JP2837837B2 - 半導体集積回路の製造方法 - Google Patents
半導体集積回路の製造方法Info
- Publication number
- JP2837837B2 JP2837837B2 JP8246384A JP24638496A JP2837837B2 JP 2837837 B2 JP2837837 B2 JP 2837837B2 JP 8246384 A JP8246384 A JP 8246384A JP 24638496 A JP24638496 A JP 24638496A JP 2837837 B2 JP2837837 B2 JP 2837837B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- measurement
- steps
- integrated circuit
- semiconductor integrated
- executing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 53
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 59
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 11
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 12
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路の製
造方法に関するもので、特に、その工程順の設定手法に
関する。
造方法に関するもので、特に、その工程順の設定手法に
関する。
【0002】
【従来の技術】従来技術及びその問題点について以下便
宜上、半導体集積回路の製造工程のうちの酸化工程を引
用して説明する。一般に酸化工程は、シリコンを高温の
酸化雰囲気中に露出させて表面に均一でかつ物性的に安
定した酸化膜を形成する工程である。この酸化工程を終
了した後のウェーハ選別段階では、酸化工程を始めたウ
ェーハの数と成功したウェーハの数との比較によって歩
留りが計算される。この歩留りは半導体集積回路の製造
工程における核心的存在で、歩留りを少しでも上げるた
めに酸化工程における膜厚、抵抗等の物理的パラメータ
が測定され調節されることになる。そしてまた、半導体
集積回路の電気的性能はその物理的パラメータがどれく
らい仕様に合うようになっているかに左右される。そこ
で、工程上の変移を最小限に抑え、工程順をより弾力的
に設定して歩留りを上げることに関心が高まっている。
宜上、半導体集積回路の製造工程のうちの酸化工程を引
用して説明する。一般に酸化工程は、シリコンを高温の
酸化雰囲気中に露出させて表面に均一でかつ物性的に安
定した酸化膜を形成する工程である。この酸化工程を終
了した後のウェーハ選別段階では、酸化工程を始めたウ
ェーハの数と成功したウェーハの数との比較によって歩
留りが計算される。この歩留りは半導体集積回路の製造
工程における核心的存在で、歩留りを少しでも上げるた
めに酸化工程における膜厚、抵抗等の物理的パラメータ
が測定され調節されることになる。そしてまた、半導体
集積回路の電気的性能はその物理的パラメータがどれく
らい仕様に合うようになっているかに左右される。そこ
で、工程上の変移を最小限に抑え、工程順をより弾力的
に設定して歩留りを上げることに関心が高まっている。
【0003】図1のチャートは、半導体集積回路の製造
工程中の一つであるウェーハの酸化工程の工程順を示
す。図示のように、ウェーハを反応ソースキャビネット
のボート(boat)と呼ばれる水晶ホルダにセットするウェ
ーハイン工程10と、セットしたウェーハを反応させて
適切な厚さの酸化膜を成長させる酸化膜形成工程11
と、の制作工程が進められた後、形成した酸化膜の厚さ
を測定する膜厚測定工程12と、粒子測定工程13と、
シート抵抗測定工程14と、の測定工程が順次に実施さ
れる。そしてその後、ウェーハ上の粒子、有機物、無機
汚染物等を高温の硫酸で取除く洗浄工程15と、ウェー
ハをボートから取出すウェーハアウト工程16と、の終
了工程を経ることにより、ウェーハの酸化工程が終了す
る。
工程中の一つであるウェーハの酸化工程の工程順を示
す。図示のように、ウェーハを反応ソースキャビネット
のボート(boat)と呼ばれる水晶ホルダにセットするウェ
ーハイン工程10と、セットしたウェーハを反応させて
適切な厚さの酸化膜を成長させる酸化膜形成工程11
と、の制作工程が進められた後、形成した酸化膜の厚さ
を測定する膜厚測定工程12と、粒子測定工程13と、
シート抵抗測定工程14と、の測定工程が順次に実施さ
れる。そしてその後、ウェーハ上の粒子、有機物、無機
汚染物等を高温の硫酸で取除く洗浄工程15と、ウェー
ハをボートから取出すウェーハアウト工程16と、の終
了工程を経ることにより、ウェーハの酸化工程が終了す
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記の酸化工程におい
て、膜厚測定工程12、粒子測定工程13、シート抵抗
測定工程14からなる測定工程はその進行順が固定され
ており、予め定められた順でしか工程を進めることがで
きない。従って、粒子測定用の設備やシート抵抗測定用
の設備は常に利用可能であるにもかかわらず、膜厚測定
工程12が完了しなければ可動させることができず、作
業時間や設備利用効率が良くない。
て、膜厚測定工程12、粒子測定工程13、シート抵抗
測定工程14からなる測定工程はその進行順が固定され
ており、予め定められた順でしか工程を進めることがで
きない。従って、粒子測定用の設備やシート抵抗測定用
の設備は常に利用可能であるにもかかわらず、膜厚測定
工程12が完了しなければ可動させることができず、作
業時間や設備利用効率が良くない。
【0005】そこで、作業時間短縮及び設備利用効率の
向上を図る半導体集積回路の製造方法の提供を本発明の
目的とする。
向上を図る半導体集積回路の製造方法の提供を本発明の
目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明では、制作工程後
の測定工程に際し、その測定工程の順序を弾力的かつ伸
縮的に遂行可能な半導体集積回路の製造方法を提供す
る。即ち、制作工程の後に複数の測定工程を実施する半
導体集積回路の製造方法において、各測定工程に使用さ
れる設備の空き状態を確認して最適の測定工程を選択し
実行する第1工程後、実行済みの測定工程を除いた残り
の測定工程に使用される設備の空き状態を確認して最適
の測定工程を選択し実行する後続工程を、全測定工程を
少なくとも1回ずつ実施するまで行うことを特徴とす
る。
の測定工程に際し、その測定工程の順序を弾力的かつ伸
縮的に遂行可能な半導体集積回路の製造方法を提供す
る。即ち、制作工程の後に複数の測定工程を実施する半
導体集積回路の製造方法において、各測定工程に使用さ
れる設備の空き状態を確認して最適の測定工程を選択し
実行する第1工程後、実行済みの測定工程を除いた残り
の測定工程に使用される設備の空き状態を確認して最適
の測定工程を選択し実行する後続工程を、全測定工程を
少なくとも1回ずつ実施するまで行うことを特徴とす
る。
【0007】具体的には、膜厚測定工程、粒子測定工
程、及びシート抵抗測定工程を制作工程後に実施する半
導体集積回路のウェーハ酸化工程において、前記各測定
工程に使用される設備の空き状態を確認して前記各測定
工程のうち最適の測定工程を選択し実行する第1工程
と、この第1工程後の残りの前記測定工程に使用される
設備の空き状態を確認して該残りの前記測定工程のうち
最適の測定工程を選択し実行する第2工程と、この第2
工程後に残った最後の前記測定工程を実行する第3工程
と、の3つの工程を少なくとも1回実施してから終了工
程へ進むことを特徴とする。
程、及びシート抵抗測定工程を制作工程後に実施する半
導体集積回路のウェーハ酸化工程において、前記各測定
工程に使用される設備の空き状態を確認して前記各測定
工程のうち最適の測定工程を選択し実行する第1工程
と、この第1工程後の残りの前記測定工程に使用される
設備の空き状態を確認して該残りの前記測定工程のうち
最適の測定工程を選択し実行する第2工程と、この第2
工程後に残った最後の前記測定工程を実行する第3工程
と、の3つの工程を少なくとも1回実施してから終了工
程へ進むことを特徴とする。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につき添
付図面を参照して詳細に説明する。
付図面を参照して詳細に説明する。
【0009】図2に本発明の製造方法による製造工程順
のチャートを示し、図3にこれをより具体的に示す。本
実施形態でも前述同様に酸化工程を例にしてある。
のチャートを示し、図3にこれをより具体的に示す。本
実施形態でも前述同様に酸化工程を例にしてある。
【0010】図2に示すように、ウェーハを反応ソース
キャビネットのボートへセットするウェーハイン工程2
0と、製造工程中の特定工程としての酸化膜形成工程2
1と、の制作工程を経た後には、図3に示すように膜厚
測定工程12、粒子測定工程13、シート抵抗測定工程
14の各測定工程中でその各設備の状態を確認した結
果、余裕度の高い最適の工程を1つ選択して実行する第
1工程22がまず実施される。そして、この第1工程の
選択後に残った測定工程の中で最適の工程を1つ選択し
て実行する第2工程23と、最後に残った測定工程を実
施する最終の第3工程24と、のようにして、実行済み
の測定工程を除いた残りの測定工程に使用される設備の
状態を確認して最適の測定工程を選択し実行する後続工
程が実施され、全測定工程が行われる。このときに必要
であれば、設備の状況に応じて全測定工程や特定の測定
工程を繰り返すこともできる。このようにして測定工程
が終わった後には、洗浄工程25と、ウェーハをボート
から取出すウェーハアウト工程26と、の終了工程が実
施される。このように、3種の測定工程12,13,1
4を時には重複して伸縮的に且つ設備の空き状態に応じ
て順序を入替え弾力的に進行するようにしている。但
し、全測定工程をすべて実施したときにのみ次の工程へ
進行することが可能である。
キャビネットのボートへセットするウェーハイン工程2
0と、製造工程中の特定工程としての酸化膜形成工程2
1と、の制作工程を経た後には、図3に示すように膜厚
測定工程12、粒子測定工程13、シート抵抗測定工程
14の各測定工程中でその各設備の状態を確認した結
果、余裕度の高い最適の工程を1つ選択して実行する第
1工程22がまず実施される。そして、この第1工程の
選択後に残った測定工程の中で最適の工程を1つ選択し
て実行する第2工程23と、最後に残った測定工程を実
施する最終の第3工程24と、のようにして、実行済み
の測定工程を除いた残りの測定工程に使用される設備の
状態を確認して最適の測定工程を選択し実行する後続工
程が実施され、全測定工程が行われる。このときに必要
であれば、設備の状況に応じて全測定工程や特定の測定
工程を繰り返すこともできる。このようにして測定工程
が終わった後には、洗浄工程25と、ウェーハをボート
から取出すウェーハアウト工程26と、の終了工程が実
施される。このように、3種の測定工程12,13,1
4を時には重複して伸縮的に且つ設備の空き状態に応じ
て順序を入替え弾力的に進行するようにしている。但
し、全測定工程をすべて実施したときにのみ次の工程へ
進行することが可能である。
【0011】このような半導体集積回路のフレキシブル
製造方法についての制御は、例えばマイクロコンピュー
タを組み込んだ制御装置によって容易に実施可能であ
る。このような制御装置はフレキシブル製造方法を制御
できるようにプログラムされ、各工程をチェックし進行
させるためにセンサを通じて各設備と連結され、該当工
程の設備を可動する駆動命令を提供する。また、フレキ
シブル工程進行のために内部の記憶レジスタを多数用意
し、実際の駆動命令時にそのレジスタをチェックするこ
とにより進行の制御を行える。
製造方法についての制御は、例えばマイクロコンピュー
タを組み込んだ制御装置によって容易に実施可能であ
る。このような制御装置はフレキシブル製造方法を制御
できるようにプログラムされ、各工程をチェックし進行
させるためにセンサを通じて各設備と連結され、該当工
程の設備を可動する駆動命令を提供する。また、フレキ
シブル工程進行のために内部の記憶レジスタを多数用意
し、実際の駆動命令時にそのレジスタをチェックするこ
とにより進行の制御を行える。
【0012】以上の説明では酸化工程の場合について説
明したが、その他の工程にも適用可能であることは勿論
である。
明したが、その他の工程にも適用可能であることは勿論
である。
【0013】
【発明の効果】本発明によれば、製造工程の各段階で測
定工程を遂行するときに、その測定工程の工程順を弾力
的且つ伸縮的に進行するようにしたので、作業時間短縮
や設備利用効率の向上を図ることができる。
定工程を遂行するときに、その測定工程の工程順を弾力
的且つ伸縮的に進行するようにしたので、作業時間短縮
や設備利用効率の向上を図ることができる。
【図1】従来の製造方法による工程順を示すチャート。
【図2】本発明の製造方法による工程順を示すチャー
ト。
ト。
【図3】測定工程の順序入替えを具体的に示したチャー
ト。
ト。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平5−275510(JP,A) 特開 平7−86110(JP,A) 特開 平5−21365(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/66 H01L 21/316
Claims (2)
- 【請求項1】 制作工程の後に複数の測定工程を実施す
る半導体集積回路の製造方法において、各測定工程 に使用される設備の空き状態を確認して最適
の測定工程を選択し実行する第1工程後、実行済みの測
定工程を除いた残りの測定工程に使用される設備の空き
状態を確認して最適の測定工程を選択し実行する後続工
程を、全測定工程を少なくとも1回ずつ実施するまで行
うようにしたことを特徴とする半導体集積回路の製造方
法。 - 【請求項2】 膜厚測定工程、粒子測定工程、及びシー
ト抵抗測定工程を制作工程後に実施する半導体集積回路
のウェーハ酸化工程において、 前記各測定工程に使用される設備の空き状態を確認して
前記各測定工程のうち最適の測定工程を選択し実行する
第1工程と、この第1工程後の残りの前記測定工程に使
用される設備の空き状態を確認して該残りの前記測定工
程のうち最適の測定工程を選択し実行する第2工程と、
この第2工程後に残った最後の前記測定工程を実行する
第3工程と、の3つの工程を少なくとも1回実施してか
ら終了工程へ進むようにしたことを特徴とする半導体集
積回路のウェーハ酸化工程。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950030940A KR0153617B1 (ko) | 1995-09-20 | 1995-09-20 | 반도체 집적회로 제조공정방법 |
KR1995P30940 | 1995-09-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09115980A JPH09115980A (ja) | 1997-05-02 |
JP2837837B2 true JP2837837B2 (ja) | 1998-12-16 |
Family
ID=19427390
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8246384A Expired - Fee Related JP2837837B2 (ja) | 1995-09-20 | 1996-09-18 | 半導体集積回路の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5863807A (ja) |
JP (1) | JP2837837B2 (ja) |
KR (1) | KR0153617B1 (ja) |
Families Citing this family (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5733820A (en) * | 1995-04-27 | 1998-03-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Dry etching method |
JP2970555B2 (ja) * | 1996-10-28 | 1999-11-02 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
US6035293A (en) * | 1997-10-20 | 2000-03-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | Validating process data in manufacturing process management |
IT1296624B1 (it) * | 1997-12-10 | 1999-07-14 | Sgs Thomson Microelectronics | Struttura e metodo per la valutazione di un dispositivo elettronico integrato. |
US6071749A (en) * | 1997-12-19 | 2000-06-06 | Advanced Micro Devices, Inc. | Process for forming a semiconductor device with controlled relative thicknesses of the active region and gate electrode |
US6015717A (en) * | 1998-03-13 | 2000-01-18 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for monitoring rapid thermal process integrity |
US6017771A (en) * | 1998-04-27 | 2000-01-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and system for yield loss analysis by yield management system |
US6640151B1 (en) * | 1999-12-22 | 2003-10-28 | Applied Materials, Inc. | Multi-tool control system, method and medium |
US6708074B1 (en) | 2000-08-11 | 2004-03-16 | Applied Materials, Inc. | Generic interface builder |
US7188142B2 (en) * | 2000-11-30 | 2007-03-06 | Applied Materials, Inc. | Dynamic subject information generation in message services of distributed object systems in a semiconductor assembly line facility |
US20020138321A1 (en) * | 2001-03-20 | 2002-09-26 | Applied Materials, Inc. | Fault tolerant and automated computer software workflow |
US6913938B2 (en) * | 2001-06-19 | 2005-07-05 | Applied Materials, Inc. | Feedback control of plasma-enhanced chemical vapor deposition processes |
US7101799B2 (en) * | 2001-06-19 | 2006-09-05 | Applied Materials, Inc. | Feedforward and feedback control for conditioning of chemical mechanical polishing pad |
US7160739B2 (en) * | 2001-06-19 | 2007-01-09 | Applied Materials, Inc. | Feedback control of a chemical mechanical polishing device providing manipulation of removal rate profiles |
US7698012B2 (en) * | 2001-06-19 | 2010-04-13 | Applied Materials, Inc. | Dynamic metrology schemes and sampling schemes for advanced process control in semiconductor processing |
US7201936B2 (en) * | 2001-06-19 | 2007-04-10 | Applied Materials, Inc. | Method of feedback control of sub-atmospheric chemical vapor deposition processes |
US7082345B2 (en) * | 2001-06-19 | 2006-07-25 | Applied Materials, Inc. | Method, system and medium for process control for the matching of tools, chambers and/or other semiconductor-related entities |
US7337019B2 (en) * | 2001-07-16 | 2008-02-26 | Applied Materials, Inc. | Integration of fault detection with run-to-run control |
US6984198B2 (en) | 2001-08-14 | 2006-01-10 | Applied Materials, Inc. | Experiment management system, method and medium |
JP2003077854A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
US7225047B2 (en) * | 2002-03-19 | 2007-05-29 | Applied Materials, Inc. | Method, system and medium for controlling semiconductor wafer processes using critical dimension measurements |
US20030199112A1 (en) * | 2002-03-22 | 2003-10-23 | Applied Materials, Inc. | Copper wiring module control |
WO2004013715A1 (en) * | 2002-08-01 | 2004-02-12 | Applied Materials, Inc. | Method, system, and medium for handling misrepresentative metrology data within an advanced process control system |
US20040063224A1 (en) * | 2002-09-18 | 2004-04-01 | Applied Materials, Inc. | Feedback control of a chemical mechanical polishing process for multi-layered films |
CN1720490B (zh) * | 2002-11-15 | 2010-12-08 | 应用材料有限公司 | 用于控制具有多变量输入参数的制造工艺的方法和*** |
US7333871B2 (en) * | 2003-01-21 | 2008-02-19 | Applied Materials, Inc. | Automated design and execution of experiments with integrated model creation for semiconductor manufacturing tools |
US7205228B2 (en) * | 2003-06-03 | 2007-04-17 | Applied Materials, Inc. | Selective metal encapsulation schemes |
US20050014299A1 (en) * | 2003-07-15 | 2005-01-20 | Applied Materials, Inc. | Control of metal resistance in semiconductor products via integrated metrology |
US7354332B2 (en) * | 2003-08-04 | 2008-04-08 | Applied Materials, Inc. | Technique for process-qualifying a semiconductor manufacturing tool using metrology data |
SG112082A1 (en) * | 2003-11-10 | 2005-06-29 | Hermes Microvision Taiwan Inc | Method and system for monitoring ic process |
US7356377B2 (en) * | 2004-01-29 | 2008-04-08 | Applied Materials, Inc. | System, method, and medium for monitoring performance of an advanced process control system |
US7319530B1 (en) | 2004-03-29 | 2008-01-15 | National Semiconductor Corporation | System and method for measuring germanium concentration for manufacturing control of BiCMOS films |
US6961626B1 (en) * | 2004-05-28 | 2005-11-01 | Applied Materials, Inc | Dynamic offset and feedback threshold |
US7096085B2 (en) * | 2004-05-28 | 2006-08-22 | Applied Materials | Process control by distinguishing a white noise component of a process variance |
CN102427044A (zh) * | 2011-08-15 | 2012-04-25 | 上海华力微电子有限公司 | 一种对工艺反应腔室进行检漏的方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0521365A (ja) * | 1991-07-17 | 1993-01-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP3146055B2 (ja) * | 1992-03-27 | 2001-03-12 | 株式会社東芝 | 基板処理装置 |
US5691648A (en) * | 1992-11-10 | 1997-11-25 | Cheng; David | Method and apparatus for measuring sheet resistance and thickness of thin films and substrates |
JPH0786110A (ja) * | 1993-09-17 | 1995-03-31 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造制御装置及び製造制御方法 |
US5665609A (en) * | 1995-04-21 | 1997-09-09 | Sony Corporation | Prioritizing efforts to improve semiconductor production yield |
US5787190A (en) * | 1995-06-07 | 1998-07-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for pattern recognition of wafer test bins |
US5780317A (en) * | 1996-12-24 | 1998-07-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus for forming oxide film of semiconductor device |
-
1995
- 1995-09-20 KR KR1019950030940A patent/KR0153617B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-03-15 US US08/616,896 patent/US5863807A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-09-18 JP JP8246384A patent/JP2837837B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5863807A (en) | 1999-01-26 |
KR0153617B1 (ko) | 1998-12-01 |
JPH09115980A (ja) | 1997-05-02 |
KR970018205A (ko) | 1997-04-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2837837B2 (ja) | 半導体集積回路の製造方法 | |
US5100508A (en) | Method of forming fine patterns | |
CN101399188A (zh) | 半导体装置的制造方法和装置、控制程序及程序存储介质 | |
US5740065A (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
WO2007046945A2 (en) | Product-related feedback for process control | |
US20040236528A1 (en) | Method, device, computer-readable storage medium and computer program element for monitoring of a manufacturing process | |
JP4428710B2 (ja) | 基板処理システム、基板処理方法、検証プログラム及び検証プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
EP1693886A1 (en) | Substrate treatment device control method and substrate treatment device | |
US6996449B2 (en) | Semiconductor manufacturing apparatus control system | |
JPH07230942A (ja) | マルチチャンバシステム及びその制御方法 | |
CN108363362B (zh) | 半导体机台产能模拟方法及半导体机台产能模拟*** | |
KR0150052B1 (ko) | 웨이퍼 이송장치 및 방법 | |
JP3955116B2 (ja) | 半導体製造装置のスケジューリング方法 | |
JPH05308042A (ja) | マルチリアクタタイプのプロセス設備制御装置 | |
US20020088774A1 (en) | Variable time etching system according to the accumulated number of devices being processed and a method for etching in the same manner | |
JP3136780B2 (ja) | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 | |
JPH10256341A (ja) | 半導体製造装置 | |
JPH1131733A (ja) | 半導体製造装置 | |
CN116009364A (zh) | 一种晶圆曝光管理方法、装置、电子设备和*** | |
JP2725106B2 (ja) | 基板表面処理方法及び基板表面処理装置 | |
JPH0521307A (ja) | 半導体露光装置 | |
JPH06244072A (ja) | 半導体ウエハの製造方法およびその半導体ウエハを用いた半導体装置 | |
US20090110519A1 (en) | Semiconductor manufacturing apparatus and method for loading/unloading wafer via variable setting of slot | |
JP3295442B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
US20050142764A1 (en) | Method for manufacturing semiconductor device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071009 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081009 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091009 Year of fee payment: 11 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |