JP2868868B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15312—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a pin array, e.g. PGA
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Description
【発明の詳細な説明】 〔目次〕 ・概要 ・産業上の利用分野 ・従来の技術（第３図） ・発明が解決しようとする課題 ・課題を解決するための手段 ・作用 ・実施例（第１図，第２図） ・発明の効果 〔概要〕 半導体装置に関し、更に詳しく言えば、チップと直接
接着されたヒートシンクを備えた半導体装置に関し、 機械的強度や密封性を向上することができる半導体装
置を提供することを目的とし、 第１に、素子設置部を有するパッケージの基台と、前
記素子設置部に設置されたチップと、前記基台に取りつ
けられた開口部を有するキャップと、前記開口部を介し
て前記チップと直接接着され、かつ前記開口部の周縁部
で前記キャップと接着されたヒートシンクとからなり、
前記キャップが切削加工により作成されていることを含
み構成し、 第２に、素子設置部を有するパッケージの基台と、前
記素子設置部に設置されたチップと、鍔状の封着部を有
し、該封着部を介して基台に取りつけられた開口部を有
するキャップと、前記開口部を介して前記チップと直接
接着され、かつ前記開口部の周縁部で前記キャップと接
着された接着部を有するヒートシンクとからなり、前記
ヒートシンクの接着部の側部が前記キャップの封着部ま
で延在され、かつ前記基台の方に向くように形成されて
いる前記延在部の端部により前記封着部が前記基台に押
し付けられていることを含み構成し、第３に素子設置部
を有するパッケージの基台と、前記素子設置部に設置さ
れたチップと、前記チップと直接接着された接着部を有
するヒートシンクとを有し、前記接着部の側部が前記基
台の周縁部まで延在され、かつ前記基台の方に向くよう
に形成されている前記延在部の端部が前記基台に接着さ
れてなる半導体装置において、前記ヒートシンクの接着
部に接着されたチップの周辺部に溝が設けられ、かつ該
溝の底が前記チップの接着面よりも少なくとも一段下が
っていることを含み構成し、 第４に、素子設置部を有するパッケージの基台と、前
記素子設置部に設置されたチップと、前記チップと直接
接着された接着部を有するヒートシンクとを有し、前記
基台の周縁部に枠が設けられ、かつ前記接着部の側部が
前記基台の周縁部まで延在されて前記枠に接着されてな
る半導体装置において、前記ヒートシンクの接着部に接
着されたチップの周辺部に溝が設けられ、かつ該溝の底
が前記チップの接着面よりも少なくとも一段下がってい
ることを含み構成する。
接着されたヒートシンクを備えた半導体装置に関し、 機械的強度や密封性を向上することができる半導体装
置を提供することを目的とし、 第１に、素子設置部を有するパッケージの基台と、前
記素子設置部に設置されたチップと、前記基台に取りつ
けられた開口部を有するキャップと、前記開口部を介し
て前記チップと直接接着され、かつ前記開口部の周縁部
で前記キャップと接着されたヒートシンクとからなり、
前記キャップが切削加工により作成されていることを含
み構成し、 第２に、素子設置部を有するパッケージの基台と、前
記素子設置部に設置されたチップと、鍔状の封着部を有
し、該封着部を介して基台に取りつけられた開口部を有
するキャップと、前記開口部を介して前記チップと直接
接着され、かつ前記開口部の周縁部で前記キャップと接
着された接着部を有するヒートシンクとからなり、前記
ヒートシンクの接着部の側部が前記キャップの封着部ま
で延在され、かつ前記基台の方に向くように形成されて
いる前記延在部の端部により前記封着部が前記基台に押
し付けられていることを含み構成し、第３に素子設置部
を有するパッケージの基台と、前記素子設置部に設置さ
れたチップと、前記チップと直接接着された接着部を有
するヒートシンクとを有し、前記接着部の側部が前記基
台の周縁部まで延在され、かつ前記基台の方に向くよう
に形成されている前記延在部の端部が前記基台に接着さ
れてなる半導体装置において、前記ヒートシンクの接着
部に接着されたチップの周辺部に溝が設けられ、かつ該
溝の底が前記チップの接着面よりも少なくとも一段下が
っていることを含み構成し、 第４に、素子設置部を有するパッケージの基台と、前
記素子設置部に設置されたチップと、前記チップと直接
接着された接着部を有するヒートシンクとを有し、前記
基台の周縁部に枠が設けられ、かつ前記接着部の側部が
前記基台の周縁部まで延在されて前記枠に接着されてな
る半導体装置において、前記ヒートシンクの接着部に接
着されたチップの周辺部に溝が設けられ、かつ該溝の底
が前記チップの接着面よりも少なくとも一段下がってい
ることを含み構成する。
本発明は、半導体装置に関し、更に詳しく言えば、チ
ップと直接接着されたヒートシンクを備えた半導体装置
に関する。
ップと直接接着されたヒートシンクを備えた半導体装置
に関する。
近年、半導体装置においては高密度化のため、TAB方
式が用いられているが、そのまま使用すると熱抵抗が高
いので、半導体装置の大電力化に伴いヒートシンクをチ
ップに直接接着して用いるようになっている。
式が用いられているが、そのまま使用すると熱抵抗が高
いので、半導体装置の大電力化に伴いヒートシンクをチ
ップに直接接着して用いるようになっている。
第５図（ａ）〜（ｄ）は、従来の半導体装置を説明す
る図である。
る図である。
同図（ａ）は半導体装置の断面図、同図（ｂ）は上面
図で、同図（ｂ）のＡ−Ａ線断面図が同図（ａ）に相当
する。また、同図（ｃ）はヒートシンクの底面を示す
図、同図（ｄ）はヒートシンクを取りつける前の半導体
装置の上面図である。
図で、同図（ｂ）のＡ−Ａ線断面図が同図（ａ）に相当
する。また、同図（ｃ）はヒートシンクの底面を示す
図、同図（ｄ）はヒートシンクを取りつける前の半導体
装置の上面図である。
同図（ａ）〜（ｄ）において、１は素子設置部２の有
するパッケージの基台、３は基台１に設けられた外部リ
ード、４は同図（ｄ）に示すようなチップを挿入できる
必要最小限の開口部５が設けられているキャップで、薄
いコバールの板を帽子状の形状に折り曲げ加工により成
形している。また、６はTABにより組み立てられたチッ
プで、TABの内部リード７を素子設置部２に接続し、か
つチップ６を開口部５に露出するように組み立てられ
る。
するパッケージの基台、３は基台１に設けられた外部リ
ード、４は同図（ｄ）に示すようなチップを挿入できる
必要最小限の開口部５が設けられているキャップで、薄
いコバールの板を帽子状の形状に折り曲げ加工により成
形している。また、６はTABにより組み立てられたチッ
プで、TABの内部リード７を素子設置部２に接続し、か
つチップ６を開口部５に露出するように組み立てられ
る。
そして、この開口部５を介して半田８によりヒートシ
ンク11の接着部９と接着される。更に、ヒートシンク11
とキャップ４とは半田８により接着されてキャップ４の
内部が密封される。なお、10は放熱を行うためのヒート
シンク11のフィンである。
ンク11の接着部９と接着される。更に、ヒートシンク11
とキャップ４とは半田８により接着されてキャップ４の
内部が密封される。なお、10は放熱を行うためのヒート
シンク11のフィンである。
ところで、第５図（ａ）に示すように、キャップ４と
接着部９との接着は溶融半田８により行われるので、キ
ャップ４の上表面と接着部９の底面との間の接着面積が
大きいと、ボイドなどが発生する場合があり、後の温度
サイクル試験等によりボイドから亀裂が入り、密封性が
悪化するため、できるだけ接着面積を小さくしている。
接着部９との接着は溶融半田８により行われるので、キ
ャップ４の上表面と接着部９の底面との間の接着面積が
大きいと、ボイドなどが発生する場合があり、後の温度
サイクル試験等によりボイドから亀裂が入り、密封性が
悪化するため、できるだけ接着面積を小さくしている。
このようにして作成された半導体装置の電気的特性を
試験する際など、測定器の測定端子と外部リード３とを
接触させるためヒートシンク11のフィン10の上から半導
体装置を押さえる場合がある。
試験する際など、測定器の測定端子と外部リード３とを
接触させるためヒートシンク11のフィン10の上から半導
体装置を押さえる場合がある。
〔発明が解決しようとする課題〕 ところで、このようにして作成された半導体装置の電
気的特性を試験する際など、測定端子と外部リード３と
を接触させるためフィン10の上から半導体装置を押さえ
る場合がある。また、ヒートシンク11そのものの自重も
ある。
気的特性を試験する際など、測定端子と外部リード３と
を接触させるためフィン10の上から半導体装置を押さえ
る場合がある。また、ヒートシンク11そのものの自重も
ある。
更に、ヒートシンク11の支持がキャップ４の開口部５
の周縁部のみで行われているので、パッケージが大きく
なるに従い、ヒートシンク11からの応力によりキャップ
４の折り曲げ部分に生ずる歪みが増大してキャップ４と
ヒートシンク11の接着部９との間の接着部分や、キャッ
プ４の鍔状の封着部4aと基台１との接着部分が剥離し、
密封性を悪化させるという問題がある。
の周縁部のみで行われているので、パッケージが大きく
なるに従い、ヒートシンク11からの応力によりキャップ
４の折り曲げ部分に生ずる歪みが増大してキャップ４と
ヒートシンク11の接着部９との間の接着部分や、キャッ
プ４の鍔状の封着部4aと基台１との接着部分が剥離し、
密封性を悪化させるという問題がある。
本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたもの
で、機械的強度や密封性を向上することができる半導体
装置を提供することを目的とするものである。
で、機械的強度や密封性を向上することができる半導体
装置を提供することを目的とするものである。
上記課題は、第１に、素子設置部を有するパッケージ
の基台と、前記素子設置部に設置されたチップと、前記
基台に取りつけられた開口部を有するキャップと、前記
開口部を介して前記チップと直接接着され、かつ前記開
口部の周縁部で前記キャップと接着されたヒートシンク
とからなり、前記キャップが切削加工により作成されて
いることを特徴とする半導体装置によって達成され、 第２に、素子設置部を有するパッケージの基台と、前
記素子設置部に設置されたチップと、鍔状の封着部を有
し、該封着部を介して基台に取りつけられた開口部を有
するキャップと、前記開口部を介して前記チップと直接
接着され、かつ前記開口部の周縁部で前記キャップと接
着された接着部を有するヒートシンクとからなり、前記
ヒートシンクの接着部の側部が前記キャップの封着部ま
で延在され、かつ前記基台の方に向くように形成されて
いる前記延在部の端部により前記封着部が前記基台に押
し付けられていることを特徴とする半導体装置によって
達成され、 第３に、素子設置部を有するパッケージの基台と、前
記素子設置部に設置されたチップと、前記チップと直接
接着された接着部を有するヒートシンクとを有し、前記
接着部の側部が前記基台の周縁部まで延在され、かつ前
記基台の方に向くように形成されている前記延在部の端
部が前記基台に接着されてなる半導体装置において、前
記ヒートシンクの接着部に接着されたチップの周辺部に
溝が設けられ、かつ該溝の底が前記チップの接着面より
も少なくとも一段下がっていることを特徴とする半導体
装置によって解決され、 第４に、素子設置部を有するパッケージの基台と、前
記素子設置部に設置されたチップと、前記チップと直接
接着された接着部を有するヒートシンクとを有し、前記
基台の周縁部に枠が設けられ、かつ前記接着部の側部が
前記基台の周縁部まで延在されて前記枠に接着されてな
る半導体装置において、前記ヒートシンクの接着部に接
着されたチップの周辺部に溝が設けられ、かつ該溝の底
が前記チップの接着面よりも少なくとも一段下がってい
ることを特徴とする半導体装置によって解決される。
の基台と、前記素子設置部に設置されたチップと、前記
基台に取りつけられた開口部を有するキャップと、前記
開口部を介して前記チップと直接接着され、かつ前記開
口部の周縁部で前記キャップと接着されたヒートシンク
とからなり、前記キャップが切削加工により作成されて
いることを特徴とする半導体装置によって達成され、 第２に、素子設置部を有するパッケージの基台と、前
記素子設置部に設置されたチップと、鍔状の封着部を有
し、該封着部を介して基台に取りつけられた開口部を有
するキャップと、前記開口部を介して前記チップと直接
接着され、かつ前記開口部の周縁部で前記キャップと接
着された接着部を有するヒートシンクとからなり、前記
ヒートシンクの接着部の側部が前記キャップの封着部ま
で延在され、かつ前記基台の方に向くように形成されて
いる前記延在部の端部により前記封着部が前記基台に押
し付けられていることを特徴とする半導体装置によって
達成され、 第３に、素子設置部を有するパッケージの基台と、前
記素子設置部に設置されたチップと、前記チップと直接
接着された接着部を有するヒートシンクとを有し、前記
接着部の側部が前記基台の周縁部まで延在され、かつ前
記基台の方に向くように形成されている前記延在部の端
部が前記基台に接着されてなる半導体装置において、前
記ヒートシンクの接着部に接着されたチップの周辺部に
溝が設けられ、かつ該溝の底が前記チップの接着面より
も少なくとも一段下がっていることを特徴とする半導体
装置によって解決され、 第４に、素子設置部を有するパッケージの基台と、前
記素子設置部に設置されたチップと、前記チップと直接
接着された接着部を有するヒートシンクとを有し、前記
基台の周縁部に枠が設けられ、かつ前記接着部の側部が
前記基台の周縁部まで延在されて前記枠に接着されてな
る半導体装置において、前記ヒートシンクの接着部に接
着されたチップの周辺部に溝が設けられ、かつ該溝の底
が前記チップの接着面よりも少なくとも一段下がってい
ることを特徴とする半導体装置によって解決される。
第１の発明の半導体装置によれば、キャップが切削加
工により作成されているので、従来の折り曲げ加工によ
る成形の場合と比較して、キャップに生じる歪を低減す
ることができる。
工により作成されているので、従来の折り曲げ加工によ
る成形の場合と比較して、キャップに生じる歪を低減す
ることができる。
また、第２の発明の半導体装置によれば、ヒートシン
クの接着部の側部が延在され、かつ基台の方に向くよう
に形成されている延在部の端部によりキャップの鍔状の
封着部が基台に押し付けられているので、たとえ接着部
によりキャップの中央部が押下げられて折り曲げ部の歪
みが増大しても、封着部の剥離を防止することができ
る。更に、この場合には、延在部がヒートシンクにかか
る応力を支持する働きを有し、キャップへの応力を緩和
している。これにより、より一層封着部の剥離を防止す
ることができる。
クの接着部の側部が延在され、かつ基台の方に向くよう
に形成されている延在部の端部によりキャップの鍔状の
封着部が基台に押し付けられているので、たとえ接着部
によりキャップの中央部が押下げられて折り曲げ部の歪
みが増大しても、封着部の剥離を防止することができ
る。更に、この場合には、延在部がヒートシンクにかか
る応力を支持する働きを有し、キャップへの応力を緩和
している。これにより、より一層封着部の剥離を防止す
ることができる。
更に、第３の発明の半導体装置によれば、キャップを
用いずに、ヒートシンクの接着部の側部がパッケージの
基台の周縁部まで延在され、かつ基台の方に向くように
形成されている延在部の端部がパッケージの基台に接着
されている。従って、ヒートシンクからの応力は側部の
端部を介して直接基台によって支持されることになるの
で、キャップを用いた場合よりも機械的な強度を増すこ
とができ、密封性を向上することができる。
用いずに、ヒートシンクの接着部の側部がパッケージの
基台の周縁部まで延在され、かつ基台の方に向くように
形成されている延在部の端部がパッケージの基台に接着
されている。従って、ヒートシンクからの応力は側部の
端部を介して直接基台によって支持されることになるの
で、キャップを用いた場合よりも機械的な強度を増すこ
とができ、密封性を向上することができる。
また、ヒートシンクの接着部に接着されたチップの周
辺部に溝が設けられ、かつ溝の底がチップの接着面より
も少なくとも一段下がっている。これにより、チップと
接着部とを接着する半田のうち過剰なものをこの溝に溜
めて半田の広がりを防止するとともに、過剰半田の落下
を防止することができる。
辺部に溝が設けられ、かつ溝の底がチップの接着面より
も少なくとも一段下がっている。これにより、チップと
接着部とを接着する半田のうち過剰なものをこの溝に溜
めて半田の広がりを防止するとともに、過剰半田の落下
を防止することができる。
また、第４の発明の半導体装置によれば、キャップを
用いずに、ヒートシンクの接着部の側部が延在され、か
つこの延在部の周縁部が基台の周縁部に設けられた枠と
接着されているので、ヒートシンクからの応力は枠によ
って支持されることになる。このため、キャップを用い
た場合よりも機械的な強度を増すことができ、密封性を
向上することができる。
用いずに、ヒートシンクの接着部の側部が延在され、か
つこの延在部の周縁部が基台の周縁部に設けられた枠と
接着されているので、ヒートシンクからの応力は枠によ
って支持されることになる。このため、キャップを用い
た場合よりも機械的な強度を増すことができ、密封性を
向上することができる。
また、ヒートシンクの接着部に接着されたチップの周
辺部に溝が設けられ、かつ溝の底がチップの接着面より
も少なくとも一段下がっている。これにより、チップと
接着部とを接着する半田のうち過剰なものをこの溝に溜
めて半田の広がりを防止するとともに、過剰半田の落下
を防止することができる。
辺部に溝が設けられ、かつ溝の底がチップの接着面より
も少なくとも一段下がっている。これにより、チップと
接着部とを接着する半田のうち過剰なものをこの溝に溜
めて半田の広がりを防止するとともに、過剰半田の落下
を防止することができる。
以下、図面を参照しながら本発明の実施例について説
明する。
明する。
第１の発明の実施例 第１図（ａ）〜（ｄ）は、第１の発明の実施例の半導
体装置について説明する図である。
体装置について説明する図である。
同図（ａ）は半導体装置の断面図、同図（ｂ）は上面
図で、同図（ｂ）のＢ−Ｂ線断面図が同図（ａ）に相当
する。また、同図（ｃ）はヒートシンクの底面を示す
図、同図（ｄ）はヒートシンクを取りつける前の半導体
装置の上面図である。
図で、同図（ｂ）のＢ−Ｂ線断面図が同図（ａ）に相当
する。また、同図（ｃ）はヒートシンクの底面を示す
図、同図（ｄ）はヒートシンクを取りつける前の半導体
装置の上面図である。
同図（ａ）〜（ｄ）において、12は一辺が約43mmのア
ルミナセラミックからなるパッケージの基台で、導電膜
の形成された素子設置部13を有する。また、14は基台12
に設けられた外部リードである。
ルミナセラミックからなるパッケージの基台で、導電膜
の形成された素子設置部13を有する。また、14は基台12
に設けられた外部リードである。
更に、15は同図（ｄ）に示すような一辺が約14mmの開
口部16が設けられている銅・タングステン（CuW）から
なるキャップで、切削加工により作成されている。
口部16が設けられている銅・タングステン（CuW）から
なるキャップで、切削加工により作成されている。
また、17はTABに組み立てられた一辺が約14mmのSiか
らなるチップで、TABの内部リード18を素子設置部11に
接続し、かつチップ17を開口部16に露出するように組み
立てられている。22はアルミニウム（Al）からなるヒー
トシンクで、チップ17やキャップ15との間の熱応力を低
減するためこれらに熱膨張係数の近いCuMoを用いた、チ
ップ17と対向する面に摩擦圧接により形成された一辺が
約20mmの角部が丸められている接着部20を有する。そし
て、この接着部20は開口部16を介して半田19によりチッ
プ17と接着されている。また、ヒートシンク22の接着部
20の周縁部とキャップ15の開口部16の周縁部とが半田19
により接着されてキャップ15の内部が密封される。
らなるチップで、TABの内部リード18を素子設置部11に
接続し、かつチップ17を開口部16に露出するように組み
立てられている。22はアルミニウム（Al）からなるヒー
トシンクで、チップ17やキャップ15との間の熱応力を低
減するためこれらに熱膨張係数の近いCuMoを用いた、チ
ップ17と対向する面に摩擦圧接により形成された一辺が
約20mmの角部が丸められている接着部20を有する。そし
て、この接着部20は開口部16を介して半田19によりチッ
プ17と接着されている。また、ヒートシンク22の接着部
20の周縁部とキャップ15の開口部16の周縁部とが半田19
により接着されてキャップ15の内部が密封される。
以上のように、第１の発明の実施例によれば、キャッ
プ15が切削加工により作成されているので、従来の折り
曲げ加工による成形の場合と比較して、キャップ15に生
じる歪みを低減することができる。これにより、キャッ
プ15の歪みに起因する密封性の低下を防止することがで
きる。
プ15が切削加工により作成されているので、従来の折り
曲げ加工による成形の場合と比較して、キャップ15に生
じる歪みを低減することができる。これにより、キャッ
プ15の歪みに起因する密封性の低下を防止することがで
きる。
第２の発明の実施例 第２図は、第２の発明の実施例の半導体装置の断面図
である。
である。
同図において、第１図（ａ）〜（ｄ）に示す第１の発
明の実施例と異なるところは、通常の折り曲げ加工によ
り作成された、周縁部に鍔状の封着部23aを有するコバ
ールからなる帽子状のキャップ23が用いられていること
と、ヒートシンク25の接着部24の側部が基台12の周縁部
まで延在され、かつ接着部24の底面に垂直な方向であっ
てフィン21である方と反対方向に向いた延在部24aの端
部により鍔状の封着部23aが基台12に押し付けられてい
ることである。なお、この延在部24aは接着部24の全周
辺にわたって設けられてもよいし、接着部24の周辺の一
部に設けられてもよい。図中他の符号については、第１
図（ａ）〜（ｄ）と同一の符号で示すものは第１図
（ａ）〜（ｄ）と同一のものを示す。
明の実施例と異なるところは、通常の折り曲げ加工によ
り作成された、周縁部に鍔状の封着部23aを有するコバ
ールからなる帽子状のキャップ23が用いられていること
と、ヒートシンク25の接着部24の側部が基台12の周縁部
まで延在され、かつ接着部24の底面に垂直な方向であっ
てフィン21である方と反対方向に向いた延在部24aの端
部により鍔状の封着部23aが基台12に押し付けられてい
ることである。なお、この延在部24aは接着部24の全周
辺にわたって設けられてもよいし、接着部24の周辺の一
部に設けられてもよい。図中他の符号については、第１
図（ａ）〜（ｄ）と同一の符号で示すものは第１図
（ａ）〜（ｄ）と同一のものを示す。
以上のように、第２の発明の実施例によれば、接着部
24の延在部24aの端部によりキャップ23の鍔状の封着部2
3aが基台12に押し付けられているので、たとえキャップ
23の中央部が押下げられ折り曲げ部の歪みが増大して
も、封着部23aの剥離を防止することができる。更に、
この場合には、延在部24aがヒートシンク25にかかる応
力を支持する働きを有し、キャップ23への応力を緩和し
ている。これにより、より一層封着部23aの剥離を防止
することができる。
24の延在部24aの端部によりキャップ23の鍔状の封着部2
3aが基台12に押し付けられているので、たとえキャップ
23の中央部が押下げられ折り曲げ部の歪みが増大して
も、封着部23aの剥離を防止することができる。更に、
この場合には、延在部24aがヒートシンク25にかかる応
力を支持する働きを有し、キャップ23への応力を緩和し
ている。これにより、より一層封着部23aの剥離を防止
することができる。
第３の発明の実施例 第３図は、第３の発明の実施例の半導体装置の断面図
である。
である。
同図において、第１及び第２の発明の実施例と異なる
ところは、キャップを用いずに、ヒートシンク28の接着
部26の側部が接着部26の全周辺にわたって延在され、か
つ接着部26の底面に垂直な方向であってフィン21のある
方と反対方向に向いた延在部26aの端部が基台12の周縁
部で接着されて、チップ17が密封されていることであ
る。
ところは、キャップを用いずに、ヒートシンク28の接着
部26の側部が接着部26の全周辺にわたって延在され、か
つ接着部26の底面に垂直な方向であってフィン21のある
方と反対方向に向いた延在部26aの端部が基台12の周縁
部で接着されて、チップ17が密封されていることであ
る。
また、接着部26の底面であって、チップ17と接着され
る領域の周辺部には溝27が設けられている。これによ
り、チップ17と接着部26とを接着する半田19のうち過剰
なものをこの溝27に溜めて半田19の広がりを防止すると
ともに、過剰半田の落下を防止することができる。
る領域の周辺部には溝27が設けられている。これによ
り、チップ17と接着部26とを接着する半田19のうち過剰
なものをこの溝27に溜めて半田19の広がりを防止すると
ともに、過剰半田の落下を防止することができる。
なお、図中他の符号については、第１図（ａ）〜
（ｄ）と同一の符号で示すものは第１図（ａ）〜（ｄ）
と同一のものを示す。
（ｄ）と同一の符号で示すものは第１図（ａ）〜（ｄ）
と同一のものを示す。
以上のように、第３の発明の実施例によれば、キャッ
プを用いずに接着部26の全周辺にわたって設けられた延
在部26aの端部を直接基台12に接着してチップ17を密封
しているので、キャップとヒートシンク22とが一体的に
形成された構造となり、ヒートシンク22からの応力は延
在部26aを介して基台12に支持される。従って、キャッ
プとヒートシンクとを別々に用いた場合よりも機械的な
強度を増すことができ、密封性を向上することができ
る。更に、第２の実施例と同様に、延在部26aがヒート
シンク28にかかる応力を支持する働きを有しているの
で、より一層機械的な強度を増すことができ、密封性を
向上することができる。
プを用いずに接着部26の全周辺にわたって設けられた延
在部26aの端部を直接基台12に接着してチップ17を密封
しているので、キャップとヒートシンク22とが一体的に
形成された構造となり、ヒートシンク22からの応力は延
在部26aを介して基台12に支持される。従って、キャッ
プとヒートシンクとを別々に用いた場合よりも機械的な
強度を増すことができ、密封性を向上することができ
る。更に、第２の実施例と同様に、延在部26aがヒート
シンク28にかかる応力を支持する働きを有しているの
で、より一層機械的な強度を増すことができ、密封性を
向上することができる。
なお、第３の発明の実施例では、接着部26の全周辺に
わたって延在部26aが設けられているが、気密性を要し
ない場合には、接着部26の一部に延在部が設けられても
よい。
わたって延在部26aが設けられているが、気密性を要し
ない場合には、接着部26の一部に延在部が設けられても
よい。
また、延在部26aは切削加工により形成されてもよい
し、折り曲げ加工により作成されてもよい。
し、折り曲げ加工により作成されてもよい。
本発明の第４の実施例 第４図は、第４の発明の実施例の半導体装置の断面図
である。
である。
同図において、第３の発明の実施例と異なるとこと
は、延在部30aが折り曲げられずに、基台12の周縁部に
設けられた枠29の上部と接着されることにより枠29の内
側のチップ17を密封していることである。図中他の符号
30はチップ17と直接接着されるヒートシンク32の接着
部、31は接着部30の底面であって、チップ17と接着され
る領域の周辺部に設けられた溝で、第３の発明の実施例
の溝27と同様な目的で形成されている。なお、図中他の
符号については、第１図（ａ）〜（ｄ）と同一の符号で
示すものは第１図（ａ）〜（ｄ）と同一のものを示す。
は、延在部30aが折り曲げられずに、基台12の周縁部に
設けられた枠29の上部と接着されることにより枠29の内
側のチップ17を密封していることである。図中他の符号
30はチップ17と直接接着されるヒートシンク32の接着
部、31は接着部30の底面であって、チップ17と接着され
る領域の周辺部に設けられた溝で、第３の発明の実施例
の溝27と同様な目的で形成されている。なお、図中他の
符号については、第１図（ａ）〜（ｄ）と同一の符号で
示すものは第１図（ａ）〜（ｄ）と同一のものを示す。
以上のように、第４の発明の実施例によれば、ヒート
シンク32の接着部30の側部が全周辺にわたって延在さ
れ、かつ基台12の周縁部に設けられた枠29と接着されて
いるので、第２及び第３の実施例と同様に、枠29によっ
てヒートシンク32にかかる応力が支持されることにな
る。これにより、機械的な強度を増すことができ、密封
性を向上することができる。
シンク32の接着部30の側部が全周辺にわたって延在さ
れ、かつ基台12の周縁部に設けられた枠29と接着されて
いるので、第２及び第３の実施例と同様に、枠29によっ
てヒートシンク32にかかる応力が支持されることにな
る。これにより、機械的な強度を増すことができ、密封
性を向上することができる。
以上のように、第１の発明の半導体装置によれば、キ
ャップが切削加工により作成されているので、従来の折
り曲げ加工による成形の場合と比較して、歪みを低減し
て密封性を向上させることができる。
ャップが切削加工により作成されているので、従来の折
り曲げ加工による成形の場合と比較して、歪みを低減し
て密封性を向上させることができる。
また、第２の発明の半導体装置によれば、ヒートシン
クの接着部の側部が延在し、この延在部によりキャップ
の鍔状の封着部が基台に押し付けられているので、封着
部の剥離を防止して密封性を向上させることができる。
更に、この場合には、延在部がヒートシンクにかかる応
力を支持する働きを有し、キャップへの応力が緩和され
るので、より一層機械的な強度を向上させることができ
る。
クの接着部の側部が延在し、この延在部によりキャップ
の鍔状の封着部が基台に押し付けられているので、封着
部の剥離を防止して密封性を向上させることができる。
更に、この場合には、延在部がヒートシンクにかかる応
力を支持する働きを有し、キャップへの応力が緩和され
るので、より一層機械的な強度を向上させることができ
る。
更に、第３の発明の半導体装置によれば、キャップを
用いずに、ヒートシンクの接着部の側部の接延在部の端
部がパッケージの基台に接着されているので、ヒートシ
ンクからの応力は延在部を介して基台によって支持さ
れ、従って、キャップを用いた場合よりも機械的な強度
を増すことができる。更に、気密性を要する場合にも充
分に対応できる。
用いずに、ヒートシンクの接着部の側部の接延在部の端
部がパッケージの基台に接着されているので、ヒートシ
ンクからの応力は延在部を介して基台によって支持さ
れ、従って、キャップを用いた場合よりも機械的な強度
を増すことができる。更に、気密性を要する場合にも充
分に対応できる。
また、ヒートシンクの接着部に接着されたチップの周
辺部に溝が設けられ、かつ溝の底がチップの接着面より
も少なくとも一段下がっているので、チップと接着部と
を接着する半田のうち過剰なものをこの溝に溜めて半田
の広がりを防止するとともに、過剰半田の落下を防止す
ることができる。
辺部に溝が設けられ、かつ溝の底がチップの接着面より
も少なくとも一段下がっているので、チップと接着部と
を接着する半田のうち過剰なものをこの溝に溜めて半田
の広がりを防止するとともに、過剰半田の落下を防止す
ることができる。
また、第４の発明の半導体装置によれば、キャップを
用いずに、ヒートシンクの接着部の側部の延在部が基台
の周縁部に設けられた枠と接着されているので、ヒート
シンクからの応力は枠によって支持され、従って、キャ
ップを用いた場合よりも機械的な強度を増すことがで
き、密封性を向上することができる。
用いずに、ヒートシンクの接着部の側部の延在部が基台
の周縁部に設けられた枠と接着されているので、ヒート
シンクからの応力は枠によって支持され、従って、キャ
ップを用いた場合よりも機械的な強度を増すことがで
き、密封性を向上することができる。
また、ヒートシンクの接着部に接着されたチップの周
辺部に溝が設けられ、かつ溝の底がチップの接着面より
も少なくとも一段下がっているので、チップと接着部と
を接着する半田のうち過剰なものをこの溝に溜めて半田
の広がりを防止するとともに、過剰半田の落下を防止す
ることができる。
辺部に溝が設けられ、かつ溝の底がチップの接着面より
も少なくとも一段下がっているので、チップと接着部と
を接着する半田のうち過剰なものをこの溝に溜めて半田
の広がりを防止するとともに、過剰半田の落下を防止す
ることができる。
第１図は、第１の発明の実施例の半導体装置について説
明する図、 第２図は、第２の発明の実施例の半導体装置について説
明する断面図、 第３図は、第３の発明の実施例の半導体装置について説
明する断面図、 第４図は、第４の発明の実施例の半導体装置について説
明する断面図、 第５図は、従来例の半導体装置について説明する図であ
る。 〔符号の説明〕 1,12……基台、 2,13……素子設置部、 3,14……外部リード、 4,15,23……キャップ、 4a,23a……封着部、 5,16……開口部、 6,17……チップ、 7,18……内部リード、 8,19……半田、 9,20,24,26,30……接着部、 10,21……フィン、 11,22,25,28,32……ヒートシンク、 24a,26a,30a……延在部、 27,31……溝、 29……枠。
明する図、 第２図は、第２の発明の実施例の半導体装置について説
明する断面図、 第３図は、第３の発明の実施例の半導体装置について説
明する断面図、 第４図は、第４の発明の実施例の半導体装置について説
明する断面図、 第５図は、従来例の半導体装置について説明する図であ
る。 〔符号の説明〕 1,12……基台、 2,13……素子設置部、 3,14……外部リード、 4,15,23……キャップ、 4a,23a……封着部、 5,16……開口部、 6,17……チップ、 7,18……内部リード、 8,19……半田、 9,20,24,26,30……接着部、 10,21……フィン、 11,22,25,28,32……ヒートシンク、 24a,26a,30a……延在部、 27,31……溝、 29……枠。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−90843（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−213048（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−44854（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−211656（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−73650（ＪＰ，Ａ) 実開 昭55−115059（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 23/34 - 23/473
Claims (4)
- 【請求項１】素子設置部を有するパッケージの基台と、
前記素子設置部に設置されたチップと、前記基台に取り
付けられた開口部を有するキャップと、前記開口部を介
して前記チップと直接接着され、かつ前記開口部の周縁
部で前記キャップと接着されたヒートシンクとからな
り、 前記キャップが切削加工により作成されていることを特
徴とする半導体装置。 - 【請求項２】素子設置部を有するパッケージの基台と、
前記素子設置部に設置されたチップと、鍔状の封着部を
有し、該封着部を介して基台に取り付けられた開口部を
有するキャップと、前記開口部を介して前記チップと直
接接着され、かつ前記開口部の周縁部で前記キャップと
接着された接着部を有するヒートシンクとからなり、 前記ヒートシンクの接着部の側部が前記キャップの封着
部まで延在され、かつ前記基台の方に向くように形成さ
れている前記延在部の端部により前記封着部が前記基台
に押しつけられていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】素子設置部を有するパッケージの基台と、
前記素子設置部に設置されたチップと、前記チップと直
接接着された接着部を有するヒートシンクとを有し、前
記接着部の側部が前記基台の周縁部まで延在され、かつ
前記基台の方に向くように形成されている前記延在部の
端部が前記基台に接着されてなる半導体装置において、 前記ヒートシンクの接着部に接着されたチップの周辺部
に溝が設けられ、かつ該溝の底が前記チップの接着面よ
りも少なくとも一段下がっていることを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項４】素子設置部を有するパッケージの基台と、
前記素子設置部に設置されたチップと、前記チップと直
接接着された接着部を有するヒートシンクとを有し、前
記基台の周縁部に枠が設けられ、かつ前記接着部の側部
が前記基台の周縁部まで延在されて前記枠に接着されて
なる半導体装置において、 前記ヒートシンクの接着部に接着されたチップの周辺部
に溝が設けられ、かつ該溝の底が前記チップの接着面よ
りも少なくとも一段下がっていることを特徴とする半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2232658A JP2868868B2 (ja) | 1990-09-03 | 1990-09-03 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2232658A JP2868868B2 (ja) | 1990-09-03 | 1990-09-03 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04113658A JPH04113658A (ja) | 1992-04-15 |
| JP2868868B2 true JP2868868B2 (ja) | 1999-03-10 |
Family
ID=16942760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2232658A Expired - Fee Related JP2868868B2 (ja) | 1990-09-03 | 1990-09-03 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2868868B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6822867B2 (en) | 2001-06-29 | 2004-11-23 | Intel Corporation | Electronic assembly with solderable heat sink and methods of manufacture |
| JP6816996B2 (ja) * | 2016-08-30 | 2021-01-20 | コイト電工株式会社 | 投光照明装置 |
-
1990
- 1990-09-03 JP JP2232658A patent/JP2868868B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04113658A (ja) | 1992-04-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |