JP2819968B2 - キーボード - Google Patents

キーボード

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JP2819968B2 JP4273922A JP27392292A JP2819968B2 JP 2819968 B2 JP2819968 B2 JP 2819968B2 JP 4273922 A JP4273922 A JP 4273922A JP 27392292 A JP27392292 A JP 27392292A JP 2819968 B2 JP2819968 B2 JP 2819968B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は情報処理装置の入力機器
として広く用いられているキーボードに関し、特に多重
打鍵時にキーONしていないキーがONしたように誤動
作してしまうゴーストキーを防止する機能(Nキーロー
ルオーバ機能)を備えたキーボードに関する。
【0002】
【従来の技術】従来、かかるキーボードにおいては、多
重打鍵によるゴーストキーの発生が問題になっている。
以下、この多重打鍵によるゴーストキー発生を中心に説
明する。
【0003】図8は従来の一例を示すキーボードの回路
図である。図8に示すように、従来のキーボードはスイ
ッチィ部S00〜S97を10×8のマトリクス状に配
置したキーマトリクス1aと、このキーマトリクス1a
の行方向に接続された複数の走査線X0〜X9にダイオ
ード24を介し順次高レベルを出力していくマトリクス
ドライバ23と、キーマトリクス1aの列方向に接続さ
れた複数の検出線Y0〜Y7より信号を受信するマトリ
クスレシーバ22と、このマトリクスレシーバ22の信
号によりマトリクスドライバ23を制御するコントロー
ルユニット4aと、負荷抵抗RL0〜RL7とで構成さ
れている。
【0004】ここで、マトリクスドライバ23より走査
線X0へ高レベルが出力(他の走査線はすべて低レベ
ル)されている状態で、スイッチ部のS00,S10,
S11がONしたとすると、ゴースト電流IGは図示し
たように、X0→Y0→X1→Y1→負荷抵抗RL1の
順に流れる。従って、検出線Y1が高レベルに上昇する
ので、ONしていないスイッチS01があたかもONし
たような電圧を発生してしまう。これがゴーストキーの
発生メカニズムである。
【0005】上述したゴーストキー発生を防止し、スイ
ッチONの順に必ず1スイッチのONを確定する機能を
Nキーロールオーバと言う。従来は行単位ではなく各ス
イッチ部に1個づつダイオードを実装する方式が一般的
である。
【0006】図9は従来の他の例を示すキーボードの回
路図である。図9に示すように、このキーボードはダイ
オード24を実装してNキーロールオーバを実現させた
ものであり、ここでも基本的な回路を示す。その構成は
図8と同様に、キーマトリクス1a、マトリクスドライ
バ23、マトリクスレシーバ22、コントロールユニッ
ト4aおよび負荷抵抗RL0〜RL7で構成される。特
に、キーマトリクス1aの各スイッチ部には、直列にダ
イオード24が実装されている。このキーボードによる
と、マトリクスドライバ23よりX0へ高レベルが出力
(他の走査線はすべて低レベル)されている状態で、ス
イッチ部のS00,S10,S11をONしても、S1
0に実装されているダイオード24が逆バイアスされ
る。従って、電流がY0→X1に流れないので、Y1が
高レベルにならずゴーストキーも発生しない。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のキーボ
ードは、Nキーロールオーバ機能を実現するために、各
キーもしくは行単位に1個づつダイオードを実装しなけ
ればならないため、キー数もしくは行単位に等しい数量
のダイオードを必要とし、寸法を小型化することが困難
であると共に、ダイオードの資材費及び実装作業工数の
増加等によるコストアップをまねくという欠点がある。
【0008】本発明の目的は、容易にNキーロールオー
バ機能を実現するとともに小型化且つ低価格のキーボー
ドを提供することにある。
【0009】本発明のキーボードは、スイッチ部に抵抗
素子を直列接続したスイッチユニットマトリクス状に配
置した抵抗式キーマトリクスと、前記抵抗式キーマトリ
クスの行方向に接続された複数本の走査線より順次CM
OSレベルの走査信号を出力する抵抗マトリクスドライ
バと、前記抵抗式キーマトリクスの列方向に接続された
複数本の検出線より前記スイッチ部のON/OFFに基
づくアナログ信号を受信してディジタルデータに変換す
るA/Dコンバータと、前記抵抗マトリクスドライバお
よび前記A/Dコンバータを制御するコントロールユニ
ットとを有し、前記コントロールユニットは前記抵抗
マトリクスドライバに走査信号を出力し且つ前記A/D
コンバータを制御する命令語群を記憶し、前記スイッチ
部のONからOFFへの変化を判断する第1のスレッシ
ョルド用データおよび前記スイッチ部のOFFからON
への変化を判断する第2のスレッショルド用データを設
定するための読み出し専用メモリと、前記A/Dコンバ
ータで変換された前記ディジタルデータを記憶するとと
もに、前記スイッチ部のON数をカウントできるアップ
ダウンカウンタを設定した書き込み/読み出し可能なラ
ンダムアクセスメモリと、前記読み出し専用メモリに記
憶されている前記命令語群を読み出し各命令語に基づい
た制御情報を発生させる制御回路と、前記制御情報に応
答して演算操作を行う演算制御回路とを備え、前記第1
および第2のスレッショルド用データのいずれかと前記
ランダムアクセスメモリに記憶された前記ディジタルデ
ータとを比較して前記スイッチ部のON/OFFを判断
するにあたり、前記アップダウンカウンタと前記抵抗マ
トリクスドライバおよび前記A/Dコンバータを制御し
構成される。
【0010】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
【0011】図1は本発明の一実施例を示すキーボード
の回路図である。図1に示すように、本実施例は抵抗式
キーマトリクス1と、この抵抗式キーマトリクス1に接
続される抵抗マトリクスドライバ6と、A/Dコンバー
タ5と、これらのドライバ6,A/Dコンバータ5を制
御するコントロールユニット4と、負荷抵抗RL0〜R
L7とを有する。コントロールユニット4と抵抗マトリ
クスドライバ6およびA/Dコンバータ5は、1チップ
上に集積されたワンチップマイクロコンピュータ3を構
成する。また、抵抗式キーマトリクス1は、R00〜R
97の抵抗素子およびS00〜S97のスイッチ部を直
列接続したスイッチユニット2を10×8のマトリクス
上に配置して構成される。この抵抗式キーマトリクス1
の行方向の走査線X0〜X9は抵抗マトリクスドライバ
6に接続され、しかも抵抗式キーマトリクス1の列方向
の検出線Y0〜Y7はA/Dコンバータ5に接続される
と共に、負荷抵抗RL0〜RL7により信号グランド
(以下、SGと略す)にプルダウンされている。一方、
コントロールユニット4は抵抗マトリクスドライバ6お
よびA/Dコンバータ5を制御し且つデータ処理する命
令語群が書き込まれたROM9と、少なくともA/Dコ
ンバータ5のデータを読み書きすることが可能なRAM
10と、各種演算を行うためのALU12と、A/Dコ
ンバータ5とのインターフェースをとる入出力チャネル
7と、抵抗マトリクスドライバ6とのインタフェースを
とる出力チャネル8と、ROM9の命令語を読み出し且
つRAM10,ALU12,入出力チャネル7,出力チ
ャネル8の各コントロール及び制御線とのデータ送受信
を行う制御回路11と、内部バス13とで構成される。
この内部バス13はROM9,RAM10,ALU1
2,入出力チャネル7,出力チャネル8および制御回路
11を相互に接続する。また、A/Dコンバータ5の基
準電圧VREFは電源電圧VCCより供給される。
【0012】図2は図1に示すA/Dコンバータの構成
図である。図2に示すように、このA/Dコンバータ5
は逐次比較型の8ビットA/D変換器を構成している。
8入力のアナログ信号AN0〜AN7は、アナログマル
チプレクサ14で1入力に選択され、ラッチ15で保持
される。このアナログデータは、基準電圧VREFとS
G間に接続された直列抵抗ストリング17のタップデコ
ーダで分割した値と比較しながら、逐次比較法により逐
次比較レジスタ18で8ビットのディジタルデータに変
換される。この変換されたデータはバッファ19に格納
される。直列抵抗ストリング17のタップデコーダは基
準電圧VREFとSG間の電圧を2の8乗(=256)
に分割することが可能である。また、シーケンスコント
ローラ16はアナログマルチプレクサ14とラッチ15
と逐次比較レジスタ18およびバッファ19をコントロ
ールしている。これらバッファ19に格納されたデータ
やシーケンスコントローラ16の信号は、入出力チャネ
ル7との間でデータ転送が行われる。しかも、VREF
はVCCに接続されているため、アナログ信号AN0〜
AN7に入力されるアナログデータは、次の(1)式で
表わすようにディジタルデータに変換される。
【0013】
【0014】図3は図1に示す抵抗マトリクスドライバ
の構成図である。図3に示すように、この抵抗マトリク
スドライバ6は出力チャネル8からのデータで駆動され
るシーケンスコントローラ21と、複数のバッファ20
と、MOSトランジスタとを備えている。特に、シーケ
ンスコントローラ21は走査線X0〜X9に対応するバ
ッファ20を制御し、MOSトランジスタからなる出力
回路を駆動する。この出力回路はCMOSにより構成さ
れちるため、高レベルはVCCに等しく、低レベルはS
Gに等しい。
【0015】以下、上述した回路の動作を図4〜図7を
参照して説明する。
【0016】まず、ROM9内に書き込まれた命令群に
基づき、抵抗マトリクスドライバ6は走査線X0〜X9
を順次高レベルにし、それ以外を低レベルにする走査信
号を抵抗式キーマトリクス1に出力する。この走査信号
に同期して、行方向の1ラインを高レベルにした状態
で、A/Dコンバータ5のアナログマルチプレクサ14
を順次選択し、検出線Y0〜Y7の各検出信号レベルを
順次A/D変換する。そのディジタルデータを順次RA
M10に格納していく。
【0017】図4(a)〜(c)はそれぞれ図1におけ
る同一Yライン多重打鍵時の動作を説明するための等価
回路図である。まず、図4(a)に示すように、例えば
X0に高レベルを出力している状態(信号レベル:VC
C)でスイッチ部S00がONすると、S00に接続さ
れている抵抗R00とY0ラインの負荷抵抗RL0との
抵抗比できまる検出信号V00が出力される。この検出
信号V00は次の(2)式で表わすことができる。
【0018】
【0019】ここで、VCC=5V,RL0=100k
Ω,R00=10kΩと仮定すると、検出信号はV00
=4.55Vとなる。
【0020】また、(1)式よりディジタルデータに変
換された検出信号は、V00(ディジタル)=233
(=E8h)となる。また、S00以外のX0ラインに
配置されているスイッチ部は全てOFFしていると仮定
すると、X0ラインの検出線Y0〜Y7に割り当ててあ
るRAM10には、Y0のみE8hが格納され、Y1〜
Y7には、00hが格納される。このRAM10に格納
されたデータと、以下に説明する手順で設定されたスレ
ッショルド用データとを比較することにより、スイッチ
のON/OFFを判断する。
【0021】次に、図4(b)に示すように、X0に高
レベルを出力している状態(信号レベル=VCC)で且
つスイッチ部のS00とS10がONしたとすると、X
1には低レベルが出力(信号レベル:SG)されている
状態であるので、V00は次の(3)式で表わすことが
できる。
【0022】
【0023】上述した(3)式でR00=R10とする
と、(3)式は次の(4)式に変形される。
【0024】
【0025】同様に、図4(c)に示すように、Y0ラ
インに実装してあるスイッチ部(S00〜S90)のO
Nしている数量をNとし、抵抗素子(R00〜R90)
の抵抗値を全て同じ(R00=R10=…=R90)と
すると、このときの検出信号V00は次の(5)式で表
わすことができる。
【0026】
【0027】ここで、上述した(1)式を用いて(5)
式の検出信号V00をディジタルデータに変換したV0
0(ディジタル)を計算すると、次の(6)式となる。
【0028】
【0029】この(6)式には、VCCに依存する項が
ないため、V00(ディジタル)は電源電圧(VCC)
にかかわらず一定であることがわかる。
【0030】図5は図4における同一Yライン多重打鍵
時の検出電圧特性図である。図5に示すように、この特
性は図4(c)で、VCC=5V,RL0=100k
Ω,R00=10kΩと仮定し、前述した(6)式を計
算した結果を示している。このV00(ディジタル)を
16進法にて表現した8ビットのデータがRAM10に
格納されるデータである。そこで、Yラインに配置され
ている全てのスイッチがONされている状態(図5のN
=10)でも検出電圧V00(ディジタル)が高レベル
となるように第1のスレッショルド用データ(スイッチ
部がON→OFFを判別するスレッショルド用データ)
を設定する。
【0031】図6は図4におけるゴーストキー発生パタ
ーンを説明するための多重打鍵時の等価回路図である。
図6に示すように、この回路はX0に高レベルを出力し
ている状態(信号レベル:VCC)で且つスイッチ部S
00,S10,S11が各々ONしている状態での等価
回路を示す。この状態でも、Y1の検出電圧(V01)
が高レベルにならないような第2のスレッショルド用デ
ータ(スイッチ部がOFF→ONを判断するスレッショ
ルド用データ)を図5に示すように設定することによ
り、ゴーストキーの発生を防止することが可能である。
【0032】このように、同じライン上に配置されてい
るスイッチ部全てがONしても、検出電圧が高レベルと
なるには、第1のスレッショルド用データは、できる限
り低い値でなければならないが、ゴーストキーを防ぐ第
2のスレッショルドデータは、できる限り高い値でなけ
ればならない。そこで、スレッショルドにヒステリシス
特性をもたせ、第1のスレッショルド用データと第2の
スレッショルド用データを別々に設定している。すなわ
ち、図5における第1のスレッショルド用データ(1
1:VCC=5Vの場合、0.21V)と第2のスレッ
ショルド用データ(17:VCC=5Vの場合、0.3
3V)は上述した方法により設定されたスレッショルド
を示している。
【0033】上述したスレッショルドは一般的に広く使
用されているTTLレベルやCMOSレベルと比較して
かなり低いため、ノイズ対策を十分に考慮する必要があ
ることがわかる。特に、スイッチ部のOFF→ONを判
別する第2のスレッショルド用データが、TTLの高レ
ベルスレッショルド(2V)と比較すると、約1/6で
あり、ノイズマージン不足のため、ONしていないスイ
ッチ部がノイズによりあたかもONしているように誤認
識してしまう可能性が高い。
【0034】図7は図5における同一Yライン多重打鍵
時の検出電圧特性にスレッショルド用データを設定した
検出電圧特性図である。
【0035】従来よりキーボードには、スイッチ部のO
N/OFFを判断するために、各スイッチに対応し且つ
各スイッチの状態(ON/OFF)を記憶する手段を有
しているが、本実施例のキーボードでも同様に、スイッ
チ部の状態判断を実行した後、各スイッチ部の状態をR
AM10に記憶させておき、各スイッチ部の状態により
第1のスレッソルド用データと第2のスレッショルド用
データを使い分けると共に、同一Yライン上のスイッチ
ON数を管理することが可能である。
【0036】そこで、図7に示すように、この検出電圧
特性では、図5に示す少なくとも第2のスレッショルド
用データに関し、キーON数に応じた可変データとし、
キーON数が少ない場合の第2のスレッショルド用デー
タのレベルを高くする。例えば、各Yラインごとにスイ
ッチ部のON数に応じたアップ/ダウンカウンタを1バ
イトずつ(合計8バイト)をRAM10内に設定し、各
Yラインごとにスイッチ部がONするたびに+1し、ス
イッチ部がOFFするたびに−1させることにより、ス
イッチON数が判別可能である。従って、1キー目のス
イッチ部がONする場合は、第2のスレッショルド(1
90:VCC=5Vの場合、3.7V)を超えたデータ
のみを有効とし、2キー目のスイッチ部がONする場合
には、第2のスレッショルド(90:VCC=5Vの場
合、1.7V)を超えたデータのみ有効とする。通常、
キーボードを使用する状態での同一YラインをONする
スイッチ数はせいぜい1〜2キーであることを仮定する
と、少なくとも通常使用状態でのノイズマージンをTT
Lレベルとほぼ同等にすることができる上、同一Yライ
ンの全てのスイッチ部がONしても(N=10)第1の
スレッショルドを下回ることがないため、Nキーロール
オーバ機能が保証される。
【0037】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のキーボー
ドは、CMOSレベルの走査信号を出力する抵抗マトリ
クスドライバにより抵抗マトリクスを走査し、検出信号
をA/Dコンバータでディジタルデータに変換してから
ヒステリシス特性を有するスレッショルド用データとの
比較を行い、スイッチ部のON/OFFを判断すること
により、容易にNキーロールオーバ機能を実現するとと
もに、小型化且つ低価格化できるという効果がある。ま
た、本発明はONしているスイッチ部の数量によりスレ
ッショルド用データを可変にすることにより、通常使用
状態でのノイズマージンを確保しながらNキーロールオ
ーバ機能を実現することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示すキーボードの回路図で
ある。
【図2】図1に示すA/Dコンバータの構成図である。
【図3】図1に示す抵抗マトリクスドライバの構成図で
ある。
【図4】図1における同一Yライン多重打鍵時の動作を
説明するための等価回路図である。
【図5】図4における同一Yラインの多重打鍵時の検出
電圧特性図である。
【図6】図4におけるゴーストキー発生パターンを説明
するための多重打鍵時の等価回路図である。
【図7】図5における同一Yラインの多重打鍵時の検出
電圧特性にスレッショルド用データを設定した検出電圧
特性図である。
【図8】従来の一例を示すキーボードの回路図である。
【図9】従来の他の例を示すキーボードの回路図であ
る。
【符号の説明】
1 抵抗式キーマトリクス 2 スイッチユニット 3 ワンチップマイコン 4 コントロールユニット 5 A/Dコンバータ 6 抵抗マトリクスドライバ 7 入出力チャネル 8 出力チャネル 9 ROM 10 RAM 11 制御回路 12 ALU 13 内部バス 14 アナログマルチプレクサ 15 ラッチ 16,21 シーケンスコントローラ 17 直列抵抗ストリング 18 逐次比較レジスタ 19,20 バッファ

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 スイッチ部に抵抗素子を直列接続したス
    イッチユニットマトリクス状に配置した抵抗式キーマト
    リクスと、前記抵抗式キーマトリクスの行方向に接続さ
    れた複数本の走査線より順次CMOSレベルの走査信号
    を出力する抵抗マトリクスドライバと、前記抵抗式キー
    マトリクスの列方向に接続された複数本の検出線より前
    記スイッチ部のON/OFFに基づくアナログ信号を受
    信してディジタルデータに変換するA/Dコンバータ
    と、前記抵抗マトリクスドライバおよび前記A/Dコン
    バータを制御するコントロールユニットとを有し、前記
    コントロールユニットは前記抵抗マトリクスドライバ
    走査信号を出力し且つ前記A/Dコンバータを制御す
    る命令語群を記憶し、前記スイッチ部のONからOFF
    への変化を判断する第1のスレッショルド用データおよ
    び前記スイッチ部のOFFからONへの変化を判断する
    第2のスレッショルド用データを設定するための読み出
    し専用メモリと、前記A/Dコンバータで変換された前
    記ディジタルデータを記憶するとともに、前記スイッチ
    部のON数をカウントできるアップダウンカウンタを設
    定した書き込み/読み出し可能なランダムアクセスメモ
    リと、前記読み出し専用メモリに記憶されている前記
    令語群を読み出し各命令語に基づいた制御情報を発生さ
    せる制御回路と、前記制御情報に応答して演算操作を行
    う演算制御回路とを備え、前記第1および第2のスレッ
    ショルド用データのいずれかと前記ランダムアクセスメ
    モリに記憶された前記ディジタルデータとを比較して前
    記スイッチ部のON/OFFを判断するにあたり、前記
    アップダウンカウンタと前記抵抗マトリクスドライバお
    よび前記A/Dコンバータを制御することを特徴とする
    キーボード。
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