JP2885578B2 - Sputtering equipment - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、スパッタリング装置が
有する複数のチャンバーの一つである高周波プラズマエ
ッチング（以下ＲＦエッチと称する）チャンバーに集塵
機構を設けたスパッタリング装置に関する。The present invention relates to a sputtering apparatus
Dust collection in a high-frequency plasma etching (hereinafter referred to as RF etch) chamber, which is one of a plurality of chambers
The present invention relates to a sputtering apparatus provided with a mechanism .
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のスパッタリング装置におけるＲＦ
エッチ機構は、図２の模式断面図に示すようにＲＦエッ
チチャンバー１内にアルゴンガスを導入し、高周波電圧
をチャンバー内に印加することによってアルゴンをプラ
ズマ化する。ウェーハ２側には高周波電源４が設けられ
ており、この高周波電源４によってウェーハステージ３
側には自己バイアスが生じ負の電位となる為、正のアル
ゴンイオンはウェーハ２側に引きつけられ衡突する。衡
突するアルゴンイオンによりウェーハ２表面の酸化物等
を物理的にエッチングすることが出来る。2. Description of the Related Art RF in a conventional sputtering apparatus
The etch mechanism introduces an argon gas into the RF etch chamber 1 as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 2, and converts the argon into a plasma by applying a high-frequency voltage to the chamber. A high-frequency power supply 4 is provided on the wafer 2 side.
The self-bias occurs on the side and becomes a negative potential, so that positive argon ions are attracted to the wafer 2 side and collide. Oxides and the like on the surface of the wafer 2 can be physically etched by the colliding argon ions.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】この従来のスパッタリ
ング装置のＲＦエッチ機構では、エッチングされた酸化
物等のパーティクルは、ＲＦエッチ中にアルゴンのプラ
スイオンが照射されている為、パーティクル全体が正電
位となっており、負電位に印加されているウェーハ表面
に引きつけられて離れ難くなっている。その為、ウェー
ハ上へ残存したパーティクルによるデバイスの歩留り低
下及び信頼性低下のような問題点があった。In the RF etching mechanism of this conventional sputtering apparatus, the particles such as the etched oxide are irradiated with positive ions of argon during the RF etching, so that the whole particles have a positive potential. And it is hard to separate because it is attracted to the wafer surface applied to the negative potential. Therefore, there are problems such as a decrease in device yield and a decrease in reliability due to particles remaining on the wafer.
【０００４】またＲＦエッチによって発生するパーティ
クル除去の為にＲＦエッチチャンバーを大気開放し清掃
する必要があり、装置の稼働低下の主要因となり問題と
なっている。Further, in order to remove particles generated by RF etching, it is necessary to open and clean the RF etching chamber to the atmosphere, which is a major cause of a decrease in the operation of the apparatus, which is a problem.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明のスパッタリング
装置は、スパッタリングの前に高周波プラズマエッチン
グを行なうエッチングチャンバーをスパッタリングチャ
ンバーとは別に備えたスパッタリング装置において、前
記エッチングチャンバーにパーティクルを集塵する電極
と、この電極に高圧を印加する直流電源と、前記電極を
格納する電極チャンバーと、前記電極チャンバーへ電極
を移動する移動装置とを備えている。SUMMARY OF THE INVENTION A sputtering apparatus according to the present invention comprises a high-frequency plasma etcher prior to sputtering.
Etching chamber to perform sputtering
In a sputtering device provided separately from the
An electrode for collecting particles in the etching chamber, a DC power supply for applying a high voltage to the electrode, an electrode chamber for storing the electrode, and a moving device for moving the electrode to the electrode chamber are provided .
【０００６】[0006]
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明一実施例の模式的断面図である。本実
施例は、誘電体を集塵面とする集塵電極５と、集塵電極
５を格納する為の電極チャンバー６と、集塵電極５をＲ
Ｆエッチチャンバー１と電極チャンバー６との間で移動
させる為の電極移動装置７と、集塵電極５に直流電圧を
加える為の高圧直流電源８と、ＲＦエッチチャンバー１
と電極チャンバー６との間のクロスコンタミネーション
防止の為の電極チャンバーシャッター９とから構成され
る集塵機構を、従来のスパッタリング装置のＲＦエッチ
チャンバーに追加設置した構成である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic sectional view of one embodiment of the present invention. In this embodiment, a dust collecting electrode 5 having a dielectric as a dust collecting surface, an electrode chamber 6 for accommodating the dust collecting electrode 5, and a dust collecting electrode 5
An electrode moving device 7 for moving between the F etch chamber 1 and the electrode chamber 6, a high-voltage DC power supply 8 for applying a DC voltage to the dust collection electrode 5, and an RF etch chamber 1
A dust collecting mechanism including an electrode chamber shutter 9 for preventing cross contamination between the electrode chamber 6 and the electrode chamber 6 is additionally provided in an RF etching chamber of a conventional sputtering apparatus.
【０００７】本実施例の集塵作用を次に述べる。まず最
初にＲＦエッチ終了後、電極チャンバーシャッター９を
開けて電極チャンバー６より集塵電極５をＲＦエッチチ
ャンバー１に移動させ、ウェーハ２上に集塵電極５を接
近させる。その後高周波電源３へ接続されている回路か
らウェーハ２側を地落させる回路にスイッチを切り換え
る。同時に高圧直流電源８を用いて集塵電極５を負電位
に印加する。集塵電極５側が負電位でウェーハ２側は地
落していることにより、ウェーハ２表面は正電位に印加
される。故にパーティクルとウェーハ２表面の電位は正
と正になり、パーティクルはウェーハ２より離れ易くな
る。さらにウェーハ２表面に接近している集塵電極５は
負電位となっている為、正電位のパーティクルは集塵電
極５に引きつけられ、パーティクルを補獲することが出
来る。パーティクルを補獲した後、集塵電極５は電極チ
ャンバー６に格納し、電極チャンバーシャッター９を閉
める。The dust collecting operation of this embodiment will be described below. First, after the RF etching is completed, the electrode chamber shutter 9 is opened, the dust collecting electrode 5 is moved from the electrode chamber 6 to the RF etch chamber 1, and the dust collecting electrode 5 is brought close to the wafer 2. Thereafter, a switch is switched from a circuit connected to the high-frequency power supply 3 to a circuit for dropping the wafer 2 side. At the same time, the dust collecting electrode 5 is applied to a negative potential using the high-voltage DC power supply 8. Since the dust collecting electrode 5 side is at a negative potential and the wafer 2 side is grounded, the surface of the wafer 2 is applied with a positive potential. Therefore, the potential of the particles and the surface of the wafer 2 becomes positive and positive, and the particles are easily separated from the wafer 2. Further, since the dust collecting electrode 5 approaching the surface of the wafer 2 has a negative potential, particles having a positive potential are attracted to the dust collecting electrode 5 and can capture the particles. After capturing the particles, the dust collecting electrode 5 is stored in the electrode chamber 6, and the electrode chamber shutter 9 is closed.
【０００８】以上に述べた集塵機構を用いることによっ
て、ＲＦエッチ時に発生するパーティクルをウェーハ表
面から除去することが出来、また発生したパーティクル
によるチャンバーの汚染も防止できる。By using the above-described dust collecting mechanism, particles generated during RF etching can be removed from the wafer surface, and contamination of the chamber by the generated particles can be prevented.
【０００９】[0009]
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ＲＦエッ
チ機構に集塵機構を備えることにより、エッチングされ
た酸化物等のパーティクルがウェーハ上から離れにくく
なっていても、エッチング処理後ウェーハから除去出来
る。従って、パーティクルによるデバイスの製造歩留り
低下を防止出来、信頼性を向上出来る。またＲＦエッチ
チャンバーの清掃頻度を延長（７〜１２日）出来る為、
装置の稼働を大幅に向上出来る。As described above, according to the present invention, by providing the RF etch mechanism with the dust collecting mechanism, even if the particles such as the etched oxides are hard to separate from the wafer, they are removed from the wafer after the etching process. I can do it. Therefore, it is possible to prevent a reduction in the manufacturing yield of the device due to the particles, and to improve the reliability. In addition, since the cleaning frequency of the RF etch chamber can be extended (7 to 12 days),
The operation of the device can be greatly improved.
【図１】本発明の一実施例の模式的断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view of one embodiment of the present invention.
【図２】従来のスパッタリング装置の模式的断面図であ
る。FIG. 2 is a schematic sectional view of a conventional sputtering apparatus.
１ ＲＦエッチチャンバー ２ ウェーハ ３ ウェーハステージ ４ 高周波電源 ５ 集塵電極 ６ 電極チャンバー ７ 電極移動装置 ８ 高圧直流電源 ９ 電極チャンバーシャッター REFERENCE SIGNS LIST 1 RF etch chamber 2 Wafer 3 Wafer stage 4 High frequency power supply 5 Dust collection electrode 6 Electrode chamber 7 Electrode moving device 8 High voltage DC power supply 9 Electrode chamber shutter
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/3065 H01L 21/203 C23F 4/00 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) H01L 21/3065 H01L 21/203 C23F 4/00
Claims (1)
ッチングを行なうエッチングチャンバーをスパッタリン
グチャンバーとは別に備えたスパッタリング装置におい
て、前記エッチングチャンバーにパーティクルを集塵す
る電極と、この電極に高圧を印加する直流電源と、前記
電極を格納する電極チャンバーと、前記電極チャンバー
へ電極を移動する移動装置とを備えることを特徴とする
スパッタリング装置。An etching chamber for performing high-frequency plasma etching before sputtering is formed by sputtering.
Moving in a sputtering apparatus provided separately from the grayed chamber, an electrode for dust collecting particles in the etching chamber, a DC power supply for applying a high voltage to the electrode, and the electrode chamber for storing the electrode, the electrode into the electrode chamber A sputtering device, comprising:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22112892A JP2885578B2 (en) | 1992-08-20 | 1992-08-20 | Sputtering equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22112892A JP2885578B2 (en) | 1992-08-20 | 1992-08-20 | Sputtering equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0669162A JPH0669162A (en) | 1994-03-11 |
| JP2885578B2 true JP2885578B2 (en) | 1999-04-26 |
Family
ID=16761899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22112892A Expired - Fee Related JP2885578B2 (en) | 1992-08-20 | 1992-08-20 | Sputtering equipment |
Country Status (1)
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| JP (1) | JP2885578B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030056203A (en) * | 2001-12-27 | 2003-07-04 | 동부전자 주식회사 | dry etching apparatus |
| KR100672820B1 (en) * | 2004-11-12 | 2007-01-22 | 삼성전자주식회사 | Method of processing a processed object using plasma |
-
1992
- 1992-08-20 JP JP22112892A patent/JP2885578B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0669162A (en) | 1994-03-11 |
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