JP2865602B2 - Heating equipment for semiconductor wafers - Google Patents
Heating equipment for semiconductor wafersInfo
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハー
の製造プロセスにおいて、アニール酸化膜を形成した
り、不純物を拡散させたり、蒸着膜を形成したりするた
めに使用される半導体ウエハーの加熱処理装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor wafer heat treatment apparatus used for forming an anneal oxide film, diffusing impurities, and forming a vapor deposition film in a semiconductor wafer manufacturing process. About.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、半導体ウエハーの製造プロセスに
おいては、焼鈍、リン，ヒ素等の不純物の拡散、酸化膜
の形成、化学的蒸着等のために、急熱炉を備える加熱処
理装置が使用されている。この加熱処理装置の一つに、
半導体ウエハーを、一枚ずつ水平に支持した状態で加熱
するものが提供されている（例えば特開平２−１４５１
４号公報参照）。2. Description of the Related Art Conventionally, in a semiconductor wafer manufacturing process, a heat treatment apparatus having a rapid heating furnace has been used for annealing, diffusion of impurities such as phosphorus and arsenic, formation of an oxide film, chemical vapor deposition, and the like. ing. In one of these heat treatment devices,
There has been provided a method of heating semiconductor wafers one by one while supporting them horizontally (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-1451).
No. 4).
【０００３】この種の加熱処理装置においては、上記半
導体ウエハーの支持方式として、ピン支持方式又は平面
支持方式が採用されている。上記ピン支持方式は、石英
からなる昇降可能な基盤上に、石英からなる先の尖った
複数本の支持ピンを立設し、この支持ピンによって半導
体ウエハーを基盤から浮揚させた状態で水平に支持する
ものである。また、平面支持方式は、カーボン等からな
る平坦な基盤上に、半導体ウエハーを載置する方式であ
る。In this type of heat treatment apparatus, a pin support method or a plane support method is employed as a method for supporting the semiconductor wafer. In the above-mentioned pin support method, a plurality of pointed support pins made of quartz are erected on a vertically movable base made of quartz, and the semiconductor wafer is horizontally supported by the support pins while the semiconductor wafer is lifted from the base. Is what you do. The planar support method is a method in which a semiconductor wafer is placed on a flat base made of carbon or the like.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記支持ピ
ン方式については、半導体ウエハーの支持ピン先端との
接触部分に、半導体ウエハーの自重による曲げ応力や接
触応力が作用するとともに、当該接触部分の局部的な加
熱むらによる熱応力が作用することから、半導体ウエハ
ーにスリップ（転移）等による結晶欠陥が生じ易いとい
う問題があった。However, in the above-mentioned support pin method, a bending stress or a contact stress due to the weight of the semiconductor wafer acts on a contact portion of the semiconductor wafer with the tip of the support pin, and a local portion of the contact portion is formed. There is a problem that a crystal defect due to a slip (transition) or the like is likely to occur in a semiconductor wafer due to a thermal stress due to uneven heating.
【０００５】また、平面支持方式については、半導体ウ
エハーを基盤上に載置する際に、半導体ウエハーの処理
面（表面）が汚損されて、加熱処理に悪影響が生じるこ
とがあった。即ち、上記ピン支持方式の加熱処理装置に
ついては、半導体ウエハーの裏面（下面）を吸着して、
支持ピン上に載置する方式のハンドリング装置を採用す
ることができるので、半導体ウエハーの処理面が汚損さ
れる虞れがないが、平面支持方式の加熱処理装置につい
ては、半導体ウエハーの処理面を吸着して、基盤上に載
置する方式のハンドリング装置を採用する必要があるの
で、半導体ウエハーの処理面が汚損されて不純物が混入
する等、その加熱処理に悪影響を及ぼすことがあった。In the case of the flat support method, when the semiconductor wafer is placed on the base, the processing surface (surface) of the semiconductor wafer may be stained, which may adversely affect the heat treatment. That is, in the pin-supporting type heat treatment apparatus, the back surface (lower surface) of the semiconductor wafer is sucked,
Since the handling device of the type mounted on the support pins can be adopted, there is no possibility that the processing surface of the semiconductor wafer is stained. Since it is necessary to employ a handling device of a type of adsorbing and mounting on a substrate, the processing surface of the semiconductor wafer is contaminated and impurities are mixed therein, which may adversely affect the heat treatment.
【０００６】このような平面支持方式の問題点を解消す
るために、半導体ウエハーの側面を挟持する方式のハン
ドリング装置も採用されているが、このハンドリング装
置は、構造が複雑になるので、その製造コストが高くつ
くという問題があった。この発明は上記問題点に鑑みて
なされたものであり、結晶欠陥を生じ難いとともに、構
造が簡素でしかも加熱処理に悪影響を及ぼす虞れのない
ハンドリング装置を採用することができる半導体ウエハ
ーの加熱処理装置を提供することを目的とする。[0006] In order to solve the problem of the flat support method, a handling device of a type in which a side surface of a semiconductor wafer is sandwiched is also adopted. However, since the handling device has a complicated structure, the manufacturing device is not manufactured. There was a problem that the cost was high. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described problems, and it is possible to adopt a heating apparatus for a semiconductor wafer which can adopt a handling apparatus which is less likely to cause crystal defects, has a simple structure, and does not have a risk of adversely affecting the heating processing. It is intended to provide a device.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
のこの発明の半導体ウエハーの加熱処理装置は、半導体
ウエハーを加熱処理する加熱チャンバーと、 半導体ウエ
ハーを装置内外に出し入れする搬送チャンバーと、ハン
ドリング装置から搬送チャンバーに供給された半導体ウ
エハーを、一時的に水平に支持する複数の支持ピンと、
この支持ピンによって支持された半導体ウエハーを上昇
させて、加熱チャンバーに移送する昇降手段と、 この昇
降手段によって昇降駆動され、下降位置において上記支
持ピンが挿通し、上昇に伴って上記支持ピンに支持され
た半導体ウエハーをすくい上げて平面支持する昇降基盤
とを備える半導体ウエハーの加熱処理装置において、上
記支持ピンが炭化ケイ素からなる固定基盤を介して搬送
チャンバーの底部に配置され、且つ上記昇降基盤が炭化
ケイ素からなることを特徴とするものである。Means for Solving the Problems] heat treatment apparatus of the semiconductor wafer of the present invention for achieving the above object, a semiconductor
A heating chamber for heating the wafer; and a semiconductor wafer.
A transfer chamber for taking the harness in and out of the device, and a plurality of support pins for temporarily horizontally supporting the semiconductor wafer supplied from the handling device to the transfer chamber ,
It raises the semiconductor wafer supported by the support pins, a lifting means for transferring the heat chamber, the temperature
It is driven up and down by lowering means, and at the lowered position,
The holding pin is inserted and supported by the support pin as it rises.
Platform for picking up semiconductor wafers and supporting them on a plane
In the heat treatment apparatus of a semiconductor wafer comprising the bets, on
The support pins are transported through a fixed base made of silicon carbide.
Located at the bottom of the chamber and the lifting platform is carbonized
It is characterized by being made of silicon .
【０００８】上記の構成の半導体ウエハーの加熱処理装
置によれば、昇降基盤を下降させた状態で、各支持ピン
を当該昇降基盤に挿通させて、その先端部を昇降基盤か
ら突出させておくことができ、この状態で、ハンドリン
グ装置から供給された半導体ウエハーを、各支持ピンに
よって一時的に支持することができる。次いで、昇降手
段によって昇降基盤を上昇させると、その上昇途中にお
いて、当該昇降基盤が上記支持ピンに支持された半導体
ウエハーをすくい上げて平面支持することができる。し
たがって、さらに昇降基盤を上昇させて半導体ウエハー
を加熱チャンバーに移送することにより、当該半導体ウ
エハーを、平面支持方式にて加熱処理することができ
る。According to the semiconductor wafer heating apparatus having the above structure, each support pin is inserted through the elevating base while the elevating base is lowered, and the tip of the supporting pin is projected from the elevating base. In this state, the semiconductor wafer supplied from the handling device can be temporarily supported by each support pin. Next, when the elevating base is raised by the elevating means, the elevating base can scoop up the semiconductor wafer supported by the support pins and support the semiconductor wafer in a plane during the ascent. Therefore, the semiconductor wafer can be heat-treated by a planar support method by further raising the elevating base and transferring the semiconductor wafer to the heating chamber .
【０００９】また、加熱処理が完了した時点で、昇降手
段によって半導体ウエハーとともに昇降基盤を下降させ
ると、下降端付近において、支持ピンが昇降基盤を挿通
するので、当該支持ピンによって、昇降基盤上の半導体
ウエハーを当該昇降基盤から浮揚させて再び支持するこ
とができ、この半導体ウエハーを、ハンドリング装置に
よって取り出すことができる。When the elevating means is lowered together with the semiconductor wafer by the elevating means at the time when the heat treatment is completed, the supporting pins are inserted through the elevating base near the lower end. The semiconductor wafer can be lifted from the lifting base and supported again, and the semiconductor wafer can be taken out by the handling device.
【００１０】このように、この発明の半導体ウエハーの
加熱処理装置によれば、半導体ウエハーを支持手段に供
給したり、支持手段から取り出したりする際には、ピン
支持方式によって半導体ウエハーを支持しておくことが
できるので、その裏面を吸着する方式のハンドリング装
置を採用することができる。また、半導体ウエハーを加
熱処理する際には、半導体ウエハーを平面支持方式によ
って支持することができるので、当該半導体ウエハー
に、曲げ応力、接触応力、及び局部的な熱応力が作用す
るのを防止することができる。As described above, according to the semiconductor wafer heat treatment apparatus of the present invention, when the semiconductor wafer is supplied to the support means or taken out of the support means, the semiconductor wafer is supported by the pin support method. Therefore, it is possible to adopt a handling device of a system that sucks the back surface. Further, when the semiconductor wafer is subjected to the heat treatment, the semiconductor wafer can be supported by the planar support method, so that bending stress, contact stress, and local thermal stress are prevented from acting on the semiconductor wafer. be able to.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】以下この発明の実施の形態につい
て、添付図面を参照しながら詳述する。図１はこの発明
の半導体ウエハーの加熱処理装置の一つの実施の形態を
示す概略断面図である。この加熱処理装置は、半導体ウ
エハーＷを加熱する急熱炉１と、この急熱炉１の内部に
おいて半導体ウエハーＷを支持する支持手段２と、この
支持手段２に支持された半導体ウエハーＷを昇降させる
昇降手段３と、支持手段２に半導体ウエハーＷを供給し
たり、支持手段２から半導体ウエハーＷを取り出したり
するハンドリング手段４と、上記昇降手段３やハンドリ
ング手段４の駆動を制御する制御部５等によって主要部
が構成されている。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a schematic sectional view showing one embodiment of a semiconductor wafer heat treatment apparatus according to the present invention. This heat treatment apparatus includes a quenching furnace 1 for heating a semiconductor wafer W, a supporting means 2 for supporting the semiconductor wafer W inside the quenching furnace 1, and a vertically moving semiconductor wafer W supported by the supporting means 2. Lifting / lowering means 3 for causing the semiconductor wafer W to be supplied to the supporting means 2 or taking out the semiconductor wafer W from the supporting means 2; and a control unit 5 for controlling the driving of the lifting / lowering means 3 and the handling means 4. The main part is constituted by the above.
【００１２】上記急熱炉１は、加熱チャンバーＡを構成
する筒体１１の上部外周に、ヒータ１２を配置したもの
であり、上記筒体１１の途中部は、断熱材１３によって
覆われている。上記筒体１１は、石英、ＳｉＣ（炭化ケ
イ素）等からなるものであり、上部が閉塞されていると
ともに、下部が開口されている。この筒体１１の下部の
開口は、上記ハンドリング手段４が構成された搬送チャ
ンバーＢに連通されており、この搬送チャンバーＢの底
部は底板Ｂ１によって閉塞されている。In the rapid heating furnace 1, a heater 12 is disposed on the outer periphery of an upper part of a cylindrical body 11 constituting a heating chamber A, and a middle part of the cylindrical body 11 is covered with a heat insulating material 13. . The cylindrical body 11 is made of quartz, SiC (silicon carbide), or the like, and has an upper part closed and a lower part opened. The lower opening of the cylindrical body 11 communicates with a transfer chamber B in which the handling means 4 is formed, and the bottom of the transfer chamber B is closed by a bottom plate B1.
【００１３】支持手段２は、図２に詳細を示すように、
搬送チャンバーＢに固定配置された固定基盤２１と、こ
の固定基盤２１上に立設された複数本の支持ピン２２
と、昇降手段３によって昇降駆動される昇降基盤２３と
を備えている。上記固定基盤２１は、ＳｉＣからなる環
状のものであり、下降位置にある昇降基盤２３の下方
に、所定隙間を設けた状態で配置されている。The support means 2 is, as shown in detail in FIG.
A fixed base 21 fixedly arranged in the transfer chamber B, and a plurality of support pins 22 erected on the fixed base 21
And a lifting base 23 driven up and down by the lifting means 3. The fixed base 21 is an annular base made of SiC , and is arranged below the elevating base 23 at the lowered position with a predetermined gap.
【００１４】支持ピン２２は、ハンドリング手段４によ
って供給された半導体ウエハーＷを一時的に支持できる
ように、下降位置にある昇降基盤２３を挿通した状態
で、その先端が昇降基盤２３の上方に突出している。各
支持ピン２２の昇降基盤２３からの突出高さは、半導体
ウエハーＷを水平に支持できるように、均一に設定され
ている。なお、上記支持ピン２２は、石英からなるもの
であり、その下端部は固定基盤２１に固着されている。The support pin 22 has a tip protruding above the elevating base 23 with the elevating base 23 at the lowered position inserted so that the semiconductor wafer W supplied by the handling means 4 can be temporarily supported. ing. The protruding height of each support pin 22 from the lifting base 23 is set to be uniform so that the semiconductor wafer W can be supported horizontally. The support pins 22 are made of quartz, and the lower ends thereof are fixed to the fixed base 21.
【００１５】昇降基盤２３は、ＳｉＣからなる平板状の
ものであり、その上面には、半導体ウエハーＷを載置す
るための平坦な凹部２３ａが形成されている。この昇降
基盤２３には、上記搬送チャンバーＢに下降した状態
で、各支持ピン２２を挿通させるための貫通孔２３ｂが
形成されている。The elevator platform 23 is of SiC or Ranaru flat, the upper surface thereof, the flat recess 23a for placing the semiconductor wafer W is formed. The lift base 23 has a through hole 23b through which each support pin 22 is inserted when the support base 22 is lowered into the transfer chamber B.
【００１６】昇降手段３は、上端が上記昇降基盤２３に
連結された昇降ロッド３１と、この昇降ロッド３１を昇
降させる昇降駆動部３２とを備えている。上記昇降ロッ
ド３１は、搬送チャンバーＢを閉塞する底板Ｂ１に対し
て、支持フランジ３３を介して昇降自在に支持されてい
る。また、上記昇降ロッド３１を昇降駆動させる昇降駆
動部３２は、モータ３２ａと、このモータ３２ａによっ
て回転駆動されるスパイラルギヤ３２ｂと、上記昇降ロ
ッド３１の下端部が連結され、スパイラルギヤ３２ｂに
対して螺合された昇降部材３２ｃと、昇降部材３２ｃの
昇降をガイドするガイドロッド３２ｄと、昇降ロッド３
１の昇降ストロークを制御するためのエンコーダ３２ｅ
等を備えている。The elevating means 3 includes an elevating rod 31 having an upper end connected to the elevating base 23, and an elevating drive unit 32 for elevating the elevating rod 31. The elevating rod 31 is supported by a bottom plate B1 that closes the transfer chamber B via a support flange 33 so as to be able to move up and down. An elevating drive unit 32 that drives the elevating rod 31 up and down is connected to a motor 32a, a spiral gear 32b that is rotationally driven by the motor 32a, and a lower end of the elevating rod 31. A screwed elevating member 32c, a guide rod 32d for guiding the elevating member 32c up and down, and an elevating rod 3
Encoder 32e for controlling the vertical stroke
Etc. are provided.
【００１７】ハンドリング手段４は、水平方向へ旋回可
能なロボットアーム４１の先端に、半導体ウエハーＷの
裏面（下面）を真空吸着するための吸盤４２を設けたも
のであり、当該半導体ウエハーＷを支持ピン２２上に供
給したり、加熱処理が完了した半導体ウエハーＷを支持
ピン２２上から取り出したりすることができる。The handling means 4 is provided with a suction cup 42 for vacuum-sucking the back surface (lower surface) of the semiconductor wafer W at the tip of a robot arm 41 which can turn in the horizontal direction, and supports the semiconductor wafer W. It is possible to supply the semiconductor wafer W onto the pins 22 or take out the semiconductor wafer W after the completion of the heat treatment from the support pins 22.
【００１８】上記の構成の加熱処理装置によれば、昇降
基盤２３を下降させて、支持ピン２２の先端を、昇降基
盤２３の上方に突出させた状態で、半導体ウエハーＷを
ハンドリング手段４によって支持ピン２２の先端に載置
することができる（図２参照）。そして、この状態で昇
降手段３によって、昇降基盤２３を上昇させると、その
上昇途中において、支持ピン２２に支持された半導体ウ
エハーＷをすくい上げて平面支持した状態で（図３参
照）、そのまま加熱チャンバーＡに移送することができ
る（図１参照）。According to the heat treatment apparatus having the above-described configuration, the semiconductor wafer W is supported by the handling means 4 in a state where the lifting base 23 is lowered and the tips of the support pins 22 are projected above the lifting base 23. It can be placed on the tip of the pin 22 (see FIG. 2). Then, in this state, when the elevating base 23 is raised by the elevating means 3, the semiconductor wafer W supported by the support pins 22 is scooped up and supported flat on the way (see FIG. 3) during the ascent. A (see FIG. 1).
【００１９】そして、加熱チャンバーＡにおいて、一定
時間加熱処理を施した後、昇降手段３によって半導体ウ
エハーＷとともに昇降基盤２３を下降させると、下降端
付近において、支持ピン２２が昇降基盤２３の貫通孔２
３ｂを挿通して、昇降基盤２３上の半導体ウエハーＷを
当該昇降基盤２３から浮揚させる。従って、ハンドリン
グ手段４によって半導体ウエハーＷの裏面を吸着して、
装置外に取り出すことができる。After the heat treatment is performed in the heating chamber A for a certain period of time, when the elevating base 23 is lowered together with the semiconductor wafer W by the elevating means 3, the support pins 22 are connected to the through holes of the elevating base 23 near the lower end. 2
3b, the semiconductor wafer W on the lift base 23 is lifted from the lift base 23. Therefore, the back surface of the semiconductor wafer W is sucked by the handling means 4, and
It can be taken out of the device.
【００２０】このように、上記加熱処理装置によれば、
半導体ウエハーＷを支持手段２に供給したり、支持手段
２から取り出したりする際には、支持ピン２２によって
半導体ウエハーＷを支持しておくことができるので、当
該半導体ウエハーＷの裏面を吸着する方式のハンドリン
グ手段４を支障なく使用することができる。このため、
ハンドリング手段４によって半導体ウエハーＷの表面が
汚損される虞れがなく、当該汚損によって加熱処理に悪
影響が生じるのを防止することができるとともに、ハン
ドリング手段４の構造も簡素なものとなる。As described above, according to the heat treatment apparatus,
When the semiconductor wafer W is supplied to the support means 2 or taken out from the support means 2, the semiconductor wafer W can be supported by the support pins 22, so that the back surface of the semiconductor wafer W is sucked. Can be used without any trouble. For this reason,
There is no possibility that the surface of the semiconductor wafer W is soiled by the handling means 4, and it is possible to prevent the heat treatment from being adversely affected by the soiling, and the structure of the handling means 4 is simplified.
【００２１】また、半導体ウエハーＷを加熱チャンバー
Ａにおいて加熱処理する際には、当該半導体ウエハーＷ
を、昇降基盤２３によって平面支持方式で支持すること
ができるので、半導体ウエハーＷに、曲げ応力、接触応
力、及び局部的な熱応力が作用するのを防止することが
できる。このため、半導体ウエハーＷにスリップ等によ
る結晶欠陥が生じるのを防止することができる。When heating the semiconductor wafer W in the heating chamber A, the semiconductor wafer W
Can be supported by the elevating base 23 in a plane supporting manner, so that the bending stress, the contact stress, and the local thermal stress acting on the semiconductor wafer W can be prevented. For this reason, it is possible to prevent a crystal defect due to a slip or the like from occurring in the semiconductor wafer W.
【００２２】[0022]
【発明の効果】以上のように、この発明の半導体ウエハ
ーの加熱処理装置によれば、半導体ウエハーの供給及び
取り出しに際しては、当該半導体ウエハーをピン支持方
式で支持することができるので、裏面吸着方式のハンド
リング装置を使用することができる。このため、半導体
ウエハーの表面が汚損されて、加熱処理に悪影響が生じ
るという、従来の平面支持方式の問題点が生じる虞れが
ないとともに、ハンドリング装置の構造が簡素となり、
その分製造コストを安くすることができる。As described above, according to the semiconductor wafer heat treatment apparatus of the present invention, the semiconductor wafer can be supported by the pin supporting system when the semiconductor wafer is supplied and taken out. Can be used. For this reason, the surface of the semiconductor wafer is contaminated, and there is no fear that the problem of the conventional planar support system that adversely affects the heat treatment occurs, and the structure of the handling device is simplified,
The manufacturing cost can be reduced accordingly.
【００２３】また、半導体ウエハーを加熱処理する際に
は、これを平面支持方式で支持することができるので、
半導体ウエハーに、曲げ応力、接触応力、及び局部的な
熱応力が作用するのを防止することができる。このた
め、半導体ウエハーにスリップ等による結晶欠陥が生じ
るのを防止することができる。Further, when a semiconductor wafer is subjected to heat treatment, it can be supported by a flat support method.
It is possible to prevent bending stress, contact stress, and local thermal stress from acting on the semiconductor wafer. For this reason, it is possible to prevent a crystal defect due to a slip or the like from occurring in the semiconductor wafer.
【図１】この発明の半導体ウエハーの加熱処理装置の一
つの実施の形態示す概略断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view showing one embodiment of a semiconductor wafer heat treatment apparatus of the present invention.
【図２】上記加熱処理装置の要部拡大断面図である。FIG. 2 is an enlarged sectional view of a main part of the heat treatment apparatus.
【図３】半導体ウエハーをすくい上げた状態を示す要部
断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of a main part showing a state where a semiconductor wafer is scooped up.
【符号の説明】 １ 急熱炉 ２ 支持手段 ２２ 支持ピン ２３ 昇降基盤 ３ 昇降手段 ４ ハンドリング手段 Ｗ 半導体ウエハー Ａ 加熱チャンバー[Description of Signs] 1 Rapid heating furnace 2 Support means 22 Support pins 23 Elevating base 3 Elevating means 4 Handling means W Semiconductor wafer A Heating chamber
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (73)特許権者 390033020 Ｅａｔｏｎ Ｃｅｎｔｅｒ，Ｃｌｅｖｅ ｌａｎｄ，Ｏｈｉｏ 44114，Ｕ．Ｓ. Ａ. (72)発明者 木田 育義 兵庫県三田市下内神字打場541番地の１ 日本ピラー工業株式会社三田工場内 (72)発明者 平本 雅信 兵庫県三田市下内神字打場541番地の１ 日本ピラー工業株式会社三田工場内 (56)参考文献 特開 平２−271643（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−45691（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−206718（ＪＰ，Ａ) 実開 昭61−123541（ＪＰ，Ｕ) 実開 平６−86333（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/22 511 H01L 21/205 H01L 21/31 H01L 21/68──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (73) Patent holder 390033020 Eaton Center, Cleveland, Ohio 44114, U.S.A. S.A. (72) Inventor Ikuyoshi Kida 541-1, Shimouchi jinji battering ground, Mita City, Hyogo Prefecture Inside the Mita Plant of Nippon Pillar Industry Co., Ltd. (72) Inventor Masanobu Hiramoto Shimouchi god character in Mita City, Hyogo Prefecture No. 541, No. 1, Mita Plant of Nippon Pillar Industry Co., Ltd. (56) References JP-A-2-271643 (JP, A) JP-A-7-45691 (JP, A) JP-A-6-206718 (JP, A) ) Actually Open 1986-123541 (JP, U) Actually Open Hei 6-86333 (JP, U) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) H01L 21/22 511 H01L 21/205 H01L 21 / 31 H01L 21/68
Claims (1)
バーと、 半導体ウエハーを装置内外に出し入れする搬送チャンバ
ーと、 ハンドリング装置から搬送チャンバーに供給された半導
体ウエハーを、一時的に水平に支持する複数の支持ピン
と、 この支持ピンによって支持された半導体ウエハーを上昇
させて、加熱チャンバーに移送する昇降手段と、 この昇降手段によって昇降駆動され、下降位置において
上記支持ピンが挿通し、上昇に伴って上記支持ピンに支
持された半導体ウエハーをすくい上げて平面支持する昇
降基盤と を備える半導体ウエハーの加熱処理装置におい
て、上記支持ピンが炭化ケイ素からなる固定基盤を介して搬
送チャンバーの底部に配置され、且つ上記昇降基盤が炭
化ケイ素からなる ことを特徴とする半導体ウエハーの加
熱処理装置。 A heating chamber for heating a semiconductor wafer.
Bar and transfer chamber for taking semiconductor wafers in and out of the device
And a plurality of support pins for temporarily horizontally supporting the semiconductor wafer supplied from the handling device to the transfer chamber; and raising the semiconductor wafer supported by the support pins to the heating chamber . Lifting and lowering means for transferring, and lifting and lowering by the lifting and lowering means;
The support pin is inserted and supported by the
Raises the held semiconductor wafer by scooping
In a semiconductor wafer heat treatment apparatus having a lower substrate , the support pins are carried through a fixed substrate made of silicon carbide.
Placed at the bottom of the transfer chamber, and
Heat treatment apparatus of a semiconductor wafer, characterized in that it consists of silicon.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29207795A JP2865602B2 (en) | 1995-10-13 | 1995-10-13 | Heating equipment for semiconductor wafers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29207795A JP2865602B2 (en) | 1995-10-13 | 1995-10-13 | Heating equipment for semiconductor wafers |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09115847A JPH09115847A (en) | 1997-05-02 |
| JP2865602B2 true JP2865602B2 (en) | 1999-03-08 |
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ID=17777246
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP2865602B2 (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2510282B2 (en) * | 1989-04-13 | 1996-06-26 | 富士電機株式会社 | Wafer transfer device |
-
1995
- 1995-10-13 JP JP29207795A patent/JP2865602B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09115847A (en) | 1997-05-02 |
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