JP2838703B2 - 半導体パッケージの製造方法 - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体パッケージ
の製造方法に係るもので、詳しくは、熱的特性を向上し
得る半導体パッケージの製造方法に関するものである。
の製造方法に係るもので、詳しくは、熱的特性を向上し
得る半導体パッケージの製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来半導体パッケージにおいては、図4
に示したように、複数のボンディングパッド1aを有す
る半導体チップ1と、該半導体チップ1の下面に付着さ
れた熱伝導性物質2と、前記半導体チップ1の上面に第
1接着部材3を介して接着され、各内部リード4a及び
該各内部リード4aから上向きに屈曲された各外部リー
ド4bを有するリード4と、前記半導体チップ1の各ボ
ンディングパッド1aと前記内部リード4aとに夫々電
気的に連結されたワイヤー5と、前記半導体チップ1、
前記各内部リード4a、外部リード4b及び熱伝導性物
質2が包含された所定部位に密封されたモールディング
樹脂6と、から構成され、前記熱伝導性物質2の下面及
び前記各外部リード4bの上面は、前記モールディング
樹脂6から露出されていた。
に示したように、複数のボンディングパッド1aを有す
る半導体チップ1と、該半導体チップ1の下面に付着さ
れた熱伝導性物質2と、前記半導体チップ1の上面に第
1接着部材3を介して接着され、各内部リード4a及び
該各内部リード4aから上向きに屈曲された各外部リー
ド4bを有するリード4と、前記半導体チップ1の各ボ
ンディングパッド1aと前記内部リード4aとに夫々電
気的に連結されたワイヤー5と、前記半導体チップ1、
前記各内部リード4a、外部リード4b及び熱伝導性物
質2が包含された所定部位に密封されたモールディング
樹脂6と、から構成され、前記熱伝導性物質2の下面及
び前記各外部リード4bの上面は、前記モールディング
樹脂6から露出されていた。
【0003】以下、このように構成された従来の半導体
パッケージ7の製造方法に対し、図5(A)〜(C)、
及び図6(A)〜(C)を用いて説明する。先ず、図5
(A)に示したように、半導体ウェーハ8の下面に第2
接着部材9を形成する。次いで、図5(B)に示したよ
うに、前記第2接着部材9の形成された前記半導体ウェ
ーハ8を、ダイヤモンドホイール(Wheel )を用いて半
導体チップ1別に分離する。
パッケージ7の製造方法に対し、図5(A)〜(C)、
及び図6(A)〜(C)を用いて説明する。先ず、図5
(A)に示したように、半導体ウェーハ8の下面に第2
接着部材9を形成する。次いで、図5(B)に示したよ
うに、前記第2接着部材9の形成された前記半導体ウェ
ーハ8を、ダイヤモンドホイール(Wheel )を用いて半
導体チップ1別に分離する。
【0004】前記第2接着部材9は、前記半導体ウェー
ハ8を切断して各半導体チップ1を分離するとき半導体
チップ1の飛散を防止するため、暫定的に使用するもの
である。このとき、前記半導体チップ1の上面には、ボ
ンディングパッド(図示されず)が形成されている。
ハ8を切断して各半導体チップ1を分離するとき半導体
チップ1の飛散を防止するため、暫定的に使用するもの
である。このとき、前記半導体チップ1の上面には、ボ
ンディングパッド(図示されず)が形成されている。
【0005】その後、図5(C)に示したように、分離
された各半導体チップ1の下面に形成された前記第2接
着部材9を夫々除去し、前記半導体1のチップ上面に接
着部材3を介して各内部リード4a及びそれら内部リー
ド4aから上方向きに屈曲形成された外部リード4bを
有するリードを接着する。次いで、図6(A)に示した
ように、図5(C)に示した半導体チップ1の下面に熱
伝導性物質2を付着し、図6(B)に示したように、前
記半導体チップ1の各ボンディングパッド1aと前記内
部リード4aとを夫々ワイヤー5を用いて電気的に連結
する。
された各半導体チップ1の下面に形成された前記第2接
着部材9を夫々除去し、前記半導体1のチップ上面に接
着部材3を介して各内部リード4a及びそれら内部リー
ド4aから上方向きに屈曲形成された外部リード4bを
有するリードを接着する。次いで、図6(A)に示した
ように、図5(C)に示した半導体チップ1の下面に熱
伝導性物質2を付着し、図6(B)に示したように、前
記半導体チップ1の各ボンディングパッド1aと前記内
部リード4aとを夫々ワイヤー5を用いて電気的に連結
する。
【0006】その後、図6(C)に示したように、前記
半導体チップ1、熱伝導性物質2、内部リード4a、外
部リード4b及びワイヤー5を包含した所定部位をモー
ルディング樹脂6を用いて密封する。このとき、前記熱
伝導性物質2の下面及び外部リード4bの上面を前記モ
ールディング樹脂6から露出させて密封し、従来の半導
体パッケージ7の製造工程を終了していた。
半導体チップ1、熱伝導性物質2、内部リード4a、外
部リード4b及びワイヤー5を包含した所定部位をモー
ルディング樹脂6を用いて密封する。このとき、前記熱
伝導性物質2の下面及び外部リード4bの上面を前記モ
ールディング樹脂6から露出させて密封し、従来の半導
体パッケージ7の製造工程を終了していた。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】然るに、このような従
来の半導体パッケージ7の製造方法においては、半導体
ウェーハ8から分離された各半導体チップ1に熱伝導性
物質2を一々付着するため、工程が煩雑となってしまう
とともに、半導体チップ1の占有面積よりも熱伝導性物
質2の占有面積が大きいため、パッケージの容積が不意
に増加するという不都合な点があった。
来の半導体パッケージ7の製造方法においては、半導体
ウェーハ8から分離された各半導体チップ1に熱伝導性
物質2を一々付着するため、工程が煩雑となってしまう
とともに、半導体チップ1の占有面積よりも熱伝導性物
質2の占有面積が大きいため、パッケージの容積が不意
に増加するという不都合な点があった。
【0008】そこで、本発明は、このような従来の課題
に鑑みてなされたもので、半導体ウェーハに熱伝導性物
質を付着した後、該半導体ウェーハを熱伝導性物質と一
緒に切断することにより工程を簡略化し、熱伝導性物質
の面積及び半導体パッケージの容積を最小化し得る半導
体パッケージの製造方法を提供することを目的とする。
に鑑みてなされたもので、半導体ウェーハに熱伝導性物
質を付着した後、該半導体ウェーハを熱伝導性物質と一
緒に切断することにより工程を簡略化し、熱伝導性物質
の面積及び半導体パッケージの容積を最小化し得る半導
体パッケージの製造方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るため、請求項1に係る半導体パッケージの製造方法に
おいては、半導体ウェーハの下面に熱伝導性物質を付着
する工程と、前記半導体ウェーハを前記熱伝導性物質と
ともに所定長さに切断し、複数のボンディングパッドを
有する半導体チップ別に分離する工程と、前記分離され
た各半導体チップの上面に接着部材を介して、内部リー
ドと該内部リードから上方向きに屈曲形成された外部リ
ードとを有するリードを接着する工程と、前記各ボンデ
ィングパッドと前記各内部リードとを通電部材により夫
々連結する工程と、前記熱伝導性物質の下面及び前記各
外部リードの上面を露出させて前記半導体チップ、前記
内部リード、外部リード及び前記熱伝導性物質を包含し
た所定部位をモールディング樹脂を用いてモールディン
グする工程と、を順次行うことを特徴とする。
るため、請求項1に係る半導体パッケージの製造方法に
おいては、半導体ウェーハの下面に熱伝導性物質を付着
する工程と、前記半導体ウェーハを前記熱伝導性物質と
ともに所定長さに切断し、複数のボンディングパッドを
有する半導体チップ別に分離する工程と、前記分離され
た各半導体チップの上面に接着部材を介して、内部リー
ドと該内部リードから上方向きに屈曲形成された外部リ
ードとを有するリードを接着する工程と、前記各ボンデ
ィングパッドと前記各内部リードとを通電部材により夫
々連結する工程と、前記熱伝導性物質の下面及び前記各
外部リードの上面を露出させて前記半導体チップ、前記
内部リード、外部リード及び前記熱伝導性物質を包含し
た所定部位をモールディング樹脂を用いてモールディン
グする工程と、を順次行うことを特徴とする。
【0010】また、請求項2に係る半導体パッケージの
製造方法においては、前記接着部材は、ポリイミド膜
(Polyimide Film)であることを特徴とする。また、請
求項3に係る半導体パッケージの製造方法においては、
前記熱伝導性物質が、導電性物質であることを特徴とす
る。また、請求項4に係る半導体パッケージの製造方法
においては、前記導電性物質は、銅、銅とニッケルとの
合金、及びアルミニウム中、何れか一つを用いることを
特徴とする。
製造方法においては、前記接着部材は、ポリイミド膜
(Polyimide Film)であることを特徴とする。また、請
求項3に係る半導体パッケージの製造方法においては、
前記熱伝導性物質が、導電性物質であることを特徴とす
る。また、請求項4に係る半導体パッケージの製造方法
においては、前記導電性物質は、銅、銅とニッケルとの
合金、及びアルミニウム中、何れか一つを用いることを
特徴とする。
【0011】また、請求項5に係る半導体パッケージの
製造方法においては、前記通電部材が、ワイヤー又はバ
ンプ(bump)であることを特徴とする。また、請求項6
に係る半導体パッケージの製造方法においては、前記半
導体ウェーハを切断する工程の前に、前記熱伝導性物質
に絶縁層(Insulating Layer)を付着する工程と、該
絶縁層を付着する工程の後であって前記モールディング
する工程の前に、前記熱伝導性物質の絶縁層を除去する
工程と、を更に付加して行うことを特徴とする。
製造方法においては、前記通電部材が、ワイヤー又はバ
ンプ(bump)であることを特徴とする。また、請求項6
に係る半導体パッケージの製造方法においては、前記半
導体ウェーハを切断する工程の前に、前記熱伝導性物質
に絶縁層(Insulating Layer)を付着する工程と、該
絶縁層を付着する工程の後であって前記モールディング
する工程の前に、前記熱伝導性物質の絶縁層を除去する
工程と、を更に付加して行うことを特徴とする。
【0012】また、請求項7に係る半導体パッケージの
製造方法においては、前記絶縁層が、ポリイミド層(Po
lyimide Layer )であることを特徴とする。
製造方法においては、前記絶縁層が、ポリイミド層(Po
lyimide Layer )であることを特徴とする。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態に対
し、添付の図面を用いて説明する。本発明に係る半導体
パッケージおいては、図1に示したように、上面に複数
のボンディングパッド11aが形成された半導体チップ
11と、該半導体チップ11の下面に付着された熱伝導
性物質12と、前記半導体チップ11の上面に接着部材
13により夫々付着された各内部リード14a及び該各
内部リード14aから屈曲形成された外部リード14b
を有するリード14と、前記ボンディングパッド11a
と内部リード14aとを電気的に連結するように配設さ
れた通電部材としてのワイヤー(又は、バンプ(bum
p))15と、前記チップ11、前記内部リード14
a、外部リード14b及び熱伝導性物質12を包含した
所定部位に密封されたモールディング樹脂16と、を備
えて構成され、前記熱伝導性物質12の下面及び前記各
外部リード14bの上面が、前記モールディング樹脂1
6から露出されている。
し、添付の図面を用いて説明する。本発明に係る半導体
パッケージおいては、図1に示したように、上面に複数
のボンディングパッド11aが形成された半導体チップ
11と、該半導体チップ11の下面に付着された熱伝導
性物質12と、前記半導体チップ11の上面に接着部材
13により夫々付着された各内部リード14a及び該各
内部リード14aから屈曲形成された外部リード14b
を有するリード14と、前記ボンディングパッド11a
と内部リード14aとを電気的に連結するように配設さ
れた通電部材としてのワイヤー(又は、バンプ(bum
p))15と、前記チップ11、前記内部リード14
a、外部リード14b及び熱伝導性物質12を包含した
所定部位に密封されたモールディング樹脂16と、を備
えて構成され、前記熱伝導性物質12の下面及び前記各
外部リード14bの上面が、前記モールディング樹脂1
6から露出されている。
【0014】以下、このように構成された本発明に係る
半導体パッケージ17の製造方法に関し、図2(A)
(B)及び図3(A)〜(C)を用いて説明する。先
ず、図2(A)に示したように、半導体ウェーハ18の
下面に熱伝導性物質12を付着し、該熱伝導性物質12
の下面に絶縁層19を付着する。このとき、前記熱伝導
性物質12は、導電性物質であって、銅Cu、銅Cuと
ニッケルNiとの合金、及びアルミニウムAl中、何れ
か一つを用いるのが好ましい。
半導体パッケージ17の製造方法に関し、図2(A)
(B)及び図3(A)〜(C)を用いて説明する。先
ず、図2(A)に示したように、半導体ウェーハ18の
下面に熱伝導性物質12を付着し、該熱伝導性物質12
の下面に絶縁層19を付着する。このとき、前記熱伝導
性物質12は、導電性物質であって、銅Cu、銅Cuと
ニッケルNiとの合金、及びアルミニウムAl中、何れ
か一つを用いるのが好ましい。
【0015】次いで、図2(B)に示したように、前記
半導体ウェーハ18を各半導体チップ11別に分離する
ため、ダイヤモンドホイールを用いて前記半導体ウェー
ハ18,熱伝導性物質12及び絶縁層19を一緒に切断
する。このとき、該絶縁層19は、半導体ウェーハ18
を切断するとき分離された半導体チップ11の飛散を防
止するため用いられ、ポリイミドなどにより形成される
のが好ましい。尚、前記半導体チップ11上には、パッ
ド(図示されず)が夫々形成される。
半導体ウェーハ18を各半導体チップ11別に分離する
ため、ダイヤモンドホイールを用いて前記半導体ウェー
ハ18,熱伝導性物質12及び絶縁層19を一緒に切断
する。このとき、該絶縁層19は、半導体ウェーハ18
を切断するとき分離された半導体チップ11の飛散を防
止するため用いられ、ポリイミドなどにより形成される
のが好ましい。尚、前記半導体チップ11上には、パッ
ド(図示されず)が夫々形成される。
【0016】その後、図3(A)に示したように、前記
絶縁層19を除去し、前記半導体チップ11の上面に接
着部材13を用いて各内部リード14aと、該各内部リ
ード14aから屈曲形成された各外部リード14bを有
するリード14を夫々接着する。尚、前記接着部材13
は、ポリイミドフィルム(Polyimide Film)が用いられ
るのが好ましい。
絶縁層19を除去し、前記半導体チップ11の上面に接
着部材13を用いて各内部リード14aと、該各内部リ
ード14aから屈曲形成された各外部リード14bを有
するリード14を夫々接着する。尚、前記接着部材13
は、ポリイミドフィルム(Polyimide Film)が用いられ
るのが好ましい。
【0017】次いで、図3(B)に示したように、前記
半導体チップ11上のボンディングパッド11aと前記
各内部リード14aとを通電部材としてのワイヤー15
(又は、バンプ)を用いて電気的に連結する。その後、
図3(C)に示したように、前記半導体チップ11、熱
伝導性物質12、内部リード14a、外部リード14b
及びワイヤー15を包含した所定部位をモールディング
樹脂16を用いて、前記熱伝導性物質12の下面及び各
外部リード14bの上面を露出させて密封する。
半導体チップ11上のボンディングパッド11aと前記
各内部リード14aとを通電部材としてのワイヤー15
(又は、バンプ)を用いて電気的に連結する。その後、
図3(C)に示したように、前記半導体チップ11、熱
伝導性物質12、内部リード14a、外部リード14b
及びワイヤー15を包含した所定部位をモールディング
樹脂16を用いて、前記熱伝導性物質12の下面及び各
外部リード14bの上面を露出させて密封する。
【0018】以上で、本発明に係る半導体パッケージの
製造工程を終了する。
製造工程を終了する。
【0019】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体パッケージの製造方法においては、半導体ウェーハの
下面に熱伝導性物質を付着した後、該半導体ウェーハ及
び熱伝導性物質を一緒に切断するようになっているた
め、半導体パッケージの製造工程を簡略化し、前記熱伝
導性物質の面積を最小化して半導体パッケージの容積を
減らし得るという効果がある。
体パッケージの製造方法においては、半導体ウェーハの
下面に熱伝導性物質を付着した後、該半導体ウェーハ及
び熱伝導性物質を一緒に切断するようになっているた
め、半導体パッケージの製造工程を簡略化し、前記熱伝
導性物質の面積を最小化して半導体パッケージの容積を
減らし得るという効果がある。
【図1】本発明に係る半導体パッケージの構造を示した
縦断面図である。
縦断面図である。
【図2】本発明に係る半導体パッケージの製造工程を示
した縦断面図である。
した縦断面図である。
【図3】本発明に係る半導体パッケージの製造工程を示
した縦断面図である。
した縦断面図である。
【図4】従来の半導体パッケージの構造を示した縦断面
図である。
図である。
【図5】従来の半導体パッケージの製造工程を示した縦
断面図である。
断面図である。
【図6】従来の半導体パッケージの製造工程を示した縦
断面図である。
断面図である。
11:半導体チップ 11a:ボンディングパッド 12:熱伝導性物質 13:接着部材 14:リード 14a:内部リード 14b:外部リード 15:ワイヤー 16:モールディング樹脂 18:半導体ウェーハ 19:絶縁層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平7−211673(JP,A) 特開 平4−315446(JP,A) 特開 平2−271558(JP,A) 特開 昭56−4246(JP,A) 特開 平8−241937(JP,A) 特開 平7−273250(JP,A) 特開 平4−85837(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/50 H01L 21/60 311 H01L 21/78
Claims (7)
- 【請求項1】半導体ウェーハの下面に熱伝導性物質を付
着する工程と、 前記半導体ウェーハを前記熱伝導性物質とともに所定長
さに切断し、複数のボンディングパッドを有する半導体
チップ別に分離する工程と、 前記分離された各半導体チップの上面に接着部材を介し
て、内部リードと該内部リードから上方向きに屈曲形成
された外部リードとを有するリードを接着する工程と、 前記各ボンディングパッドと前記各内部リードとを通電
部材により夫々連結する工程と、 前記熱伝導性物質の下面及び前記各外部リードの上面を
露出させて前記半導体チップ、前記内部リード、外部リ
ード及び前記熱伝導性物質を包含した所定部位をモール
ディング樹脂を用いてモールディングする工程と、 を順次行うことを特徴とする半導体パッケージの製造方
法。 - 【請求項2】前記接着部材は、ポリイミド膜(Polyimid
e Film)であることを特徴とする請求項1記載の半導体
パッケージの製造方法。 - 【請求項3】前記熱伝導性物質は、導電性物質であるこ
とを特徴とする請求項1又は請求項2記載の半導体パッ
ケージの製造方法。 - 【請求項4】前記導電性物質は、銅、銅とニッケルとの
合金、及びアルミニウム中、何れか一つを用いることを
特徴とする請求項3記載の半導体パッケージの製造方
法。 - 【請求項5】前記通電部材は、ワイヤー又はバンプ(bu
mp)であることを特徴とする請求項1〜請求項4のいず
れか1つに記載の半導体パッケージの製造方法。 - 【請求項6】前記半導体ウェーハを切断する工程の前
に、前記熱伝導性物質に絶縁層(Insulating Layer )
を付着する工程と、 該絶縁層を付着する工程の後であって前記モールディン
グする工程の前に、前記熱伝導性物質の絶縁層を除去す
る工程と、を更に付加して行うことを特徴とする請求項
1〜請求項5のいずれか1つに記載の半導体パッケージ
の製造方法。 - 【請求項7】前記絶縁層は、ポリイミド層(Polyimide
Layer )であることを特徴とする請求項6記載の半導体
パッケージの製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019970003990A KR19980067735A (ko) | 1997-02-11 | 1997-02-11 | 반도체 패키지의 제조방법 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10229095A JPH10229095A (ja) | 1998-08-25 |
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Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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US9804418B2 (en) * | 2011-03-21 | 2017-10-31 | Johnson & Johnson Vision Care, Inc. | Methods and apparatus for functional insert with power layer |
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US9599842B2 (en) | 2014-08-21 | 2017-03-21 | Johnson & Johnson Vision Care, Inc. | Device and methods for sealing and encapsulation for biocompatible energization elements |
US9793536B2 (en) | 2014-08-21 | 2017-10-17 | Johnson & Johnson Vision Care, Inc. | Pellet form cathode for use in a biocompatible battery |
US10381687B2 (en) | 2014-08-21 | 2019-08-13 | Johnson & Johnson Vision Care, Inc. | Methods of forming biocompatible rechargable energization elements for biomedical devices |
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US10361404B2 (en) | 2014-08-21 | 2019-07-23 | Johnson & Johnson Vision Care, Inc. | Anodes for use in biocompatible energization elements |
US9715130B2 (en) | 2014-08-21 | 2017-07-25 | Johnson & Johnson Vision Care, Inc. | Methods and apparatus to form separators for biocompatible energization elements for biomedical devices |
US9941547B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-04-10 | Johnson & Johnson Vision Care, Inc. | Biomedical energization elements with polymer electrolytes and cavity structures |
US9383593B2 (en) | 2014-08-21 | 2016-07-05 | Johnson & Johnson Vision Care, Inc. | Methods to form biocompatible energization elements for biomedical devices comprising laminates and placed separators |
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JPH0740600B2 (ja) * | 1987-04-30 | 1995-05-01 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JPH02271558A (ja) * | 1989-04-12 | 1990-11-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2665062B2 (ja) * | 1991-02-12 | 1997-10-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
DE4231705C2 (de) * | 1992-09-22 | 1998-04-30 | Siemens Ag | Halbleitervorrichtung mit einem Systemträger und einem damit verbundenen Halbleiterchip sowie Verfahren zu deren Herstellung |
JPH06209054A (ja) * | 1993-01-08 | 1994-07-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
US6300167B1 (en) * | 1994-12-12 | 2001-10-09 | Motorola, Inc. | Semiconductor device with flame sprayed heat spreading layer and method |
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1997
- 1997-02-11 KR KR1019970003990A patent/KR19980067735A/ko not_active Application Discontinuation
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1998
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