JP2933469B2 - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
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- JP2933469B2 JP2933469B2 JP19550893A JP19550893A JP2933469B2 JP 2933469 B2 JP2933469 B2 JP 2933469B2 JP 19550893 A JP19550893 A JP 19550893A JP 19550893 A JP19550893 A JP 19550893A JP 2933469 B2 JP2933469 B2 JP 2933469B2
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハ等の熱処
理装置に係り、特に1枚ないし数枚の単位で半導体ウェ
ハを短時間熱処理するのに好適な熱処理装置に関する。
理装置に係り、特に1枚ないし数枚の単位で半導体ウェ
ハを短時間熱処理するのに好適な熱処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のこの種の装置として、特開昭63
−81921号公報に記載のように、1枚の半導体ウェ
ハをハロゲンランプで構成される加熱源により短時間で
所定温度に加熱するランプ加熱装置がある。しかし、こ
のランプ加熱装置は、ランプ寿命が短く、また連続加熱
するとランプを著しく劣化させるので、半導体ウェハを
継続的に安定して熱処理することができないという問題
点がある。
−81921号公報に記載のように、1枚の半導体ウェ
ハをハロゲンランプで構成される加熱源により短時間で
所定温度に加熱するランプ加熱装置がある。しかし、こ
のランプ加熱装置は、ランプ寿命が短く、また連続加熱
するとランプを著しく劣化させるので、半導体ウェハを
継続的に安定して熱処理することができないという問題
点がある。
【0003】上記の問題点を解決するものとして、特開
平2−216820号公報に記載のように金属発熱体を
加熱源に用いた熱処理装置がある。この装置は、金属発
熱体を断熱材で覆い、内部に半導体ウェハを熱処理する
内容器と金属発熱体の輻射熱を均一にする均熱管とを備
えている。前記内容器は、縦型で下方には半導体ウェハ
を出し入れする開口部を備えており、所定温度に加熱さ
れた内容器に下方の開口部から、半導体ウェハが載置さ
れたウェハ挿入治具を導入して所望時間の熱処理をおこ
なう。また、半導体ウェハ面内の温度差(外周部と中心
部との温度差)を均一にするために、半導体ウェハを内
容器に導入する挿入治具には、2枚の半導体ウェハをほ
ぼ平行に配置し、さらに2枚の半導体ウェハ間を仕切る
仕切板を設けている。
平2−216820号公報に記載のように金属発熱体を
加熱源に用いた熱処理装置がある。この装置は、金属発
熱体を断熱材で覆い、内部に半導体ウェハを熱処理する
内容器と金属発熱体の輻射熱を均一にする均熱管とを備
えている。前記内容器は、縦型で下方には半導体ウェハ
を出し入れする開口部を備えており、所定温度に加熱さ
れた内容器に下方の開口部から、半導体ウェハが載置さ
れたウェハ挿入治具を導入して所望時間の熱処理をおこ
なう。また、半導体ウェハ面内の温度差(外周部と中心
部との温度差)を均一にするために、半導体ウェハを内
容器に導入する挿入治具には、2枚の半導体ウェハをほ
ぼ平行に配置し、さらに2枚の半導体ウェハ間を仕切る
仕切板を設けている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。すなわち、半導体ウェハを加熱・冷却するには、
半導体ウェハを載置した挿入治具を所定温度に加熱した
内容器に導入・取り出し移動して行なう必要があるが、
微細加工された脆い材料の半導体ウェハを載せた挿入治
具を高速に移動することは困難なので、内容器への導入
・取り出し移動時に半導体ウェハ面内に温度差が生じ
て、半導体ウェハに形成される半導体素子の特性にばら
つきが生じたり、半導体ウェハに結晶欠陥が生じやすい
という問題点がある。
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。すなわち、半導体ウェハを加熱・冷却するには、
半導体ウェハを載置した挿入治具を所定温度に加熱した
内容器に導入・取り出し移動して行なう必要があるが、
微細加工された脆い材料の半導体ウェハを載せた挿入治
具を高速に移動することは困難なので、内容器への導入
・取り出し移動時に半導体ウェハ面内に温度差が生じ
て、半導体ウェハに形成される半導体素子の特性にばら
つきが生じたり、半導体ウェハに結晶欠陥が生じやすい
という問題点がある。
【0005】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、半導体ウェハの面内温度差を小さくす
ることができる熱処理装置を提供することを目的とす
る。
たものであって、半導体ウェハの面内温度差を小さくす
ることができる熱処理装置を提供することを目的とす
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、本発明に係る熱処理装置は、半導体ウェハを熱処理
する熱処理装置において、内部に加熱空間を形成する外
容器と、前記外容器の内部に設けられ、半導体ウエハを
収納可能で、かつ半導体ウエハを出し入れするための開
口部を有する内容器と、前記内容器の内部において半導
体ウェハを支持する基板支持体と、前記外容器の内部に
設けられ、前記内容器の内部において前記基板支持体に
よって支持された半導体ウエハを加熱するヒータと、前
記ヒータと前記内容器との間に開閉自在に配設され、前
記ヒータ側の表面は鏡面であるとともに前記内容器側の
表面は黒色化処理されたシャッタと、を備えたことを特
徴するものである。
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、本発明に係る熱処理装置は、半導体ウェハを熱処理
する熱処理装置において、内部に加熱空間を形成する外
容器と、前記外容器の内部に設けられ、半導体ウエハを
収納可能で、かつ半導体ウエハを出し入れするための開
口部を有する内容器と、前記内容器の内部において半導
体ウェハを支持する基板支持体と、前記外容器の内部に
設けられ、前記内容器の内部において前記基板支持体に
よって支持された半導体ウエハを加熱するヒータと、前
記ヒータと前記内容器との間に開閉自在に配設され、前
記ヒータ側の表面は鏡面であるとともに前記内容器側の
表面は黒色化処理されたシャッタと、を備えたことを特
徴するものである。
【0007】
【作用】本発明の作用は次のとおりである。すなわち、
内容器の内部に半導体ウエハを導入するにあたり、ヒー
タと内容器との間に開閉自在に配設され、ヒータ側の表
面は鏡面であるとともに内容器側の表面は黒色化処理さ
れたシャッタを閉じた状態にする。この状態で内容器の
内部に半導体ウエハを導入する。半導体ウエハを内容器
の内部の所定位置にまで導入した後、シャッタを開いて
ヒータによって半導体ウエハを所定時間加熱処理する。
加熱処理が終わると、シャッタを閉じる。この状態で半
導体ウエハを内容器から取り出す。
内容器の内部に半導体ウエハを導入するにあたり、ヒー
タと内容器との間に開閉自在に配設され、ヒータ側の表
面は鏡面であるとともに内容器側の表面は黒色化処理さ
れたシャッタを閉じた状態にする。この状態で内容器の
内部に半導体ウエハを導入する。半導体ウエハを内容器
の内部の所定位置にまで導入した後、シャッタを開いて
ヒータによって半導体ウエハを所定時間加熱処理する。
加熱処理が終わると、シャッタを閉じる。この状態で半
導体ウエハを内容器から取り出す。
【0008】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の一実施例を説
明する。 <第1実施例>図1、図2は本発明の一実施例にかかる
装置の概略構成を示す断面図であり、特に、図1は縦断
面図、図2は図1におけるA−A矢視断面図である。
明する。 <第1実施例>図1、図2は本発明の一実施例にかかる
装置の概略構成を示す断面図であり、特に、図1は縦断
面図、図2は図1におけるA−A矢視断面図である。
【0009】図において、符号10は、加熱空間を形成
する外容器である。この外容器10は、上部に設けられ
る上面反射板10aと、後述するシャッタ50を挿抜す
るための貫通孔を側面に有する2枚の側板10bと、下
部に設けられる下面反射板10cと、半導体ウェハの導
入・取り出し側に設けられる側板10dと、これに対向
する側板10eとによって密閉状態に構成されている。
この外容器10は、例えばアルミニウム合金等で形成さ
れ、各板の内部に水等の冷却媒体が流れる冷却配管11
が多数埋設されている。上記の上面反射板10aと下面
反射板10cとは、後述するヒータ部20からの輻射熱
の反射と反射率の劣化の防止とのために加熱空間側にA
uメッキが施されている。
する外容器である。この外容器10は、上部に設けられ
る上面反射板10aと、後述するシャッタ50を挿抜す
るための貫通孔を側面に有する2枚の側板10bと、下
部に設けられる下面反射板10cと、半導体ウェハの導
入・取り出し側に設けられる側板10dと、これに対向
する側板10eとによって密閉状態に構成されている。
この外容器10は、例えばアルミニウム合金等で形成さ
れ、各板の内部に水等の冷却媒体が流れる冷却配管11
が多数埋設されている。上記の上面反射板10aと下面
反射板10cとは、後述するヒータ部20からの輻射熱
の反射と反射率の劣化の防止とのために加熱空間側にA
uメッキが施されている。
【0010】側板10bの内面上部と内面下部とには、
輻射熱を放射するヒータ部20が互いに平行に架設さ
れ、各々のヒータ部20の上下、すなわち、外容器10
の内側とヒータ部20との間、および外容器10の内部
において閉じた状態のシャッタ50とヒータ部20との
間には、対流による温度分布の変動を防止するための石
英製の対流防止板25がそれぞれ配設されている。ヒー
タ部20は、内容器30内の温度分布を均一にするため
に、複数領域(本実施例では、一例として5つの領域)
に分割されて各々が独立に制御されている。
輻射熱を放射するヒータ部20が互いに平行に架設さ
れ、各々のヒータ部20の上下、すなわち、外容器10
の内側とヒータ部20との間、および外容器10の内部
において閉じた状態のシャッタ50とヒータ部20との
間には、対流による温度分布の変動を防止するための石
英製の対流防止板25がそれぞれ配設されている。ヒー
タ部20は、内容器30内の温度分布を均一にするため
に、複数領域(本実施例では、一例として5つの領域)
に分割されて各々が独立に制御されている。
【0011】図3に示すように、ヒータ部20は、高温
下でも絶縁性が低下しない高純度のアルミナ等を丸棒状
に形成したヒータ支持棒21に、Fe−Cr−Al合金
等の電熱材料で形成した板状ヒータ22が波状に編み込
まれて構成されている。板状ヒータ22は、各々の端が
連結された溶接部23を介して電気的に接続されてお
り、また各ヒータ22の間はアルミナ等の絶縁板24に
よって仕切られている。
下でも絶縁性が低下しない高純度のアルミナ等を丸棒状
に形成したヒータ支持棒21に、Fe−Cr−Al合金
等の電熱材料で形成した板状ヒータ22が波状に編み込
まれて構成されている。板状ヒータ22は、各々の端が
連結された溶接部23を介して電気的に接続されてお
り、また各ヒータ22の間はアルミナ等の絶縁板24に
よって仕切られている。
【0012】なお、このヒータ部20は図3に示したも
のに限らず、例えば図4に示すように、板状ヒータ22
に替えて同様の材料で形成されるコイル状ヒータ22a
を用いたヒータ部20であってもよい。
のに限らず、例えば図4に示すように、板状ヒータ22
に替えて同様の材料で形成されるコイル状ヒータ22a
を用いたヒータ部20であってもよい。
【0013】上下のヒータ部20の中間位置に、石英製
の内容器30が配設されている。内容器30の先端部に
は、N2 ,O2 およびシラン等の半導体材料ガスを所定
流量で流入させるための流入口30aが、後端部には、
流入口30aからのガスを排出するための排気口30b
と半導体ウェハWの導入・取り出しを行なうための開口
部30cとが、それぞれ設けられている。
の内容器30が配設されている。内容器30の先端部に
は、N2 ,O2 およびシラン等の半導体材料ガスを所定
流量で流入させるための流入口30aが、後端部には、
流入口30aからのガスを排出するための排気口30b
と半導体ウェハWの導入・取り出しを行なうための開口
部30cとが、それぞれ設けられている。
【0014】内容器30に対して、半導体ウェハWの導
入・取り出しを行なうには、内容器30の開口部30c
を介して挿抜される基板支持体40を使用する。基板支
持体40は、石英ガラス等で形成され、半導体ウェハW
を水平に安定保持するために半導体ウェハWに当接する
ように数個の爪41が取り付けられた円状枠42を備え
ている。基板支持体40の内容器30の開口部側には、
石英ガラス製の支持棒43があり、これが内容器30の
開口部30cを閉じる蓋44につながっている。基板支
持体40は図示しない搬送機構によって駆動される。
入・取り出しを行なうには、内容器30の開口部30c
を介して挿抜される基板支持体40を使用する。基板支
持体40は、石英ガラス等で形成され、半導体ウェハW
を水平に安定保持するために半導体ウェハWに当接する
ように数個の爪41が取り付けられた円状枠42を備え
ている。基板支持体40の内容器30の開口部側には、
石英ガラス製の支持棒43があり、これが内容器30の
開口部30cを閉じる蓋44につながっている。基板支
持体40は図示しない搬送機構によって駆動される。
【0015】各側板10bに各々2つ設けられる貫通孔
には、外容器10の上面反射板10a等と同様に冷却配
管11が埋設された上下一対のシャッタ50が挿抜可能
に取り付けられており、各側板10bに一対のシャッタ
50が対向配置されている。各シャッタ50のヒータ部
20側の表面は、輻射熱を反射するように鏡面仕上げさ
れ、内容器30側の表面は、半導体ウェハWの熱を吸収
するように黒色化処理で仕上げられている。
には、外容器10の上面反射板10a等と同様に冷却配
管11が埋設された上下一対のシャッタ50が挿抜可能
に取り付けられており、各側板10bに一対のシャッタ
50が対向配置されている。各シャッタ50のヒータ部
20側の表面は、輻射熱を反射するように鏡面仕上げさ
れ、内容器30側の表面は、半導体ウェハWの熱を吸収
するように黒色化処理で仕上げられている。
【0016】各側板10bの上下のシャッタ50は、内
容器30の上方位置と下方位置で互いに平行になるよう
に、Lの字状の可動部材51に片持ち支持されている。
各可動部材51は、固定レール52に揺動自在に取り付
けられているとともに、2つのシリンダ53のロッドに
各々連結されている。各シリンダが収縮駆動されること
により、対向する二組のシャッタ50が加熱空間に中央
で当接するようになっている。
容器30の上方位置と下方位置で互いに平行になるよう
に、Lの字状の可動部材51に片持ち支持されている。
各可動部材51は、固定レール52に揺動自在に取り付
けられているとともに、2つのシリンダ53のロッドに
各々連結されている。各シリンダが収縮駆動されること
により、対向する二組のシャッタ50が加熱空間に中央
で当接するようになっている。
【0017】次に、図5を参照して動作を説明する。図
5は、本実施例に係る熱処理装置による加熱・冷却処理
での、内容器30内の半導体ウェハWとヒータ部20の
温度と時間の関係を示す図である。温度測定は、内容器
30内の基板支持体40に当接支持される半導体ウェハ
Wの表面に取りつけた熱電対とヒータ部20の5分割制
御された熱電対とによって行なった。
5は、本実施例に係る熱処理装置による加熱・冷却処理
での、内容器30内の半導体ウェハWとヒータ部20の
温度と時間の関係を示す図である。温度測定は、内容器
30内の基板支持体40に当接支持される半導体ウェハ
Wの表面に取りつけた熱電対とヒータ部20の5分割制
御された熱電対とによって行なった。
【0018】まず、シリンダ53が収縮した状態、すな
わち、シャッタ50が閉じた状態で、ヒータ部20の温
度設定を1000℃にする。
わち、シャッタ50が閉じた状態で、ヒータ部20の温
度設定を1000℃にする。
【0019】シャッタ50を閉じた状態で、半導体ウェ
ハWを載置した基板支持体40を、内容器30の開口部
30cから導入して所望速度で移動させ、処理位置で停
止させる。この間、ヒータ部20からの輻射熱はシャッ
タ50によって遮断・吸収されるので、半導体ウェハW
はほとんど加熱されない。
ハWを載置した基板支持体40を、内容器30の開口部
30cから導入して所望速度で移動させ、処理位置で停
止させる。この間、ヒータ部20からの輻射熱はシャッ
タ50によって遮断・吸収されるので、半導体ウェハW
はほとんど加熱されない。
【0020】そして、シリンダ53が高速(例えば、
0.1秒程度)で伸長することによってシャッタ50が
開放し、内容器30内の内部において基板支持体40に
支持された半導体ウェハWに輻射熱が照射される状態
(加熱状態)にする。これが、図5中の経過時間0分の
状態である。この状態では、内容器30や半導体ウェハ
W等に輻射熱が吸収されて、一時的にヒータ部20の温
度が低下している。しかし、ヒータ部20は制御されて
いるので、直ちに設定温度に回復する。半導体ウェハW
の温度は、目標温度である1000℃へ急速に(1分程
度)達する。
0.1秒程度)で伸長することによってシャッタ50が
開放し、内容器30内の内部において基板支持体40に
支持された半導体ウェハWに輻射熱が照射される状態
(加熱状態)にする。これが、図5中の経過時間0分の
状態である。この状態では、内容器30や半導体ウェハ
W等に輻射熱が吸収されて、一時的にヒータ部20の温
度が低下している。しかし、ヒータ部20は制御されて
いるので、直ちに設定温度に回復する。半導体ウェハW
の温度は、目標温度である1000℃へ急速に(1分程
度)達する。
【0021】加熱処理を約4分間行なったのちに、シリ
ンダ53が高速度で収縮することによってシャッタ50
が閉じ、内容器30内の半導体ウェハWに輻射熱が照射
されない状態(冷却状態)にする。この状態では、シャ
ッタ50の開放時とは反対に、シャッタ50のヒータ部
20側に形成された鏡面仕上げ面により輻射熱が反射さ
れるので、一時的にヒータ部20の温度が上昇してい
る。一方、半導体ウェハWは、シャッタ50が閉じられ
ることにより輻射熱が遮断されるととに、シャッタ50
の内容器30側に施された黒色化処理の効果により、急
速に冷却される。
ンダ53が高速度で収縮することによってシャッタ50
が閉じ、内容器30内の半導体ウェハWに輻射熱が照射
されない状態(冷却状態)にする。この状態では、シャ
ッタ50の開放時とは反対に、シャッタ50のヒータ部
20側に形成された鏡面仕上げ面により輻射熱が反射さ
れるので、一時的にヒータ部20の温度が上昇してい
る。一方、半導体ウェハWは、シャッタ50が閉じられ
ることにより輻射熱が遮断されるととに、シャッタ50
の内容器30側に施された黒色化処理の効果により、急
速に冷却される。
【0022】次に、図6を参照して、半導体ウェハWの
外周部と中心部との温度差であるウェハ面内温度差を、
本発明に係る装置と従来例である特開平2−21682
0号公報に記載の熱処理装置とで比較する。
外周部と中心部との温度差であるウェハ面内温度差を、
本発明に係る装置と従来例である特開平2−21682
0号公報に記載の熱処理装置とで比較する。
【0023】図中、従来1とは、上記従来例の装置にお
いて半導体ウェハを仕切る仕切り板を設けない場合であ
り、従来2とは、仕切り板を設ける場合である。なお、
従来例には、加熱時のデータしか記載されていないので
冷却時のデータは描画していない。また、設定温度(半
導体ウェハWの温度)は、全て1000℃である。
いて半導体ウェハを仕切る仕切り板を設けない場合であ
り、従来2とは、仕切り板を設ける場合である。なお、
従来例には、加熱時のデータしか記載されていないので
冷却時のデータは描画していない。また、設定温度(半
導体ウェハWの温度)は、全て1000℃である。
【0024】従来1に示されるように半導体ウェハを仕
切る仕切り板を設けない従来例においては、ウェハ面内
温度差は、最高で100℃を超える。また、従来2に示
されるように仕切り板を設けた場合でも、60℃を超え
ている。これらに対し、本発明に係る熱処理装置におい
ては、加熱・冷却時で最大15℃程度となっている。
切る仕切り板を設けない従来例においては、ウェハ面内
温度差は、最高で100℃を超える。また、従来2に示
されるように仕切り板を設けた場合でも、60℃を超え
ている。これらに対し、本発明に係る熱処理装置におい
ては、加熱・冷却時で最大15℃程度となっている。
【0025】<第2実施例>第1実施例では、1枚の半
導体ウェハを処理する装置であったが、2枚の半導体ウ
ェハを処理するようにしてもよい。以下、図7の概略構
成を示す縦断面図を参照して説明する。
導体ウェハを処理する装置であったが、2枚の半導体ウ
ェハを処理するようにしてもよい。以下、図7の概略構
成を示す縦断面図を参照して説明する。
【0026】図中、第1実施例である図1と同じ符号
は、同じ構成部品であるので説明は省略する。符号40
aは、内容器30の内部に導入・取り出しされる基板支
持体である。基板支持体40aには、半導体ウェハWを
2枚載置し保持できるように、石英ガラス製の角柱の内
側面にスリットが縦方向に2か所配設されている。
は、同じ構成部品であるので説明は省略する。符号40
aは、内容器30の内部に導入・取り出しされる基板支
持体である。基板支持体40aには、半導体ウェハWを
2枚載置し保持できるように、石英ガラス製の角柱の内
側面にスリットが縦方向に2か所配設されている。
【0027】上記各実施例では、内容器30の上下にヒ
ータ部20を配置した関係で、各ヒータ部20と内容器
30との間に、それぞれ上下一対のシャッタ50を設け
たが、ヒータ部20を上下いずれか一方に配置した場合
には、そのヒータ部20と内容器30との間に一つのシ
ャッタ50を設けるだけでよい。
ータ部20を配置した関係で、各ヒータ部20と内容器
30との間に、それぞれ上下一対のシャッタ50を設け
たが、ヒータ部20を上下いずれか一方に配置した場合
には、そのヒータ部20と内容器30との間に一つのシ
ャッタ50を設けるだけでよい。
【0028】また、実施例では、シャッタ50の開閉に
要する時間をできるだけ短くするために、二組のシャッ
タ50を対向配置したが、本発明は必ずしもこれに限定
されず、一方の側板に設けた一組のシャッタのみで構成
してもよい。
要する時間をできるだけ短くするために、二組のシャッ
タ50を対向配置したが、本発明は必ずしもこれに限定
されず、一方の側板に設けた一組のシャッタのみで構成
してもよい。
【0029】また、シャッタの駆動機構は実施例のよう
なスライド機構に限らず、シャッタを揺動駆動するもの
であってもよく、その駆動機構は種々変更実施可能であ
る。
なスライド機構に限らず、シャッタを揺動駆動するもの
であってもよく、その駆動機構は種々変更実施可能であ
る。
【0030】さらに、上記実施例においては、半導体ウ
ェハWを水平方向から導入・出し入れする横型熱処理装
置であったが、半導体ウェハWを垂直方向から導入・出
し入れする縦型熱処理装置としてもよい。
ェハWを水平方向から導入・出し入れする横型熱処理装
置であったが、半導体ウェハWを垂直方向から導入・出
し入れする縦型熱処理装置としてもよい。
【0031】以上の説明から明らかなように、本発明に
よれば、加熱空間を形成する外容器内部に設けられたヒ
ータと半導体ウェハが収容される内容器との間に開閉自
在に、ヒータ側の表面が鏡面であるとともに内容器側の
表面が黒色化処理されたシャッタが設けられ、このシャ
ッタによって半導体ウェハへの輻射熱の照射・遮断を急
速かつ均一に行なうことができるので、半導体ウェハの
面内温度差を極めて小さくすることができ、半導体ウェ
ハに形成される半導体素子の特性のばらつきや半導体ウ
ェハに発生する結晶欠陥を最小限にすることができる。
よれば、加熱空間を形成する外容器内部に設けられたヒ
ータと半導体ウェハが収容される内容器との間に開閉自
在に、ヒータ側の表面が鏡面であるとともに内容器側の
表面が黒色化処理されたシャッタが設けられ、このシャ
ッタによって半導体ウェハへの輻射熱の照射・遮断を急
速かつ均一に行なうことができるので、半導体ウェハの
面内温度差を極めて小さくすることができ、半導体ウェ
ハに形成される半導体素子の特性のばらつきや半導体ウ
ェハに発生する結晶欠陥を最小限にすることができる。
【図1】第1実施例に係る熱処理装置の概略構成を示す
縦断面図である。
縦断面図である。
【図2】図1のA−A矢視断面図である。
【図3】ヒータ部の概略構成を示す斜視図である。
【図4】ヒータ部の変形例の概略構成を示す斜視図であ
る。
る。
【図5】第1実施例に係る熱処理装置での加熱・冷却処
理の説明に供する図である。
理の説明に供する図である。
【図6】第1実施例に係る熱処理装置での加熱・冷却処
理における半導体ウェハの面内温度差を示す図である。
理における半導体ウェハの面内温度差を示す図である。
【図7】第2実施例に係る熱処理装置の概略構成を示す
縦断面図である。
縦断面図である。
10 … 外容器 10a … 上面反射板 10b … 下面反射板 11 … 冷却配管 20,20a … ヒータ部 21 … ヒータ支持棒 22 … 板状ヒータ 22a … コイル状ヒータ 25 … 対流防止板 30 … 内容器 40,40a … 基板支持体 50 … シャッタ 51 … 可動部材 52 … 固定レール 53 … シリンダ W … 半導体ウェハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/324 H01L 21/22 501 H01L 21/22 511
Claims (1)
- 【請求項1】 半導体ウェハを熱処理する熱処理装置に
おいて、 内部に加熱空間を形成する外容器と、前記外容器の内部に設けられ、半導体ウエハを収納可能
で、かつ半導体ウエハを出し入れするための開口部を有
する内容器と、 前記内容器の内部において半導体ウェハを支持する基板
支持体と、 前記外容器の内部に設けられ、前記内容器の内部におい
て前記基板支持体によって支持された半導体ウエハを加
熱するヒータと、 前記ヒータと前記内容器との間に開閉自在に配設され、
前記ヒータ側の表面は鏡面であるとともに前記内容器側
の表面は黒色化処理された シャッタと、 を備えたことを特徴する熱処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19550893A JP2933469B2 (ja) | 1993-07-12 | 1993-07-12 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19550893A JP2933469B2 (ja) | 1993-07-12 | 1993-07-12 | 熱処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0729912A JPH0729912A (ja) | 1995-01-31 |
JP2933469B2 true JP2933469B2 (ja) | 1999-08-16 |
Family
ID=16342254
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19550893A Expired - Fee Related JP2933469B2 (ja) | 1993-07-12 | 1993-07-12 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2933469B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4149620B2 (ja) * | 1999-08-25 | 2008-09-10 | 株式会社荏原製作所 | 基板銅めっき処理方法 |
JP4057198B2 (ja) | 1999-08-13 | 2008-03-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
-
1993
- 1993-07-12 JP JP19550893A patent/JP2933469B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0729912A (ja) | 1995-01-31 |
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