JP2827545B2 - How to record optical information - Google Patents

How to record optical information

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JP2827545B2
JP2827545B2 JP3049522A JP4952291A JP2827545B2 JP 2827545 B2 JP2827545 B2 JP 2827545B2 JP 3049522 A JP3049522 A JP 3049522A JP 4952291 A JP4952291 A JP 4952291A JP 2827545 B2 JP2827545 B2 JP 2827545B2
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pulse train
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昇 山田
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  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、レーザー光線等を用い
て高密度に光学的な情報を記録再生する光学情報の記録
方法に関するものである。
The present invention relates to relates to a recording method for an optical science information you optically recording and reproducing information at high density by using a laser beam or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】レーザー光線を利用して高密度な情報の
再生あるいは記録を行う技術は公知であり、主に光ディ
スクとして実用化されている。光ディスクの一つの応用
例として音楽情報を記録したコンパクト・ディスク(以
下CDと記す)がある。これは光ディスク上にあらかじ
め信号が記録された再生専用型であり、ユーザーは音楽
情報を再生することはできるが、信号を記録・消去する
ことはできない。そこで近年、書換え型光ディスクによ
り記録・消去が可能なCDを実現する研究開発が盛んに
なされている。
2. Description of the Related Art Techniques for reproducing or recording high-density information using a laser beam are well known, and are mainly put to practical use as optical disks. As one application example of the optical disk, there is a compact disk (hereinafter, referred to as a CD) on which music information is recorded. This is a reproduction-only type in which a signal is recorded on an optical disk in advance, and a user can reproduce music information, but cannot record or delete a signal. Therefore, in recent years, research and development for realizing a CD that can be recorded / erased by a rewritable optical disk has been actively performed.

【0003】書換え型光ディスクは光磁気ディスクと相
変化ディスクに大別できる。このうち相変化ディスクは
レーザー光の照射条件を変化させることにより記録膜を
アモルファスと結晶間で可逆的に状態変化させて信号を
記録し、アモルファスと結晶の反射率の違いを光学的に
検出して再生するものである。したがって光磁気ディス
クに比べ、CDと同様にレーザー光の反射率変化により
信号が再生できる、レーザーパワーの変調で1ビームオ
ーバーライトが容易に実現できる、といった大きなメリ
ットがある。
[0003] Rewritable optical disks can be broadly classified into magneto-optical disks and phase change disks. Of these, the phase-change disk records the signal by changing the recording film reversibly between amorphous and crystalline by changing the irradiation conditions of the laser light, and records the signal, and optically detects the difference in the reflectance between the amorphous and crystalline. To play. Therefore, as compared with a magneto-optical disk, there are significant advantages that a signal can be reproduced by a change in the reflectance of a laser beam similarly to a CD, and that one-beam overwriting can be easily realized by modulating laser power.

【0004】相変化ディスクによる書換え型CDの具体
的提案としては、記録膜材料として図16の斜線の組成
範囲のGeSbTe合金を用い、構造として図17のように記
録膜を誘電体膜でサンドイッチした光ディスクがある
(光メモリシンポジウム1988、論文集、P41-P4
2)。
As a specific proposal of a rewritable CD using a phase change disk, a GeSbTe alloy having a composition range indicated by oblique lines in FIG. 16 is used as a recording film material, and the recording film is sandwiched by a dielectric film as shown in FIG. There is an optical disk (Optical Memory Symposium 1988, Proceedings, P41-P4
2).

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】前記従来例で提案され
た記録膜組成および光ディスク構造で実際にCD信号の
記録を従来の1ビームオーバーライトで行ったところ、
再生波形の歪が非常に大きく実用的でないことが分かっ
た。これは記録マーク形状が前後対称でなく先端部で細
く終端部で太くなって涙滴状に歪むためである。原因は
図18の(a)のようなレーザー光の変調波形で記録した
場合、記録膜の到達温度が蓄熱現象で(b)のように先端
で低く終端に近づくにつれて高くなることにあり、結果
として、(c)のような涙滴状の記録マークとなる。蓄熱
現象はレーザースポットと光ディスクの相対速度、すな
わち線速度が遅いほど大きくなるため、CDのように1.
2〜1.4m/secと非常に遅い場合には記録マークの形状歪
も大きくなる。この記録マークの歪みは再生波形歪みに
つながり、ジッター増大の原因となる。特にCD規格の
EFM信号はパルス幅変調された信号(PWM信号)で
あって、記録マークの長さと記録マークの間隔が情報を
示すものであり、記録マークの歪はエラー発生の大きな
原因となる。
When the recording of a CD signal was actually performed by the conventional one-beam overwriting with the recording film composition and the optical disk structure proposed in the above-mentioned conventional example,
It was found that the distortion of the reproduced waveform was very large and not practical. This is because the shape of the recording mark is not symmetrical in the front-rear direction, but is thinner at the leading end and thicker at the trailing end and distorted like teardrops. The cause is that when recording is performed with a modulation waveform of a laser beam as shown in FIG. 18 (a), the temperature reached by the recording film is lower at the leading end as shown in FIG. As a result, a teardrop-shaped recording mark as shown in FIG. The heat storage phenomenon becomes larger as the relative speed between the laser spot and the optical disk, that is, the linear velocity becomes slower.
When the speed is very slow, 2 to 1.4 m / sec, the shape distortion of the recording mark also increases. This distortion of the recording mark leads to distortion of the reproduced waveform, which causes an increase in jitter. In particular, the EFM signal of the CD standard is a pulse width modulated signal (PWM signal) in which the length of the recording mark and the interval between the recording marks indicate information, and the distortion of the recording mark causes a large error. .

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に詳細な検討、研究を重ねた結果、発明者らは光ディス
クの記録膜組成、構造を特定し、さらに記録方法を特定
することによって、書換え型光ディスクにおいても形状
歪が小さい記録マークを形成でき、CD並の再生信号が
得られることを見いだした。
As a result of detailed studies and studies to solve the above-mentioned problems, the inventors have specified the composition and structure of the recording film of the optical disc, and further specified the recording method. It has been found that a recording mark having a small shape distortion can be formed even on a rewritable optical disk, and a reproduction signal equivalent to that of a CD can be obtained.

【0007】すなわち、本発明の光学情報の記録方法に
供する光ディスクを、基板上に誘電体膜、記録膜、誘電
体膜、反射膜の順に積層した構造とし、前記記録膜は、
組成がGexSbyTez(7≦x≦17,34≦y≦4
4,44≦z≦54,x+y+z=100at%)で表
され、かつ膜厚は10nm以上35nm以下であり、反
射膜側の前記誘電体膜の膜厚は5nm以上40nm以下
であり、かつ前記反射膜は少なくともAu,Al,T
i,Ni,Crの単体あるいは合金からなり、かつ膜厚
は35nm以上とする。
That is , according to the optical information recording method of the present invention,
An optical disk to be provided has a structure in which a dielectric film, a recording film, a dielectric film, and a reflection film are stacked in this order on a substrate, and the recording film is
Composition Ge x Sb y Te z (7 ≦ x ≦ 17,34 ≦ y ≦ 4
4,44 ≦ z ≦ 54, x + y + z = 100 at%), the film thickness is 10 nm or more and 35 nm or less, and the film thickness of the dielectric film on the reflective film side is 5 nm or more and 40 nm or less, and the reflection The film is made of at least Au, Al, T
It is made of a simple substance or an alloy of i, Ni, and Cr, and has a thickness of 35 nm or more.

【0008】さらにこの光ディスク上への信号の記録方
法として、パルス幅変調されたデジタル信号を一つのレ
ーザースポットを用いてオーバーライトする場合に、光
ディスクをレーザースポットとの相対速度が1.2〜1.4m/
secの間の一定速度となるように回転させるステップ
と、前記デジタル信号に含まれるそれぞれのパルスを複
数のパルスからなるパルス列に変換するステップと、レ
ーザーパワーを前記パルス列により消去レベルと記録レ
ベルの間で変調して、それぞれの前記パルス列でそれぞ
れ一つの記録マークを光ディスク上に形成して前記デジ
タル信号を記録するステップからなり、前記パルス列は
先頭パルスと後続パルス列からなり、前記先頭パルスの
幅は常に一定でかつ後続パルス列中の各パルスの幅より
大きく、前記後続パルス列中の各パルスの幅と間隔はそ
れぞれ等しく、かつ長さがn番目の記録マークを形成す
る場合の前記後続パルス中のパルス数はn−1個である
光学情報の記録方法を採用する。
Further, as a method of recording a signal on the optical disk, when a pulse width modulated digital signal is overwritten using one laser spot, the relative speed of the optical disk to the laser spot is 1.2 to 1.4 m / sec.
rotating at a constant speed during sec, converting each pulse included in the digital signal into a pulse train composed of a plurality of pulses, and changing the laser power between the erase level and the recording level by the pulse train. And forming a recording mark on the optical disk with each of the pulse trains to record the digital signal.The pulse train includes a leading pulse and a trailing pulse train, and the width of the leading pulse is always The number of pulses in the subsequent pulse when forming a recording mark that is constant and larger than the width of each pulse in the subsequent pulse train, the width and interval of each pulse in the subsequent pulse train are equal, and the length is nth. Employs a method of recording n-1 optical information.

【0009】上記のようにレーザーパワーを変調して信
号を記録する前に、予めレーザーパワーを前記記録膜が
溶融するパワーレベル以上で一定に保って連続的に照射
して古い信号を消去するステップを設ける。
Before recording the signal by modulating the laser power as described above, the step of erasing the old signal by continuously irradiating the laser power in advance at a constant power level above the power level at which the recording film melts. Is provided.

【0010】[0010]

【作用】本発明の光学情報の記録方法は前記蓄熱現象を
低減するのに大きな効果がある。
Recording method of the optical information of the effects of the present invention is very effective in reducing the heat accumulation phenomenon.

【0011】本発明の記録方法に供する光ディスクは、
膜厚の薄い記録膜が金属の反射膜に非常に近接して設け
られているため放熱効果が大きく、記録膜は昇温した後
速やかに冷却される。したがって蓄熱現象が低減され記
録マークの終端部が必要以上に昇温するのが抑えられ
る。
An optical disk provided for the recording method according to the present invention comprises:
Since the thin recording film is provided very close to the metal reflection film, the heat radiation effect is large, and the recording film is cooled immediately after the temperature is raised. Therefore, the heat accumulation phenomenon is reduced, and the temperature of the end portion of the recording mark is prevented from rising more than necessary.

【0012】さらに本発明で限定した記録膜組成は、上
記構造のときに良好な消去速度、記録感度、熱的安定性
を実現することができる。
Further, the recording film composition limited in the present invention can realize good erasing speed, recording sensitivity and thermal stability in the above structure.

【0013】また本発明による光学情報の記録方法も、
パルス幅の広い先頭パルスで照射して記録膜を十分に昇
温した後、パルス幅の狭い後続パルスで断続的に照射す
るため、記録マークの終端部での蓄熱現象を低減するこ
とができる。なお、記録信号は消去パワーと記録パワー
の間で変調されるため、古い信号の記録マークは新しい
信号を記録する時に同時に消去されるが、さらに記録ビ
ームが通過する前に予めレーザーパワーを記録膜が溶融
するパワーレベル以上で一定に保って連続的に照射すれ
ば古い信号はほぼ完全に消去される。
The method for recording optical information according to the present invention also includes
After the recording film is sufficiently heated by irradiating with a leading pulse having a wide pulse width, the recording film is irradiated intermittently with a subsequent pulse having a narrow pulse width, so that the heat storage phenomenon at the end portion of the recording mark can be reduced. Since the recording signal is modulated between the erasing power and the recording power, the recording mark of the old signal is erased at the same time when a new signal is recorded, but before the recording beam passes, the laser power is previously applied to the recording film. Older signals are almost completely erased by continuously irradiating with a constant power level above the melting power level.

【0014】上記光ディスクと光学情報の記録方法はそ
れぞれ単独でも記録マークの形状歪を低減する効果は十
分に認められるが、双方を同時に採用することで相乗効
果により、1.2〜1.4m/secという低線速度においてもC
Dと同じ程度の再生信号品質を実現することができる。
The effect of reducing the shape distortion of a recording mark can be sufficiently recognized by using the above-described optical disk and the method of recording optical information alone. However, by adopting both of them at the same time, a synergistic effect results in a reduction of 1.2 to 1.4 m / sec. C at linear velocity
The same level of reproduction signal quality as D can be realized.

【0015】[0015]

【実施例】以下本発明を図面を参照しながら詳細に説明
する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

【0016】上述のように低線速度においてPWM記録
を実現するには記録時における蓄熱現象を抑えて記録マ
ークの形状歪を低減する必要がある。発明者らは記録マ
ークの形状歪を低減するために光ディスク構造および記
録膜組成の検討と、記録方法の検討を行った。その結
果、線速度が1.2〜1.4m/secにおいて記録マークの形状
歪を小さくできる最適な光ディスクと記録方法をそれぞ
れ見いだした。そしてこの光ディスクと記録方法を同時
に採用することにより形状歪は飛躍的に小さくなり、C
D規格のEFM(8−14変調)信号を記録・再生する
場合に非常に有効な手段であることが分かった。
As described above, in order to realize the PWM recording at a low linear velocity, it is necessary to suppress the heat storage phenomenon during the recording and to reduce the shape distortion of the recording mark. The inventors studied an optical disk structure and a recording film composition and a recording method in order to reduce the shape distortion of a recording mark. As a result, an optimum optical disc and a recording method capable of reducing the shape distortion of a recording mark at a linear velocity of 1.2 to 1.4 m / sec were found. By adopting this optical disk and recording method at the same time, the shape distortion is dramatically reduced,
It has been found that this is a very effective means when recording / reproducing an EFM (8-14 modulation) signal of the D standard.

【0017】最初に光ディスクについて説明する。図1
にその構造を示す。基板1上に誘電体膜2、記録膜3、
誘電体膜4、反射膜5の順に積層してある。基板1とし
ては金属、ガラス、樹脂等が使用可能であるが、一般的
にレーザー光線は基板側から入射されるため、透明なガ
ラス、石英、ポリカーボネート、ポリメチルメタアクリ
レート等を用いる。本発明による光ディスクの特徴は、
記録膜組成を図2のABCDEFの各点で囲まれた領域
に特定し、記録膜厚は10nm以上35nm 以下であり、か
つ、誘電体膜4の膜厚は5nm以上40nm以下とし、反射膜
5は少なくともAu,Al,Ti,Ni,Crの単体あるいは合金で構
成し、かつ膜厚を35nm以上と特定したことにある。なお
ABCDEFの各点の座標を以下に示す。
First, the optical disk will be described. FIG.
Shows the structure. On a substrate 1, a dielectric film 2, a recording film 3,
The dielectric film 4 and the reflection film 5 are laminated in this order. As the substrate 1, metal, glass, resin, or the like can be used, but since a laser beam is generally incident from the substrate side, transparent glass, quartz, polycarbonate, polymethyl methacrylate, or the like is used. The features of the optical disk according to the present invention include:
The recording film composition is specified in the region surrounded by each point of ABCDEF in FIG. 2, the recording film thickness is 10 nm or more and 35 nm or less, the film thickness of the dielectric film 4 is 5 nm or more and 40 nm or less, and the reflection film 5 is formed. Means that it is composed of at least a simple substance or an alloy of Au, Al, Ti, Ni, and Cr, and that the film thickness is specified to be 35 nm or more. The coordinates of each point of ABCDEF are shown below.

【0018】( Ge, Sb, Te ) A ( 17, 34, 49 ) at% B ( 17, 39, 44 ) C ( 12, 44, 44 ) D ( 7, 44, 49 ) E ( 7, 39, 54 ) F ( 12, 34, 54 ) このような光ディスクでは薄い記録膜が金属の反射膜に
非常に近接して設けられているため放熱効果が大きく、
記録膜は昇温した後速やかに冷却され、したがって蓄熱
現象が低減されて、1.2〜1.4m/secの低線速度において
も記録マークの形状歪が抑えられると同時に、記録膜の
組成を限定することにより、良好な記録感度、消去率、
熱的安定性を得ることができる。
(Ge, Sb, Te) A (17, 34, 49) at% B (17, 39, 44) C (12, 44, 44) D (7, 44, 49) E (7, 39, 54) F (12, 34, 54) In such an optical disc, the thin recording film is provided very close to the metal reflection film, so that the heat radiation effect is large,
The recording film is cooled immediately after the temperature is raised, so that the heat storage phenomenon is reduced, and the shape distortion of the recording mark is suppressed even at a low linear velocity of 1.2 to 1.4 m / sec, and at the same time, the composition of the recording film is limited. By doing so, good recording sensitivity, erasure rate,
Thermal stability can be obtained.

【0019】ここで光ディスクの各構成要素を上述のよ
うに限定した理由について説明する。
Here, the reason why each component of the optical disk is limited as described above will be described.

【0020】記録膜組成は図2のABCDEFの各点で
囲まれた領域に限定したが、これは以下の理由による。
上記光ディスク構造を保ちながら組成を変化させたと
き、直線AFよりSbの少ない領域では結晶化速度が速す
ぎるため記録膜が溶融した後も結晶化しやすくなり、ア
モルファスの記録マークの形状が歪み、逆に直線CDよ
りSbの多い領域では結晶化速度が遅すぎてアモルファス
部分が十分に結晶化されず大きな消し残りが生じた。ま
た、直線DEよりGeの少ない領域では結晶化温度が低い
ために記録信号の熱的安定性が悪く、直線ABよりGeの
多い領域では融点が高いために記録感度が悪くなった。
さらに直線EFよりTeの多い領域では結晶化速度が速く
かつ結晶化温度が低いため記録マークの形状が歪みかつ
記録信号の熱的安定性が悪くなり、逆に直線BCよりTe
の少ない領域では結晶化速度が遅すぎてアモルファス部
分が十分に結晶化されず大きな消し残りが生じた。した
がって、蓄熱現象を小さく抑えた光ディスク構造におい
ては、記録膜組成は図2のABCDEFの各点で囲まれ
た領域がよい。
The composition of the recording film was limited to the region surrounded by each point of ABCDEF in FIG. 2 for the following reason.
When the composition was changed while maintaining the above optical disk structure, the crystallization rate was too high in the region with less Sb than the linear AF, so that the recording film was easily crystallized even after being melted, and the shape of the amorphous recording mark was distorted. In a region where the amount of Sb is larger than that of the straight line CD, the crystallization speed is too slow, and the amorphous portion is not sufficiently crystallized, resulting in a large erasure. Further, in a region where Ge is smaller than the straight line DE, the thermal stability of the recording signal is low because the crystallization temperature is low, and in a region where Ge is higher than the straight line AB, the recording sensitivity is deteriorated because the melting point is high.
Further, in a region having more Te than the straight line EF, the crystallization speed is high and the crystallization temperature is low, so that the shape of the recording mark is distorted and the thermal stability of the recording signal is deteriorated.
In a region with a small amount of crystallization, the crystallization speed was too slow, and the amorphous portion was not sufficiently crystallized, resulting in large unerased residue. Therefore, in the optical disk structure in which the heat storage phenomenon is suppressed to a small value, the composition of the recording film is preferably in a region surrounded by the ABCDEF points in FIG.

【0021】また上記構造を保ったまま記録膜厚のみを
変化させたところ、記録膜厚が10nm未満では記録膜によ
るレーザー光の吸収が悪くかつ放熱効果が大きいために
記録感度が悪くなり、35nmを越えると記録膜の熱容量が
大きくなり蓄熱現象による記録マークの形状歪が大きく
なった。したがって、記録膜厚は10nm以上35nm以下がよ
い。
When only the recording film thickness was changed while maintaining the above structure, if the recording film thickness was less than 10 nm, the recording film had poor absorption of laser light and a large heat radiation effect, resulting in poor recording sensitivity. When the temperature exceeds the limit, the heat capacity of the recording film increases, and the shape distortion of the recording mark due to the heat storage phenomenon increases. Therefore, the recording film thickness is preferably 10 nm or more and 35 nm or less.

【0022】同様に反射膜側の誘電体膜4の膜厚を検討
したところ、5nm未満では記録膜が反射膜に近接しす
ぎて放熱効果が大きくなりすぎ記録感度が悪くなり、4
0nmを越えると反射膜への放熱が小さくなり蓄熱現象
による記録マークの形状歪が大きくなった。したがっ
て、誘電体膜4の膜厚は5nm以上40nm以下がよ
い。なお、誘電体2および4の材質としては、たとえば
Si 2 ,SiO,Al 2 3 ,Ge 2 ,Te 2 ,Mo
3 ,W 3 Si 3 4 ,AlN,BN,TiN,Zn
S,ZnSe,ZnTe,SiCの単体あるいはこれら
の混合物が使用できるが、熱的安定性に優れ、成膜が容
易なものがよく特にZnS,Si 2 Si 3 4 ,Al
N,TiN,ZnSとSi 2 の混合物,ZnSeとS
2 の混合物がよい。
Similarly, when the film thickness of the dielectric film 4 on the reflection film side was examined, if it was less than 5 nm, the recording film was too close to the reflection film, the heat radiation effect became too large, and the recording sensitivity deteriorated.
When the thickness exceeds 0 nm, the heat radiation to the reflection film becomes small, and the shape distortion of the recording mark due to the heat storage phenomenon increases. Therefore, the thickness of the dielectric film 4 is preferably 5 nm or more and 40 nm or less. As the material of the dielectric 2 and 4, for example, Si O 2, SiO, Al 2 O 3, Ge O 2, Te O 2, Mo
O 3, W O 3, Si 3 N 4, AlN, BN, TiN, Zn
S, ZnSe, ZnTe, but alone or a mixture of these SiC can be used, excellent thermal stability, film forming easy thing particularly well ZnS, Si O 2, Si 3 N 4, Al
N, TiN, a mixture of ZnS and Si O 2, ZnSe and S
mixtures of i O 2 is good.

【0023】さらに、反射膜5の膜厚を検討したとこ
ろ、35nm未満では反射膜の放熱効果が小さくなり蓄熱現
象による記録マークの形状歪が大きくなった。したがっ
て、反射膜5の膜厚は35nm以上がよい。なお反射膜の組
成は反射率が大きいこと、熱伝導が大きいこと、成膜が
容易であることを考慮すれば、少なくともAu,Al,Ti,Ni,
Crの単体あるいは合金で構成するのが良い。
Further, when the film thickness of the reflective film 5 was examined, when the thickness was less than 35 nm, the heat radiation effect of the reflective film became small, and the shape distortion of the recording mark due to the heat storage phenomenon became large. Therefore, the thickness of the reflective film 5 is preferably 35 nm or more. Note that the composition of the reflective film is high in reflectivity, high in thermal conductivity, and considering that film formation is easy, at least Au, Al, Ti, Ni,
It is preferable to use Cr alone or an alloy.

【0024】次に、記録方法について説明する。CD規
格のEFM信号は、3T〜11T(Tはクロック周期)の9種
類のパルス幅の異なるパルスで構成されており、従来の
1ビームオーバーライトによる記録方法は、レーザーパ
ワーを消去レベルと記録レベルの間で、EFM信号によ
り直接変調して光ディスク上に信号を記録していた。し
かしながら、この記録方法では記録マークは涙滴状に大
きく歪むため、発明者らはこれを低減する方法を考案し
た(特願平1-323369)。これは、1ビームオーバーライ
トする際に一つの記録マークを形成する記録パルスを特
定形状の複数の短パルスからなるパルス列に変換して信
号を記録するものである(この記録方法は以後マルチパ
ルス記録方法あるいはMP記録方法と記す)。本発明の
記録方法はMP記録方法のうち本発明の光ディスクに特
に有効な要素を抽出し限定したものである。
Next, a recording method will be described. The EFM signal of the CD standard is composed of 9 types of pulses having different pulse widths of 3T to 11T (T is a clock cycle), and the conventional recording method using one-beam overwriting uses a laser power of an erasing level and a recording level. In the meantime, the signal was recorded on the optical disk by directly modulating with the EFM signal. However, in this recording method, the recording mark is largely distorted like teardrops, and the inventors have devised a method for reducing the distortion (Japanese Patent Application No. 1-323369). In this method, when one beam is overwritten, a recording pulse for forming one recording mark is converted into a pulse train composed of a plurality of short pulses of a specific shape, and a signal is recorded. Method or MP recording method). The recording method of the present invention is obtained by extracting and limiting elements particularly effective for the optical disk of the present invention among the MP recording methods.

【0025】すなわち、デジタル信号に含まれるそれぞ
れのパルスを複数のパルスからなるパルス列に変換した
後、レーザーパワーをパルス列により消去レベルと記録
レベルの間で変調して、それぞれのパルス列でそれぞれ
一つの記録マークを光ディスク上に形成して前記デジタ
ル信号を記録するときに、パルス列は先頭パルスと後続
パルス列で構成し、先頭パルスの幅は常に一定でかつ後
続パルス列中の各パルスの幅より大きく、後続パルス列
中の各パルスの幅と間隔はそれぞれ等しく、そして長さ
がn番目の記録マークを形成する場合の後続パルス中の
パルス数はn−1個とするものである。
That is, after converting each pulse included in the digital signal into a pulse train composed of a plurality of pulses, the laser power is modulated between an erasing level and a recording level by the pulse train, and one pulse is recorded in each pulse train. When a mark is formed on an optical disk and the digital signal is recorded, the pulse train is composed of a leading pulse and a trailing pulse train, and the width of the leading pulse is always constant and larger than the width of each pulse in the trailing pulse train. The width and interval of each of the pulses are equal, and the number of pulses in the succeeding pulses when forming the n-th recording mark is n-1.

【0026】図3のように、EFM信号に含まれる3T〜
11Tの幅の異なる9種類のパルスのうち、3Tのパルスは
幅の広い先頭パルスに変換され、4Tのパルスには幅の狭
い後続パルスが先頭パルスに一つ追加され、その後パル
ス幅が広くなるにつれて幅の等しいパルスが一つずつ追
加されたパルス列に変換される。そしてこのパルス列に
よりレーザーパワーを記録レベルと消去レベルの間で変
調して信号を記録するため、例えば、図4aの様な入力
波形はbのようなレーザー出力により光ディスク上に照
射されて、予め記録されている信号を消去しながら新し
い信号が記録される。なお、レーザーパワーの変調方法
としてはさらにcのようにパルス列の期間だけ記録レベ
ルPpと再生レベルPrまたはオフレベルの間で変調しても
よい。
As shown in FIG. 3, 3T-
Of the 9 types of 11T pulses with different widths, the 3T pulse is converted to a wider first pulse, and the 4T pulse has a narrower subsequent pulse added to the first pulse, and then the pulse width becomes wider As a result, pulses having the same width are converted into a pulse train added one by one. Then, in order to record a signal by modulating the laser power between the recording level and the erasing level with this pulse train, for example, an input waveform as shown in FIG. A new signal is recorded while erasing the existing signal. As a method of modulating the laser power, the modulation may be further performed between the recording level Pp and the reproduction level Pr or the off level only during the period of the pulse train as shown in c.

【0027】また1ビームオーバーライトで信号を記録
する場合には古い信号の消し残りが生じる場合があり、
消し残りが大きいとジッター増大の原因となる。消し残
りの原因は信号トラック上における結晶状態の差による
ものと考えられるため、上記方法によりレーザーパワー
を変調して信号を記録する前に、予めレーザーパワーを
記録膜が溶融するパワーレベル以上で一定に保って連続
的に照射する。信号トラック上の結晶は全て溶融される
ため、結晶状態の差はなくなり古い信号は十分に消去さ
れる。このとき記録膜は溶融後アモルファス状態になっ
てもあるいは結晶状態になってもよい。その後に照射さ
れる記録レーザー光によりアモルファスと結晶の両方の
状態が実現できるからである。
When a signal is recorded by one-beam overwriting, an old signal may be left unerased.
If the unerased portion is large, it causes an increase in jitter. Since the cause of the unerased portion is considered to be due to the difference in the crystal state on the signal track, before the laser power is modulated by the above-described method and the signal is recorded, the laser power is fixed at a power level that is higher than the power level at which the recording film melts. And irradiate continuously. Since all the crystals on the signal track are melted, there is no difference in crystal state, and old signals are sufficiently erased. At this time, the recording film may be in an amorphous state or a crystalline state after melting. This is because both the amorphous state and the crystalline state can be realized by the recording laser beam subsequently irradiated.

【0028】なおこの溶融消去は記録レーザースポット
により連続照射して行い、その後改めて記録レーザース
ポットで新しい信号を記録してもよいし、あるいは記録
レーザースポットに先行する他のレーザースポットを設
けて行ってもよい。
This melting and erasing may be performed by continuously irradiating with a recording laser spot and then recording a new signal again with the recording laser spot, or by providing another laser spot preceding the recording laser spot. Is also good.

【0029】次に本発明のさらに具体的実施例を示す。 実施例1 最初に本発明による光ディスクおよび光学情報の記録方
法の有効性を従来例と比較した例を示す。ここでは本発
明による光ディスクと従来例による光ディスクの2種類
を用意し、それぞれの光ディスクに対して本発明による
記録方法と従来例による記録方法でEFM信号を記録し
たのち、再生して信号のジッターの大きさを比較した。
Next, more specific examples of the present invention will be described. First Embodiment First, an example in which the effectiveness of an optical disc and a method of recording optical information according to the present invention is compared with a conventional example will be described. Here, two types of optical disks according to the present invention and the conventional optical disk are prepared, and EFM signals are recorded on the respective optical disks by the recording method according to the present invention and the recording method according to the conventional example. The sizes were compared.

【0030】本発明による光ディスクAは図1の構造と
同じであり、基板1は信号トラックを予め設けた120
mmφのポリカーボネート基板、記録膜3の組成はGe
12 Sb 39 Te 49 で膜厚は20nm、誘電体膜の組成は2
0mol%のSi 2 を含むZnSとSi 2 の混合物で
膜厚は誘電体膜2が150nm、誘電体膜4が12n
m、反射膜5の組成はAuで膜厚は50nmとした。な
これらの薄膜層を保護するためにさらにポリカー
ボネート製の保護カバーを接着した。なお信号トラッ
クは、光ディスク上のどの場所においても1.25m/
secの一定の線速度で回転するため、1.25m/s
ecで回転したときに22.05kHzが得られるよう
に変調したいわゆるウォブリング溝とした。
An optical disc A according to the present invention has the same structure as that shown in FIG.
mmφ polycarbonate substrate, the composition of the recording film 3 is Ge
12 Sb 39 Te 49 with a thickness of 20 nm and a dielectric film composition of 2
The thickness mixture of ZnS and Si O 2 containing 0 mol% of Si O 2 dielectric film 2 is 150 nm, the dielectric film 4 is 12n
m, the composition of the reflective film 5 was Au and the film thickness was 50 nm. Contact Do <br/>, in order to protect these thin layers, further bonding a polycarbonate protective cover. Note that the signal track is 1.25 m /
1.25m / s to rotate at a constant linear speed of sec
A so-called wobbling groove modulated so that 22.05 kHz was obtained when rotated at ec.

【0031】従来例の光ディスクBは図17の構造と同
じであり、基板、記録膜、誘電体の組成は光ディスクA
と同じとした。膜厚は基板側の誘電体膜が100nm、反対
側が200nm、記録膜厚が100nmである。光ディスクBも薄
膜層を保護するためにさらにポリカーボネート製の保護
カバーを接着した。
The structure of the conventional optical disk B is the same as that of the optical disk B shown in FIG.
And the same. The film thickness of the dielectric film on the substrate side is 100 nm, the film thickness on the opposite side is 200 nm, and the recording film thickness is 100 nm. The optical disc B was further adhered with a protective cover made of polycarbonate to protect the thin film layer.

【0032】記録方法は、EFM信号で直接レーザー光
を記録レベルと消去レベルの間でパワー変調する従来の
方法と、EFM信号を本発明によるパルス列に変換して
からレーザー光を変調するMP記録方法を採用した。M
P記録方法における3Tから11Tの入力パルスは一定の規
則にしたがってパルス列化されるため、先頭パルスの幅
t1、後続パルスの幅t2を指定すれば全てのパルス列を知
ることができる。すなわち、図5aの11Tの波形をbの
様にパルス列化したとき、先頭パルスの幅t1、後続パル
スの幅t2を指定すれば3T〜11Tに対する全てのパルス列
が分かる(t3=T-t2である)。
The recording method includes a conventional method of directly modulating a laser beam between a recording level and an erasing level with an EFM signal, and an MP recording method of modulating a laser beam after converting the EFM signal into a pulse train according to the present invention. It was adopted. M
Since the input pulse from 3T to 11T in the P recording method is formed into a pulse train according to a certain rule, the width of the first pulse
By specifying t1 and the width t2 of the succeeding pulse, all pulse trains can be known. That is, when the waveform of 11T in FIG. 5A is converted into a pulse train like b, all pulse trains for 3T to 11T can be obtained by specifying the width t1 of the first pulse and the width t2 of the subsequent pulse (t3 = T−t2. ).

【0033】図6に図4bの波形を得るために本実施例
で用いた記録装置を示す。まず光ディスク6をスピンド
ルモータ7により光学ヘッド8からのレーザースポット
と光ディスク6の相対速度、すなわち線速度が1.25m/se
cで一定になるように回転する。線速度を光ディスク上
の全ての点で一定に保つためには、ウォブリング溝の変
調信号を光学的に再生して、この信号が常に22.05kHzと
なるように回転速度を制御すればよい。
FIG. 6 shows a recording apparatus used in this embodiment to obtain the waveform shown in FIG. 4B. First, the relative speed between the laser spot from the optical head 8 and the optical disk 6, that is, the linear velocity is 1.25 m / se by the spindle motor 7.
Rotate so that it is constant at c. In order to keep the linear velocity constant at all points on the optical disk, the modulation signal of the wobbling groove may be optically reproduced, and the rotation speed may be controlled so that this signal is always 22.05 kHz.

【0034】信号を記録するときには、信号発生器9か
らのEFM信号s1をMP回路10でパルス列信号s4に変
換する。MP回路10はパルス幅が最も長い11Tのパル
スに対応するパルス列のパターンを予め設定しておくパ
ターン設定器11と、s1中のパルス幅を検知し、その長
さに応じてパターン設定器11の設定パターンの先頭か
ら必要な長さを切り出してパルス列を発生して出力する
変調器12で構成した。なお信号発生器からの入力信号
のエッジ位置がパルス列に変調されることによって変動
しないように、入力信号の発生器、変調器、パターン設
定器を同一のクロックC1で同期させて記録信号のジッタ
を抑えた。また、光学ヘッド8中の半導体レーザーは信
号再生時には再生レベルPrを得るために電流Irが流れて
いるが、信号の記録期間中、すなわち記録ゲート信号Wg
が入力されるときには消去レベルPbを得るためのバイア
ス電流Ibが流れ、かつs4のパルス列信号でスイッチ13
が作動したときにはさらに記録レベルPpを得るための電
流Iaが重畳される。したがって信号記録時にはレーザー
パワーは図4bの様に消去レベルPbと記録レベルPpの間
で、パルス列波形に基づいて変調される。なお基準電圧
設定回路14は電流Ir,Ia,Ibを得るのに必要な電圧を発
生させるものでる。また、光学ヘッド8中の半導体レー
ザーの波長は830nm,対物レンズの開口数(numerical ape
rture;NA)は0.5である。
When recording a signal, the EFM signal s1 from the signal generator 9 is converted into a pulse train signal s4 by the MP circuit 10. The MP circuit 10 detects a pulse width in s1 in advance by setting a pattern of a pulse train corresponding to the 11T pulse having the longest pulse width, and detects a pulse width in s1, and sets the pattern setter 11 in accordance with the length. The modulator 12 is configured to cut out a required length from the head of the setting pattern, generate a pulse train, and output the generated pulse train. Note that the input signal generator, modulator, and pattern setting unit are synchronized with the same clock C1 to reduce the jitter of the recording signal so that the edge position of the input signal from the signal generator does not fluctuate by being modulated into a pulse train. Suppressed. The current Ir flows through the semiconductor laser in the optical head 8 to obtain a reproduction level Pr during signal reproduction, but during the signal recording period, that is, the recording gate signal Wg.
Is input, the bias current Ib for obtaining the erase level Pb flows, and the switch 13
Is activated, the current Ia for obtaining the recording level Pp is further superimposed. Therefore, at the time of signal recording, the laser power is modulated between the erase level Pb and the recording level Pp based on the pulse train waveform as shown in FIG. 4B. The reference voltage setting circuit 14 generates voltages necessary for obtaining the currents Ir, Ia, and Ib. The wavelength of the semiconductor laser in the optical head 8 is 830 nm, and the numerical aperture of the objective lens (numerical ape
rture; NA) is 0.5.

【0035】本実施例におけるパルス列の構成は図5に
おいてt1=348nsec,t2=116nsec,T=232nsecである。
The structure of the pulse train in this embodiment is t1 = 348 nsec, t2 = 116 nsec, and T = 232 nsec in FIG.

【0036】また従来の記録方法による場合はEFM信
号s1でスイッチ13を直接動作して、レーザーパワーを
変調した。
In the case of the conventional recording method, the switch 13 is directly operated by the EFM signal s1 to modulate the laser power.

【0037】以上の様な光ディスクと記録方法の組合せ
によって、同じトラック上に10回オーバーライトした
信号を再生して、そのジッターの大きさを測定した。ジ
ッター測定には目黒電機(株)製のCDジッターメータ
ー MJM-631 を用いた。
According to the combination of the optical disk and the recording method as described above, a signal that was overwritten 10 times on the same track was reproduced, and the magnitude of the jitter was measured. For jitter measurement, a CD jitter meter MJM-631 manufactured by Meguro Electric Co., Ltd. was used.

【0038】(表1)に測定結果を示す。ここで示した
ジッターの値は、それぞれの組合せにおいてレーザーパ
ワーPbとPpを変化させ、最小のジッターを求めたもので
あり、そのときPbとPpも同時に記した。なおレーザーパ
ワーは光ディスクの盤面上での値である。(表1)から
分かるように従来の光ディスクBと従来の記録方法の組
合せではジッターが非常に大きいが、従来の光ディスク
BとMP記録方法の組合せ、または本発明による光ディ
スクAと従来の記録方法の組合せでジッターは大きく改
善される。さらに、本発明による光ディスクAとMP記
録方法の組合せによるジッター低減効果は非常に大きく
なっている。したがってジッターの低減には本発明によ
る光ディスクAに対して本発明により限定されたMP記
録方法を同時に採用することに大きな意義がある。
Table 1 shows the measurement results. The jitter values shown here are obtained by changing the laser powers Pb and Pp in each combination and obtaining the minimum jitter. At that time, Pb and Pp are also described at the same time. The laser power is a value on the surface of the optical disk. As can be seen from Table 1, although the jitter is very large in the combination of the conventional optical disc B and the conventional recording method, the combination of the conventional optical disc B and the MP recording method, or the combination of the optical disc A according to the present invention and the conventional recording method. Jitter is greatly improved by the combination. Further, the effect of reducing jitter by the combination of the optical disc A and the MP recording method according to the present invention is very large. Therefore, it is of great significance to reduce the jitter that the MP recording method limited by the present invention is simultaneously applied to the optical disc A according to the present invention.

【0039】[0039]

【表1】 [Table 1]

【0040】以下に光ディスクの構成要因を限定した詳
細な実施例について述べるが、実施例1から分かるよう
に記録方法はMP記録方法の方がジッターが小さくなる
ため、以下の実施例2〜8では全て実施例1と同じ波形
のMP記録方法を用いた。
A detailed embodiment in which the factors of the optical disc are limited will be described below. As can be seen from the first embodiment, the jitter is smaller in the MP recording method than in the MP recording method. The MP recording method having the same waveform as in Example 1 was used.

【0041】最初に記録膜組成を図2のABCDEFで
囲まれた領域に限定した実施例を示す。 実施例2 発明者らは、JJAP,Vol.26(1987) Suppl.26-4,P61-P66に
おいてGeSbTe合金のうちGeTeとSb 2 Te 3
結ぶライン上に、アモルファスから高速で結晶化する3
種類の化合物GeSb 4 Te 7 ,GeSb 2 Te 4 Ge 2
Sb 2 Te 5 が存在し、これらの化合物は記録消去特性、
繰り返し特性が優れていることを示し、かつGeTe−
Sb 2 Te 3 ラインから離れるにつれて結晶化速度が遅く
なることを示した。CDの線速度ではGeTe−Sb 2
Te 3 ライン上での結晶化速度は速すぎてアモルファス
化が困難なため、化合物のうちGeSb 4 Te 7 より結晶
化温度が高くて熱的に安定であり、Ge 2 Sb 2 Te 5
りは融点が低く記録感度が高いGeSb 2 Te 4 にSbを
添加して結晶化速度を遅くすることを試みた。光ディス
ク構造を実施例1における光ディスクAと同様にして記
録膜組成のみGeSb 2 Te 4 とSbを結ぶライン上で変
化させた。作成した光ディスクは実施例1と同様の方法
でジッターを測定した。また光ディスクに要求される
特性としては熱的安定性と記録感度がある。熱的安定性
は信号記録後80℃中に10日間放置して再びジッター
を測定してその変化を調べた。記録感度はジッターが最
小になる記録レベルPpで表した。測定結果を図7に示
す。記録直後のジッターJ0はSb量が39at%(図
2におけるG点)付近において極小値を示した。G点よ
りSb量が減少すると結晶化速度が速くなりすぎて記録
マーク形状が歪み、増加すると結晶化速度が遅くなって
消去率が悪くなり以前に記録されていた信号の影響を受
る傾向が見受けられた。ジッターの大きさはCDの規
格を考慮すれば30nsec以下がよい。また80℃
10日間後のジッターJ10はこの組成範囲では記録直後
とほとんど変わらなかった。現在入手できる安価な半導
体レーザーの出力は20m程度以下であることを考え
たとき、記録感度は光ディスクの盤面上で10mW以下
であるのがよいと考えられるが、この組成範囲ではこれ
を満たしている。
First, an embodiment in which the composition of the recording film is limited to a region surrounded by ABCDEF in FIG. 2 will be described. Example 2 In JJAP, Vol. 26 (1987) Suppl. 26-4, P61-P66, among the GeSbTe alloys, on a line connecting GeTe and Sb 2 Te 3 , crystallized from amorphous at high speed.
Kinds of compounds Ge Sb 4 Te 7 , Ge Sb 2 Te 4 , Ge 2
Sb 2 Te 5 exists, and these compounds have recording and erasing properties,
It shows that the repetition characteristics are excellent, and GeTe-
It was shown that the crystallization rate decreased as the distance from the Sb 2 Te 3 line increased. GeTe- Sb 2 at CD linear velocity
Since the crystallization rate on the Te 3 line is too fast to make it amorphous, it is thermally stable and has a higher crystallization temperature than Ge Sb 4 Te 7, and is more stable than Ge 2 Sb 2 Te 5. An attempt was made to reduce the crystallization rate by adding Sb to Ge Sb 2 Te 4 having a low melting point and a high recording sensitivity. The structure of the optical disk was changed in the same manner as in the optical disk A in Example 1 except for the composition of the recording film on the line connecting Ge Sb 2 Te 4 and Sb. The jitter of the produced optical disk was measured in the same manner as in Example 1. Characteristics required for the optical disk include thermal stability and recording sensitivity. Regarding the thermal stability, the jitter was measured again after standing at 80 ° C. for 10 days after signal recording, and the change was examined. The recording sensitivity was represented by the recording level Pp at which the jitter was minimized. FIG. 7 shows the measurement results. The jitter J0 immediately after the recording showed a minimum value when the Sb amount was around 39 at% (point G in FIG. 2). When the amount of Sb decreases from the point G, the crystallization speed becomes too fast and the shape of the recording mark is distorted. When the amount increases, the crystallization speed becomes slow and the erasing rate deteriorates, and the effect of the previously recorded signal is affected. > only that tendency was found. The size of the jitter is preferably 30 nsec or less in consideration of the CD standard. Also , 80 ℃
The jitter J10 after 10 days was almost the same as that immediately after recording in this composition range . When considering that the output of inexpensive semiconductor lasers that can currently available is more than about 20 m W, the recording sensitivity is considered to be not more than 10mW on surface of the optical disk, filled this in this composition range ing.

【0042】以上より本発明に適用する放熱構造を備え
た光ディスクと記録方法に適したGeSb 2 Te 4 −Sb
ライン上の組成は、Sb量が34at%〜44at%の
範囲である。
As described above, a heat radiation structure applicable to the present invention is provided.
Sb 2 Te 4 -Sb suitable for an optical disk and a recording method
The composition on the line has an Sb content in the range of 34 at% to 44 at%.

【0043】実施例3 次に実施例2におけるG点を中心にGeの添加効果を
示す。光ディスク構造は実施例2と同じとし、記録膜組
成をGeとGe 12 Sb 39 Te 49 (G点)を結ぶ直線上で変
化させて、実施例2と同様の記録方法で信号を記録し、
そのジッターを測定した。また熱的安定性、記録感度
も測定した。結果を図8に示す。記録時のジッターJ0
はGeが3at%以上において30nsec以下となり
結晶化速度としては本発明の記録方法に適している。し
かし80℃10日間後のジッターJ10はGe量が7a
t%より少なくなると記録時のジッターJ0より大きく
なる。これは結晶化温度が下がり、熱的に不安定になる
ためと考えられる。逆にGeが増加すると記録感度が
悪くなって大きな記録パワーが必要になり、17at%
えると記録パワーPpは10mWを越えてしまう。
これは記録膜の融点が高くなることに起因するものと考
えられる。
Embodiment 3 Next , the effect of adding Ge around the point G in Embodiment 2 will be described. The optical disk structure was the same as that of the second embodiment, and the recording film composition was changed on a straight line connecting Ge and Ge 12 Sb 39 Te 49 (point G), and signals were recorded by the same recording method as that of the second embodiment.
The jitter was measured. In addition , thermal stability and recording sensitivity were also measured. FIG. 8 shows the results. Jitter during recording J0
The Ge is suitable for record method of the present invention as a crystallization speed becomes less 30nsec at least 3at%. However 80 ° C. jitter after 10 days J10 is, Ge amount 7a
If it is less than t%, it will be larger than the recording jitter J0. It is considered that this is because the crystallization temperature is lowered and becomes thermally unstable. Conversely, when Ge increases , the recording sensitivity deteriorates, and a large recording power is required.
The recording power Pp Eru Yue exceeds the 10mW.
This is considered to be due to the melting point of the recording film being increased.

【0044】以上より本発明の記録方法に適用できる
熱構造を備えた光ディスクと記録方法に適したGe−
12 Sb 39 Te 49 ライン上の組成は、Ge量が7at%
〜17at%の範囲である。
As described above, an optical disk having a heat dissipation structure applicable to the recording method of the present invention and Ge- G suitable for the recording method.
The composition on the e 12 Sb 39 Te 49 line has a Ge content of 7 at%.
At17 at%.

【0045】実施例4 次に実施例2におけるG点を中心にTeの添加効果を
示す。光ディスク構造は実施例2と同じとし、記録膜組
成をTeとGe 12 Sb 39 Te 49 (G点)を結ぶ直線上で変
化させて、実施例2と同様の記録方法で信号を記録し、
そのジッターを測定した。また熱的安定性、記録感度
も測定した。結果を図9に示す。記録時のジッターJ0
はTeが50at%付近において極小値を示した。50
at%よりTe量が増加すると結晶化速度が速くなりす
ぎて記録マーク形状が歪み、減少すると結晶化速度が遅
くなって消去率が悪くなり以前に記録されていた信号の
影響を受ける傾向が見受けられた。また80℃10日
間後のジッターJ10はTe量が55at%より多くなる
と記録時のジッターJ0より大きくなる。これは結晶化
温度が下がり、熱的に不安定になるためと考えられる。
記録感度はこの組成範囲ではTe量にあまり依存しなか
った。
Embodiment 4 Next , the effect of adding Te around the point G in Embodiment 2 will be described. The optical disk structure was the same as that of the second embodiment, and the recording film composition was changed on a straight line connecting Te and Ge 12 Sb 39 Te 49 (point G), and signals were recorded by the same recording method as that of the second embodiment.
The jitter was measured. In addition , thermal stability and recording sensitivity were also measured. FIG. 9 shows the results. Jitter during recording J0
Shows a minimum value when Te is around 50 at%. 50
at% from Te amount is the crystallization rate distortion record mark shape too fast increase, it tends to decrease the crystallization rate is slowed by the erasure rate the affected of bad will signal that has been previously recorded I was seen. Further, the jitter J10 after 80 ° C. 10 days is larger than the jitter J0 when recording the amount Te is more than 55 at%. It is considered that this is because the crystallization temperature is lowered and becomes thermally unstable.
The recording sensitivity did not depend much on the Te content in this composition range.

【0046】以上より本発明の記録方法に適用できる
熱構造を備えた光ディスクと記録方法に適したTe−
12 Sb 39 Te 49 ライン上の組成は、Te量が44at
%〜54at%の範囲である。
As described above, an optical disk having a heat dissipation structure applicable to the recording method of the present invention and Te- G suitable for the recording method.
The composition on the e 12 Sb 39 Te 49 line has a Te content of 44 at.
% To 54 at%.

【0047】実施例2〜4より本発明の記録方法に適用
できる放熱構造を備えた光ディスクと記録方法に適した
GeSbTe合金の組成範囲は、Ge 12 Sb 39 Te
49 (G点)を中心にして、7≦Ge≦17at%,34≦
Sb≦44at%,44≦Te≦54at%で囲まれた
範囲、すなわち図2のABCDEFで囲まれた範囲であ
る。
The present invention is shown in Examples 2 to 4.Apply to the recording method of
it canHeat dissipation structureOptical disk withAnd suitable for recording method
The composition range of the GeSbTe alloy is:Ge 12 Sb 39 Te
49 (Point G), 7 ≦ Ge ≦ 17at%, 34 ≦
Surrounded by Sb ≦ 44at%, 44 ≦ Te ≦ 54at%
Range, that is, the range surrounded by ABCDEF in FIG.
You.

【0048】実施例5 次に記録膜の膜厚範囲を決定するための実施例を示す。
光ディスク構造と記録膜組成は実施例1における光ディ
スクAと同様にして記録膜の膜厚のみ変化させて作成
し、実施例2と同様の記録方法で信号を記録し、そのジ
ッターと記録感度を測定した。結果を図10に示す。ジ
ッターJ0は膜厚が25nm以下では20nsec程度と非常に小さ
く一定であるが、25nmを越えると大きくなり35nm以上で
は30nsecを越えてしまう。これは記録膜の熱容量が大き
くなり蓄熱現象が現れ、記録マークの形状歪が大きくな
ったためと考えられる。また記録感度は逆に記録膜が15
nmより薄くなると悪くなり、10nm未満では記録パワーは
10mWを越えてしまう。これは記録膜厚が10nm未満では記
録膜によるレーザー光の吸収が悪くかつ放熱効果が大き
くなるためと考えられる。
Embodiment 5 Next, an embodiment for determining the thickness range of the recording film will be described.
The optical disk structure and the composition of the recording film were prepared by changing only the thickness of the recording film in the same manner as in the optical disk A in Example 1, and signals were recorded by the same recording method as in Example 2, and the jitter and recording sensitivity were measured. did. The results are shown in FIG. The jitter J0 is very small and constant at about 20 nsec when the film thickness is 25 nm or less, but increases when the film thickness exceeds 25 nm and exceeds 30 nsec when the film thickness is 35 nm or more. It is considered that this is because the heat capacity of the recording film increased, a heat storage phenomenon appeared, and the shape distortion of the recording mark increased. On the contrary, the recording sensitivity is 15
If it is thinner than 10 nm, it becomes worse.
It exceeds 10mW. This is presumably because when the recording film thickness is less than 10 nm, the absorption of the laser beam by the recording film is poor and the heat radiation effect is large.

【0049】すなわち本発明による放熱構造と記録方法
に適したGeSbTe記録膜の膜厚はジッター、記録感度の両
方の観点から10nm以上35nm以下がよく、特に15nm以上25
nm以下が優れている。
That is, the thickness of the GeSbTe recording film suitable for the heat radiation structure and the recording method according to the present invention is preferably 10 nm or more and 35 nm or less, particularly from 15 nm to 25 nm, from the viewpoints of both jitter and recording sensitivity.
nm or less is excellent.

【0050】実施例6 さらに反射膜側の誘電体膜4の膜厚範囲を決定するため
の実施例を示す。光ディスク構造と記録膜組成は実施例
1における光ディスクAと同様にして誘電体膜4の膜厚
のみ変化させて作成し、実施例2と同様の記録方法で信
号を記録し、そのジッターと記録感度を測定した。結果
を図11に示す。ジッターJ0は誘電体4の膜厚が25nm以
下では20nsec程度と非常に小さく一定であるが、25nmを
越えると大きくなり40nmより厚くなると30nsecを越えて
しまう。これは記録膜から反射膜への放熱が小さくなり
蓄熱現象が現れ、記録マークの形状歪が大きくなったた
めと考えられる。また記録感度は逆に誘電体膜4が10nm
より薄くなると悪くなり、5nm未満では記録パワーは10m
Wを越えてしまう。これは記録膜が反射膜に接近しすぎ
て放熱効果が大きくなりすぎたためと考えられる。
Embodiment 6 An embodiment for determining the thickness range of the dielectric film 4 on the reflection film side will be described. The optical disk structure and the composition of the recording film were prepared by changing only the thickness of the dielectric film 4 in the same manner as in the optical disk A in Example 1, and the signals were recorded by the same recording method as in Example 2, and the jitter and recording sensitivity were obtained. Was measured. The results are shown in FIG. The jitter J0 is very small and constant at about 20 nsec when the film thickness of the dielectric 4 is 25 nm or less, but increases when the film thickness exceeds 25 nm and exceeds 30 nsec when the film thickness exceeds 40 nm. This is presumably because the heat release from the recording film to the reflection film was reduced, a heat storage phenomenon appeared, and the shape distortion of the recording mark was increased. On the contrary, the recording sensitivity is 10 nm for the dielectric film 4.
It gets worse when thinner, and the recording power is 10m below 5nm
W is exceeded. This is probably because the recording film was too close to the reflective film and the heat radiation effect became too large.

【0051】すなわち本発明による放熱構造と記録方法
に適した誘電体膜4の膜厚はジッター、記録感度の両方
の観点から5nm以上40nm以下がよく、特に10nm以上25nm
以下が優れている。
That is, the thickness of the dielectric film 4 suitable for the heat radiation structure and the recording method according to the present invention is preferably 5 nm or more and 40 nm or less, particularly 10 nm or more and 25 nm or less from the viewpoints of both jitter and recording sensitivity.
The following are excellent.

【0052】実施例7 さらに反射膜5の膜厚範囲を決定するための実施例を示
す。光ディスク構造と記録膜組成は実施例1における光
ディスクAと同様にして反射膜5の膜厚のみ変化させて
作成し、実施例2と同様の記録方法で信号を記録し、そ
のジッターと記録感度を測定した。結果を図12に示
す。ジッターJ0は反射膜5の膜厚が45nm以上では20nsec
程度と非常に小さく一定であるが、45nmより薄くなると
大きくなり35nm未満では30nsecを越えてしまう。これは
反射膜の放熱効果が小さくなり蓄熱現象が現れ、記録マ
ークの形状歪が大きくなったためと考えられる。また記
録感度は反射膜厚が大きくなるにつれて悪くなるもの
の、記録パワーは45nm以上ではほぼ飽和する。
Embodiment 7 An embodiment for determining the thickness range of the reflection film 5 will be described. The optical disk structure and recording film composition were prepared by changing only the thickness of the reflective film 5 in the same manner as in the optical disk A in Example 1, and signals were recorded by the same recording method as in Example 2, and the jitter and recording sensitivity were reduced. It was measured. The result is shown in FIG. The jitter J0 is 20 nsec when the thickness of the reflection film 5 is 45 nm or more.
The degree is very small and constant, but becomes larger when the thickness is smaller than 45 nm, and exceeds 30 nsec when the thickness is smaller than 35 nm. This is presumably because the heat dissipation effect of the reflection film was reduced, a heat storage phenomenon appeared, and the shape distortion of the recording mark was increased. Although the recording sensitivity becomes worse as the reflection film thickness increases, the recording power becomes almost saturated at a recording power of 45 nm or more.

【0053】すなわち本発明による放熱構造と記録方法
に適した反射膜5の膜厚はジッター、記録感度の両方の
観点から35nm以上がよく、特に45nm以上が優れている。
That is, the thickness of the reflective film 5 suitable for the heat dissipation structure and the recording method according to the present invention is preferably 35 nm or more, particularly 45 nm or more, from the viewpoints of both jitter and recording sensitivity.

【0054】実施例8 次に基板膜側の誘電体膜2の膜厚範囲を決定するための
実施例を示す。誘電体膜2の膜厚は光ディスクの放熱特
性そのものに大きな影響を与えるものではないが、光デ
ィスクの光学的特性、例えば反射率やCNRに影響を及
ぼすものである。光ディスク構造と記録膜組成は実施例
1における光ディスクAと同様にして誘電体膜2の膜厚
のみ変化させて作成し、実施例2と同様の記録方法で信
号を記録し、そのジッターと記録感度を測定した。結果
を図13(a)に示す。ジッターJ0は誘電体2の膜厚にあ
まり依存せず、かなり広い範囲で良好な値を示した。ま
た記録パワーは100nm未満あるいは180nmを越える膜厚で
10mWを越えてしまい、記録感度が悪い。これは光ディス
クの反射率が100nm未満あるいは180nmを越える膜厚にお
いて大きくなってしまい、照射されたレーザーパワーの
記録膜における吸収率が悪くなったためと考えられる。
Embodiment 8 Next, an embodiment for determining the thickness range of the dielectric film 2 on the substrate film side will be described. Although the thickness of the dielectric film 2 does not significantly affect the heat radiation characteristics of the optical disk, it does affect the optical characteristics of the optical disk, such as the reflectance and the CNR. The optical disk structure and the recording film composition were prepared by changing only the thickness of the dielectric film 2 in the same manner as in the optical disk A in Example 1, and signals were recorded by the same recording method as in Example 2; Was measured. The results are shown in FIG. Jitter J0 did not depend much on the film thickness of the dielectric 2, and showed a good value in a considerably wide range. The recording power is less than 100 nm or more than 180 nm.
The recording sensitivity exceeded 10mW. This is considered to be because the reflectance of the optical disk was increased at a film thickness of less than 100 nm or more than 180 nm, and the absorptivity of the irradiated laser power in the recording film was deteriorated.

【0055】すなわち本発明による放熱構造と記録方法
に適した誘電体膜2の膜厚は、反射膜がAuの場合、ジッ
ター、記録感度の両方の観点から100nm以上180nm以下が
よい。
That is, when the reflective film is made of Au, the thickness of the dielectric film 2 suitable for the heat dissipation structure and the recording method according to the present invention is preferably 100 nm or more and 180 nm or less from the viewpoints of both jitter and recording sensitivity.

【0056】しかしながら、反射膜の材質を替えると誘
電体膜2の最適膜厚はAuの場合とは異なった。以下に反
射膜がAlの場合の実施例を示す。
However, when the material of the reflection film was changed, the optimum thickness of the dielectric film 2 was different from that in the case of Au. An example in which the reflective film is Al will be described below.

【0057】Al反射膜の場合における誘電体膜2の膜厚
範囲を決定する実験を上記実施例と同様の方法で行っ
た。反射膜はAu:50nmからAl:250nmに置換した。その他
の光ディスク構造と記録膜組成は上記実施例と同様であ
る。誘電体膜2の膜厚のみ変化させて作成し、実施例8
と同様の記録方法で信号を記録し、そのジッターと記録
感度を測定した。結果を図13(b)に示す。ジッターJ0
は誘電体2の膜厚にあまり依存せず、かなり広い範囲で
良好な値を示した。また記録パワーは130nmを超えて180
nm未満の膜厚で10mWを越えてしまい、記録感度が悪い。
これは反射膜をAlにした場合、光ディスクの反射率が誘
電体膜2の膜厚が130nmを超えて180nm未満の膜厚におい
て大きくなってしまい、照射されたレーザーパワーの記
録膜における吸収率が悪くなったためと考えられる。す
なわち本発明による放熱構造と記録方法に適した誘電体
膜2の膜厚は、反射膜がAlの場合、ジッター、記録感度
の両方の観点から、実験を行った50nmから300nmの範囲
においては130nm以下あるいは180nm以上がよい。
An experiment for determining the thickness range of the dielectric film 2 in the case of the Al reflection film was performed in the same manner as in the above embodiment. The reflective film was changed from Au: 50 nm to Al: 250 nm. The other structures of the optical disk and the composition of the recording film are the same as those in the above embodiment. Example 8 was prepared by changing only the film thickness of the dielectric film 2.
A signal was recorded by the same recording method as in Example 1, and its jitter and recording sensitivity were measured. The results are shown in FIG. Jitter J0
Did not depend much on the film thickness of the dielectric 2, and showed a good value in a considerably wide range. The recording power is 180
When the film thickness is less than nm, it exceeds 10 mW, and the recording sensitivity is poor.
This is because, when the reflection film is made of Al, the reflectance of the optical disk becomes large when the thickness of the dielectric film 2 exceeds 130 nm and less than 180 nm, and the absorptance of the irradiated laser power in the recording film increases. It is thought that it became worse. That is, the thickness of the dielectric film 2 suitable for the heat dissipation structure and the recording method according to the present invention is 130 nm in the range of 50 nm to 300 nm where the experiment was conducted from the viewpoint of both jitter and recording sensitivity when the reflection film is Al. Less than or equal to 180 nm is preferred.

【0058】以上の実施例2〜8において光ディスクの
構成要素を決定してきたが、次に本発明による光学情報
の記録方法が最も特徴とする図5におけるパルス列の構
成を決定するt1,t2の範囲を実施例にて示す。
Although the constituent elements of the optical disk have been determined in the above-described embodiments 2 to 8, the range of t1 and t2 for determining the pulse train configuration in FIG. Are shown in Examples.

【0059】実施例9 図5のパルス構成においてt2=116nsec,T=232nsecに保っ
たまま先頭パルスの幅であるt1を変化させて信号を光デ
ィスク上に記録し、再生信号のジッターと記録感度を測
定した。光ディスクは実施例1の光ディスクAをもちい
た。結果を図14(a)に示す。ジッターJ0は先頭パルス
の幅t1が約350nsecすなわち後続パルスの幅t2の3倍の
ときに最小となり、それよりもt1が小さくても大きくて
もジッターは大きくなる。t1がt2の3倍より小さくなる
と記録マークの先頭において十分な昇温が得られず、先
端部分が小さくなってマーク形状が歪み、逆に3倍より
大きくなると先端部分が大きくなってマーク形状が歪む
ためと考えられる。図14(a)からジッターが30nsecよ
り小さくなるのはt1の値がt2の2倍以上3.5倍以下の
ときであり、特に3倍のとき最小になる。また記録感度
はt1の値が小さくなるにつれて悪くなるものの特に問題
とはならない。
Embodiment 9 In the pulse configuration shown in FIG. 5, a signal was recorded on an optical disk while changing the width t1 of the first pulse while keeping t2 = 116 nsec and T = 232 nsec, and the jitter and recording sensitivity of the reproduced signal were reduced. It was measured. The optical disk used was the optical disk A of the first embodiment. The results are shown in FIG. The jitter J0 is minimized when the width t1 of the first pulse is about 350 nsec, that is, three times the width t2 of the subsequent pulse, and the jitter increases when t1 is smaller or larger. If t1 is smaller than three times t2, a sufficient temperature rise cannot be obtained at the beginning of the recording mark, and the tip part becomes smaller and the mark shape becomes distorted. Probably due to distortion. From FIG. 14 (a), the jitter becomes smaller than 30 nsec when the value of t1 is 2 times or more and 3.5 times or less of t2, and especially when the value of t1 is 3 times. Although the recording sensitivity becomes worse as the value of t1 becomes smaller, it does not cause any particular problem.

【0060】しかしながら先頭パルスの幅の最適値は光
学ヘッド8中の半導体レーザーの波長および対物レンズ
のNAによって変わることが分かった。これは半導体レー
ザーの波長および対物レンズのNAによって光ディスク上
でのレーザースポットの直径が変わることに起因するも
のと思われるが詳細は不明である。以下に光学ヘッド8
中の半導体レーザーの波長を780nm、対物レンズのNAを
0.55とした場合の結果について示す。
However, it has been found that the optimum value of the width of the leading pulse changes depending on the wavelength of the semiconductor laser in the optical head 8 and the NA of the objective lens. This is thought to be due to the fact that the diameter of the laser spot on the optical disk changes depending on the wavelength of the semiconductor laser and the NA of the objective lens, but the details are unknown. The following is the optical head 8
The wavelength of the semiconductor laser inside is 780 nm, and the NA of the objective lens is
The result when 0.55 is set is shown.

【0061】この場合も上記実施例と同様に、図5のパ
ルス構成においてt2=116nsec,T=232nsecに保ったまま先
頭パルスの幅であるt1を変化させて信号を光ディスク上
に記録し、再生信号のジッターと記録感度を測定した。
光ディスクは実施例1の光ディスクAをもちいた。結果
を図14(b)に示す。ジッターJ0は先頭パルスの幅t1が
約460nsecすなわち後続パルスの幅t2の4倍のときに最
小となり、それよりもt1が小さくても大きくてもジッタ
ーは大きくなる。すなわち図14(a)に比べて先頭パル
ス幅t1の最適値は長い方へシフトしているのが分かる。
図14(b)からジッターが30nsecより小さくなるのはt1
の値がt2の3倍以上4.5倍以下のときであり特に4倍
のとき最小になる。また記録感度はt1の値が小さくなる
につれて悪くなるものの特に問題とはならない。
In this case, as in the above embodiment, the signal is recorded on the optical disk by changing the width t1 of the first pulse while maintaining t2 = 116 nsec and T = 232 nsec in the pulse configuration of FIG. The signal jitter and recording sensitivity were measured.
The optical disk used was the optical disk A of the first embodiment. The results are shown in FIG. The jitter J0 is minimized when the width t1 of the first pulse is about 460 nsec, that is, four times the width t2 of the subsequent pulse, and the jitter increases even if t1 is smaller or larger. That is, it can be seen that the optimum value of the leading pulse width t1 is shifted to a longer value as compared with FIG.
From FIG. 14B, the jitter becomes smaller than 30 nsec at t1.
Is 3 times or more and 4.5 times or less of t2, and especially when it is 4 times. Although the recording sensitivity becomes worse as the value of t1 becomes smaller, it does not cause any particular problem.

【0062】本実施例から、先頭のパルス幅t1は後続パ
ルスの幅t2の2倍以上4.5倍以下がよいことがわか
る。
From this example, it can be seen that the leading pulse width t1 is preferably not less than twice and not more than 4.5 times the width t2 of the succeeding pulse.

【0063】なお本実施例では先頭パルスは常に一つと
した場合について記したが、これは先頭パルスを2つ以
上に分割するとジッターが大きく増大したためであり、
本発明による放熱構造の光ディスクには先頭パルスは一
つであるMP記録方法が適している。
In the present embodiment, the case where the leading pulse is always one is described. This is because dividing the leading pulse into two or more greatly increases the jitter.
The MP recording method in which the head pulse is one is suitable for the optical disc having the heat radiation structure according to the present invention.

【0064】実施例10 図5のパルス構成においてT=232nsecとし、また実施例
9の結果に基づきt1=3×t2の関係を保って後続パルスの
幅であるt2を変化させて信号を光ディスク上に記録し、
再生信号のジッターと記録感度を測定した。光学ヘッド
8中の半導体レーザーの波長は830nm,対物レンズのNAは
0.5である。光ディスクは実施例1の光ディスクAをも
ちいた。結果を図15に示す。ジッターJ0は後続パルス
の幅t2が広くなるにつれて大きくなるが、これは後続パ
ルスの間隔が狭くなり蓄熱現象が現れるためと考えられ
る。t2が約175nsec以下のとき、すなわち後続パルスの
繰り返し周期T=232nsecの3/4以下のときにはジッタ
ーは30nsec以下となった。なお記録感度はt2の値が小さ
くなるにつれて急激に悪くなったが、これはパルス幅が
短くなるにつれて記録膜を融点以上に昇温させるための
エネルギーを瞬時に与える必要があるからである。t2が
約85nsec以上のとき、すなわち後続パルスの繰り返し周
期T=232nsecの3/8以上のときには記録パワーは10mW
以下である。
Embodiment 10 In the pulse configuration of FIG. 5, T = 232 nsec, and based on the result of Embodiment 9, the signal is changed on the optical disk by changing the width t2 of the subsequent pulse while maintaining the relationship of t1 = 3 × t2. Recorded in
The jitter and recording sensitivity of the reproduced signal were measured. The wavelength of the semiconductor laser in the optical head 8 is 830 nm, and the NA of the objective lens is
0.5. The optical disk used was the optical disk A of the first embodiment. FIG. 15 shows the results. The jitter J0 increases as the width t2 of the subsequent pulse increases, which is considered to be because the interval between the subsequent pulses is reduced and a heat storage phenomenon appears. When t2 was about 175 nsec or less, that is, when the repetition period T of the subsequent pulse was / or less of 232 nsec, the jitter was 30 nsec or less. Note that the recording sensitivity rapidly deteriorated as the value of t2 became smaller, because it was necessary to instantaneously apply energy for raising the temperature of the recording film to the melting point or higher as the pulse width became shorter. When t2 is about 85 nsec or more, that is, when the repetition period T of the subsequent pulse is / or more of 232 nsec or more, the recording power is 10 mW.
It is as follows.

【0065】すなわち本発明による放熱構造の光ディス
クの場合には後続パルスの幅t2は後続パルスの繰り返し
周期Tの3/8以上3/4以下がよく、特にジッターが
小さく記録パワーも小さいのはt2がTの1/2のときで
ある。
That is, in the case of the optical disk having the heat radiation structure according to the present invention, the width t2 of the subsequent pulse is preferably 3 to / of the repetition period T of the subsequent pulse. Particularly, the jitter is small and the recording power is small at t2. Is の of T.

【0066】以上の実施例1〜10では1ビームオーバ
ーライトにより信号を記録している。1ビームオーバー
ライトで信号を記録する場合には古い信号の消し残りが
生じる場合があり、消し残りが大きいとジッター増大の
原因となる。次の実施例では1ビームオーバーライトで
信号を記録する前に、予めレーザーパワーを記録膜が溶
融するパワーレベル以上で一定に保って連続的に照射し
た場合についてのべる。
In the first to tenth embodiments, signals are recorded by one-beam overwriting. When a signal is recorded by one-beam overwriting, an old signal may be left unerased, and a large unerased signal may cause an increase in jitter. In the following embodiment, a case where a laser beam is continuously irradiated with a laser power previously kept constant at a power level higher than a melting point of a recording film before recording a signal by one-beam overwriting will be described.

【0067】実施例11 実施例1における光ディスクA,BとMP記録方式をそ
のまま採用して1ビームオーバーライトを9回行った後
に、レーザーパワーを記録パワーPpと同じレベルにして
信号トラック上を照射したのち、再び1ビームオーバー
ライトにより信号を記録して、再生信号のジッターを測
定した。測定結果は光ディスクAが15nsec, 光ディスク
Bが37nsecとなり、ともに(表1)の結果より改善され
ている。したがって信号を記録する前に予めレーザーパ
ワーを記録膜が溶融するパワーレベル以上で一定に保っ
て連続的に照射することがジッター低減に効果的である
ことが分かる。
Embodiment 11 The optical discs A, B and the MP recording method in Embodiment 1 are used as they are, and after one beam overwrite is performed nine times, the laser power is set to the same level as the recording power Pp to irradiate the signal track. After that, the signal was recorded again by one-beam overwriting, and the jitter of the reproduced signal was measured. The measurement results were 15 nsec for the optical disk A and 37 nsec for the optical disk B, both of which are improved from the results shown in (Table 1). Therefore, it can be seen that it is effective to reduce the jitter by continuously irradiating the laser power at a constant level above the power level at which the recording film melts before recording the signal.

【0068】本発明の光学情報の記録方法に供する光デ
ィスクは蓄熱現象を低減するのに大きな効果があると
共に、良好な消去速度、記録感度、熱的安定性を実現す
ることができる。
[0068] Light de <br/> disc to be recorded method of the optical information of the present invention, as well as a significant effect is to reduce the heat accumulation phenomenon, realized good erase speed, the recording sensitivity, thermal stability be able to.

【0069】また本発明による光学情報の記録方法も、
記録マークの終端部での蓄熱現象を低減することができ
る。
The method for recording optical information according to the present invention also includes
The heat storage phenomenon at the end of the recording mark can be reduced.

【0070】さらに、記録ビームが通過する前に予めレ
ーザーパワーを記録膜が溶融するパワーレベル以上で一
定に保って連続的に照射すれば古い信号はほぼ完全に消
去され、ジッターを低減できる。
Further, if the laser beam is continuously irradiated beforehand with the laser power kept at a level higher than the power level at which the recording film melts before the recording beam passes, the old signal is almost completely erased and the jitter can be reduced.

【0071】上記光ディスクと光学情報の記録方法はそ
れぞれ単独でも記録マークの形状歪を低減する効果は十
分に認められるが、双方を同時に採用することで相乗効
果により、1.2〜1.4m/secという低線速度においてもC
Dと同じ程度の再生信号品質を実現することができる。
The effect of reducing the shape distortion of a recording mark can be sufficiently recognized by using the above-described optical disk and the method of recording optical information alone. However, by adopting both of them at the same time, a synergistic effect results in a reduction of 1.2 to 1.4 m / sec. C at linear velocity
The same level of reproduction signal quality as D can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の光ディスクの断面図である。FIG. 1 is a sectional view of an optical disc of the present invention.

【図2】本発明による光ディスクの記録膜の組成範囲図
である。
FIG. 2 is a composition range diagram of a recording film of an optical disc according to the present invention.

【図3】本発明による光学情報の記録方法における信号
波形の変換例を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a conversion example of a signal waveform in the optical information recording method according to the present invention.

【図4】本発明による光学情報の記録方法における出力
レーザー波形を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing an output laser waveform in the optical information recording method according to the present invention.

【図5】本発明による光学情報の記録方法における変換
波形を説明する図である。
FIG. 5 is a diagram illustrating a converted waveform in the optical information recording method according to the present invention.

【図6】本発明による光学情報の記録方法を実現する記
録装置の一例を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing an example of a recording apparatus for realizing the optical information recording method according to the present invention.

【図7】記録膜組成(Sb量をパラメータ)と記録特性の
関係を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing a relationship between a recording film composition (Sb amount is a parameter) and recording characteristics.

【図8】記録膜組成(Ge量をパラメータ)と記録特性の
関係を示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing a relationship between a recording film composition (Ge amount is a parameter) and recording characteristics.

【図9】記録膜組成(Te量をパラメータ)と記録特性の
関係を示す図である。
FIG. 9 is a diagram showing a relationship between a recording film composition (a parameter of the amount of Te) and recording characteristics.

【図10】記録膜厚と記録特性の関係を示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating a relationship between a recording film thickness and recording characteristics.

【図11】反射膜側の誘電体4の膜厚と記録特性の関係
を示す図である。
FIG. 11 is a diagram showing a relationship between a film thickness of a dielectric 4 on a reflection film side and recording characteristics.

【図12】反射膜厚と記録特性の関係を示す図である。FIG. 12 is a diagram showing a relationship between a reflection film thickness and recording characteristics.

【図13】基板側の誘電体2と記録特性の関係を示す図
である。
FIG. 13 is a diagram showing a relationship between a dielectric 2 on the substrate side and recording characteristics.

【図14】マルチパルスの先頭パルスの幅と記録特性の
関係を示す図である。
FIG. 14 is a diagram showing the relationship between the width of the leading pulse of a multi-pulse and recording characteristics.

【図15】マルチパルスの後続パルスの幅と記録特性の
関係を示す図である。
FIG. 15 is a diagram showing the relationship between the width of a subsequent pulse of a multi-pulse and recording characteristics.

【図16】従来例の光ディスクの記録膜の組成を示す図
である。
FIG. 16 is a diagram showing a composition of a recording film of a conventional optical disc.

【図17】従来例の光ディスクの構造を示す図である。FIG. 17 is a diagram showing the structure of a conventional optical disc.

【図18】記録マークの形状歪の原因を説明する図であ
る。 1 基板 2 誘電体膜 3 記録膜 4 誘電体膜 5 反射膜 6 光ディスク 7 スピンドルモータ 8 光学ヘッド 10 マルチパルス回路
FIG. 18 is a diagram illustrating a cause of shape distortion of a recording mark. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Dielectric film 3 Recording film 4 Dielectric film 5 Reflection film 6 Optical disk 7 Spindle motor 8 Optical head 10 Multi-pulse circuit

フロントページの続き (72)発明者 赤平 信夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平1−149238(JP,A) 特開 昭63−9040(JP,A) 特開 昭63−214938(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G11B 7/00 G11B 7/24Continuation of the front page (72) Inventor Nobuo Akadaira 1006 Kadoma Kadoma, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (56) References JP-A-1-149238 (JP, A) JP-A-63-9040 (JP) , A) JP-A-63-214938 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) G11B 7/00 G11B 7/24

Claims (13)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 基板上に誘電体膜、記録膜、誘電体膜、
反射膜の順に積層し、前記記録膜は、組成がGexSby
Tez(7≦x≦17,34≦y≦44,44≦z≦5
4,x+y+z=100at%)で表され、かつ膜厚は
10nm以上35nm以下であり、 反射膜側の前記誘電体膜の膜厚は5nm以上40nm以
下であり、 かつ前記反射膜は少なくともAu,Al,Ti,Ni,
Crの単体あるいは合金からなり、かつ膜厚は35nm
以上であることを特徴とする光ディスク上に、 パルス幅変調されたデジタル信号を一つのレーザースポ
ットを用いてオーバーライトする光学情報の記録方法に
おいて、 光ディスクをレーザースポットとの相対速度が1.2〜
1.4m/secの間の一定速度となるように回転させ
るステップと、 前記デジタル信号に含まれるそれぞれのパルスを複数の
パルスからなるパルス列に変換するステップと、 レーザーパワーを前記パルス列により消去レベルと記録
レベルの間で変調して、それぞれの前記パルス列でそれ
ぞれ一つの記録マークを光ディスク上に形成して前記デ
ジタル信号を記録するステップとを含み、 前記パルス列は先頭パルスと後続パルス列とを含み、前
記先頭パルスの幅は常に一定でかつ後続パルス列中の各
パルスの幅より大きく、前記後続パルス列中の各パルス
の幅と間隔はそれぞれ等しく、 かつ長さがn番目の記録マークを形成する場合の前記後
続パルス中のパルス数はn−1個であることを特徴とす
る光学情報の記録方法。
A dielectric film, a recording film, a dielectric film,
Stacked in this order of the reflective film, the recording film composition is Ge x Sb y
Te z (7 ≦ x ≦ 17, 34 ≦ y ≦ 44, 44 ≦ z ≦ 5
4, x + y + z = 100 at%), the film thickness is 10 nm or more and 35 nm or less, the film thickness of the dielectric film on the reflective film side is 5 nm or more and 40 nm or less, and the reflective film is at least Au, Al , Ti, Ni,
Made of Cr simple substance or alloy, and the film thickness is 35 nm
A method for recording optical information, wherein a pulse width modulated digital signal is overwritten using one laser spot on an optical disc, wherein the relative speed of the optical disc to the laser spot is 1.2 to
Rotating at a constant speed of 1.4 m / sec; converting each pulse included in the digital signal into a pulse train composed of a plurality of pulses; and modulated between a recording level, the recording mark of each one in each of the pulse train formed on the optical disc and a step of recording the digital signal, the pulse train includes a leading pulse and the subsequent pulse train, the The width of the first pulse is always constant and is larger than the width of each pulse in the subsequent pulse train, and the width and interval of each pulse in the subsequent pulse train are equal to each other, and the above-described case where the n-th recording mark is formed. The method of recording optical information, wherein the number of pulses in the subsequent pulse is n-1.
【請求項2】 基板上に誘電体膜、記録膜、誘電体膜、
反射膜の順に積層し、 前記記録膜は、組成がGexSbyTez(7≦x≦17,
34≦y≦44,44≦z≦54,x+y+z=100
at%)で表され、かつ膜厚は10nm以上35nm以
下であり、 反射膜側の前記誘電体膜の膜厚は5nm以上40nm以
下であり、 かつ前記反射膜は少なくともAu,Al,Ti,Ni,
Crの単体あるいは合金からなり、かつ膜厚は35nm
以上であることを特徴とする光ディスク上に、 パルス幅変調されたデジタル信号を記録する光学情報の
記録方法において、 光ディスクをレーザースポットとの相対速度が1.2〜
1.4m/secの間の一定速度となるように回転させ
るステップと、 古い記録マークの消去はレーザーパワーを前記記録膜が
溶融するパワーレベル以上で一定に保って連続的に照射
して行うステップと、 前記デジタル信号に含まれるそれぞれのパルスを複数の
パルスからなるパルス列に変換するステップと、 レーザーパワーを前記パルス列により消去レベルと記録
レベルの間で変調して、それぞれの前記パルス列でそれ
ぞれ一つの記録マークを光ディスク上に形成して前記デ
ジタル信号を記録するステップとを含み、 前記パルス列は先頭パルスと後続パルス列とを含み、前
記先頭パルスの幅は常に一定でかつ後続パルス列中の各
パルスの幅より大きく、前記後続パルス列中の各パルス
の幅と間隔はそれぞれ等しく、 かつ長さがn番目の記録マークを形成する場合の前記後
続パルス中のパルス数はn−1個であることを特徴とす
る光学情報の記録方法。
2. A dielectric film, a recording film, a dielectric film,
Stacked in this order of the reflective film, the recording film composition is Ge x Sb y Te z (7 ≦ x ≦ 17,
34 ≦ y ≦ 44, 44 ≦ z ≦ 54, x + y + z = 100
at%), the film thickness is 10 nm or more and 35 nm or less, the film thickness of the dielectric film on the reflective film side is 5 nm or more and 40 nm or less, and the reflective film is at least Au, Al, Ti, Ni. ,
Made of Cr simple substance or alloy, and the film thickness is 35 nm
In the optical information recording method for recording a pulse width modulated digital signal on an optical disc, the relative speed of the optical disc to a laser spot is 1.2 to
Rotating at a constant speed between 1.4 m / sec and erasing old recording marks by continuously irradiating the laser power at a constant level above the power level at which the recording film melts. Converting each pulse included in the digital signal into a pulse train composed of a plurality of pulses; and modulating a laser power between an erasing level and a recording level by the pulse train so that each pulse train has one pulse. a recording mark formed on the optical disk and a step of recording the digital signal, the pulse train includes a first pulse and the following pulse train, the width of the first pulse is always the pulse width of the constant and during the subsequent pulse train Larger, the width and spacing of each pulse in the subsequent pulse train are equal and the length is nth Recording method of an optical information, wherein the number of pulses in said subsequent pulses when forming a recording mark is (n-1).
【請求項3】 レーザーパワーの変調はパルス列の対応
する変換前のパルス幅の期間だけ記録レベルと再生レベ
ルまたはオフレベルの少なくとも何れか一方との間で行
われることを特徴とする請求項または2何れかに記載
の光学情報の記録方法。
3. A process according to claim modulation of the laser power is characterized by being made between the one by at least one of the recording level and the reproducing level or OFF level period of the corresponding pre-conversion of the pulse width of the pulse train 1 or 2. The method for recording optical information according to any one of 2 .
【請求項4】 先頭パルスの幅は後続パルス列の各パル
スの幅の2倍以上4.5倍以下であることを特徴とする
請求項または2何れかに記載の光学情報の記録方法。
The width of 4. A first pulse recording method of the optical information according to any one of claims 1 or 2, characterized in that less 4.5 times more than twice of each pulse width of the subsequent pulse train.
【請求項5】 後続パルス列中の各パルスの幅は後続パ
ルスの繰り返し周期の3/8以上3/4以下であること
を特徴とする請求項または2何れかに記載の光学情報
の記録方法。
5. The width of each pulse in the following pulse train recording method of an optical information according to any one of claims 1 or 2, characterized in that a 3/8 or 3/4 of the repetition period of the subsequent pulse .
【請求項6】 後続パルス列中の各パルスの幅は後続パ
ルスの繰り返し周期の1/2であることを特徴とする請
求項記載の光学情報の記録方法。
6. The method for recording optical information according to claim 5 , wherein the width of each pulse in the subsequent pulse train is の of the repetition period of the subsequent pulse.
【請求項7】 デジタル信号がCD規格のEFM信号で
あることを特徴とする請求項または2何れかに記載の
光学情報の記録方法。
7. A recording method of an optical information according to any one of claims 1 or 2, wherein the digital signal is EFM signal CD standard.
【請求項8】 記録膜の組成が化合物GeSb 2 Te 4
Sbを結ぶライン上の組成であることを特徴とする請求
または2何れかに記載の光学情報の記録方法。
8. A recording method of an optical information according to any one of claims 1 or 2, wherein the composition of the recording film is a composition on the line connecting the compound Ge Sb 2 Te 4 and Sb.
【請求項9】 記録膜の組成がGe 12 Sb 39 Te 49 で表
されることを特徴とする請求項記載の光学情報の記録
方法。
9. The optical information recording method according to claim 8, wherein the composition of the recording film is represented by Ge 12 Sb 39 Te 49 .
【請求項10】 記録膜の膜厚が15nm以上25nm
以下であることを特徴とする請求項または2何れかに
記載の光学情報の記録方法。
10. A recording film having a thickness of 15 nm or more and 25 nm or more.
The method for recording optical information according to claim 1 or 2, wherein:
【請求項11】 誘電体膜がZnS,Si 2 Si 3
4 ,AlN,TiN,ZnSとSi 2 の混合物,ZnS
eとSi 2 の混合物の少なくとも一種類からなること
を特徴とする請求項または2何れかに記載の光学情報
の記録方法。
11. The dielectric film ZnS, Si O 2, Si 3 N
4, AlN, TiN, a mixture of ZnS and Si O 2, ZnS
recording method of an optical information according to any one of claims 1 or 2, characterized in that it consists of at least one kind of a mixture of e and Si O 2.
【請求項12】 反射膜側の前記誘電体膜の膜厚が10
nm以上25nm以下であることを特徴とする請求項
または2何れかに記載の光学情報の記録方法。
12. The film thickness of the dielectric film on the reflection film side is 10
claim, characterized in that nm or more and 25nm or less 1
3. A method for recording optical information according to any one of 2 .
【請求項13】 反射膜の膜厚が45nm以上であるこ
とを特徴とする請求項または2何れかに記載の光学情
報の記録方法。
13. The recording method of an optical information according to any one of claims 1 or 2, wherein the thickness of the reflective film is not less than 45 nm.
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