1枚1枚個別にマーキングをする。
例に従い、真円の半導体基板にレーザーマーキングを行
う場合を考えてみる。
行う従来例では、この半導体基板の特定の結晶方位に対
してレーザーマーキングを行うことを特徴としている。
従って、特定の結晶方位にレーザーマーキングを行うに
は、半導体基板の結晶方位をX線回折法等の手法により
調べることが必要となり、又レーザーマーキング装置
が、1枚1枚個別にマーキングを行うために、全ての半
導体基板に対してレーザーマーキングを行う前に半導体
基板の結晶方位をX線回折法等の手法により調べること
が必要となる。
体基板に対して結晶方位をX線回折法等の手法により調
べた後、レーザーマーキング装置が1枚1枚個別にマー
キングを行う必要があり、半導体基板の製造工程の工程
数の増加を招き生産性を悪化させるという問題がある。
1枚1枚の半導体基板の結晶方位を調べること無く、各
々の真円である半導体基板にマーキングを行うことで、
生産性を悪化させることなく、結晶方位を認識するため
のマーキングを有した真円の半導体基板の製造装置及び
製造方法を提供することを目的とする。
め、本発明製造装置は、特定の結晶方位に対応した位置
にブレードが装着された、真円である面を有する円柱状
の半導体結晶の、真円である表面の特定の場所に結晶方
位認識用の認識マークのマーキングを1箇所以上行うマ
ーキング手段と、マーキング手段によりマーキングされ
た半導体結晶をウェーハ状に切り出す切断機とを有し、
マーキング手段によるマーキングと前記切断機による切
断とを交互に繰り返すことを特徴とする。
位に対応した位置にブレードが装着された、真円である
面を有する円柱状の半導体結晶からウェーハ状の半導体
基板を切り出す切断機と、ウェーハ状に切り出された半
導体基板を搬送する搬送機構と、搬送機構により搬送さ
れた前記半導体基板の表面の特定の場所に結晶方位認識
用の認識マークのマーキングを1箇所以上行うマーキン
グ手段とを有するか、又は、搬送機構に代えてウェーハ
状にブレードと共に切り出された半導体基板の表面の特
定の結晶方位を検出する検出手段を設け、更にこの検出
手段により検出された半導体基板の表面の特定の結晶方
位位置に、結晶方位認識用の認識マークのマーキングを
1箇所以上行う構成としたものである。
製造方法は、真円である面を有する円柱状の半導体結晶
の特定の結晶方位に対応した位置にブレードを装着した
後、半導体結晶の真円である表面の特定の場所に結晶方
位認識用の認識マークのマーキングを1箇所以上施して
から半導体結晶をウェーハ状に切り出すか、あるいは、
半導体結晶からウェーハ状の半導体基板を切り出してか
ら半導体基板の表面の特定の場所に結晶方位認識用の認
識マークのマーキングを1箇所以上施すようにしたもの
である。
半導体基板の表面と裏面の両方に行うことが、半導体装
置の製造時に、結晶方位を認識する装置が半導体基板の
表面側及び裏面側のどちらからでも認識ができるため、
望ましい。
体結晶の真円である表面の特定の場所に結晶方位認識用
の認識マークのマーキングを1箇所以上施してから半導
体結晶をウェーハ状に切り出すようにしたため、1枚1
枚の半導体基板に対して結晶方位をX線回折法等の手法
により調べる作業を不要にできる。
では、特定の結晶方位に対応した位置にブレードが装着
された半導体結晶からウェーハ状に半導体基板を切り出
してから半導体基板の表面の特定の場所に結晶方位認識
用の認識マークのマーキングを1箇所以上施すようにし
たため、切り出した半導体基板の特定結晶方位はブレー
ドの位置によりわかるから、1枚1枚の半導体基板に対
して結晶方位をX線回折法等の手法により調べる作業を
不要にできる。
用いて説明する。図1から図12は本発明の実施の形態
を示す半導体基板の製造方法に関するものである。
円錐形の外形を有するシリコン(Si)単結晶の半導体
結晶2を、図2に示すように、ブロック状に切断し、そ
の切断された半導体結晶2の外径を研削し、真円である
面を有する円柱状の形状にする。
て、X線回折法等の手法を用いて結晶方位を測定する。
X線回折法を用いた場合では、図3に示すように、円柱
状の半導体結晶2の真円である面に対して、X線源3か
らX線を入射して計数管4で計数する。この時、半導体
結晶2の真円を有する面に垂直で、且つ真円の中心を通
る回転軸に対して、半導体結晶2を回転させ、計数管4
の計数値に基づきX線の反射強度が最大となるような位
置に回転する。これにより、半導体結晶2の結晶方位を
測定する。
する結晶方位に垂直な結晶面の面間隔d、X線の波長を
λとしたとき、2dsinθ=nλ(n=1,2,3,
・・・・)を満たす値となる。この時測定する結晶方位
は、強い回折強度が得られる<110>方向の測定を行
うことが有効である。
て、その結晶方位が簡便に認識できるような位置にブレ
ード5を装着する。このときのブレード5の取り付け位
置は、目標とする結晶方位に対して±2゜程度の誤差範
囲内で取り付けることが望ましい。このブレード5によ
り、真円な面を有する半導体結晶2の結晶方位は簡便に
認識できることになる。
ーハ状に切り出す作業を行う。通常の半導体基板の製造
工程においては、この切断機により、半導体結晶2をウ
ェーハ状に切断し(スライシングし)、その後ブレード
部分を取り外し、面取り作業及び機械研磨を行う。しか
しながら、本発明では、切断機で切断されてから、ブレ
ードを取り外すまでの間に、レーザーマーキング装置等
のマーキング装置を用いて半導体結晶若しくは半導体基
板にマーキングを行う作業工程を含むことを特徴として
いる。
を合わせて装填し、保持をする。ここで、半導体結晶2
には、特定の結晶方位に対してブレード5を取り付けて
いるため、切断機内においては、真円な面を有する半導
体結晶2は常に特定の結晶方位を向くように配置され
る。このブレード5を装着し、切断機にセットされた半
導体結晶2に対して、以下の実施の形態による手法によ
り、半導体基板を製造する。 (第1の実施の形態)本発明における半導体基板の製造
方法において、効果的に、半導体基板にマーキングを行
うための半導体基板の製造装置を用いた場合の第1の実
施の形態について説明する。
機には、図5(A)に示すような回転する内周刃6によ
り切断する切断機、図5(B)に示すような回転する外
周刃7により切断する切断機、図5(C)に示すような
バンドソー8で切断する切断機、図5(D)に示すよう
な往復直線運動するワイヤソー9で切断する切断機など
があり、この切断機はレーザーマーキング装置に組み込
まれている。
る切断機に対して、上記のレーザーマーキング装置は図
6、図7、あるいは図8に示す構成とされている。図6
に示すレーザーマーキング装置は、レーザー発振装置1
0からのレーザー光をシャッタ11を介して光学レンズ
12により半導体結晶2の真円である表面の特定の場所
に収束させてマーキングさせる構成である。このとき、
レーザー発振装置10はレーザー光を半導体結晶の真円
である面の全ての部分に照射するための駆動装置により
矢印13方向に移動され、1箇所以上の部分にマーキン
グを行うことができる。
ーザー発振装置10からのレーザー光を、光学レンズ1
4、シャッタ11及び反射ミラー15を介して光学レン
ズ12に入射し、これにより半導体結晶2の真円である
表面の特定の場所に収束させてマーキングさせる構成で
ある。このとき、レーザー発振装置10はレーザー光を
半導体結晶の真円である面の全ての部分に照射するため
の駆動装置により矢印13方向に移動され、1箇所以上
の部分にマーキングを行うことができる。
ーザー発振装置10からのレーザー光を、光学レンズ1
4、シャッタ11及び可動反射ミラー16を介して可動
光学レンズ17に入射し、これにより半導体結晶2の真
円である表面の特定の場所に収束させてマーキングさせ
る構成である。このとき、光学レンズ14は駆動装置に
より矢印13方向に移動され、また、可動反射ミラー1
6及び可動光学レンズ17は駆動装置により矢印18方
向に稼働されることにより、1箇所以上の部分にマーキ
ングを行うことができる。
の結晶方位を向くように配置され、固定された半導体結
晶2の真円である表面の特定の場所において、レーザー
マーキング装置により1箇所以上の部分にマーキングさ
せる。
程において、ウェーハの結晶方位を調べるためのセンサ
ーが認識できる形状であればどのような形状であっても
可能である。すなわち、図11(A)〜(E)に示すよ
うに、ウェーハ31上の特定の位置に、直線状の認識マ
ーク32、平行な直線により構成された認識マーク3
2、点状の認識マーク33、3本の平行線により構成さ
れた認識マーク34、1本の直線により構成された認識
マーク36等の様々な形状がある。
程におけるリソグラフィー工程において、半導体基板の
アライメントが簡便に行なえる形状が望ましい。また、
認識マークだけでなく、半導体結晶の製造時における管
理番号をマーキングし、この管理番号をアライメントに
用いることも可能である。
このような形状の認識マーク32〜36を形成する位置
は、結晶方位を簡便に知ることができる位置が望まし
く、よって[100]、[110]、[111]、[5
11]等の結晶方位に形成することが望ましい。また、
1箇所でのマーキングではなく、2箇所でのマーキング
は、アライメント精度を向上させ、更に有効である。
と、図12(A)〜(E)に示すように、もう一つの点
状の認識マーク37〜41との間の角度を45゜、60
゜、90゜、120゜、180゜等の所定の角度とした
り、あるいは、図12(F)に示すように、2つの認識
マーク34と42が特定の結晶方位に対して線対称な位
置に形成されるようにすることが望ましい。また、これ
らの認識マークの位置関係を組み合わせることにより、
3箇所以上にマーキングすることも可能である。
よって切断された半導体基板(ウェーハ)31は、その
後機械研磨、機械的科学的研磨等の工程により、40〜
150μmの厚さが無くなる。従って、マーキングを行
う際には、この厚さ以上のマーキングを行うことが必要
で、おおよそ50〜200μmの深さのレーザーマーキ
ングを行うことが望ましい。
用刃の切り屑がレーザーマーキングを行う部分に残って
いることで、均一なマーキングが行えない場合が生じる
ため、マーキングを行う前に半導体結晶の切断表面を洗
浄することで、均一なマーキングを行うことができ、更
に有効である。
2は、切断機によりウェーハ状に切断される。切断後の
残りの半導体結晶2に対して、同じ位置に再度マーキン
グを行い、再びウェーハ状に切断する。以後この繰り返
し作業によって、ウェーハ状に切断された半導体基板
(ウェーハ)31は、すべて同じ結晶方位にマーキング
されることになる。 (第2の実施の形態)次に、本発明における半導体基板
の製造方法において、効果的に、半導体基板にマーキン
グを行うための半導体基板の製造装置を用いた場合の第
2の実施の形態について説明する。
(D)に示した、内周刃6、外周刃7、バンドソー8、
ワイヤソー9等の切断用の刃を有した切断機は、図9に
示すレーザーマーキング装置が組み込まれている。図9
に示すレーザーマーキング装置は、レーザーマーキング
を行うためのレーザー発振装置10及びレーザー光の焦
点を半導体結晶2の表面に合わせるための光学レンズ1
2等で構成された光学システムと、レーザー光を遮断す
るためのシャッタ11と、レーザー光を半導体結晶2の
真円である面の全ての部分に照射するために矢印13方
向にレーザー発振装置10などを駆動する駆動装置を有
した構成である。
用した場合を例にとっている)によりウェーハ状に切断
された半導体基板31が、真空チャック19等の吸着機
構を有した搬送機構により、レーザーマーキングを行う
べき場所に搬送される。このとき、搬送機構は結晶方位
が狂うことなく搬送することが重要である。そして、こ
のレーザーマーキング装置は、半導体基板31の真円で
ある表面の特定の場所において1箇所以上の部分にマー
キングを行う。
程において、ウェーハの結晶方位を調べるためのセンサ
ーが認識できる形状であればどのような形状であっても
可能である。すなわち、図11(A)〜(E)に示すよ
うに、ウェーハ31上の特定の位置に、直線状の認識マ
ーク32、平行な直線により構成された認識マーク3
2、点状の認識マーク33、3本の平行線により構成さ
れた認識マーク34、1本の直線により構成された認識
マーク36等の様々な形状がある。
程におけるリソグラフィー工程において、半導体基板の
アライメントが簡便に行なえる形状が望ましい。また、
認識マークだけでなく、半導体結晶の製造時における管
理番号をマーキングし、この管理番号をアライメントに
用いることも可能である。
このような形状の認識マーク32〜36を形成する位置
は、結晶方位を簡便に知ることができる位置が望まし
く、よって[100]、[110]、[111]、[5
11]等の結晶方位に形成することが望ましい。また、
1箇所でのマーキングではなく、2箇所でのマーキング
は、アライメント精度を向上させ、更に有効である。
と、図12(A)〜(E)に示すように、もう一つの点
状の認識マーク37〜41との間の角度を45゜、60
゜、90゜、120゜、180゜等の所定の角度とした
り、あるいは、図12(F)に示すように、2つの認識
マーク34と42が特定の結晶方位に対して線対象な位
置に形成されるようにすることが望ましい。また、これ
らの認識マークの位置関係を組み合わせることにより、
3箇所以上にマーキングすることも可能である。
よって切断された半導体基板(ウェーハ)31は、その
後機械研磨、機械的科学的研磨等の工程により、40〜
150μmの厚さが無くなる。従って、マーキングを行
う際には、この厚さ以上のマーキングを行うことが必要
で、おおよそ50〜200μmの深さのレーザーマーキ
ングを行うことが望ましい。
用刃の切り屑がレーザーマーキングを行う部分に残って
いることで、均一なマーキングが行えない場合が生じる
ため、マーキングを行う前に半導体結晶の切断表面を洗
浄することで、均一なマーキングを行うことができ、更
に有効である。
場所へ搬送され、次に半導体結晶2から切断された半導
体基板31に対しても、同じ位置に再度マーキングを行
う。以後この繰り返し作業によって、ウェーハ状に切断
された半導体基板31は、すべて同じ結晶方位にマーキ
ングされる。 (第3の実施の形態)次に、本発明における半導体基板
の製造方法において、効果的に、半導体基板にマーキン
グを行うための第3の実施の形態について説明する。
(D)に示した切断機により、ウェーハ状に切断された
半導体基板31を、図10(C)に示すオリフラ検出機
27を有したレーザーマーキング装置によりレーザーマ
ーキングする。図10(C)において、レーザー発振装
置10からのレーザー光は、光学レンズ23、シャッタ
24及び反射ミラー25を介して光学レンズ26に入射
し、これによりウェーハ状に切断された半導体結晶31
の真円である表面の特定の場所に収束されて1箇所以上
の部分にマーキングする。
の特定の場所はオリフラ検出機27により検出される。
すなわち、オリフラ検出器27は図10(B)に示すよ
うに、光源21と受光器22が対向配置された構成であ
り、その光路中に半導体基板31を配置する。
1はブレード5と共に切断されているため、図10
(A)に示すように、ある特定の結晶方位に切断された
ブレード5が付いたままの状態となっている。従って、
オリフラ検出機27の設定及び検出装置部分(光源2
1、受光器22)の位置を調整することで、この切断さ
れたブレード5を検出することができ、これにより真円
状の半導体基板31の特定の結晶方位を検出することが
できる。
程に於いて、ウェーハの結晶方位を調べるためのセンサ
ーが認識できる形状であればどのような形状であっても
可能である。すなわち、図11(A)〜(E)に示すよ
うに、ウェーハ31上の特定の位置に、直線状の認識マ
ーク32、平行な直線により構成された認識マーク3
2、点状の認識マーク33、3本の平行線により構成さ
れた認識マーク34、1本の直線により構成された認識
マーク36等の様々な形状がある。
程におけるリソグラフィー工程において、半導体基板の
アライメントが簡便に行なえる形状が望ましい。また、
認識マークだけでなく、半導体結晶の製造時における管
理番号をマーキングし、この管理番号をアライメントに
用いることも可能である。
このような形状の認識マーク32〜36を形成する位置
は、結晶方位を簡便に知ることができる位置が望まし
く、よって[100]、[110]、[111]、[5
11]等の結晶方位に形成することが望ましい。また、
1箇所でのマーキングではなく、2箇所でのマーキング
は、アライメント精度を向上させ、更に有効である。
と、図12(A)〜(E)に示すように、もう一つの点
状の認識マーク37〜41との間の角度を45゜、60
゜、90゜、120゜、180゜等の所定の角度とした
り、あるいは、図12(F)に示すように、2つの認識
マーク34と42が特定の結晶方位に対して線対象な位
置に形成されるようにすることが望ましい。また、これ
らの認識マークの位置関係を組み合わせることにより、
3箇所以上にマーキングすることも可能である。
よって切断された半導体基板(ウェーハ)31は、その
後機械研磨、機械的科学的研磨等の工程により、40〜
150μmの厚さが無くなる。従って、マーキングを行
う際には、この厚さ以上のマーキングを行うことが必要
で、おおよそ50〜200μmの深さのレーザーマーキ
ングを行うことが望ましい。
用刃の切り屑がレーザーマーキングを行う部分に残って
いることで、均一なマーキングが行えない場合が生じる
ため、マーキングを行う前に半導体結晶の切断表面を洗
浄することで、均一なマーキングを行うことができ、更
に有効である。
た半導体基板31は、すべて同じ結晶方位にマーキング
されることになる。 (第4の実施の形態)次に、本発明の第4の実施の形態
について説明する。この第4の実施の形態は、前記した
第1、第2、第3の実施の形態による半導体基板の製造
方法によりマーキングされた半導体基板の半導体基板の
もう一方の面に対してもマーキングし、両面に同一のマ
ーキングを形成する。
方位を認識する装置が、半導体基板の表面側及び裏面側
のどちらからでも認識が可能となる。 (第5の実施の形態)次に、本発明の第5の実施の形態
について説明する。この第5の実施の形態は、前記第1
乃至第4の実施の形態による半導体基板の製造方法にお
いて、レーザーマーキング法により行っていたマーキン
グを、機械的研磨法によりマーキングするものである。
ーザーマーキング装置に代えて、半導体結晶の切断機内
にドリル用の刃及びこの刃を回転させるための回転軸を
有し、これにより、半導体結晶2若しくは半導体基板3
1に対して図11(C)に示したような点状のマーキン
グを機械的に行う。また、第3の実施の形態のレーザー
マーキング装置に代えて、オリフラ検出装置を有したド
リル装置により、半導体結晶のある特定の結晶方位に対
して同様に機械的にマーキングを行う。
された半導体基板は、次に面取り作業されてウェーハ周
辺部の形状を加工し、カケ、チップ等の発生を防ぐ。次
に、機械研磨により半導体基板の表面凹凸を削り、平坦
度及び平行度を高める作業を行う。
理、酸素ドナー消去熱処理、機械的化学的研磨(鏡面研
磨)、洗浄、無欠陥層形成熱処理、析出成長熱処理、エ
ピタキシャル層形成、裏面ゲッタリング層形成等の作業
工程を必要に応じて行い、半導体基板を形成する。
1枚1枚の半導体基板に対して結晶方位をX線回折法等
の手法により調べる作業を不要にできるため、半導体基
板の製造工程の工程数を従来より簡略化でき、よって、
真円の半導体基板に対してある特定の結晶方位を示すマ
ーキングを従来に比べ簡便に形成することができ、半導
体基板の製造効率を高めることができる。
の形態における半導体基板の製造方法で用いる半導体結
晶の切断前の形状を示す図である。
の形態における半導体基板の製造方法で用いる半導体結
晶のブロック切断後の形状を示す図である。
の形態における半導体基板の製造方法における特定結晶
方位測定方法を説明する図である。
の形態における半導体基板の製造方法で用いるブレード
が装着された半導体結晶を示す図である。
の形態における半導体基板の製造方法において、半導体
結晶の切断方法の各例を示す図である。
方法及び装置構成の一例を示す図である。
方法及び装置構成の他の例を示す図である。
方法及び装置構成の更に他の例を示す図である。
方法の一例を示す図である。
グ方法及び装置構成を説明する図である。
状の各例を示す図である。
行う位置関係の各例を示す図である。
明する図である。
る。
ある。
図である。
Claims (7)
- 【請求項1】 特定の結晶方位に対応した位置にブレー
ドが装着された、真円である面を有する円柱状の半導体
結晶の、該真円である表面の特定の場所に結晶方位認識
用の認識マークのマーキングを1箇所以上行うマーキン
グ手段と、 該マーキング手段によりマーキングされた前記半導体結
晶をウェーハ状に切り出す切断機とを有し、前記マーキ
ング手段によるマーキングと前記切断機による切断とを
交互に繰り返すことを特徴とする半導体基板の製造装
置。 - 【請求項2】 特定の結晶方位に対応した位置にブレー
ドが装着された、真円である面を有する円柱状の半導体
結晶からウェーハ状の半導体基板を切り出す切断機と、 前記ウェーハ状に切り出された前記半導体基板を搬送す
る搬送機構と、 前記搬送機構により搬送された前記半導体基板の表面の
特定の場所に結晶方位認識用の認識マークのマーキング
を1箇所以上行うマーキング手段とを有し、前記切断機
による切断と前記マーキング手段によるマーキングとを
交互に繰り返すことを特徴とする半導体基板の製造装
置。 - 【請求項3】 特定の結晶方位に対応した位置にブレー
ドが装着された、真円である面を有する円柱状の半導体
結晶から、前記ブレードと共にウェーハ状の半導体基板
を切り出す切断機と、 前記ウェーハ状に切り出された前記半導体基板の表面の
特定の結晶方位を検出する検出手段と、 前記検出手段により検出された前記半導体基板の表面の
特定の結晶方位位置に、結晶方位認識用の認識マークの
マーキングを1箇所以上行うマーキング手段とを有する
ことを特徴とする半導体基板の製造装置。 - 【請求項4】 前記マーキング手段によるマーキング
は、前記半導体基板の表面と裏面の両方に行うことを特
徴とする請求項2又は3記載の半導体基板の製造装置。 - 【請求項5】 真円である面を有する円柱状の半導体結
晶の特定の結晶方位に対応した位置にブレードを装着す
る第1の工程と、 前記ブレードが装着された前記半導体結晶の真円である
表面の特定の場所に結晶方位認識用の認識マークのマー
キングを1箇所以上行う第2の工程と、 該第2の工程によりマーキングされた前記半導体結晶を
ウェーハ状に切り出す第3の工程とを含むことを特徴と
する半導体基板の製造方法。 - 【請求項6】 真円である面を有する円柱状の半導体結
晶の特定の結晶方位に対応した位置にブレードを装着す
る第1の工程と、 前記ブレードが装着された前記半導体結晶から前記ブレ
ードと共にウェーハ状に半導体基板を切り出す第2の工
程と、 切り出された前記半導体基板の表面の特定の場所に結晶
方位認識用の認識マークのマーキングを1箇所以上行う
第3の工程とを含むことを特徴とする半導体基板の製造
方法。 - 【請求項7】 前記マーキングは、前記半導体基板の表
面と裏面の両方に行うことを特徴とする請求項6記載の
半導体基板の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7282873A JP2943673B2 (ja) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | 半導体基板の製造装置及び製造方法 |
US08/739,891 US5716876A (en) | 1995-10-31 | 1996-10-31 | Method for manufacturing completely circular semiconductor wafers |
KR1019960050585A KR100227992B1 (ko) | 1995-10-31 | 1996-10-31 | 완전 원형 반도체 웨이퍼의 제조 방법 |
TW085114009A TW344093B (en) | 1995-10-31 | 1996-11-15 | Method for manufacturing completely circular semiconductor wafers |
US08/966,060 US5927263A (en) | 1995-10-31 | 1997-11-07 | Method for manufacturing completely circular semiconductor wafers |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7282873A JP2943673B2 (ja) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | 半導体基板の製造装置及び製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09129578A JPH09129578A (ja) | 1997-05-16 |
JP2943673B2 true JP2943673B2 (ja) | 1999-08-30 |
Family
ID=17658197
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7282873A Expired - Fee Related JP2943673B2 (ja) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | 半導体基板の製造装置及び製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5716876A (ja) |
JP (1) | JP2943673B2 (ja) |
KR (1) | KR100227992B1 (ja) |
TW (1) | TW344093B (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2943673B2 (ja) * | 1995-10-31 | 1999-08-30 | 日本電気株式会社 | 半導体基板の製造装置及び製造方法 |
JPH09272119A (ja) * | 1996-04-04 | 1997-10-21 | Daido Hoxan Inc | ウエハの製法およびそれに用いる装置 |
JP3213563B2 (ja) * | 1997-03-11 | 2001-10-02 | 株式会社スーパーシリコン研究所 | ノッチレスウェーハの製造方法 |
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1995
- 1995-10-31 JP JP7282873A patent/JP2943673B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-10-31 KR KR1019960050585A patent/KR100227992B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-10-31 US US08/739,891 patent/US5716876A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-11-15 TW TW085114009A patent/TW344093B/zh active
-
1997
- 1997-11-07 US US08/966,060 patent/US5927263A/en not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
US5716876A (en) | 1998-02-10 |
US5927263A (en) | 1999-07-27 |
KR19980031065A (ko) | 1998-07-25 |
TW344093B (en) | 1998-11-01 |
JPH09129578A (ja) | 1997-05-16 |
KR100227992B1 (ko) | 1999-11-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080625 Year of fee payment: 9 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090625 Year of fee payment: 10 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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