JP2870952B2 - 光学記録体 - Google Patents
光学記録体Info
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
る。
密度の情報の記録保存および再生を可能とするため近年
特に開発が望まれている技術である。
一般に光ディスクは、円形の基体に設けられた薄い記録
層に、1μ程度に集束したレーザー光を照射し高密度の
情報記録を行うものである。
その箇所に、記録層の、分解、蒸発、融解、熱変形、熱
転移等の熱的変化を起こし、それにより起きた光学特性
(屈折率、反射率、透過率)の変化によりおこなわれ
る。
起きていない部分との反射率の差を読み取る事により行
われる。
光学記録体の記録媒体には、記録時にレーザー光の反射
率及び吸収効率が高く、再生時には光学特性の変化が起
きた部分と起きていない部分との間の反射率の差が十分
大きいことが要求される。
媒体や有機媒体が提案されている。
の元素、その酸化物、他の元素との混合物や化合物の薄
膜などがあり、一部は実用化されている。また、有機材
料としては、レーザー光を吸収しかつ反射率の高い色素
が提案されており、例えば、シアニン系色素、スクアリ
リウム系色素、ナフトキノン系色素、フタロシアニン系
色素等があげられる。
アニン系色素、スクアリリウム系色素を使用したもの
は、耐光性が劣る。また、ナフトキノン系色素を使用し
たものは、記録層の結晶化がおきやすく、フタロシアニ
ン系色素を使用したものは、反射率が低いと言う欠点を
有している。
きたが、従来のものは記録層の結晶化が起こりやすい、
耐光性が劣る等の欠点を有している。
なアゾ錯体を使用した光学記録媒体の提供を目的とした
ものである。
めた結果、本発明に到達した。すなわち、本発明は、一
般式〔I〕 (式中A,Bは環を構成するために必要な要素群を表わ
し、X1は置換基を有していてもよいベンゼン環、ナフタ
レン環又はアルキル基を表わす。)で示される化合物と
金属化合物とを反応させて得られる配位化合物を光吸収
物質として含有することを特徴とする光学記録体をその
要旨とするものである。
nm付近の近赤外領域に吸収を有しており、耐光性、保存
安定性、耐熱性が良好で、後記するように光学記録体の
光吸収物質として非常に有用である。なかでも下記式 で示されるアゾ化合物とホウフッ化ニッケルとを反応さ
せて得られるアゾ錯体が最も望ましい。
I) (式中、Aは環を構成するために必要な要素群を表わ
す)で示されるアミノ化合物を公知の方法によりジアゾ
化し、一般式(IV) (式中、Bは環を構成するために必要な要素群を表わ
し、X1は置換基を有していてもよいベンゼン環、ナフタ
レン環およびアルキル基を表わす。)で示されるカップ
リング成分と反応させることにより合成されるアゾ化合
物にテトラヒドロフラン、アセトンなどの有機溶媒中で
金属化合物の水溶液を加えることにより得られる。
ら構成されるが、さらに必要に応じて基板上に下引き層
を、また記録膜上に金属反射層や保護層を設けることが
できる。
透明、不透明のいずれであってもよい。基板の材質とし
ては、ガラス、プラスチック、紙、板状もしくは箔状の
金属等の、一般にこの種の記録体に使用される各種の材
料を用いることができるが、種々の点からしてプラスチ
ックが好ましい。そのプラスチックとしては、たとえば
アクリル樹脂、メタクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化
ビニル樹脂、ニトロセルロース、ポリエチレン樹脂、ポ
リプロピレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド
樹脂、ポリサルホン樹脂等が挙げられる。
録層の厚さは、100Å〜5μm、好ましくは500Å〜3μ
mである。
法としては塗布法が好ましい。塗布による成膜方法とし
ては、光吸収性物質として用いられる本発明のアゾ錯体
を、溶媒または溶媒とバインダーとの混合物中に溶解ま
たは分散させたものをスピンコートする方法が好まし
く、かかるバインダーとしては、ポリイミド樹脂、ポリ
アミド樹脂、ポリサルホン樹脂、ポリスチレン樹脂、ア
クリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹
脂、ケトン樹脂、セルロース樹脂等を挙げることができ
る。その際樹脂に対する光吸収性物質の比率は10%以上
が望ましい。また、かかる場合の溶媒としては、ジメチ
ルホルムアミド、メチルエチルケトン、メチルセロソル
ブ、エタノール、テトラヒドロフラン、ジクロロメタ
ン、クロロベンゼン、テトラフルオロプロパノール、ジ
アセトンアルコール、乳酸メチル等各種のものを用いる
ことができる。
ーボネート樹脂基板やメタクリル樹脂基板を用いる場合
に好ましい溶媒としては、エチルセロソルブ等のセロソ
ルブ系溶媒、テトラフルオロプロパノール、オクタフル
オロペンタノール等のふっ素アルコール系溶媒、ジアセ
トンアルコール、3−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブ
タノン等のケトンアルコール系溶媒、乳酸メチル等のヒ
ドロキシエステル系溶媒を挙げることができる。
よいし、片面だけに設けてもよい。
とにより高い反射率の光学記録媒体を得ることができ
る。反射層としてはAu,Ag,Cu,Al等の高反射率の金属や
金属化合物をもちいることができる。また反射層を設け
る方法としては、スパタリング法や真空蒸着法を挙げる
ことができる。本発明の光学記録体に用いる反射層とし
ては保存安定性が良好で反射率の高いAuの薄膜を生産効
率の高いスパタリング法により300Åから3000Åの厚さ
で成膜したものが好ましい。
板の両面または片面に設けた記録層1μm程度に集束し
たレーザー光をあてることにより行う。レーザー光の照
射された部分には、記録層に含有される光吸収物質がレ
ーザー光を吸収することにより分解、蒸発、融解、変形
等の熱的変化がおきる。
が起きている部分と起きていない部分との反射率の差を
読み取ることによりおこなう。
レーザー等の各種のレーザーを用いることができる。
80nm、そしてそれより短波長のレーザーを使用すること
ができる。
が、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
おな、「%」は特に断わらない限り「重量%」である。
2モル)を98%硫酸10ml中に分散され、5〜10℃でかき
まぜながら氷酢酸10mlを加える。さらに5℃以下に冷却
し、亜硝酸ナトリウム1.68gと98%硫酸9.5mlとから調整
したニトロシル硫酸を加え、30分かきまぜる。次に25ml
を5℃以下で徐々に滴下し、0〜5℃で1時間かきまぜ
る。この反応液を3−ジエチルアミノ−n−プロパンス
ルホニルアニリド5.40g(0.02モル)をメタノール200ml
中に分散させた液の中に、0〜5℃で濃アンモニア水
(28%)70mlと同時にかくはんしながら滴下する。さら
に5℃以下で3時間かくはん後、反応液を濾過、水洗
し、下記構造式で示される赤色結晶7.52gを得た。
100ml中に溶解させろ過し、得られたろ液にホウフッ化
ニッケル40%水溶液3.3gを滴下した。得られた青色の反
応液をホウフッ化ナトリウム33%水溶液150g中に滴下
し、水200mlを加えた。生成した結晶を濾別乾燥し、青
色のNi錯体0.52gを得た。
調整し、スピンコート(回転数500rpm)により板厚1.2m
mのポリカーボネート基板上に塗布した。成膜された薄
膜の最大吸収波長は600nmであった。
mW、ビーム径約1.5μmで基板側から入射したところ巾
約1.5μm、ピット長約2μmの輪郭の極めて明瞭な孔
(ピット)が形成された。かくして情報の記録された光
学記録体に、中心波長633nmのHe−Neレーザー光を出力
0.5mW、ビーム径約1.5μmで基板側から入射することに
より再生し記録した情報が忠実に再生できることを確認
した。
フェードメーター FAL−25AX型(スガ試験機製)を用
いて63℃で基板面からキセノン光を40時間照射したが吸
光度の低下は3%以内であった。保存安定性(70℃,85
%RH)も良好であった。
物の金属錯体を実施例1と同様にポリカーボネート基板
上に塗布したところ表1に示す様な、最大吸収波長をも
つ薄膜を基板上に得た。このようにして得られた薄膜に
He−Neレーザーを用いて書き込みを行なったところ均一
かつ明瞭な形状のピットが得られた。耐光性(キセノン
光)、保存安定性も良好であった。
Ni(BF4)2と反応させてアゾ錯体としたのちスピンコ
ートによりポリカーボネート基板上に塗布した。
の薄膜上にスパタリング法によりAu800Åを成膜し、さ
らにAu薄膜の上に紫外線硬化樹脂をスピンコートにより
塗布し、紫外線により硬化させた。硬化後の紫外線硬化
樹脂層の厚さは7μmであった。このようにして得られ
た反射層と保護層とを有する光学記録体の780nmでの基
板入射の反射率は73%であった。
光を出力10mW、ビーム径約1μmで基板側から入射した
ところ線速度2m/secでC/N比52dBで記録することができ
た。
新規なアゾ錯体を含有しており、耐光性、保存安定性が
極めて良好なばかりでなく、記録再生特性も良好である
という顕著な効果を有するものである。
Claims (2)
- 【請求項1】基盤と記録層とからなる光学記録体におい
て、該記録層は下記一般式 (式中A,Bは環を構成するために必要な要素群を表わ
し、X1は置換基を有していてもよいベンゼン環、ナフタ
レン環又はアルキル基を表わす。)で示される化合物と
金属化合物とを反応させて得られる配位化合物を含有す
ることを特徴とする光学記録体。 - 【請求項2】特許請求の範囲第1項記載の光学記録体に
おいて記録層が下記一般式 (式中、X1は置換基を有していてもよいベンゼン環、ナ
フタレン環又はアルキル基を表わし、 X2,X3は水素原子、アルキル基、アルコキシル基、ハロ
ゲン原子を表わし、Y1,Y2は、置換基を有していてもよ
いアルキル基を表わし、 R1,R2は水素原子、アルキル基、アルコキシル基、ニト
ロ基、シアノ基、ハロゲン原子を表わす。)で示される
化合物と金属化合物とを反応させて得られる配位化合物
であることを特徴とする光学記録体。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2068966A JP2870952B2 (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 光学記録体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2068966A JP2870952B2 (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 光学記録体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03268994A JPH03268994A (ja) | 1991-11-29 |
JP2870952B2 true JP2870952B2 (ja) | 1999-03-17 |
Family
ID=13388926
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2068966A Expired - Lifetime JP2870952B2 (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 光学記録体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2870952B2 (ja) |
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EP0844243B1 (en) * | 1996-11-20 | 2004-08-25 | Mitsubishi Chemical Corporation | Sulfonamide compound and method for its production, metal chelate compound employing the sulfonamide compound, and optical recording medium employing the metal chelate compound |
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-
1990
- 1990-03-19 JP JP2068966A patent/JP2870952B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
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