JP2918003B2 - 放射線検出器用シンチレータブロック - Google Patents
放射線検出器用シンチレータブロックInfo
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- JP2918003B2 JP2918003B2 JP5524991A JP5524991A JP2918003B2 JP 2918003 B2 JP2918003 B2 JP 2918003B2 JP 5524991 A JP5524991 A JP 5524991A JP 5524991 A JP5524991 A JP 5524991A JP 2918003 B2 JP2918003 B2 JP 2918003B2
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- Japan
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- scintillator
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- chip
- radiation detector
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/202—Measuring radiation intensity with scintillation detectors the detector being a crystal
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
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- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2002—Optical details, e.g. reflecting or diffusing layers
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- Nuclear Medicine (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば陽電子放出核種
断層撮影装置（ポジトロンＣＴ）のような放射線医療診
断装置に用いる放射線検出器に用いられるシンチレータ
ブロックに関するものである。
断層撮影装置（ポジトロンＣＴ）のような放射線医療診
断装置に用いる放射線検出器に用いられるシンチレータ
ブロックに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ポジトロンＣＴは、陽電子を放出する放
射線源を被検体に投与し、被検体の周囲にリング状に配
置された放射線検出器にて、陽電子が消滅した時に出る
消滅γ線を回転走査して多方向からの情報を採取し、こ
れを計算機処理して被検体の断層像を得る撮影装置であ
る。
射線源を被検体に投与し、被検体の周囲にリング状に配
置された放射線検出器にて、陽電子が消滅した時に出る
消滅γ線を回転走査して多方向からの情報を採取し、こ
れを計算機処理して被検体の断層像を得る撮影装置であ
る。
【０００３】ポジトロンＣＴに用いられる放射線検出器
は、光電子増倍管１の入射窓に、複数のシンチレータチ
ップに区画されたシンチレータを連結したものが用いら
れている。被検体中の放射線源から照射されたγ線は、
放射線検出器のシンチレータチップに順次入射してシン
チレーション光を発する。これらのシンチレーション光
を光電子増倍管で光電変換することにより経時的な電気
信号として出力される。断層像の空間分解能は、各シン
チレータチップが細分化しているほど高くすることがで
きる。
は、光電子増倍管１の入射窓に、複数のシンチレータチ
ップに区画されたシンチレータを連結したものが用いら
れている。被検体中の放射線源から照射されたγ線は、
放射線検出器のシンチレータチップに順次入射してシン
チレーション光を発する。これらのシンチレーション光
を光電子増倍管で光電変換することにより経時的な電気
信号として出力される。断層像の空間分解能は、各シン
チレータチップが細分化しているほど高くすることがで
きる。
【０００４】このようなシンチレータを製造するには、
複数の小さなシンチレータチップを作成した後、BaSO4
粉末やポリテトラフルオロエチレンテープ（テフロンテ
ープ）のような反射材を介して貼り合わせ、複数のシン
チレータチップからなるシンチレータを得る方法と、図
３に示すように、ブロック状に切り出したシンチレータ
結晶２に一定間隔で深い切込み溝５を形成し、その切込
み溝５に反射材６を挿入して実質的に複数のシンチレー
タチップ２1・２2・・・に区画されたシンチレータ２０を得
る方法とがある。光電子増倍管１を有効に利用して放射
線信号のロスを低減するには光電子増倍管１の光電面１
ａ全体を使う方が好ましく、光電面１ａ全体を覆う大き
さのシンチレータ２０が必要である。このようなシンチ
レータ２０の大きさは50mm以上必要であるが、一個のシ
ンチレータ結晶でこのように大きな結晶は得られない。
従って、一個のシンチレータ結晶を加工して光電面１ａ
全体を覆うシンチレータを作成することは不可能であ
る。
複数の小さなシンチレータチップを作成した後、BaSO4
粉末やポリテトラフルオロエチレンテープ（テフロンテ
ープ）のような反射材を介して貼り合わせ、複数のシン
チレータチップからなるシンチレータを得る方法と、図
３に示すように、ブロック状に切り出したシンチレータ
結晶２に一定間隔で深い切込み溝５を形成し、その切込
み溝５に反射材６を挿入して実質的に複数のシンチレー
タチップ２1・２2・・・に区画されたシンチレータ２０を得
る方法とがある。光電子増倍管１を有効に利用して放射
線信号のロスを低減するには光電子増倍管１の光電面１
ａ全体を使う方が好ましく、光電面１ａ全体を覆う大き
さのシンチレータ２０が必要である。このようなシンチ
レータ２０の大きさは50mm以上必要であるが、一個のシ
ンチレータ結晶でこのように大きな結晶は得られない。
従って、一個のシンチレータ結晶を加工して光電面１ａ
全体を覆うシンチレータを作成することは不可能であ
る。
【０００５】そこで、図３のようにシンチレータ２０を
複数のブロックに分けて作成する方法が採られた。ブロ
ック状のシンチレータ結晶２に切込み溝５を形成して反
射材６を挿入し、複数のシンチレータチップ２1・２2・・・
に区画されたシンチレータブロック２を作成する。この
シンチレータブロック２を、同様にして作成したシンチ
レータブロック３と反射材７を介して接合すれば、大き
なシンチレータ２０が得られる。
複数のブロックに分けて作成する方法が採られた。ブロ
ック状のシンチレータ結晶２に切込み溝５を形成して反
射材６を挿入し、複数のシンチレータチップ２1・２2・・・
に区画されたシンチレータブロック２を作成する。この
シンチレータブロック２を、同様にして作成したシンチ
レータブロック３と反射材７を介して接合すれば、大き
なシンチレータ２０が得られる。
【０００６】しかし、このシンチレータ２０には、シン
チレータブロック２とブロック３との接合面近傍のシン
チレータチップ２1 や３1 から光電子増倍管１への入射
光量が少ないという問題がある。
チレータブロック２とブロック３との接合面近傍のシン
チレータチップ２1 や３1 から光電子増倍管１への入射
光量が少ないという問題がある。
【０００７】例えば、シンチレータブロック２のなかほ
どにあるシンチレータチップ２3 にγ線が入射した場
合、このγ線で発生したシンチレーション光は、シンチ
レータチップ２3 の直下を中心としてほぼ左右対称に光
電子増倍管１に入射し、γ線量に応じた位置検出信号量
が与えられる。一方、シンチレータブロック３に隣接す
るシンチレータチップ２1 にγ線が入射した場合、シン
チレーション光は、シンチレータチップ２1 の直下およ
びシンチレータチップ２2 の下方からは光電子増倍管１
へ入射するものの、シンチレータブロック２とブロック
３との接合面全体に反射材７が設けてあるため、シンチ
レータチップ３1 の下方からは入射しない。そのシンチ
レーション光は、ロスされてしまい、光電子増倍管１に
より位置検出信号量を測定すると、図４に示すようにグ
ラフ中央部にカウント数が小さい部分が発生し、放射線
検出器として不適当である。
どにあるシンチレータチップ２3 にγ線が入射した場
合、このγ線で発生したシンチレーション光は、シンチ
レータチップ２3 の直下を中心としてほぼ左右対称に光
電子増倍管１に入射し、γ線量に応じた位置検出信号量
が与えられる。一方、シンチレータブロック３に隣接す
るシンチレータチップ２1 にγ線が入射した場合、シン
チレーション光は、シンチレータチップ２1 の直下およ
びシンチレータチップ２2 の下方からは光電子増倍管１
へ入射するものの、シンチレータブロック２とブロック
３との接合面全体に反射材７が設けてあるため、シンチ
レータチップ３1 の下方からは入射しない。そのシンチ
レーション光は、ロスされてしまい、光電子増倍管１に
より位置検出信号量を測定すると、図４に示すようにグ
ラフ中央部にカウント数が小さい部分が発生し、放射線
検出器として不適当である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記の課題を
解決するためなされたもので、放射線によるシンチレー
ション光を効率良く光電変換するとともに、シンチレー
タの全ての部分において放射線を同一条件で検知できる
放射線検出器用シンチレータブロックを提供することを
目的とする。
解決するためなされたもので、放射線によるシンチレー
ション光を効率良く光電変換するとともに、シンチレー
タの全ての部分において放射線を同一条件で検知できる
放射線検出器用シンチレータブロックを提供することを
目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めになされた、本発明の放射線検出器用シンチレータブ
ロックを、一実施例に対応する図１を用いて説明する。
めになされた、本発明の放射線検出器用シンチレータブ
ロックを、一実施例に対応する図１を用いて説明する。
【００１０】同図に示すように本発明の放射線検出器用
シンチレータブロックは、放射線の入射面から切込み溝
５により区画されているシンチレータブロック２・３を
複数個接合したシンチレータブロック２０である。シン
チレータブロック２０は光電子増倍管１の入射窓１ａに
連結されている。シンチレータブロック２とシンチレー
タブロック３との接合面の光電子増倍管１側は、シンチ
レーション光が透過可能な透明樹脂４を介して接合され
ている。
シンチレータブロックは、放射線の入射面から切込み溝
５により区画されているシンチレータブロック２・３を
複数個接合したシンチレータブロック２０である。シン
チレータブロック２０は光電子増倍管１の入射窓１ａに
連結されている。シンチレータブロック２とシンチレー
タブロック３との接合面の光電子増倍管１側は、シンチ
レーション光が透過可能な透明樹脂４を介して接合され
ている。
【００１１】シンチレータブロック２およびシンチレー
タブロック３には例えばBi4Ge3O12結晶（以下、ＢＧＯ
結晶という）を使用する。
タブロック３には例えばBi4Ge3O12結晶（以下、ＢＧＯ
結晶という）を使用する。
【００１２】シンチレーション光が透過可能な透明樹脂
４には、シンチレータブロック２とシンチレータブロッ
クとを接合可能な接着力を有し、かつシンチレーション
光の吸収が少ない樹脂状組成物を用いる。透明なシリコ
ーン樹脂が好適であり、例えば信越化学工業（株）製の
KE−42がある。
４には、シンチレータブロック２とシンチレータブロッ
クとを接合可能な接着力を有し、かつシンチレーション
光の吸収が少ない樹脂状組成物を用いる。透明なシリコ
ーン樹脂が好適であり、例えば信越化学工業（株）製の
KE−42がある。
【００１３】なお、シンチレータブロック２とシンチレ
ータブロック３との接合面における透明樹脂４による樹
脂接合部４ａの面積Ａは、切込み残部８の面積Ｂに対し
て１〜３倍（１＜Ａ／Ｂ＜３）に設定することが望まし
い。例えば、シンチレータチップ２1 にシンチレーショ
ン光が生じた場合、樹脂接合部４ａの面積Ａが切込み残
部８の面積Ｂよりも小さくなる（Ａ／Ｂ＜１）と、シン
チレータチップ２1 からチップ３1 へ透過するシンチレ
ーション光量が少なくなるので、チップ３1 の下方への
出射光量が減少してしまう。一方、樹脂接合部４ａの面
積Ａが切込み残部８の面積Ｂの３倍を越える（Ａ／Ｂ＞
３）と、反射材７の面積が相対的に小さくなり、シンチ
レータチップ２1 からチップ３1 へ出射するシンチレー
ション光が増加するために、シンチレータチップ２1 直
下への出射光量が減少してしまう。またシンチレーショ
ンチップ２1 に発生したシンチレーション光とシンチレ
ータチップ３1 に発生したシンチレーション光とが分離
されず、放射線検出器の分解能が低下する。
ータブロック３との接合面における透明樹脂４による樹
脂接合部４ａの面積Ａは、切込み残部８の面積Ｂに対し
て１〜３倍（１＜Ａ／Ｂ＜３）に設定することが望まし
い。例えば、シンチレータチップ２1 にシンチレーショ
ン光が生じた場合、樹脂接合部４ａの面積Ａが切込み残
部８の面積Ｂよりも小さくなる（Ａ／Ｂ＜１）と、シン
チレータチップ２1 からチップ３1 へ透過するシンチレ
ーション光量が少なくなるので、チップ３1 の下方への
出射光量が減少してしまう。一方、樹脂接合部４ａの面
積Ａが切込み残部８の面積Ｂの３倍を越える（Ａ／Ｂ＞
３）と、反射材７の面積が相対的に小さくなり、シンチ
レータチップ２1 からチップ３1 へ出射するシンチレー
ション光が増加するために、シンチレータチップ２1 直
下への出射光量が減少してしまう。またシンチレーショ
ンチップ２1 に発生したシンチレーション光とシンチレ
ータチップ３1 に発生したシンチレーション光とが分離
されず、放射線検出器の分解能が低下する。
【００１４】
【作用】放射線の入射によりシンチレータブロック２の
なかほどにあるシンチレータチップ２3 に発生したシン
チレーション光は、シンチレータチップ２3 の直下を中
心にほぼ左右対称に切込み残部８を透過して光電子増倍
管１に入射し、γ線量に応じた位置検出信号量が与えら
れる。
なかほどにあるシンチレータチップ２3 に発生したシン
チレーション光は、シンチレータチップ２3 の直下を中
心にほぼ左右対称に切込み残部８を透過して光電子増倍
管１に入射し、γ線量に応じた位置検出信号量が与えら
れる。
【００１５】シンチレータブロック３に隣接するシンチ
レータチップ２1に発生したシンチレーション光は、反
射材６や７で反射されつつ、主にシンチレータチップ２
1 の直下から光電子増倍管１に入射する。シンチレーシ
ョン光の一部は、切込み残部８を通ってシンチレータチ
ップ２2 の下方から光電子増倍管１に入射する。また、
一部のシンチレーション光は切込み残部８と同様に透明
樹脂４を通り、シンチレータチップ３1 の下方から光電
子増倍管１に入射する。そのため、シンチレータチップ
２1 に発生したシンチレーション光は、シンチレータチ
ップ２1 の直下を中心とし、シンチレータチップ２2 か
らシンチレータチップ３1にかけてほぼ左右対称に光電
子増倍管１に入射する。
レータチップ２1に発生したシンチレーション光は、反
射材６や７で反射されつつ、主にシンチレータチップ２
1 の直下から光電子増倍管１に入射する。シンチレーシ
ョン光の一部は、切込み残部８を通ってシンチレータチ
ップ２2 の下方から光電子増倍管１に入射する。また、
一部のシンチレーション光は切込み残部８と同様に透明
樹脂４を通り、シンチレータチップ３1 の下方から光電
子増倍管１に入射する。そのため、シンチレータチップ
２1 に発生したシンチレーション光は、シンチレータチ
ップ２1 の直下を中心とし、シンチレータチップ２2 か
らシンチレータチップ３1にかけてほぼ左右対称に光電
子増倍管１に入射する。
【００１６】従って、どのシンチレータチップ２1・２2・
・・３1・３2・・・もシンチレーション光を同一の条件で光電
子増倍管１へ出射可能である。
・・３1・３2・・・もシンチレーション光を同一の条件で光電
子増倍管１へ出射可能である。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。
【００１８】図１は本発明を適用する放射線検出器の実
施例を示す側面図である。この放射線検出器は、シンチ
レータ２０を光電子増倍管１の入射窓１ａに光学的に接
合したものである。シンチレータ２０は、ＢＧＯ結晶か
らなるシンチレータブロック２とシンチレータブロック
３とで構成される。それらの接合面は、光電子増倍管１
側がシンチレーション光が透過可能な透明樹脂４、残余
の部分は反射材７を介して接合されている。シンチレー
タブロック２およびブロック３には、放射線の入射面側
から入射面に垂直で互いに平行な切込み溝５が形成され
ており、切込み溝５には反射材６としてテフロンテープ
が挿入され、シアナミド系の接着剤で固定されている。
施例を示す側面図である。この放射線検出器は、シンチ
レータ２０を光電子増倍管１の入射窓１ａに光学的に接
合したものである。シンチレータ２０は、ＢＧＯ結晶か
らなるシンチレータブロック２とシンチレータブロック
３とで構成される。それらの接合面は、光電子増倍管１
側がシンチレーション光が透過可能な透明樹脂４、残余
の部分は反射材７を介して接合されている。シンチレー
タブロック２およびブロック３には、放射線の入射面側
から入射面に垂直で互いに平行な切込み溝５が形成され
ており、切込み溝５には反射材６としてテフロンテープ
が挿入され、シアナミド系の接着剤で固定されている。
【００１９】本発明の実験例は以下の通りである。
【００２０】内周切断器を用いて30×10×25mmのＢＧＯ
結晶を切り出し、全ての面にGC#600のグリーンカーボン
でラップ加工を施す。30×10mmの１面を除く５面をコロ
イダルシリカにて鏡面に仕上げる。粗面仕上げされた30
×10mmの面から、マルチバンドソーを用いて、幅0.35m
m、深さ23.5mmの切込み溝５を５mm間隔で５本形成す
る。夫々の切込み溝５に反射材６として厚さ0.3mmのテ
フロンテープを挿入し、シアナミド系の接着剤（東亜合
成化学（株）製、アロンアルファ）で固定すると、複数
のシンチレータチップ２1・２2・・・に区画されたシンチレ
ータブロック２が得られる。なお、切込み残部８の面積
は10×1.5mm になる。
結晶を切り出し、全ての面にGC#600のグリーンカーボン
でラップ加工を施す。30×10mmの１面を除く５面をコロ
イダルシリカにて鏡面に仕上げる。粗面仕上げされた30
×10mmの面から、マルチバンドソーを用いて、幅0.35m
m、深さ23.5mmの切込み溝５を５mm間隔で５本形成す
る。夫々の切込み溝５に反射材６として厚さ0.3mmのテ
フロンテープを挿入し、シアナミド系の接着剤（東亜合
成化学（株）製、アロンアルファ）で固定すると、複数
のシンチレータチップ２1・２2・・・に区画されたシンチレ
ータブロック２が得られる。なお、切込み残部８の面積
は10×1.5mm になる。
【００２１】このようにして作成したシンチレータブロ
ックを２個用意し、10×25mmの面同士を合わせて接合
し、図１に示すシンチレータブロック２とブロック３と
からなるシンチレータ２０を作成する。接合面のうち、
出射面２０ａ側の10×1.5mm は、透明樹脂４である透明
シリコーン樹脂組成物（信越化学工業（株）製、KE-4
2）で接合し、それ以外の部分はテフロンテープ７を介
してシアナミド系の接着剤で接着した。また、透明樹脂
４で接合された樹脂接合部４ａの面積を10×３mmと10×
５mmとに変更したシンチレータ２０を夫々作成した他、
比較のためにシンチレータブロック２とブロック３とを
テフロンテープ７のみを介して接着したものも作成した
（図３参照）。
ックを２個用意し、10×25mmの面同士を合わせて接合
し、図１に示すシンチレータブロック２とブロック３と
からなるシンチレータ２０を作成する。接合面のうち、
出射面２０ａ側の10×1.5mm は、透明樹脂４である透明
シリコーン樹脂組成物（信越化学工業（株）製、KE-4
2）で接合し、それ以外の部分はテフロンテープ７を介
してシアナミド系の接着剤で接着した。また、透明樹脂
４で接合された樹脂接合部４ａの面積を10×３mmと10×
５mmとに変更したシンチレータ２０を夫々作成した他、
比較のためにシンチレータブロック２とブロック３とを
テフロンテープ７のみを介して接着したものも作成した
（図３参照）。
【００２２】次に、シンチレータ２０の30×10mmの鏡面
加工面をシリコーンオイルを用いて光電子増倍管１に接
合して放射線検出器を完成させた後、γ線を照射して各
シンチレータチップ２1・２2・・・３1・３2・・・に対応する位
置検出信号量を測定した。
加工面をシリコーンオイルを用いて光電子増倍管１に接
合して放射線検出器を完成させた後、γ線を照射して各
シンチレータチップ２1・２2・・・３1・３2・・・に対応する位
置検出信号量を測定した。
【００２３】樹脂接合部４ａの面積を10×1.5mm 〜10×
３mmにした放射線検出器の測定結果は図２に示すように
良好であった。図４はシンチレータブロック２とブロッ
ク３とをテフロンテープ７のみを介して接着したものの
測定結果である。
３mmにした放射線検出器の測定結果は図２に示すように
良好であった。図４はシンチレータブロック２とブロッ
ク３とをテフロンテープ７のみを介して接着したものの
測定結果である。
【００２４】図４に示すように、接合部全面をテフロン
テープ７を介して接合した放射線検出器は、接合部近傍
の位置検出信号量が著しく落ち込んでいるが、樹脂接合
部４ａの面積が10×1.5mm 〜10×３mmのものは他の部分
と同程度の位置検出信号量が得られた。また、樹脂接合
部４ａの面積が10×５mm以上になると、接合面に隣接す
るシンチレータチップの位置検出信号量が他の部分の80
％以下となった。これは反射材７で覆われる面積が相対
的に小さくなったためである。従って切込み残部８の面
積は10×1.5mm であることから、樹脂接合部４ａの面積
は切込み残部８の面積の３倍を越えないほうが好まし
い。
テープ７を介して接合した放射線検出器は、接合部近傍
の位置検出信号量が著しく落ち込んでいるが、樹脂接合
部４ａの面積が10×1.5mm 〜10×３mmのものは他の部分
と同程度の位置検出信号量が得られた。また、樹脂接合
部４ａの面積が10×５mm以上になると、接合面に隣接す
るシンチレータチップの位置検出信号量が他の部分の80
％以下となった。これは反射材７で覆われる面積が相対
的に小さくなったためである。従って切込み残部８の面
積は10×1.5mm であることから、樹脂接合部４ａの面積
は切込み残部８の面積の３倍を越えないほうが好まし
い。
【００２５】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の放
射線検出器用シンチレータブロックは、光電子増倍管の
光電面に対して十分な大きさがあり、光電子増倍管を有
効に利用して放射線によるシンチレーション光を効率良
く光電変換することが出来る。また、シンチレータの全
ての区画においてシンチレーション光の出射能力が均一
化されているため、シンチレータの全ての位置で放射線
を同一条件で検知可能である。
射線検出器用シンチレータブロックは、光電子増倍管の
光電面に対して十分な大きさがあり、光電子増倍管を有
効に利用して放射線によるシンチレーション光を効率良
く光電変換することが出来る。また、シンチレータの全
ての区画においてシンチレーション光の出射能力が均一
化されているため、シンチレータの全ての位置で放射線
を同一条件で検知可能である。
【図１】本発明を適用する放射線検出器用シンチレータ
ブロックの一実施例を示す正面図である。
ブロックの一実施例を示す正面図である。
【図２】本発明を適用する放射線検出器用シンチレータ
ブロックによる位置検出信号の測定結果を示すモデル図
である。
ブロックによる位置検出信号の測定結果を示すモデル図
である。
【図３】従来の放射線検出器用シンチレータブロックの
正面図である。
正面図である。
【図４】従来の放射線検出器用シンチレータブロックに
よる位置検出信号の測定結果を示すモデル図である。
よる位置検出信号の測定結果を示すモデル図である。
１は光電子増倍管、１ａは入射窓、２・３はシンチレー
タブロック、２1・２2・・・３1・３2 はシンチレータチッ
プ、４は透明樹脂、４ａは樹脂接着部、５は切込み溝、
６・７は反射材、８は切込み残部、２０はシンチレー
タ、２０ａは出射面である。
タブロック、２1・２2・・・３1・３2 はシンチレータチッ
プ、４は透明樹脂、４ａは樹脂接着部、５は切込み溝、
６・７は反射材、８は切込み残部、２０はシンチレー
タ、２０ａは出射面である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G01T 1/00 - 7/12
Claims (1)
- 【請求項１】 放射線の入射面から切込み溝により区画
されているシンチレータブロックを複数個接合したシン
チレータブロックにおいて、該シンチレータブロック同
士の接合面はシンチレーション光が透過可能な透明樹脂
を介して接合されていることを特徴とする放射線検出器
用シンチレータブロック。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5524991A JP2918003B2 (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 放射線検出器用シンチレータブロック |
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