JP2933469B2 - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
- Publication number
- JP2933469B2 JP2933469B2 JP19550893A JP19550893A JP2933469B2 JP 2933469 B2 JP2933469 B2 JP 2933469B2 JP 19550893 A JP19550893 A JP 19550893A JP 19550893 A JP19550893 A JP 19550893A JP 2933469 B2 JP2933469 B2 JP 2933469B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- inner container
- heater
- heat treatment
- shutter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハ等の熱処
理装置に係り、特に１枚ないし数枚の単位で半導体ウェ
ハを短時間熱処理するのに好適な熱処理装置に関する。
理装置に係り、特に１枚ないし数枚の単位で半導体ウェ
ハを短時間熱処理するのに好適な熱処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の装置として、特開昭６３
−８１９２１号公報に記載のように、１枚の半導体ウェ
ハをハロゲンランプで構成される加熱源により短時間で
所定温度に加熱するランプ加熱装置がある。しかし、こ
のランプ加熱装置は、ランプ寿命が短く、また連続加熱
するとランプを著しく劣化させるので、半導体ウェハを
継続的に安定して熱処理することができないという問題
点がある。
−８１９２１号公報に記載のように、１枚の半導体ウェ
ハをハロゲンランプで構成される加熱源により短時間で
所定温度に加熱するランプ加熱装置がある。しかし、こ
のランプ加熱装置は、ランプ寿命が短く、また連続加熱
するとランプを著しく劣化させるので、半導体ウェハを
継続的に安定して熱処理することができないという問題
点がある。
【０００３】上記の問題点を解決するものとして、特開
平２−２１６８２０号公報に記載のように金属発熱体を
加熱源に用いた熱処理装置がある。この装置は、金属発
熱体を断熱材で覆い、内部に半導体ウェハを熱処理する
内容器と金属発熱体の輻射熱を均一にする均熱管とを備
えている。前記内容器は、縦型で下方には半導体ウェハ
を出し入れする開口部を備えており、所定温度に加熱さ
れた内容器に下方の開口部から、半導体ウェハが載置さ
れたウェハ挿入治具を導入して所望時間の熱処理をおこ
なう。また、半導体ウェハ面内の温度差（外周部と中心
部との温度差）を均一にするために、半導体ウェハを内
容器に導入する挿入治具には、２枚の半導体ウェハをほ
ぼ平行に配置し、さらに２枚の半導体ウェハ間を仕切る
仕切板を設けている。
平２−２１６８２０号公報に記載のように金属発熱体を
加熱源に用いた熱処理装置がある。この装置は、金属発
熱体を断熱材で覆い、内部に半導体ウェハを熱処理する
内容器と金属発熱体の輻射熱を均一にする均熱管とを備
えている。前記内容器は、縦型で下方には半導体ウェハ
を出し入れする開口部を備えており、所定温度に加熱さ
れた内容器に下方の開口部から、半導体ウェハが載置さ
れたウェハ挿入治具を導入して所望時間の熱処理をおこ
なう。また、半導体ウェハ面内の温度差（外周部と中心
部との温度差）を均一にするために、半導体ウェハを内
容器に導入する挿入治具には、２枚の半導体ウェハをほ
ぼ平行に配置し、さらに２枚の半導体ウェハ間を仕切る
仕切板を設けている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。すなわち、半導体ウェハを加熱・冷却するには、
半導体ウェハを載置した挿入治具を所定温度に加熱した
内容器に導入・取り出し移動して行なう必要があるが、
微細加工された脆い材料の半導体ウェハを載せた挿入治
具を高速に移動することは困難なので、内容器への導入
・取り出し移動時に半導体ウェハ面内に温度差が生じ
て、半導体ウェハに形成される半導体素子の特性にばら
つきが生じたり、半導体ウェハに結晶欠陥が生じやすい
という問題点がある。
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。すなわち、半導体ウェハを加熱・冷却するには、
半導体ウェハを載置した挿入治具を所定温度に加熱した
内容器に導入・取り出し移動して行なう必要があるが、
微細加工された脆い材料の半導体ウェハを載せた挿入治
具を高速に移動することは困難なので、内容器への導入
・取り出し移動時に半導体ウェハ面内に温度差が生じ
て、半導体ウェハに形成される半導体素子の特性にばら
つきが生じたり、半導体ウェハに結晶欠陥が生じやすい
という問題点がある。
【０００５】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、半導体ウェハの面内温度差を小さくす
ることができる熱処理装置を提供することを目的とす
る。
たものであって、半導体ウェハの面内温度差を小さくす
ることができる熱処理装置を提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、本発明に係る熱処理装置は、半導体ウェハを熱処理
する熱処理装置において、内部に加熱空間を形成する外
容器と、前記外容器の内部に設けられ、半導体ウエハを
収納可能で、かつ半導体ウエハを出し入れするための開
口部を有する内容器と、前記内容器の内部において半導
体ウェハを支持する基板支持体と、前記外容器の内部に
設けられ、前記内容器の内部において前記基板支持体に
よって支持された半導体ウエハを加熱するヒータと、前
記ヒータと前記内容器との間に開閉自在に配設され、前
記ヒータ側の表面は鏡面であるとともに前記内容器側の
表面は黒色化処理されたシャッタと、を備えたことを特
徴するものである。
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、本発明に係る熱処理装置は、半導体ウェハを熱処理
する熱処理装置において、内部に加熱空間を形成する外
容器と、前記外容器の内部に設けられ、半導体ウエハを
収納可能で、かつ半導体ウエハを出し入れするための開
口部を有する内容器と、前記内容器の内部において半導
体ウェハを支持する基板支持体と、前記外容器の内部に
設けられ、前記内容器の内部において前記基板支持体に
よって支持された半導体ウエハを加熱するヒータと、前
記ヒータと前記内容器との間に開閉自在に配設され、前
記ヒータ側の表面は鏡面であるとともに前記内容器側の
表面は黒色化処理されたシャッタと、を備えたことを特
徴するものである。
【０００７】
【作用】本発明の作用は次のとおりである。すなわち、
内容器の内部に半導体ウエハを導入するにあたり、ヒー
タと内容器との間に開閉自在に配設され、ヒータ側の表
面は鏡面であるとともに内容器側の表面は黒色化処理さ
れたシャッタを閉じた状態にする。この状態で内容器の
内部に半導体ウエハを導入する。半導体ウエハを内容器
の内部の所定位置にまで導入した後、シャッタを開いて
ヒータによって半導体ウエハを所定時間加熱処理する。
加熱処理が終わると、シャッタを閉じる。この状態で半
導体ウエハを内容器から取り出す。
内容器の内部に半導体ウエハを導入するにあたり、ヒー
タと内容器との間に開閉自在に配設され、ヒータ側の表
面は鏡面であるとともに内容器側の表面は黒色化処理さ
れたシャッタを閉じた状態にする。この状態で内容器の
内部に半導体ウエハを導入する。半導体ウエハを内容器
の内部の所定位置にまで導入した後、シャッタを開いて
ヒータによって半導体ウエハを所定時間加熱処理する。
加熱処理が終わると、シャッタを閉じる。この状態で半
導体ウエハを内容器から取り出す。
【０００８】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の一実施例を説
明する。 ＜第１実施例＞図１、図２は本発明の一実施例にかかる
装置の概略構成を示す断面図であり、特に、図１は縦断
面図、図２は図１におけるＡ−Ａ矢視断面図である。
明する。 ＜第１実施例＞図１、図２は本発明の一実施例にかかる
装置の概略構成を示す断面図であり、特に、図１は縦断
面図、図２は図１におけるＡ−Ａ矢視断面図である。
【０００９】図において、符号１０は、加熱空間を形成
する外容器である。この外容器１０は、上部に設けられ
る上面反射板１０ａと、後述するシャッタ５０を挿抜す
るための貫通孔を側面に有する２枚の側板１０ｂと、下
部に設けられる下面反射板１０ｃと、半導体ウェハの導
入・取り出し側に設けられる側板１０ｄと、これに対向
する側板１０ｅとによって密閉状態に構成されている。
この外容器１０は、例えばアルミニウム合金等で形成さ
れ、各板の内部に水等の冷却媒体が流れる冷却配管１１
が多数埋設されている。上記の上面反射板１０ａと下面
反射板１０ｃとは、後述するヒータ部２０からの輻射熱
の反射と反射率の劣化の防止とのために加熱空間側にＡ
ｕメッキが施されている。
する外容器である。この外容器１０は、上部に設けられ
る上面反射板１０ａと、後述するシャッタ５０を挿抜す
るための貫通孔を側面に有する２枚の側板１０ｂと、下
部に設けられる下面反射板１０ｃと、半導体ウェハの導
入・取り出し側に設けられる側板１０ｄと、これに対向
する側板１０ｅとによって密閉状態に構成されている。
この外容器１０は、例えばアルミニウム合金等で形成さ
れ、各板の内部に水等の冷却媒体が流れる冷却配管１１
が多数埋設されている。上記の上面反射板１０ａと下面
反射板１０ｃとは、後述するヒータ部２０からの輻射熱
の反射と反射率の劣化の防止とのために加熱空間側にＡ
ｕメッキが施されている。
【００１０】側板１０ｂの内面上部と内面下部とには、
輻射熱を放射するヒータ部２０が互いに平行に架設さ
れ、各々のヒータ部２０の上下、すなわち、外容器１０
の内側とヒータ部２０との間、および外容器１０の内部
において閉じた状態のシャッタ５０とヒータ部２０との
間には、対流による温度分布の変動を防止するための石
英製の対流防止板２５がそれぞれ配設されている。ヒー
タ部２０は、内容器３０内の温度分布を均一にするため
に、複数領域（本実施例では、一例として５つの領域）
に分割されて各々が独立に制御されている。
輻射熱を放射するヒータ部２０が互いに平行に架設さ
れ、各々のヒータ部２０の上下、すなわち、外容器１０
の内側とヒータ部２０との間、および外容器１０の内部
において閉じた状態のシャッタ５０とヒータ部２０との
間には、対流による温度分布の変動を防止するための石
英製の対流防止板２５がそれぞれ配設されている。ヒー
タ部２０は、内容器３０内の温度分布を均一にするため
に、複数領域（本実施例では、一例として５つの領域）
に分割されて各々が独立に制御されている。
【００１１】図３に示すように、ヒータ部２０は、高温
下でも絶縁性が低下しない高純度のアルミナ等を丸棒状
に形成したヒータ支持棒２１に、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ合金
等の電熱材料で形成した板状ヒータ２２が波状に編み込
まれて構成されている。板状ヒータ２２は、各々の端が
連結された溶接部２３を介して電気的に接続されてお
り、また各ヒータ２２の間はアルミナ等の絶縁板２４に
よって仕切られている。
下でも絶縁性が低下しない高純度のアルミナ等を丸棒状
に形成したヒータ支持棒２１に、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ合金
等の電熱材料で形成した板状ヒータ２２が波状に編み込
まれて構成されている。板状ヒータ２２は、各々の端が
連結された溶接部２３を介して電気的に接続されてお
り、また各ヒータ２２の間はアルミナ等の絶縁板２４に
よって仕切られている。
【００１２】なお、このヒータ部２０は図３に示したも
のに限らず、例えば図４に示すように、板状ヒータ２２
に替えて同様の材料で形成されるコイル状ヒータ２２ａ
を用いたヒータ部２０であってもよい。
のに限らず、例えば図４に示すように、板状ヒータ２２
に替えて同様の材料で形成されるコイル状ヒータ２２ａ
を用いたヒータ部２０であってもよい。
【００１３】上下のヒータ部２０の中間位置に、石英製
の内容器３０が配設されている。内容器３０の先端部に
は、Ｎ2 ，Ｏ2 およびシラン等の半導体材料ガスを所定
流量で流入させるための流入口３０ａが、後端部には、
流入口３０ａからのガスを排出するための排気口３０ｂ
と半導体ウェハＷの導入・取り出しを行なうための開口
部３０ｃとが、それぞれ設けられている。
の内容器３０が配設されている。内容器３０の先端部に
は、Ｎ2 ，Ｏ2 およびシラン等の半導体材料ガスを所定
流量で流入させるための流入口３０ａが、後端部には、
流入口３０ａからのガスを排出するための排気口３０ｂ
と半導体ウェハＷの導入・取り出しを行なうための開口
部３０ｃとが、それぞれ設けられている。
【００１４】内容器３０に対して、半導体ウェハＷの導
入・取り出しを行なうには、内容器３０の開口部３０ｃ
を介して挿抜される基板支持体４０を使用する。基板支
持体４０は、石英ガラス等で形成され、半導体ウェハＷ
を水平に安定保持するために半導体ウェハＷに当接する
ように数個の爪４１が取り付けられた円状枠４２を備え
ている。基板支持体４０の内容器３０の開口部側には、
石英ガラス製の支持棒４３があり、これが内容器３０の
開口部３０ｃを閉じる蓋４４につながっている。基板支
持体４０は図示しない搬送機構によって駆動される。
入・取り出しを行なうには、内容器３０の開口部３０ｃ
を介して挿抜される基板支持体４０を使用する。基板支
持体４０は、石英ガラス等で形成され、半導体ウェハＷ
を水平に安定保持するために半導体ウェハＷに当接する
ように数個の爪４１が取り付けられた円状枠４２を備え
ている。基板支持体４０の内容器３０の開口部側には、
石英ガラス製の支持棒４３があり、これが内容器３０の
開口部３０ｃを閉じる蓋４４につながっている。基板支
持体４０は図示しない搬送機構によって駆動される。
【００１５】各側板１０ｂに各々２つ設けられる貫通孔
には、外容器１０の上面反射板１０ａ等と同様に冷却配
管１１が埋設された上下一対のシャッタ５０が挿抜可能
に取り付けられており、各側板１０ｂに一対のシャッタ
５０が対向配置されている。各シャッタ５０のヒータ部
２０側の表面は、輻射熱を反射するように鏡面仕上げさ
れ、内容器３０側の表面は、半導体ウェハＷの熱を吸収
するように黒色化処理で仕上げられている。
には、外容器１０の上面反射板１０ａ等と同様に冷却配
管１１が埋設された上下一対のシャッタ５０が挿抜可能
に取り付けられており、各側板１０ｂに一対のシャッタ
５０が対向配置されている。各シャッタ５０のヒータ部
２０側の表面は、輻射熱を反射するように鏡面仕上げさ
れ、内容器３０側の表面は、半導体ウェハＷの熱を吸収
するように黒色化処理で仕上げられている。
【００１６】各側板１０ｂの上下のシャッタ５０は、内
容器３０の上方位置と下方位置で互いに平行になるよう
に、Ｌの字状の可動部材５１に片持ち支持されている。
各可動部材５１は、固定レール５２に揺動自在に取り付
けられているとともに、２つのシリンダ５３のロッドに
各々連結されている。各シリンダが収縮駆動されること
により、対向する二組のシャッタ５０が加熱空間に中央
で当接するようになっている。
容器３０の上方位置と下方位置で互いに平行になるよう
に、Ｌの字状の可動部材５１に片持ち支持されている。
各可動部材５１は、固定レール５２に揺動自在に取り付
けられているとともに、２つのシリンダ５３のロッドに
各々連結されている。各シリンダが収縮駆動されること
により、対向する二組のシャッタ５０が加熱空間に中央
で当接するようになっている。
【００１７】次に、図５を参照して動作を説明する。図
５は、本実施例に係る熱処理装置による加熱・冷却処理
での、内容器３０内の半導体ウェハＷとヒータ部２０の
温度と時間の関係を示す図である。温度測定は、内容器
３０内の基板支持体４０に当接支持される半導体ウェハ
Ｗの表面に取りつけた熱電対とヒータ部２０の５分割制
御された熱電対とによって行なった。
５は、本実施例に係る熱処理装置による加熱・冷却処理
での、内容器３０内の半導体ウェハＷとヒータ部２０の
温度と時間の関係を示す図である。温度測定は、内容器
３０内の基板支持体４０に当接支持される半導体ウェハ
Ｗの表面に取りつけた熱電対とヒータ部２０の５分割制
御された熱電対とによって行なった。
【００１８】まず、シリンダ５３が収縮した状態、すな
わち、シャッタ５０が閉じた状態で、ヒータ部２０の温
度設定を１０００℃にする。
わち、シャッタ５０が閉じた状態で、ヒータ部２０の温
度設定を１０００℃にする。
【００１９】シャッタ５０を閉じた状態で、半導体ウェ
ハＷを載置した基板支持体４０を、内容器３０の開口部
３０ｃから導入して所望速度で移動させ、処理位置で停
止させる。この間、ヒータ部２０からの輻射熱はシャッ
タ５０によって遮断・吸収されるので、半導体ウェハＷ
はほとんど加熱されない。
ハＷを載置した基板支持体４０を、内容器３０の開口部
３０ｃから導入して所望速度で移動させ、処理位置で停
止させる。この間、ヒータ部２０からの輻射熱はシャッ
タ５０によって遮断・吸収されるので、半導体ウェハＷ
はほとんど加熱されない。
【００２０】そして、シリンダ５３が高速（例えば、
０．１秒程度）で伸長することによってシャッタ５０が
開放し、内容器３０内の内部において基板支持体４０に
支持された半導体ウェハＷに輻射熱が照射される状態
（加熱状態）にする。これが、図５中の経過時間０分の
状態である。この状態では、内容器３０や半導体ウェハ
Ｗ等に輻射熱が吸収されて、一時的にヒータ部２０の温
度が低下している。しかし、ヒータ部２０は制御されて
いるので、直ちに設定温度に回復する。半導体ウェハＷ
の温度は、目標温度である１０００℃へ急速に（１分程
度）達する。
０．１秒程度）で伸長することによってシャッタ５０が
開放し、内容器３０内の内部において基板支持体４０に
支持された半導体ウェハＷに輻射熱が照射される状態
（加熱状態）にする。これが、図５中の経過時間０分の
状態である。この状態では、内容器３０や半導体ウェハ
Ｗ等に輻射熱が吸収されて、一時的にヒータ部２０の温
度が低下している。しかし、ヒータ部２０は制御されて
いるので、直ちに設定温度に回復する。半導体ウェハＷ
の温度は、目標温度である１０００℃へ急速に（１分程
度）達する。
【００２１】加熱処理を約４分間行なったのちに、シリ
ンダ５３が高速度で収縮することによってシャッタ５０
が閉じ、内容器３０内の半導体ウェハＷに輻射熱が照射
されない状態（冷却状態）にする。この状態では、シャ
ッタ５０の開放時とは反対に、シャッタ５０のヒータ部
２０側に形成された鏡面仕上げ面により輻射熱が反射さ
れるので、一時的にヒータ部２０の温度が上昇してい
る。一方、半導体ウェハＷは、シャッタ５０が閉じられ
ることにより輻射熱が遮断されるととに、シャッタ５０
の内容器３０側に施された黒色化処理の効果により、急
速に冷却される。
ンダ５３が高速度で収縮することによってシャッタ５０
が閉じ、内容器３０内の半導体ウェハＷに輻射熱が照射
されない状態（冷却状態）にする。この状態では、シャ
ッタ５０の開放時とは反対に、シャッタ５０のヒータ部
２０側に形成された鏡面仕上げ面により輻射熱が反射さ
れるので、一時的にヒータ部２０の温度が上昇してい
る。一方、半導体ウェハＷは、シャッタ５０が閉じられ
ることにより輻射熱が遮断されるととに、シャッタ５０
の内容器３０側に施された黒色化処理の効果により、急
速に冷却される。
【００２２】次に、図６を参照して、半導体ウェハＷの
外周部と中心部との温度差であるウェハ面内温度差を、
本発明に係る装置と従来例である特開平２−２１６８２
０号公報に記載の熱処理装置とで比較する。
外周部と中心部との温度差であるウェハ面内温度差を、
本発明に係る装置と従来例である特開平２−２１６８２
０号公報に記載の熱処理装置とで比較する。
【００２３】図中、従来１とは、上記従来例の装置にお
いて半導体ウェハを仕切る仕切り板を設けない場合であ
り、従来２とは、仕切り板を設ける場合である。なお、
従来例には、加熱時のデータしか記載されていないので
冷却時のデータは描画していない。また、設定温度（半
導体ウェハＷの温度）は、全て１０００℃である。
いて半導体ウェハを仕切る仕切り板を設けない場合であ
り、従来２とは、仕切り板を設ける場合である。なお、
従来例には、加熱時のデータしか記載されていないので
冷却時のデータは描画していない。また、設定温度（半
導体ウェハＷの温度）は、全て１０００℃である。
【００２４】従来１に示されるように半導体ウェハを仕
切る仕切り板を設けない従来例においては、ウェハ面内
温度差は、最高で１００℃を超える。また、従来２に示
されるように仕切り板を設けた場合でも、６０℃を超え
ている。これらに対し、本発明に係る熱処理装置におい
ては、加熱・冷却時で最大１５℃程度となっている。
切る仕切り板を設けない従来例においては、ウェハ面内
温度差は、最高で１００℃を超える。また、従来２に示
されるように仕切り板を設けた場合でも、６０℃を超え
ている。これらに対し、本発明に係る熱処理装置におい
ては、加熱・冷却時で最大１５℃程度となっている。
【００２５】＜第２実施例＞第１実施例では、１枚の半
導体ウェハを処理する装置であったが、２枚の半導体ウ
ェハを処理するようにしてもよい。以下、図７の概略構
成を示す縦断面図を参照して説明する。
導体ウェハを処理する装置であったが、２枚の半導体ウ
ェハを処理するようにしてもよい。以下、図７の概略構
成を示す縦断面図を参照して説明する。
【００２６】図中、第１実施例である図１と同じ符号
は、同じ構成部品であるので説明は省略する。符号４０
ａは、内容器３０の内部に導入・取り出しされる基板支
持体である。基板支持体４０ａには、半導体ウェハＷを
２枚載置し保持できるように、石英ガラス製の角柱の内
側面にスリットが縦方向に２か所配設されている。
は、同じ構成部品であるので説明は省略する。符号４０
ａは、内容器３０の内部に導入・取り出しされる基板支
持体である。基板支持体４０ａには、半導体ウェハＷを
２枚載置し保持できるように、石英ガラス製の角柱の内
側面にスリットが縦方向に２か所配設されている。
【００２７】上記各実施例では、内容器３０の上下にヒ
ータ部２０を配置した関係で、各ヒータ部２０と内容器
３０との間に、それぞれ上下一対のシャッタ５０を設け
たが、ヒータ部２０を上下いずれか一方に配置した場合
には、そのヒータ部２０と内容器３０との間に一つのシ
ャッタ５０を設けるだけでよい。
ータ部２０を配置した関係で、各ヒータ部２０と内容器
３０との間に、それぞれ上下一対のシャッタ５０を設け
たが、ヒータ部２０を上下いずれか一方に配置した場合
には、そのヒータ部２０と内容器３０との間に一つのシ
ャッタ５０を設けるだけでよい。
【００２８】また、実施例では、シャッタ５０の開閉に
要する時間をできるだけ短くするために、二組のシャッ
タ５０を対向配置したが、本発明は必ずしもこれに限定
されず、一方の側板に設けた一組のシャッタのみで構成
してもよい。
要する時間をできるだけ短くするために、二組のシャッ
タ５０を対向配置したが、本発明は必ずしもこれに限定
されず、一方の側板に設けた一組のシャッタのみで構成
してもよい。
【００２９】また、シャッタの駆動機構は実施例のよう
なスライド機構に限らず、シャッタを揺動駆動するもの
であってもよく、その駆動機構は種々変更実施可能であ
る。
なスライド機構に限らず、シャッタを揺動駆動するもの
であってもよく、その駆動機構は種々変更実施可能であ
る。
【００３０】さらに、上記実施例においては、半導体ウ
ェハＷを水平方向から導入・出し入れする横型熱処理装
置であったが、半導体ウェハＷを垂直方向から導入・出
し入れする縦型熱処理装置としてもよい。
ェハＷを水平方向から導入・出し入れする横型熱処理装
置であったが、半導体ウェハＷを垂直方向から導入・出
し入れする縦型熱処理装置としてもよい。
【００３１】以上の説明から明らかなように、本発明に
よれば、加熱空間を形成する外容器内部に設けられたヒ
ータと半導体ウェハが収容される内容器との間に開閉自
在に、ヒータ側の表面が鏡面であるとともに内容器側の
表面が黒色化処理されたシャッタが設けられ、このシャ
ッタによって半導体ウェハへの輻射熱の照射・遮断を急
速かつ均一に行なうことができるので、半導体ウェハの
面内温度差を極めて小さくすることができ、半導体ウェ
ハに形成される半導体素子の特性のばらつきや半導体ウ
ェハに発生する結晶欠陥を最小限にすることができる。
よれば、加熱空間を形成する外容器内部に設けられたヒ
ータと半導体ウェハが収容される内容器との間に開閉自
在に、ヒータ側の表面が鏡面であるとともに内容器側の
表面が黒色化処理されたシャッタが設けられ、このシャ
ッタによって半導体ウェハへの輻射熱の照射・遮断を急
速かつ均一に行なうことができるので、半導体ウェハの
面内温度差を極めて小さくすることができ、半導体ウェ
ハに形成される半導体素子の特性のばらつきや半導体ウ
ェハに発生する結晶欠陥を最小限にすることができる。
【図１】第１実施例に係る熱処理装置の概略構成を示す
縦断面図である。
縦断面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図３】ヒータ部の概略構成を示す斜視図である。
【図４】ヒータ部の変形例の概略構成を示す斜視図であ
る。
る。
【図５】第１実施例に係る熱処理装置での加熱・冷却処
理の説明に供する図である。
理の説明に供する図である。
【図６】第１実施例に係る熱処理装置での加熱・冷却処
理における半導体ウェハの面内温度差を示す図である。
理における半導体ウェハの面内温度差を示す図である。
【図７】第２実施例に係る熱処理装置の概略構成を示す
縦断面図である。
縦断面図である。
１０ … 外容器 １０ａ … 上面反射板 １０ｂ … 下面反射板 １１ … 冷却配管 ２０，２０ａ … ヒータ部 ２１ … ヒータ支持棒 ２２ … 板状ヒータ ２２ａ … コイル状ヒータ ２５ … 対流防止板 ３０ … 内容器 ４０，４０ａ … 基板支持体 ５０ … シャッタ ５１ … 可動部材 ５２ … 固定レール ５３ … シリンダ Ｗ … 半導体ウェハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/324 H01L 21/22 501 H01L 21/22 511
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体ウェハを熱処理する熱処理装置に
おいて、 内部に加熱空間を形成する外容器と、前記外容器の内部に設けられ、半導体ウエハを収納可能
で、かつ半導体ウエハを出し入れするための開口部を有
する内容器と、 前記内容器の内部において半導体ウェハを支持する基板
支持体と、 前記外容器の内部に設けられ、前記内容器の内部におい
て前記基板支持体によって支持された半導体ウエハを加
熱するヒータと、 前記ヒータと前記内容器との間に開閉自在に配設され、
前記ヒータ側の表面は鏡面であるとともに前記内容器側
の表面は黒色化処理された シャッタと、 を備えたことを特徴する熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19550893A JP2933469B2 (ja) | 1993-07-12 | 1993-07-12 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19550893A JP2933469B2 (ja) | 1993-07-12 | 1993-07-12 | 熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0729912A JPH0729912A (ja) | 1995-01-31 |
| JP2933469B2 true JP2933469B2 (ja) | 1999-08-16 |
Family
ID=16342254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19550893A Expired - Fee Related JP2933469B2 (ja) | 1993-07-12 | 1993-07-12 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2933469B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4149620B2 (ja) * | 1999-08-25 | 2008-09-10 | 株式会社荏原製作所 | 基板銅めっき処理方法 |
| JP4057198B2 (ja) | 1999-08-13 | 2008-03-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
-
1993
- 1993-07-12 JP JP19550893A patent/JP2933469B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0729912A (ja) | 1995-01-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2766774B2 (ja) | 大面積ガラス基板の冷却および加熱方法とそのための装置 | |
| JP3380988B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| US4698486A (en) | Method of heating semiconductor wafers in order to achieve annealing, silicide formation, reflow of glass passivation layers, etc. | |
| JP3507795B2 (ja) | 回転する基板を備えた急速熱処理（ｒｔｐ）システム | |
| JP2001526316A (ja) | 基板加熱冷却を改良した真空処理装置 | |
| JPH05152224A (ja) | 急速熱処理装置 | |
| JP2003121023A (ja) | 熱媒体循環装置及びこれを用いた熱処理装置 | |
| US20130062035A1 (en) | Substrate cooling device, substrate cooling method and heat treatment apparatus | |
| US4954684A (en) | Vertical type heat-treating apparatus and heat-treating method | |
| JP2933469B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JP2003257872A (ja) | 冷却装置及びこれを用いた熱処理装置 | |
| JP2002075901A (ja) | アニール装置、メッキ処理システム、および半導体デバイスの製造方法 | |
| JPH10163219A (ja) | 挿入シャッタを使用した炉温急昇降装置とデバイス製造方法 | |
| JP3277421B2 (ja) | 加熱処理装置および熱処理方法 | |
| JP3112672B1 (ja) | 縦型加熱装置 | |
| JP3240180B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JP2001004282A (ja) | 真空加熱装置 | |
| JP2968062B2 (ja) | 半導体加熱処理装置 | |
| JPH05206048A (ja) | ランプアニール装置 | |
| JP2976363B2 (ja) | 真空熱処理装置 | |
| JPH0848595A (ja) | 枚葉式気相成長装置 | |
| JPH10321546A (ja) | 熱処理炉 | |
| JPH09148238A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH03207861A (ja) | 加熱装置 | |
| JPS63124518A (ja) | 半導体ウエハの熱処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090528 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |