JP2842388B2 - 表面実装型光モジュール - Google Patents
表面実装型光モジュールInfo
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- JP2842388B2 JP2842388B2 JP8180288A JP18028896A JP2842388B2 JP 2842388 B2 JP2842388 B2 JP 2842388B2 JP 8180288 A JP8180288 A JP 8180288A JP 18028896 A JP18028896 A JP 18028896A JP 2842388 B2 JP2842388 B2 JP 2842388B2
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- Japan
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- light
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は発光素子と受光素子
を備える通信用光モジュールに関し、特に素子を表面実
装した光モジュールに関する。
を備える通信用光モジュールに関し、特に素子を表面実
装した光モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】光通信は光ファイバ、半導体レーザ（Ｌ
Ｄ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）、フォトダイオード
（ＰＤ）を始めとして、光スイッチ、光変調器、アイソ
レータ、光導波路等の受動、能動素子の高性能、高機能
化により応用範囲が拡大されつつある。近年、より多く
の情報を伝達する要求が高まる中で、コンピュータ端末
間、交換器や大型コンピュータ間のデータ伝送を並列に
行う並列伝送、あるいは一般家庭への高度情報サービス
等、加入者系への適用が考えられている。この光加入者
系の場合、光素子はもとより光素子を機能的に構成した
光モジュールの低価格化が不可欠とされている。そのた
めには、光素子をマイクロオプティック的にプロック状
に配列する従来の同軸型のモジュール構成から、複数の
光素子を同一基板上に配列する、いわば電子部品のプリ
ント基板的なモジュール構成が望ましいとされている。
Ｄ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）、フォトダイオード
（ＰＤ）を始めとして、光スイッチ、光変調器、アイソ
レータ、光導波路等の受動、能動素子の高性能、高機能
化により応用範囲が拡大されつつある。近年、より多く
の情報を伝達する要求が高まる中で、コンピュータ端末
間、交換器や大型コンピュータ間のデータ伝送を並列に
行う並列伝送、あるいは一般家庭への高度情報サービス
等、加入者系への適用が考えられている。この光加入者
系の場合、光素子はもとより光素子を機能的に構成した
光モジュールの低価格化が不可欠とされている。そのた
めには、光素子をマイクロオプティック的にプロック状
に配列する従来の同軸型のモジュール構成から、複数の
光素子を同一基板上に配列する、いわば電子部品のプリ
ント基板的なモジュール構成が望ましいとされている。
【０００３】図３は、ＬＤと、ＬＤ光モニタ用ＰＤと光
ファイバからなる平面型送信モジュールの一例を示す図
である。実装基板２１に設けられたＶ溝２２に光ファイ
バ２３の端部が固定され、前記実装基板２１に表面実装
したＬＤ２４から出射されたレーザ光がこの光ファイバ
２３の端面から入射されるようにＬＤ２４の発光端面光
ファイバ２３の一端面に対向させて実装基板に搭載す
る。また、このＬＤ２４からの出射光強度を一定に保つ
ために、ＬＤ２４の反対側端面から出射されるレーザ光
をモニタするための表面受光型のＰＤ２６は、その受光
面２６ａがＬＤ２４の反対側端面に対向されるように、
前記実装基板２１とは別に設けられたＰＤ基板２５に実
装される。
ファイバからなる平面型送信モジュールの一例を示す図
である。実装基板２１に設けられたＶ溝２２に光ファイ
バ２３の端部が固定され、前記実装基板２１に表面実装
したＬＤ２４から出射されたレーザ光がこの光ファイバ
２３の端面から入射されるようにＬＤ２４の発光端面光
ファイバ２３の一端面に対向させて実装基板に搭載す
る。また、このＬＤ２４からの出射光強度を一定に保つ
ために、ＬＤ２４の反対側端面から出射されるレーザ光
をモニタするための表面受光型のＰＤ２６は、その受光
面２６ａがＬＤ２４の反対側端面に対向されるように、
前記実装基板２１とは別に設けられたＰＤ基板２５に実
装される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような送信モジュ
ールでは、ＬＤ２４は実装基板１１上に位置合わせマー
カの画像認識等を利用して位置決めされるため、その位
置精度には極めて高いものが得られる。また、光ファイ
バ２３は実装基板２１に形成されているＶ溝２２により
位置決めが行われため、実装基板２１に対して高精度に
位置決めされる。これに対し、ＬＤ光モニタ用のＰＤ２
６は表面受光型であるため、ＬＤ２４からの出射光を受
光するためには実装基板２１に表面実装することはでき
ず、そのため、このＰＤ２６は受光光路を約９０度変換
した状態に実装する必要があり、同図に示したように実
装基板２１とは９０度の角度方向に向けられた専用のＰ
Ｄ実装基板２５に実装されている。したがって、実装基
板２１に対してＰＤ実装基板２５を高精度に位置決めす
る必要があり、そのための位置決めが極めて困難なもの
となる。また、実装基板２１とＰＤ実装基板２５との間
を電気接続するための二次元配線が必要となり、部品や
実装コストが高くなるという問題もある。
ールでは、ＬＤ２４は実装基板１１上に位置合わせマー
カの画像認識等を利用して位置決めされるため、その位
置精度には極めて高いものが得られる。また、光ファイ
バ２３は実装基板２１に形成されているＶ溝２２により
位置決めが行われため、実装基板２１に対して高精度に
位置決めされる。これに対し、ＬＤ光モニタ用のＰＤ２
６は表面受光型であるため、ＬＤ２４からの出射光を受
光するためには実装基板２１に表面実装することはでき
ず、そのため、このＰＤ２６は受光光路を約９０度変換
した状態に実装する必要があり、同図に示したように実
装基板２１とは９０度の角度方向に向けられた専用のＰ
Ｄ実装基板２５に実装されている。したがって、実装基
板２１に対してＰＤ実装基板２５を高精度に位置決めす
る必要があり、そのための位置決めが極めて困難なもの
となる。また、実装基板２１とＰＤ実装基板２５との間
を電気接続するための二次元配線が必要となり、部品や
実装コストが高くなるという問題もある。
【０００５】本発明の目的は、ＰＤの高精度な位置決め
とその実装を容易に行うことを可能とし、かつ低コスト
化を実現した表面実装型光モジュールを提供することに
ある。
とその実装を容易に行うことを可能とし、かつ低コスト
化を実現した表面実装型光モジュールを提供することに
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、実装基板の表
面に沿って伝送される光を受光するための受光素子を備
える光モジュールにおいて、表面受光型の受光素子はそ
の受光面が伝送される光よりも高い位置において実装基
板に対向されるように実装基板に表面実装され、かつこ
の受光面に対向される実装基板の表面上には伝送される
光を反射する反射バンプを有することを特徴とする。ま
た、本発明を送信用光モジュールとして構成する場合に
は、端面発光型の発光素子と、この発光素子の出射光を
受光する表面受光型の受光素子とが同一実装基板上に平
面配置され、受光素子の受光面は実装基板上において出
射光よりも高位置に設定され、かつこの受光面に対向す
る実装基板の表面上に半球状の金属バンプからなる反射
バンプが形成されていることを特徴とする。また、発光
素子および受光素子は金属バンプにより実装基板に固定
されることが好ましい。
面に沿って伝送される光を受光するための受光素子を備
える光モジュールにおいて、表面受光型の受光素子はそ
の受光面が伝送される光よりも高い位置において実装基
板に対向されるように実装基板に表面実装され、かつこ
の受光面に対向される実装基板の表面上には伝送される
光を反射する反射バンプを有することを特徴とする。ま
た、本発明を送信用光モジュールとして構成する場合に
は、端面発光型の発光素子と、この発光素子の出射光を
受光する表面受光型の受光素子とが同一実装基板上に平
面配置され、受光素子の受光面は実装基板上において出
射光よりも高位置に設定され、かつこの受光面に対向す
る実装基板の表面上に半球状の金属バンプからなる反射
バンプが形成されていることを特徴とする。また、発光
素子および受光素子は金属バンプにより実装基板に固定
されることが好ましい。
【０００７】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。図１は本発明の第１実施形態の送信
用光モジュールの断面構造を示す図である。シリコン実
装基板１１にはシリコン結晶の結晶方位と異方性エッチ
ング技術とによって所要角度のＶ溝１２が形成され、こ
のＶ溝１２に光ファイバ１３の一端部が位置決めされた
状態で固定されている。また、前記光ファイバ１３の一
端部に対向する実装基板１１の表面には金属薄膜により
図外の電極が形成され、この電極にＡｕＳｎ等の金属バ
ンプ１５を用いて端面発光型のＬＤ１４が表面実装され
る。このＬＤ１４は両端面からＬＤ光を出射する構成で
あり、その一方の端面が前記光ファイバ１３に対向位置
され、かつその端面から出射されるＬＤ光の出射光軸は
前記実装基板１１の表面に近い高さ位置となるように設
定され、かつこのＬＤ光の光軸に対して前記光ファイバ
１３の光軸が一致される。なお、この例では、ＬＤ１４
は１〜２μｍの寸法精度で実装基板１１に実装される必
要があるため、前記金属バンプ１５には２０μｍ程度の
高さ寸法の金属バンプが用いられる。このため、ＬＤ１
４の光軸はチップ下面から５μｍの高さ位置であるた
め、結果としてＬＤ１４の光軸は実装基板１１の表面か
ら２５μｍの位置となる。
参照して説明する。図１は本発明の第１実施形態の送信
用光モジュールの断面構造を示す図である。シリコン実
装基板１１にはシリコン結晶の結晶方位と異方性エッチ
ング技術とによって所要角度のＶ溝１２が形成され、こ
のＶ溝１２に光ファイバ１３の一端部が位置決めされた
状態で固定されている。また、前記光ファイバ１３の一
端部に対向する実装基板１１の表面には金属薄膜により
図外の電極が形成され、この電極にＡｕＳｎ等の金属バ
ンプ１５を用いて端面発光型のＬＤ１４が表面実装され
る。このＬＤ１４は両端面からＬＤ光を出射する構成で
あり、その一方の端面が前記光ファイバ１３に対向位置
され、かつその端面から出射されるＬＤ光の出射光軸は
前記実装基板１１の表面に近い高さ位置となるように設
定され、かつこのＬＤ光の光軸に対して前記光ファイバ
１３の光軸が一致される。なお、この例では、ＬＤ１４
は１〜２μｍの寸法精度で実装基板１１に実装される必
要があるため、前記金属バンプ１５には２０μｍ程度の
高さ寸法の金属バンプが用いられる。このため、ＬＤ１
４の光軸はチップ下面から５μｍの高さ位置であるた
め、結果としてＬＤ１４の光軸は実装基板１１の表面か
ら２５μｍの位置となる。
【０００８】一方、前記ＬＤ１４の反対側の端面に対向
するように、表面受光型のＬＤ光モニタ用のＰＤ１６が
前記実装基板１１に表面実装される。このＰＤ１６の実
装に際しては、実装基板１１に設けられた図外の電極を
利用した金属バンプ１７を用いており、しかもそのとき
にＰＤ１６の受光面が実装基板１１の表面と対向するよ
うに下方に向けて実装を行っている。この場合、ＰＤ１
６はＬＤ１４の出射光の一部を受光すれば良いために、
その位置精度は５μｍ程度であれば十分であり、金属バ
ンプ１７には８０〜１００μｍ程度の高さ寸法の金属バ
ンプを用いることが可能である。これにより、ＰＤ１６
の受光面１６ａの高さ位置は、ＬＤ１４の出射光の光軸
位置よりも高い位置となる。そして、前記実装基板１１
の表面の前記ＰＤ１６の直下位置、すなわちその受光面
１６ａの略直下位置には、図外の電極が形成されてお
り、この電極上に高さが５０μｍ程度の半球状の金属バ
ンプ、すなわち反射バンプ１８が形成されている。
するように、表面受光型のＬＤ光モニタ用のＰＤ１６が
前記実装基板１１に表面実装される。このＰＤ１６の実
装に際しては、実装基板１１に設けられた図外の電極を
利用した金属バンプ１７を用いており、しかもそのとき
にＰＤ１６の受光面が実装基板１１の表面と対向するよ
うに下方に向けて実装を行っている。この場合、ＰＤ１
６はＬＤ１４の出射光の一部を受光すれば良いために、
その位置精度は５μｍ程度であれば十分であり、金属バ
ンプ１７には８０〜１００μｍ程度の高さ寸法の金属バ
ンプを用いることが可能である。これにより、ＰＤ１６
の受光面１６ａの高さ位置は、ＬＤ１４の出射光の光軸
位置よりも高い位置となる。そして、前記実装基板１１
の表面の前記ＰＤ１６の直下位置、すなわちその受光面
１６ａの略直下位置には、図外の電極が形成されてお
り、この電極上に高さが５０μｍ程度の半球状の金属バ
ンプ、すなわち反射バンプ１８が形成されている。
【０００９】この構成によれば、ＬＤ１４の一端面から
出射されたＬＤ光は、実装基板１１の表面に沿って伝送
（進行）されて光ファイバ１３の一端面に入射され、光
ファイバ１３を介して伝送される。また、ＬＤ１４の他
端面から出射されたＬＤ光は、実装基板１１の表面に沿
って光ファイバ１３とは反対方向に伝送され、その一部
は反射バンプ１８に投射され、ここで反射される。そし
て、反射されたＬＤ光のうち、上方に向けて反射された
ＬＤ光はＰＤ１６の受光面１６ａに投射され、ここで受
光される。これにより、ＬＤ１４から出射されるＬＤ光
をＰＤ１６においてモニタし、このモニタ出力を利用す
ることでＬＤ１４におけるＬＤ光強度等の制御等が実現
される。
出射されたＬＤ光は、実装基板１１の表面に沿って伝送
（進行）されて光ファイバ１３の一端面に入射され、光
ファイバ１３を介して伝送される。また、ＬＤ１４の他
端面から出射されたＬＤ光は、実装基板１１の表面に沿
って光ファイバ１３とは反対方向に伝送され、その一部
は反射バンプ１８に投射され、ここで反射される。そし
て、反射されたＬＤ光のうち、上方に向けて反射された
ＬＤ光はＰＤ１６の受光面１６ａに投射され、ここで受
光される。これにより、ＬＤ１４から出射されるＬＤ光
をＰＤ１６においてモニタし、このモニタ出力を利用す
ることでＬＤ１４におけるＬＤ光強度等の制御等が実現
される。
【００１０】このように、この実施形態では表面受光型
のＰＤ１６を端面発光型のＬＤ１４と並べて表面実装し
てもＬＤ光を受光することが可能となる。したがって、
ＰＤ１６をＬＤ１４と同様な手法により実装基板１１に
対して表面実装することができ、実装作業の容易化を図
るとともに、位置精度の高い実装が可能となる。また、
反射バンプ１８に対するＰＤ１６の位置決めも容易に行
うことができる。さらに、ＰＤ１６に対する電気配線は
電極と共に実装基板１１に形成した図外の金属配線パタ
ーンをそのまま利用することができ、しかも実装基板１
１とは別のＰＤ実装基板が不要であるため、部品点数か
削減できるとともに配線作業が不要であり、低コスト化
が可能となる。
のＰＤ１６を端面発光型のＬＤ１４と並べて表面実装し
てもＬＤ光を受光することが可能となる。したがって、
ＰＤ１６をＬＤ１４と同様な手法により実装基板１１に
対して表面実装することができ、実装作業の容易化を図
るとともに、位置精度の高い実装が可能となる。また、
反射バンプ１８に対するＰＤ１６の位置決めも容易に行
うことができる。さらに、ＰＤ１６に対する電気配線は
電極と共に実装基板１１に形成した図外の金属配線パタ
ーンをそのまま利用することができ、しかも実装基板１
１とは別のＰＤ実装基板が不要であるため、部品点数か
削減できるとともに配線作業が不要であり、低コスト化
が可能となる。
【００１１】なお、反射バンプ１８は、ＬＤ１４やＰＤ
１６の各金属バンプ１５，１７と同様な手法、例えば電
極上に金属をメッキし、このメッキを溶融させてその表
面張力で半球状に形成する手法が利用できる。このた
め、特殊なマイクロレンズやマイクロミラーを用いて前
記したような光の反射を行うような場合に比較しても、
これらの部品が不要となり、かつそのための取付作業が
不要とされることになり、さらなる低コスト化および製
造の容易化が実現できる。
１６の各金属バンプ１５，１７と同様な手法、例えば電
極上に金属をメッキし、このメッキを溶融させてその表
面張力で半球状に形成する手法が利用できる。このた
め、特殊なマイクロレンズやマイクロミラーを用いて前
記したような光の反射を行うような場合に比較しても、
これらの部品が不要となり、かつそのための取付作業が
不要とされることになり、さらなる低コスト化および製
造の容易化が実現できる。
【００１２】図２は本発明の第２の実施形態の断面構造
を示す図であり、第１の実施形態と等価な部分には同一
符号を付してある。この実施形態では、光伝送路として
光ファイバに代えて光導波路１９を用いており、端面発
光型のＬＤ１４から出射されたＬＤ光を光導波路１９に
入射させてその伝送を行うものである。この実施形態に
おいても、ＬＤ１４の反対側の端面から出射されるＬＤ
光を、表面受光型のＰＤ１６の受光面１６ａの直下に設
けた反射バンプ１８によって反射させて受光させている
ため、ＰＤ１６の表面実装を可能とし、ＰＤ１６を高精
度にかつ容易に実装することができる。また、ＬＤ光を
反射するために金属バンプで構成される反射バンプ１８
を用いているために、製造を容易にしかも低コストに行
うことができる。
を示す図であり、第１の実施形態と等価な部分には同一
符号を付してある。この実施形態では、光伝送路として
光ファイバに代えて光導波路１９を用いており、端面発
光型のＬＤ１４から出射されたＬＤ光を光導波路１９に
入射させてその伝送を行うものである。この実施形態に
おいても、ＬＤ１４の反対側の端面から出射されるＬＤ
光を、表面受光型のＰＤ１６の受光面１６ａの直下に設
けた反射バンプ１８によって反射させて受光させている
ため、ＰＤ１６の表面実装を可能とし、ＰＤ１６を高精
度にかつ容易に実装することができる。また、ＬＤ光を
反射するために金属バンプで構成される反射バンプ１８
を用いているために、製造を容易にしかも低コストに行
うことができる。
【００１３】なお、前記各実施形態では、実装基板とし
てシリコン基板を用いているが、アルミナ等の絶縁基板
を用いた場合でも同じである。また、金属バンプとして
はＰｂＳｎ等の他の金属を用いることも可能である。
てシリコン基板を用いているが、アルミナ等の絶縁基板
を用いた場合でも同じである。また、金属バンプとして
はＰｂＳｎ等の他の金属を用いることも可能である。
【００１４】また、前記各実施形態では、本発明を送信
用光モジュールに適用しているが、光ファイバや光導波
路と、これらを伝送されてきた光を受光するためＰＤと
を光結合して受信用光モジュールを構成する場合にも本
発明を適用することが可能である。
用光モジュールに適用しているが、光ファイバや光導波
路と、これらを伝送されてきた光を受光するためＰＤと
を光結合して受信用光モジュールを構成する場合にも本
発明を適用することが可能である。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、表
面受光型の受光素子を表面実装するとともに、この受光
素子の受光面に対向する位置の実装基板に反射バンプを
形成しているので、実装基板に沿って伝送される光を反
射バンプにより反射させて受光面において受光すること
が可能となる。このため、受光素子を実装基板に表面実
装して光モジュールを構成することができ、受光素子の
実装が容易なものにできるとともに、受光素子への配線
を簡略化して低コスト化が可能となる。また、反射バン
プとして受光素子を実装するための金属バンプを利用す
ることで、反射バンプを素子の実装と同時に形成するこ
とができ、しかもマイクロレンズやマイクロミラー等の
特殊な光学部品が不要となり、低コスト化をさらに促進
することができる。
面受光型の受光素子を表面実装するとともに、この受光
素子の受光面に対向する位置の実装基板に反射バンプを
形成しているので、実装基板に沿って伝送される光を反
射バンプにより反射させて受光面において受光すること
が可能となる。このため、受光素子を実装基板に表面実
装して光モジュールを構成することができ、受光素子の
実装が容易なものにできるとともに、受光素子への配線
を簡略化して低コスト化が可能となる。また、反射バン
プとして受光素子を実装するための金属バンプを利用す
ることで、反射バンプを素子の実装と同時に形成するこ
とができ、しかもマイクロレンズやマイクロミラー等の
特殊な光学部品が不要となり、低コスト化をさらに促進
することができる。
【図１】本発明の光モジュールの第１の実施形態の断面
構成図である。
構成図である。
【図２】本発明の光モジュールの第２の実施形態の断面
構成図である。
構成図である。
【図３】従来の光モジュールの一例の断面構成図であ
る。
る。
１１ シリコン実装基板 １２ Ｖ溝 １３ 光ファイバ １４ ＬＤ（レーザダイオード） １５，１７ 金属バンプ １６ ＰＤ（レーザモニタ用フォトダイオード） １８ 反射バンプ １９ 光導波路
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G02B 6/42 G02B 6/26
Claims (5)
- 【請求項１】 実装基板の表面に沿って伝送される光を
受光するための表面受光型の受光素子を備える光モジュ
ールにおいて、前記受光素子はその受光面が前記伝送さ
れる光よりも高い位置において前記実装基板に対向され
た状態で実装基板に表面実装され、かつ前記受光面に対
向される前記実装基板の表面上に前記伝送される光を反
射する反射バンプを有することを特徴とする表面実装型
光モジュール。 - 【請求項２】 端面発光型の発光素子と、この発光素子
の出射光を受光する表面受光型の受光素子とが同一実装
基板上に平面配置され、前記受光素子の受光面は前記実
装基板上において前記出射光よりも高位置に設定され、
かつこの受光面に対向する前記実装基板の表面上に半球
状の金属バンプからなる反射バンプが形成されているこ
とを特徴とする表面実装型光モジュール。 - 【請求項３】 端面発光型光素子の一端面からの出射光
が入射される光ファイバまたは光導波路からなる光伝送
手段が設けられ、受光素子は前記発光素子の他端面から
の出射光を受光する請求項２の表面実装型光モジュー
ル。 - 【請求項４】 発光素子および受光素子は金属バンプに
より実装基板に固定される請求項３の表面実装型光モジ
ュール。 - 【請求項５】 受光素子を実装する金属バンプは、発光
素子を実装する金属バンプよりも大径である請求項４の
表面実装型光モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8180288A JP2842388B2 (ja) | 1996-07-10 | 1996-07-10 | 表面実装型光モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8180288A JP2842388B2 (ja) | 1996-07-10 | 1996-07-10 | 表面実装型光モジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1026714A JPH1026714A (ja) | 1998-01-27 |
| JP2842388B2 true JP2842388B2 (ja) | 1999-01-06 |
Family
ID=16080598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8180288A Expired - Fee Related JP2842388B2 (ja) | 1996-07-10 | 1996-07-10 | 表面実装型光モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2842388B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8787764B2 (en) | 2006-10-31 | 2014-07-22 | Hitachi Metals, Ltd. | Photoelectric composite wiring component and electronic apparatus using the photoelectric composite wiring component |
| US10541234B2 (en) | 2016-09-20 | 2020-01-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical semiconductor module and method of manufacturing the same |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002073256A1 (fr) * | 2001-02-28 | 2002-09-19 | Nec Corporation | Circuit optique et son procede de production, circuit optique en reseau, et dispositif a circuit optique l'utilisant |
-
1996
- 1996-07-10 JP JP8180288A patent/JP2842388B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8787764B2 (en) | 2006-10-31 | 2014-07-22 | Hitachi Metals, Ltd. | Photoelectric composite wiring component and electronic apparatus using the photoelectric composite wiring component |
| US10541234B2 (en) | 2016-09-20 | 2020-01-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical semiconductor module and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1026714A (ja) | 1998-01-27 |
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