JP2858198B2 - 半導体製造装置用シール - Google Patents
半導体製造装置用シールInfo
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- JP2858198B2 JP2858198B2 JP11639893A JP11639893A JP2858198B2 JP 2858198 B2 JP2858198 B2 JP 2858198B2 JP 11639893 A JP11639893 A JP 11639893A JP 11639893 A JP11639893 A JP 11639893A JP 2858198 B2 JP2858198 B2 JP 2858198B2
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- Japan
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- seal
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- semiconductor manufacturing
- parts
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置用シー
ルに関する。
ルに関する。
【０００２】
【従来技術および発明が解決しようとする課題】半導体
製造装置用シールは、半導体の基板であるシリコンウエ
ハー等の表面にエッチング、あるいは、薄膜を形成させ
る等の処理をするための加工室等に用いられるシールと
して適用され、該シールには、耐熱性、低ガス透過性の
他、該シールから塵が生じないこと（低発塵性）が要求
されている。
製造装置用シールは、半導体の基板であるシリコンウエ
ハー等の表面にエッチング、あるいは、薄膜を形成させ
る等の処理をするための加工室等に用いられるシールと
して適用され、該シールには、耐熱性、低ガス透過性の
他、該シールから塵が生じないこと（低発塵性）が要求
されている。
【０００３】従来の半導体製造装置用シールに用いられ
ているエラストマーとしては、ふっ素系エラストマー、
シリコーン系エラストマーがある。ふっ素系エラストマ
ーは、通常、ポリオール架橋剤やアミン架橋剤が配合さ
れ、さらに、これらの架橋剤の他に、架橋促進のために
Ｍｇ、Ｐｂ等の重金属を含む受酸剤が配合される。ま
た、通常、圧縮永久歪み性向上のために、補強材として
カーボンブラック、酸化亜鉛等が配合されている。
ているエラストマーとしては、ふっ素系エラストマー、
シリコーン系エラストマーがある。ふっ素系エラストマ
ーは、通常、ポリオール架橋剤やアミン架橋剤が配合さ
れ、さらに、これらの架橋剤の他に、架橋促進のために
Ｍｇ、Ｐｂ等の重金属を含む受酸剤が配合される。ま
た、通常、圧縮永久歪み性向上のために、補強材として
カーボンブラック、酸化亜鉛等が配合されている。
【０００４】かかるシールは、シリコンウエハーへのエ
ッチング処理時等には、酸素やＣＦ4 雰囲気下等でプラ
ズマ照射されるので、換言すると、酸素やハロゲン等の
ガスが励起された状態にさらされるため、劣化しやす
く、その表面が劣化して脆くなり、該半導体製造装置用
シールが飛散し、シリコンウエハー上に付着する等、微
細な異物付着をも極端に嫌う半導体にとっては、上記シ
ールは好ましいものとはいえなかった。また、発泡ふっ
素ゴムシール用組成物として特開平４−３２３２３３が
あるが、ガス透過性が大きく、また、圧縮永久歪み特性
が劣るのため密封効果が十分でないので、真空状態下で
プラズマ照射するときには使用できなかった。また、シ
リコーンエラストマーは、ガス透過量が大きいため真空
状態下でプラズマ照射するときには使用できないという
問題があった。
ッチング処理時等には、酸素やＣＦ4 雰囲気下等でプラ
ズマ照射されるので、換言すると、酸素やハロゲン等の
ガスが励起された状態にさらされるため、劣化しやす
く、その表面が劣化して脆くなり、該半導体製造装置用
シールが飛散し、シリコンウエハー上に付着する等、微
細な異物付着をも極端に嫌う半導体にとっては、上記シ
ールは好ましいものとはいえなかった。また、発泡ふっ
素ゴムシール用組成物として特開平４−３２３２３３が
あるが、ガス透過性が大きく、また、圧縮永久歪み特性
が劣るのため密封効果が十分でないので、真空状態下で
プラズマ照射するときには使用できなかった。また、シ
リコーンエラストマーは、ガス透過量が大きいため真空
状態下でプラズマ照射するときには使用できないという
問題があった。
【０００５】本発明の目的は、耐熱性、低ガス透過性、
及び、酸素やＣＦ4 雰囲気下等でプラズマ照射されても
安定性を有し、発塵しない半導体製造装置用シールを提
供することである。
及び、酸素やＣＦ4 雰囲気下等でプラズマ照射されても
安定性を有し、発塵しない半導体製造装置用シールを提
供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段および作用】本発明者は、
上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、ふっ素系エラ
ストマー１００重量部に対して、シリカ１〜５０重量
部、有機過酸化物１〜１０重量部からなる組成物からな
る半導体製造装置用シールであって、かつ、該半導体製
造装置用シール１００重量部に対して、金属元素を１重
量部以下、及び、カーボンブラックを１重量部以下にせ
しめ、かつ、該半導体製造装置用シールがボイドフリー
であることを特徴とする半導体製造装置用シールによっ
て解決される。
上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、ふっ素系エラ
ストマー１００重量部に対して、シリカ１〜５０重量
部、有機過酸化物１〜１０重量部からなる組成物からな
る半導体製造装置用シールであって、かつ、該半導体製
造装置用シール１００重量部に対して、金属元素を１重
量部以下、及び、カーボンブラックを１重量部以下にせ
しめ、かつ、該半導体製造装置用シールがボイドフリー
であることを特徴とする半導体製造装置用シールによっ
て解決される。
【０００７】本発明の半導体製造装置用シールが、酸素
やＣＦ4 雰囲気下等でのプラズマ照射に対して、安定性
を有する理由についての詳細なメカニズムは不明である
が、おそらく、配合されたシリカによって、プラズマ照
射で励起された酸素やＣＦ４ガスに対して、本発明で用
いられるふっ素系エラストマーが保護されるという遮蔽
効果（分子鎖切断の阻止）と、アミン架橋や、ポリオー
ル架橋のように受酸剤として金属化合物を必要としない
有機過酸化物で架橋したことと、金属元素及びカーボン
ブラックを低減させたこととの相乗効果が有効に作用し
たためと推測される。
やＣＦ4 雰囲気下等でのプラズマ照射に対して、安定性
を有する理由についての詳細なメカニズムは不明である
が、おそらく、配合されたシリカによって、プラズマ照
射で励起された酸素やＣＦ４ガスに対して、本発明で用
いられるふっ素系エラストマーが保護されるという遮蔽
効果（分子鎖切断の阻止）と、アミン架橋や、ポリオー
ル架橋のように受酸剤として金属化合物を必要としない
有機過酸化物で架橋したことと、金属元素及びカーボン
ブラックを低減させたこととの相乗効果が有効に作用し
たためと推測される。
【０００８】次に、本発明に使用される材料について記
述する。ふっ素系エラストマーとしては、テトラフルオ
ロエチレン−パーフルオロアルキルエーテル共重合体、
ヘキサフルオロプロピレン−ビニリデンフルオライド共
重合体、ヘキサフルオロプロピレン−ビニリデンフルオ
ライド−テトラフルオロエチレン共重合体、テトラフル
オロエチレン−プロピレン共重合体等のシール材料とし
て通常用いられる公知のふっ素系エラストマーを用いる
ことができる。上記ふっ素系エラストマーは少なくとも
１種または２種以上を用いる。上記ふっ素系エラストマ
ーは、低発塵性の点から、テトラフルオロエチレン−パ
ーフルオロアルキルエーテル共重合体（アルキル基の炭
素は５個以下）、ヘキサフルオロプロピレン−ビニリデ
ンフルオライド共重合体、ヘキサフルオロプロピレン−
ビニリデンフルオライド−テトラフルオロエチレン共重
合体が好ましい。
述する。ふっ素系エラストマーとしては、テトラフルオ
ロエチレン−パーフルオロアルキルエーテル共重合体、
ヘキサフルオロプロピレン−ビニリデンフルオライド共
重合体、ヘキサフルオロプロピレン−ビニリデンフルオ
ライド−テトラフルオロエチレン共重合体、テトラフル
オロエチレン−プロピレン共重合体等のシール材料とし
て通常用いられる公知のふっ素系エラストマーを用いる
ことができる。上記ふっ素系エラストマーは少なくとも
１種または２種以上を用いる。上記ふっ素系エラストマ
ーは、低発塵性の点から、テトラフルオロエチレン−パ
ーフルオロアルキルエーテル共重合体（アルキル基の炭
素は５個以下）、ヘキサフルオロプロピレン−ビニリデ
ンフルオライド共重合体、ヘキサフルオロプロピレン−
ビニリデンフルオライド−テトラフルオロエチレン共重
合体が好ましい。
【０００９】シリカとしては、公知の湿式シリカ、乾式
シリカのどちらも用いることができ、また、両者の併用
系でもよいが、湿式シリカは水分を含んでいるために、
乾式シリカの方が好ましく、特に、半導体製造装置の加
工室内を真空状態にして使用する半導体製造装置用シー
ルには、乾式シリカの方が好ましい。シリカの平均粒子
径は、１〜５０μｍの範囲内程度のものを用いればよい
が、好ましくは１０〜４０μｍの範囲内のものを用い
る。市販品のシリカとしては、日本アエルジル株式会社
製アエロジルＲ９７２、シオノギ製薬社製カープレクッ
スＣＳ−５等が挙げられる。シリカは、ふっ素系エラス
トマー１００重量部に対して、１〜５０重量部、好まし
くは５〜３０重量部用いる。シリカの配合量が１重量部
未満であると、エラストマーの分解が促進され発塵が生
じやすい傾向にある。また、５０重量部よりも多いと発
塵が生じやすくなる傾向にある。
シリカのどちらも用いることができ、また、両者の併用
系でもよいが、湿式シリカは水分を含んでいるために、
乾式シリカの方が好ましく、特に、半導体製造装置の加
工室内を真空状態にして使用する半導体製造装置用シー
ルには、乾式シリカの方が好ましい。シリカの平均粒子
径は、１〜５０μｍの範囲内程度のものを用いればよい
が、好ましくは１０〜４０μｍの範囲内のものを用い
る。市販品のシリカとしては、日本アエルジル株式会社
製アエロジルＲ９７２、シオノギ製薬社製カープレクッ
スＣＳ−５等が挙げられる。シリカは、ふっ素系エラス
トマー１００重量部に対して、１〜５０重量部、好まし
くは５〜３０重量部用いる。シリカの配合量が１重量部
未満であると、エラストマーの分解が促進され発塵が生
じやすい傾向にある。また、５０重量部よりも多いと発
塵が生じやすくなる傾向にある。
【００１０】有機過酸化物としては、公知ものが使用で
き、例えば、ベンゾイルパーオキシド、１，１−ビス−
ｔ−ブチル−パーオキシ−３，３，５−トリメチルシク
ロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シ
クロドデカン、ｎ−ブチル−４，４−ビス−ｔ−ブチル
パーオキシバレレート、ジクミルパーオキサイド、ｔ−
ブチルパーオキシベンゾエト、ジ−（ｔ−ブチル−オキ
シ）ｍ−ジ−イソプロピルベンゼン、２，５−ジメチル
−２，５−ジ−ｔ−ブチルパーオキシヘキサン、２，５
−ジメチル−２，５−ｔ−ブチルパーオキシヘキシン等
が挙げられる。有機過酸化物は、ふっ素系エラストマー
１００重量部に対して、有機過酸化物１〜１０重量部、
好ましくは１〜５重量部用いる。有機過酸化物１重量部
未満であると、十分な架橋がされず発塵が生じやすくな
る。また、１０重量部よりも多いと弾性に乏しくなるた
め、密閉性が悪くなる。
き、例えば、ベンゾイルパーオキシド、１，１−ビス−
ｔ−ブチル−パーオキシ−３，３，５−トリメチルシク
ロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シ
クロドデカン、ｎ−ブチル−４，４−ビス−ｔ−ブチル
パーオキシバレレート、ジクミルパーオキサイド、ｔ−
ブチルパーオキシベンゾエト、ジ−（ｔ−ブチル−オキ
シ）ｍ−ジ−イソプロピルベンゼン、２，５−ジメチル
−２，５−ジ−ｔ−ブチルパーオキシヘキサン、２，５
−ジメチル−２，５−ｔ−ブチルパーオキシヘキシン等
が挙げられる。有機過酸化物は、ふっ素系エラストマー
１００重量部に対して、有機過酸化物１〜１０重量部、
好ましくは１〜５重量部用いる。有機過酸化物１重量部
未満であると、十分な架橋がされず発塵が生じやすくな
る。また、１０重量部よりも多いと弾性に乏しくなるた
め、密閉性が悪くなる。
【００１１】また、本発明における半導体製造装置用シ
ールに用いる組成物には、良好な密閉性を得るために、
架橋助剤を添加することが好ましい。架橋助剤として
は、Ｎ，Ｎ´−ｍ−フェニルジマレイミド、トリアリル
シアヌレート、ジアリルフマレート、ジアリルフタレー
ト、テトラアリルオキシエタン、エチレングリコールア
クリレート、トリエチレングリコールアクリレート、ト
リエチレングリコールジメタアクリレート、テトラエチ
レングリコールジメタアクリレート、ポリエチレングリ
コールジメタアクリレート、トリメチロールプロペント
リメタアクリレート等が例示される。好ましい架橋助剤
としては、Ｎ，Ｎ´−ｍ−フェニルジマレイミド、トリ
アリルシアヌレートである。該架橋助剤の配合量は、テ
トラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルエーテル
共重合体、ヘキサフルオロプロピレン−ビニリデンフル
オライド共重合体、ヘキサフルオロプロピレン−ビニリ
デンフルオライド−テトラフルオロエチレン共重合体の
少なくとも１種または２種以上の１００重量部に対し
て、架橋助剤０．１〜１０重量部、好ましくは０．５〜
５重量部である。
ールに用いる組成物には、良好な密閉性を得るために、
架橋助剤を添加することが好ましい。架橋助剤として
は、Ｎ，Ｎ´−ｍ−フェニルジマレイミド、トリアリル
シアヌレート、ジアリルフマレート、ジアリルフタレー
ト、テトラアリルオキシエタン、エチレングリコールア
クリレート、トリエチレングリコールアクリレート、ト
リエチレングリコールジメタアクリレート、テトラエチ
レングリコールジメタアクリレート、ポリエチレングリ
コールジメタアクリレート、トリメチロールプロペント
リメタアクリレート等が例示される。好ましい架橋助剤
としては、Ｎ，Ｎ´−ｍ−フェニルジマレイミド、トリ
アリルシアヌレートである。該架橋助剤の配合量は、テ
トラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルエーテル
共重合体、ヘキサフルオロプロピレン−ビニリデンフル
オライド共重合体、ヘキサフルオロプロピレン−ビニリ
デンフルオライド−テトラフルオロエチレン共重合体の
少なくとも１種または２種以上の１００重量部に対し
て、架橋助剤０．１〜１０重量部、好ましくは０．５〜
５重量部である。
【００１２】また、本発明における半導体製造装置用シ
ールは、該半導体製造装置用シール１００重量部に対し
て、金属元素を１重量部以下、及び、カーボンブラック
を１重量部以下にせしめる必要がある。金属元素が、金
属酸化物、有機金属化合物等の状態である場合には、こ
れらの化合物中の金属元素のみの重量に換算して該金属
元素の重量を１重量部以下とする。本発明における金属
元素とは、常温、常圧で金属的性質を示す通常の金属で
ある。該半導体製造装置用シール１００重量部に対し
て、金属元素、または、カーボンブラックが１重量部よ
りも多いと発塵が生じやすくなる傾向にある。
ールは、該半導体製造装置用シール１００重量部に対し
て、金属元素を１重量部以下、及び、カーボンブラック
を１重量部以下にせしめる必要がある。金属元素が、金
属酸化物、有機金属化合物等の状態である場合には、こ
れらの化合物中の金属元素のみの重量に換算して該金属
元素の重量を１重量部以下とする。本発明における金属
元素とは、常温、常圧で金属的性質を示す通常の金属で
ある。該半導体製造装置用シール１００重量部に対し
て、金属元素、または、カーボンブラックが１重量部よ
りも多いと発塵が生じやすくなる傾向にある。
【００１３】本発明における半導体製造装置用シール
は、ボイドフリーでなければならない。該シールにボイ
ドがあると、圧縮永久歪みが劣るため、密封性の問題が
生じ、また、ガス透過性にも問題が生じるため、真空状
態下でプラズマ照射するときには使用できないという問
題が生じる。なお、本発明における半導体製造装置用シ
ールは、切断断面を倍率１０倍の拡大手段で観察してボ
イドを検出しなければ「ボイドフリーの状態」として判
定してよい。
は、ボイドフリーでなければならない。該シールにボイ
ドがあると、圧縮永久歪みが劣るため、密封性の問題が
生じ、また、ガス透過性にも問題が生じるため、真空状
態下でプラズマ照射するときには使用できないという問
題が生じる。なお、本発明における半導体製造装置用シ
ールは、切断断面を倍率１０倍の拡大手段で観察してボ
イドを検出しなければ「ボイドフリーの状態」として判
定してよい。
【００１４】本発明における半導体製造装置用シールに
用いる組成物は、圧縮成型、押出成型等の公知の方法に
より成型し、公知の方法にて架橋を施して半導体製造装
置用シールとすればよい。
用いる組成物は、圧縮成型、押出成型等の公知の方法に
より成型し、公知の方法にて架橋を施して半導体製造装
置用シールとすればよい。
【００１５】（実施例１〜３）後記表１に示す組成の半
導体製造装置用シール用組成物を１７５℃で１０分間、
圧縮成型架橋した後、オーブン室内で２００℃で４時間
の２次架橋を行ないＯリング（断面径３．５ｍｍ、Ｏリ
ングの内径２５ｍｍ）を作成した。
導体製造装置用シール用組成物を１７５℃で１０分間、
圧縮成型架橋した後、オーブン室内で２００℃で４時間
の２次架橋を行ないＯリング（断面径３．５ｍｍ、Ｏリ
ングの内径２５ｍｍ）を作成した。
【００１６】
【表１】
【００１７】上記のＯリングにつき、切断断面を倍率１
０倍の拡大鏡でボイドの有無を観察した。また、該Ｏリ
ングにつきプラズマ照射試験を行い、プラズマ照射前後
のシールの重量変化量および発塵の有無を調べた。発塵
の有無は、プラズマ照射後のＯリングの表面を指先で軽
く撫ぜ、指先に付着した異物を目視による観察し、指先
に付着物が見られた場合には、発塵有、見られない場合
は、発塵無とした。なお、プラズマ照射試験は以下の条
件下で行った。 プラズマ照射試験の条件 プラズマ照射雰囲気：酸素プラズマまたはＣＦ４ プラ
ズマ 放電電力：１５０Ｗ 周波数：１３．５６ＭＨｚ 圧力：４０Ｐａ 照射時間：３時間
０倍の拡大鏡でボイドの有無を観察した。また、該Ｏリ
ングにつきプラズマ照射試験を行い、プラズマ照射前後
のシールの重量変化量および発塵の有無を調べた。発塵
の有無は、プラズマ照射後のＯリングの表面を指先で軽
く撫ぜ、指先に付着した異物を目視による観察し、指先
に付着物が見られた場合には、発塵有、見られない場合
は、発塵無とした。なお、プラズマ照射試験は以下の条
件下で行った。 プラズマ照射試験の条件 プラズマ照射雰囲気：酸素プラズマまたはＣＦ４ プラ
ズマ 放電電力：１５０Ｗ 周波数：１３．５６ＭＨｚ 圧力：４０Ｐａ 照射時間：３時間
【００１８】（比較例１〜３）表１で示す割合で添加す
る以外は、上記実施例と同様にしてＯリングを作製し、
実施例と同じ条件でプラズマ照射試験を行った。
る以外は、上記実施例と同様にしてＯリングを作製し、
実施例と同じ条件でプラズマ照射試験を行った。
【００１９】
【効果】本発明における半導体製造装置用シールは、耐
熱性、耐ガス透過性に優れている。また、酸素やＣＦ4
雰囲気下等でプラズマ照射されても優れた安定性を有す
るので、該シールから劣化によって発生する異物が半導
体基板のシリコンウエハーに付着せず、異物付着による
不良半導体製品が激減する。また、従来、シールから発
塵が多く交換が頻繁であったシールの代わりに本発明の
半導体製造装置用シールを用いることで交換の頻度が少
なくなり、メンテナンスが軽減する。さらには、シリコ
ーンゴム系のシールでは不向きであった高真空雰囲気下
の半導体製造装置のシールとして適用することができ、
これにより、耐ガス透過性が向上すると同時にシールの
交換頻度が少なくなる。
熱性、耐ガス透過性に優れている。また、酸素やＣＦ4
雰囲気下等でプラズマ照射されても優れた安定性を有す
るので、該シールから劣化によって発生する異物が半導
体基板のシリコンウエハーに付着せず、異物付着による
不良半導体製品が激減する。また、従来、シールから発
塵が多く交換が頻繁であったシールの代わりに本発明の
半導体製造装置用シールを用いることで交換の頻度が少
なくなり、メンテナンスが軽減する。さらには、シリコ
ーンゴム系のシールでは不向きであった高真空雰囲気下
の半導体製造装置のシールとして適用することができ、
これにより、耐ガス透過性が向上すると同時にシールの
交換頻度が少なくなる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ０８Ｌ 27/18 Ｃ０８Ｌ 27/18 27/20 27/20 Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ
Claims (4)
- 【請求項１】 ふっ素系エラストマー１００重量部に対
して、シリカ１〜５０重量部、有機過酸化物１〜１０重
量部からなる組成物からなる半導体製造装置用シールで
あって、かつ、該半導体製造装置用シール１００重量部
に対して、金属元素を１重量部以下、及び、カーボンブ
ラックを１重量部以下にせしめ、かつ、該半導体製造装
置用シールがボイドフリーであることを特徴とする半導
体製造装置用シール。 - 【請求項２】 上記ふっ素系エラストマーがテトラフル
オロエチレン−パーフルオロアルキルエーテル共重合
体、ヘキサフルオロプロピレン−ビニリデンフルオライ
ド共重合体、ヘキサフルオロプロピレン−ビニリデンフ
ルオライド−テトラフルオロエチレン共重合体の少なく
とも１種または２種以上である特許請求の範囲第１項記
載の半導体製造装置用シール。 - 【請求項３】 上記ふっ素系エラストマー１００重量部
に対して、架橋助剤を０．１〜１０重量部更に含有せし
めてなる特許請求の範囲第１項または第２項記載の半導
体製造装置用シール。 - 【請求項４】 上記シリカが乾式シリカである特許請求
の範囲第１項乃至第３項記載の半導体製造装置用シー
ル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11639893A JP2858198B2 (ja) | 1993-04-19 | 1993-04-19 | 半導体製造装置用シール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11639893A JP2858198B2 (ja) | 1993-04-19 | 1993-04-19 | 半導体製造装置用シール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06302527A JPH06302527A (ja) | 1994-10-28 |
| JP2858198B2 true JP2858198B2 (ja) | 1999-02-17 |
Family
ID=14686060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11639893A Expired - Lifetime JP2858198B2 (ja) | 1993-04-19 | 1993-04-19 | 半導体製造装置用シール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2858198B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007126568A (ja) * | 2005-11-04 | 2007-05-24 | Yunimatekku Kk | 含フッ素エラストマー組成物 |
| WO2010076889A1 (en) | 2008-12-29 | 2010-07-08 | Daikin Industries, Ltd. | Crosslinkable fluorine-containing elastomer composition and molded article made of said composition |
| US8173727B2 (en) | 2001-12-17 | 2012-05-08 | Daikin Industries, Ltd. | Crosslinkable elastomer composition and molded article using the same |
| US10023722B2 (en) * | 2008-04-08 | 2018-07-17 | Greene, Tweed Technologies, Inc. | Oxygen plasma-resistant composition characterized by low sticking, and related methods |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100659955B1 (ko) * | 1998-03-25 | 2006-12-22 | 다이낑 고오교 가부시키가이샤 | 불소함유 엘라스토머의 금속함유량 저감화 방법 |
| DE60028214T2 (de) * | 1999-06-21 | 2007-05-03 | Daikin Industries, Ltd. | Verwendung einer vernetzten elastomerenzusammensetzung zur versiegelung einer halbleiterherstellungsvorrichtung |
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