JP2886408B2 - Double-sided pattern forming method - Google Patents
Double-sided pattern forming methodInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、ホログラムなどを形
成するのに適した両面パターン形成方法に関する。より
詳しくは、所定のパターンを、１枚の基板の表面と裏面
に、表面と裏面との間でパターン位置を対応させて形成
する方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming a double-sided pattern suitable for forming a hologram or the like. More specifically, the present invention relates to a method for forming a predetermined pattern on the front surface and the back surface of a single substrate, with the pattern positions corresponding between the front surface and the back surface.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、両面にパターンを有する基板を形
成する場合、２枚のガラスウエハ基板の片面(表面)にそ
れぞれ所定のパターンを形成し、各ガラスウエハ基板の
裏面同士を貼り合わせて１枚の基板としていた。2. Description of the Related Art Conventionally, when a substrate having a pattern on both surfaces is formed, a predetermined pattern is formed on one surface (front surface) of two glass wafer substrates, and the back surface of each glass wafer substrate is bonded to each other. It was a single substrate.
【０００３】例えば、図５(a)に示すように、ガラスウ
エハ基板１０８の表面１０８Ａにレジスト１０７を塗布
し、同図(b)に示すように、レジスト１０７にフォトマ
スク１０１Ａを通して紫外線１０９を露光する。ここ
で、フォトマスク１０１Ａは、図６(a)に示すように、
略矩形状のガラス板の片面(領域１０３Ａ内)に単位パタ
ーン１０２Ａを所定ピッチで複数設けるとともに、略Ｌ
字状の位置合わせマーク１０４Ａ,１０４Ａ′を図にお
いて左右対称に設けて構成されている。図５(c)に示す
ように、現像を行ってレジスト１０７の露光された箇所
を除去し、同図(d)に示すように、エッチングを行って
ガラスウエハ基板１０８の表面１０８Ａにパターン１２
２Ａと、位置合わせマーク１２４Ａ,１２４Ａ′とを形
成する。この後、同図(e)に示すように、レジスト１０
７をアッシングして除去する。一方、同図(f)に示すよ
うに、ガラスウエハ基板１５８の表面１５８Ａにレジス
ト１５７を塗布し、同図(g)に示すように、レジスト１
５７にフォトマスク１０１Ｂを通して紫外線１５９を露
光する。ここで、フォトマスク１０１Ｂは、図６(b)に
示すように、略矩形状のガラス板の片面(領域１０３Ｂ
内)に単位パターン１０２Ｂを所定ピッチで複数設ける
とともに、略Ｌ字状の位置合わせマーク１０４Ｂ,１０
４Ｂ′を図において左右対称に設けて構成されている。
図５(h)に示すように、現像を行ってレジスト１５７の
露光された箇所を除去し、同図(i)に示すように、エッ
チングを行ってガラスウエハ基板１５８の表面１５８Ａ
にパターン１５２Ａと、位置合わせマーク１５４Ｂ,１
５４Ｂ′とを形成する。この後、同図(j)に示すよう
に、レジスト１０７をアッシングして除去する。次に、
同図(k)に示すように、ガラスウエハ基板１０８を裏返
して裏面１０８Ｂに接着剤として紫外線硬化樹脂１１５
を塗布し、同図(l)に示すように、この上にガラスウエ
ハ基板１５８を裏面１５８Ｂを下にして重ねる。アライ
メント治具１１６,１１６′によってガラスウエハ基板
１０８,１５８を水平方向に移動させて、同図(m)に示す
ように、位置合わせマーク１５４Ｂ′と１２４Ａ、位置
合わせマーク１５４Ｂと１２４Ａがそれぞれ上下に重な
るように調整し、しかる後、紫外線１１７を照射する。
これにより、樹脂１１５を硬化させてガラスウエハ基板
１０８,１５８を完全に接着する(工程完了)。For example, as shown in FIG. 5A, a resist 107 is applied to the surface 108A of a glass wafer substrate 108, and as shown in FIG. 5B, the resist 107 is exposed to ultraviolet rays 109 through a photomask 101A. I do. Here, the photomask 101A is, as shown in FIG.
A plurality of unit patterns 102A are provided at a predetermined pitch on one surface (in the area 103A) of a substantially rectangular glass plate.
The alignment marks 104A and 104A 'in the shape of a letter are provided symmetrically in the figure. As shown in FIG. 5 (c), the exposed portion of the resist 107 is removed by developing, and as shown in FIG. 5 (d), the pattern 107 is etched on the surface 108A of the glass wafer substrate 108.
2A and alignment marks 124A, 124A '. Thereafter, as shown in FIG.
7 is removed by ashing. On the other hand, a resist 157 is applied to the surface 158A of the glass wafer substrate 158 as shown in FIG.
57 is exposed to ultraviolet light 159 through the photomask 101B. Here, as shown in FIG. 6B, the photomask 101B has one surface (a region 103B) of a substantially rectangular glass plate.
(Inner) are provided with a plurality of unit patterns 102B at a predetermined pitch, and alignment marks 104B, 10
4B 'is provided symmetrically in the figure.
As shown in FIG. 5H, the exposed portion of the resist 157 is removed by developing, and as shown in FIG.
And the pattern 152A and the alignment marks 154B, 1
54B '. Thereafter, the resist 107 is removed by ashing, as shown in FIG. next,
As shown in FIG. 7 (k), the glass wafer substrate 108 is turned upside down and an ultraviolet curable resin 115 is used as an adhesive on the back surface 108B.
Is applied, and a glass wafer substrate 158 is laid on top of this as shown in FIG. By moving the glass wafer substrates 108 and 158 in the horizontal direction by the alignment jigs 116 and 116 ', the alignment marks 154B' and 124A and the alignment marks 154B and 124A respectively move up and down as shown in FIG. It is adjusted so as to overlap, and then, ultraviolet rays 117 are irradiated.
Thereby, the resin 115 is cured and the glass wafer substrates 108 and 158 are completely bonded (the process is completed).
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の形成方法では、ガラスウエハ基板１０８,１５８を
貼り合わせているため、作業に非常に手間がかかるとい
う問題がある。また、貼り合わせのときガラスウエハ基
板１０８,１５８の間に気泡が入って、不良品となるこ
とがある。さらに、アライメント治具１１６,１１６′
によって位置合わせを行った後、樹脂１１５を完全に硬
化させるまでの間に、ガラスウエハ基板１０８,１５８
が互いに位置ずれして、不良品になることがある。この
ように、従来は、ガラスウエハ基板１０８,１５８を貼
り合わせる工程に起因して、工数が増加し、不良が生じ
て歩留が低下するという問題があった。However, in the above-mentioned conventional forming method, since the glass wafer substrates 108 and 158 are bonded to each other, there is a problem that the operation is extremely troublesome. Further, at the time of bonding, air bubbles may enter between the glass wafer substrates 108 and 158, resulting in a defective product. Further, alignment jigs 116, 116 '
After the alignment is performed by the method described above, the glass wafer substrates 108 and 158
May be displaced from each other, resulting in a defective product. As described above, conventionally, there has been a problem that the number of steps is increased due to the step of bonding the glass wafer substrates 108 and 158, defects are caused, and the yield is reduced.
【０００５】そこで、この発明の目的は、ガラスウエハ
基板を貼り合わせる工程を省略して、所定のパターン
を、１枚の基板の表面と裏面に、表面と裏面との間でパ
ターン位置を対応させて形成できる両面パターン形成方
法を提供することにある。Therefore, an object of the present invention is to omit the step of bonding a glass wafer substrate and to make a predetermined pattern correspond to the front and back surfaces of one substrate and to correspond the pattern position between the front and back surfaces. It is an object of the present invention to provide a method for forming a double-sided pattern that can be formed by using the above method.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の両面パターン形成方法は、ガラス板の片
面に所定のパターンを有するとともに、上記片面の２箇
所に所定の位置合わせマークを有する第１,第２のフォ
トマスクを用いて、上記第１,第２のフォトマスクのパ
ターンを、１枚の透明基板の表面と裏面に、上記表面と
裏面との間でパターン位置を対応させて転写して形成す
る両面パターン形成方法であって、上記透明基板の表面
に第１のレジストを塗布し、上記第１のフォトマスクを
通して上記第１のレジストを露光し、続いて、現像を行
って上記第１のレジストをパターン化する工程と、上記
第１のレジストをマスクとしてエッチングを行って、上
記透明基板の表面に、上記第１のフォトマスクのパター
ンと位置合わせマークとを転写して形成する工程と、上
記透明基板の裏面に第２のレジストを塗布した後、所定
のアライメント装置のステージ上に上記透明基板を上記
裏面側を上にして載置するとともに、上記透明基板上に
平行に上記第２のフォトマスクを配し、上記アライメン
ト装置の顕微鏡の対物レンズの焦点を上記第２のフォト
マスクのパターン面の高さに合わせた状態で上記第２の
フォトマスクを水平面内で移動させて、この第２のフォ
トマスクの２箇所の位置合わせマークを上記顕微鏡の視
野内に設けられた基準マークにそれぞれ位置合わせする
工程と、上記顕微鏡の対物レンズの焦点を上記透明基板
の表面の高さに合わせ、この状態で上記ステージを水平
面内で移動させて、上記透明基板の表面に転写した２箇
所の位置合わせマークを上記顕微鏡の視野内に設けられ
た上記基準マークにそれぞれ位置合わせする工程と、上
記第２のフォトマスクを通して上記第２のレジストを露
光し、続いて、現像を行って上記第２のレジストをパタ
ーン化する工程と、上記第２のレジストをマスクとして
エッチングを行って、上記透明基板の裏面に、上記第２
のフォトマスクのパターンを転写して形成する工程を有
することを特徴としている。In order to achieve the above object, a double-sided pattern forming method of the present invention has a predetermined pattern on one side of a glass plate and a predetermined alignment mark at two places on the one side. Using the first and second photomasks, the patterns of the first and second photomasks are made to correspond to the front and back surfaces of one transparent substrate and the pattern positions between the front and back surfaces. A method of forming a double-sided pattern by transferring, wherein a first resist is applied to the surface of the transparent substrate, the first resist is exposed through the first photomask, and subsequently developed. Patterning the first resist and performing etching using the first resist as a mask to form a pattern and an alignment mark on the surface of the transparent substrate on the transparent substrate; Transferring and forming a second resist on the back surface of the transparent substrate, and then mounting the transparent substrate on the stage of a predetermined alignment device with the back surface side up, and the transparent substrate The second photomask is disposed in parallel on the substrate, and the second photomask is placed in a state where the focus of the objective lens of the microscope of the alignment apparatus is adjusted to the height of the pattern surface of the second photomask. Moving the two photomasks in a horizontal plane to align the two alignment marks of the second photomask with reference marks provided in the field of view of the microscope; and setting the focal point of the objective lens of the microscope to the transparent position. The stage is moved in a horizontal plane in this state according to the height of the surface of the substrate, and the two alignment marks transferred to the surface of the transparent substrate are aligned with the field of view of the microscope. A step of aligning each of the reference marks provided therein, and a step of exposing the second resist through the second photomask, followed by developing to pattern the second resist. Etching is performed using the second resist as a mask, and the second resist is masked on the back surface of the transparent substrate.
In which the pattern of the photomask is transferred and formed.
【０００７】[0007]
【実施例】以下、この発明の両面パターン形成方法を実
施例により詳細に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The double-sided pattern forming method of the present invention will be described below in detail with reference to embodiments.
【０００８】図４(a)に示す第１のフォトマスク１Ａ
と、同図(b)に示す第２のフォトマスク１Ｂを用いるも
のとする。第１のフォトマスク１Ａは、略矩形状のガラ
ス板の片面(領域３Ａ内)に単位パターン２Ａを所定ピッ
チで複数設けるとともに、略Ｌ字状の位置合わせマーク
４Ａ,４Ａ′と、ライン状の位置合わせマーク５Ａ,５
Ａ′を図において左右対称に設けて構成されている。一
方、第１のフォトマスク１Ｂは、略矩形状のガラス板の
片面(領域３Ｂ内)に単位パターン２Ｂを所定ピッチで複
数設けるとともに、略Ｌ字状の位置合わせマーク４Ｂ,
４Ｂ′を図において左右対称に設けて構成されている。
位置合わせマーク４Ｂ,４Ｂ′は、矩形状の透明領域６
Ｂ,６Ｂ′内に設けられている。A first photomask 1A shown in FIG.
And the second photomask 1B shown in FIG. The first photomask 1A is provided with a plurality of unit patterns 2A at a predetermined pitch on one surface (within the area 3A) of a substantially rectangular glass plate, and has a substantially L-shaped alignment mark 4A, 4A 'and a linear Alignment mark 5A, 5
A 'is provided symmetrically in the figure. On the other hand, the first photomask 1B is provided with a plurality of unit patterns 2B at a predetermined pitch on one surface (in the area 3B) of a substantially rectangular glass plate, and has a substantially L-shaped alignment mark 4B,
4B 'is provided symmetrically in the figure.
The alignment marks 4B, 4B 'are rectangular transparent areas 6
B, 6B '.
【０００９】上記第１,第２のフォトマスク１Ａ,１Ｂの
パターンを、図１(a)に示す１枚の透明基板(例えば、ガ
ラス板)８の表面８Ａと裏面８Ｂに、次のようにして形
成する。The patterns of the first and second photomasks 1A and 1B are applied to the front surface 8A and the back surface 8B of a single transparent substrate (for example, a glass plate) 8 shown in FIG. Formed.
【００１０】まず、図１(a)に示すように、透明基板
８の表面８Ａに第１のレジスト７を塗布する。同図(b)
に示すように、上記透明基板８を所定のアライメント装
置のステージ１０上に載置し、第１のフォトマスク１Ａ
を通して第１のレジスト７を露光する(光を矢印９で表
す)。続いて、同図(c)に示すように、現像を行って第１
のレジスト７をパターン化する。First, as shown in FIG. 1A, a first resist 7 is applied to a surface 8A of a transparent substrate 8. Figure (b)
As shown in FIG. 2, the transparent substrate 8 is placed on a stage 10 of a predetermined alignment device, and the first photomask 1A
To expose the first resist 7 (light is indicated by an arrow 9). Subsequently, as shown in FIG.
Is patterned.
【００１１】次に、同図(d)に示すように、第１のレ
ジスト７をマスクとしてエッチングを行って、透明基板
８の表面８Ａに、第１のフォトマスク１Ａのパターン２
Ａと位置合わせマーク４Ａ,４Ａ′とを転写する。ここ
では、転写されたパターンを２２Ａ、転写された位置合
わせマークを２４Ａ,２４Ａ′で表している。この後、
同図(e)に示すように、アッシングを行ってレジスト７
を除去する。Next, as shown in FIG. 1D, etching is performed using the first resist 7 as a mask, and the pattern 8 of the first photomask 1A is formed on the surface 8A of the transparent substrate 8.
A is transferred to the alignment marks 4A and 4A '. Here, the transferred pattern is represented by 22A, and the transferred alignment marks are represented by 24A and 24A '. After this,
As shown in FIG. 4E, ashing is performed to remove the resist 7.
Is removed.
【００１２】次に、同図(f)に示すように、上記透明
基板８の裏面８Ｂに第２のレジスト１７を塗布する。同
図(g)に示すように、上記アライメント装置のステージ
１０上に透明基板８を裏面側を上にして載置し、透明基
板８上に平行に第２のフォトマスク１Ｂを配する。Next, as shown in FIG. 1F, a second resist 17 is applied to the back surface 8B of the transparent substrate 8. As shown in FIG. 1G, the transparent substrate 8 is placed on the stage 10 of the alignment apparatus with the back side facing up, and the second photomask 1B is arranged on the transparent substrate 8 in parallel.
【００１３】ここで、上記アライメント装置には、図２
(h)に示すように、左右一対の対物レンズ１１,１１′が
設けられている。また、同図(i)に示すように、上記ア
ライメント装置の顕微鏡の視野(この例では、左半分が
対物レンズ１１、右半分が対物レンズ１１′に対応して
いる)１２には、ます目状のスコープライン１３が設け
られている。このスコープライン１３のうち縦方向のラ
イン１４,１４′と横方向のライン１５を基準ラインと
して選択する。視野１２の左半分に縦方向のライン１４
と横方向のライン１５との交差箇所が１つの基準マーク
を構成し、視野１２の右半分に縦方向のライン１４′と
横方向のライン１５との交差箇所がもう１つの基準マー
クを構成する。Here, the alignment apparatus shown in FIG.
As shown in (h), a pair of left and right objective lenses 11, 11 'is provided. Also, as shown in FIG. 1 (i), the field of view of the microscope of the above alignment apparatus (in this example, the left half corresponds to the objective lens 11 and the right half corresponds to the objective lens 11 ′) 12 Scope line 13 is provided. Among the scope lines 13, the vertical lines 14, 14 'and the horizontal line 15 are selected as reference lines. A vertical line 14 in the left half of the field of view 12
And the horizontal line 15 constitute one fiducial mark, and the intersection of the vertical line 14 'and the horizontal line 15 in the right half of the field of view 12 constitutes another fiducial mark. .
【００１４】次に、同図(j)に示すように、対物レン
ズ１１,１１′の焦点を第２のフォトマスク１Ｂのパタ
ーン面の高さに合わせる。このとき、通常は、同図(k)
に示すように、第２のフォトマスク１Ｂの２箇所の位置
合わせマーク４Ｂ,４Ｂ′は、基準ライン１４,１５;１
４′,１５に対してそれぞれ位置ずれしている。そこ
で、第２のフォトマスク１Ｂを水平面内で移動させて、
同図(l)に示すように、位置合わせマーク４Ｂ,４Ｂ′の
Ｌ字の各辺を基準ライン１４,１５;１４′,１５にそれ
ぞれ位置合わせする。位置が合った時点で、対物レンズ
１１,１１′に対する第２のフォトマスク１Ｂの水平面
内の動きを止める。Next, as shown in FIG. 1 (j), the focal points of the objective lenses 11 and 11 'are adjusted to the height of the pattern surface of the second photomask 1B. At this time, usually,
As shown in the figure, the two alignment marks 4B and 4B 'of the second photomask 1B are aligned with the reference lines 14, 15;
4 'and 15', respectively. Then, the second photomask 1B is moved in a horizontal plane,
As shown in FIG. 11 (l), the L-shaped sides of the alignment marks 4B, 4B 'are aligned with the reference lines 14, 15; 14', 15, respectively. When the positions are aligned, the movement of the second photomask 1B in the horizontal plane with respect to the objective lenses 11, 11 'is stopped.
【００１５】次に、同図(m)に示すように、上記顕微
鏡の対物レンズ１１,１１′の焦点を上記透明基板８の
表面８Ａの高さに合わせる。このとき、通常は、同図
(n)に示すように、工程で表面８Ａに転写された位置
合わせマーク２４Ａ,２４Ａ′は、基準ライン１４,１
５;１４,１５′に対してそれぞれ位置ずれしている。そ
こで、上記ステージ１０を水平面内で移動させて、同図
(o)に示すように、上記位置合わせマーク２４Ａ,２４
Ａ′のＬ字の各辺を基準ライン１４,１５;１４,１５′
にそれぞれ位置合わせする。位置が合った時点で、対物
レンズ１１,１１′に対するステージ１０の水平面内の
動きを止める。Next, as shown in FIG. 1 (m), the focal points of the objective lenses 11 and 11 'of the microscope are adjusted to the height of the surface 8A of the transparent substrate 8. At this time, usually
As shown in (n), the alignment marks 24A, 24A 'transferred to the front surface 8A in the process correspond to the reference lines 14, 1'.
5; 14, 15 '. Therefore, the stage 10 is moved in a horizontal plane to
As shown in (o), the alignment marks 24A, 24
Each side of the L-shape of A 'is defined as a reference line 14, 15; 14, 15'
Align with each other. When the positions are matched, the movement of the stage 10 in the horizontal plane with respect to the objective lenses 11, 11 'is stopped.
【００１６】次に、図３(p)に示すように、第２のフ
ォトマスク１Ｂを通して第２のレジスト１７を露光する
(光を矢印１９で表す)。続いて、同図(q)に示すよう
に、現像を行って、第２のレジスト１７をパターン化す
る。Next, as shown in FIG. 3 (p), the second resist 17 is exposed through the second photomask 1B.
(Light is represented by arrow 19). Subsequently, as shown in FIG. 3 (q), development is performed to pattern the second resist 17.
【００１７】次に、同図(r)に示すように、第２のレ
ジスト１７をマスクとしてエッチングを行って、透明基
板８の裏面８Ａに、第２のフォトマスク１Ｂのパターン
２Ｂを転写する。ここでは、転写されたパターンを２２
Ｂで表している(なお、位置合わせマーク４Ｂ,４Ｂ′の
転写後のパターンは省略している。)。この後、同図(s)
に示すように、アッシングを行ってレジスト１７を除去
する。Next, as shown in FIG. 1 (r), etching is performed using the second resist 17 as a mask to transfer the pattern 2B of the second photomask 1B to the back surface 8A of the transparent substrate 8. Here, the transferred pattern is
B (note that the transferred patterns of the alignment marks 4B and 4B 'are omitted). After this, the same figure (s)
As shown in FIG. 7, the resist 17 is removed by ashing.
【００１８】このようにして、第１,第２のフォトマス
クのパターン２２Ａ,２２Ｂを、１枚の透明基板８の表
面８Ａと裏面８Ｂに、パターン位置を対応させて転写し
て形成することができる。In this manner, the first and second photomask patterns 22A and 22B can be transferred and formed on the front surface 8A and the back surface 8B of one transparent substrate 8 in correspondence with the pattern positions. it can.
【００１９】この両面パターン形成方法では、ガラスウ
エハ基板を貼り合わせるのでなく、１枚の基板の表面と
裏面にパターン形成しているので、従来に比して、作業
の手間を大幅に省略することができる。また、貼り合わ
せを行っていないので、ガラスウエハ基板の間に気泡が
入ったり、ガラスウエハ基板が位置ずれしたりして、不
良品になることがない。したがって、工数を減少できる
とともに、歩留を高めることができる。In this double-sided pattern forming method, a glass wafer substrate is not bonded, but a pattern is formed on the front and back surfaces of a single substrate. Can be. Further, since the bonding is not performed, there is no possibility that air bubbles enter between the glass wafer substrates or the glass wafer substrate is displaced, resulting in defective products. Therefore, the number of steps can be reduced and the yield can be increased.
【００２０】[0020]
【発明の効果】以上より明らかなように、この発明の両
面パターン形成方法は、第１,第２のフォトマスクのパ
ターンを、１枚の透明基板の表面と裏面に、パターン位
置を対応させて転写して形成することができる。ガラス
ウエハ基板を貼り合わせるのでなく、１枚の透明基板の
表面と裏面にパターン形成できるので、従来に比して、
作業の手間を大幅に省略することができる。また、貼り
合わせを行っていないので、ガラスウエハ基板の間に気
泡が入ったり、ガラスウエハ基板が位置ずれしたりし
て、不良品になることがない。したがって、工数を減少
できるとともに、歩留を高めることができる。As is clear from the above, in the double-sided pattern forming method of the present invention, the patterns of the first and second photomasks are made to correspond to the pattern positions of the front and back surfaces of one transparent substrate. It can be formed by transferring. Rather than bonding glass wafer substrates together, patterns can be formed on the front and back surfaces of a single transparent substrate.
Work can be greatly reduced. Further, since the bonding is not performed, there is no possibility that air bubbles enter between the glass wafer substrates or the glass wafer substrate is displaced, resulting in defective products. Therefore, the number of steps can be reduced and the yield can be increased.
【図１】 この発明の一実施例の両面パターン形成方法
を説明する工程図である。FIG. 1 is a process diagram illustrating a double-sided pattern forming method according to an embodiment of the present invention.
【図２】 この発明の一実施例の両面パターン形成方法
を説明する工程図である。FIG. 2 is a process diagram illustrating a double-sided pattern forming method according to one embodiment of the present invention.
【図３】 この発明の一実施例の両面パターン形成方法
を説明する工程図である。FIG. 3 is a process diagram illustrating a double-sided pattern forming method according to an embodiment of the present invention.
【図４】 上記両面パターン形成方法で用いるフォトマ
スクを示す図である。FIG. 4 is a view showing a photomask used in the double-sided pattern forming method.
【図５】 従来の両面パターン形成方法を説明する工程
図である。FIG. 5 is a process chart for explaining a conventional double-sided pattern forming method.
【図６】 上記従来の両面パターン形成方法で用いるフ
ォトマスクを示す図である。FIG. 6 is a view showing a photomask used in the conventional double-sided pattern forming method.
１Ａ,１Ｂ フォトマスク ２Ａ,２Ｂ 単位パターン ４Ａ,４Ａ′,４Ｂ,４Ｂ′ 位置合わせマーク ６Ｂ,６Ｂ′ 透明領域 ８ 透明基板 ８Ａ 表面 ８Ｂ 裏面 ２２Ａ,２２Ｂ 転写されたパターン ２４Ａ,２４Ａ′ 転写された位置合わせマーク 1A, 1B Photomask 2A, 2B Unit pattern 4A, 4A ', 4B, 4B' Alignment mark 6B, 6B 'Transparent area 8 Transparent substrate 8A Front surface 8B Back surface 22A, 22B Transferred pattern 24A, 24A' Transferred position Alignment mark
Claims (1)
るとともに、上記片面の２箇所に所定の位置合わせマー
クを有する第１,第２のフォトマスクを用いて、上記第
１,第２のフォトマスクのパターンを、１枚の透明基板
の表面と裏面に、上記表面と裏面との間でパターン位置
を対応させて転写して形成する両面パターン形成方法で
あって、 上記透明基板の表面に第１のレジストを塗布し、上記第
１のフォトマスクを通して上記第１のレジストを露光
し、続いて、現像を行って上記第１のレジストをパター
ン化する工程と、 上記第１のレジストをマスクとしてエッチングを行っ
て、上記透明基板の表面に、上記第１のフォトマスクの
パターンと位置合わせマークとを転写して形成する工程
と、 上記透明基板の裏面に第２のレジストを塗布した後、所
定のアライメント装置のステージ上に上記透明基板を上
記裏面側を上にして載置するとともに、上記透明基板上
に平行に上記第２のフォトマスクを配し、上記アライメ
ント装置の顕微鏡の対物レンズの焦点を上記第２のフォ
トマスクのパターン面の高さに合わせた状態で上記第２
のフォトマスクを水平面内で移動させて、この第２のフ
ォトマスクの２箇所の位置合わせマークを上記顕微鏡の
視野内に設けられた基準マークにそれぞれ位置合わせす
る工程と、 上記顕微鏡の対物レンズの焦点を上記透明基板の表面の
高さに合わせ、この状態で上記ステージを水平面内で移
動させて、上記透明基板の表面に転写した２箇所の位置
合わせマークを上記顕微鏡の視野内に設けられた上記基
準マークにそれぞれ位置合わせする工程と、 上記第２のフォトマスクを通して上記第２のレジストを
露光し、続いて、現像を行って上記第２のレジストをパ
ターン化する工程と、 上記第２のレジストをマスクとしてエッチングを行っ
て、上記透明基板の裏面に、上記第２のフォトマスクの
パターンを転写して形成する工程を有することを特徴と
する両面パターン形成方法。1. A method according to claim 1, wherein the first and second photomasks have a predetermined pattern on one surface of the glass plate and have predetermined alignment marks at two locations on the one surface. A double-sided pattern forming method for transferring and forming a pattern of a mask on a front surface and a back surface of one transparent substrate in correspondence with a pattern position between the front surface and the back surface. Applying the first resist, exposing the first resist through the first photomask, and subsequently performing development to pattern the first resist; and using the first resist as a mask. A step of performing etching to transfer and form the pattern of the first photomask and the alignment mark on the surface of the transparent substrate; and applying a second resist on the back surface of the transparent substrate. Placing the transparent substrate on the stage of a predetermined alignment device with the back side facing up, arranging the second photomask in parallel with the transparent substrate, and setting the objective lens of the microscope of the alignment device. With the focal point of the second photomask being adjusted to the height of the pattern surface of the second photomask.
Moving the two photomasks in a horizontal plane to align the two alignment marks of the second photomask with reference marks provided in the field of view of the microscope; The focal point was adjusted to the height of the surface of the transparent substrate. In this state, the stage was moved in a horizontal plane, and two alignment marks transferred to the surface of the transparent substrate were provided in the field of view of the microscope. A step of respectively aligning with the reference mark, a step of exposing the second resist through the second photomask, and a step of performing development to pattern the second resist; A step of performing etching by using a resist as a mask to transfer and form the pattern of the second photomask on the back surface of the transparent substrate. Sided pattern forming method according to.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP5036597A JP2886408B2 (en) | 1993-02-25 | 1993-02-25 | Double-sided pattern forming method |
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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