JP2841876B2 - 半導体受光素子 - Google Patents
半導体受光素子Info
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Description
於て用いられる半導体受光素子に関する。
処理用の高感度受光器として実用化され、中でも大容量
長距離光通信用の波長1.55μmに対する半導体受光
素子の材料としてInGaAsが広く使われている。
イオードは、図3に示すように、n型InP基板12上
に、n型InPバッファ層2、n型InGaAs光吸収
層3、n型InP層4が積層され、n型InP層中にp
領域が形成された構造になっている。このInGaAs
を使ったPINホトダイオードの超高速応答を実現する
ためには、キャリア走行時間を短縮するために光吸収層
3を薄くすること、及びpn接合容量を小さくすること
が必要となる。しかし走行時間の短縮のために光吸収層
を薄くすると、応答速度が改善される一方、吸収されず
に透過する光が多くなるため量子効率が下がる。
μm以下の薄い光吸収層を持つPINホトダイオードの
場合、受光部から入射した1.55μmの光はn−In
GaAs光吸収層内で吸収されるが、この光吸収層が2
μm以下と薄い場合、吸収しきれずに一部透過してしま
い、結果として量子効率が低下するという問題点があっ
た。
は、n−InGaAs光吸収層に挟まれたn−InP層
の内部にp−InP領域を有している。
説明する。図2に受光素子の形成工程を示す。半絶縁性
InP基板1上にn−InPバッファ層2,n−InG
aAs光吸収層3,n−InP層4を順次成長させる
(図2(a))。この状態でn−InP層中に図2
(b),(c)((c)は平面図)に示すハッチングを
施した部分にFIBを用いてp領域5を形成した後、再
びn−InGaAs光吸収層3,n−InPキャップ層
6をエピタキシャル成長させる(図2(d))。この状
態で半分をInPバッファ層2までエッチングし、もう
半分を半絶縁性基板1までメサエッチを行なう(図2
(e))。この後全面に表面保護膜7を成長した後p−
InP層5の傾斜部分から下の基板1までストライプ状
のp側電極8を、またn−InPキャップ層6とn−I
nPバッファ層2にオーミック電極9を設け、この2つ
のコンタクトを結んでn側電極10を形成する。この様
にして形成された半導体受光素子の断面を図1(a)に
平面図を図1(b)に示す。
ドでは、n−InPキャップ層6から入射した1.55
μmの光は上のn−InGaAs光吸収層3で吸収され
るが、吸収されずに透過した光はp−InP層5を透過
した後、下のn−InGaAs光吸収層3にて吸収され
ることになる。このときp側電極8、n側電極10に逆
バイアス状態となる様に電圧をかけることにより空乏層
はp−InP層5の上下に設けたn−InGaAs層3
に広がるため、上下のn−InGaAs層3で発生した
キャリアを信号として取り出すことができる。このた
め、n−InGaAs光吸収層中の走行時間を速くさせ
ることができる上、充分な量子効率が得られる。
径を受光径と同じ大きさにすることによってpn接合容
量を減すことができる。
をp領域を含むn−InP層の上下に配することによっ
て、キャリアの走行時間による高速応答劣化を防ぐこと
ができる上、光吸収層を薄くしたため生じる量子効率の
低下を2層の光吸収層で受けるため防ぐことができる。
また2層の光吸収層の間に設けたn−InP層中のp領
域を受光径と同じ大きさにすることによってpn接合容
量を小さくさせることができ、より高速応答が可能とな
る。
Claims (1)
- 【請求項1】 n−InP層をn−InGaAs光吸収
層で挟み、このn−InP層の内部にp−InP領域を
備えたことを特徴とする半導体受光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3001382A JP2841876B2 (ja) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | 半導体受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3001382A JP2841876B2 (ja) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | 半導体受光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04297074A JPH04297074A (ja) | 1992-10-21 |
JP2841876B2 true JP2841876B2 (ja) | 1998-12-24 |
Family
ID=11499936
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3001382A Expired - Fee Related JP2841876B2 (ja) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | 半導体受光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2841876B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5818673B2 (ja) * | 2011-12-21 | 2015-11-18 | 日本オクラロ株式会社 | 光モジュール |
-
1991
- 1991-01-10 JP JP3001382A patent/JP2841876B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04297074A (ja) | 1992-10-21 |
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Legal Events
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