JP2826570B2 - 光導電体によるｘ線像生成方法及びその方法を実施する装置 - Google Patents
光導電体によるｘ線像生成方法及びその方法を実施する装置Info
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
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- H04N5/32—Transforming X-rays
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、Ｘ線を電荷パターンに変換し、Ｘ線露光の
前に一様に帯電されてＸ線露光中にＸ線の強度の関数と
して放電され電荷密度を判定するよう表面が走査される
光導電体を用いて、各ピクセル点に対し該当ピクセルで
の放電に応じた像の値が形成されるようにするＸ線像生
成方法及びかかる方法を実施する装置に関する。
前に一様に帯電されてＸ線露光中にＸ線の強度の関数と
して放電され電荷密度を判定するよう表面が走査される
光導電体を用いて、各ピクセル点に対し該当ピクセルで
の放電に応じた像の値が形成されるようにするＸ線像生
成方法及びかかる方法を実施する装置に関する。
この種の方法及び装置は、DE−OS3529108及びそれで
引用された文献より公知である。光導電体の表面に形成
されＸ線強度の空間分布に略対応する２次元電荷パター
ンは、電気信号に変換されるよう電位計により走査され
る。電気信号は、増幅され、濾波され、ディジタル化さ
れてメモリ内に記憶される。そうするとディジタル画像
処理が可能となる。
引用された文献より公知である。光導電体の表面に形成
されＸ線強度の空間分布に略対応する２次元電荷パター
ンは、電気信号に変換されるよう電位計により走査され
る。電気信号は、増幅され、濾波され、ディジタル化さ
れてメモリ内に記憶される。そうするとディジタル画像
処理が可能となる。
光導電体は、好ましくはセレン製であり、通常は非導
電性である。しかしＸ線に露光されると露光中に照射さ
れた領域において導電性が増加するので、これらの領域
では先行する帯電過程で発生した電荷は減少する。その
減少は、Ｘ線強度が大きいほど、また光導電体のＸ線露
光が長いほど、つまり当該領域における線量が大きいほ
ど激しい。かかるＸ線イメージング装置においては、光
導電体層の欠陥領域に起因する問題が重大である。かか
る欠陥領域では、例えば光導電体材料における低導電部
分により局部的な電荷欠損が生じる。従って像の値から
形成されるＸ線像には、対応する個数の点状のアーティ
ファクトが生じる。400mm×400mmの表面領域を有する光
導電体では、かかるアーティファクトの数は約100であ
る。かかるアーティファクトは観測者にとり非常にわず
らわしい。
電性である。しかしＸ線に露光されると露光中に照射さ
れた領域において導電性が増加するので、これらの領域
では先行する帯電過程で発生した電荷は減少する。その
減少は、Ｘ線強度が大きいほど、また光導電体のＸ線露
光が長いほど、つまり当該領域における線量が大きいほ
ど激しい。かかるＸ線イメージング装置においては、光
導電体層の欠陥領域に起因する問題が重大である。かか
る欠陥領域では、例えば光導電体材料における低導電部
分により局部的な電荷欠損が生じる。従って像の値から
形成されるＸ線像には、対応する個数の点状のアーティ
ファクトが生じる。400mm×400mmの表面領域を有する光
導電体では、かかるアーティファクトの数は約100であ
る。かかるアーティファクトは観測者にとり非常にわず
らわしい。
上記の方法においてはＸ線像中のアーティファクト
は、暗放電像の減算により補正される。これは実際のＸ
線像に用いられるメモリと同容量の別の画像メモリを用
いるということを意味する。またアーティファクトの規
模がＸ線強度、つまり当該Ｘ線露光中の強度とともに以
前のＸ線露光中の強度にも依存するという問題点がある
（記憶効果）。
は、暗放電像の減算により補正される。これは実際のＸ
線像に用いられるメモリと同容量の別の画像メモリを用
いるということを意味する。またアーティファクトの規
模がＸ線強度、つまり当該Ｘ線露光中の強度とともに以
前のＸ線露光中の強度にも依存するという問題点がある
（記憶効果）。
公知の方法では、当該Ｘ線露光中の露光強度への依存
性は、線量に依存し予め一連の異なる線量での一様なＸ
線露光により決定される補正係数によって補償される。
記憶効果、つまりアーティファクトの強度の以前の露光
への依存性は、当該Ｘ線露光と以前の露光との間隔が短
いと顕著である。これは規則的な暗放電像に更新、極端
な場合には各露光後に新たな暗放電像を形成するように
してのみ考慮に入れられる。また記憶効果は、当該Ｘ線
露光中線量が非常に少ないかゼロである領域でしか補償
されえない。従って公知の補正方法は正確でなかった。
性は、線量に依存し予め一連の異なる線量での一様なＸ
線露光により決定される補正係数によって補償される。
記憶効果、つまりアーティファクトの強度の以前の露光
への依存性は、当該Ｘ線露光と以前の露光との間隔が短
いと顕著である。これは規則的な暗放電像に更新、極端
な場合には各露光後に新たな暗放電像を形成するように
してのみ考慮に入れられる。また記憶効果は、当該Ｘ線
露光中線量が非常に少ないかゼロである領域でしか補償
されえない。従って公知の補正方法は正確でなかった。
本発明の目的は、Ｘ線像上での欠陥領域の効果を単純
な方法で軽減する方法とその方法を実施する装置を提供
するにある。前記の種類の方法を基礎として、この目的
は、まず光導電体上の欠陥個所の位置を測定して、欠陥
個所の位置及び欠陥個所近傍での欠陥個所によって生じ
たアーティファクトの変動が記憶され、以後のＸ線露光
中欠陥個所に起因するアーティファクトの強度が欠陥個
所の位置及び欠陥個所を包囲する包囲ゾーンの縁での値
から決定され、包囲ゾーンにおけるＸ線像でのアーティ
ファクトの変動は強度及び記憶された変動より計算さ
れ、それに応じてこのゾーンでの像の値が補正されるこ
とで達成される。
な方法で軽減する方法とその方法を実施する装置を提供
するにある。前記の種類の方法を基礎として、この目的
は、まず光導電体上の欠陥個所の位置を測定して、欠陥
個所の位置及び欠陥個所近傍での欠陥個所によって生じ
たアーティファクトの変動が記憶され、以後のＸ線露光
中欠陥個所に起因するアーティファクトの強度が欠陥個
所の位置及び欠陥個所を包囲する包囲ゾーンの縁での値
から決定され、包囲ゾーンにおけるＸ線像でのアーティ
ファクトの変動は強度及び記憶された変動より計算さ
れ、それに応じてこのゾーンでの像の値が補正されるこ
とで達成される。
この方法を実施する装置は、Ｘ線源と、Ｘ線源により
露光される光導電体と、光導電体を帯電せしめる帯電装
置と、光導電体の表面上の電荷密度を測定し、その関数
として像の値を形成する電位計装置と、Ｘ線像との像の
値を記憶する第１のメモリとからなり、欠陥個所の位置
及びその包囲ゾーン内のアーティファクトの変動を記憶
する別のメモリと、記憶された変動及びＸ線像内のアー
ティファクトの強度からＸ線像内のアーティファクトの
変動を計算する演算ユニットが設けられ、それに応じて
包囲ゾーン内の像の値が補正されることを特徴とする。
露光される光導電体と、光導電体を帯電せしめる帯電装
置と、光導電体の表面上の電荷密度を測定し、その関数
として像の値を形成する電位計装置と、Ｘ線像との像の
値を記憶する第１のメモリとからなり、欠陥個所の位置
及びその包囲ゾーン内のアーティファクトの変動を記憶
する別のメモリと、記憶された変動及びＸ線像内のアー
ティファクトの強度からＸ線像内のアーティファクトの
変動を計算する演算ユニットが設けられ、それに応じて
包囲ゾーン内の像の値が補正されることを特徴とする。
本発明は、欠陥個所の位置及び対応するピクセル及び
それを包囲するピクセルにおいて引き起こされるアーテ
ィファクトの変動は、長期変動にのみ従い、光導電体の
露光には特に影響されないということに基く。同一の欠
陥個所に起因する異なるＸ線像でのアーティファクトの
変動は、アーティファクトの強度に応じた係数だけずれ
る。従って、一旦欠陥個所の位置及びその結果のアーテ
ィファクトの変動が（例えば暗放電像により）判定され
記憶されると、以後の露光中では該当欠陥個所について
Ｘ線像内のアーティファクトの変動を得るにはＸ線像内
のアーティファクトの強度に応じた係数を記憶された変
動に乗算するだけでよい。このようにして決定された変
動を、欠陥個所近傍のＸ線像の像の値に加算することで
アーティファクトを略除去することができる。
それを包囲するピクセルにおいて引き起こされるアーテ
ィファクトの変動は、長期変動にのみ従い、光導電体の
露光には特に影響されないということに基く。同一の欠
陥個所に起因する異なるＸ線像でのアーティファクトの
変動は、アーティファクトの強度に応じた係数だけずれ
る。従って、一旦欠陥個所の位置及びその結果のアーテ
ィファクトの変動が（例えば暗放電像により）判定され
記憶されると、以後の露光中では該当欠陥個所について
Ｘ線像内のアーティファクトの変動を得るにはＸ線像内
のアーティファクトの強度に応じた係数を記憶された変
動に乗算するだけでよい。このようにして決定された変
動を、欠陥個所近傍のＸ線像の像の値に加算することで
アーティファクトを略除去することができる。
強度が既知のアーティファクトの変動は原則的に計算
可能である。これは、光導電体層での欠陥個所の強度が
通常、電位計装置により分解しうるピクセルの寸法より
小さいためである。従って、欠陥個所近傍において電位
計装置により測定される電荷密度又は表面電位の変動
は、電荷密度又は光導電体表面の電位の実際の変動を表
わさず、単に電位計装置の限定された分解能により生成
される変動を表わすにすぎない。これは電位計装置のパ
ラメータから計算される点拡がり関数に対応する。
可能である。これは、光導電体層での欠陥個所の強度が
通常、電位計装置により分解しうるピクセルの寸法より
小さいためである。従って、欠陥個所近傍において電位
計装置により測定される電荷密度又は表面電位の変動
は、電荷密度又は光導電体表面の電位の実際の変動を表
わさず、単に電位計装置の限定された分解能により生成
される変動を表わすにすぎない。これは電位計装置のパ
ラメータから計算される点拡がり関数に対応する。
点拡がり関数に効果を及ぼすパラメータには、電位計
装置と光導電体の表面との間の距離がある。この距離が
正確に知られていないか、変動するならば、アーティフ
ァクトの正確な計算は不可能である。よって本発明の別
の態様では記憶されるべきアーティファクトの変動は暗
放電像にて測定される。
装置と光導電体の表面との間の距離がある。この距離が
正確に知られていないか、変動するならば、アーティフ
ァクトの正確な計算は不可能である。よって本発明の別
の態様では記憶されるべきアーティファクトの変動は暗
放電像にて測定される。
この別の態様は、光導電体が回動シリンダの周囲に配
置され、シリンダが表面の電荷密度の測定のため回動さ
れ、電位計装置がシリンダの軸方向にのみ変位する装置
に適する。シリンダ装置が僅かにアンバランスである
と、距離は再現可能な仕方で周期的に変化するのでアー
ティファクトの計算はむずかしくなるが測定は簡単であ
る。
置され、シリンダが表面の電荷密度の測定のため回動さ
れ、電位計装置がシリンダの軸方向にのみ変位する装置
に適する。シリンダ装置が僅かにアンバランスである
と、距離は再現可能な仕方で周期的に変化するのでアー
ティファクトの計算はむずかしくなるが測定は簡単であ
る。
第１図の参照番号１は、例えば患者の身体等の検査さ
るべき対象３に照射される扇状の放射ビーム２を発し、
対象の背後に配置される光導電体４上に放射強度に応じ
た電荷パターンを生成するＸ線源を概略的に示す。光導
電体４は、アルミニウム電極５が設けられた厚さ0.5mm
のセレン層からなるのが好ましい。
るべき対象３に照射される扇状の放射ビーム２を発し、
対象の背後に配置される光導電体４上に放射強度に応じ
た電荷パターンを生成するＸ線源を概略的に示す。光導
電体４は、アルミニウム電極５が設けられた厚さ0.5mm
のセレン層からなるのが好ましい。
実際のＸ線露光に先立って、光導電体は、略示された
コロナ放電装置６により（アルミニウム電極５に対し
て）例えば−1750Vの電位に帯電される。次のＸ線露光
中は、コロナ放電装置は放射源と光導電体との間にある
必要はなく、光導電体表面は、Ｘ線強度に応じて多かれ
少なかれ放電される。このようにして形成された電荷パ
ターンは、電位計装置（図示せず）により走査されディ
ジタル化されて、電位計装置の分解能により定まるピク
セル内の表面電位又は電荷密度に対応する像の値を発生
する。欠陥個所は、それが位置するピクセルで最低値の
表面電位又は電荷密度を発生する。近傍のピクセルでも
電荷密度は低下する。電位計装置の分解能が高くなると
アーティファクトの影響を受けるゾーンは小さくなり、
アーティファクトの強度は高まる。
コロナ放電装置６により（アルミニウム電極５に対し
て）例えば−1750Vの電位に帯電される。次のＸ線露光
中は、コロナ放電装置は放射源と光導電体との間にある
必要はなく、光導電体表面は、Ｘ線強度に応じて多かれ
少なかれ放電される。このようにして形成された電荷パ
ターンは、電位計装置（図示せず）により走査されディ
ジタル化されて、電位計装置の分解能により定まるピク
セル内の表面電位又は電荷密度に対応する像の値を発生
する。欠陥個所は、それが位置するピクセルで最低値の
表面電位又は電荷密度を発生する。近傍のピクセルでも
電荷密度は低下する。電位計装置の分解能が高くなると
アーティファクトの影響を受けるゾーンは小さくなり、
アーティファクトの強度は高まる。
第2a図は暗放電像内のかかるアーティファクトを示
す。Ｘ方向に延在し、欠陥個所を通る直線に対し、（電
荷密度又は表面電位を表わす）像の値BDは、位置の座標
ｘの関数として表わされる。領域xiにおける像の値が最
小であり、この欠陥個所近傍の像の値も小さくなってい
る、つまり欠陥個所に近いほどより小さい。欠陥個所xi
から所定距離離れると、アーティファクトは目立たなく
なる。本実施例では位置xi-4及びxi+4のピクセルがそれ
にあてはまる。これらのピクセル及びさらに離れたピク
セルでは、像の値は一定でB0となる。暗放電像でのアー
ティファクトの強度A0は、暗電流像におけるB0と位置xi
での像の値との差に対応する。
す。Ｘ方向に延在し、欠陥個所を通る直線に対し、（電
荷密度又は表面電位を表わす）像の値BDは、位置の座標
ｘの関数として表わされる。領域xiにおける像の値が最
小であり、この欠陥個所近傍の像の値も小さくなってい
る、つまり欠陥個所に近いほどより小さい。欠陥個所xi
から所定距離離れると、アーティファクトは目立たなく
なる。本実施例では位置xi-4及びxi+4のピクセルがそれ
にあてはまる。これらのピクセル及びさらに離れたピク
セルでは、像の値は一定でB0となる。暗放電像でのアー
ティファクトの強度A0は、暗電流像におけるB0と位置xi
での像の値との差に対応する。
光導電体での他の欠陥個所も同様なアーティファクト
を引き起こすが、その強度は大きくも小さくもなりう
る。さらに欠陥個所は、その位置するピクセルに対して
異なる位置を取りうるから、第2a図の如き対称な変動の
代わりに非対称な変動が生じることもある。
を引き起こすが、その強度は大きくも小さくもなりう
る。さらに欠陥個所は、その位置するピクセルに対して
異なる位置を取りうるから、第2a図の如き対称な変動の
代わりに非対称な変動が生じることもある。
第2b図は、欠陥個所及びその近傍におけるＸ線像での
像の値Ｂ（x,y）の変動を示す。アーティファクトはや
はり位置xiで最大強度に達し、その強度は端に行くにつ
れ減少する。しかし、強度は暗放電像における強度から
ずれているかもしれない。それは、当該露光中のＸ線強
度に依存し、また場合によりその少し前になされたＸ線
露光中の当該個所でのＸ線強度にも依存する。
像の値Ｂ（x,y）の変動を示す。アーティファクトはや
はり位置xiで最大強度に達し、その強度は端に行くにつ
れ減少する。しかし、強度は暗放電像における強度から
ずれているかもしれない。それは、当該露光中のＸ線強
度に依存し、また場合によりその少し前になされたＸ線
露光中の当該個所でのＸ線強度にも依存する。
第３図は、前述のアーティファクトを除去しうるＸ線
イメージング装置のブロック図を示す。光導電体４の表
面は各々が１つのピクセルの電荷密度又は表面電位を検
出する、幾つかの電位計又は影響プローブからなる電位
計装置12により感知される。適切な電位計装置が特にDE
−OS2948660及びDE−OS3505615に記載されている。記録
担体上の全てのピクセルの表面電位を確実に測定するた
めには、電位計装置は記録担体４に対し２つの互いに直
交する（x,y）方向に変位せしめられる必要がある。こ
の目的のため、適宜のプロセスコンピュータ又はホスト
コンピュータ24により制御されるプログラム可能走査制
御システム15が設けられる。電位計装置の当該位置は、
ｘ−ｙ位置発生器14,13により走査制御システム15へ信
号として送られる。
イメージング装置のブロック図を示す。光導電体４の表
面は各々が１つのピクセルの電荷密度又は表面電位を検
出する、幾つかの電位計又は影響プローブからなる電位
計装置12により感知される。適切な電位計装置が特にDE
−OS2948660及びDE−OS3505615に記載されている。記録
担体上の全てのピクセルの表面電位を確実に測定するた
めには、電位計装置は記録担体４に対し２つの互いに直
交する（x,y）方向に変位せしめられる必要がある。こ
の目的のため、適宜のプロセスコンピュータ又はホスト
コンピュータ24により制御されるプログラム可能走査制
御システム15が設けられる。電位計装置の当該位置は、
ｘ−ｙ位置発生器14,13により走査制御システム15へ信
号として送られる。
電位計装置12は、後段に増幅器を有しても、また各電
位計プローブ毎にサンプルアンドホールド回路を有して
もよく、その出力信号はアナログマルチプレクサ（図示
せず）及び導線７を介してディジタルアナログ変換器16
の入力へ供給される。この変換器は、個々のピクセルの
表面の電荷密度又は表面電位のアナログ入力値を16ビッ
トのワード幅を有するディジタルデータワード変換す
る。アナログディジタル変換器16用のストローブ信号は
（電位計装置がＸ方向に延在する線に沿って蛇行式に光
導電体を走査する場合）ｘ位置発生装置14により発生さ
れる。このようにして形成されたディジタルデータワー
ドは、画像メモリ19へ供給される。0.2mm×0.2mmの典型
的なピクセル寸法及び400mm×400mmの表導電体表面に対
しては、この画像メモリは、少なくとも各16ビットで40
0万データワード分の容量がなければならない。アドレ
ス発生器17は、アナログディジタル変換器から供給され
たデータワードを、該当ピクセルに附随し走査制御シス
テム15から供給される座標x,yより形成されるアドレス
に記憶する。
位計プローブ毎にサンプルアンドホールド回路を有して
もよく、その出力信号はアナログマルチプレクサ（図示
せず）及び導線７を介してディジタルアナログ変換器16
の入力へ供給される。この変換器は、個々のピクセルの
表面の電荷密度又は表面電位のアナログ入力値を16ビッ
トのワード幅を有するディジタルデータワード変換す
る。アナログディジタル変換器16用のストローブ信号は
（電位計装置がＸ方向に延在する線に沿って蛇行式に光
導電体を走査する場合）ｘ位置発生装置14により発生さ
れる。このようにして形成されたディジタルデータワー
ドは、画像メモリ19へ供給される。0.2mm×0.2mmの典型
的なピクセル寸法及び400mm×400mmの表導電体表面に対
しては、この画像メモリは、少なくとも各16ビットで40
0万データワード分の容量がなければならない。アドレ
ス発生器17は、アナログディジタル変換器から供給され
たデータワードを、該当ピクセルに附随し走査制御シス
テム15から供給される座標x,yより形成されるアドレス
に記憶する。
ホストコンピュータ24は装置を次のように制御する。
まず暗放電像が形成される。つまり光導電体４の表面
が一様に帯電され、記録担体がＸ線に露光されないまま
表面電位が電位計装置12により測定される。表面電位に
対応する、この放電像で得られる個々のピクセルについ
ての像の値BD（x,y）はメモリ20に記憶される。像の値
は、ホストコンピュータ24により順次読み出され、暗放
電像がアーティファクトについて検査される。これは、
コンピュータ24が適宜のアルゴリズムに基いて所定閾値
より小さい暗放電像内の局部的最小値を検出し、その付
随するピクセル座標xi,yiを副メモリ20に記憶すること
で行なわれる。記憶されたピクセル座標は欠陥個所の位
置を示す。次いで、このように検出された欠陥個所の各
々について（光導電体は100個もの欠陥個所を有しう
る）、次の条件を満たす座標を有する全てのピクセルを
含む好ましくは正方形の包囲ゾーンが定められる。
が一様に帯電され、記録担体がＸ線に露光されないまま
表面電位が電位計装置12により測定される。表面電位に
対応する、この放電像で得られる個々のピクセルについ
ての像の値BD（x,y）はメモリ20に記憶される。像の値
は、ホストコンピュータ24により順次読み出され、暗放
電像がアーティファクトについて検査される。これは、
コンピュータ24が適宜のアルゴリズムに基いて所定閾値
より小さい暗放電像内の局部的最小値を検出し、その付
随するピクセル座標xi,yiを副メモリ20に記憶すること
で行なわれる。記憶されたピクセル座標は欠陥個所の位
置を示す。次いで、このように検出された欠陥個所の各
々について（光導電体は100個もの欠陥個所を有しう
る）、次の条件を満たす座標を有する全てのピクセルを
含む好ましくは正方形の包囲ゾーンが定められる。
xi-n≦ｘ≦xi+n （１） yi-n≦ｙ≦yi+n （２） ここで、値ｎは不等式（１）及び（２）で定められる
ピクセルでの像の値は欠陥個所により多かれ少なかれ影
響を受けるが、このゾーンの（外）縁では、つまり１ピ
クセル幅にあるピクセルあるいはより遠くでは欠陥個所
は如何なる効果も及ぼさなくなるように選定されてい
る。第2a図に示される例では、ｎ＝４が適当な値であ
る。条件（１）及び（２）を満たすのは、欠陥個所を特
徴付けるピクセルを含めて、（2n＋１）２個のピクセル
である。
ピクセルでの像の値は欠陥個所により多かれ少なかれ影
響を受けるが、このゾーンの（外）縁では、つまり１ピ
クセル幅にあるピクセルあるいはより遠くでは欠陥個所
は如何なる効果も及ぼさなくなるように選定されてい
る。第2a図に示される例では、ｎ＝４が適当な値であ
る。条件（１）及び（２）を満たすのは、欠陥個所を特
徴付けるピクセルを含めて、（2n＋１）２個のピクセル
である。
不等式（１）及び（２）により定められるピクセルに
おける像の値は、コンピュータ24により次の関係に従っ
て標準化アーティファクトの値ａ（x,y）に変換され
る。
おける像の値は、コンピュータ24により次の関係に従っ
て標準化アーティファクトの値ａ（x,y）に変換され
る。
ａ（x,y）＝（B0−Bd（x,y））/A0 （３） 標準化アーティファクトの値は、その中心で値１を有
し、その縁で略ゼロに等しい値を有する。第2c図に示さ
れる欠陥個所xi及びその近傍で変動を有するこれらの値
は、副メモリ21に記憶される。これは全ての欠陥個所に
ついて繰り返される。この準備の後に、アーティファク
トを減少するため各Ｘ線露光後に次の処理が行なわれ
る。光導電体が走査され、像の値Ｂ（x,y）が画像メモ
リ19に記録される。副メモリ20に記憶されている座標の
リストを用い、欠陥個所及び不等式１及び２により定ま
るゾーンの縁での像の値が取り出され、Ｘ線像内のアー
ティファクト強度Ａ（xi,yi）は次の式により計算され
る。
し、その縁で略ゼロに等しい値を有する。第2c図に示さ
れる欠陥個所xi及びその近傍で変動を有するこれらの値
は、副メモリ21に記憶される。これは全ての欠陥個所に
ついて繰り返される。この準備の後に、アーティファク
トを減少するため各Ｘ線露光後に次の処理が行なわれ
る。光導電体が走査され、像の値Ｂ（x,y）が画像メモ
リ19に記録される。副メモリ20に記憶されている座標の
リストを用い、欠陥個所及び不等式１及び２により定ま
るゾーンの縁での像の値が取り出され、Ｘ線像内のアー
ティファクト強度Ａ（xi,yi）は次の式により計算され
る。
Ａ（xi,yi）＝Ｂ（xi,yi） −0.5（Ｂ（Sinn,yi）＋Ｂ（Xi+n,yi）） （４） 従って、アーティファクトは、欠陥個所における像の
値Ｂ（xi,yi）と、直線ｙ＝yi上の包囲ゾーンの縁での
２つのピクセルの算術平均値との差から計算される。た
だし、平均値を包囲ゾーンの縁での２より多くのピクセ
ルから計算してもよい。
値Ｂ（xi,yi）と、直線ｙ＝yi上の包囲ゾーンの縁での
２つのピクセルの算術平均値との差から計算される。た
だし、平均値を包囲ゾーンの縁での２より多くのピクセ
ルから計算してもよい。
つまり当該アーティファクトの強度は、座標がメモリ
21に記憶されている全ての欠陥個所について計算され
る。
21に記憶されている全ての欠陥個所について計算され
る。
当該Ｘ線像に対してのみ有効なこのアーティファクト
の計算に続いて、アドレス発生器17は、メモリ21により
欠陥個所の包囲ゾーン内の各アーティファクトの変動ａ
（xi,yi）を取り出す。かかる包囲ゾーン内の像の各々
は、記憶された変動ａ（x,y）が式（４）により計算さ
れるアーティファクトの強度を乗算され、その積が次の
式により当該の像の値に加算されるようにして補正され
る。
の計算に続いて、アドレス発生器17は、メモリ21により
欠陥個所の包囲ゾーン内の各アーティファクトの変動ａ
（xi,yi）を取り出す。かかる包囲ゾーン内の像の各々
は、記憶された変動ａ（x,y）が式（４）により計算さ
れるアーティファクトの強度を乗算され、その積が次の
式により当該の像の値に加算されるようにして補正され
る。
Ｂ′（x,y）＝Ｂ（x,y）＋ａ（x,y）.A（xi,yi） （５） 補正された像の値Ｂ′（x,y）は、未補正の像の値Ｂ
（x,y）の代わりに画像19に置かれる。この結果得られ
るxi近傍の像の値の変動は、第2b図中に×印で示されて
いる。
（x,y）の代わりに画像19に置かれる。この結果得られ
るxi近傍の像の値の変動は、第2b図中に×印で示されて
いる。
この単純な計算は、コンピュータ25により第３図に示
される如く行なうことができる。あるいはこの計算もホ
ストコンピュータ１が行なうようにしてもよい。なぜな
ら必要な演算の数は画像当り100000程度であり、補正計
算が１秒以内に行なわれるとすると、コンピュータ速度
については特別な要求が課せられるわけではないからで
ある。
される如く行なうことができる。あるいはこの計算もホ
ストコンピュータ１が行なうようにしてもよい。なぜな
ら必要な演算の数は画像当り100000程度であり、補正計
算が１秒以内に行なわれるとすると、コンピュータ速度
については特別な要求が課せられるわけではないからで
ある。
包囲ゾーンの大きさである不等式（１）及び（２）の
値ｎは、全ての欠陥個所に対し等しく選定することがで
きる。しかし、包囲ゾーンの大きさを暗放電像内のアー
ティファクトの強度A0に応じて強度A0が大きいほど包囲
ゾーンが大きくなるよう選定することもできる。
値ｎは、全ての欠陥個所に対し等しく選定することがで
きる。しかし、包囲ゾーンの大きさを暗放電像内のアー
ティファクトの強度A0に応じて強度A0が大きいほど包囲
ゾーンが大きくなるよう選定することもできる。
上記では本発明は平坦な光導電体４について説明し
た。しかし本発明は回転円筒形面上に配設される光導電
体からなる装置においても用いることができる。かかる
装置はDE−OS3534768から公知である。次いでアーティ
ファクトの密度ａ（x,y）（第2c図）が暗放電像に基い
て測定されるのが好ましい。これは、光導電体を担持す
るシリンダがアンバランスであると光導電体と電位計装
置との間の距離が変化し、従ってアーティファクトの変
動も周期的にただし再現可能な様態で変化するため、ア
ーティファクトの変動の計算が非常に困難であるためで
ある。
た。しかし本発明は回転円筒形面上に配設される光導電
体からなる装置においても用いることができる。かかる
装置はDE−OS3534768から公知である。次いでアーティ
ファクトの密度ａ（x,y）（第2c図）が暗放電像に基い
て測定されるのが好ましい。これは、光導電体を担持す
るシリンダがアンバランスであると光導電体と電位計装
置との間の距離が変化し、従ってアーティファクトの変
動も周期的にただし再現可能な様態で変化するため、ア
ーティファクトの変動の計算が非常に困難であるためで
ある。
第１図は本発明が用いられるＸ線イメージング装置を示
す図、第2a図及び第2b図は、それぞれ暗放電像及びＸ線
像にて測定した欠陥個所を通る直線に沿う表面電位を表
わす図、第2c図はそれから導かれるアーティファクトの
変動パラメータを示す図、第３図は本方法が実施される
装置のブロック図である。 １……Ｘ線源、２……放射ビーム、３……対象、４……
光導電体、５……アルミニウム電極、６……コロナ放電
装置、12……電位計装置、13,14……位置発生器、15…
…走査制御システム、16……アナログディジタル変換
器、17……アドレス発生器、19……画像メモリ、20,21
……メモリ、24……ホストコンピュータ、25……コンピ
ュータ。
す図、第2a図及び第2b図は、それぞれ暗放電像及びＸ線
像にて測定した欠陥個所を通る直線に沿う表面電位を表
わす図、第2c図はそれから導かれるアーティファクトの
変動パラメータを示す図、第３図は本方法が実施される
装置のブロック図である。 １……Ｘ線源、２……放射ビーム、３……対象、４……
光導電体、５……アルミニウム電極、６……コロナ放電
装置、12……電位計装置、13,14……位置発生器、15…
…走査制御システム、16……アナログディジタル変換
器、17……アドレス発生器、19……画像メモリ、20,21
……メモリ、24……ホストコンピュータ、25……コンピ
ュータ。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０４Ｎ 5/32 Ｈ０４Ｎ 5/32 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５３１Ａ ５３１Ｅ
Claims (3)
- 【請求項１】Ｘ線を電荷パターンに変換し、Ｘ線露光の
前に一様に帯電されてＸ線露光中にＸ線の強度の関数と
して放電され電荷密度を判定するよう表面が走査される
光導電体を用いて、各ピクセル点に対し該当ピクセルで
の放電に応じた像の値が形成されるようにするＸ線像生
成方法であって、まず光導電体上の欠陥個所の位置
（xi,yi）を測定して、欠陥個所の位置及び欠陥個所近
傍での欠陥個所によって生じたアーティファクトの変動
（ａ（x,y））が記憶され、以後のＸ線露光中欠陥個所
に起因するアーティファクトの強度（Ａ（xi,yi））が
欠陥個所の位置での像の値（Ｂ（xi,yi））及び欠陥個
所を包囲する包囲ゾーンの縁での値（Ｂ（xi-n,yi）;B
（xi+n,yi））から決定され、包囲ゾーンにおけるＸ線
像でのアーティファクトの変動は強度（Ａ（xi,yi））
及び記憶された変動（ａ（x,y））より計算され、それ
に応じてこのゾーンでの像の値が補正されることを特徴
とするＸ線像生成方法。 - 【請求項２】記憶されるアーティファクトの変動（ａ
（x,y））は、暗放電像で測定されることを特徴とする
請求項１記載のＸ線像生成方法。 - 【請求項３】Ｘ線源（１）と、Ｘ線源により露光される
光導電体（４）と、光導電体を帯電せしめる帯電装置
（６）と、光導電体の表面上の電荷密度を測定し、その
関係として像の値を形成する電位計装置（12）と、Ｘ線
像との像の値を記憶する第１のメモリ（19）とからな
り、欠陥個所の位置及びその包囲ゾーンのアーティファ
クトの変動を記憶する別のメモリ（20,21）と、記憶さ
れた変動（ａ（x,y））及びＸ線像内のアーティファク
トの強度（Ａ（xi,yi））からＸ線像内のアーティファ
クトの変動を計算する演算ユニットが設けられ、それに
応じて包囲ゾーン内の像の値（Ｂ（x,y））が補正され
ることを特徴とする請求項１記載のＸ線像生成方法を実
施する装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3817027A DE3817027A1 (de) | 1988-05-19 | 1988-05-19 | Verfahren zur erzeugung einer roentgenaufnahme mittels eines photoleiters und anordnung zur durchfuehrung des verfahrens |
| DE3817027.2 | 1988-05-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0243532A JPH0243532A (ja) | 1990-02-14 |
| JP2826570B2 true JP2826570B2 (ja) | 1998-11-18 |
Family
ID=6354674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12272189A Expired - Lifetime JP2826570B2 (ja) | 1988-05-19 | 1989-05-16 | 光導電体によるｘ線像生成方法及びその方法を実施する装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4939759A (ja) |
| EP (1) | EP0342760B1 (ja) |
| JP (1) | JP2826570B2 (ja) |
| DE (2) | DE3817027A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5105451A (en) * | 1988-12-07 | 1992-04-14 | Eastman Kodak Company | Electrographic process utilizing fluorescent toner and filtered detector for generating an electrical image signal |
| DE3938096A1 (de) * | 1989-11-16 | 1991-05-23 | Philips Patentverwaltung | Verfahren zum abtasten einer roentgenaufnahme mittels elektrometersonden und anordnung zur durchfuehrung des verfahrens |
| DE4006181A1 (de) * | 1990-02-28 | 1991-08-29 | Philips Patentverwaltung | Anordnung zum abtasten einer roentgenaufnahme |
| US5156246A (en) * | 1990-07-13 | 1992-10-20 | Koyo Seiko Company, Ltd. | One-way clutch |
| DE4205566A1 (de) * | 1992-02-22 | 1993-08-26 | Philips Patentverwaltung | Verfahren fuer roentgenaufnahmen und dafuer geeignete vorrichtung |
| FR2688969B1 (fr) * | 1992-03-17 | 1996-03-01 | Thomson Broadcast | Procede de correction des defauts d'uniformite des pixels d'un senseur a l'etat solide et dispositif pour la mise en óoeuvre du procede. |
| DE19640946A1 (de) * | 1996-10-04 | 1998-04-16 | Philips Patentverwaltung | Röntgenaufnahme-Anordnung mit einem Photoleiter |
| JP3624106B2 (ja) * | 1998-10-29 | 2005-03-02 | キヤノン株式会社 | デジタル撮影台 |
| US6320934B1 (en) * | 2000-06-26 | 2001-11-20 | Afp Imaging Corporation | Sensor characterization in memory |
| EP1631066A3 (en) * | 2004-08-31 | 2010-12-08 | Agfa HealthCare NV | Method of correcting artifacts in an image signal. |
| US7650046B2 (en) * | 2004-08-31 | 2010-01-19 | Agfa Healthcare | Method of correcting artifacts in an image signal |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2149260B (en) * | 1983-11-04 | 1987-05-13 | Marconi Avionics | Image processing |
| DE3529108A1 (de) * | 1985-08-14 | 1987-02-26 | Philips Patentverwaltung | Verfahren zur erzeugung einer roentgenaufnahme mittels eines fotoleiters und anordnung zur durchfuehrung des verfahrens |
| DE3704272C2 (de) * | 1987-02-12 | 1994-05-05 | Philips Patentverwaltung | Verfahren für die nichtmedizinische Röntgenbildverarbeitung und Anordnung zur Durchführung des Verfahrens |
-
1988
- 1988-05-19 DE DE3817027A patent/DE3817027A1/de not_active Withdrawn
-
1989
- 1989-05-04 US US07/347,552 patent/US4939759A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-05-16 JP JP12272189A patent/JP2826570B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1989-05-17 EP EP89201244A patent/EP0342760B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-05-17 DE DE58909019T patent/DE58909019D1/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE58909019D1 (de) | 1995-03-30 |
| US4939759A (en) | 1990-07-03 |
| EP0342760B1 (de) | 1995-02-22 |
| EP0342760A3 (de) | 1991-01-09 |
| EP0342760A2 (de) | 1989-11-23 |
| DE3817027A1 (de) | 1989-11-30 |
| JPH0243532A (ja) | 1990-02-14 |
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