JP2812720B2 - 反射型mimアクティブマトリクス基板の製造方法 - Google Patents
反射型mimアクティブマトリクス基板の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 液晶表示素子は低消費電力のフラットパネルディスプ
レイとして広く応用されている。中でも、スイッチング
素子を各画素に作り込んで駆動するアクティブマトリク
ス方式は大容量高品質の表示素子としてテレビ、情報端
末等に用いられつつある。スイッチング素子しては3端
子型のTFT(薄膜トランジスタ)と2端子型のダイオー
ドやMIM(金属−絶縁膜−金属)素子等の非線形抵抗素
子が使われる。商品化に3端子型のTFTが先行したが、
2端子型は製造が3端子型に対して簡単であり、今後が
期待されている。
レイとして広く応用されている。中でも、スイッチング
素子を各画素に作り込んで駆動するアクティブマトリク
ス方式は大容量高品質の表示素子としてテレビ、情報端
末等に用いられつつある。スイッチング素子しては3端
子型のTFT(薄膜トランジスタ)と2端子型のダイオー
ドやMIM(金属−絶縁膜−金属)素子等の非線形抵抗素
子が使われる。商品化に3端子型のTFTが先行したが、
2端子型は製造が3端子型に対して簡単であり、今後が
期待されている。
液晶表示素子としては透過型と反射型があり、透過型
の方が良く用いられるが、用途によっては反射型が有利
である。
の方が良く用いられるが、用途によっては反射型が有利
である。
本発明の反射型のMIM素子に関する。
第4図に従来の透過型のMIM素子の製造方法を示す。
まず第4図(a)に示すように、ガラス等の基板6上に
Ta等の金属を配線電極1として形成し、ホトエッチング
によりパタン化する。続いて第4図(b)に示すよう
に、配線電極1を利用して電流供給する事により、配線
電極1を実体陽極酸化する事により配線電極1上に絶縁
膜3を形成する。次に第4図(c)に示すように、ITO
(酸化インジウムスズ)等の透明導電膜が上部電極40及
び画素電極41を兼ねて形成しパタン化される。この場合
には2枚のマスクでパタン化が可能である。
まず第4図(a)に示すように、ガラス等の基板6上に
Ta等の金属を配線電極1として形成し、ホトエッチング
によりパタン化する。続いて第4図(b)に示すよう
に、配線電極1を利用して電流供給する事により、配線
電極1を実体陽極酸化する事により配線電極1上に絶縁
膜3を形成する。次に第4図(c)に示すように、ITO
(酸化インジウムスズ)等の透明導電膜が上部電極40及
び画素電極41を兼ねて形成しパタン化される。この場合
には2枚のマスクでパタン化が可能である。
反射型とするには更に反射性の電極を付加する必要が
ある。これを第5図を用いて説明する。まず第5図
(a)に示すように、基板6上にTa等の金属を配線電極
1として形成しパタン化する。続いて配線電極1を利用
して電流供給する事により、配線電極1を実体陽極酸化
する事により配線電極1上に絶縁膜3を形成する。その
後第5図(b)に示すように、反射性画素電極51を形成
しパタン化する。その後第5尾図(c)に示すように、
上部電極50を形成しパタン化される。反射性画素電極51
は別工程で形成して第5図の構造とする。
ある。これを第5図を用いて説明する。まず第5図
(a)に示すように、基板6上にTa等の金属を配線電極
1として形成しパタン化する。続いて配線電極1を利用
して電流供給する事により、配線電極1を実体陽極酸化
する事により配線電極1上に絶縁膜3を形成する。その
後第5図(b)に示すように、反射性画素電極51を形成
しパタン化する。その後第5尾図(c)に示すように、
上部電極50を形成しパタン化される。反射性画素電極51
は別工程で形成して第5図の構造とする。
従来例の課題は製造工程がやや複雑である点にある。
第5図の従来例では3枚のフォトマスクを必要としてい
る。
第5図の従来例では3枚のフォトマスクを必要としてい
る。
本発明の目的は従来例の製造方法を簡略化する方法を
提供することにある。
提供することにある。
本発明は反射型MIMアクティブマトリクス基板の製造
方法に於て、基板上に反射性の金属膜を形成する工程
と、この反射性の金属を配線電極と反射性画素電極の形
状にパタン化する工程と、配線電極上に前記絶縁膜を形
成する工程と、この絶縁膜及び反射性画素電極上に上部
電極を形成する工程を少なくとも有する事を特徴とし、
2枚マスク工程で反射型MIMアクティブマトリクス基板
の製造を可能とする。
方法に於て、基板上に反射性の金属膜を形成する工程
と、この反射性の金属を配線電極と反射性画素電極の形
状にパタン化する工程と、配線電極上に前記絶縁膜を形
成する工程と、この絶縁膜及び反射性画素電極上に上部
電極を形成する工程を少なくとも有する事を特徴とし、
2枚マスク工程で反射型MIMアクティブマトリクス基板
の製造を可能とする。
以下上面を用いて本発明の実施例を説明する。
第1図(a)〜(c)に本発明の反射型MIMアクティ
ブマトリクス基板の製造方法の実施例を示す。
ブマトリクス基板の製造方法の実施例を示す。
まず第1図(a)に示すように、基板6上の全面に反
射性の金属膜を形成し、この反射性の金属膜を配線電極
1と反射性画素電極2の形成にホトエッチングによりパ
タン化する。次に第1図(b)に示すように、配線電極
1上に絶縁膜3を形成する。次に第1図(c)に示すよ
うに、絶縁膜3及び反射性画素電極2上に上部電極4を
形成する。配線電極1と絶縁膜3と上部電極4との積層
された領域がMIM素子5となる。
射性の金属膜を形成し、この反射性の金属膜を配線電極
1と反射性画素電極2の形成にホトエッチングによりパ
タン化する。次に第1図(b)に示すように、配線電極
1上に絶縁膜3を形成する。次に第1図(c)に示すよ
うに、絶縁膜3及び反射性画素電極2上に上部電極4を
形成する。配線電極1と絶縁膜3と上部電極4との積層
された領域がMIM素子5となる。
基板6としてはガラス、反射性の金属膜としてはTa、
Al等を用いる。絶縁膜3の形成方法としては、配線電極
1を利用して配線電極1自体を陽極酸化する方法を用い
る。この方法では反射性画素電極2自体は電流が供給さ
れず陽極酸化されない。そのため、反射性画素電極2の
反射率が保持される。また反射性画素電極2の金属面が
露出したままなので、第1図(c)に示す工程で上部電
極4と反射性画素電極2とをそのまま接続し電極的接続
を取る事が出来る。このように配線電極1を用いた陽極
酸化法によれば自動的に、必要な所のみ絶縁膜3を形成
する事が可能である。上部電極4としては金属(Ta、A
l、Cr、Mo、W、Ni、Ti等)や透明導電膜(ITO等)、及
び半絶縁性膜(SiNx等)を用いる事が可能で、本実施例
ではITOを用いた。
Al等を用いる。絶縁膜3の形成方法としては、配線電極
1を利用して配線電極1自体を陽極酸化する方法を用い
る。この方法では反射性画素電極2自体は電流が供給さ
れず陽極酸化されない。そのため、反射性画素電極2の
反射率が保持される。また反射性画素電極2の金属面が
露出したままなので、第1図(c)に示す工程で上部電
極4と反射性画素電極2とをそのまま接続し電極的接続
を取る事が出来る。このように配線電極1を用いた陽極
酸化法によれば自動的に、必要な所のみ絶縁膜3を形成
する事が可能である。上部電極4としては金属(Ta、A
l、Cr、Mo、W、Ni、Ti等)や透明導電膜(ITO等)、及
び半絶縁性膜(SiNx等)を用いる事が可能で、本実施例
ではITOを用いた。
第2図は第1図を用いて説明したMIM素子の平面図で
あり、配線電極1の上のみ陽極酸化による絶縁膜3が形
成され、反射性画素電極2上には絶縁膜が形成されてい
ない。上部電極4と配線電極1の重なり部はMIM素子5
となり、上部電極4と反射性画素電極4の重なり部では
上部電極4と反射性画素電極2との電気的接続を取って
いる。
あり、配線電極1の上のみ陽極酸化による絶縁膜3が形
成され、反射性画素電極2上には絶縁膜が形成されてい
ない。上部電極4と配線電極1の重なり部はMIM素子5
となり、上部電極4と反射性画素電極4の重なり部では
上部電極4と反射性画素電極2との電気的接続を取って
いる。
第3図は本発明の反射型MIMアクティブマトリクス基
板を用いて反射型アクティブマトリクス液晶表示装置の
断面図である。一方の基板6上には配線電極1、絶縁膜
3、反射画素電極2、MIM素子5、配向膜8および上部
電極4が形成され、他方の基板7上には透明電極11、配
向膜9が形成され、2つの基板6、7の間には液晶層10
が挾持されている。入射光12はこの液晶層10によって光
学的に変調された反射光13として出射される。
板を用いて反射型アクティブマトリクス液晶表示装置の
断面図である。一方の基板6上には配線電極1、絶縁膜
3、反射画素電極2、MIM素子5、配向膜8および上部
電極4が形成され、他方の基板7上には透明電極11、配
向膜9が形成され、2つの基板6、7の間には液晶層10
が挾持されている。入射光12はこの液晶層10によって光
学的に変調された反射光13として出射される。
第6図に本発明の反射型MIMアクティブマトリクス基
板の製造方法の第2の実施例を示す。
板の製造方法の第2の実施例を示す。
基板6上に反射性の金属膜(例えばCr、Alの2層膜)
を形成し、この反射性の金属膜を配線電極1と反射性画
素電極2の形状にパタン化する工程と、配線電極1上及
び反射性画素電極2上に絶縁膜3を形成する工程と、こ
の絶縁膜3(例えばプラズマCVDによる非線形電流電圧
特性を有するSiNx又はSiNxOy等)及び(絶縁膜3を介し
て)反射性画素電極2上に上部電極4を形成する工程か
らなる。配線電極1或は反射性画素電極2と、絶縁膜3
と、上部電極4との積層された領域がMIM素子5とな
る。このMIM素子は狭義にMSI(メタル・セミ・インシュ
レイター)素子と言われる事もある。非線形電流電圧特
性を有するSiNx又はSiNxOy等の絶縁膜は僅かながら吸収
を示し反射性画素電極2の反射特性を低下させる。そこ
で本実施例では、上部電極4のエッチング工程で絶縁膜
3も同時に除去する事でこの問題を解決している。
を形成し、この反射性の金属膜を配線電極1と反射性画
素電極2の形状にパタン化する工程と、配線電極1上及
び反射性画素電極2上に絶縁膜3を形成する工程と、こ
の絶縁膜3(例えばプラズマCVDによる非線形電流電圧
特性を有するSiNx又はSiNxOy等)及び(絶縁膜3を介し
て)反射性画素電極2上に上部電極4を形成する工程か
らなる。配線電極1或は反射性画素電極2と、絶縁膜3
と、上部電極4との積層された領域がMIM素子5とな
る。このMIM素子は狭義にMSI(メタル・セミ・インシュ
レイター)素子と言われる事もある。非線形電流電圧特
性を有するSiNx又はSiNxOy等の絶縁膜は僅かながら吸収
を示し反射性画素電極2の反射特性を低下させる。そこ
で本実施例では、上部電極4のエッチング工程で絶縁膜
3も同時に除去する事でこの問題を解決している。
第7図に本発明の反射型MIMアクティブマトリクス基
板の製造方法の第3の実施例を示す。
板の製造方法の第3の実施例を示す。
基板6上に反射性の金属膜を形成し、この反射性の金
属膜を配線電極1と反射性画素電極2の形状にパタン化
する工程と、配線電極1上及び反射性画素電極2上に絶
縁膜3を形成する工程と、この絶縁膜3及び(絶縁膜3
を介して)反射性画素電極2上に上部電極4を形成する
工程からなる。配線電極1或は反射性画素電極2と、絶
縁膜3と、上部電極4との積層された領域がMIM素子5
となる。本実施例では反射性画素電極2上に絶縁膜3が
残るため、透明性の良い絶縁膜(例えばTa2O5等)をで
き得る限り無反射コート条件に近い条件で形成する必要
がある。
属膜を配線電極1と反射性画素電極2の形状にパタン化
する工程と、配線電極1上及び反射性画素電極2上に絶
縁膜3を形成する工程と、この絶縁膜3及び(絶縁膜3
を介して)反射性画素電極2上に上部電極4を形成する
工程からなる。配線電極1或は反射性画素電極2と、絶
縁膜3と、上部電極4との積層された領域がMIM素子5
となる。本実施例では反射性画素電極2上に絶縁膜3が
残るため、透明性の良い絶縁膜(例えばTa2O5等)をで
き得る限り無反射コート条件に近い条件で形成する必要
がある。
第6図、第7図の実施例ではMIM素子5が配線電極1
と反射性画素電極2の間に2個バックトゥバックで入る
ために駆動能力(VTH)を大きくとれ、正負対称特性と
なると言う長所がある。
と反射性画素電極2の間に2個バックトゥバックで入る
ために駆動能力(VTH)を大きくとれ、正負対称特性と
なると言う長所がある。
以上の実施例で明らかな如く、本発明では2枚マスク
工程という極めて簡単な工程で、反射型MIMアクティブ
マトリクス基板を製造可能とする。この時、配線電極上
に形成される絶縁膜を、配線電極を利用して電流を供給
して陽極酸化して形成すると反射性画素電極上には絶縁
膜を形成せずに配線電極上にのみ選択的に形成できる。
また、上部電極をマスクに絶縁膜をエッチングすれば、
マスク数を増やす事なく不用な絶縁膜を除く事が可能で
ある。
工程という極めて簡単な工程で、反射型MIMアクティブ
マトリクス基板を製造可能とする。この時、配線電極上
に形成される絶縁膜を、配線電極を利用して電流を供給
して陽極酸化して形成すると反射性画素電極上には絶縁
膜を形成せずに配線電極上にのみ選択的に形成できる。
また、上部電極をマスクに絶縁膜をエッチングすれば、
マスク数を増やす事なく不用な絶縁膜を除く事が可能で
ある。
第1図(a)〜(c)は本発明の実施例における反射型
MIMアクティブマトリクス基板の製造方法を工程順に示
す断面図、第2図は本発明の実施例における反射型MIM
アクティブマトリクス基板を示す平面図、第3図は本発
明の反射型MIMアクティブマトリクス基板を用いた反射
型液晶表示素子の実施例を示す断面図、第4図(a)〜
(c)および第5図(a)〜(c)はいずれも従来例の
透過型及び反射型のMIMアクティブマトリクス基板の製
造方法を工程順に示す断面図、第6図および第7図はい
ずれも本発明の反射型MIMアクティブマトリクス基板の
製造方法の他の実施例を示す断面図である。 1……配線電極、2……反射性画素電極、 3……絶縁膜、4……上部電極、 5……MIM素子、6……基板。
MIMアクティブマトリクス基板の製造方法を工程順に示
す断面図、第2図は本発明の実施例における反射型MIM
アクティブマトリクス基板を示す平面図、第3図は本発
明の反射型MIMアクティブマトリクス基板を用いた反射
型液晶表示素子の実施例を示す断面図、第4図(a)〜
(c)および第5図(a)〜(c)はいずれも従来例の
透過型及び反射型のMIMアクティブマトリクス基板の製
造方法を工程順に示す断面図、第6図および第7図はい
ずれも本発明の反射型MIMアクティブマトリクス基板の
製造方法の他の実施例を示す断面図である。 1……配線電極、2……反射性画素電極、 3……絶縁膜、4……上部電極、 5……MIM素子、6……基板。
Claims (3)
- 【請求項1】基板上に設けられた配線電極と該配線電極
上に設けられた絶縁膜と該絶縁膜上に設けられた上部電
極とからなるMIM(金属−絶縁膜−金属)素子と反射性
画素電極を有する反射型MIMアクティブマトリクス基板
の製造方法に於て、 前記基板上に反射性の金属膜を形成する工程と、該反射
性の金属を前記配線電極と反射性画素電極の形状にパタ
ン化する工程と、前記配線電極上に前記絶縁膜を形成す
る工程と、前記絶縁膜及び反射性画素電極上に前記上部
電極を形成する工程とを少なくとも有する事を特徴とす
る反射型MIMアクティブマトリクス基板の製造方法。 - 【請求項2】請求項1記載の反射型MIMアクティブマト
リクス基板の製造方法において、配線電極上に形成する
絶縁膜は、前記配線電極を利用して電流を供給する事に
より、前記配線電極を陽極酸化して形成する事を特徴と
する反射型MIMアクティブマトリクス基板の製造方法。 - 【請求項3】請求項1記載の反射型MIMアクティブマト
リクス基板の製造方法において、上部電極は絶縁膜を介
して反射性画素電極上に形成する事を特徴とする反射型
MIMアクティブマトリクス基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18220189A JP2812720B2 (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | 反射型mimアクティブマトリクス基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18220189A JP2812720B2 (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | 反射型mimアクティブマトリクス基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0346632A JPH0346632A (ja) | 1991-02-27 |
JP2812720B2 true JP2812720B2 (ja) | 1998-10-22 |
Family
ID=16114124
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18220189A Expired - Fee Related JP2812720B2 (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | 反射型mimアクティブマトリクス基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2812720B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4248897B2 (ja) | 2002-03-29 | 2009-04-02 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
KR100961960B1 (ko) * | 2003-11-18 | 2010-06-08 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치, 박막 다이오드 표시판 및 그 제조 방법 |
-
1989
- 1989-07-14 JP JP18220189A patent/JP2812720B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0346632A (ja) | 1991-02-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |