JP2868242B2 - 放電灯点灯装置 - Google Patents

放電灯点灯装置

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JP2868242B2
JP2868242B2 JP24980489A JP24980489A JP2868242B2 JP 2868242 B2 JP2868242 B2 JP 2868242B2 JP 24980489 A JP24980489 A JP 24980489A JP 24980489 A JP24980489 A JP 24980489A JP 2868242 B2 JP2868242 B2 JP 2868242B2
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、放電灯を高周波電力により点灯させると共
に、直流電力の重畳により低光束時の放電維持を可能と
した放電灯点灯装置に関するものである。
[従来の技術] 第10図は従来の放電灯調光点灯装置(特願平1−7557
2号)のブロック図である。この点灯装置は、低圧水銀
放電灯1と、前記放電灯1に高周波電力を供給する高周
波電源2と、前記放電灯1をアーク放電領域からグロー
放電領域まで調光する調光制御部3と、低光束調光時の
放電を維持できるレベルの直流電力を前記高周波電力に
重畳して前記放電灯1に印加する直流電力重畳手段4と
を備え、低光束域(深い調光レベル)まで調光可能とし
たものである。第10図において、放電灯1を調光制御す
る調光制御部3からの制御信号は高周波電源2、インピ
ーダンス素子Z1,Z2、直流電源5に入力されているが、
これら全てに制御信号が入力される必要性は必ずしも無
い。例えば、制御信号を高周波電源2にのみ入力し、高
周波電源2から得られる高周波出力の周波数を変化さ
せ、放電灯1への供給電力を制御して調光するときに
は、インピーダンス素子Z1,Z2や、直流電源5への制御
信号の入力は必ずしも必要でない。一方、調光度に応じ
て、直流電力重畳手段4からの直流成分を変化させて、
最適の直流成分を得たい場合には、調光制御部3から直
流電源5へ制御信号を入力すれば良い。さらに、インピ
ーダンス素子Z1に制御信号を入力する例としては、イン
ピーダンス素子Z1を可飽和インダクタンスとして、この
可飽和インダクタンスの値を制御することにより調光が
可能となる。また、インピーダンス素子Z2に制御信号を
入力する例としては、インピーダンス素子Z2を抵抗素子
とスイッチ素子よりなるものとし、このスイッチ素子を
制御信号に応じてオン・オフ制御すれば放電灯1への直
流電力の重畳量を制御することが可能となる。以上のよ
うに、調光制御部3から各部への制御信号は必要に応じ
て供給すれば良いものである。
第10図にブロック図で示した構成を具体回路で実現し
た従来例を第11図に示す。商用交流電源ACはダイオード
D1〜D4よりなる全波整流器の交流入力端に接続されてお
り、この全波整流器の直流出力端には平滑用のコンデン
サC1が接続されている。コンデンサC1に得られる直流電
圧は、MOSトランジスタQ1,Q2の直列回路に印加されてい
る。MOSトランジスタQ1,Q2の両端には、それぞれダイオ
ードD5,D6が逆並列接続されている。ダイオードD5,D6
MOSトランジスタQ1,Q2のドレイン・ソース間に寄生する
逆方向ダイオードで代用しても良い。一方のMOSトラン
ジスタQ2の両端には、直流カット用のコンデンサC2を介
して予熱トランスT1の1次巻線が接続されると共に、こ
の予熱トランスT1の1次巻線と並列的にインダクタL1
コンデンサC3よりなるLC直列共振回路が接続されてい
る。そして、共振用のコンデンサC3の両端には、直流カ
ット用のコンデンサC4を介して放電灯1が接続されてい
る。予熱トランスT1の2次巻線は放電灯1のフィラメン
トfA,fBにそれぞれ接続されている。また、他の2次巻
線は整流用のダイオードD11を介して平滑用のコンデン
サC5に接続されており、このコンデンサC5に直流電圧を
得ている。この直流電圧は、逆流阻止用のダイオードD
12と高周波カット用のインダクタL2を介して放電灯1の
両端に印加されている。
一方、ダイオードD1〜D4よりなる全波整流器の交流入
力端には、降圧トランスT2の高圧側巻線が接続されてお
り、降圧トランスT2の低圧側巻線にはダイオードD7〜D
10よりなる全波整流器の交流入力端が接続されている。
この全波整流器の直流出力端にはコンデンサC6とツェナ
ダイオードZD1の並列回路が接続されている。コンデン
サC6に得られる直流低電圧は制御回路8の動作電源とな
っている。
制御回路8はMOSトランジスタQ1,Q2の制御信号を発生
し、MOSトランジスタQ1,Q2を交互にオン・オフさせるも
のである。MOSトランジスタQ1がオンでMOSトランジスタ
Q2がオフのときには、コンデンサC1からMOSトランジス
タQ1、コンデンサC2、インダクタL1、コンデンサC3を介
してコンデンサC1に戻る経路で電流が流れる。また、MO
SトランジスタQ1がオフでMOSトランジスタQ2がオンのと
きには、コンデンサC2が電源となり、コンデンサC2から
MOSトランジスタQ2、コンデンサC3、インダクタL1を介
してコンデンサC2に戻る経路で電流が流れる。ただし、
MOSトランジスタQ1,Q2がオフした直後には、それぞれダ
イオードD6,D5を介して回生電流が流れる。このように
してインダクタL1とコンデンサC3及び放電灯1を含む負
荷回路には共振電流が流れ、共振作用によりコンデンサ
C3の両端に発生する電圧により放電灯1が点灯する。以
上によりインバータ式の点灯装置が構成されている。
制御回路8では、スイッチング周波数を変化させるこ
とができる。MOSトランジスタQ1,Q2のスイッチング周波
数は、負荷回路の共振周波数よりも高く設定される。ス
イッチング周波数を低くして共振周波数に近付けると、
共振作用が強くなるので、共振電流が増加し、放電灯1
に流れるランプ電流が大きくなって、光出力が増大す
る。反対に、スイッチング周波数を高くして共振周波数
から遠ざけると、共振作用が弱くなるので、共振電流が
減少し、放電灯1に流れるランプ電流が小さくなって、
光出力が減少する。これにより、放電灯1の調光制御が
可能となる。放電灯1の調光範囲を、アーク放電領域か
らグロー放電領域に至る範囲にまで広くすると、低光束
域での放電灯1の点灯維持が難しくなるが、第11図に示
す回路ではダイオードD12とインダクタL2を介してコン
デンサC5から放電灯1に直流電流が流れるので、低光束
域でも安定して点灯維持することが可能となっている。
ところで、放電灯1の寿命末期に、フィラメントfA,f
Bの一方が電子放出不良(エミレス)状態になると、放
電灯1は半波放電状態となり、点灯装置の各種電子部品
には過大なストレスが加わる。これを防止する技術とし
て、従来、特開昭56−54792号公報や特開昭57−18300号
公報に開示されているように、スイッチング素子に流れ
る過電流や共振回路に発生する過電圧により半波放電状
態を検出してインバータ装置の出力を制限することが提
案されている。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、第11図に示す放電灯点灯装置において
は、放電灯1に低光束域での放電維持用の直流電力が重
畳されているので、この直流電力のマイナス側フィラメ
ントfAがエミレス状態となった場合と、プラス側フィラ
メントfBがエミレス状態となった場合とでは、半波放電
状態が異なることになり、従来提案されている検出方式
ではエミレス状態を検出できない場合がある。
さらに具体的に説明すれば、フィラメントfAがエミレ
ス状態の場合には、MOSトランジスタQ1,Q2に流れる過電
流の検出やランプ電圧の検出によりエミレス状態を検出
できる。ところが、フィラメントfBがエミレス状態の場
合には、インバータ装置は正常に動作し、従来提案され
ている検出方式ではエミレス状態を検出できない。この
ため、放電灯1が放電異常状態であるにも拘わらず、そ
の検出ができないことになり、そのまま点灯維持を続け
ると、インバータ装置の各種電子部品にストレスが加わ
り続けることになり、例えば、コンデンサC5の寿命が短
くなったり、予熱用トランスT1が過熱されて、遂には点
灯装置そのものが故障に至るという問題がある。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、
その目的とするところは、放電灯に高周波電力を供給す
ると共に、直流電力を重畳して印加するようにした放電
灯点灯装置において、放電灯の放電異常状態を確実に検
出可能とすることにある。
[課題を解決するための手段] 本発明にあっては、上記の課題を解決するために、第
1図に示すように、低圧水銀放電灯1と、前記放電灯1
に高周波電力を供給する高周波電源2と、前記放電灯1
を点灯制御する制御部3と、直流電力を前記高周波電力
に重畳して前記放電灯1に印加する直流電力重畳手段4
とを備える放電灯点灯装置において、前記放電灯1の直
流電力の重畳量を検出して放電異常を検出する手段を備
えたことを特徴とするものである。
第1図に示す構成では、放電灯1と直流電力重畳手段
4の間に直流電流検出部6を挿入し、正常点灯時に比べ
て大きい直流電流を検出したときには、制御部3に放電
異常を知らせる信号を入力するように構成されている。
なお、放電灯1の放電異常の検出により高周波電源2
から放電灯1への高周波電力の供給を停止したり、放電
灯1の不点灯を検出して放電灯1の再点灯制御を行うよ
うにしても良い。また、制御部3は放電灯1をアーク放
電領域からグロー放電領域まで調光する調光制御部であ
っても良い。
[作用] 第2図乃至第4図は本発明の作用説明図である。本発
明にあっては、高周波電源2から放電灯1に高周波電力
が供給されると共に、直流電力重畳手段4から放電灯1
に直流電力が前記高周波電力に重畳して印加されてい
る。この直流電力は、例えば低光束点灯時の放電を維持
するレベルで供給されている。さて、この状態で直流電
力のマイナス側のフィラメントfAがエミレス状態となっ
た場合、放電灯1を流れるランプ電流は、ほぼフィラメ
ントfAからフィラメントfBの方向にのみ流れる。なぜな
ら、フィラメントfAのエミッタ(電子放出物質)が無く
なったため、フィラメントfAからは電子が飛び出しにく
くなり、ほぼフィラメントfBからのみ電子が放出される
ためである。この場合の等価回路を第3図に示す。図
中、RA,RBはフィラメントfA,fBのフィラメント抵抗であ
り、Zlaは放電灯1のランプインピーダンス、D0はフィ
ラメントfAがエミレス状態となり一方向のランプ電流し
か流れないために生じる半波整流作用を等価的に示した
仮想ダイオードである。この第3図から明らかなよう
に、放電灯1には高周波電源2から一方向の電流のみが
供給され、直流電力重畳手段4からは電流が供給されな
い。このため、高周波電源2のスイッチング素子に過電
流が流れたり、発熱が増大して、電子部品のストレスが
大きくなり、これを検出することが可能となる。
一方、直流電力のプラス側のフィラメントfBがエミレ
ス状態となった場合には、放電灯1を流れるランプ電流
は、上記とは逆に、ほぼフィラメントfBからフィラメン
トfAの方向にのみ流れる。この場合の等価回路は第4図
に示すようになり、仮想ダイオードD0の向きは第3図と
は逆になる。このため、直流電力重畳手段4からランプ
電流が供給され、ランプ電圧は低下し、安定に点灯す
る。また、高周波電源2からの電流供給は不要となり、
高周波電源2の各種電子部品のストレスは小さく、従来
のエミレス検出方式では検出できない。そこで、フィラ
メントfBがエミレス状態の場合には、従来とは異なるエ
ミレス検出方式を用いる必要がある。本発明では、フィ
ラメントfBがエミレス状態の場合には、直流電力重畳手
段4からランプ電流が供給されることに着目し、この直
流電流の変化を検出することによりエミレス状態を検出
している。つまり、両フィラメントfA,fBが正常である
場合に比べると、フィラメントfBがエミレス状態である
ときには、直流電力重畳手段4から流れる直流電流は増
加する。これを検出することにより、フィラメントfB
エミレス状態を検出することが可能となる。
[実施例1] 第5図は本発明の第1実施例における主回路の回路図
である。この回路は、第11図に示す従来例において、放
電灯1への直流電流の供給経路となるインダクタL2と直
列に電流検出用の抵抗R1,R1′を挿入し、放電灯1に供
給される直流電流の大きさを点dの電位として検出して
いる。その他の構成は第11図に示す従来例と同じであ
る。
次に、第6図は第5図に示す主回路に制御信号を供給
するための制御回路の回路図である。この制御回路は、
主回路におけるMOSトランジスタQ1,Q2の駆動回路と、こ
れらの駆動回路に駆動信号を与えるための発振回路IC1
を備えると共に、放電灯1に流れる直流電流の増大を検
出する直流電流検出部6と、直流電流検出部6の検出出
力が得られたときにインバータの出力を制限する出力制
限部7を備えており、これらの回路の動作電源として、
主回路におけるコンデンサC6に得られた制御電源VC6
供給されている。
まず、MOSトランジスタQ1の駆動回路は、パルストラ
ンスT3と抵抗R6,R7及びダイオードD13,D15よりなる。パ
ルストランスT3の1次巻線のセンタータップは、制御電
源VC6に接続され、1次巻線の一端は後述する駆動用MOS
トランジスタQ4を介して接地され、1次巻線の他端はダ
イオードD15を介して接地されている。パルストランスT
3の2次巻線の一端は端子bを介してMOSトランジスタQ1
のソースに接続され、他端は順バイアス用の抵抗R6と逆
バイアス用のダイオードD13及び端子aを介してMOSトラ
ンジスタQ1のゲートに接続されている。MOSトランジス
タQ1のゲート・ソース間には、抵抗R7が並列接続されて
いる。
今、駆動用MOSトランジスタQ4がオンされて、パルス
トランスT3の1次巻線の一端が接地されると、パルスト
ランスT3の1次巻線のセンタータップに印加された制御
電源VC6により1次巻線に電流が流れ、パルストランスT
3の2次巻線に接続された抵抗R6,R7の直列回路に電流が
流れて、抵抗R7の両端に生じる電圧により、MOSトラン
ジスタQ1のゲート・ソース間が順バイアスされて、MOS
トランジスタQ1がオンされるものである。
次に、駆動用MOSトランジスタQ4がオフされて、パル
ストランスT3の1次巻線に流れる電流が断たれると、こ
の電流を流し続けるべく、ダイオードD15を介して制御
電源VC6に回生電流が流れる。このとき、パルストラン
スT3の2次巻線には逆起電力が発生し、ダイオードD13
を介して抵抗R7に流れる電流により、抵抗R7の両端には
MOSトランジスタQ1のゲート・ソース間を逆バイアスす
る電圧が発生し、ゲート・ソース間容量の蓄積電荷は急
速に放電され、MOSトランジスタQ1は速やかにオフされ
るものである。
MOSトランジスタQ2の駆動回路も同様の構成を有し、
同様の動作を行う。つまり、MOSトランジスタQ2の駆動
回路を構成するパルストランスT4と抵抗R8,R9及びダイ
オードD14,D16は、上述のMOSトランジスタQ1の駆動回路
を構成するパルストランスT3と抵抗R6,R7及びダイオー
ドD13,D15にそれぞれ対応する。よって、これらについ
ての重複する説明は省略する。
発振回路IC1はスイッチングレギュレータ用の制御用I
C(日本電気株式会社製造μPC494C)よりなる。この制
御用ICは、周知のように、電源端子(12番ピン)とアー
ス端子(7番ピン)の間に制御電源VC6を印加されて使
用され、コンデンサ端子(5番ピン)とアース端子間に
接続されるコンデンサC7と、抵抗端子(6番ピン)とア
ース端子間に接続される抵抗(R0+VR)との時定数に応
じた周波数で発振する発振器を内蔵している。その第1
の発振出力は、第1のオープンコレクタ端子(8番ピ
ン)と第1のオープンエミッタ端子(9番ピン)の間が
短絡される状態と開放される状態が交番することにより
得られ、第2の発振出力は、第2のオープンコレクタ端
子(11番ピン)と第2のオープンエミッタ端子(10番ピ
ン)の間が短絡される状態と開放される状態が交番する
ことにより得られる。ここで、出力制御端子(13番ピ
ン)を基準電圧出力端子(14番ピン)に得られる基準電
圧Vrefのレベルに設定したときには、2石用のプッシュ
プル動作を行い、第1の発振出力と第2の発振出力は所
定のデッドオフタイムを経て、反対の状態を取る。この
デッドオフタイムは、基準電圧Vrefを抵抗R2,R3により
分圧して、デッドオフタイム制御端子(4番ピン)に入
力することにより、設定できる。なお、非反転入力端子
(1番ピン,16番ピン)と反転入力端子(2番ピン,15番
ピン)は、内蔵のパルス幅制御用のコンパレータの入力
端子であり、パルス幅制御を行わない場合には、後者を
基準電圧Vrefのレベルにプルアップしておくものであ
る。また、フィードバック端子(3番ピン)はパルス幅
制御用の帰還入力端子であり、使用しない場合には開放
しておくものである。
本実施例にあっては、発振回路IC1の出力制御端子(1
3番ピン)を基準電圧Vrefのレベルにプルアップしてプ
ッシュプル動作させており、オープンエミッタ端子(9
番,10番ピン)を接地すると共に、各オープンコレクタ
端子(8番,11番ピン)に得られる発振出力をそれぞれ
駆動用のMOSトランジスタQ5,Q4の入力信号としている。
つまり、第1のオープンコレクタ端子(8番ピン)とオ
ープンエミッタ端子(9番ピン)の間が短絡状態となっ
たときには、MOSトランジスタQ5のゲートは“Low"レベ
ルとなり、逆に、開放状態となったときには、MOSトラ
ンジスタQ5のゲートはプルアップ抵抗R5により“High"
レベルとなるものである。同様に、第2のオープンコレ
クタ端子(11番ピン)とオープンエミッタ端子(10番ピ
ン)の間が短絡状態となったときには、MOSトランジス
タQ4のゲートは“Low"レベルとなり、逆に、開放状態と
なったときには、MOSトランジスタQ4のゲートは“High"
レベルとなるものである。各MOSトランジスタQ4,Q5は、
上述のように、インバータ回路を構成するMOSトランジ
スタQ1,Q2の各駆動回路におけるパルストランスT3,T4
一端にそれぞれ接続され、MOSトランジスタQ1,Q2を駆動
している。
発振回路IC1の発振周波数は、コンデンサC7と固定抵
抗R0及び可変抵抗VRの時定数により決まる。したがっ
て、可変抵抗VRの値を調整することにより、発振回路IC
1の発振周波数を制御することが可能である。また、発
振出力のデッドオフタイムは、基準電圧Vrefのレベルを
抵抗R2とR3にて分圧したレベルに応じて決まる。
次に、放電灯1のフィラメントfBがエミレス状態であ
るときに、直流電流の増大を検出するための直流電流検
出部6について説明する。この直流電流検出部6にあっ
ては、第5図に示す主回路の点dに得られる電圧Vdをコ
ンデンサC8により平均化し、入力抵抗R10を介してコン
パレータIC2の非反転入力端子に印加している。コンパ
レータIC2の反転入力端子には、制御電源VC6の電圧を抵
抗R11,R12により分圧した電圧が基準電圧として印加さ
れている。放電灯1が正常に点灯しているときには、点
dに得られる電圧Vdは上記基準電圧VKよりも低く、コン
パレータIC2の出力は“Low"レベルであるが、放電灯1
のフィラメントfBがエミレス状態になると、放電灯1に
流れる直流電流が増加するので、点dに得られる電圧Vd
が上記基準電圧VKよりも高くなり、コンパレータIC2
出力は“High"レベルとなる。直流電流検出部6の出力
は、発振制限部7に入力されている。発振制限部7はト
ランジスタQ3と抵抗R13,R14よりなり、トランジスタQ3
のコレクタは発振回路IC1の時定数設定用の抵抗R0と可
変抵抗VRの接続点に接続され、エミッタは接地され、ベ
ースは抵抗R13を介して直流電流検出部6の出力に接続
されると共に、抵抗R14を介して接地されている。直流
電流検出部6の出力が“High"レベルになると、トラン
ジスタQ3にベース電流が流れて、トランジスタQ3のコレ
クタ・エミッタ間が導通し、可変抵抗VRの両端が短絡さ
れる。これにより、発振回路IC1の発振周波数は高くな
り、インバータ装置の発振出力は制限される。したがっ
て、インバータ装置の電子部品に加わるストレスを低減
し、信頼性や寿命を改善できるものである。
[実施例2] 第7図は本発明の第2実施例の要部回路図である。第
5図及び第6図に示す実施例1では、フィラメントfB
エミレス状態しか検出できないが、本実施例では、実施
例1の構成に共振電圧検出部9を追加することにより、
フィラメントfAのエミレス状態も検出できるようにした
ものである。以下、共振電圧検出部9の構成について説
明する。共振用のコンデンサC3の両端には、分圧用の抵
抗R15,R16の直列回路が並列的に接続されている。抵抗R
16に分圧された高周波の共振電圧は、ダイオードD17
より半波整流され、コンデンサC9により平滑されて直流
電圧に変換される。この直流電圧は、入力抵抗R17を介
してコンパレータIC3の非反転入力端子に印加される。
コンパレータIC3の反転入力端子には、制御電源VC6を抵
抗R18,R19で分圧した基準電圧が印加されている。放電
灯1が正常に点灯しているときには、コンデンサC9に得
られる電圧は抵抗R19に得られる基準電圧よりも低く、
コンパレータIC3の出力は“Low"レベルとなる。また、
放電灯1のフィラメントfAがエミレス状態になると、主
回路のインダクタL1とコンデンサC3及び放電灯1などで
構成される共振回路に一方向にしか電流が流れなくなる
ので、コンデンサC3の両端に発生する共振電圧は非常に
高い電圧となる。このため、コンデンサC9に得られる電
圧は抵抗R19に得られる基準電圧よりも高くなり、コン
パレータIC3の出力“High"レベルとなる。このコンパレ
ータIC3の出力は、抵抗R20とダイオードD18を介してト
ランジスタQ3のベースに入力される。また、上記実施例
1で説明したコンパレータIC2の出力は、抵抗R13とダイ
オードD19を介してトランジスタQ3のベースに入力され
る。ダイオードD18,D19はOR回路を構成しており、共振
電圧検出部9の出力が“High"レベルになるか、又は直
流電流検出部6の出力が“High"レベルになると、発振
制限部7のトランジスタQ3がオンされるものである。し
たがって、本実施例にあっては、フィラメントfAがエミ
レス状態となった場合にも、フィラメントfBがエミレス
状態になった場合と同様に、インバータ装置の発振出力
が制限されるものである。
[実施例3] 第8図は本発明の第3実施例の要部構成を示すブロッ
ク図である。本実施例にあっては、第1図に示す構成の
放電灯点灯装置における制御部3として、低圧水銀放電
灯1をアーク放電領域からグロー放電領域までの広い調
光範囲で調光制御する調光制御部3を用いている。放電
灯1の光出力が定格時の20%未満となる低光束域では、
放電灯1はグロー放電領域で動作するものであり、放電
灯1を安定に点灯させるには、直流電力重畳手段4によ
り放電維持に必要な直流電流を放電灯1に供給する必要
がある。このような点灯装置において、放電灯1を低光
束域で始動する場合には、始動に成功すれば直流電力重
畳手段4から放電灯1に直流電流が流れ出すが、始動に
失敗すると直流電流が流れない。そこで、本実施例で
は、正常点灯時に放電灯1に流れているはずの直流電流
が検出されないときには、直流電流検出部6から始動失
敗を知らせる信号を調光制御部3に入力して、再始動制
御を行うようにしている。具体的には、第9図に示すよ
うに、第5図又は第6図における点dの電圧Vdを入力抵
抗R19を介してコンパレータIC4の非反転入力端子に印加
すると共に、制御電源VC6を抵抗R10,R21により分圧した
基準電圧をコンパレータIC4の反転入力端子に印加し
て、両電圧を比較し、コンパレータIC4の出力を抵抗R23
を介して再始動制御回路10に入力している。コンパレー
タIC4の反転入力端子に印加される基準電圧は、放電灯
1の正常点灯時における点dの電圧Vdよりは低い値に設
定しておく。これにより、放電灯1が正常に点灯してい
る場合には、コンパレータIC4の出力は“High"レベルと
なり、放電灯1が不点灯の場合には、コンパレータIC4
の出力は“Low"レベルとなる。再始動制御回路10は、コ
ンパレータIC4の出力が“Low"レベルのときには、例え
ば第6図に示す発振回路IC1の抵抗端子(6番ピン)に
所定の電圧を供給し、インバータ装置のスイッチング周
波数を負荷回路の共振周波数に近付けて、放電灯1が始
動するのに足る電圧を共振用のコンデンサC3の両端に発
生させるものである。あるいは、調光制御部3の回路全
体を再度リセットして、始動動作を再度行うようにして
も良い。これにより、放電灯1を確実に点灯させること
ができる。
なお、実施例では、インバータとして直列共振インバ
ータを使用しているが、ハーフブリッジ回路、フルブリ
ッジ回路、1石式インバータ等の任意の回路を使用でき
る。また、直流電流の検出には抵抗による電圧降下を利
用する方式のほか、電流トランスを用いる方法なども使
用できることは言うまでもない。
[発明の効果] 本発明によれば、低圧水銀放電灯に高周波電力を供給
すると共に、直流電力を重畳して印加するようにした放
電灯点灯装置において、放電灯の直流電力の重畳量を検
出して放電異常を検出するようにしたから、放電灯のエ
ミレス状態や不点灯状態のような放電異常状態を確実に
検出することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の基本構成を示すブロック回路図、第2
図乃至第4図は本発明の作用説明のためのブロック回路
図、第5図及び第6図はそれぞれ本発明の第1実施例の
主回路及び制御回路の回路図、第7図は本発明の第2実
施例の要部回路図、第8図は本発明の第3実施例の要部
ブロック図、第9図は同上の具体回路図、第10図は従来
例の概略構成を示すブロック回路図、第11図は同上の具
体回路図である。 1は放電灯、2は高周波電源、3は制御部、4は直流電
力重畳手段、5は直流電源、6は直流電流検出部6であ
る。

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】低圧水銀放電灯と、前記放電灯に高周波電
    力を供給する高周波電源と、前記放電灯を点灯制御する
    制御部と、直流電力を前記高周波電力に重畳して前記放
    電灯に印加する直流電力重畳手段とを備える放電灯点灯
    装置において、前記放電灯の直流電力の重畳量を検出し
    て放電異常を検出する手段を備えたことを特徴とする放
    電灯点灯装置。
  2. 【請求項2】前記直流電力の重畳量の検出による放電異
    常の検出により高周波電源から放電灯への高周波電力の
    供給を実質的に停止する手段を更に備えることを特徴と
    する請求項1記載の放電灯点灯装置。
  3. 【請求項3】前記直流電力の重畳量の検出により放電灯
    の不点灯を検出して放電灯の再点灯制御を行う手段を更
    に備えることを特徴とする請求項1又は2記載の放電灯
    点灯装置。
  4. 【請求項4】前記制御部に、前記放電灯をアーク放電領
    域からグロー放電領域まで調光制御するように構成され
    た調光制御部を設けると共に、前記直流電力重畳手段
    は、前記放電灯の低光束調光時の放電を維持できるレベ
    ルの直流電力を前記高周波電力に重畳して前記放電灯に
    印加するようにしたことを特徴とする請求項1記載の放
    電灯点灯装置。
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