JP2884617B2 - 光磁気記録再生方法 - Google Patents
光磁気記録再生方法Info
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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- G11B11/10515—Reproducing
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光磁気記録相互作用すなわちカー効果によ
って記録情報（磁区）の読出しを行う光磁気記録再生方
法に係わる。
って記録情報（磁区）の読出しを行う光磁気記録再生方
法に係わる。
本発明は、光磁気記録再生方法に係わり、再生磁性層
と記録磁性層と透明誘電体層と反射層とを有し、再生磁
性層が磁化反転する温度Tth以下では再生出力Ｒ×θｋ
（Ｒは反射率、θｋはカー回転角）が充分に小とされる
構成とされた光磁気記録媒体が用いられ、再生時に再生
磁性層のみを磁化反転させることにより再生出力を得る
ものであって、このようにすることによって超高密度記
録、すなわち線方向密度（記録トラック上での記録密
度）と共にトラック幅方向密度の向上と、再生S/Nの向
上をはかる。
と記録磁性層と透明誘電体層と反射層とを有し、再生磁
性層が磁化反転する温度Tth以下では再生出力Ｒ×θｋ
（Ｒは反射率、θｋはカー回転角）が充分に小とされる
構成とされた光磁気記録媒体が用いられ、再生時に再生
磁性層のみを磁化反転させることにより再生出力を得る
ものであって、このようにすることによって超高密度記
録、すなわち線方向密度（記録トラック上での記録密
度）と共にトラック幅方向密度の向上と、再生S/Nの向
上をはかる。
光磁気記録媒体の磁性層に記録情報に応じた情報ビッ
トすなわち磁区を形成し、これに再生光例えば半導体レ
ーザ光を照射して光磁気相互作用すなわちカー効果によ
ってその情報の読み出しを行う光磁気再生方法をとる場
合、その光磁気記録の記録密度を上げるには、そのビッ
ト長の短縮化すなわち情報磁区の微小化をはかることに
なるが、この場合通常一般の光磁気記録方式ではその再
生時のS/Nを確保する上で再生光のレーザ波長、レンズ
の開口数によって制約を受けている。
トすなわち磁区を形成し、これに再生光例えば半導体レ
ーザ光を照射して光磁気相互作用すなわちカー効果によ
ってその情報の読み出しを行う光磁気再生方法をとる場
合、その光磁気記録の記録密度を上げるには、そのビッ
ト長の短縮化すなわち情報磁区の微小化をはかることに
なるが、この場合通常一般の光磁気記録方式ではその再
生時のS/Nを確保する上で再生光のレーザ波長、レンズ
の開口数によって制約を受けている。
このような再生時の条件から規定される記録密度の問
題点を解決するものとして、先に特開平１−143041号公
開公報において開示された記録媒体の信号再生方法があ
る。この再生方法においては、光磁気記録媒体上の記録
磁区を再生時のレーザ光照射による温度上昇を利用して
拡大させることによって上述した記録密度の制約以上の
高密度の信号の再生を可能にするものである。
題点を解決するものとして、先に特開平１−143041号公
開公報において開示された記録媒体の信号再生方法があ
る。この再生方法においては、光磁気記録媒体上の記録
磁区を再生時のレーザ光照射による温度上昇を利用して
拡大させることによって上述した記録密度の制約以上の
高密度の信号の再生を可能にするものである。
ところが、このような再生方法による場合、線方向密
度に関しての向上ははかられるものの、トラック幅方向
すなわちトラック密度の向上をはかることに問題があ
る。すなわち特にコードデータによっては情報ビット、
記録情報磁区間隔すなわちビット間隔が長い場合、再生
時の磁区の拡大が大となってこのトラックに隣接する他
のトラック上の記録磁区とのクロストークが問題となっ
てくる。
度に関しての向上ははかられるものの、トラック幅方向
すなわちトラック密度の向上をはかることに問題があ
る。すなわち特にコードデータによっては情報ビット、
記録情報磁区間隔すなわちビット間隔が長い場合、再生
時の磁区の拡大が大となってこのトラックに隣接する他
のトラック上の記録磁区とのクロストークが問題となっ
てくる。
本発明は、上述したクロストークの問題の解決をはか
り、線方向密度及びトラック幅方向密度の向上をはか
り、かつ再生S/Nの向上をはかることをその主たる目的
とする。
り、線方向密度及びトラック幅方向密度の向上をはか
り、かつ再生S/Nの向上をはかることをその主たる目的
とする。
本発明は、第１図にその略線的拡大断面図を示すよう
に、再生磁性層（１）と記録磁性層（２）と透明誘電体
層（31）及び（32）と反射層（４）とを有し、再生磁性
層（１）が磁化反転する温度Tth以下での再生出力Ｒ×
θＫは、磁化反転する温度Tthより高い温度での再生出
力Ｒ×θＫ（Ｒは反射率、θＫはカー回転角）より小と
される構成とした光磁気記録媒体（５）を構成し、これ
を用いて再生時に再生磁性層（１）のみを磁化反転させ
ることにより、読み出し光を照射してそのカー回転角に
よる再生出力を得るようにする。
に、再生磁性層（１）と記録磁性層（２）と透明誘電体
層（31）及び（32）と反射層（４）とを有し、再生磁性
層（１）が磁化反転する温度Tth以下での再生出力Ｒ×
θＫは、磁化反転する温度Tthより高い温度での再生出
力Ｒ×θＫ（Ｒは反射率、θＫはカー回転角）より小と
される構成とした光磁気記録媒体（５）を構成し、これ
を用いて再生時に再生磁性層（１）のみを磁化反転させ
ることにより、読み出し光を照射してそのカー回転角に
よる再生出力を得るようにする。
上述したように本発明方法においては、その再生時に
再生磁性層（１）のみを磁化反転させることによって、
その読み出しを行うものものであり、この場合に目的と
する再生位置でのみ温度Tth以上として再生磁性層の磁
化反転を行わしめるものの、これ以外のその温度がTth
以下となる部分では再生出力（Ｒ×θｋ）が充分小とさ
れていることによって、隣接するトラックでの再生出力
を充分小さくできクロストークの改善がなされる。
再生磁性層（１）のみを磁化反転させることによって、
その読み出しを行うものものであり、この場合に目的と
する再生位置でのみ温度Tth以上として再生磁性層の磁
化反転を行わしめるものの、これ以外のその温度がTth
以下となる部分では再生出力（Ｒ×θｋ）が充分小とさ
れていることによって、隣接するトラックでの再生出力
を充分小さくできクロストークの改善がなされる。
本発明方法に用いられる磁気記録媒体の一例の略線的
拡大断面図を第１図に示す。この場合、光透過性基体
（６）上に第１の透明誘電体層（31）と再生磁性層
（１）と中間層（７）と記録磁性層（２）と第２の透明
誘電体層（32）と反射層（４）とさらに図示しないが紫
外線硬化樹脂による保護膜が被着形成されてなる。
（５）は光磁気記録媒体を全体として示す。
拡大断面図を第１図に示す。この場合、光透過性基体
（６）上に第１の透明誘電体層（31）と再生磁性層
（１）と中間層（７）と記録磁性層（２）と第２の透明
誘電体層（32）と反射層（４）とさらに図示しないが紫
外線硬化樹脂による保護膜が被着形成されてなる。
（５）は光磁気記録媒体を全体として示す。
光透過性基体（６）は、この光磁気記録媒体（５）に
対する記録及び再生に用いられる光例えば半導体レーザ
光に対して高い透過率を示すガラスあるいはポリカーボ
ネイト等の樹脂板等によって形成し得る。
対する記録及び再生に用いられる光例えば半導体レーザ
光に対して高い透過率を示すガラスあるいはポリカーボ
ネイト等の樹脂板等によって形成し得る。
第１及び第２の透明誘電体層（31）及び（32）は例え
ばSi3N4,SiO,SiO2,ZnS,MgF2,SiAlON,AlN等によって構成
し得る。
ばSi3N4,SiO,SiO2,ZnS,MgF2,SiAlON,AlN等によって構成
し得る。
また、再生磁性層（１）は単層膜状態の保磁力Hc1が
小さく、キュリー点Tc1が大例えばTc1＞200℃で、カー
効果θｋの大きい磁性材料によって構成し、記録磁性層
（２）は微小磁区が記録され、再生時に記録磁区が変化
されることがないような垂直磁気異方性が大でそのキュ
リー点Tc2が例えばTc2＞200℃の磁性材料よりなる。
小さく、キュリー点Tc1が大例えばTc1＞200℃で、カー
効果θｋの大きい磁性材料によって構成し、記録磁性層
（２）は微小磁区が記録され、再生時に記録磁区が変化
されることがないような垂直磁気異方性が大でそのキュ
リー点Tc2が例えばTc2＞200℃の磁性材料よりなる。
また、中間層（７）は再生磁性層（１）と記録磁性層
（２）との交換結合を再生時の再生部位に与えられる所
定温度で、切断する機能を奏するすなわちそのキュリー
点Tc3が例えば80℃〜200℃程度の磁性材料によって形成
される。
（２）との交換結合を再生時の再生部位に与えられる所
定温度で、切断する機能を奏するすなわちそのキュリー
点Tc3が例えば80℃〜200℃程度の磁性材料によって形成
される。
また、反射層（４）は例えばAl,Cu,Ag,Au,Pt等によっ
て形成される。
て形成される。
尚、これら各層（31），（１），（７），（２），
（32），（４）はそれぞれ蒸着、スパッタ等によって形
成し得る。
（32），（４）はそれぞれ蒸着、スパッタ等によって形
成し得る。
第２図は上述の磁気記録媒体（５）の再生磁性層
（１）、中間層（７）、記録磁性層（２）がフエロ磁性
である場合の磁化状態を矢印をもって模式的に示したも
ので、この光磁気記録媒体（５）の初期化状態において
は、第２図Ａに示すように各再生磁性層（１）、中間層
（７）、記録磁性層（２）において、同一の一様の向
き、図においては上向きに磁化された状態にあり、この
光磁気記録媒体（５）への記録すなわち磁性磁区の形成
は、通常の記録方法、例えば光変調方式、磁界変調方式
等によって記録できる。すなわち、例えば初期化状態に
おける記録磁性層（２）の磁化方向と逆向きのバイアス
磁界を印加した状態で記録光例えば半導体レーザ光をフ
ォーカスさせて記録信号によって変調照射し、この光照
射によって記録磁性層（２）が局部的にキュリー点Tc2
以上に加熱された部分に、レーザ光走査が去った後の冷
却時に外部磁場及び浮遊磁場による方向によって第２図
Ｂに示すように記録磁性層（２）に初期化状態とは逆向
きの磁化による例えば“1"の記録をなす。この場合記録
磁性層（２）と中間層（７）との結合、中間層（７）と
再生磁性層（１）との結合によって三者が共に記録磁性
層（２）の反転された磁化と同方向に揃えられた状態に
なる。つまりこの情報磁区の有無によって“1",“0"の
２値の情報の記録が行われる。
（１）、中間層（７）、記録磁性層（２）がフエロ磁性
である場合の磁化状態を矢印をもって模式的に示したも
ので、この光磁気記録媒体（５）の初期化状態において
は、第２図Ａに示すように各再生磁性層（１）、中間層
（７）、記録磁性層（２）において、同一の一様の向
き、図においては上向きに磁化された状態にあり、この
光磁気記録媒体（５）への記録すなわち磁性磁区の形成
は、通常の記録方法、例えば光変調方式、磁界変調方式
等によって記録できる。すなわち、例えば初期化状態に
おける記録磁性層（２）の磁化方向と逆向きのバイアス
磁界を印加した状態で記録光例えば半導体レーザ光をフ
ォーカスさせて記録信号によって変調照射し、この光照
射によって記録磁性層（２）が局部的にキュリー点Tc2
以上に加熱された部分に、レーザ光走査が去った後の冷
却時に外部磁場及び浮遊磁場による方向によって第２図
Ｂに示すように記録磁性層（２）に初期化状態とは逆向
きの磁化による例えば“1"の記録をなす。この場合記録
磁性層（２）と中間層（７）との結合、中間層（７）と
再生磁性層（１）との結合によって三者が共に記録磁性
層（２）の反転された磁化と同方向に揃えられた状態に
なる。つまりこの情報磁区の有無によって“1",“0"の
２値の情報の記録が行われる。
そして、その再生すなわち記録情報の読み出しに当た
っては例えばレーザ光照射によってその光磁気相互作用
によるカー回転角θｋの検出によってその読み出しを行
うものであるが、特にこの場合その読み出し部の温度を
所要の温度Tthより高いすなわち中間層（７）のキュリ
ー点Tc3を超える温度として記録磁性層（２）と再生磁
性層（１）の交換結合を切断して再生磁性層（１）を記
録磁性層（２）による磁気的制約から解放することによ
ってその再生磁性層（１）に与えられる反磁場と、さら
にこのとき必要に応じて与えられる外部印加磁場の和に
よる所要の磁場によって第２図Ｃに示すように再生層
（１）においてのみ記録情報部においてすなわち上述し
た例えば“1"の記録部で磁化反転を生ぜしめる。
っては例えばレーザ光照射によってその光磁気相互作用
によるカー回転角θｋの検出によってその読み出しを行
うものであるが、特にこの場合その読み出し部の温度を
所要の温度Tthより高いすなわち中間層（７）のキュリ
ー点Tc3を超える温度として記録磁性層（２）と再生磁
性層（１）の交換結合を切断して再生磁性層（１）を記
録磁性層（２）による磁気的制約から解放することによ
ってその再生磁性層（１）に与えられる反磁場と、さら
にこのとき必要に応じて与えられる外部印加磁場の和に
よる所要の磁場によって第２図Ｃに示すように再生層
（１）においてのみ記録情報部においてすなわち上述し
た例えば“1"の記録部で磁化反転を生ぜしめる。
そして、特に本発明においては、上述の光磁気記録媒
体（５）が、その第１及び第２の誘電体膜（31）及び
（32）の厚さt1及びt2、その各屈折率n1及びn2、各磁性
層（１），（２）及び（７）の各厚さh1,h2,h12を選定
することによって第２図Ｃで示したように再生磁性層
（１）のみが磁化反転した場合のカー回転角の変化分θ
k1が、第２図Ｂに示すように再生磁性層（１）、中間層
（７）及び記録磁性層（２）が全て磁化反転した場合の
カー回転角の変化分θk2に比して充分大となるようなカ
ー効果エンハンスメントが行われるようにする。
体（５）が、その第１及び第２の誘電体膜（31）及び
（32）の厚さt1及びt2、その各屈折率n1及びn2、各磁性
層（１），（２）及び（７）の各厚さh1,h2,h12を選定
することによって第２図Ｃで示したように再生磁性層
（１）のみが磁化反転した場合のカー回転角の変化分θ
k1が、第２図Ｂに示すように再生磁性層（１）、中間層
（７）及び記録磁性層（２）が全て磁化反転した場合の
カー回転角の変化分θk2に比して充分大となるようなカ
ー効果エンハンスメントが行われるようにする。
尚、再生磁性層（１）、中間層（７）、記録磁性層
（２）はそれぞれ上述した条件下で材料選定がなされる
が、再生磁性層（１）としては、例えばGdFeCo,NdFeCo,
GdNdFeCo,PtCoによって構成し得るものであり、中間層
（７）は例えばTbFe,DyFeCo,TbFeCoによって構成し得る
ものであり、記録磁性層（２）は例えばTbFeCoによって
構成し得る。そして、実際にはこれら磁性層が希土類−
遷移金属のフエリ磁性層である場合は、これが遷移金属
副格子優勢膜であるか、希土類副格子優勢膜であるかに
よって再生時等に与える外部バイアス磁場の向きが選定
される。
（２）はそれぞれ上述した条件下で材料選定がなされる
が、再生磁性層（１）としては、例えばGdFeCo,NdFeCo,
GdNdFeCo,PtCoによって構成し得るものであり、中間層
（７）は例えばTbFe,DyFeCo,TbFeCoによって構成し得る
ものであり、記録磁性層（２）は例えばTbFeCoによって
構成し得る。そして、実際にはこれら磁性層が希土類−
遷移金属のフエリ磁性層である場合は、これが遷移金属
副格子優勢膜であるか、希土類副格子優勢膜であるかに
よって再生時等に与える外部バイアス磁場の向きが選定
される。
実施例１ ポリカーボネイトよりなる光透過性基体（６）上に、
屈折率2.0のSiNよりなる第１の透明誘電体層（31）を厚
さt1＝1000Åに被着し、これの上にGdFeCoよりなる再生
磁性層（１）を厚さh1＝220Åに、またTbFeよりなる中
間層（７）をh12＝50Åに、TbFeCoよりなる記録磁性層
（２）をh2＝220Åに順次被着形成し、これの上に屈折
率2.0のSiNよりなる第２の透明誘電体層（32）と厚さ70
0ÅのAlよりなる反射率（４）とを被着して得た光磁気
記録媒体（５）について、その第２の透明誘電体層
（32）の膜厚t2を変化させた場合の、キャリアレベルと
の関係についてみる。ここにキャリアレベルＣは、Ｃ∝
（反射Ｒ×カー回転角θｋ）であるが、第３図にこのキ
ャリアレベルを、再生磁性層（１）が充分厚く光学的に
記録磁性層（２）が見えない場合を基準としたときのそ
のキャリアレベルの差をΔＣとして第２の透明誘電体層
（32）の膜厚t2との関係を第３図に示す。この場合、波
長780nmの半導体レーザ光を用いた場合で実線曲線は再
生磁性層（１）のみが反射した第２図Ｃに示す状態、破
線曲線は第２図Ｂに示すように再生磁性層（１）と中間
層（７）を含めて第２の記憶磁性層（２）が共に同一の
磁化反転している状態におけるものである。
屈折率2.0のSiNよりなる第１の透明誘電体層（31）を厚
さt1＝1000Åに被着し、これの上にGdFeCoよりなる再生
磁性層（１）を厚さh1＝220Åに、またTbFeよりなる中
間層（７）をh12＝50Åに、TbFeCoよりなる記録磁性層
（２）をh2＝220Åに順次被着形成し、これの上に屈折
率2.0のSiNよりなる第２の透明誘電体層（32）と厚さ70
0ÅのAlよりなる反射率（４）とを被着して得た光磁気
記録媒体（５）について、その第２の透明誘電体層
（32）の膜厚t2を変化させた場合の、キャリアレベルと
の関係についてみる。ここにキャリアレベルＣは、Ｃ∝
（反射Ｒ×カー回転角θｋ）であるが、第３図にこのキ
ャリアレベルを、再生磁性層（１）が充分厚く光学的に
記録磁性層（２）が見えない場合を基準としたときのそ
のキャリアレベルの差をΔＣとして第２の透明誘電体層
（32）の膜厚t2との関係を第３図に示す。この場合、波
長780nmの半導体レーザ光を用いた場合で実線曲線は再
生磁性層（１）のみが反射した第２図Ｃに示す状態、破
線曲線は第２図Ｂに示すように再生磁性層（１）と中間
層（７）を含めて第２の記憶磁性層（２）が共に同一の
磁化反転している状態におけるものである。
実施例２ 実施例１と同様の構成をとるも、第１及び第２の透明
誘電体層（31）及び（32）が屈折率2.2のSiNによって構
成した場合で、この場合の同様の第２の透明誘電体層
（32）の膜厚t2とΔＣとの関係を第４図に示す。この場
合においても実線曲線は第２図Ｃの状態、破線曲線は第
２図Ｂの状態を示す。
誘電体層（31）及び（32）が屈折率2.2のSiNによって構
成した場合で、この場合の同様の第２の透明誘電体層
（32）の膜厚t2とΔＣとの関係を第４図に示す。この場
合においても実線曲線は第２図Ｃの状態、破線曲線は第
２図Ｂの状態を示す。
これより明らかなように例えば透明誘電体層（22）の
厚さt2を第３図及び第４図における厚さtaないしはその
近傍に選定することによって同第３図及び第４図の破線
曲線に示すようにΔＣの小さい部分が生じることによっ
て実線曲線及び破線曲線の差が大きい部分が生ずるの
で、このようなカーエンハンスメント効果が生ずるよう
な光磁気記録媒体（５）を構成すれば、第２図Ｂと第２
図Ｃとのキャリアレベルの差を大とすることができる。
したがってその再生時に媒体温度が隣接するトラック部
では中間層（７）のキュリー点以上にならないように再
生光、例えば半導体レーザ光の照射により媒体上での温
度分布の選定をなぜば目的とするトラックにおいては、
第２図Ｃの状態にし、これに隣接するトラックにおいて
は、第２図Ｂの状態を生ぜしめることができ、これによ
って目的とするトラックとこれに隣接するトラックとの
間のキャリアレベル差を大とすることができる。つま
り、クロストークに寄与する信号成分が小さいカー回転
角変化θk2にのみ依存することになり、クロストークの
減少化がなされる。
厚さt2を第３図及び第４図における厚さtaないしはその
近傍に選定することによって同第３図及び第４図の破線
曲線に示すようにΔＣの小さい部分が生じることによっ
て実線曲線及び破線曲線の差が大きい部分が生ずるの
で、このようなカーエンハンスメント効果が生ずるよう
な光磁気記録媒体（５）を構成すれば、第２図Ｂと第２
図Ｃとのキャリアレベルの差を大とすることができる。
したがってその再生時に媒体温度が隣接するトラック部
では中間層（７）のキュリー点以上にならないように再
生光、例えば半導体レーザ光の照射により媒体上での温
度分布の選定をなぜば目的とするトラックにおいては、
第２図Ｃの状態にし、これに隣接するトラックにおいて
は、第２図Ｂの状態を生ぜしめることができ、これによ
って目的とするトラックとこれに隣接するトラックとの
間のキャリアレベル差を大とすることができる。つま
り、クロストークに寄与する信号成分が小さいカー回転
角変化θk2にのみ依存することになり、クロストークの
減少化がなされる。
実施例３ ポリカーネート基体（６）上に、屈折率2.0のSiNより
なる第１の透明誘電体層（31）を厚さt1＝1000Åに、Gd
FeCoよりなる再生磁性層（１）を厚さh1＝200Åに、TbF
eよりなる中間層（７）を厚さt12＝50Åに、TbFeCoより
なる記録磁性層（２）を厚さh2＝200Åに、屈折率2.0の
SiNよりなる第２の透明誘電体層（32）を厚さt2（変化
させた）に、Alよりなる反射層（４）を厚さ700Åに順
次積層した光磁気ディスク（以下これをディスクＤとい
う）を作製した。
なる第１の透明誘電体層（31）を厚さt1＝1000Åに、Gd
FeCoよりなる再生磁性層（１）を厚さh1＝200Åに、TbF
eよりなる中間層（７）を厚さt12＝50Åに、TbFeCoより
なる記録磁性層（２）を厚さh2＝200Åに、屈折率2.0の
SiNよりなる第２の透明誘電体層（32）を厚さt2（変化
させた）に、Alよりなる反射層（４）を厚さ700Åに順
次積層した光磁気ディスク（以下これをディスクＤとい
う）を作製した。
比較例１ ポリカーボネート基体（６）上に、屈折率2.0のSiNよ
りなる第１の透明誘電体層（31）を厚さt1＝800Åに、G
dFeCoよりなる再生磁性層を厚さh1＝500Åに、TbFeより
なる中間層（７）を厚さh12＝50Åに、TbFeCoよりなる
記録磁性層（２）を厚さh2＝500Åに、屈折率2.0のSiN
よりなる第２の透明誘電体層（32）を厚さt2＝800Åに
順次積層した光磁気ディスク（以下これをディスクDcと
いう）を作製した。
りなる第１の透明誘電体層（31）を厚さt1＝800Åに、G
dFeCoよりなる再生磁性層を厚さh1＝500Åに、TbFeより
なる中間層（７）を厚さh12＝50Åに、TbFeCoよりなる
記録磁性層（２）を厚さh2＝500Åに、屈折率2.0のSiN
よりなる第２の透明誘電体層（32）を厚さt2＝800Åに
順次積層した光磁気ディスク（以下これをディスクDcと
いう）を作製した。
そしてこれらディスクＤ及びDcについてキャリアレベ
ルＣ（∝Ｒ×θｋ）の第２の透明誘電体層（32）の厚さ
との関係と共に、再生方法を選定して測定した結果を第
５図に示す。すなわち第５図中、○印及び●印はそれぞ
れディスクＤ及びDcの再生磁性層（１）を磁化反転させ
ながらその再生を行うようにしたいわば本発明の再生方
法をとった場合、△印及び▲印はディスクＤ及びDcの再
生磁性層（１）を磁化反転させない通常の再生方法によ
った場合のキャリアレベルの測定結果を示す。
ルＣ（∝Ｒ×θｋ）の第２の透明誘電体層（32）の厚さ
との関係と共に、再生方法を選定して測定した結果を第
５図に示す。すなわち第５図中、○印及び●印はそれぞ
れディスクＤ及びDcの再生磁性層（１）を磁化反転させ
ながらその再生を行うようにしたいわば本発明の再生方
法をとった場合、△印及び▲印はディスクＤ及びDcの再
生磁性層（１）を磁化反転させない通常の再生方法によ
った場合のキャリアレベルの測定結果を示す。
この場合その磁化反転させながらの再生を行う場合と
させない場合とのすなわち丸印と三角印の差、つまり曲
線（51）と（52）の差が大きい状態となる厚さt2に選定
することがクロストークの改善において好ましいことに
なるが、その膜厚t2が大となるほど曲線（51）に示され
るようにキャリアレベルの低下をも招来してくることか
ら、再生出力の低下を回避する上で例えば第５図におい
て破線ａの位置での厚さt2、例えば４百数十Åの厚さに
選定することが望ましい。尚、このキャリアレベルの測
定は線速度10m/s、記録周波数10MHzによるものである。
させない場合とのすなわち丸印と三角印の差、つまり曲
線（51）と（52）の差が大きい状態となる厚さt2に選定
することがクロストークの改善において好ましいことに
なるが、その膜厚t2が大となるほど曲線（51）に示され
るようにキャリアレベルの低下をも招来してくることか
ら、再生出力の低下を回避する上で例えば第５図におい
て破線ａの位置での厚さt2、例えば４百数十Åの厚さに
選定することが望ましい。尚、このキャリアレベルの測
定は線速度10m/s、記録周波数10MHzによるものである。
また、これらディスクＤとt2＝1500Åとしたディスク
Dcのクロストークを測定した。この測定条件は、トラッ
クピッチ0.8μｍ、波長780nm、記録周波数5MHz、隣接す
るトラック記録周波数4.8MHz、線速度10m/s、再生時の
外部磁化500（Oe）、再生磁性層を磁化反転させながら
再生した場合ディスクDcにおいて再生パワー2.2mW〜2.6
mWでそのクロストークは−10dBであり、ディスクＤは再
生パワー2.7mW〜3.2mWでクロストーク−2.5dBに減少し
得ることが確認された。
Dcのクロストークを測定した。この測定条件は、トラッ
クピッチ0.8μｍ、波長780nm、記録周波数5MHz、隣接す
るトラック記録周波数4.8MHz、線速度10m/s、再生時の
外部磁化500（Oe）、再生磁性層を磁化反転させながら
再生した場合ディスクDcにおいて再生パワー2.2mW〜2.6
mWでそのクロストークは−10dBであり、ディスクＤは再
生パワー2.7mW〜3.2mWでクロストーク−2.5dBに減少し
得ることが確認された。
上述したように本発明方法においては、その再生時に
再生磁性層（１）のみを磁化反転させることによって、
その読み出しを行うものであり、この場合に目的とする
再生部においてのみ温度Tth以上として再生磁性層の磁
化反転を行わしめることによって更にその温度がTth以
下では再生出力Ｒ×θｋが充分小とされていることによ
って高いC/Nのみならず効果的にトラック間のクロスト
ークを回避でき、トラック幅方向についても高密度化を
はかることができるという実用上大きな利益をもたら
す。
再生磁性層（１）のみを磁化反転させることによって、
その読み出しを行うものであり、この場合に目的とする
再生部においてのみ温度Tth以上として再生磁性層の磁
化反転を行わしめることによって更にその温度がTth以
下では再生出力Ｒ×θｋが充分小とされていることによ
って高いC/Nのみならず効果的にトラック間のクロスト
ークを回避でき、トラック幅方向についても高密度化を
はかることができるという実用上大きな利益をもたら
す。
第１図は本発明方法に用いられる磁気記録媒体の一例の
略線的拡大断面図、第２図は記録及び再生態様の説明に
供する磁化状態の模式図、第３図及び第４図は相対キャ
リアレベルΔＣの誘電体層の膜厚への依存性を示す図、
第５図は比較例と本発明方法におけるキャリアレベルの
説明図である。 （１）は再生磁性層、（２）は記録磁性層、（７）は中
間層、（31）及び（32）は透明誘電体層、（４）は反射
層、（５）は光磁気記録媒体である。
略線的拡大断面図、第２図は記録及び再生態様の説明に
供する磁化状態の模式図、第３図及び第４図は相対キャ
リアレベルΔＣの誘電体層の膜厚への依存性を示す図、
第５図は比較例と本発明方法におけるキャリアレベルの
説明図である。 （１）は再生磁性層、（２）は記録磁性層、（７）は中
間層、（31）及び（32）は透明誘電体層、（４）は反射
層、（５）は光磁気記録媒体である。
Claims (1)
- 【請求項１】再生磁性層と記録磁性層と透明誘電体層と
反射層とを有し、上記再生磁性層が磁化反転する温度T
th以下での再生出力Ｒ×θＫは、磁化反転する温度Tth
より高い温度での再生出力Ｒ×θＫ（Ｒは反射率、θＫ
はカー回転角）より小とされる構成とされた光磁気記録
媒体が用いられ、 再生時に、上記再生磁性層のみを磁化反転させることに
より再生出力を得るようにしたことを特徴とする光磁気
記録再生方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1233601A JP2884617B2 (ja) | 1989-09-08 | 1989-09-08 | 光磁気記録再生方法 |
| DE69014175T DE69014175T2 (de) | 1989-09-08 | 1990-09-07 | Magnetooptische Wiedergabemethode. |
| EP90117307A EP0416656B1 (en) | 1989-09-08 | 1990-09-07 | Magneto-optical playback method |
| US08/175,693 US5357494A (en) | 1989-09-08 | 1993-12-30 | Magneto-optical playback method |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1233601A JP2884617B2 (ja) | 1989-09-08 | 1989-09-08 | 光磁気記録再生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0397140A JPH0397140A (ja) | 1991-04-23 |
| JP2884617B2 true JP2884617B2 (ja) | 1999-04-19 |
Family
ID=16957611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1233601A Expired - Fee Related JP2884617B2 (ja) | 1989-09-08 | 1989-09-08 | 光磁気記録再生方法 |
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| CA2142767C (en) | 1994-02-21 | 1998-11-17 | Naoki Nishimura | Magneto-optical recording medium, and information reproducing method using the medium |
| SG24105A1 (en) * | 1994-03-19 | 1996-02-10 | Sony Corp | Apparatus for recording and reproducing information |
| DE19535994C2 (de) * | 1994-10-14 | 1998-07-16 | Sharp Kk | Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium und Herstellverfahren für dieses |
| JPH08147761A (ja) * | 1994-11-21 | 1996-06-07 | Nikon Corp | 情報記録媒体 |
| US5593790A (en) * | 1994-12-29 | 1997-01-14 | Imation Corp. | Interference super-resolution using two magnetic layer construction |
| US6423430B1 (en) * | 1995-07-17 | 2002-07-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium for short wavelength |
| US6333827B1 (en) * | 1999-06-16 | 2001-12-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetic signal reproducing device, magnetic signal reproducing method and magnetic recording medium for high density reproduction |
| JP6691512B2 (ja) | 2017-06-23 | 2020-04-28 | 富士フイルム株式会社 | 磁気記録媒体 |
| WO2019065200A1 (ja) | 2017-09-29 | 2019-04-04 | 富士フイルム株式会社 | 磁気テープおよび磁気記録再生装置 |
| CN113436654B (zh) * | 2017-09-29 | 2022-12-02 | 富士胶片株式会社 | 磁带及磁记录回放装置 |
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| US11514943B2 (en) | 2018-03-23 | 2022-11-29 | Fujifilm Corporation | Magnetic tape and magnetic tape device |
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|---|---|---|---|---|
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| US4694358A (en) * | 1985-10-28 | 1987-09-15 | Kerdix, Inc. | Magneto-optic recording structure and method |
| JPS62137754A (ja) * | 1985-12-09 | 1987-06-20 | Canon Inc | 光磁気再生方法 |
| JPS62188044A (ja) * | 1986-02-14 | 1987-08-17 | Canon Inc | 光磁気メモリ用媒体 |
| AU600576B2 (en) * | 1987-04-24 | 1990-08-16 | Sony Corporation | Thermomagnetic recording method applying power modulated laser on a magnetically coupled multi-layer structure of perpendicular anisotropy magnetic film |
| DE3889203T2 (de) * | 1987-11-30 | 1994-11-03 | Sony Corp | Methode zum optischen Abtasten eines Signals aus einem magneto-optischen Speichermedium. |
| US5233578A (en) * | 1988-12-28 | 1993-08-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of recording information on a recording medium having at least two magnetic layers |
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1989
- 1989-09-08 JP JP1233601A patent/JP2884617B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-09-07 DE DE69014175T patent/DE69014175T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-09-07 EP EP90117307A patent/EP0416656B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-12-30 US US08/175,693 patent/US5357494A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0397140A (ja) | 1991-04-23 |
| EP0416656B1 (en) | 1994-11-17 |
| EP0416656A2 (en) | 1991-03-13 |
| US5357494A (en) | 1994-10-18 |
| DE69014175D1 (de) | 1994-12-22 |
| DE69014175T2 (de) | 1995-06-14 |
| EP0416656A3 (en) | 1991-06-26 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |