JP2839682B2 - Gamma correction circuit - Google Patents

Gamma correction circuit

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JP2839682B2
JP2839682B2 JP25771990A JP25771990A JP2839682B2 JP 2839682 B2 JP2839682 B2 JP 2839682B2 JP 25771990 A JP25771990 A JP 25771990A JP 25771990 A JP25771990 A JP 25771990A JP 2839682 B2 JP2839682 B2 JP 2839682B2
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Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) この発明は、例えばテレビジョン伝送系で非線形信号
処理を行うためのガンマ補正回路に関し、特にそのガン
マ補正カーブの近似手段に係わるものである。
The present invention relates to a gamma correction circuit for performing non-linear signal processing in, for example, a television transmission system, and particularly to a gamma correction curve approximating means. It is concerned.

(従来の技術) 第7図は、ガンマ補正回路の簡略図である。入力電流
源11の端子a,b間には、抵抗R0が接続されている。さら
に端子a,b間には、抵抗R1とダイオードD1と電圧源E1の
直列回路S1が接続されている。またこの直列回路S1と同
様な回路Snが並列に接続されている。そして端子a,b間
に出力電圧V0が得られる。
FIG. 7 is a simplified diagram of a gamma correction circuit. A resistor R0 is connected between the terminals a and b of the input current source 11. Furthermore, a series circuit S1 of a resistor R1, a diode D1, and a voltage source E1 is connected between the terminals a and b. A circuit Sn similar to the series circuit S1 is connected in parallel. Then, an output voltage V0 is obtained between the terminals a and b.

ここで、各直列回路S1〜Snの電圧源E1〜Enの関係は、 E1<E2<…<En …(1) である。 Here, the relationship between the voltage sources E1 to En of the series circuits S1 to Sn is E1 <E2 <... <En (1).

上記のガンマ補正回路は、折れ線近似方式によりガン
マ特性を得るもので出力電圧V0と入力電流Iinの関係で
示すと、第8図に示す特性となる。
The above-described gamma correction circuit obtains gamma characteristics by a polygonal line approximation method, and has the characteristics shown in FIG. 8 when represented by the relationship between the output voltage V0 and the input current Iin.

今、ダイオードは全てスレッショルド電圧が非常に小
さく、オン抵抗も無視できるものとする。入力電流Iin
が小さいときは、ダイオードD1〜Dnは全てオフしている
ので、入力電流Iinは全て抵抗R0に流れ、出力電圧V0
は、 V0=R0Iin …(2) となる。入力電流Iinが増加し出力電圧V0がE1を越える
と、ダイオードD1はオンし、出力電圧V0は V0=(R0R1)Iin …(3) となる。さらに入力電流Iinが次第に増加し出力電圧V0
がEnを越えると、出力電圧V0は V0=(R0R1…Rn)Iin …(4) となる。このようにして、第8図に示すような折れ線近
似のガンマ補正カーブを得ることができる。
Now, assume that all diodes have very low threshold voltages and negligible on-resistance. Input current Iin
Is small, the diodes D1 to Dn are all off, so that all the input current Iin flows through the resistor R0 and the output voltage V0
Is as follows: V0 = R0Iin (2) When the input current Iin increases and the output voltage V0 exceeds E1, the diode D1 turns on, and the output voltage V0 becomes V0 = (R0R1) Iin (3). Further, the input current Iin gradually increases and the output voltage V0
Exceeds En, the output voltage V0 becomes V0 = (R0R1... Rn) Iin... (4). In this way, a gamma correction curve approximated by a polygonal line as shown in FIG. 8 can be obtained.

この折れ線近似したガンマ補正カーブは、一般に、あ
る折れ線区間内での理想的なガンマ補正カーブからの誤
差εnの最大値εnmaxとすると、 ε1max=ε2max=ε3max=…=εnmax …(5) となるように抵抗Rnと電圧源En(n=1〜n)が設定さ
れる。
Generally, the gamma correction curve approximated by the broken line is expressed as follows: ε1max = ε2max = ε3max =... = Εnmax (5), where the maximum value εnmax of the error εn from the ideal gamma correction curve within a certain broken line section , A resistor Rn and a voltage source En (n = 1 to n) are set.

このようにすることで、必要とする入力電流Iinの範
囲内において、折れ線近似カーブの理想的ガンマ補正カ
ーブからの誤差を最も少なくすることができる。
By doing so, the error of the polygonal line approximation curve from the ideal gamma correction curve can be minimized within the required input current Iin range.

例えばn=1、すなわち1点折れ線近似で折れ線がx
=x0でγ=1/2.2の理想的ガンマ補正カーブに内接した
とすると、正規化した入出力範囲において、 の3点で接するので、理想的なガンマ補正カーブと第1
区間の直線および第2区間の直線の式は と表せ、第1および第2区間での理想的ガンマ補正カー
ブからのずれε1、ε2はそれぞれ となるので、各区間内での最大値ε1max、ε2maxは から、 となる。
For example, n = 1, that is, the polygonal line is x by one-point polygonal line approximation.
= X0 and inscribed in an ideal gamma correction curve of γ = 1 / 2.2, in the normalized input / output range, Contact at three points, the ideal gamma correction curve and the first
The formula of the straight line of the section and the straight line of the second section is The deviations ε1 and ε2 from the ideal gamma correction curves in the first and second sections are respectively Therefore, the maximum values ε1max and ε2max in each section are From Becomes

ここでε1max=ε2maxと置いて x0=0.093 [∴(7)式からy0=0.340] …(11) 従って、正規化した抵抗R0、R1と電圧源E1は、(2)
式、(3)式から R0=3.65 R1=0.91 E1=0.34 …(12) となる。
Here, assuming that ε1max = ε2max, x0 = 0.093 [from equation (7), y0 = 0.340] (11) Accordingly, the normalized resistances R0 and R1 and the voltage source E1 are represented by (2)
From the equation (3), R0 = 3.65 R1 = 0.91 E1 = 0.34 (12)

これらの値は、正規化したものであるから、それぞれ
スケーリング係数を掛けることにより簡単に実際の定数
が得られる。また、以上の説明で無視してきたダイオー
ドのスレッショルド電圧は、例えばシリコンの場合は、
約0.7Vであり、オン抵抗も無視できないが、その分電圧
源E1と抵抗R1を小さくすればよい。さらに。計算は複雑
になるが、複数の折れ点による近似も同様に計算でき
る。
Since these values are normalized, actual constants can be easily obtained by multiplying them by a scaling factor. In addition, the threshold voltage of the diode ignored in the above description is, for example, in the case of silicon,
Although it is about 0.7 V and the on-resistance cannot be ignored, the voltage source E1 and the resistance R1 may be reduced accordingly. further. Although the calculation becomes complicated, the approximation using a plurality of break points can be calculated in the same manner.

更に、以上は折れ線近似カーブが理想的ガンマ補正カ
ーブに内接する場合の設定方法について説明したが、こ
の他にも外接させたり、内接と外接の中線で近似する方
法がある。外接の場合は、設定条件は内接と同じ式
(5)で表せるが、内接と外接の中線で近似する場合
は、ある折れ線区間内での理想的なガンマ補正カーブか
らの誤差εnの最大値εnmaxの絶対値を|εnmax|とす
ると、 |ε1max|=|ε2max|=…=|εnmax| …(13) とすればよい。この場合、誤差は正負に分配されるの
で、他の2つの誤差設定方法に比べて最大誤差の絶対値
は小さくなる。
Further, the setting method in the case where the polygonal line approximation curve is inscribed in the ideal gamma correction curve has been described above. However, there are other methods of circumscribing or approximating by an inscribed and circumscribed midline. In the case of the circumscribed, the setting condition can be expressed by the same equation (5) as that of the inscribed. However, in the case of approximation by the inscribed and circumscribed midline, the error εn from the ideal gamma correction curve in a certain polygonal line section is obtained. If the absolute value of the maximum value εnmax is | εnmax |, then | ε1max | = | ε2max | =... = | Εnmax | (13) In this case, the error is distributed positively and negatively, so that the absolute value of the maximum error is smaller than in the other two error setting methods.

このように従来の折れ線近似法によれば、必要とする
入出力範囲において、誤差を最小にすることができると
いう利点があった。
As described above, according to the conventional polygonal line approximation method, there is an advantage that an error can be minimized in a required input / output range.

しかしながら、実際に回路を構成した場合、特にIC化
した場合、問題がある。
However, there is a problem when the circuit is actually configured, particularly when the circuit is formed into an IC.

即ち、実際の回路では抵抗、ダイオードおよび電圧源
の電圧のばらつきがある。このばらつきはガンマ補正カ
ーブのスタートポイントに近いほど、誤差への影響が大
きい。例えば第7図において、抵抗のばらつきによる誤
差への影響度は、 R0>R1>…>Rn …(14) の順である。またダイオードおよび電圧源の電圧による
影響度も同様に D0>D1>…>Dn E0>E1>…>En …(15) の順に大きい。
That is, in an actual circuit, there are variations in the voltages of the resistor, the diode, and the voltage source. This variation has a greater influence on the error as it approaches the start point of the gamma correction curve. For example, in FIG. 7, the degree of influence of the variation in resistance on the error is in the order of R0> R1 >> Rn (14). Similarly, the degree of influence by the voltage of the diode and the voltage source is also large in the order of D0>D1>...> Dn E0>E1>...> En (15).

これは、スタートポイントに近い部分のばらつきは、
それ以降の部分に対して累積されていくからである。
This is because the variation near the start point is
This is because the subsequent parts are accumulated.

従って、スタートポイントに近い部分ほど高精度の抵
抗やダイオードを必要とするのでコスト高になってしま
う欠点がある。また、高精度の抵抗やダイオードを使わ
ずに個別調整を行おうとすると部品代は安くて済むが、
調整費用がかかるので、やはりコスト高になる。また、
回路をIC化した場合、個別部品のように調整ができない
ので、ばらつきが増えた分、歩留まり低下となりコスト
高になるのは勿論のこと最悪の場合、IC化を諦めねばな
らなくなる。
Accordingly, there is a disadvantage that the cost is increased because a resistor or a diode with higher precision is required in a portion closer to the start point. Also, if you try to make individual adjustments without using high-precision resistors and diodes, the parts cost can be reduced, but
Since the adjustment cost is required, the cost is also high. Also,
When the circuit is formed into an IC, adjustment cannot be performed as in the case of individual components. Therefore, the increase in variation leads to a decrease in yield and an increase in cost, and in the worst case, the IC must be given up.

(発明が解決しようとする課題) 以上説明したように、従来のガンマ補正カーブの折れ
線近似において、誤差設定を行う方法は、折れ線のスタ
ートポイントに近い部分の入出力特性を決める回路要素
ほど、ばらつきによる誤差への影響が大きく、高価な高
精度部品を使うか個別調整する必要があり、特にIC化し
た場合、歩留まりへの影響が大きく、最悪の場合IC化を
断念しなければならなくなる。
(Problems to be Solved by the Invention) As described above, in the conventional approximation of the polygonal line of the gamma correction curve, the method of setting an error depends on the circuit element that determines the input / output characteristics of a portion closer to the start point of the polygonal line. The effect of this on the error is large, and it is necessary to use expensive high-precision parts or make individual adjustments. In particular, when the IC is used, the yield is greatly affected, and in the worst case, the IC must be abandoned.

そこでこの発明は、ガンマ補正カーブを折れ線近似で
実現する場合、高価な部品の使用や調整を必要とせず、
入出力特性を決める回路要素に対する要求精度を緩和
し、ばらつきがあっても誤差への影響が少ない、かつコ
ストも増加することのないIC化に適したガンマ補正回路
を提供することを目的とする。
Therefore, the present invention does not require the use or adjustment of expensive components when the gamma correction curve is realized by the polygonal line approximation.
The purpose is to relax the required accuracy of the circuit elements that determine the input / output characteristics, and to provide a gamma correction circuit suitable for IC implementation that has little effect on errors even if there is variation and does not increase cost. .

[発明の構成] (課題を解決するための手段) この発明は、入力が所定値まで増加するのに伴って理
想的なガンマ補正カーブを直線近似した第1の折れ線区
間の出力を得る第1の回路と、 この第1の回路に並列接続され、前記入力を前記所定
値よりさらに増大させることにより、前記第1の回路の
オンまたはオフに追従してオンまたはオフし前記第1の
折れ線区間に連続した第2の折れ線区間の出力を得る第
2の回路とを少なくとも備えたガンマ補正回路におい
て、 前記第1の回路の動作電流経路に接続されて、前記第
1の折れ線区間における前記理想的なガンマ補正カーブ
との第1の最大誤差を設定するための第1の抵抗と、 前記第2の回路の動作電流経路に接続されて、前記第
2の折れ線区間における前記理想的なガンマ補正カーブ
との第2の最大誤差を、前記第1の最大誤差よりも小さ
くなるように設定した第2の抵抗とを備えるものであ
る。
[Constitution of the Invention] (Means for Solving the Problems) According to the present invention, an output of a first polygonal line section obtained by linearly approximating an ideal gamma correction curve as the input increases to a predetermined value is obtained. And the first polygonal line section, which is connected in parallel to the first circuit, and further increases the input from the predetermined value to turn on or off following the on or off of the first circuit. A second circuit that obtains an output in a second polygonal line section continuous with the first circuit. The gamma correction circuit is connected to an operating current path of the first circuit and the ideal circuit in the first polygonal line section. A first resistor for setting a first maximum error with respect to the ideal gamma correction curve; and an ideal gamma correction curve in the second polygonal line section, which is connected to an operating current path of the second circuit. Of the second maximum error, in which a second resistor and which is set to be smaller than the first maximum error.

(作用) この発明では、ガンマ補正カーブを折れ線近似で実現
する場合、入力出力特性を決める回路要素のばらつきに
よる理想的ガンマ補正カーブとの誤差による影響が、ス
タートポイントに近い部分ほど大きく、それ以降の区間
に累積される点に着目し、ある区間内の最大誤差に対
し、それ以降のスタートポイントから遠い区間内での最
大誤差が小さくなるように誤差設定している。これによ
り、近似補正カーブの設定に際して、区間内の最大誤差
をスタートポイントから遠い区間ほど小さくなるように
設定したので、ばらつきによる誤差が累積されても、最
大誤差を順次小さくしている分、素子のばらつきによる
影響を緩和することができる。
(Operation) In the present invention, when the gamma correction curve is realized by the polygonal line approximation, the influence of the error from the ideal gamma correction curve due to the variation of the circuit element that determines the input / output characteristics increases in a portion closer to the start point, and thereafter. Paying attention to the points accumulated in the section, the error is set so that the maximum error in a section far from the start point is smaller than the maximum error in a certain section. With this, when setting the approximate correction curve, the maximum error in the section is set to be smaller in a section farther from the start point, so that even if errors due to variations are accumulated, the maximum error is sequentially reduced. Can be reduced.

(実施例) 以下、この発明の実施例を図面を参照して説明する。Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図はこの発明の一実施例である。即ち、等価的に
は、同図に示すように構成される。入力電流源11の端子
a,b間には、抵抗R0が接続されている。さらに端子a,b間
には、抵抗R1とダイオードD1と電圧源E1の直列回路S1が
接続されている。またこの直列回路S1と同様な回路Snが
並列に接続されている。そして端子a,b間に出力電圧が
得られる。
FIG. 1 shows an embodiment of the present invention. That is, it is equivalently configured as shown in FIG. Terminal of input current source 11
A resistor R0 is connected between a and b. Furthermore, a series circuit S1 of a resistor R1, a diode D1, and a voltage source E1 is connected between the terminals a and b. A circuit Sn similar to the series circuit S1 is connected in parallel. Then, an output voltage is obtained between the terminals a and b.

ここで、各直列回路S1〜Snの電圧源E1〜Enの関係は、 E1<E2<…<En …(1) である。 Here, the relationship between the voltage sources E1 to En of the series circuits S1 to Sn is E1 <E2 <... <En (1).

ダイオードD1〜Dnは、具体的には差動増幅器であり、
片方の入力に前記抵抗R0に生じた電圧が与えられ、他方
の入力には前記電圧源の電圧が与えられる。
Diodes D1 to Dn are specifically differential amplifiers,
One input is supplied with the voltage generated in the resistor R0, and the other input is supplied with the voltage of the voltage source.

上記のガンマ補正回路は、折れ線近似方式によりガン
マ特性を得るもので出力電圧V0と入力電流Iinの関係で
示すと、第2図に示す特性となる。
The above-mentioned gamma correction circuit obtains gamma characteristics by a polygonal line approximation method, and has the characteristics shown in FIG. 2 when represented by the relationship between the output voltage V0 and the input current Iin.

上記の回路が、従来の回路と異なるのは、定数の設定
であり、ある折れ線近似区間内での最大誤差に対して、
次の折れ線近似区間内の最大誤差が小さくなるように設
定されている。
The above circuit is different from the conventional circuit in the setting of constants. For the maximum error in a certain broken line approximation section,
The maximum error in the next polygonal line approximation section is set to be small.

最も簡単な1点折れ線近似で説明すると次のようにな
る。先に説明したように、従来の回路であると、定数は
式(12)のように R0=3.65 R1=0.91 E1=0.34 …(12) となる。
The simplest one-point polygonal line approximation is as follows. As described above, in the case of the conventional circuit, the constants are as follows: R0 = 3.65 R1 = 0.91 E1 = 0.34 (12) as in equation (12).

ここで、抵抗と電圧源の設定値は、この実施例では となる。このようにした場合、折れ線近似カーブは、第
2図に一点鎖線で示すカーブとなる。従来の回路である
と実線で示すカーブである。点線は理想的なガンマ補正
カーブである。この実施例によると、折れ線近似区間内
での最大誤差に対して、次の折れ線近似区間内の最大誤
差が小さくなるように設定されており、このようにする
と、従来に比べて折れ点は、右上にずれる。
Here, the set values of the resistor and the voltage source are Becomes In this case, the polygonal line approximation curve is a curve shown by a one-dot chain line in FIG. This is a curve indicated by a solid line as a conventional circuit. The dotted line is an ideal gamma correction curve. According to this embodiment, the maximum error in the next polygonal line approximation section is set to be smaller than the maximum error in the polygonal line approximation section. In this case, the break point is Shift to the upper right.

さらに第3図は、折れ線区間で得られる直線の特性
と、理想カーブとの誤差を、従来の回路とこの実施例の
回路のものを比較して示している。従来の回路のものが
実線であり、この実施例の回路のものが一点鎖線であ
る。この図から分かるように、この実施例の回路では、
出力が小さい折れ線区間の最大誤差のほうが出力の大き
い折れ線区間の最大誤差よりも大きく設定されている。
従来の回路であると、いずれの折れ線区間の誤差も同じ
であった。
Further, FIG. 3 shows an error between a characteristic of a straight line obtained in a polygonal line section and an ideal curve by comparing a conventional circuit with that of the circuit of this embodiment. The conventional circuit is a solid line, and the circuit of this embodiment is a dashed line. As can be seen from this figure, in the circuit of this embodiment,
The maximum error in a broken line section with a small output is set to be larger than the maximum error in a broken line section with a large output.
In the case of the conventional circuit, the error in any of the broken line sections was the same.

このように最大の誤差を各折れ線区間で設定すると、
第1の折れ線区間での最大誤差は大きくなるのである
が、第2の折れ線区間での最大誤差は小さくなる。この
ようにすると、素子ばらつきによる第1区間の誤差その
ものへの影響は小さく、第2区間の誤差への影響は大き
い。つまり、素子ばらつきによる影響が分散されること
になり、ばらつきを含めた全体の最大誤差を小さくする
ことができる。
When the maximum error is set in each polygonal line section,
Although the maximum error in the first polygonal line section increases, the maximum error in the second polygonal line section decreases. In this case, the influence of the element variation on the error in the first section is small, and the influence on the error in the second section is large. That is, the influence of the element variation is dispersed, and the maximum error including the variation can be reduced.

つまり、スタートポイントに近い素子ほど誤差への影
響度が大きいのであるが、この実施例であると、最大誤
差をスタートポイントに近い程最初から大きくし、遠い
程小さくしているためその影響が緩和されることになる
のである。
In other words, the closer the element is to the start point, the greater the effect on the error is, but in this embodiment, the maximum error is increased from the beginning closer to the start point and smaller as the element is farther from the start point, so the effect is reduced. It will be done.

従って、従来のように高価な高精度部品を使用した
り、調整を行う必要もないので、コストアップを防ぐこ
とができる。また、単に誤差設定をずらすだけであるか
ら、新たな回路の増加はなく、コストアップもない。特
に、IC化した場合、ばらつきによる誤差増大を各区間に
分散できるので、回路に要求される精度をICで実現でき
るレベルに押さえることができ、ICでの実現性を増大す
ることができる。
Therefore, it is not necessary to use expensive high-precision parts or to perform adjustment as in the related art, so that an increase in cost can be prevented. Further, since the error setting is merely shifted, there is no increase in new circuits and no increase in cost. In particular, when an IC is used, an increase in error due to variation can be dispersed in each section, so that the accuracy required for the circuit can be suppressed to a level that can be realized by the IC, and the feasibility of the IC can be increased.

上記の実施例では、折れ線近似による出力が理想的な
ガンマ補正カーブに対して内接する例を説明したが、こ
の発明はこの実施例に限定されるものではない。
In the above-described embodiment, an example has been described in which the output based on the polygonal line approximation is inscribed in an ideal gamma correction curve. However, the present invention is not limited to this embodiment.

以下、最大誤差を最も小さくできる内接と外接の中間
的な折れ線近似についてこの発明を適用する場合につい
て説明する。簡単のためにn=1で1点折れ線近似の場
合を説明する。
Hereinafter, a case where the present invention is applied to an intermediate polygonal line approximation between an inscribed circle and a circumscribed circle that can minimize the maximum error will be described. For the sake of simplicity, a case where n = 1 and one-point polygonal line approximation will be described.

まず従来の回路であると、特性図の横軸をx、縦軸を
yとして (x,y)=(0,0) (x,y)=(x0,ax0) (x,y)=(1,1) …(17) の3点を通るので、理想的ガンマ補正カーブと第1区間
および第2区間の直線の式は と表せる。x=x0、第1区間および第2区間での理想的
ガンマ補正カーブからのずれε0,ε1,ε2はそれぞれ となる。ε1,ε2の最大値ε1max、ε2maxは、(9)式
より ここで、 ε0=ε1max=ε2max …(21) と置くと x0=0.068787 (∴y0=0.366) a=5.326 従って、 R0=5.326 R1=0.780 E1=0.366 これから各々にスケーリング係数を掛けることによ
り、実際の定数が得られる。
First, in the case of a conventional circuit, (x, y) = (0, 0) (x, y) = (x0, ax0) (x, y) = (x, y is the horizontal axis of the characteristic diagram and y is the vertical axis. 1,1) ... (17), the ideal gamma correction curve and the equation of the straight line in the first and second sections are Can be expressed as x = x0, and deviations ε0, ε1, ε2 from the ideal gamma correction curves in the first section and the second section are respectively Becomes The maximum values ε1max and ε2max of ε1 and ε2 can be obtained from the equation (9). Here, ε0 = ε1max = ε2max ... (21) x0 = 0.068787 (∴y0 = 0.366) a = 5.326 Therefore, R0 = 5.326 R1 = 0.780 E1 = 0.366 From this, by multiplying each by the scaling factor, A constant is obtained.

これに対して、本発明によると、 設定するものである。In contrast, according to the present invention, To set.

このようにすると、第4図、第5図に示すような特性
となる。
In this case, the characteristics as shown in FIGS. 4 and 5 are obtained.

即ち、第4図において、点線は理想的なガンマ補正カ
ーブであり、実線は従来の回路により直線近似特性であ
る。そして一点鎖線がこの実施例により得られる直線近
似特性である。また、第5図は、誤差の変化の様子を示
しており、実線が従来の回路の誤差、一点鎖線がこの実
施例による誤差である。
That is, in FIG. 4, the dotted line is an ideal gamma correction curve, and the solid line is a linear approximation characteristic by a conventional circuit. The dashed line is the linear approximation characteristic obtained by this embodiment. FIG. 5 shows how the error changes. The solid line indicates the error of the conventional circuit, and the dashed line indicates the error according to this embodiment.

この実施例では、第1区間の最大誤差は増大している
が、第2区間の最大誤差は減少させている。これによ
り、先の実施例と同様な効果を得ることができ素子のば
らつきを含めた全体の最大誤差を少なくすることができ
る。
In this embodiment, the maximum error in the first section increases, but the maximum error in the second section decreases. As a result, the same effect as in the previous embodiment can be obtained, and the overall maximum error including the variation in the elements can be reduced.

以上の実施例では、n=1の1点折れ線近似を行った
場合を説明したが、この発明は2点以上の折れ線近似の
場合にも拡張でき、γ=1/2.2以外にも適用できること
は勿論である。
In the above embodiment, the case where the one-point polygonal line approximation with n = 1 is described. However, the present invention can be extended to the case of the polygonal line approximation with two or more points, and can be applied to other than γ = 1 / 2.2. Of course.

さらにガンマ補正回路の具体的構成としては、第1図
のものに限定されるものではなく、スイッチング素子と
してダイオードを用いたもの、トランジスタを用いたも
の等種々の実現態様がある。要は折れ線近似により誤差
設定を行うのに、ばらつきの影響の大きいスタートポイ
ントから離れた区間程小さくする要素が存在すればよ
い。従って、最も効果的な設定誤差としては、各区間内
の最大誤差がスタートポイントの第1区間からエンドポ
イントの最終区間に向かいテーパ状に減衰させた形で設
定されることが好ましい。勿論、スタートポイントから
離れている区間の最大誤差を小さくなるように設定した
隣り合う区間が少なくとも1組以上有したものもこの発
明の趣旨に含まれるものである。また、ダイオードのオ
ン抵抗やスレッショルド電圧などの実際の回路素子の特
性の影響は、その分抵抗値を少なくしたり電圧源の電圧
を下げれば全く同様に適用できる。
Further, the specific configuration of the gamma correction circuit is not limited to the configuration shown in FIG. 1, and there are various realization modes such as a configuration using a diode as a switching element and a configuration using a transistor. In short, in order to set the error by the polygonal line approximation, it is sufficient that there is an element that is smaller in a section farther from the start point where the influence of the variation is large. Therefore, it is preferable that the most effective setting error is set in such a manner that the maximum error in each section is attenuated in a tapered shape from the first section at the start point to the last section at the end point. Of course, the scope of the present invention includes at least one set of adjacent sections set so as to reduce the maximum error in the section distant from the start point. In addition, the influence of the characteristics of the actual circuit element such as the on-resistance of the diode and the threshold voltage can be applied in exactly the same manner by reducing the resistance value or lowering the voltage of the voltage source.

さらにまた上記の実施例では、ガンマ特性の正特性に
ついて示したが、逆特性の回路においても同様にこの発
明を適用できるものである。
Further, in the above-described embodiment, the positive characteristic of the gamma characteristic has been described. However, the present invention can be similarly applied to a circuit having an inverse characteristic.

第6図はこの発明を用いた具体的回路の他の例であ
る。この回路の場合、入力トランジスタTR0のベースに
入力信号が供給される。トランジスタTR0のコレクタは
電源へ接続され、エミッタは抵抗R14を介して接地され
るとともに、抵抗R11、R12、R13を並列に介して、各ト
ランジスタTR1、TR2、TR3のエミッタに接続されてい
る。トランジスタTR1、TR2、TR3のコレクタは、抵抗R19
を介して電源に接続されるとともに出力端子20として導
出されている。また、各トランジスタTR1、TR2、TR3の
各ベースには、抵抗R15〜R18によるバイアス回路によっ
て、それぞれ異なる値のバイアス電圧が供給されてい
る。
FIG. 6 shows another example of a specific circuit using the present invention. In the case of this circuit, an input signal is supplied to the base of the input transistor TR0. The collector of the transistor TR0 is connected to a power supply, the emitter is grounded via a resistor R14, and connected to the emitters of the transistors TR1, TR2, TR3 via resistors R11, R12, R13 in parallel. The collectors of the transistors TR1, TR2 and TR3 are connected to the resistor R19.
, And is led out as an output terminal 20. Further, bias voltages having different values are supplied to the respective bases of the transistors TR1, TR2, and TR3 by the bias circuits including the resistors R15 to R18.

上記の回路によると、入力電圧が低い場合は、トラン
ジスタTR1、TR2、TR3がすべてオンしており、入力電圧
が高くなるに従って、トランジスタTR1、TR2、TR3が順
次オンして直線近似のガンマ補正特性を得ることができ
る。この回路においても、各区間の最大誤差は、順次ス
タートポイントから小さくなるように設定されている。
According to the above circuit, when the input voltage is low, the transistors TR1, TR2, and TR3 are all on, and as the input voltage increases, the transistors TR1, TR2, and TR3 turn on sequentially, and the linear approximation gamma correction characteristics Can be obtained. Also in this circuit, the maximum error in each section is set so as to become smaller sequentially from the start point.

[発明の効果] 以上説明したようにこの発明によれば、素子ばらつき
による影響を各直線近似区間に分散させたので、ばらつ
きを含めた全体としての最大誤差を小さくでき、高価な
部品の使用や回路ブロックを個別調整する必要がないの
で精度の良いガンマ補正特性を得ることができる。さら
にIC化した場合、各素子への要求精度をIC内で実現でき
る範囲に押さえることができるので、歩留まり低下を防
ぎ、IC化のコストの効率を向上できる。
[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, the influence of element variation is dispersed in each linear approximation section, so that the maximum error including the variation can be reduced as a whole, and the use of expensive components and Since it is not necessary to individually adjust the circuit blocks, a highly accurate gamma correction characteristic can be obtained. Further, in the case of using an IC, the required accuracy of each element can be kept within a range that can be realized in the IC, so that a reduction in yield can be prevented and the cost efficiency of the IC can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図はこの発明の一実施例を示す回路図、第2図およ
び第3図はこの発明のガンマ補正回路の特性を説明する
ために示した図、第4図および第5図はこの発明の他の
実施例の特性を説明するために示した図、第6図はこの
発明の他の実施例を示す回路図、第7図は従来のガンマ
補正回路を等価的に示す図、第8図は従来のガンマ補正
回路の特性を説明するために示した図である。 R0〜Rn……抵抗、D1〜Dn……ダイオード、E1〜En……電
圧源。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention, FIGS. 2 and 3 are diagrams showing characteristics of a gamma correction circuit of the present invention, and FIGS. 4 and 5 are diagrams showing the present invention. FIG. 6 is a diagram showing characteristics of another embodiment of the present invention. FIG. 6 is a circuit diagram showing another embodiment of the present invention. FIG. 7 is a diagram equivalently showing a conventional gamma correction circuit. FIG. 1 is a diagram shown for explaining characteristics of a conventional gamma correction circuit. R0 to Rn: resistance, D1 to Dn: diode, E1 to En: voltage source.

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】入力が所定値まで増大するのに伴って理想
的なガンマ補正カーブを直線近似した第1の折れ線区間
の出力を得る第1の回路と、 この第1の回路に並列接続され、前記入力を前記所定値
よりさらに増大させることにより、前記第1の回路のオ
ンまたはオフに追従してオンまたはオフし前記第1の折
れ線区間に連続した第2の折れ線区間の出力を得る第2
の回路とを少なくとも備えたガンマ補正回路において、 前記第1の回路の動作電流経路に接続されて、前記第1
の折れ線区間における前記理想的なガンマ補正カーブと
の第1の最大誤差を設定するための第1の抵抗と、 前記第2の回路の動作電流経路に接続されて、前記第2
の折れ線区間における前記理想的なガンマ補正カーブと
の第2の最大誤差を、前記第1の最大誤差よりも小さく
なるように設定した第2の抵抗と を具備したことを特徴とするガンマ補正回路。
1. A first circuit for obtaining an output in a first polygonal line section obtained by linearly approximating an ideal gamma correction curve as the input increases to a predetermined value, and connected in parallel to the first circuit. Further increasing the input from the predetermined value to obtain an output of a second polygonal line section that is on or off following the on / off of the first circuit and that is continuous with the first polygonal section. 2
A gamma correction circuit comprising: a first circuit connected to an operating current path of the first circuit;
A first resistor for setting a first maximum error from the ideal gamma correction curve in the polygonal line section, and a second resistor connected to an operating current path of the second circuit.
And a second resistor set so that a second maximum error with the ideal gamma correction curve in the polygonal line section is smaller than the first maximum error. .
【請求項2】前記第1の最大誤差と第2の最大誤差は、
それぞれの絶対値の関係で前記第2の最大誤差が第1の
最大誤差より小さいことを特徴とする請求項台1項記載
のガンマ補正回路。
2. The method according to claim 1, wherein the first maximum error and the second maximum error are:
2. The gamma correction circuit according to claim 1, wherein the second maximum error is smaller than the first maximum error in relation to each absolute value.
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