JPH0848595A - 枚葉式気相成長装置 - Google Patents
枚葉式気相成長装置Info
- Publication number
- JPH0848595A JPH0848595A JP18360094A JP18360094A JPH0848595A JP H0848595 A JPH0848595 A JP H0848595A JP 18360094 A JP18360094 A JP 18360094A JP 18360094 A JP18360094 A JP 18360094A JP H0848595 A JPH0848595 A JP H0848595A
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- JP
- Japan
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- wafer
- quartz
- susceptor
- wafers
- light energy
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- Pending
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】CVD膜形成プロセス処理後のウエハの搬送可
能な温度まで冷却されるまでの冷却待時間を少なくし、
結果として一定時間に処理できるウェハ枚数を多くする
ことができる処理能率の高い枚葉式気相成長装置を提供
する。 【構成】ウェハ支持板であるサセプタ7の材質を、光エ
ネルギを通過させるために光エネルギをそれほど吸収し
ない石英とした。この石英製のサセプタ7とすることに
より、この石英製サセプタ7が加熱ランプ13…からの
光エネルギを従来のグラファイト製サセプタと比較して
吸収されず、相対的に低い温度に保たれ、ウェハWのみ
が光エネルギを吸収し急加熱される。また、ウェハWが
より早く冷却するので搬送用ロボットが使用できる温度
になるまでの待ち時間が少なくなり、結果としてスルー
プットが向上し、一定時間に処理できるウェハ枚数を多
くすることができる。
能な温度まで冷却されるまでの冷却待時間を少なくし、
結果として一定時間に処理できるウェハ枚数を多くする
ことができる処理能率の高い枚葉式気相成長装置を提供
する。 【構成】ウェハ支持板であるサセプタ7の材質を、光エ
ネルギを通過させるために光エネルギをそれほど吸収し
ない石英とした。この石英製のサセプタ7とすることに
より、この石英製サセプタ7が加熱ランプ13…からの
光エネルギを従来のグラファイト製サセプタと比較して
吸収されず、相対的に低い温度に保たれ、ウェハWのみ
が光エネルギを吸収し急加熱される。また、ウェハWが
より早く冷却するので搬送用ロボットが使用できる温度
になるまでの待ち時間が少なくなり、結果としてスルー
プットが向上し、一定時間に処理できるウェハ枚数を多
くすることができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、被処理物であるウエハ
を載置するためのウエハ支持板を改良した枚葉式気相成
長装置に関する。
を載置するためのウエハ支持板を改良した枚葉式気相成
長装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、枚葉式気相成長装置として図7に
示すものが知られている。図中aは、石英からなる壁
(以後、石英窓という)b,cを上面及び下面に有する
反応炉であり、この反応炉a内には反応室dが形成され
ている。
示すものが知られている。図中aは、石英からなる壁
(以後、石英窓という)b,cを上面及び下面に有する
反応炉であり、この反応炉a内には反応室dが形成され
ている。
【0003】この反応室d内には、図8に示すように、
被処理物であるウエハWを載置するためのグラファイト
製のウエハ支持板(サセプタ)eが設けられていると共
に、前記石英窓b,cと対応する部分の外側にそれぞれ
複数個の加熱ランプf…が配設されたものとなってい
る。
被処理物であるウエハWを載置するためのグラファイト
製のウエハ支持板(サセプタ)eが設けられていると共
に、前記石英窓b,cと対応する部分の外側にそれぞれ
複数個の加熱ランプf…が配設されたものとなってい
る。
【0004】そして、複数個の加熱ランプf…から出た
赤外線が、この石英窓b,cを通過し、反応室d内のグ
ラファイト製のウエハ支持板eがこの赤外線を吸収し加
熱されると共に、この加熱され高温になったウェハ支持
板eがウェハWと接触している面を通して直接的にウェ
ハWが加熱される。
赤外線が、この石英窓b,cを通過し、反応室d内のグ
ラファイト製のウエハ支持板eがこの赤外線を吸収し加
熱されると共に、この加熱され高温になったウェハ支持
板eがウェハWと接触している面を通して直接的にウェ
ハWが加熱される。
【0005】ウェハWが所定の温度に加熱された後、ガ
ス導入口gから反応室d内に反応ガスGが導入され、こ
れにより、ウェハWの表面で熱反応が起き、ウェハWの
上にCVD膜が形成されることになる。
ス導入口gから反応室d内に反応ガスGが導入され、こ
れにより、ウェハWの表面で熱反応が起き、ウェハWの
上にCVD膜が形成されることになる。
【0006】この後、CVD膜が形成されたウェハW
は、ウエハ搬送手段である搬送用ロボット(図示しな
い)による搬送可能な温度までウエハWが冷却するのを
待って、反応室dから取出されることになる。
は、ウエハ搬送手段である搬送用ロボット(図示しな
い)による搬送可能な温度までウエハWが冷却するのを
待って、反応室dから取出されることになる。
【0007】上記のように、この種の装置にあっては、
CVD膜形成プロセス処理後、ウエハ搬送手段である搬
送用ロボットによりウェハWを反応室dから取出すため
の冷却時間が処理能力に大きく関係してくる。
CVD膜形成プロセス処理後、ウエハ搬送手段である搬
送用ロボットによりウェハWを反応室dから取出すため
の冷却時間が処理能力に大きく関係してくる。
【0008】従来は、グラファイト製ウェハ支持板eを
使用しており、このグラファイト製ウェハ支持板eは熱
調整器(サーマル・フライ・ホイール)の機能を有する
よう熱容量が大きいものとなっており、冷却され難い。
使用しており、このグラファイト製ウェハ支持板eは熱
調整器(サーマル・フライ・ホイール)の機能を有する
よう熱容量が大きいものとなっており、冷却され難い。
【0009】したがって、このグラファイト製ウェハ支
持板eに載置されているウエハWが搬送用ロボットのハ
ンド(ウェハを取り出すための接触部分)が使用できる
搬送可能な温度まで冷却するまで長い時間がかかってい
た。
持板eに載置されているウエハWが搬送用ロボットのハ
ンド(ウェハを取り出すための接触部分)が使用できる
搬送可能な温度まで冷却するまで長い時間がかかってい
た。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
の枚葉式気相成長装置においては、被処理物であるウエ
ハを載置するためのウエハ支持板が、熱容量の大きいグ
ラファイト製であるため、CVD膜形成プロセス処理
後、ランプ加熱をやめてからウエハが搬送可能な温度ま
で冷却するまでに長い時間がかかり、スループットを大
きくできず、処理能率を向上させる上での障害となって
いるといった問題があった。
の枚葉式気相成長装置においては、被処理物であるウエ
ハを載置するためのウエハ支持板が、熱容量の大きいグ
ラファイト製であるため、CVD膜形成プロセス処理
後、ランプ加熱をやめてからウエハが搬送可能な温度ま
で冷却するまでに長い時間がかかり、スループットを大
きくできず、処理能率を向上させる上での障害となって
いるといった問題があった。
【0011】本発明は、上記事情に基づきなされたもの
で、その目的とするところは、CVD膜形成プロセス処
理後のウエハの搬送可能な温度まで冷却されるまでの冷
却待時間を少なくし、結果として一定時間に処理できる
ウェハ枚数を多くすることができるようにした処理能率
の高い枚葉式気相成長装置を提供しようとするものであ
る。
で、その目的とするところは、CVD膜形成プロセス処
理後のウエハの搬送可能な温度まで冷却されるまでの冷
却待時間を少なくし、結果として一定時間に処理できる
ウェハ枚数を多くすることができるようにした処理能率
の高い枚葉式気相成長装置を提供しようとするものであ
る。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決すべく、少なくとも一部が石英等の熱的に透明な部材
で構成され内部に反応室を形成する反応炉と、この反応
炉の前記反応室内に設けられ被処理物であるウエハを載
置するためのウエハ支持板と、前記反応室の外側から前
記反応室内に熱を放射し、前記ウエハ支持板に支持され
たウェハを加熱する加熱ランプとを具備してなる枚葉式
気相成長装置において、前記ウェハ支持板の材質を石英
とし、かつ、この石英製のウェハ支持板の厚みを、ウェ
ハと同程度の厚さ約0.5〜2mmとしたものである。
決すべく、少なくとも一部が石英等の熱的に透明な部材
で構成され内部に反応室を形成する反応炉と、この反応
炉の前記反応室内に設けられ被処理物であるウエハを載
置するためのウエハ支持板と、前記反応室の外側から前
記反応室内に熱を放射し、前記ウエハ支持板に支持され
たウェハを加熱する加熱ランプとを具備してなる枚葉式
気相成長装置において、前記ウェハ支持板の材質を石英
とし、かつ、この石英製のウェハ支持板の厚みを、ウェ
ハと同程度の厚さ約0.5〜2mmとしたものである。
【0013】
【作用】本発明の枚葉式気相成長装置によれば、ウェハ
支持板の材質を、光エネルギを通過させるために光エネ
ルギをそれほど吸収しない石英とし、かつ、この石英製
のウェハ支持板の厚みを、ウェハと同程度の厚さ約0.
5〜2mmとする事により、このウェハ支持板を比較的
低い温度に保ちながらウエハのみを目的の温度に効率的
に上げる事ができ、CVD膜形プロセス処理後、ランプ
加熱をやめれば、ウェハ支持板が比較的低い温度に保た
れ、かつ薄いため、ウェハはウェハ支持板が従来のよう
にグラファイトで作製されている場合と比較して、より
早く冷却するので搬送用ロボットが使用できる温度にな
るまでの待ち時間が少なくなり、結果としてスループッ
トが向上し、一定時間に処理できるウェハ枚数を多くす
ることができる。
支持板の材質を、光エネルギを通過させるために光エネ
ルギをそれほど吸収しない石英とし、かつ、この石英製
のウェハ支持板の厚みを、ウェハと同程度の厚さ約0.
5〜2mmとする事により、このウェハ支持板を比較的
低い温度に保ちながらウエハのみを目的の温度に効率的
に上げる事ができ、CVD膜形プロセス処理後、ランプ
加熱をやめれば、ウェハ支持板が比較的低い温度に保た
れ、かつ薄いため、ウェハはウェハ支持板が従来のよう
にグラファイトで作製されている場合と比較して、より
早く冷却するので搬送用ロボットが使用できる温度にな
るまでの待ち時間が少なくなり、結果としてスループッ
トが向上し、一定時間に処理できるウェハ枚数を多くす
ることができる。
【0014】
【実施例】以下、図1〜図3を参照して本発明の一実施
例を説明する。まず、図1を参照して枚葉式気相成長装
置1の全体構成について説明する。図中2は、石英から
なる壁(以後、石英窓という)3,4を上面及び下面に
有する反応炉であり、この反応炉2内には反応室5が形
成されている。
例を説明する。まず、図1を参照して枚葉式気相成長装
置1の全体構成について説明する。図中2は、石英から
なる壁(以後、石英窓という)3,4を上面及び下面に
有する反応炉であり、この反応炉2内には反応室5が形
成されている。
【0015】この反応室5内には、石英製のウエハ支持
板(以後、サセプタという)7が設けられ被処理物であ
るウエハWが載置されるようになっている。このサセプ
タ7は、サセプタ保持機構としてのサセプタ支え8によ
って支持されており、サセプタ支え8はサセプタ回転駆
動部9によって回転駆動され、前記サセプタ7が一体に
回転するようになっている。
板(以後、サセプタという)7が設けられ被処理物であ
るウエハWが載置されるようになっている。このサセプ
タ7は、サセプタ保持機構としてのサセプタ支え8によ
って支持されており、サセプタ支え8はサセプタ回転駆
動部9によって回転駆動され、前記サセプタ7が一体に
回転するようになっている。
【0016】反応室5内には、前記サセプタ7と同一高
さ状態でサセプタ7を囲繞する仕切板10が設けられて
おり、反応ガスGはこの仕切板10の上面側を一端側か
ら他端側に流れるようになっている。
さ状態でサセプタ7を囲繞する仕切板10が設けられて
おり、反応ガスGはこの仕切板10の上面側を一端側か
ら他端側に流れるようになっている。
【0017】11は前記反応ガスGを反応室5内に導入
するガス導入管であり、12はガスを排気するガス排気
管である。また、前記石英窓3,4と対応する部分の外
側には、反応室5内の前記ウエハWを加熱するための赤
外線ランプからなる加熱ランプ13…がそれぞれ複数個
配設されており、石英窓3,4を通して反応室5内に赤
外線を照射して前記ウェハの温度を400〜1000℃
に加熱するようになっている。
するガス導入管であり、12はガスを排気するガス排気
管である。また、前記石英窓3,4と対応する部分の外
側には、反応室5内の前記ウエハWを加熱するための赤
外線ランプからなる加熱ランプ13…がそれぞれ複数個
配設されており、石英窓3,4を通して反応室5内に赤
外線を照射して前記ウェハの温度を400〜1000℃
に加熱するようになっている。
【0018】また、サセプタ7の下面側には、サセプタ
7に載置されたウエハWを必要に応じて持上げるウエハ
持上機構14が設けられている。このウエハ持上機構1
4は、サセプタ7に形成された複数の持上ピン挿通孔7
a…に挿通する複数の持上ピン14a…を有し、前記サ
セプタ支え8の回転軸8aを貫通する軸14bが図示し
ない上下機構により上方に変位させることで、前記複数
の持上ピン14a…の上端部がサセプタ7の上面側に突
出して、ウエハWを図2の二点鎖線で示すように図示し
ない搬送ロボットにより取出せる位置まで持上げるよう
になっている。
7に載置されたウエハWを必要に応じて持上げるウエハ
持上機構14が設けられている。このウエハ持上機構1
4は、サセプタ7に形成された複数の持上ピン挿通孔7
a…に挿通する複数の持上ピン14a…を有し、前記サ
セプタ支え8の回転軸8aを貫通する軸14bが図示し
ない上下機構により上方に変位させることで、前記複数
の持上ピン14a…の上端部がサセプタ7の上面側に突
出して、ウエハWを図2の二点鎖線で示すように図示し
ない搬送ロボットにより取出せる位置まで持上げるよう
になっている。
【0019】前記サセプタ7は、材質が石英であり、そ
の厚みtはウェハWと同程度の厚さの約0.5〜2mm
であり、その表面が平坦なものとなっている。しかし
て、複数個の加熱ランプ13…から出た赤外線が、石英
窓3,4を通過し、反応室5内の石英製サセプタ7上に
載置されたウェハWが直接的に加熱される。
の厚みtはウェハWと同程度の厚さの約0.5〜2mm
であり、その表面が平坦なものとなっている。しかし
て、複数個の加熱ランプ13…から出た赤外線が、石英
窓3,4を通過し、反応室5内の石英製サセプタ7上に
載置されたウェハWが直接的に加熱される。
【0020】ウェハWが所定の温度に加熱された後、ガ
ス導入口11から反応室5内に反応ガスGが導入され、
これにより、ウェハWの表面で熱反応が起き、ウェハW
の上にCVD膜が形成されることになる。
ス導入口11から反応室5内に反応ガスGが導入され、
これにより、ウェハWの表面で熱反応が起き、ウェハW
の上にCVD膜が形成されることになる。
【0021】この後、CVD膜が形成されたウェハW
は、ウェハWの冷却を待って、複数の持上ピン14a…
により持上げられウエハ搬送手段である搬送用ロボット
(図示しない)により反応室5から取出されることにな
る。
は、ウェハWの冷却を待って、複数の持上ピン14a…
により持上げられウエハ搬送手段である搬送用ロボット
(図示しない)により反応室5から取出されることにな
る。
【0022】本発明においては、サセプタ7が石英製で
あり、かつ上記のように薄く成形されているために、こ
の石英製サセプタ7が加熱ランプ13…からの光エネル
ギをほとんど吸収されないため、相対的に低い温度に保
たれ、ウェハWのみが光エネルギを吸収し高温になる。
あり、かつ上記のように薄く成形されているために、こ
の石英製サセプタ7が加熱ランプ13…からの光エネル
ギをほとんど吸収されないため、相対的に低い温度に保
たれ、ウェハWのみが光エネルギを吸収し高温になる。
【0023】そのため、石英製サセプタ7を使用した時
のウエハの温度曲線は、図3中、実線で示すようにな
り、従来のグラファイト製サセプタを使用した時の破線
で示す温度曲線に比べ、ウェハWの急加熱、急冷却が可
能となる。
のウエハの温度曲線は、図3中、実線で示すようにな
り、従来のグラファイト製サセプタを使用した時の破線
で示す温度曲線に比べ、ウェハWの急加熱、急冷却が可
能となる。
【0024】したがって、CVD膜形成プロセス処理後
のウエハWの搬送可能な温度まで冷却されるまでの冷却
待時間を少なくでき、結果として一定時間に処理できる
ウェハ枚数を多くすることができるものとなる。
のウエハWの搬送可能な温度まで冷却されるまでの冷却
待時間を少なくでき、結果として一定時間に処理できる
ウェハ枚数を多くすることができるものとなる。
【0025】なお、上記一実施例において、石英製サセ
プタ7の表面が平坦なものについて説明したが、これに
限られるものでない。すなわち、図4に示すように、石
英製サセプタ7の表面にウェハWの厚みより浅いウェハ
横ズレ防止用のクボミ7bを形成したり、図5に示すよ
うに、石英製サセプタ7の表面にウェハWの厚みとほぼ
同一深さのウェハ横ズレ防止用のクボミ7cを形成した
ものであっても良い。
プタ7の表面が平坦なものについて説明したが、これに
限られるものでない。すなわち、図4に示すように、石
英製サセプタ7の表面にウェハWの厚みより浅いウェハ
横ズレ防止用のクボミ7bを形成したり、図5に示すよ
うに、石英製サセプタ7の表面にウェハWの厚みとほぼ
同一深さのウェハ横ズレ防止用のクボミ7cを形成した
ものであっても良い。
【0026】また、図6に示すように、ウエハWの外周
のみが接触するように、石英製のサセプタ7の表面にウ
ェハWの厚みとほぼ同一深さのウェハ横ズレ防止用のク
ボミ7cと、さらにその中央部に別のクボミ7dを形成
したものであっても良い。
のみが接触するように、石英製のサセプタ7の表面にウ
ェハWの厚みとほぼ同一深さのウェハ横ズレ防止用のク
ボミ7cと、さらにその中央部に別のクボミ7dを形成
したものであっても良い。
【0027】なお、図4ないし図6の変形例の説明にお
いて、上述の一実施例と同一部分は同一の符号を付して
詳細な説明を省略する。その他、本発明は、本発明の要
旨を変えない範囲で種々変形実施可能なことは勿論であ
る。
いて、上述の一実施例と同一部分は同一の符号を付して
詳細な説明を省略する。その他、本発明は、本発明の要
旨を変えない範囲で種々変形実施可能なことは勿論であ
る。
【0028】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように、ウェハ
支持板の材質を、光エネルギを通過させるために光エネ
ルギをそれほど吸収しない石英とし、かつ、この石英製
のウェハ支持板の厚みを、ウェハと同程度の厚さ約0.
5〜2mmとする事により、このウェハ支持板を比較的
低い温度に保ちながらウエハのみを目的の温度に急加熱
することができ、CVD膜形プロセス処理後、ランプ加
熱をやめれば、ウェハ支持板が比較的低い温度に保たれ
ているため、ウェハはウェハ支持板が従来のようにグラ
ファイトで作製されている場合と比較して、より早く冷
却するので搬送用ロボットが使用できる温度になるまで
の待ち時間が少なくなり、結果としてスループットが向
上し、一定時間に処理できるウェハ枚数を多くすること
ができるといった効果を奏する。
支持板の材質を、光エネルギを通過させるために光エネ
ルギをそれほど吸収しない石英とし、かつ、この石英製
のウェハ支持板の厚みを、ウェハと同程度の厚さ約0.
5〜2mmとする事により、このウェハ支持板を比較的
低い温度に保ちながらウエハのみを目的の温度に急加熱
することができ、CVD膜形プロセス処理後、ランプ加
熱をやめれば、ウェハ支持板が比較的低い温度に保たれ
ているため、ウェハはウェハ支持板が従来のようにグラ
ファイトで作製されている場合と比較して、より早く冷
却するので搬送用ロボットが使用できる温度になるまで
の待ち時間が少なくなり、結果としてスループットが向
上し、一定時間に処理できるウェハ枚数を多くすること
ができるといった効果を奏する。
【図1】本発明の枚葉式気相成長装置の一実施例を示す
概略的構成図。
概略的構成図。
【図2】同実施例の要部である石英製ウエハ支持板の断
面図。
面図。
【図3】石英製ウエハ支持板を用いた本発明装置とグラ
ファイト製ウエハ支持板を用いた従来装置におけるウェ
ハ温度の状態を示す説明図。
ファイト製ウエハ支持板を用いた従来装置におけるウェ
ハ温度の状態を示す説明図。
【図4】本発明の要部である石英製ウエハ支持板の第1
の変形例を示す断面図。
の変形例を示す断面図。
【図5】本発明の要部である石英製ウエハ支持板の第2
の変形例を示す断面図。
の変形例を示す断面図。
【図6】本発明の要部である石英製ウエハ支持板の第3
の変形例を示す断面図。
の変形例を示す断面図。
【図7】従来の枚葉式気相成長装置の概略的構成図。
【図8】従来例の要部であるグラファイト製ウエハ支持
板の断面図。
板の断面図。
1…枚葉式気相成長装置、2…反応炉、3,4…石英
窓、5…反応室、7…石英製サセプタ(石英製ウエハ支
持板)、7a…持上ピン挿通孔、8…サセプタ支え(サ
セプタ保持機構)、9…サセプタ回転駆動部、10…仕
切板、11…ガス導入管、12…ガス排気管、13…加
熱ランプ、14…ウエハ持上機構、14a…持上ピン、
G…反応ガス、W…ウエハ(被処理物)。
窓、5…反応室、7…石英製サセプタ(石英製ウエハ支
持板)、7a…持上ピン挿通孔、8…サセプタ支え(サ
セプタ保持機構)、9…サセプタ回転駆動部、10…仕
切板、11…ガス導入管、12…ガス排気管、13…加
熱ランプ、14…ウエハ持上機構、14a…持上ピン、
G…反応ガス、W…ウエハ(被処理物)。
Claims (2)
- 【請求項1】少なくとも一部が石英等の熱的に透明な部
材で構成され内部に反応室を形成する反応炉と、 この反応炉の前記反応室内に設けられ被処理物であるウ
エハを載置するためのウエハ支持板と、 前記反応室の外側から前記反応室内に熱を放射し、前記
ウエハ支持板に支持されたウェハを加熱する加熱ランプ
と、を具備してなる枚葉式気相成長装置において、 前記ウェハ支持板の材質を石英とし、かつ、この石英製
のウェハ支持板の厚みを、ウェハと同程度の厚さ約0.
5〜2mmとしたことを特徴とする枚葉式気相成長装
置。 - 【請求項2】前記加熱ランプが、前記ウェハの温度を4
00〜1000℃に加熱する赤外線ランプからなること
を特徴とする請求項1記載の枚葉式気相成長装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18360094A JPH0848595A (ja) | 1994-08-04 | 1994-08-04 | 枚葉式気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18360094A JPH0848595A (ja) | 1994-08-04 | 1994-08-04 | 枚葉式気相成長装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0848595A true JPH0848595A (ja) | 1996-02-20 |
Family
ID=16138653
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18360094A Pending JPH0848595A (ja) | 1994-08-04 | 1994-08-04 | 枚葉式気相成長装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0848595A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999066351A1 (fr) * | 1998-06-18 | 1999-12-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Procede de depot de fil organique |
JP2004134761A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-04-30 | Asm Internatl Nv | 高温熱処理用のサセプタプレート |
US7084068B2 (en) * | 2003-06-25 | 2006-08-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Annealing furnace, manufacturing apparatus, annealing method and manufacturing method of electronic device |
-
1994
- 1994-08-04 JP JP18360094A patent/JPH0848595A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999066351A1 (fr) * | 1998-06-18 | 1999-12-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Procede de depot de fil organique |
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