JP2874587B2 - レジストパターンの形成方法 - Google Patents
レジストパターンの形成方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路の製造
工程におけるリソグラフィ工程に関し、特に窒化金属膜
または窒化半金属膜上に微細パターンを形成する方法に
関する。
工程におけるリソグラフィ工程に関し、特に窒化金属膜
または窒化半金属膜上に微細パターンを形成する方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスを始め微細加工を
必要とする各種デバイス製造の分野では、感光性化合物
が広範囲に用いられている。特にデバイスの高密度化、
高集積化をはかるにはパターンの微細化が必要であり、
このためには露光波長が短いほど有効である。そこで、
エキシマレーザーなどのＤｅｅｐＵＶ光に対し高感度な
レジスト材料が求められている。
必要とする各種デバイス製造の分野では、感光性化合物
が広範囲に用いられている。特にデバイスの高密度化、
高集積化をはかるにはパターンの微細化が必要であり、
このためには露光波長が短いほど有効である。そこで、
エキシマレーザーなどのＤｅｅｐＵＶ光に対し高感度な
レジスト材料が求められている。
【０００３】現在、光酸発生剤を用いた化学増幅型レジ
ストは、感度の飛躍的な向上が期待できるため、盛んに
研究されている。（たとえば、ヒロシ イトー、Ｃ．グ
ラント ウイルソン，アメリカン・ケミカル・ソサイア
テイ・シンポジウム・シリーズ（Ｈｉｒｏｓｈｉ Ｉｔ
ｏ，Ｃ．Ｇｒａｎｔ Ｗｉｌｌｓｏｎ，Ａｍｅｒｉｃａ
ｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ Ｓｙｍｐｏｓ
ｉｕｍ Ｓｅｒｉｅｓ），２４２巻，１１〜２３頁（１
９８４年））。
ストは、感度の飛躍的な向上が期待できるため、盛んに
研究されている。（たとえば、ヒロシ イトー、Ｃ．グ
ラント ウイルソン，アメリカン・ケミカル・ソサイア
テイ・シンポジウム・シリーズ（Ｈｉｒｏｓｈｉ Ｉｔ
ｏ，Ｃ．Ｇｒａｎｔ Ｗｉｌｌｓｏｎ，Ａｍｅｒｉｃａ
ｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ Ｓｙｍｐｏｓ
ｉｕｍ Ｓｅｒｉｅｓ），２４２巻，１１〜２３頁（１
９８４年））。
【０００４】化学増幅型レジストの特徴は、含有成分で
ある、光照射により酸を発生させる物質である光酸発生
剤が生成するプロトン酸を、露光後の加熱処理によりレ
ジスト固相内を移動させ、該酸によりレジスト樹脂など
の化学変化を触媒反応的に数百倍〜数千倍にも増幅させ
ることにある。このようにして光反応効率（一光子あた
りの反応）が１未満の従来のレジストに比べて飛躍的な
高感度化を達成している。
ある、光照射により酸を発生させる物質である光酸発生
剤が生成するプロトン酸を、露光後の加熱処理によりレ
ジスト固相内を移動させ、該酸によりレジスト樹脂など
の化学変化を触媒反応的に数百倍〜数千倍にも増幅させ
ることにある。このようにして光反応効率（一光子あた
りの反応）が１未満の従来のレジストに比べて飛躍的な
高感度化を達成している。
【０００５】一般に、半導体製造工程中のリソグラフィ
ー工程において、基板上に堆積された窒化チタン膜、窒
化珪素膜等の窒化金属膜または窒化半金属膜上でレジス
トプロセスを行う場合がある。例えば、窒化チタン膜は
露光光に対し高い光吸収特性をもち、さらにエッチング
時にレジストと大きな選択性を有し、また、エッチング
終了時にも剥離せずに残せるため、アルミニウムからな
る配線用金属膜を形成する工程において、下地からの反
射防止膜として用いられている。
ー工程において、基板上に堆積された窒化チタン膜、窒
化珪素膜等の窒化金属膜または窒化半金属膜上でレジス
トプロセスを行う場合がある。例えば、窒化チタン膜は
露光光に対し高い光吸収特性をもち、さらにエッチング
時にレジストと大きな選択性を有し、また、エッチング
終了時にも剥離せずに残せるため、アルミニウムからな
る配線用金属膜を形成する工程において、下地からの反
射防止膜として用いられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】窒化チタン膜などの窒
化金属膜または窒化半金属膜上で化学増幅レジストを用
いてパターニングを行った場合、ポジ型レジストではレ
ジスト形状の裾引き、ネガ型レジストでは、レジスト形
状のくびれがおこる。このレジスト形状の裾引きあるい
はくびれは、パターニングされたレジストをマスクとし
エッチングにより基板上の膜を加工する場合に問題とな
る。
化金属膜または窒化半金属膜上で化学増幅レジストを用
いてパターニングを行った場合、ポジ型レジストではレ
ジスト形状の裾引き、ネガ型レジストでは、レジスト形
状のくびれがおこる。このレジスト形状の裾引きあるい
はくびれは、パターニングされたレジストをマスクとし
エッチングにより基板上の膜を加工する場合に問題とな
る。
【０００７】例えば、エッチングの異方性が大きくない
場合、エッチング断面形状はテーパー形状となる。ま
た、レジストと膜の選択比が高くない場合、エッチング
によりレジストも後退し、膜の断面の寸法変換差も大き
くなりやすい（徳山著、「半導体ドライエッチング技
術」１８１−１８６頁、産業図書（１９９２年））。
場合、エッチング断面形状はテーパー形状となる。ま
た、レジストと膜の選択比が高くない場合、エッチング
によりレジストも後退し、膜の断面の寸法変換差も大き
くなりやすい（徳山著、「半導体ドライエッチング技
術」１８１−１８６頁、産業図書（１９９２年））。
【０００８】本発明の目的は、化学増幅型レジストを用
いても、裾引きまたはくびれ形状がない良好なレジスト
パターンを得るレジストパターンの形成方法を提供する
ことにある。
いても、裾引きまたはくびれ形状がない良好なレジスト
パターンを得るレジストパターンの形成方法を提供する
ことにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るレジストパターンの形成方法は、基板
上に窒化金属膜または窒化半金属膜を形成する第１の工
程と、有機酸化合物または有機酸ハロゲン化物を用い、
前記第１の工程時に発生し前記窒化金属膜または前記窒
化半金属膜上に存在する塩基性物質の塩基性を低下させ
る第２の工程と、第２の工程の後、基板表面を洗浄する
第３の工程と、第３の工程の後、前記窒化金属膜または
前記窒化半金属膜上に、感光性酸発生剤より生成した触
媒反応を利用して化学増幅型レジストを用いてレジスト
パターンを形成する第４の工程とを含むものである。
め、本発明に係るレジストパターンの形成方法は、基板
上に窒化金属膜または窒化半金属膜を形成する第１の工
程と、有機酸化合物または有機酸ハロゲン化物を用い、
前記第１の工程時に発生し前記窒化金属膜または前記窒
化半金属膜上に存在する塩基性物質の塩基性を低下させ
る第２の工程と、第２の工程の後、基板表面を洗浄する
第３の工程と、第３の工程の後、前記窒化金属膜または
前記窒化半金属膜上に、感光性酸発生剤より生成した触
媒反応を利用して化学増幅型レジストを用いてレジスト
パターンを形成する第４の工程とを含むものである。
【００１０】
【００１１】
【００１２】
【００１３】また前記窒化金属膜は、３Ａ，４Ａ，５
Ａ，６Ａ族の遷移金属及び３Ｂ，４Ｂ族のうち少なくと
も１種類の金属または半金属からなるものである。
Ａ，６Ａ族の遷移金属及び３Ｂ，４Ｂ族のうち少なくと
も１種類の金属または半金属からなるものである。
【００１４】ところで、窒化チタン膜などの窒化金属膜
または窒化半金属膜上で化学増幅レジストを用いてパタ
ーニングを行った場合、レジスト形状の裾引き（くび
れ）がおこる原因としては、基板反射など複数の要因が
考えられるが、主な原因は図３に示したように露光によ
りレジスト５の光酸発生剤から生成した酸（Ｈ+Ｘ-）
が、基板１の窒化金属膜２の表面に存在する塩基性物質
（図３ではアミノ基−ＮＨ2を示してある）と反応し失
活するからだと考えられる（河合義夫，大高明浩，中村
二郎，田中啓順，松田雅人，第４７回半導体集積回路シ
ンポジウム，１８〜２３頁（１９９４年））。
または窒化半金属膜上で化学増幅レジストを用いてパタ
ーニングを行った場合、レジスト形状の裾引き（くび
れ）がおこる原因としては、基板反射など複数の要因が
考えられるが、主な原因は図３に示したように露光によ
りレジスト５の光酸発生剤から生成した酸（Ｈ+Ｘ-）
が、基板１の窒化金属膜２の表面に存在する塩基性物質
（図３ではアミノ基−ＮＨ2を示してある）と反応し失
活するからだと考えられる（河合義夫，大高明浩，中村
二郎，田中啓順，松田雅人，第４７回半導体集積回路シ
ンポジウム，１８〜２３頁（１９９４年））。
【００１５】塩基性物質としては、窒化金属膜または窒
化半金属膜２の表面に存在する強い塩基性をもつアンモ
ニアやアミノ基，イミノ基を有する化合物、また膜と結
合しているアミノ基，イミノ基等が考えられる。これら
の強い塩基性物質は、窒素原子と結合している水素原子
を電子吸引性を有する官能基に置換すると、窒素原子上
の電荷密度が下がり塩基性の度合いを下げることができ
る。
化半金属膜２の表面に存在する強い塩基性をもつアンモ
ニアやアミノ基，イミノ基を有する化合物、また膜と結
合しているアミノ基，イミノ基等が考えられる。これら
の強い塩基性物質は、窒素原子と結合している水素原子
を電子吸引性を有する官能基に置換すると、窒素原子上
の電荷密度が下がり塩基性の度合いを下げることができ
る。
【００１６】窒素原子と結合している水素原子を電子吸
収性有する官能基に置換するには、強酸性の有機酸を窒
化金属膜または窒化半金属膜２に接触させることによ
り、あるいは、適当な触媒の存在下（触媒としてはトリ
メチルアミン，トリエチルアミン，ピリジン等の三級ア
ミンが有効である）で有機酸ハロゲン化物を窒化金属膜
または窒化半金属膜２と接触させることにより可能であ
る。
収性有する官能基に置換するには、強酸性の有機酸を窒
化金属膜または窒化半金属膜２に接触させることによ
り、あるいは、適当な触媒の存在下（触媒としてはトリ
メチルアミン，トリエチルアミン，ピリジン等の三級ア
ミンが有効である）で有機酸ハロゲン化物を窒化金属膜
または窒化半金属膜２と接触させることにより可能であ
る。
【００１７】強酸性の有機酸としては、一般式（１）で
表されるスルホン酸化合物（一般式（１）においてＲ1
は、メチル基，エチル基，プロピル基，ブチル基，ペン
チル基，ヘキシル基，ヘプチル基，オクチル基，フェニ
ル基などの炭化水素基，トリフルオロメチル基，トリク
ロロメチル基，トリブロモメチル基，トリヨードメチル
基などのハロゲン置換炭化水素基を表す）、一般式
（２）で表されるカルボン酸化合物（一般式（２）にお
いてＲ2は、メチル基，エチル基，プロピル基，ブチル
基，ペンチル基，ヘキシル基，ヘプチル基，オクチル
基，フェニル基等の炭化水素基，トリフルオロメチル
基，トリクロロメチル基，トリブロモメチル基，トリヨ
ードメチル基等のハロゲン置換炭化水素基を表す）が挙
げられる。
表されるスルホン酸化合物（一般式（１）においてＲ1
は、メチル基，エチル基，プロピル基，ブチル基，ペン
チル基，ヘキシル基，ヘプチル基，オクチル基，フェニ
ル基などの炭化水素基，トリフルオロメチル基，トリク
ロロメチル基，トリブロモメチル基，トリヨードメチル
基などのハロゲン置換炭化水素基を表す）、一般式
（２）で表されるカルボン酸化合物（一般式（２）にお
いてＲ2は、メチル基，エチル基，プロピル基，ブチル
基，ペンチル基，ヘキシル基，ヘプチル基，オクチル
基，フェニル基等の炭化水素基，トリフルオロメチル
基，トリクロロメチル基，トリブロモメチル基，トリヨ
ードメチル基等のハロゲン置換炭化水素基を表す）が挙
げられる。
【００１８】Ｒ1−ＳＯ3Ｈ （１） Ｒ2−ＣＯ2Ｈ （２）
【００１９】また、有機酸ハロゲン化物としては一般式
（３）で表される酸ハロゲン化物（一般式（３）におい
てＲ3は、メチル基，エチル基，プロピル基，ブチル
基，ペンチル基，ヘキシル基，ヘプチル基，オクチル
基，フェニル基などの炭化水素基，トリフルオロメチル
基，トリクロロメチル基，トリブロモメチル基，トリヨ
ードメチル基等のハロゲン置換炭化水素基，Ｘはフルオ
ロ基，クロロ基，ブロモ基，ヨード基を表す）が挙げら
れる。
（３）で表される酸ハロゲン化物（一般式（３）におい
てＲ3は、メチル基，エチル基，プロピル基，ブチル
基，ペンチル基，ヘキシル基，ヘプチル基，オクチル
基，フェニル基などの炭化水素基，トリフルオロメチル
基，トリクロロメチル基，トリブロモメチル基，トリヨ
ードメチル基等のハロゲン置換炭化水素基，Ｘはフルオ
ロ基，クロロ基，ブロモ基，ヨード基を表す）が挙げら
れる。
【００２０】 Ｒ3−ＣＯＸ （３）
【００２１】例えば、図４に示したように窒化金属膜ま
たは窒化半金属膜２の表面のアミノ基を一般式（１）で
表されるスルホン酸化合物で表面処理する場合、アミノ
基の水素原子はスルホニル基に置換され、塩基性は減少
する。一般式（２），（３）で表される化合物で処理す
る場合も同様にカルポキシル基に置換され塩基性は減少
する。
たは窒化半金属膜２の表面のアミノ基を一般式（１）で
表されるスルホン酸化合物で表面処理する場合、アミノ
基の水素原子はスルホニル基に置換され、塩基性は減少
する。一般式（２），（３）で表される化合物で処理す
る場合も同様にカルポキシル基に置換され塩基性は減少
する。
【００２２】
【作用】本発明の基板上の窒化チタンなどの窒化金属膜
または窒化半金属膜を有機酸化合物あるいは有機酸ハロ
ゲン化物により処理する工程は、窒化金属膜または窒化
半金属膜表面に存在する強い塩基性をもつアンモニア，
アミノ基，イミノ基の水素原子を電子吸引性の置換基に
置換する。これにより窒素原子上の電荷密度は減少し、
アンモニア，アミノ基，イミノ基の塩基性は減少する。
よって、露光により光酸発生剤より発生した酸が、基板
表面付近の塩基性物質との反応により失活する割合は減
少し、これによるパターンの裾引き、又はくびれを抑制
することができる。
または窒化半金属膜を有機酸化合物あるいは有機酸ハロ
ゲン化物により処理する工程は、窒化金属膜または窒化
半金属膜表面に存在する強い塩基性をもつアンモニア，
アミノ基，イミノ基の水素原子を電子吸引性の置換基に
置換する。これにより窒素原子上の電荷密度は減少し、
アンモニア，アミノ基，イミノ基の塩基性は減少する。
よって、露光により光酸発生剤より発生した酸が、基板
表面付近の塩基性物質との反応により失活する割合は減
少し、これによるパターンの裾引き、又はくびれを抑制
することができる。
【００２３】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。
【００２４】（実施例１）図１に示すようにＳｉ基板１
上に窒化チタン膜（窒化金属膜）２を堆積し、その基板
１を、水９５ｍｌにトリフルオロメタンスルホン酸５ｍ
ｌを溶解した溶液中に１０分間浸漬し、表面処理を行っ
た後、イソプロパノールで洗浄し、乾燥した。窒化チタ
ン膜２の表面をヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）に
より処理した後、化学増幅型ポジ型レジストをレジスト
塗布機にてスピンコートし、９０℃で６０秒間ベークす
ることにより、０．７μｍのレジスト薄膜を形成した。
これをＮＡ＝０．５、σ＝０．７のＫｒＦエキシマレー
ザー露光機によりパターン・マスクを通して露光した。
そのレジストパターンを直に６０秒間ホットプレートで
加熱し、液温２３℃の２．３８％テトラメチルアンウニ
ウムヒドロキシド水溶液で６０秒間現像、引き続き６０
秒間純水でリンス処理を行った。これにより裾引きがな
い図１に示したような断面形状を有する０．３μｍライ
ンアンドスペースのレジストパターン３を得た。
上に窒化チタン膜（窒化金属膜）２を堆積し、その基板
１を、水９５ｍｌにトリフルオロメタンスルホン酸５ｍ
ｌを溶解した溶液中に１０分間浸漬し、表面処理を行っ
た後、イソプロパノールで洗浄し、乾燥した。窒化チタ
ン膜２の表面をヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）に
より処理した後、化学増幅型ポジ型レジストをレジスト
塗布機にてスピンコートし、９０℃で６０秒間ベークす
ることにより、０．７μｍのレジスト薄膜を形成した。
これをＮＡ＝０．５、σ＝０．７のＫｒＦエキシマレー
ザー露光機によりパターン・マスクを通して露光した。
そのレジストパターンを直に６０秒間ホットプレートで
加熱し、液温２３℃の２．３８％テトラメチルアンウニ
ウムヒドロキシド水溶液で６０秒間現像、引き続き６０
秒間純水でリンス処理を行った。これにより裾引きがな
い図１に示したような断面形状を有する０．３μｍライ
ンアンドスペースのレジストパターン３を得た。
【００２５】（実施例２）実施例１の窒化チタン膜（窒
化金属膜）２に代えて窒化珪素膜（窒化半金属膜）２を
堆積したＳｉ基板１を、水９５ｍｌにトリフルオロメタ
ンスルホン酸５ｍｌを溶解した溶液中に１０分間浸漬
し、表面処理を行った後、イソプロパノールで洗浄し、
乾燥した。この窒化珪素膜上２の表面をＨＭＤＳ処理し
た後、化学増幅型ポジレジストをレジスト塗布機にてス
ピンコート塗布し、９０℃で６０秒間ベークすることに
より、０．７μｍのレジスト薄膜を形成した。これをＮ
Ａ＝０．５、σ＝０．７のＫｒＦエキシマレーザー露光
線によりパターン・マスクを通して露光した。すぐに、
９０℃、６０秒間ホットプレートで加熱し、液温２３℃
の２．３８％テトラメチルアンウニウムヒドロキシド水
溶液で６０秒間現像し、引き続き６０秒間純水でリンス
処理を行った。これにより裾引きがない図１に示したよ
うな断面形状をもつ０．３μｍラインアンドベースのレ
ジストパターン３を得た。
化金属膜）２に代えて窒化珪素膜（窒化半金属膜）２を
堆積したＳｉ基板１を、水９５ｍｌにトリフルオロメタ
ンスルホン酸５ｍｌを溶解した溶液中に１０分間浸漬
し、表面処理を行った後、イソプロパノールで洗浄し、
乾燥した。この窒化珪素膜上２の表面をＨＭＤＳ処理し
た後、化学増幅型ポジレジストをレジスト塗布機にてス
ピンコート塗布し、９０℃で６０秒間ベークすることに
より、０．７μｍのレジスト薄膜を形成した。これをＮ
Ａ＝０．５、σ＝０．７のＫｒＦエキシマレーザー露光
線によりパターン・マスクを通して露光した。すぐに、
９０℃、６０秒間ホットプレートで加熱し、液温２３℃
の２．３８％テトラメチルアンウニウムヒドロキシド水
溶液で６０秒間現像し、引き続き６０秒間純水でリンス
処理を行った。これにより裾引きがない図１に示したよ
うな断面形状をもつ０．３μｍラインアンドベースのレ
ジストパターン３を得た。
【００２６】（実施例３）実施例に１おいて、トリフル
オロメタンスルホン酸５ｍｌをベンゼンスルホン酸３ｇ
に代え、さらに浸漬時間を３０分とし表面処理を行った
後、レジストパターンをパターニングした。これにより
裾引きがない図１に示したような断面形状をもつ０．３
μｍラインアンドベースのレジストパターン３を得た。
オロメタンスルホン酸５ｍｌをベンゼンスルホン酸３ｇ
に代え、さらに浸漬時間を３０分とし表面処理を行った
後、レジストパターンをパターニングした。これにより
裾引きがない図１に示したような断面形状をもつ０．３
μｍラインアンドベースのレジストパターン３を得た。
【００２７】（実施例４）実施例１において、トリフル
オロメタンスルホン酸５ｍｌをイソブチルスルホン酸３
ｇに代え、さらに浸漬時間を３０分とし表面処理を行っ
た後、レジストパターンをパターニングした。これによ
り裾引きがない図１に示したような断面形状をもつ０．
３μｍラインアンドベースのレジストパターン３を得
た。
オロメタンスルホン酸５ｍｌをイソブチルスルホン酸３
ｇに代え、さらに浸漬時間を３０分とし表面処理を行っ
た後、レジストパターンをパターニングした。これによ
り裾引きがない図１に示したような断面形状をもつ０．
３μｍラインアンドベースのレジストパターン３を得
た。
【００２８】（実施例５）実施例１において、トリフル
オロメタンスルホン酸５ｍｌをトリフルオロ酢酸５ｍｌ
に代え、さらに浸漬時間を１時間とし表面処理を行った
後、レジストパターンをパターニングした。これにより
裾引きがない図１に示したような断面形状をもつ０．３
μｍラインアンドベースのレジストパターン３を得た。
オロメタンスルホン酸５ｍｌをトリフルオロ酢酸５ｍｌ
に代え、さらに浸漬時間を１時間とし表面処理を行った
後、レジストパターンをパターニングした。これにより
裾引きがない図１に示したような断面形状をもつ０．３
μｍラインアンドベースのレジストパターン３を得た。
【００２９】（実施例６）図１に示すようにＳｉ基板１
上に窒化チタン膜（窒化金属膜）２を堆積し、この基板
１を、メチルイソブチルケトン９０ｍｌにピリジン１０
ｍｌを溶解した溶液に浸透した。この溶液を撹拌しなが
ら酢酸クロリド１０ｍｌを添加し、さらに１０分間基板
を浸漬した。その後、イソプロパノールで基板を洗浄
し、乾燥した。この窒化チタン膜２上をＨＭＤＳ処理し
た後、化学増幅型ポジ型レジストをレジスト塗布機にて
スピンコート塗布し、９０℃で６０秒間ベークすること
により、０．７μｍのレジスト膜を形成した。これをＮ
Ａ＝０．５、σ＝０．７のＫｒＦエキシマレーザー露光
機によりパターン・マスクを通して露光した。すぐに、
９０℃、６０秒間ホットプレートで加熱し、液温２３℃
の２．３８％テトラメチルアンウニウムヒドロキシド水
溶液で６０秒間現像、引き続き６０秒間純水でリンス処
理を行った。これにより裾引きがない図１に示したよう
な断面形状をもつ０．３μｍラインアンドベースのレジ
ストパターン３を得た。
上に窒化チタン膜（窒化金属膜）２を堆積し、この基板
１を、メチルイソブチルケトン９０ｍｌにピリジン１０
ｍｌを溶解した溶液に浸透した。この溶液を撹拌しなが
ら酢酸クロリド１０ｍｌを添加し、さらに１０分間基板
を浸漬した。その後、イソプロパノールで基板を洗浄
し、乾燥した。この窒化チタン膜２上をＨＭＤＳ処理し
た後、化学増幅型ポジ型レジストをレジスト塗布機にて
スピンコート塗布し、９０℃で６０秒間ベークすること
により、０．７μｍのレジスト膜を形成した。これをＮ
Ａ＝０．５、σ＝０．７のＫｒＦエキシマレーザー露光
機によりパターン・マスクを通して露光した。すぐに、
９０℃、６０秒間ホットプレートで加熱し、液温２３℃
の２．３８％テトラメチルアンウニウムヒドロキシド水
溶液で６０秒間現像、引き続き６０秒間純水でリンス処
理を行った。これにより裾引きがない図１に示したよう
な断面形状をもつ０．３μｍラインアンドベースのレジ
ストパターン３を得た。
【００３０】（参考例１）図１に示すようにＳｉ基板１
上に窒化チタン膜（窒化金属膜）２を堆積し、この基板
１をＨＭＤＳ処理した後、化学増幅型ポジ型レジストを
レジスト塗布機にてスピンコート塗布し、９０℃で６０
秒間ベークすることにより０．７μｍのレジスト膜を形
成した。これをＮＡ＝０．５、σ＝０．７のＫｒＦエキ
シマレーザー露光線によりパターン・マスクを通して露
光した。すぐに、９０℃、６０秒間ホットプレートで加
熱し、液温２３℃の２．３８％テトラメチルアンウニウ
ムヒドロキシド水溶液で６０秒間現像、引き続き６０秒
間純水でリンス処理を行った。これにより裾引きがある
図２のような断面形状をもつ０．３μｍラインアンドベ
ースのレジストパターン４が形成された。
上に窒化チタン膜（窒化金属膜）２を堆積し、この基板
１をＨＭＤＳ処理した後、化学増幅型ポジ型レジストを
レジスト塗布機にてスピンコート塗布し、９０℃で６０
秒間ベークすることにより０．７μｍのレジスト膜を形
成した。これをＮＡ＝０．５、σ＝０．７のＫｒＦエキ
シマレーザー露光線によりパターン・マスクを通して露
光した。すぐに、９０℃、６０秒間ホットプレートで加
熱し、液温２３℃の２．３８％テトラメチルアンウニウ
ムヒドロキシド水溶液で６０秒間現像、引き続き６０秒
間純水でリンス処理を行った。これにより裾引きがある
図２のような断面形状をもつ０．３μｍラインアンドベ
ースのレジストパターン４が形成された。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、窒化金属
膜を堆積した基板を有機酸化合物または有機酸ハロゲン
化物で表面処理することにより、窒化金属膜または窒化
半金属膜上で化学増幅レジストを用いた場合にみられる
レジストパターン形状の裾引き（くびれ）を防ぐことが
できる。よって、裾引き（くびれ）のない良好なパター
ン形状のレジストパターンを得ることができる。
膜を堆積した基板を有機酸化合物または有機酸ハロゲン
化物で表面処理することにより、窒化金属膜または窒化
半金属膜上で化学増幅レジストを用いた場合にみられる
レジストパターン形状の裾引き（くびれ）を防ぐことが
できる。よって、裾引き（くびれ）のない良好なパター
ン形状のレジストパターンを得ることができる。
【図１】本発明に係る表面処理をした窒化金属膜または
窒化半金属膜上で得られてレジストパターンを示す図で
ある。
窒化半金属膜上で得られてレジストパターンを示す図で
ある。
【図２】表面処理をしなかった窒化金属膜または窒化半
金属膜上で得られたレジストパターンを示す図である。
金属膜上で得られたレジストパターンを示す図である。
【図３】光酸発生剤から発生した酸（Ｈ+Ｘ-）が膜表面
の塩基性基と反応し失活する状態を示す図である。
の塩基性基と反応し失活する状態を示す図である。
【図４】窒化金属膜上のアミノ基をスルホン酸化合物に
より表面処理をした場合の模式図である。
より表面処理をした場合の模式図である。
１ 基板 ２ 窒化金属膜または窒化半金属膜 ３ レジストパターン
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に窒化金属膜または窒化半金属膜
を形成する第１の工程と、有機酸化合物または有機酸ハ
ロゲン化物を用い、前記第１の工程時に発生し前記窒化
金属膜または前記窒化半金属膜上に存在する塩基性物質
の塩基性を低下させる第２の工程と、第２の工程の後、
基板表面を洗浄する第３の工程と、第３の工程の後、前
記窒化金属膜または前記窒化半金属膜上に、感光性酸発
生剤より生成した触媒反応を利用して化学増幅型レジス
トを用いてレジストパターンを形成する第４の工程とを
含むことを特徴とするレジストパターンの形成方法。 - 【請求項２】 前記窒化金属膜は、３Ａ，４Ａ，５Ａ，
６Ａ族の繊維金属及び３Ｂ，４Ｂ族のうち少なくとも１
種類の金属または半金属からなるものであることを特徴
とする請求項１に記載のレジストパターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7104150A JP2874587B2 (ja) | 1995-04-27 | 1995-04-27 | レジストパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7104150A JP2874587B2 (ja) | 1995-04-27 | 1995-04-27 | レジストパターンの形成方法 |
| US08/807,180 US5763142A (en) | 1995-07-06 | 1997-02-27 | Method for forming resist pattern |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08306605A JPH08306605A (ja) | 1996-11-22 |
| JP2874587B2 true JP2874587B2 (ja) | 1999-03-24 |
Family
ID=26444682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7104150A Expired - Fee Related JP2874587B2 (ja) | 1995-04-27 | 1995-04-27 | レジストパターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2874587B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR100489359B1 (ko) * | 1997-12-23 | 2005-09-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트의소비를감소시키기위한반도체장치제조방법 |
| JP4822239B2 (ja) * | 2001-09-28 | 2011-11-24 | Ｈｏｙａ株式会社 | マスクブランク及びその製造方法、並びにマスクの製造方法 |
| JP2003209046A (ja) | 2002-01-16 | 2003-07-25 | Mitsubishi Electric Corp | レジストパターン形成方法および半導体装置の製造方法 |
| TWI441239B (zh) * | 2006-12-12 | 2014-06-11 | Asml Netherlands Bv | 製造微影元件的方法、微影單元及電腦程式產品 |
| KR100877379B1 (ko) * | 2007-01-11 | 2009-01-09 | 한국생산기술연구원 | 비전도성 유전체상의 선택적 금속화 공정 |
| JP6363431B2 (ja) * | 2014-08-27 | 2018-07-25 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2746489B2 (ja) * | 1991-10-02 | 1998-05-06 | シャープ株式会社 | レジスト膜作製方法 |
| JPH05341536A (ja) * | 1992-06-12 | 1993-12-24 | Toshiba Corp | レジストパターンの形成方法 |
-
1995
- 1995-04-27 JP JP7104150A patent/JP2874587B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08306605A (ja) | 1996-11-22 |
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