JP2873693B2 - イオン源 - Google Patents
イオン源Info
- Publication number
- JP2873693B2 JP2873693B2 JP1132084A JP13208489A JP2873693B2 JP 2873693 B2 JP2873693 B2 JP 2873693B2 JP 1132084 A JP1132084 A JP 1132084A JP 13208489 A JP13208489 A JP 13208489A JP 2873693 B2 JP2873693 B2 JP 2873693B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- filament
- ion source
- plasma
- electron
- insulating member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 55
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 21
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 26
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/08—Ion sources; Ion guns using arc discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/06—Electron sources; Electron guns
- H01J37/077—Electron guns using discharge in gases or vapours as electron sources
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、イオン源に関する。
（従来の技術） 一般に、イオン源は、例えば半導体ウエハに不純物と
してのイオンを注入するイオン注入装置等に配置され
る。
してのイオンを注入するイオン注入装置等に配置され
る。
このようなイオン源としては、従来からフィラメント
とアノード電極との間に電圧を印加して所定のガスから
プラズマを発生させ、このプラズマ中から所望のイオン
を引き出して利用するイオン源、例えばフリーマン型の
イオン源等が多く用いられている。
とアノード電極との間に電圧を印加して所定のガスから
プラズマを発生させ、このプラズマ中から所望のイオン
を引き出して利用するイオン源、例えばフリーマン型の
イオン源等が多く用いられている。
また、本出願人は、このようなイオン源として、フィ
ラメントとアノード電極との間に電圧を印加して所定の
ガスから第１のプラズマを発生させ、この第１のプラズ
マ中から電子を引き出して所定のガスに照射することに
より第２のプラズマを発生させ、この第２のプラズマか
ら所望のイオンを引き出して利用する電子ビーム励起イ
オン源を特開昭61-290629号、特願昭61-121967号等で提
案している。
ラメントとアノード電極との間に電圧を印加して所定の
ガスから第１のプラズマを発生させ、この第１のプラズ
マ中から電子を引き出して所定のガスに照射することに
より第２のプラズマを発生させ、この第２のプラズマか
ら所望のイオンを引き出して利用する電子ビーム励起イ
オン源を特開昭61-290629号、特願昭61-121967号等で提
案している。
このような電子ビーム励起イオン源は、低いイオンエ
ネルギーで高いイオン電流密度を得ることができるとと
もに、長寿命であるためメンテナンス頻度を低減して処
理の高効率化を図ることができるという特徴を有する。
ネルギーで高いイオン電流密度を得ることができるとと
もに、長寿命であるためメンテナンス頻度を低減して処
理の高効率化を図ることができるという特徴を有する。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上記説明のイオン源例えば電子ビーム
励起イオン源においても、さらに長寿命化あるいは安全
性を向上させること等が当然要求される。
励起イオン源においても、さらに長寿命化あるいは安全
性を向上させること等が当然要求される。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもの
で、従来に較べて長寿命化を図ることができ、メンテナ
ンス頻度を低減して処理効率を向上させることができる
とともに、安全性の向上を図ることのできるイオン源を
提供しようとするものである。
で、従来に較べて長寿命化を図ることができ、メンテナ
ンス頻度を低減して処理効率を向上させることができる
とともに、安全性の向上を図ることのできるイオン源を
提供しようとするものである。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） すなわち、本発明のイオン源は、所定の放電用ガスを
導入するための放電用ガス導入孔と前記放電用ガスから
発生させたプラズマ中の電子を引き出して所定のガスに
照射しこのガスをプラズマ化してイオンを発生させるた
めの電子引き出し口とを有する電子発生室内に、前記プ
ラズマを発生させるためのフィラメントが設けられたイ
オン源において、 前記フィラメントを、前記放電用ガス導入孔と前記電
子引き出し口とを結ぶ線上を外した位置に配置し、 かつ、前記フィラメントの両側端部を絶縁性部材に対
して着脱自在に支持するフィラメント支持機構に、フラ
ンジ状の突出部を形成するスパッタ物付着防止機構を設
けることにより、前記絶縁性部材の前記フィラメント支
持機構基端部周辺に影部を形成してスパッタ物の付着を
防止するよう構成したことを特徴とする。
導入するための放電用ガス導入孔と前記放電用ガスから
発生させたプラズマ中の電子を引き出して所定のガスに
照射しこのガスをプラズマ化してイオンを発生させるた
めの電子引き出し口とを有する電子発生室内に、前記プ
ラズマを発生させるためのフィラメントが設けられたイ
オン源において、 前記フィラメントを、前記放電用ガス導入孔と前記電
子引き出し口とを結ぶ線上を外した位置に配置し、 かつ、前記フィラメントの両側端部を絶縁性部材に対
して着脱自在に支持するフィラメント支持機構に、フラ
ンジ状の突出部を形成するスパッタ物付着防止機構を設
けることにより、前記絶縁性部材の前記フィラメント支
持機構基端部周辺に影部を形成してスパッタ物の付着を
防止するよう構成したことを特徴とする。
また、請求項２の発明は、前記フィラメントが、Ｕ字
状に形成されていることを特徴とする。
状に形成されていることを特徴とする。
（作用） 本発明者等が詳査したところ、フィラメントとアノー
ド電極との間に電圧を印加して所定のガスをプラズマ化
するイオン源においては、フィラメントがプラズマ中の
イオンによりスパッタリングを受け、このスパッタ物が
フィラメントの両側端部を支持する支持部の間の領域に
付着して、これらの間が電気的に短絡した状態となる場
合があることが判明した。
ド電極との間に電圧を印加して所定のガスをプラズマ化
するイオン源においては、フィラメントがプラズマ中の
イオンによりスパッタリングを受け、このスパッタ物が
フィラメントの両側端部を支持する支持部の間の領域に
付着して、これらの間が電気的に短絡した状態となる場
合があることが判明した。
そこで本発明のイオン源では、フィラメントの両側端
部を着脱自在に支持する支持部に着脱自在に固定され、
フランジ状の突出部を形成するスパッタ物付着防止機構
により、当該支持部の基端部に影部を形成してスパッタ
物の付着を防止するよう構成することによって、フィラ
メントがスパッタされこのスパッタ物がフィラメントの
支持部の間に付着して電気的な短絡が生じることを防止
し、長寿命化および安全性の向上を図るものである。
部を着脱自在に支持する支持部に着脱自在に固定され、
フランジ状の突出部を形成するスパッタ物付着防止機構
により、当該支持部の基端部に影部を形成してスパッタ
物の付着を防止するよう構成することによって、フィラ
メントがスパッタされこのスパッタ物がフィラメントの
支持部の間に付着して電気的な短絡が生じることを防止
し、長寿命化および安全性の向上を図るものである。
（実施例） 以下、本発明を電子ビーム励起イオン源に適用した実
施例を図面を参照して説明する。
施例を図面を参照して説明する。
第２図に示すように、電子発生室１は、導電性高融点
材料例えばモリブデンから各辺の長さが例えば数センチ
程度の矩形容器状に形成されている。また、この電子発
生室１の１側面には、開口部が設けられており、この開
口部を閉塞する如く例えばSi3Ｎ4、BN等からなる板状の
耐熱性絶縁性部材２が設けられ、電子発生室１が気密に
構成されている。
材料例えばモリブデンから各辺の長さが例えば数センチ
程度の矩形容器状に形成されている。また、この電子発
生室１の１側面には、開口部が設けられており、この開
口部を閉塞する如く例えばSi3Ｎ4、BN等からなる板状の
耐熱性絶縁性部材２が設けられ、電子発生室１が気密に
構成されている。
また、上記絶縁性部材２には、例えばＵ字状に形成さ
れた高融点材質例えばタングステンからなるフィラメン
ト３が電子発生室１内に突出する如く設けられている。
すなわち、第１図に示すように、絶縁性部材２には、間
隔を設けて２つの透孔21、22が穿設されており、これら
の透孔21、22を貫通する如く、高融点導電性材料例えば
タンタル等からなり、フィラメント３の両側端部を支持
するとともにフィラメント３と図示しない電源とを電気
的に接続するフィラメント支持機構23、24が設けられて
いる。これらのフィラメント支持機構23、24は、絶縁性
部材２を電子発生室１から取り外した状態で、絶縁性部
材２の内壁側から透孔21、22に挿入し、ナット25、26で
固定するよう構成されている。また、これらのフィラメ
ント支持機構23、24のフィラメント３固定側端部には、
円板状に構成され、絶縁性部材２の内壁表面にフィラメ
ント３に対して陰になる領域を形成し、この領域にフィ
ラメント３がスパッタリングを受けて飛散したスパッタ
物（フィラメント３の構成物質）が、付着することを防
止するスパッタ物付着防止機構27、28が設けられてい
る。
れた高融点材質例えばタングステンからなるフィラメン
ト３が電子発生室１内に突出する如く設けられている。
すなわち、第１図に示すように、絶縁性部材２には、間
隔を設けて２つの透孔21、22が穿設されており、これら
の透孔21、22を貫通する如く、高融点導電性材料例えば
タンタル等からなり、フィラメント３の両側端部を支持
するとともにフィラメント３と図示しない電源とを電気
的に接続するフィラメント支持機構23、24が設けられて
いる。これらのフィラメント支持機構23、24は、絶縁性
部材２を電子発生室１から取り外した状態で、絶縁性部
材２の内壁側から透孔21、22に挿入し、ナット25、26で
固定するよう構成されている。また、これらのフィラメ
ント支持機構23、24のフィラメント３固定側端部には、
円板状に構成され、絶縁性部材２の内壁表面にフィラメ
ント３に対して陰になる領域を形成し、この領域にフィ
ラメント３がスパッタリングを受けて飛散したスパッタ
物（フィラメント３の構成物質）が、付着することを防
止するスパッタ物付着防止機構27、28が設けられてい
る。
さらに、電子発生室１の上部には、プラズマを生起さ
せ電子を発生させるためのガス、例えばアルゴン（Ar）
ガス等の放電用ガスを導入するための放電用ガス導入孔
４が設けられており、電子発生室１の下部には、電子発
生室１内で発生させたプラズマ中から電子を引き出すた
めの直径例えば3mmの円孔5aが設けられている。
せ電子を発生させるためのガス、例えばアルゴン（Ar）
ガス等の放電用ガスを導入するための放電用ガス導入孔
４が設けられており、電子発生室１の下部には、電子発
生室１内で発生させたプラズマ中から電子を引き出すた
めの直径例えば3mmの円孔5aが設けられている。
また、上記電子発生室１の下部には、円孔5aに連続し
て隘路5bを形成する如く、絶縁性部材７が設けられてお
り、円孔5aと隘路5bとによって電子引き出し口５が構成
されている。さらに、例えばSi3Ｎ4、BN等からなる絶縁
性部材７には、高融点材質例えばタングステンからな
り、多数の透孔8aを有する多孔電極８が、電子引き出し
口５に対向する如く接続されている。
て隘路5bを形成する如く、絶縁性部材７が設けられてお
り、円孔5aと隘路5bとによって電子引き出し口５が構成
されている。さらに、例えばSi3Ｎ4、BN等からなる絶縁
性部材７には、高融点材質例えばタングステンからな
り、多数の透孔8aを有する多孔電極８が、電子引き出し
口５に対向する如く接続されている。
さらに、上記多孔電極８の下部には、絶縁性部材９を
介してイオン生成室10が接続されている。このイオン生
成室10は、導電性高融点材料、例えばモリブデンから容
器状に形成されており、その内部は、直径および高さが
共に数センチ程度の円筒形状とされている。そして、イ
オン生成室10の底部には、絶縁性部材11を介し、このイ
オン生成室10の側壁部とは電気的に隔離された状態（フ
ローティング状態）で例えば高融点材料の底板12が固定
されており、電子の照射によりこの底板12が帯電し、電
子を反射するよう構成されている。なお、例えば底板12
を絶縁性部材から構成して電子反射面を形成することも
できる。
介してイオン生成室10が接続されている。このイオン生
成室10は、導電性高融点材料、例えばモリブデンから容
器状に形成されており、その内部は、直径および高さが
共に数センチ程度の円筒形状とされている。そして、イ
オン生成室10の底部には、絶縁性部材11を介し、このイ
オン生成室10の側壁部とは電気的に隔離された状態（フ
ローティング状態）で例えば高融点材料の底板12が固定
されており、電子の照射によりこの底板12が帯電し、電
子を反射するよう構成されている。なお、例えば底板12
を絶縁性部材から構成して電子反射面を形成することも
できる。
また、上記イオン生成室10の側面には、所望のイオン
を生成するための原料ガス例えばBF3等をこのイオン生
成室10内に導入するための原料ガス導入口13が設けられ
ており、この原料ガス導入口13に対向する如く、イオン
引き出し用スリット14が設けられている。
を生成するための原料ガス例えばBF3等をこのイオン生
成室10内に導入するための原料ガス導入口13が設けられ
ており、この原料ガス導入口13に対向する如く、イオン
引き出し用スリット14が設けられている。
なお、前述した放電用ガス導入孔４および電子引き出
し口５は、電子発生室１の中心からイオン引き出し用ス
リット14側に偏心して配設され、イオンを効率良く引き
出せるよう構成されている。また、フィラメント３は、
放電用ガス導入孔４および電子引き出し口５を結ぶ線上
に位置しないよう配設されており、電子引き出し口５か
ら逆流したイオンがフィラメント３に到達しにくくする
ことにより、この逆流したイオンによりフィラメント３
がスパッタリングされ、消耗することを抑制するよう構
成されている。
し口５は、電子発生室１の中心からイオン引き出し用ス
リット14側に偏心して配設され、イオンを効率良く引き
出せるよう構成されている。また、フィラメント３は、
放電用ガス導入孔４および電子引き出し口５を結ぶ線上
に位置しないよう配設されており、電子引き出し口５か
ら逆流したイオンがフィラメント３に到達しにくくする
ことにより、この逆流したイオンによりフィラメント３
がスパッタリングされ、消耗することを抑制するよう構
成されている。
上記構成のこの実施例の電子ビーム励起イオン源で
は、図示しない磁場生成手段により、図示矢印Bzの如く
垂直方向に電子をガイドするための磁場を印加した状態
で、次のようにして所望のイオンを発生させる。
は、図示しない磁場生成手段により、図示矢印Bzの如く
垂直方向に電子をガイドするための磁場を印加した状態
で、次のようにして所望のイオンを発生させる。
すなわち、フィラメント３にフィラメント電圧Vfを印
加し通電加熱するとともに、このフィラメント３に対し
て、抵抗Ｒを介して電子発生室１に放電電圧Vdを印加
し、多孔電極８に放電電圧Vdを印加し、多孔電極８とイ
オン生成室10との間に加速電圧Va印加する。
加し通電加熱するとともに、このフィラメント３に対し
て、抵抗Ｒを介して電子発生室１に放電電圧Vdを印加
し、多孔電極８に放電電圧Vdを印加し、多孔電極８とイ
オン生成室10との間に加速電圧Va印加する。
そして、放電用ガス導入孔４から電子発生室１内に、
放電用ガス例えばアルゴンガスを導入し、放電電圧Vdに
より放電を生じさせ、プラズマを発生させる。すると、
このプラズマ中の電子は、加速電圧Vaにより、電子引き
出し口５、多孔電極８の透孔8aを通過してイオン生成室
10内に引き出される。
放電用ガス例えばアルゴンガスを導入し、放電電圧Vdに
より放電を生じさせ、プラズマを発生させる。すると、
このプラズマ中の電子は、加速電圧Vaにより、電子引き
出し口５、多孔電極８の透孔8aを通過してイオン生成室
10内に引き出される。
なお、この時プラズマ中のイオンが、負電位であるフ
ィラメント３に衝突し、フィラメント３がスパッタさ
れ、このスパッタ物が各部に付着する。しかしながら、
この実施例ではフィラメント支持機構23、24の部位に前
述したスパッタ物付着防止機構27、28が設けられている
ので、フィラメント３に対してスパッタ物付着防止機構
27、28の陰になっている領域、すなわちフィラメント支
持機構23、24の周囲の絶縁性部材２の内壁表面の環状領
域には、スパッタ物が付着しない。このため、例えば絶
縁性部材２の内壁表面に付着したスパッタ物により、フ
ィラメント３の両側端部が電気的に短絡した状態となる
ことを防止することができる。
ィラメント３に衝突し、フィラメント３がスパッタさ
れ、このスパッタ物が各部に付着する。しかしながら、
この実施例ではフィラメント支持機構23、24の部位に前
述したスパッタ物付着防止機構27、28が設けられている
ので、フィラメント３に対してスパッタ物付着防止機構
27、28の陰になっている領域、すなわちフィラメント支
持機構23、24の周囲の絶縁性部材２の内壁表面の環状領
域には、スパッタ物が付着しない。このため、例えば絶
縁性部材２の内壁表面に付着したスパッタ物により、フ
ィラメント３の両側端部が電気的に短絡した状態となる
ことを防止することができる。
一方、イオン生成室10内には、原料ガス導入口13から
予め所定の原料ガス例えばBF3を導入しておき、このイ
オン生成室10内を所定圧力例えば0.001〜0.02Torrの原
料ガス雰囲気としておく。
予め所定の原料ガス例えばBF3を導入しておき、このイ
オン生成室10内を所定圧力例えば0.001〜0.02Torrの原
料ガス雰囲気としておく。
したがって、イオン生成室10内に流入した電子は、加
速電界により加速され、BF3と衝突し、濃いプラズマを
発生させる。そして、イオン引き出し用スリット14によ
り、このプラズマ中からイオンを引き出し、例えば所望
のイオンビームとして半導体ウェハへのイオン注入等に
用いる。
速電界により加速され、BF3と衝突し、濃いプラズマを
発生させる。そして、イオン引き出し用スリット14によ
り、このプラズマ中からイオンを引き出し、例えば所望
のイオンビームとして半導体ウェハへのイオン注入等に
用いる。
すなわち、この実施例の電子ビーム励起イオン源で
は、フィラメント支持機構23、24の部位に設けたスパッ
タ物付着防止機構27、28により、フィラメント支持機構
23、24の間の絶縁性部材２の内壁表面にスパッタ物が付
着してフィラメント支持機構23、24の間が電気的に短絡
した状態となることを防止することができる。したがっ
て、従来に較べてイオン源の長寿命化および安全性の向
上を図ることができる。
は、フィラメント支持機構23、24の部位に設けたスパッ
タ物付着防止機構27、28により、フィラメント支持機構
23、24の間の絶縁性部材２の内壁表面にスパッタ物が付
着してフィラメント支持機構23、24の間が電気的に短絡
した状態となることを防止することができる。したがっ
て、従来に較べてイオン源の長寿命化および安全性の向
上を図ることができる。
なお、上記実施例では、本発明を電子ビーム励起イオ
ン源に適用した例について説明したが、本発明はかかる
実施例に限定されるものではなく、フィラメントを用い
たイオン源であればどのようなものにでも適用すること
ができることはもちろんである。
ン源に適用した例について説明したが、本発明はかかる
実施例に限定されるものではなく、フィラメントを用い
たイオン源であればどのようなものにでも適用すること
ができることはもちろんである。
［発明の効果］ 上述のように、本発明のイオン源によれば、従来に較
べてイオン源の長寿命化を図ることができ、メンテナン
ス頻度を低減して処理効率化を向上させることができる
とともに、安全性の向上を図ることができる。
べてイオン源の長寿命化を図ることができ、メンテナン
ス頻度を低減して処理効率化を向上させることができる
とともに、安全性の向上を図ることができる。
第１図は本発明の一実施例の電子ビーム励起イオン源の
要部構成を示す図、第２図は第１図の電子ビーム励起イ
オン源の全体構成を示す切り欠き斜視図である。 １……電子発生室、２……絶縁性部材、３……フィラメ
ント、21,22……透孔、23,24……フィラメント支持機
構、25,26……ナット、27,28……スパッタ物付着防止機
構。
要部構成を示す図、第２図は第１図の電子ビーム励起イ
オン源の全体構成を示す切り欠き斜視図である。 １……電子発生室、２……絶縁性部材、３……フィラメ
ント、21,22……透孔、23,24……フィラメント支持機
構、25,26……ナット、27,28……スパッタ物付着防止機
構。
Claims (2)
- 【請求項１】所定の放電用ガスを導入するための放電用
ガス導入孔と前記放電用ガスから発生させたプラズマ中
の電子を引き出して所定のガスに照射しこのガスをプラ
ズマ化してイオンを発生させるための電子引き出し口と
を有する電子発生室内に、前記プラズマを発生させるた
めのフィラメントが設けられたイオン源において、 前記フィラメントを、前記放電用ガス導入孔と前記電子
引き出し口とを結ぶ線上を外した位置に配置し、 かつ、前記フィラメントの両側端部を絶縁性部材に対し
て着脱自在に支持するフィラメント支持機構に、フラン
ジ状の突出部を形成するスパッタ物付着防止機構を設け
ることにより、前記絶縁性部材の前記フィラメント支持
機構基端部周辺に影部を形成してスパッタ物の付着を防
止するよう構成したことを特徴とするイオン源。 - 【請求項２】前記フィラメントは、Ｕ字状に形成されて
いることを特徴とする請求項１記載のイオン源。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1132084A JP2873693B2 (ja) | 1989-05-25 | 1989-05-25 | イオン源 |
| US07/527,946 US5049784A (en) | 1989-05-25 | 1990-05-24 | Electron generating apparatus |
| KR1019900007631A KR0152261B1 (ko) | 1989-05-25 | 1990-05-25 | 이온원용 전자 발생장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1132084A JP2873693B2 (ja) | 1989-05-25 | 1989-05-25 | イオン源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02312141A JPH02312141A (ja) | 1990-12-27 |
| JP2873693B2 true JP2873693B2 (ja) | 1999-03-24 |
Family
ID=15073126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1132084A Expired - Lifetime JP2873693B2 (ja) | 1989-05-25 | 1989-05-25 | イオン源 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5049784A (ja) |
| JP (1) | JP2873693B2 (ja) |
| KR (1) | KR0152261B1 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5252892A (en) * | 1989-02-16 | 1993-10-12 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| JPH06176724A (ja) * | 1992-01-23 | 1994-06-24 | Tokyo Electron Ltd | イオン源装置 |
| US5675152A (en) * | 1996-01-16 | 1997-10-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Source filament assembly for an ion implant machine |
| US5892232A (en) * | 1996-10-25 | 1999-04-06 | Mosel Vitelic Inc. | Arc chamber for ion implanter |
| US5821677A (en) * | 1996-12-05 | 1998-10-13 | Eaton Corporation | Ion source block filament with laybrinth conductive path |
| KR20010039728A (ko) * | 1999-07-22 | 2001-05-15 | 가와하라 하지메 | 이온 소스 |
| US20030116447A1 (en) * | 2001-11-16 | 2003-06-26 | Surridge Nigel A. | Electrodes, methods, apparatuses comprising micro-electrode arrays |
| US20080073559A1 (en) * | 2003-12-12 | 2008-03-27 | Horsky Thomas N | Controlling the flow of vapors sublimated from solids |
| KR101160642B1 (ko) * | 2003-12-12 | 2012-06-28 | 세미이큅, 인코포레이티드 | 고체로부터 승화된 증기의 유동제어 |
| WO2009039382A1 (en) | 2007-09-21 | 2009-03-26 | Semequip. Inc. | Method for extending equipment uptime in ion implantation |
| US20140319994A1 (en) * | 2013-04-25 | 2014-10-30 | Neil K. Colvin | Flourine and HF Resistant Seals for an Ion Source |
| JP6474036B2 (ja) * | 2015-03-11 | 2019-02-27 | 日新イオン機器株式会社 | 部材交換器 |
| CN114156150B (zh) * | 2021-11-12 | 2023-10-20 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 考夫曼离子源装置及其控制方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3178604A (en) * | 1962-04-10 | 1965-04-13 | Radiation Dynamics | Positive ion source |
| US3448315A (en) * | 1966-10-11 | 1969-06-03 | Itt | Ion gun improvements for operation in the micron pressure range and utilizing a diffuse discharge |
| US3924134A (en) * | 1974-11-29 | 1975-12-02 | Ibm | Double chamber ion source |
| FR2550681B1 (fr) * | 1983-08-12 | 1985-12-06 | Centre Nat Rech Scient | Source d'ions a au moins deux chambres d'ionisation, en particulier pour la formation de faisceaux d'ions chimiquement reactifs |
| JPS61171728A (ja) * | 1985-01-24 | 1986-08-02 | Sanyo Kokusaku Pulp Co Ltd | 新規臭素含有エポキシ樹脂およびその製法 |
| US4691109A (en) * | 1986-01-28 | 1987-09-01 | Rca Corporation | Apparatus and method for producing ions |
| US4841197A (en) * | 1986-05-28 | 1989-06-20 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Double-chamber ion source |
-
1989
- 1989-05-25 JP JP1132084A patent/JP2873693B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-05-24 US US07/527,946 patent/US5049784A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-05-25 KR KR1019900007631A patent/KR0152261B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5049784A (en) | 1991-09-17 |
| JPH02312141A (ja) | 1990-12-27 |
| KR0152261B1 (ko) | 1998-10-01 |
| KR900019109A (ko) | 1990-12-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2819420B2 (ja) | イオン源 | |
| JP2995388B2 (ja) | イオン注入機に使用するイオン発生装置とその方法 | |
| CA2222369C (en) | Endcap for indirectly heated cathode of ion source | |
| KR900003310B1 (ko) | 이온 발생 장치 | |
| JP2873693B2 (ja) | イオン源 | |
| US6246059B1 (en) | Ion-beam source with virtual anode | |
| JPH10134728A (ja) | イオン注入機用のイオン源とそのカソード構造 | |
| US8796649B2 (en) | Ion implanter | |
| JPH03500109A (ja) | 乱れた形態のクロム冷陰極を有するプラズマスイッチ | |
| US5252892A (en) | Plasma processing apparatus | |
| KR20110103950A (ko) | 스퍼터링 장치 및 스퍼터링 방법 | |
| JP2664094B2 (ja) | 金属イオン源および金属イオン生成方法 | |
| CA2011644C (en) | Vacuum switch apparatus | |
| US5821677A (en) | Ion source block filament with laybrinth conductive path | |
| JPH1192919A (ja) | 金属イオンプラズマ発生装置 | |
| JP2889930B2 (ja) | イオン源 | |
| JP2869557B2 (ja) | 電子ビーム励起イオン源 | |
| JP2791911B2 (ja) | イオン源 | |
| JP2794602B2 (ja) | 電子ビーム励起イオン源 | |
| JP2822249B2 (ja) | イオン源 | |
| JPH0374034A (ja) | プラズマ装置 | |
| JPH08111198A (ja) | イオン源 | |
| JPH10289664A (ja) | イオン打ち込み装置 | |
| JP2733629B2 (ja) | イオン生成方法およびイオン生成装置 | |
| JPH05198268A (ja) | バケット型イオン源装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100114 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100114 Year of fee payment: 11 |