JP2882339B2 - タングステンｃｖｄ反応室内のエッチング方法 - Google Patents
タングステンｃｖｄ反応室内のエッチング方法Info
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はタングステンＣＶＤ
の成膜装置に関し、特に反応室のプラズマエッチング方
法に関する。
の成膜装置に関し、特に反応室のプラズマエッチング方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、半導体装置の製造工程におい
て、所定の位置に電気的通電孔すなわちコンタクトを作
成する必要がある。この通電材料としては、これまでは
スパッタされたアルミニウム（Ａｌ）が長い間に渡って
使用されてきた。
て、所定の位置に電気的通電孔すなわちコンタクトを作
成する必要がある。この通電材料としては、これまでは
スパッタされたアルミニウム（Ａｌ）が長い間に渡って
使用されてきた。
【０００３】しかしながら、近年の半導体装置の高集積
化に伴い、このコンタクト径がサブミクロンのレベルに
達し、そのアスペクト比（高さと幅の比）が大きくなる
につれ、アルミニウムのコンタクト内部でのステップカ
バレッジが悪化し、電気的にショートしてしまう問題が
発生した。
化に伴い、このコンタクト径がサブミクロンのレベルに
達し、そのアスペクト比（高さと幅の比）が大きくなる
につれ、アルミニウムのコンタクト内部でのステップカ
バレッジが悪化し、電気的にショートしてしまう問題が
発生した。
【０００４】この問題の解決策として、タングステンの
コンタクトへの埋設をアルミニウムスパッタ前に行う方
法が考えられた。例えば、タングステンをＣＶＤ法によ
り半導体基板上へ成膜し、その後ドライエッチングによ
りこのタングステンを全面的にエッチバックすると、基
板表面に成膜されたタングステンは除去されるが、コン
タクト内部へ埋め込まれたタングステンはエッチングさ
れずに残る。次に、アルミニウムがスパッタされ、コン
タクト内部のタングステンと接触し、電気的に導通す
る。この中のタングステンのＣＶＤ法について図を用い
て簡単に説明する。
コンタクトへの埋設をアルミニウムスパッタ前に行う方
法が考えられた。例えば、タングステンをＣＶＤ法によ
り半導体基板上へ成膜し、その後ドライエッチングによ
りこのタングステンを全面的にエッチバックすると、基
板表面に成膜されたタングステンは除去されるが、コン
タクト内部へ埋め込まれたタングステンはエッチングさ
れずに残る。次に、アルミニウムがスパッタされ、コン
タクト内部のタングステンと接触し、電気的に導通す
る。この中のタングステンのＣＶＤ法について図を用い
て簡単に説明する。
【０００５】図２は従来から用いられているタングステ
ンＣＶＤ装置の概略断面図である。金属性の反応室１内
にカソード電極２とアノード電極３が対向して置かれて
おり、また電極２の下部には多数の小さな穴があけられ
ていて、ガス導入口としての役割ももっている。さらに
電極２には高周波電源４が接続され、対向する電極３は
接地としての役割もある。また、反応室１の排気には、
三弗化窒素の除外装置７がポンプ６を介して接続されて
いる。
ンＣＶＤ装置の概略断面図である。金属性の反応室１内
にカソード電極２とアノード電極３が対向して置かれて
おり、また電極２の下部には多数の小さな穴があけられ
ていて、ガス導入口としての役割ももっている。さらに
電極２には高周波電源４が接続され、対向する電極３は
接地としての役割もある。また、反応室１の排気には、
三弗化窒素の除外装置７がポンプ６を介して接続されて
いる。
【０００６】このような構成のタングステンＣＶＤ成長
装置において、電極３上に半導体基板５を設置し、ガス
として例えば六フッ化タングステン（ＷＦ6 ）を２００
〜４００ｓｃｃｍガス導入口から反応室１内へ流し込
み、同時に高周波電源４より１３．５６ＭＨｚの高周波
を１００〜３００Ｗ出力させる。また、排気量をコント
ロールすることで反応室１内を０．５〜０．７Ｔｏｒｒ
程度とし、電極板３を３００〜５００℃に昇温させる
と、半導体基板５上にはタングステンが成膜される。
装置において、電極３上に半導体基板５を設置し、ガス
として例えば六フッ化タングステン（ＷＦ6 ）を２００
〜４００ｓｃｃｍガス導入口から反応室１内へ流し込
み、同時に高周波電源４より１３．５６ＭＨｚの高周波
を１００〜３００Ｗ出力させる。また、排気量をコント
ロールすることで反応室１内を０．５〜０．７Ｔｏｒｒ
程度とし、電極板３を３００〜５００℃に昇温させる
と、半導体基板５上にはタングステンが成膜される。
【０００７】このタングステンは、当然のことながら反
応室１の内壁や、カソード電極２の表面、また電極３の
半導体基板の設置されない部分にも成膜され、この処理
を重ねていくうちに次第に堆積膜厚は増大していく。こ
の反応室１の内壁等へのタングステンの成膜は、膜厚が
厚くなるにつれ、剥がれによるパーティクルの原因とな
るため、除去する必要がある。
応室１の内壁や、カソード電極２の表面、また電極３の
半導体基板の設置されない部分にも成膜され、この処理
を重ねていくうちに次第に堆積膜厚は増大していく。こ
の反応室１の内壁等へのタングステンの成膜は、膜厚が
厚くなるにつれ、剥がれによるパーティクルの原因とな
るため、除去する必要がある。
【０００８】これは、半導体基板５のタングステン成膜
が完了して、この半導体基板５が反応室１から搬出され
た後に行なわれる。この搬出後、反応室１を一旦真空引
きし、タングステン成膜時に使用した六フッ化タングス
テン（ＷＦ6 ）の残留ガスを十分に排気した後、反応室
１内にフッ素系ガス、例えば三弗化窒素（ＮＦ3 ）を１
００〜２００ｓｃｃｍ導入し、反応室１内の真空度を例
えば１００〜１５０ｍＴｏｒｒに保持して、高周波、例
えば１３．５６ＭＨｚ高周波を３００〜５００Ｗ出力す
る。
が完了して、この半導体基板５が反応室１から搬出され
た後に行なわれる。この搬出後、反応室１を一旦真空引
きし、タングステン成膜時に使用した六フッ化タングス
テン（ＷＦ6 ）の残留ガスを十分に排気した後、反応室
１内にフッ素系ガス、例えば三弗化窒素（ＮＦ3 ）を１
００〜２００ｓｃｃｍ導入し、反応室１内の真空度を例
えば１００〜１５０ｍＴｏｒｒに保持して、高周波、例
えば１３．５６ＭＨｚ高周波を３００〜５００Ｗ出力す
る。
【０００９】この場合の処理時間は、反応室１内に付着
しているタングステンの膜厚で決まるが、例えば、５０
０ｎｍの成膜を１回行った後であれば、前述の条件で２
分〜２分３０秒程度で良い。このようなエッチング処理
を、半導体基板５のタングステンＣＶＤ処理後に行うこ
とで、反応室１内等に付着したタングステン膜を次式
（１）のように除去でき、パーティクルの発生を抑える
ことができる。
しているタングステンの膜厚で決まるが、例えば、５０
０ｎｍの成膜を１回行った後であれば、前述の条件で２
分〜２分３０秒程度で良い。このようなエッチング処理
を、半導体基板５のタングステンＣＶＤ処理後に行うこ
とで、反応室１内等に付着したタングステン膜を次式
（１）のように除去でき、パーティクルの発生を抑える
ことができる。
【００１０】 Ｗ＋２ＮＦ3 → ＷＦ6 ＋Ｎ2 ・・・（１） 一方、ＮＦ3 ガスでＷを反応しなかった残留ガスは、ポ
ンプ６を介して除害装置７へ排気され、この内部で処理
されたのち窒素（Ｎ2 ）のみが排出される。この除害装
置７には、フッ素を吸着する物質が入っており、この物
質は約３〜６ケ月に一度の割合で交換される。このよう
にすることで、有害なＮＦ3 を直接大気へ排出すること
を防いでいる。また前記（１）式の反応生じたＷＦ6 は
十分なＮ2 により希釈された後に、大気へ放出されるた
め、安全性には問題ない。
ンプ６を介して除害装置７へ排気され、この内部で処理
されたのち窒素（Ｎ2 ）のみが排出される。この除害装
置７には、フッ素を吸着する物質が入っており、この物
質は約３〜６ケ月に一度の割合で交換される。このよう
にすることで、有害なＮＦ3 を直接大気へ排出すること
を防いでいる。また前記（１）式の反応生じたＷＦ6 は
十分なＮ2 により希釈された後に、大気へ放出されるた
め、安全性には問題ない。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の技術に
おいては、反応室１のプラズマエッチングに三弗化窒素
（ＮＦ3 ）を使用しているがこ、このＮＦ3 が地球温暖
化物質であり、将来全廃されることが考えられ、問題で
ある。また、このＮＦ3 が有害物質であり、使用の際に
は、除害装置７が必要な問題もあるが、この除害装置が
高価で容積も大きいためこのようなものはない方がよ
い。
おいては、反応室１のプラズマエッチングに三弗化窒素
（ＮＦ3 ）を使用しているがこ、このＮＦ3 が地球温暖
化物質であり、将来全廃されることが考えられ、問題で
ある。また、このＮＦ3 が有害物質であり、使用の際に
は、除害装置７が必要な問題もあるが、この除害装置が
高価で容積も大きいためこのようなものはない方がよ
い。
【００１２】本発明の目的は、ＷＣＶＤ装置の反応室の
エッチングを、従来使用されている有害性の高いＮＦ3
を用いずに、安全で高価な除害装置も不要として、安全
性向上とコストダウンを図ったタングステンＣＶＤ装置
を提供することにある。
エッチングを、従来使用されている有害性の高いＮＦ3
を用いずに、安全で高価な除害装置も不要として、安全
性向上とコストダウンを図ったタングステンＣＶＤ装置
を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の構成は、タング
ステンＣＶＤ反応時にその成膜ガスによりその反応室ま
たはステージに堆積したタングステンをプラズマにより
除去するタングステンＣＶＤ反応室内のエッチング方法
において、前記反応室内にある前記成膜ガスを排気した
後に、前記反応室内を所定真空度にして六フッ化イオウ
（ＳＦ6 ）および酸素（Ｏ2 ）の混合ガスを導入しなが
ら高周波電力を供給してプラズマエッチングを生じさせ
る際に、前記反応室内の真空度を５０〜７０ｍＴｏｒｒ
の高真空度にし高い高周波電力を供給して電極部分のエ
ッチングを行なった後、その真空度を７０〜１００ｍＴ
ｏｒｒの低真空度にし低い高周波電力を供給して前記反
応室内のエッチングを行なうことを特徴とする。
ステンＣＶＤ反応時にその成膜ガスによりその反応室ま
たはステージに堆積したタングステンをプラズマにより
除去するタングステンＣＶＤ反応室内のエッチング方法
において、前記反応室内にある前記成膜ガスを排気した
後に、前記反応室内を所定真空度にして六フッ化イオウ
（ＳＦ6 ）および酸素（Ｏ2 ）の混合ガスを導入しなが
ら高周波電力を供給してプラズマエッチングを生じさせ
る際に、前記反応室内の真空度を５０〜７０ｍＴｏｒｒ
の高真空度にし高い高周波電力を供給して電極部分のエ
ッチングを行なった後、その真空度を７０〜１００ｍＴ
ｏｒｒの低真空度にし低い高周波電力を供給して前記反
応室内のエッチングを行なうことを特徴とする。
【００１４】また本発明において、高い高周波電力を４
００〜５００Ｗとし、低い高周波電力を２００〜３００
Ｗとすることができる。
００〜５００Ｗとし、低い高周波電力を２００〜３００
Ｗとすることができる。
【００１５】本発明によれば、エッチングガスとしてＳ
Ｆ6 とＯ2 の混合ガスを用いているので、特に高価で大
型の除害装置を使用する必要がないため、半導体装置の
製造過程でのコストの低減につながり、また半導体装置
の製造ラインのフロアーの有効利用にも寄与できる。
Ｆ6 とＯ2 の混合ガスを用いているので、特に高価で大
型の除害装置を使用する必要がないため、半導体装置の
製造過程でのコストの低減につながり、また半導体装置
の製造ラインのフロアーの有効利用にも寄与できる。
【００１６】
【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して詳細に説明する。図１は本発明の一実施形態に用い
られたタングステンＣＶＤ装置の概略断面図である。こ
の構成は、従来の技術で述べたものとほぼ同じとなって
いる。すなわち、金属性の反応室１内にカソード電極２
とアノード電極３が対向して置かれており、また電極２
の下部には多数の小さな穴があけられていて、ガス導入
口としての役割も持っている。さらには電極２には高周
波電源４が接続され、対向する電極３は接地としての役
割もある。
して詳細に説明する。図１は本発明の一実施形態に用い
られたタングステンＣＶＤ装置の概略断面図である。こ
の構成は、従来の技術で述べたものとほぼ同じとなって
いる。すなわち、金属性の反応室１内にカソード電極２
とアノード電極３が対向して置かれており、また電極２
の下部には多数の小さな穴があけられていて、ガス導入
口としての役割も持っている。さらには電極２には高周
波電源４が接続され、対向する電極３は接地としての役
割もある。
【００１７】排気側にはポンプ６が接続されているが、
従来例と異なる点は、このポンプ６の排気側に除害装置
７が接続されていない点である。
従来例と異なる点は、このポンプ６の排気側に除害装置
７が接続されていない点である。
【００１８】このような構成のタングステンＣＶＤ成長
装置において、電極３上に半導体基板５を設置し、ガス
として例えば六フッ化タングステン（ＷＦ6 ）を２００
〜４００ｓｃｃｍガス導入口から反応室１内へ流し込
み、同時に高周波電源４より１３．５６ＭＨｚの高周波
を１００〜３００Ｗ出力させる。また、排気量をコント
ロールすることで反応室１内を０．５〜０．７Ｔｏｒｒ
程度とし、電極板３を３００〜５００℃に昇温させると
半導体基板５上にはタングステンが成膜される。この際
に反応室１の内壁や、カソード電極２の表面、また電極
３の半導体基板の設置されない部分にも成膜されこれが
パーティクルの原因となることは、従来の技術で述べた
際と同じである。
装置において、電極３上に半導体基板５を設置し、ガス
として例えば六フッ化タングステン（ＷＦ6 ）を２００
〜４００ｓｃｃｍガス導入口から反応室１内へ流し込
み、同時に高周波電源４より１３．５６ＭＨｚの高周波
を１００〜３００Ｗ出力させる。また、排気量をコント
ロールすることで反応室１内を０．５〜０．７Ｔｏｒｒ
程度とし、電極板３を３００〜５００℃に昇温させると
半導体基板５上にはタングステンが成膜される。この際
に反応室１の内壁や、カソード電極２の表面、また電極
３の半導体基板の設置されない部分にも成膜されこれが
パーティクルの原因となることは、従来の技術で述べた
際と同じである。
【００１９】このため半導体基板５のタングステン成膜
が完了して、この半導体基板５が反応室１から搬出され
た後に、反応室１内等に堆積したタングステンの除去を
行う。半導体基板５が反応室１から搬出された後に反応
室１を一旦真空引きし、タングステン成膜時に使用した
六フッ化タングステン（ＷＦ6 ）の残留ガスを十分に排
気する。
が完了して、この半導体基板５が反応室１から搬出され
た後に、反応室１内等に堆積したタングステンの除去を
行う。半導体基板５が反応室１から搬出された後に反応
室１を一旦真空引きし、タングステン成膜時に使用した
六フッ化タングステン（ＷＦ6 ）の残留ガスを十分に排
気する。
【００２０】その後に、通常技術では、ガス導入口から
六フッ化イオウ（ＳＦ6 ）と酸素（Ｏ2 ）の混合ガス
を、例えばＳＦ6 を６０〜７０ｓｃｃｍ、酸素を５〜１
０ｓｃｃｍの割合で流し、反応室１内の真空度を例えば
５０〜７０ｍＴｏｒｒに保持して、１３．５６ＭＨｚの
高周波を例えば４００〜５００Ｗ出力する。この場合の
エッチング時間は例えば５０００ＷＣＶＤのＷＣＶＤ成
膜後であれば、上記条件で約２分程度で良い。この反応
室１のエッチングは、次の（２）式のように行われる。
六フッ化イオウ（ＳＦ6 ）と酸素（Ｏ2 ）の混合ガス
を、例えばＳＦ6 を６０〜７０ｓｃｃｍ、酸素を５〜１
０ｓｃｃｍの割合で流し、反応室１内の真空度を例えば
５０〜７０ｍＴｏｒｒに保持して、１３．５６ＭＨｚの
高周波を例えば４００〜５００Ｗ出力する。この場合の
エッチング時間は例えば５０００ＷＣＶＤのＷＣＶＤ成
膜後であれば、上記条件で約２分程度で良い。この反応
室１のエッチングは、次の（２）式のように行われる。
【００２１】 Ｗ＋ＳＦ6 ＋Ｏ2 → ＷＦ6 ＋ＳＯ2 ・・・（２） この場合、反応室１の排気は十分なＮ2 で希釈された上
で大気へ放出される。したがって、従来の技術で必要と
された除害装置７が不要となる。エッチング完了後、再
び反応室１を真空引きした後に、次の半導体基板５が反
応室１へ搬入され、ＷＣＶＤ成膜が開始される。
で大気へ放出される。したがって、従来の技術で必要と
された除害装置７が不要となる。エッチング完了後、再
び反応室１を真空引きした後に、次の半導体基板５が反
応室１へ搬入され、ＷＣＶＤ成膜が開始される。
【００２２】以上、述べてきた方法による成膜、エッチ
ングで、５００ｎｍのＷＣＶＤ成長を計１０００枚行っ
ても、パーティクルの発生はなく、エッチングが良好に
行なわれていることが裏付けられた。
ングで、５００ｎｍのＷＣＶＤ成長を計１０００枚行っ
ても、パーティクルの発生はなく、エッチングが良好に
行なわれていることが裏付けられた。
【００２３】次に、本発明の実施形態について説明す
る。この実施形態が通常技術と違うところは、通常技術
が反応室１のエッチングを同一条件で行ったのに対し
て、本実施形態では、２つの条件を用いて２ステップで
行う点である。以下にその説明を行う。
る。この実施形態が通常技術と違うところは、通常技術
が反応室１のエッチングを同一条件で行ったのに対し
て、本実施形態では、２つの条件を用いて２ステップで
行う点である。以下にその説明を行う。
【００２４】通常技術と同様に、ＷＣＶＤが成膜された
後に反応室１から搬出された後に反応室１を一旦真空引
きし、タングステン成膜時に使用した六フッ化タングス
テン（ＷＦ6 ）の残留ガスを十分に排気する。この後に
ガス導入口から六フッ化イオウ（ＳＦ6 ）と酸素
（Ｏ2 ）の混合ガスを、例えばＳＦ6 を６０〜７０ｓｃ
ｃｍ，酸素を５〜１０ｓｃｃｍの割合で流し、反応室１
内の真空度を例えば５０〜７０ｍＴｏｒｒに保持して、
１３．５６ＭＨｚの高周波を例えば４００〜５００Ｗ出
力する。このエッチング時間は例えば５００ｎｍのＷＣ
ＶＤ成膜後であれば、上記条件で約２分程度で良い。
後に反応室１から搬出された後に反応室１を一旦真空引
きし、タングステン成膜時に使用した六フッ化タングス
テン（ＷＦ6 ）の残留ガスを十分に排気する。この後に
ガス導入口から六フッ化イオウ（ＳＦ6 ）と酸素
（Ｏ2 ）の混合ガスを、例えばＳＦ6 を６０〜７０ｓｃ
ｃｍ，酸素を５〜１０ｓｃｃｍの割合で流し、反応室１
内の真空度を例えば５０〜７０ｍＴｏｒｒに保持して、
１３．５６ＭＨｚの高周波を例えば４００〜５００Ｗ出
力する。このエッチング時間は例えば５００ｎｍのＷＣ
ＶＤ成膜後であれば、上記条件で約２分程度で良い。
【００２５】この実施形態では、このエッチング終了後
に、条件を変更して、第２ステップのエッチングを行
う。すなわち第２ステップでは、圧力を７０〜１００ｍ
Ｔｏｒｒと第１ステップより高圧とし、１３．５６ＭＨ
ｚの高周波出力を２００〜３００Ｗとする。この条件で
エッチングを３０秒程度行う。
に、条件を変更して、第２ステップのエッチングを行
う。すなわち第２ステップでは、圧力を７０〜１００ｍ
Ｔｏｒｒと第１ステップより高圧とし、１３．５６ＭＨ
ｚの高周波出力を２００〜３００Ｗとする。この条件で
エッチングを３０秒程度行う。
【００２６】この第１ステップにあるエッチングは、主
として下部電極３及び上部電極２のエッチングが主で、
反応室１の内壁のエッチングはあまり行なわれない。こ
れは、低圧、高パワーのエッチングのため、発生するプ
ラズマが電極周辺に限られるからである。これに対し
て、本実施形態の第２ステップで示したエッチングは、
第１ステップに比べ高圧で低パワーのため、プラズマが
反応室１全体に広がり、反応室１の内壁のエッチングも
効率よく行なわれる。
として下部電極３及び上部電極２のエッチングが主で、
反応室１の内壁のエッチングはあまり行なわれない。こ
れは、低圧、高パワーのエッチングのため、発生するプ
ラズマが電極周辺に限られるからである。これに対し
て、本実施形態の第２ステップで示したエッチングは、
第１ステップに比べ高圧で低パワーのため、プラズマが
反応室１全体に広がり、反応室１の内壁のエッチングも
効率よく行なわれる。
【００２７】通常技術と同様に、エッチング完了後、再
び反応室１を真空引きした後に、次の半導体基板５が反
応室１へ搬入され、ＷＣＶＤの成膜が開始される。本実
施形態では、５００ｎｍのＷＣＶＤ成長を計３０００枚
行ってもパーティクルの発生はなかった。また、本実施
形態では、半導体基板の１枚当りの処理時間は長くなる
が、反応室１内のクリーン度は通常技術に比べ約２倍の
期間に渡って保たれるため、生産性は通常技術とほぼ同
等となっている。
び反応室１を真空引きした後に、次の半導体基板５が反
応室１へ搬入され、ＷＣＶＤの成膜が開始される。本実
施形態では、５００ｎｍのＷＣＶＤ成長を計３０００枚
行ってもパーティクルの発生はなかった。また、本実施
形態では、半導体基板の１枚当りの処理時間は長くなる
が、反応室１内のクリーン度は通常技術に比べ約２倍の
期間に渡って保たれるため、生産性は通常技術とほぼ同
等となっている。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
反応室のエッチングに、六フッ化イオウ（ＳＦ6 ）と酸
素（Ｏ2 ）の混合ガスを用いているのでＷＣＶＤ成長装
置の排気側に有害物質の除害装置を必要としなくなり、
コスト低減、フロアーの有効活用ができるようになる。
この、ＳＦ6 はＮＦ3 のように全廃されるようなことは
ないため、エッチングガスの変更等の可能性は少ない。
反応室のエッチングに、六フッ化イオウ（ＳＦ6 ）と酸
素（Ｏ2 ）の混合ガスを用いているのでＷＣＶＤ成長装
置の排気側に有害物質の除害装置を必要としなくなり、
コスト低減、フロアーの有効活用ができるようになる。
この、ＳＦ6 はＮＦ3 のように全廃されるようなことは
ないため、エッチングガスの変更等の可能性は少ない。
【図１】本発明の一実施形態に用いられたタングステン
ＣＶＤ装置の概略断面図である。
ＣＶＤ装置の概略断面図である。
【図２】従来の成膜方法として用いられるタングステン
ＣＶＤ装置の概略断面図である。
ＣＶＤ装置の概略断面図である。
１ 反応室 ２ カソード電極 ３ アノード電極 ４ 高周波電源 ５ 半導体基板 ６ ポンプ ７ 除害装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C23C 16/00 - 16/56 C23F 4/00 - 4/04 H01L 21/302 H01L 21/3065 H01L 21/461 H01L 21/285 H01L 21/205
Claims (2)
- 【請求項１】 タングステンＣＶＤ反応時にその成膜ガ
スによりその反応室またはステージに堆積したタングス
テンをプラズマにより除去するタングステンＣＶＤ反応
室内のエッチング方法において、前記反応室内にある前
記成膜ガスを排気した後に、前記反応室内を所定真空度
にして六フッ化イオウ（ＳＦ6 ）および酸素（Ｏ2 ）の
混合ガスを導入しながら高周波電力を供給してプラズマ
エッチングを生じさせる際に、前記反応室内の真空度を
５０〜７０ｍＴｏｒｒの高真空度にし高い高周波電力を
供給して電極部分のエッチングを行なった後、その真空
度を７０〜１００ｍＴｏｒｒの低真空度にし低い高周波
電力を供給して前記反応室内のエッチングを行なうこと
を特徴とするタングステンＣＶＤ反応室内のエッチング
方法。 - 【請求項２】 高い高周波電力を４００〜５００Ｗと
し、低い高周波電力を２００〜３００Ｗとした請求項１
記載のタングステンＣＶＤ反応室内のエッチング方法。
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