JP2938558B2 - Active matrix type liquid crystal display - Google Patents
Active matrix type liquid crystal displayInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、各画素にスイッチング素子が設けられて成
るアクティブマトリックス型液晶表示装置に係り、特に
その構造に関する。The present invention relates to an active matrix type liquid crystal display device in which each pixel is provided with a switching element, and particularly to the structure thereof.
（従来の技術） 近年、液晶表示装置は軽量、低消費電力の特徴を生か
して種々の分野で数多く利用されるようになっきた。(Prior Art) In recent years, liquid crystal display devices have come to be widely used in various fields by utilizing the features of light weight and low power consumption.
中でも、各画素毎にスイッチング素子が設けられて成
るアクティブマトリックス型液晶表示装置は、クロスト
ークが少ない高コントラスト表示が可能であることか
ら、特に注目を集めている。Among them, an active matrix type liquid crystal display device in which a switching element is provided for each pixel has attracted particular attention because it can perform high-contrast display with little crosstalk.
アクティブマトリックス型液晶表示装置の具体的な構
成としては、例えば一対の電極間に液晶組成物が挟持さ
れて成っている。一方の電極基板には、複数の信号電極
と走査電極とがマトリックス状に形成され、各交差部に
は画素電極が接続された薄膜トランジスタがスイッチン
グ素子として設置されている。また、他方の電極基板に
は、画素電極に対向する対向電極が形成されている。As a specific configuration of the active matrix type liquid crystal display device, for example, a liquid crystal composition is sandwiched between a pair of electrodes. On one electrode substrate, a plurality of signal electrodes and scanning electrodes are formed in a matrix, and at each intersection, a thin film transistor connected to a pixel electrode is provided as a switching element. On the other electrode substrate, a counter electrode facing the pixel electrode is formed.
ところで、このようなアクティブマトリックス型液晶
表示装置の各表示画素では、薄膜トランジスタのゲート
・ソース電極間に寄生容量Cgsが存在しているため、走
査電極からゲート電極に印加されるゲート電圧がONから
OFFに切り替わる時に、画素電極に印加される信号電圧
はΔVpだけ負側にずれてしまう。By the way, in each display pixel of such an active matrix type liquid crystal display device, since the parasitic capacitance Cgs exists between the gate and source electrodes of the thin film transistor, the gate voltage applied from the scanning electrode to the gate electrode is changed from ON to ON.
When switching to OFF, the signal voltage applied to the pixel electrode shifts to the negative side by ΔVp.
このΔVpは、論理的には下記（１）式で求めることが
できるもので、ΔVpが大きいと画面のフリッカとなるこ
ともあり、高い表示品位を確保することができなかっ
た。This ΔVp can be logically obtained by the following equation (1). If ΔVp is large, flickering of the screen may occur, and high display quality cannot be secured.
ΔVp＝（Vg,on−Vg,off）＊Cgs/（Cgs＋Clc） …
（１） Vg,on;ゲートオン電圧 Cgs;ゲート・ソース間容量 Vg,off;ゲートオフ電圧 Clc;液晶容量 そこで、例えば液晶容量Clcと並列に蓄積容量Ｃを形
成することにより、ΔVpを軽減することが行われてい
る。ΔVp = (Vg, on−Vg, off) * Cgs / (Cgs + Clc)
(1) Vg, on; gate-on voltage Cgs; gate-source capacitance Vg, off; gate-off voltage Clc; liquid crystal capacitance Therefore, for example, ΔVp can be reduced by forming a storage capacitor C in parallel with the liquid crystal capacitance Clc. Is being done.
具体的な構成としては、絶縁層を介して画素電極とオ
ーバーラップするように所定の電圧が印加される蓄積容
量電極を形成し蓄積容量Ｃを形成する方法等がとられて
いる。As a specific configuration, a method of forming a storage capacitor C to which a predetermined voltage is applied so as to overlap with a pixel electrode via an insulating layer and forming a storage capacitor C is used.
（発明が解決しようとする課題） 蓄積容量電極を設けて液晶表示装置のΔVpを低減させ
るためには、高い絶縁層の信頼性が要求される。仮に絶
縁層にピンホール等の欠陥が存在すると、蓄積容量電極
と画素電極とがショートしてしまい、液晶組成物には常
に蓄積容量電極の電圧が印加され、表示改良を引起こす
ためである。(Problems to be Solved by the Invention) In order to reduce the ΔVp of the liquid crystal display device by providing a storage capacitor electrode, high reliability of the insulating layer is required. This is because if a defect such as a pinhole exists in the insulating layer, the storage capacitor electrode and the pixel electrode are short-circuited, and the voltage of the storage capacitor electrode is constantly applied to the liquid crystal composition, thereby causing display improvement.
そこで、上記した課題を解決するものとして、例えば
特開平１−239531号公報には複数の蓄積容量Ｃを直列に
接続する液晶表示装置が記載されている。このように蓄
積容量Ｃを複数個直列に接続するといった冗長設計によ
り、仮に一つの蓄積容量Ｃが絶縁層のピンホールにより
ショートしても、他の蓄積容量Ｃにより蓄積容量電極と
画素電極とが電気的に接続されることがないため、良好
な表示を行うことができる。In order to solve the above-mentioned problem, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-239531 discloses a liquid crystal display device in which a plurality of storage capacitors C are connected in series. In this way, even if one storage capacitor C is short-circuited due to a pinhole in the insulating layer, the storage capacitor electrode and the pixel electrode are connected by another storage capacitor C due to the redundant design in which a plurality of storage capacitors C are connected in series. Since there is no electrical connection, favorable display can be performed.
しかし、絶縁層を介して画素電極とオーバーラップす
る第１の蓄積容量電極、第１の蓄積容量電極と絶縁層を
介してオーバーラップする第２の蓄積容量電極を順次設
けることは、製造工程の大幅な増加を招くため、好まし
いものではなかった。However, providing a first storage capacitor electrode overlapping with a pixel electrode via an insulating layer and a second storage capacitor electrode overlapping with the first storage capacitor electrode via an insulating layer in order is a manufacturing process. This is not preferable because it causes a significant increase.
本発明は上述した課題に鑑がみ成されたもので、液晶
表示装置の印加電圧のレベルシフト、即ちΔVpを十分に
低減させ高品位な表示を可能とすると共に、高製造歩留
まり、高生産性を得ることができるアクティブマトリッ
クス型液晶表示装置を提供することを目的としたもので
ある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described problems, and a level shift of an applied voltage of a liquid crystal display device, that is, ΔVp is sufficiently reduced to enable high-quality display, and a high production yield and high productivity are achieved. It is an object of the present invention to provide an active matrix type liquid crystal display device capable of obtaining the following.
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明のアクティブマトリックス型液晶表示装置は、
複数本の信号電極と走査電極とがマトリクス状に配置さ
れ、信号電極と走査電極との交差部に画素電極に接続さ
れた薄膜トランジスタを備えた第１の基板と、画素電極
に対向する第２の基板と、第１の基板と前記第２の基板
とによって挟持される液晶層とを備えたアクティブマト
リックス型液晶表示装置であって、第１の基板は、画素
電極と、この画素電極と隣接する少なくとも一つの信号
電極とのそれぞれと絶縁層を介して重複して配置される
孤立電極を含み、絶縁層を介して配置される信号電極と
孤立電極とによって形成される第１の容量及び絶縁層を
介して配置される孤立電極と画素電極とによって形成さ
れ第１の容量に直列接続されてなる第２の容量とを備え
たことを特徴としたものである。[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) The active matrix type liquid crystal display device of the present invention comprises:
A first substrate including a plurality of signal electrodes and a scanning electrode arranged in a matrix, a thin film transistor connected to a pixel electrode at an intersection of the signal electrode and the scanning electrode; and a second substrate facing the pixel electrode. An active matrix type liquid crystal display device comprising a substrate, and a liquid crystal layer sandwiched between the first substrate and the second substrate, wherein the first substrate has a pixel electrode and an adjacent pixel electrode. A first capacitor and an insulating layer formed by the signal electrode and the isolated electrode disposed via the insulating layer, the first capacitor including an isolated electrode arranged to overlap with each of the at least one signal electrode via the insulating layer And a second capacitor formed by an isolated electrode and a pixel electrode arranged through the first capacitor and connected in series to the first capacitor.
（作 用） 本発明のアクティブマトリックス型液晶表示装置は、
上述したように信号電極および画素電極と絶縁層を介し
て蓄積容量が形成されるように孤立電極を設けるもので
ある。(Operation) The active matrix type liquid crystal display device of the present invention comprises:
As described above, the isolated electrode is provided so that the storage capacitor is formed via the signal electrode and the pixel electrode and the insulating layer.
このような構成とすることにより、絶縁層を介して信
号電極と孤立電極とによって第１の蓄積容量が形成さ
れ、また絶縁層を介して孤立電極と画素電極により第１
の蓄積容量に直列に接続される第２の蓄積容量が形成さ
れることとなる。With such a configuration, the first storage capacitor is formed by the signal electrode and the isolated electrode via the insulating layer, and the first storage capacitor is formed by the isolated electrode and the pixel electrode via the insulating layer.
A second storage capacitor connected in series to the storage capacitor is formed.
このように液晶容量Clcと並列に接続される蓄積容量
を設けることにより、印加電圧のレベルシフト、即ちΔ
Vpを十分に低減することができる。By providing the storage capacitor connected in parallel with the liquid crystal capacitor Clc, the level shift of the applied voltage, that is, Δ
Vp can be sufficiently reduced.
そして、第１の蓄積容量と第２の蓄積容量の直列接続
で蓄積容量を構成することにより、少なくとも一方の蓄
積容量を構成する絶縁膜にピンホール等が発生しても、
他方の蓄積容量により画素電極に定電圧が印加されるこ
とがない。By forming the storage capacitor by connecting the first storage capacitor and the second storage capacitor in series, even if a pinhole or the like occurs in the insulating film forming at least one of the storage capacitors,
A constant voltage is not applied to the pixel electrode by the other storage capacitor.
更に、絶縁層を介して信号電極および画素電極とオー
バーラップするように孤立電極を設け複数の蓄積容量を
構成することにより、絶縁層を介して画素電極とオーバ
ーラップするように蓄積容量電極を設けていた従来の液
晶表示装置と同様の製造工程で製造することが可能であ
る。Further, by providing an isolated electrode so as to overlap with the signal electrode and the pixel electrode via the insulating layer and configuring a plurality of storage capacitors, a storage capacitor electrode is provided so as to overlap with the pixel electrode via the insulating layer. It can be manufactured by the same manufacturing process as the conventional liquid crystal display device.
（実 施 例） 以下、本発明の一実施例のアクティブマトリックス型
液晶表示装置（１）を例にとり、図面を参照して詳細に
説明する。(Embodiment) Hereinafter, an active matrix type liquid crystal display device (1) according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
第１図は本実施例のアクティブマトリックス型液晶表
示装置（１）の概略正面図を示し、第２図は第１図にお
いてＡ〜Ａ′線に沿って切断した概略断面図を示すもの
である。FIG. 1 is a schematic front view of an active matrix type liquid crystal display device (1) of this embodiment, and FIG. 2 is a schematic sectional view taken along line A-A 'in FIG. .
アクティブマトリックス型液晶表示装置（１）は、第
１の電極基板（11）と第２の電極基板（51）とによって
液晶組成物（61）が挟持されて構成されている。The active matrix type liquid crystal display device (1) is configured such that a liquid crystal composition (61) is sandwiched between a first electrode substrate (11) and a second electrode substrate (51).
第１の電極基板（11）は、絶縁性ガラス基板（13）上
に複数本の信号電極（15）と走査電極（17）とがマトリ
ックス状に形成されている。そして、これら信号電極
（15）と走査電極（17）との各交点部には、画素電極
（19）に接続された薄膜トランジスタ（21）が設置され
ている。The first electrode substrate (11) has a plurality of signal electrodes (15) and scanning electrodes (17) formed in a matrix on an insulating glass substrate (13). At each intersection between the signal electrode (15) and the scanning electrode (17), a thin film transistor (21) connected to the pixel electrode (19) is provided.
この薄膜トランジスタ（21）について詳述すると、絶
縁性ガラス基板（13）上には走査電極（17）と一体に形
成されたゲート電極（21a）が設置されており、このゲ
ート電極（21a）上には酸化シコン（SiOx）から成る絶
縁層（23）が設置されている。そして、この絶縁層（2
3）を介したゲート電極（21a）上には、ｉ型の水素化ア
モルファスシリコンが半導体層（25）として形成されて
おり、更に半導体層（25）上には互いに電気的に分離さ
れたｎ型の水素化アモルファスシリコンがドレイン領域
（27）、ソース領域（29）として形成されている。この
ドレイン領域（27）はモリブデン（Mo）膜とアルミニウ
ム（Al）膜とが積層されたドレイン電極（21b）により
信号電極（15）に、ソース領域（29）も同様にモリブデ
ン（Mo）膜とアルミニウム（Al）膜とが積層されたソー
ス電極（21c）により画素電極（19）に接続されてい
る。The thin film transistor (21) will be described in detail. A gate electrode (21a) formed integrally with a scanning electrode (17) is provided on an insulating glass substrate (13). Is provided with an insulating layer (23) made of silicon oxide (SiOx). And this insulating layer (2
On the gate electrode (21a) via 3), i-type hydrogenated amorphous silicon is formed as a semiconductor layer (25), and on the semiconductor layer (25), n-type hydrogenated amorphous silicon is electrically separated from each other. Type hydrogenated amorphous silicon is formed as a drain region (27) and a source region (29). The drain region (27) is formed as a signal electrode (15) by a drain electrode (21b) in which a molybdenum (Mo) film and an aluminum (Al) film are laminated, and the source region (29) is similarly formed with a molybdenum (Mo) film. The pixel electrode (19) is connected by a source electrode (21c) on which an aluminum (Al) film is laminated.
また、本実施例のアクティブマトリックス型液晶表示
装置（１）では、各画素電極（19）および各画素電極
（19）に隣接して設置される２本の信号電極（15a），
（15b）と絶縁層（23）を介して重複するように２つの
孤立電極（31a），（31b）が夫々形成されている。Further, in the active matrix type liquid crystal display device (1) of the present embodiment, each pixel electrode (19) and two signal electrodes (15a) installed adjacent to each pixel electrode (19),
Two isolated electrodes (31a) and (31b) are formed so as to overlap with (15b) via the insulating layer (23).
このようにして成る第１の電極基板（11）上には、液
晶組成物（61）を所定の方向に配向させるための低温キ
ュア型のポリイミド樹脂が所定方向にラビング処理され
て配向膜（35）として設置されている。On the first electrode substrate (11) thus formed, a low-temperature cure-type polyimide resin for aligning the liquid crystal composition (61) in a predetermined direction is rubbed in a predetermined direction to form an alignment film (35). ).
また、第２の電極基板（51）は、第１の電極基板（1
1）と同様の絶縁性ガラス基板（53）上にI.T.O.（Indiu
m Tin Oxide）が共通電極（55）として設置され、この
共通電極（55）上にはアルミニウムがマトリックス状に
形成されて成る遮光層（57）が設置されている。この遮
光層（57）は、第１の電極基板（11）に形成されている
薄膜トランジスタ（21）に光が照射されることに起因し
て誤動作することを防止する目的で設けられている。Further, the second electrode substrate (51) is connected to the first electrode substrate (1).
ITO (Indiu) on the same insulating glass substrate (53) as in 1)
m Tin Oxide) is provided as a common electrode (55), and a light-shielding layer (57) made of aluminum formed in a matrix is provided on the common electrode (55). The light-shielding layer (57) is provided for the purpose of preventing malfunction due to irradiation of the thin-film transistor (21) formed on the first electrode substrate (11) with light.
このようにして成る第２の電極基板（51）上にも液晶
組成物（61）を所定の方向に配向させるための低温キュ
ア型のポリイミド樹脂が所定方向にラビング処理されて
配向膜（58）として設置されている。A low-temperature curing type polyimide resin for aligning the liquid crystal composition (61) in a predetermined direction is also rubbed in the predetermined direction on the second electrode substrate (51) thus formed, and the alignment film (58) is formed. It is installed as.
そして、このような第１の電極基板（11）と第２の電
極基板（55）とによって液晶組成物（61）が所定の間隔
で挟持されている。The liquid crystal composition (61) is held at a predetermined interval between the first electrode substrate (11) and the second electrode substrate (55).
更に、第１の電極基板（11）と第２の電極基板（51）
の外側面には、偏向板（39），（59）が夫々位置合わせ
されて設置され、本実施例のアクティブマトリックス型
液晶表示装置（１）は構成されている。Further, a first electrode substrate (11) and a second electrode substrate (51)
The deflection plates (39) and (59) are positioned and installed on the outer surface of the liquid crystal display, respectively, to constitute the active matrix type liquid crystal display device (1) of the present embodiment.
本実施例のアクティブマトリックス型液晶表示装置
（１）は上述したような構成であることから、等価回路
的に各画素は第３図に示すようになる。Since the active matrix type liquid crystal display device (1) of the present embodiment has the above-described configuration, each pixel is as shown in FIG. 3 in an equivalent circuit.
即ち、一画素電極（19）に隣接する一方の信号電極
（15a）と画素電極（19）との間には、信号電極（15a）
−絶縁層（23）−第１の孤立電極（31a）によって形成
される第１の蓄積容量C1（101）と、第１の孤立電極（3
1a）−絶縁層（23）−画素電極（19）とによって形成さ
れる第２の蓄積容量C2（102）とが直列に接続されたも
のとなる。That is, the signal electrode (15a) is provided between the pixel electrode (19) and one signal electrode (15a) adjacent to one pixel electrode (19).
-An insulating layer (23)-a first storage capacitor C1 (101) formed by a first isolated electrode (31a), and a first isolated electrode (3
1a)-an insulating layer (23)-a pixel electrode (19) and a second storage capacitor C2 (102) formed in series.
また、他方の信号電極（15b）と画素電極（19）との
間にも、信号電極（15b）−絶縁層（23）−第２の孤立
電極（31b）によって形成される第３の蓄積容量C3（10
3）と、第２の孤立電極（31b）−絶縁層（23）−画素電
極（19）とによって形成される第４の蓄積容量C4（10
4）とが直列に接続されていることとなる。A third storage capacitor formed by the signal electrode (15b), the insulating layer (23), and the second isolated electrode (31b) is also provided between the other signal electrode (15b) and the pixel electrode (19). C3 (10
3) and a fourth storage capacitor C4 (10) formed by the second isolated electrode (31b), the insulating layer (23), and the pixel electrode (19).
4) are connected in series.
従って、単に信号電極（15a），（15b）と孤立電極
（31a），（31b）との間の絶縁層（23）にピンホール等
が発生しても、孤立電極（31a），（31b）−絶縁層（2
3）−画素電極（19）とにより蓄積容量C2（102）,C4（1
04）が形成されているため、画素電極（19）に信号電圧
が印加されるといったことがない。Therefore, even if a pinhole or the like occurs in the insulating layer (23) between the signal electrodes (15a) and (15b) and the isolated electrodes (31a) and (31b), the isolated electrodes (31a) and (31b) -Insulating layer (2
3) The storage capacitors C2 (102) and C4 (1
Since (04) is formed, no signal voltage is applied to the pixel electrode (19).
このことは、孤立電極（31a），（31b）と画素電極
（19）との間の絶縁層（23）にピンホール等が発生して
も同様であり、絶縁層（23）のピンホール等に起因する
表示不良を大幅に低減することができ、製造歩留まりを
向上させることができる。This is the same even if a pinhole or the like occurs in the insulating layer (23) between the isolated electrodes (31a) and (31b) and the pixel electrode (19). Display defects caused by the above can be significantly reduced, and the manufacturing yield can be improved.
更に、本実施例のアクティブマトリックス型液晶表示
装置（１）では、蓄積容量C1（101）,C2（102）,C3（10
3）,C4（104）を形成することにより、ゲート電極（121
a）とソース電極（121c）との間に形成される寄生容量C
gsにより、走査電極（107）に印加される電圧がONからO
FFに切り替わる時に生じるレベルシフトを軽減させるこ
とができる。これにより、高品位な表示が可能なアクテ
ィブマトリックス型液晶表示装置（１）とすることがで
きた。Further, in the active matrix type liquid crystal display device (1) of the present embodiment, the storage capacitors C1 (101), C2 (102), C3 (10
3) By forming C4 (104), the gate electrode (121
a) and the parasitic capacitance C formed between the source electrode (121c)
gs changes the voltage applied to the scanning electrode (107) from ON to O
The level shift that occurs when switching to FF can be reduced. As a result, an active matrix liquid crystal display device (1) capable of high-quality display was obtained.
また、本実施例のアクティブマトリックス型液晶表示
装置（１）では、上述したように一画素電極（19）に隣
接する一方の信号電極（15a）および画素電極（19）と
絶縁層（23）を介して重複するように設けられた第１の
孤立電極（31a）の他に、一画素電極（19）に隣接する
他方の信号電極（15b）および画素電極（19）と絶縁層
（23）を介し重複するように第２の孤立電極（31b）を
設けた構成とした。そして、このような構成と組合わせ
て、隣接する信号電極（15a），（15b）に印加される信
号電圧の極性を例えば１ライン毎に反転させて駆動する
ことにより、特に蓄積容量C1（101）,C2（102）,C3（10
3）,C4（104）が信号電極（15a），（15b）の極性に影
響されて表示に悪影響を与えることを防止することがで
きた。In the active matrix type liquid crystal display device (1) of this embodiment, as described above, one signal electrode (15a) adjacent to one pixel electrode (19), the pixel electrode (19) and the insulating layer (23) are connected. In addition to the first isolated electrode (31a) provided so as to overlap with the other, the other signal electrode (15b) adjacent to one pixel electrode (19) and the pixel electrode (19) and the insulating layer (23) The configuration is such that the second isolated electrode (31b) is provided so as to be overlapped with the other. In combination with such a configuration, the polarity of the signal voltage applied to the adjacent signal electrodes (15a) and (15b) is inverted, for example, for each line to drive the signal electrodes. ), C2 (102), C3 (10
3) It was possible to prevent the C4 (104) from being adversely affected by the polarities of the signal electrodes (15a) and (15b) and affecting the display.
更に、本実施例のアクティブマトリックス型液晶表示
装置（１）の構造によれば、例えば薄膜トランジスタ
（21）のゲート電極（21a）の形成と同一の工程で蓄積
容量C1（101）,C2（102）,C3（103）,C4（104）を構成
する孤立電極（31a），（31b）を製造する他は、従来と
同様の工程でアクティブマトリックス型液晶表示装置
（１）を製造することが可能である。このため、本実施
例のアクティブマトリックス型液晶表示装置（１）は複
数の蓄積容量電極および絶縁層を積層して蓄積容量を直
列に接続するものに比べて製造工程を大幅に低減でき
る。Further, according to the structure of the active matrix type liquid crystal display device (1) of this embodiment, for example, the storage capacitors C1 (101) and C2 (102) are formed in the same process as the formation of the gate electrode (21a) of the thin film transistor (21). , C3 (103) and C4 (104), except that the isolated electrodes (31a) and (31b) are manufactured, it is possible to manufacture the active matrix type liquid crystal display device (1) in the same process as the conventional one. is there. For this reason, the manufacturing process of the active matrix type liquid crystal display device (1) of the present embodiment can be greatly reduced as compared with a device in which a plurality of storage capacitor electrodes and insulating layers are stacked and storage capacitors are connected in series.
また、孤立電極（31a），（31b）をにI.T.O.等により
形成することを考えても、複数の蓄積容量電極および絶
縁層を積層する必要がなく、生産性を大幅に低下させる
ことはない。Further, even if the isolated electrodes (31a) and (31b) are formed by ITO or the like, there is no need to laminate a plurality of storage capacitor electrodes and insulating layers, and the productivity is not significantly reduced.
［発明の効果］ 以上詳述したように、本発明の液晶表示装置によれ
ば、信号電極および画素電極と絶縁層を介してオラーバ
ーラップするように設置される孤立電極を設けることに
より、少なくとも１つの絶縁層により複数の蓄積容量が
直列接続により形成されることとなる。[Effects of the Invention] As described in detail above, according to the liquid crystal display device of the present invention, at least one isolated electrode provided so as to overlap with a signal electrode and a pixel electrode via an insulating layer is provided. One insulating layer forms a plurality of storage capacitors by serial connection.
このため、製造工程を大幅に増加させることなく複数
の蓄積容量が直列接続される構成とすることができる。For this reason, it is possible to adopt a configuration in which a plurality of storage capacitors are connected in series without significantly increasing the number of manufacturing steps.
また、複数の蓄積容量を直列接続とすることにより、
一方の蓄積容量を形成する絶縁層にピンホール等が発生
しても表示不良となることがない。このため、製造歩留
まりを向上させ、長期間にわたり画素欠陥の発生を防止
することができる。Also, by connecting a plurality of storage capacitors in series,
Even if a pinhole or the like occurs in the insulating layer forming one storage capacitor, display failure does not occur. For this reason, the manufacturing yield can be improved, and generation of pixel defects can be prevented for a long period of time.
第１図は本発明の一実施例のアクティブマトリックス型
液晶表示装置の概略正面図、第２図は第１図におけるア
クティブマトリックス型液晶表示装置をＡ〜Ａ′線に沿
って切断した概略断面図、第３図は第１図におけるアク
ティブマトリックス型液晶表示装置の一表示画素の等価
回路図を示すものである。 （１）≧アクティブマトリックス型液晶表示装置 （15）……信号電極、（17）……走査電極 （19）……画素電極 （21）……薄膜トランジスタ （23）……絶縁層 （31a），（31b）……孤立電極 （61）……液晶組成物 （101），（102），（103），（104）……蓄積容量FIG. 1 is a schematic front view of an active matrix type liquid crystal display device according to one embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic sectional view of the active matrix type liquid crystal display device in FIG. 1 taken along the line A-A '. FIG. 3 shows an equivalent circuit diagram of one display pixel of the active matrix type liquid crystal display device shown in FIG. (1) ≧ Active matrix liquid crystal display device (15) Signal electrode, (17) Scan electrode (19) Pixel electrode (21) Thin film transistor (23) Insulating layer (31a), ( 31b) Isolated electrode (61) Liquid crystal composition (101), (102), (103), (104) Storage capacitance
Claims (3)
ス状に配置され、前記信号電極と前記走査電極との交差
部に画素電極に接続された薄膜トランジスタを備えた第
１の基板と、前記画素電極に対向する第２の基板と、前
記第１の基板と前記第２の基板とによって挟持される液
晶層とを備えたアクティブマトリックス型液晶表示装置
において、 前記第１の基板は、前記画素電極と、この画素電極と隣
接する少なくとも一つの前記信号電極とのそれぞれと絶
縁層を介して重複し且つこの画素電極以外の画素電極と
は重複せずに配置される孤立電極を含み、前記絶縁層を
介して配置される前記信号電極と前記孤立電極とによっ
て形成される第１の容量及び前記絶縁層を介して配置さ
れる前記孤立電極と前記画素電極とによって形成され前
記第１の容量に直列接続されてなる第２の容量とを備え
たことを特徴とするアクティブマトリックス型液晶表示
装置。A first substrate provided with a plurality of signal electrodes and scanning electrodes arranged in a matrix and having a thin film transistor connected to a pixel electrode at an intersection of the signal electrode and the scanning electrode; In an active matrix type liquid crystal display device including a second substrate facing a pixel electrode, and a liquid crystal layer sandwiched between the first substrate and the second substrate, the first substrate includes the pixel An electrode, and an isolated electrode that overlaps with each of the at least one signal electrode adjacent to the pixel electrode via an insulating layer and is arranged without overlapping with a pixel electrode other than the pixel electrode; A first capacitor formed by the signal electrode and the isolated electrode disposed via a layer, and a first capacitor formed by the isolated electrode and the pixel electrode disposed through the insulating layer. An active matrix type liquid crystal display device comprising: a second capacitor connected in series to the first capacitor.
の工程で作成されて成ることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のアクティブマトリックス型液晶表示装
置。2. The active matrix type liquid crystal display device according to claim 1, wherein said isolated electrode is formed in the same step as forming said scanning electrode.
画素電極と隣接する他の前記信号電極とのそれぞれと前
記絶縁層を介して重複し且つこの画素電極以外の画素電
極とは重複せずに配置される他の前記孤立電極とを含
み、前記絶縁層を介して配置される前記他の信号電極と
前記他の孤立電極とによって形成される第３の容量及び
前記絶縁層を介して配置される前記他の孤立電極と前記
画素電極とによって形成され前記第３の容量に直列接続
されて成る第４の容量とを備えたことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載のアクティブマトリックス型液晶
表示装置。3. The first substrate overlaps with each of the pixel electrode and each of the other signal electrodes adjacent to the pixel electrode via the insulating layer, and includes a pixel electrode other than the pixel electrode. And a third capacitor and the insulating layer formed by the other signal electrode and the other isolated electrode arranged via the insulating layer, including the other isolated electrode arranged without overlapping. 2. The device according to claim 1, further comprising: a fourth capacitor formed by the other isolated electrode and the pixel electrode, and connected in series to the third capacitor. Active matrix liquid crystal display device.
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|---|---|---|---|
| JP31145890A JP2938558B2 (en) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | Active matrix type liquid crystal display |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04182629A JPH04182629A (en) | 1992-06-30 |
| JP2938558B2 true JP2938558B2 (en) | 1999-08-23 |
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