JP2805790B2 - 光磁気記録媒体の信号検出装置 - Google Patents
光磁気記録媒体の信号検出装置Info
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- JP2805790B2 JP2805790B2 JP1512189A JP1512189A JP2805790B2 JP 2805790 B2 JP2805790 B2 JP 2805790B2 JP 1512189 A JP1512189 A JP 1512189A JP 1512189 A JP1512189 A JP 1512189A JP 2805790 B2 JP2805790 B2 JP 2805790B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光磁気記録媒体の信号を検出する装置に関
する。
する。
本発明は、光磁気記録媒体の信号を検出する装置に関
し、カー効果又はファラデ効果を有する光磁気記録媒体
に所定の直線偏光のレーザ光を照射するレーザ光源と、
上記光磁気記録媒体からの反射光又は透過光のカー効果
又はファラデ効果による偏光面の回転角を45度以下にエ
ンハンスするビームスプリッタと、上記偏光面の回転角
のエンハンス後のレーザ光を検出する光検出器とを少な
くとも有し、上記偏光面の回転角のエンハンス後のレー
ザ光に、上記レーザ光源からの上記光磁気記録媒体を介
しないレーザ光又は上記レーザ光源とは異なる他のレー
ザ光源からの上記光磁気記録媒体を介しないレーザ光を
加えて、上記光検出器で当該光磁気媒体の信号を検出す
ることによって、偏光面の回転角を、検光子である偏光
ビームスプリッタに対して最適な値である45度までエン
ハンスすることができ、またPINフォトダイオードの入
射光量をショット雑音が支配的な領域まで大きくするた
めに加算される同相成分に光磁気記録媒体の媒体雑音が
含まれていないので、C/Nを理論限界値まで高めること
ができる。また、カップリング効率も高くすることがで
きる。
し、カー効果又はファラデ効果を有する光磁気記録媒体
に所定の直線偏光のレーザ光を照射するレーザ光源と、
上記光磁気記録媒体からの反射光又は透過光のカー効果
又はファラデ効果による偏光面の回転角を45度以下にエ
ンハンスするビームスプリッタと、上記偏光面の回転角
のエンハンス後のレーザ光を検出する光検出器とを少な
くとも有し、上記偏光面の回転角のエンハンス後のレー
ザ光に、上記レーザ光源からの上記光磁気記録媒体を介
しないレーザ光又は上記レーザ光源とは異なる他のレー
ザ光源からの上記光磁気記録媒体を介しないレーザ光を
加えて、上記光検出器で当該光磁気媒体の信号を検出す
ることによって、偏光面の回転角を、検光子である偏光
ビームスプリッタに対して最適な値である45度までエン
ハンスすることができ、またPINフォトダイオードの入
射光量をショット雑音が支配的な領域まで大きくするた
めに加算される同相成分に光磁気記録媒体の媒体雑音が
含まれていないので、C/Nを理論限界値まで高めること
ができる。また、カップリング効率も高くすることがで
きる。
光磁気記録媒体、例えば光磁気ディスクの信号検出方
法は、他の光ディスク、例えば再生専用あるいは追記型
(ライト・ワンス)の光ディスクで用いられる光ディス
クの反射光の強度変化を検出する方法に対して、光磁気
ディスク上に磁化の向きとして記録されている情報を、
光と磁化の相互作用であるカー効果またはファラデ効果
による偏光面の微小な回転に変えて検出する方法であ
る。しかし、光電変換を担うPINフォトダイオード等に
は偏光に対する選択性が無いため、偏光ビームスプリッ
タ等の検光子を用いて、偏光面の回転を光の強度変化に
変換して検出する方法が用いられている。
法は、他の光ディスク、例えば再生専用あるいは追記型
(ライト・ワンス)の光ディスクで用いられる光ディス
クの反射光の強度変化を検出する方法に対して、光磁気
ディスク上に磁化の向きとして記録されている情報を、
光と磁化の相互作用であるカー効果またはファラデ効果
による偏光面の微小な回転に変えて検出する方法であ
る。しかし、光電変換を担うPINフォトダイオード等に
は偏光に対する選択性が無いため、偏光ビームスプリッ
タ等の検光子を用いて、偏光面の回転を光の強度変化に
変換して検出する方法が用いられている。
ここで、従来の光磁気ディスクの信号検出装置を第6
図を用いて説明する。この図において、レーザ光源51の
レーザ光はP偏光成分(P波)のレーザ光とする。この
レーザ光はビームスプリッタ52を介して光磁気ディスク
10に照射される。該光磁気ディスクの反射光はビームス
プリッタ52に再び入射され、該ビームスプリッタ52で反
射された後、1/2波長板53で偏光面が45度回転され、偏
光ビームスプリッタ54で互いに直交する偏光面を持つ偏
光成分に分離される。この偏光ビームスプリッタ54で反
射される第1の偏光成分は、PINフォトダイオードで構
成される光検出器55に入射される。一方偏光ビームスプ
リッタ54を透過した第2の偏光成分は、PINフォトダイ
オードで構成される光検出器56に入射される。上記光検
出器55及び光検出器56の出力信号はそれぞれ差動増幅器
57に入力され、該差動増幅器57によって、同相成分が除
去される。すなわち、所謂光学的差動方法によって同相
成分が除去され、光磁気ディスクの信号(光磁気信号)
のみが検出される。
図を用いて説明する。この図において、レーザ光源51の
レーザ光はP偏光成分(P波)のレーザ光とする。この
レーザ光はビームスプリッタ52を介して光磁気ディスク
10に照射される。該光磁気ディスクの反射光はビームス
プリッタ52に再び入射され、該ビームスプリッタ52で反
射された後、1/2波長板53で偏光面が45度回転され、偏
光ビームスプリッタ54で互いに直交する偏光面を持つ偏
光成分に分離される。この偏光ビームスプリッタ54で反
射される第1の偏光成分は、PINフォトダイオードで構
成される光検出器55に入射される。一方偏光ビームスプ
リッタ54を透過した第2の偏光成分は、PINフォトダイ
オードで構成される光検出器56に入射される。上記光検
出器55及び光検出器56の出力信号はそれぞれ差動増幅器
57に入力され、該差動増幅器57によって、同相成分が除
去される。すなわち、所謂光学的差動方法によって同相
成分が除去され、光磁気ディスクの信号(光磁気信号)
のみが検出される。
第7図に上記光磁気ディスク10の反射光の偏光成分を
示す。この図において、光磁気ディスクに入射されるレ
ーザ光のP偏光方向を縦軸(P波軸)とする。この場
合、該光磁気ディスクで反射される反射光は、光磁気デ
ィスクの磁化の向きに応じてそれぞれIo +及びIo -で表さ
れる。P波軸と反射光Io +のなす角度をθk、P波軸と
反射光Io -のなす角度を−θkとし、反射光IoのS偏光
成分(S波成分)及びP偏光成分(P波成分)をそれぞ
れIs及びIPとする。このIsが上記光磁気信号であり、IP
が上述の同相成分である。また、該θkが上述のカー効
果による偏光面の回転角(カー回転角)である。なお、
現状の光磁気ディスクのカー回転角θkは0.9゜程度で
ある。このようにカー回転角θkが微小な角度であるた
め、通常は第6図中のビームスプリッタ52に偏光選択性
をもたせ、1/2波長板53の入射光の偏光面変調度を高め
る所謂カー回転角のエンハンスが行われている。この原
理を、第8図を用いて説明する。
示す。この図において、光磁気ディスクに入射されるレ
ーザ光のP偏光方向を縦軸(P波軸)とする。この場
合、該光磁気ディスクで反射される反射光は、光磁気デ
ィスクの磁化の向きに応じてそれぞれIo +及びIo -で表さ
れる。P波軸と反射光Io +のなす角度をθk、P波軸と
反射光Io -のなす角度を−θkとし、反射光IoのS偏光
成分(S波成分)及びP偏光成分(P波成分)をそれぞ
れIs及びIPとする。このIsが上記光磁気信号であり、IP
が上述の同相成分である。また、該θkが上述のカー効
果による偏光面の回転角(カー回転角)である。なお、
現状の光磁気ディスクのカー回転角θkは0.9゜程度で
ある。このようにカー回転角θkが微小な角度であるた
め、通常は第6図中のビームスプリッタ52に偏光選択性
をもたせ、1/2波長板53の入射光の偏光面変調度を高め
る所謂カー回転角のエンハンスが行われている。この原
理を、第8図を用いて説明する。
上記偏光選択性のあるビームスプリッタ(第6図中の
52)のP波に対する透過率TPを80%、反射率RPを20%と
し、S波に対する透過率TSを0%、反射率RSを100%、
光磁気ディスクの反射率RMを18%、光磁気ディスク上で
起こるカー回転角θkを1度すると、 エンハンス後のカー回転角θk′は、 θk′=tan-1(Is/IP′) =tan-1(Is/(IP×RP)) =tan-1(tanθk/RP) ……(1) で表される。この第(1)式に上記数値を代入し、エン
ハンス後のカー回転角θk′を求めると6.65度となり、
上記の1/2波長板53の入射光のカー回転角を1度から6.6
5度にエンハンスすることができる。
52)のP波に対する透過率TPを80%、反射率RPを20%と
し、S波に対する透過率TSを0%、反射率RSを100%、
光磁気ディスクの反射率RMを18%、光磁気ディスク上で
起こるカー回転角θkを1度すると、 エンハンス後のカー回転角θk′は、 θk′=tan-1(Is/IP′) =tan-1(Is/(IP×RP)) =tan-1(tanθk/RP) ……(1) で表される。この第(1)式に上記数値を代入し、エン
ハンス後のカー回転角θk′を求めると6.65度となり、
上記の1/2波長板53の入射光のカー回転角を1度から6.6
5度にエンハンスすることができる。
さらに、光磁気ディスクに入射される光量を1.5mWと
すると、この時の1個の光検出器のPINフォトダイオー
ドの入射光量Pwは、 Pw=(1.5×RM×RP)/2 ……(2) で表される。この第(2)式に上記数値を代入し、PIN
フォトダイオードの入射光量Pwを求めると27μWとな
る。また、レーザ光源から放射される全光量に対し、実
際に光磁気ディスクの信号検出のために使用される光量
の比、所謂カップリング効率は、上記反射率TPと等しく
80%となる。
すると、この時の1個の光検出器のPINフォトダイオー
ドの入射光量Pwは、 Pw=(1.5×RM×RP)/2 ……(2) で表される。この第(2)式に上記数値を代入し、PIN
フォトダイオードの入射光量Pwを求めると27μWとな
る。また、レーザ光源から放射される全光量に対し、実
際に光磁気ディスクの信号検出のために使用される光量
の比、所謂カップリング効率は、上記反射率TPと等しく
80%となる。
上記の第(1)式で示すように反射率Rpを小さくする
ことによって、カー回転角θk′をいくらでも大きくす
ることができるが、反射率Rpをあまり小さくすると上記
光検出器55、56のPINフォトダイオードの入射光量Pwが
第(2)式で示すように減少する。このため、キャリア
信号のレベルが低くなり、PINフォトダイオード自体で
発生する熱雑音が支配的になり、実用に適した後述のC/
Nを得ることができなくなる。すなわち、上記反射率Rp
には、カー回転角と光検出器のPINフォトダイオードの
入射光量の関係で、ある最適値が存在し、任意に反射率
Rpを設定することができない。
ことによって、カー回転角θk′をいくらでも大きくす
ることができるが、反射率Rpをあまり小さくすると上記
光検出器55、56のPINフォトダイオードの入射光量Pwが
第(2)式で示すように減少する。このため、キャリア
信号のレベルが低くなり、PINフォトダイオード自体で
発生する熱雑音が支配的になり、実用に適した後述のC/
Nを得ることができなくなる。すなわち、上記反射率Rp
には、カー回転角と光検出器のPINフォトダイオードの
入射光量の関係で、ある最適値が存在し、任意に反射率
Rpを設定することができない。
なお、上記反射率Rpを上記説明より小さく設定し、カ
ー回転角のエンハンスを大きくした場合、このような検
出系では、上記PINフォトダイオードの代わりにAPD(ア
バランシェ・フォト・ダイオード)を用いる方法もあ
る。しかし、該APDのバイアス電圧は100V以上であるた
め、一般にあまり使用されないものである。
ー回転角のエンハンスを大きくした場合、このような検
出系では、上記PINフォトダイオードの代わりにAPD(ア
バランシェ・フォト・ダイオード)を用いる方法もあ
る。しかし、該APDのバイアス電圧は100V以上であるた
め、一般にあまり使用されないものである。
次に、光磁気信号の検出性能を評価する一手段とし
て、C/N(キャリア・ツウ・ノイズ・レシオ)がある。
この場合の雑音の要因としては、レーザダイオードの雑
音、レーザ光が光磁気ディスクで反射される時に、表面
の微細な凹凸や記録媒体の特性の揺らぎによって発生す
る媒体雑音、PINフォトダイオードの熱雑音及びPINフォ
トダイオードのショット雑音がある。これらの雑音が総
合されたものがC/Nにおける雑音(N)となる。上記レ
ーザダイオードの雑音は、レーザダイオードのS/N(シ
グナル・ツウ・ノイズ・レシオ)が70〜80dB以上であ
り、上記のC/Nに対して問題とならないレベルである。P
INフォトダイオードの熱雑音は常にあるレベル存在し、
常温でこれを取り除くことはできないものである。媒体
雑音は、上述の光学的差動方法に対しては同相成分の雑
音であり、ある程度除去可能である。これらの関係を第
3図に示す。
て、C/N(キャリア・ツウ・ノイズ・レシオ)がある。
この場合の雑音の要因としては、レーザダイオードの雑
音、レーザ光が光磁気ディスクで反射される時に、表面
の微細な凹凸や記録媒体の特性の揺らぎによって発生す
る媒体雑音、PINフォトダイオードの熱雑音及びPINフォ
トダイオードのショット雑音がある。これらの雑音が総
合されたものがC/Nにおける雑音(N)となる。上記レ
ーザダイオードの雑音は、レーザダイオードのS/N(シ
グナル・ツウ・ノイズ・レシオ)が70〜80dB以上であ
り、上記のC/Nに対して問題とならないレベルである。P
INフォトダイオードの熱雑音は常にあるレベル存在し、
常温でこれを取り除くことはできないものである。媒体
雑音は、上述の光学的差動方法に対しては同相成分の雑
音であり、ある程度除去可能である。これらの関係を第
3図に示す。
この図において、横軸はPINフォトダイオード入力光
量、縦軸は該PINフォトダイオードの出力電力である。
熱雑音N1は入射光量に関係なくほぼ一定の値を示す。シ
ョット雑音N2は光が電気に変換される時に生じる雑音で
入射光量の平方根に比例する。媒体雑音N3及びレーザ雑
音N4は入射光量の増加に従って増加するが、レーザ雑音
N4のレベルの方が小さい。キャリア信号Cも入射光量が
増えるに従って増加するが、入力光量があるレベルを越
えた場合には、減少する。これは、光磁気ディスクに照
射される光量が大きく成り過ぎて、レーザ光が照射され
た部分の温度が上昇し、カー回転角θkが減少するため
である。したがって、C/Nの値は図に示すCNR1、CNR2、C
NR3と入射光量の増加に従って増加し、ショット雑音が
支配的な入射光量の範囲になると一定値CNR4となる。
量、縦軸は該PINフォトダイオードの出力電力である。
熱雑音N1は入射光量に関係なくほぼ一定の値を示す。シ
ョット雑音N2は光が電気に変換される時に生じる雑音で
入射光量の平方根に比例する。媒体雑音N3及びレーザ雑
音N4は入射光量の増加に従って増加するが、レーザ雑音
N4のレベルの方が小さい。キャリア信号Cも入射光量が
増えるに従って増加するが、入力光量があるレベルを越
えた場合には、減少する。これは、光磁気ディスクに照
射される光量が大きく成り過ぎて、レーザ光が照射され
た部分の温度が上昇し、カー回転角θkが減少するため
である。したがって、C/Nの値は図に示すCNR1、CNR2、C
NR3と入射光量の増加に従って増加し、ショット雑音が
支配的な入射光量の範囲になると一定値CNR4となる。
上述したように、従来の装置では、カップリング効率
が80%と低く、レーザ光源のレーザ光の20%が無駄にな
っている。また従来は、光検出器に入射される光量を、
PINフォトダイオードのショット雑音が支配的な領域ま
で大きくするために、光磁気ディスクからの反射光のP
波の一部(同相成分)を光磁気ディスクの信号成分であ
るS波に加え、光学的差動方法によって、この同相成分
を除去し、光磁気信号を検出する方法が用いられてい
る。しかし、同相成分であるP波には上述の媒体雑音が
含まれており、光学的差動方法を用いても該媒体雑音を
完全に除去することができなかった。また、カー回転角
のエンハンスも、上記反射率RPをあまり小さくすること
ができず、例えば6.65度程度にしかできなかった。
が80%と低く、レーザ光源のレーザ光の20%が無駄にな
っている。また従来は、光検出器に入射される光量を、
PINフォトダイオードのショット雑音が支配的な領域ま
で大きくするために、光磁気ディスクからの反射光のP
波の一部(同相成分)を光磁気ディスクの信号成分であ
るS波に加え、光学的差動方法によって、この同相成分
を除去し、光磁気信号を検出する方法が用いられてい
る。しかし、同相成分であるP波には上述の媒体雑音が
含まれており、光学的差動方法を用いても該媒体雑音を
完全に除去することができなかった。また、カー回転角
のエンハンスも、上記反射率RPをあまり小さくすること
ができず、例えば6.65度程度にしかできなかった。
そこで、本発明は、上記の如き従来の実情に鑑み、カ
ップリング効率が高く、カー回転角のエンハンスが大き
く、かつC/Nが高い光磁気記録媒体の信号検出装置の提
供を目的とする。
ップリング効率が高く、カー回転角のエンハンスが大き
く、かつC/Nが高い光磁気記録媒体の信号検出装置の提
供を目的とする。
本発明は、カー効果又はファラデ効果を有する光磁気
記録媒体に所定の直線偏光のレーザ光を照射するレーザ
光源と、上記光磁気記録媒体からの反射光又は透過光の
カー効果又はファラデ効果による偏光面の回転角を45度
以下にエンハンスするビームスプリッタと、上記偏光面
の回転角のエンハンス後のレーザ光を検出する光検出器
とを少なくとも有し、上記偏光面の回転角のエンハンス
後のレーザ光に、上記レーザ光源からの上記光磁気記録
媒体を介しないレーザ光又は上記レーザ光源とは異なる
他のレーザ光源からの上記光磁気記録媒体を介しないレ
ーザ光を加えて、上記光検出器で当該光磁気媒体の信号
を検出することを特徴としている。
記録媒体に所定の直線偏光のレーザ光を照射するレーザ
光源と、上記光磁気記録媒体からの反射光又は透過光の
カー効果又はファラデ効果による偏光面の回転角を45度
以下にエンハンスするビームスプリッタと、上記偏光面
の回転角のエンハンス後のレーザ光を検出する光検出器
とを少なくとも有し、上記偏光面の回転角のエンハンス
後のレーザ光に、上記レーザ光源からの上記光磁気記録
媒体を介しないレーザ光又は上記レーザ光源とは異なる
他のレーザ光源からの上記光磁気記録媒体を介しないレ
ーザ光を加えて、上記光検出器で当該光磁気媒体の信号
を検出することを特徴としている。
本発明によれば、偏光面の回転角を、検光子である偏
光ビームスプリッタに対して最適な値である45度までエ
ンハンスすることができ、またPINフォトダイオードの
入射光量をショット雑音が支配的な領域まで大きくする
ために加算される同相成分に光磁気記録媒体の媒体雑音
が含まれていないので、C/Nを理論限界値まで高めるこ
とができる。また、カップリング効率も高くすることが
できる。
光ビームスプリッタに対して最適な値である45度までエ
ンハンスすることができ、またPINフォトダイオードの
入射光量をショット雑音が支配的な領域まで大きくする
ために加算される同相成分に光磁気記録媒体の媒体雑音
が含まれていないので、C/Nを理論限界値まで高めるこ
とができる。また、カップリング効率も高くすることが
できる。
以下、本発明に係る光磁気記録媒体の信号検出装置の
実施例について図面を参照しながら説明する。
実施例について図面を参照しながら説明する。
実施例1 第1図は光磁気記録媒体、例えば光磁気ディスクの信
号検出装置に用いられる第1の実施例の光学系の構成図
である。なお、該第1図には、説明を簡単にするために
コリメータレンズ、対物レンズ等のレンズ類の記載は省
略してある。
号検出装置に用いられる第1の実施例の光学系の構成図
である。なお、該第1図には、説明を簡単にするために
コリメータレンズ、対物レンズ等のレンズ類の記載は省
略してある。
この図において、レーザ光源11のレーザ光はP波のレ
ーザ光とする。このレーザ光源11からのレーザ光は、ミ
ラー面12aを有し偏光選択性を持つビームスプリッタ12
を介して、光磁気ディスク10に照射される。ここで例え
ば、このビームスプリッタ12のP波に対する透過率TPを
98%、反射率RPを2%とし、S波に対する透過率TSを0
%、反射率RSを100%とする。この場合、光磁気ディス
ク10に照射される光量はレーザ光源11の全光量の98%と
なる。一方、レーザ光の2%(ゲタ同相成分IL)は界面
12bで反射され、上記のミラー面12aで再び反射される。
次に、該光磁気ディスク10で反射されたレーザ光は再び
上記ビームスプリッタ12に入射され、上記ビームスプリ
ッタ12の界面12bで光磁気信号ISの100%が、光磁気ディ
スクの反射光のP波成分IPの2%(同相成分IP′)が反
射されると共に、上記ミラー面12aで反射されたゲタ同
相成分ILと加算される。この加算されたレーザ光は1/2
波長板13で偏光面が45度回転され、偏光ビームスプリッ
タ14に入射される。該偏光ビームスプリッタ14におい
て、互いに直交する偏光面を持つ偏光成分に分離され
る。この偏光ビームスプリッタ14で反射される第1の偏
光面を持つ偏光成分は、例えばPINフォトダイオードで
構成される光検出器15に入射される。一方、偏光ビーム
スプリッタ14を透過した第2の偏光面を持つ偏光成分
は、例えば同じくPINフォトダイオードで構成される光
検出器16に入射される。上記光検出器15及び16の出力信
号はそれぞれ差動増幅器17の入力端子に入力され、所謂
差動検出法によって、上記ゲタ同相成分IL及び同相成分
IP′が除去され、光磁気信号のみが検出される。
ーザ光とする。このレーザ光源11からのレーザ光は、ミ
ラー面12aを有し偏光選択性を持つビームスプリッタ12
を介して、光磁気ディスク10に照射される。ここで例え
ば、このビームスプリッタ12のP波に対する透過率TPを
98%、反射率RPを2%とし、S波に対する透過率TSを0
%、反射率RSを100%とする。この場合、光磁気ディス
ク10に照射される光量はレーザ光源11の全光量の98%と
なる。一方、レーザ光の2%(ゲタ同相成分IL)は界面
12bで反射され、上記のミラー面12aで再び反射される。
次に、該光磁気ディスク10で反射されたレーザ光は再び
上記ビームスプリッタ12に入射され、上記ビームスプリ
ッタ12の界面12bで光磁気信号ISの100%が、光磁気ディ
スクの反射光のP波成分IPの2%(同相成分IP′)が反
射されると共に、上記ミラー面12aで反射されたゲタ同
相成分ILと加算される。この加算されたレーザ光は1/2
波長板13で偏光面が45度回転され、偏光ビームスプリッ
タ14に入射される。該偏光ビームスプリッタ14におい
て、互いに直交する偏光面を持つ偏光成分に分離され
る。この偏光ビームスプリッタ14で反射される第1の偏
光面を持つ偏光成分は、例えばPINフォトダイオードで
構成される光検出器15に入射される。一方、偏光ビーム
スプリッタ14を透過した第2の偏光面を持つ偏光成分
は、例えば同じくPINフォトダイオードで構成される光
検出器16に入射される。上記光検出器15及び16の出力信
号はそれぞれ差動増幅器17の入力端子に入力され、所謂
差動検出法によって、上記ゲタ同相成分IL及び同相成分
IP′が除去され、光磁気信号のみが検出される。
すなわち、光検出器の入射光量を、PINフォトダイオ
ードのショット雑音が支配的な領域まで大きくするため
に、加算されるレーザ光として、光磁気ディスク10の反
射光を用いず、レーザ光源11からのレーザ光の一部(ゲ
タ同相成分IL)を用いるのである。換言すると媒体雑音
が含まれていないレーザ光を用いるのである。
ードのショット雑音が支配的な領域まで大きくするため
に、加算されるレーザ光として、光磁気ディスク10の反
射光を用いず、レーザ光源11からのレーザ光の一部(ゲ
タ同相成分IL)を用いるのである。換言すると媒体雑音
が含まれていないレーザ光を用いるのである。
次に、カー回転角のエンハンス及び上記光検出器の入
射光量について、第2図を用いて説明する。この図にお
いて、光磁気ディスクに入射されるレーザ光のP偏光方
向を縦軸(P波軸)とする。この場合、光磁気ディスク
での反射光を上記第1図中の偏光選択性のあるビームス
プリッタ12を介して得られるレーザ光は、光磁気ディス
クの磁化の向きに応じてそれぞれIo +及びIo -で表れる。
P波軸と反射光Io +のなす角度をθk′、P波軸と反射
光Io -のなす角度を−θk′とし、反射光IoのS偏光成
分(S波成分)及びP偏光成分(P波成分)をそれぞれ
Is及びIP′とする。このIsが上記光磁気信号であり、
IP′が上述の同相成分である。またILは、上記第1図中
のレーザ光源11からのレーザ光の一部が上記ビームスプ
リッタ12のミラー面12aで反射された後、光磁気信号に
加算されるゲタ同相成分である。ここで更に、例えば光
磁気ディスクの反射率RMを18%、光磁気ディスクに入射
される光量を1.5mW、光磁気ディスク上でのカー回転角
θkを1度すると、エンハンス後のカー回転角θk′
は、 θk′=tan-1(Is/IP′) =tan-1(Is/(IP×RP)) =tan-1(tanθk/RP) ……(3) で表される。この第(3)式に上記の数値を代入し、エ
ンハンス後のカー回転角θk′を求めると41.2度とな
り、カー回転角を1度から41.2度にエンハンスすること
ができ、従来の技術と比較して大きなエンハンスができ
る。ところで上記の説明では、エンハンス後のカー回転
角θk′は41.2度であるが、このカー回転角θk′が最
大45度になるように、上記ビームスプリッタ12の反射率
RPを設定することも可能である。なお、複屈折があり、
複屈折をバイアスと考えたときのカー回転角θkの値が
3度程度となる場合には、エンハンス後のカー回転角θ
k′が最大45度になるように、上記反射率RPの値を例え
ば5〜6%に設定することもできる。
射光量について、第2図を用いて説明する。この図にお
いて、光磁気ディスクに入射されるレーザ光のP偏光方
向を縦軸(P波軸)とする。この場合、光磁気ディスク
での反射光を上記第1図中の偏光選択性のあるビームス
プリッタ12を介して得られるレーザ光は、光磁気ディス
クの磁化の向きに応じてそれぞれIo +及びIo -で表れる。
P波軸と反射光Io +のなす角度をθk′、P波軸と反射
光Io -のなす角度を−θk′とし、反射光IoのS偏光成
分(S波成分)及びP偏光成分(P波成分)をそれぞれ
Is及びIP′とする。このIsが上記光磁気信号であり、
IP′が上述の同相成分である。またILは、上記第1図中
のレーザ光源11からのレーザ光の一部が上記ビームスプ
リッタ12のミラー面12aで反射された後、光磁気信号に
加算されるゲタ同相成分である。ここで更に、例えば光
磁気ディスクの反射率RMを18%、光磁気ディスクに入射
される光量を1.5mW、光磁気ディスク上でのカー回転角
θkを1度すると、エンハンス後のカー回転角θk′
は、 θk′=tan-1(Is/IP′) =tan-1(Is/(IP×RP)) =tan-1(tanθk/RP) ……(3) で表される。この第(3)式に上記の数値を代入し、エ
ンハンス後のカー回転角θk′を求めると41.2度とな
り、カー回転角を1度から41.2度にエンハンスすること
ができ、従来の技術と比較して大きなエンハンスができ
る。ところで上記の説明では、エンハンス後のカー回転
角θk′は41.2度であるが、このカー回転角θk′が最
大45度になるように、上記ビームスプリッタ12の反射率
RPを設定することも可能である。なお、複屈折があり、
複屈折をバイアスと考えたときのカー回転角θkの値が
3度程度となる場合には、エンハンス後のカー回転角θ
k′が最大45度になるように、上記反射率RPの値を例え
ば5〜6%に設定することもできる。
次に、光磁気ディスクに入射される光量を1.5mWとす
る。この場合の1個の光検出器のPINフォトダイオード
に入射される光量Pwは、上記ゲタ同相成分ILと光磁気デ
ィスクの反射光をビームスプリッタ12を介して得られる
レーザ光Ioとの和の二分の一である。ところで、レーザ
光源のパワーは15/0.98=1.531(mW)である。したがっ
て、上記光量Pwは、 PW=(IL+Io)/2 =(1.531×RP×TP+1.5×RM×RP)/2 で表される。この数式に上記の数値を代入し、PINフォ
トダイオードの入射光量Pwを求めると17.7μWとなる。
したがって、PINフォトダイオードの入射光量Pwを、該P
INフォトダイオードのショット雑音が支配的な領域ま
で、十分大きくすることができる。
る。この場合の1個の光検出器のPINフォトダイオード
に入射される光量Pwは、上記ゲタ同相成分ILと光磁気デ
ィスクの反射光をビームスプリッタ12を介して得られる
レーザ光Ioとの和の二分の一である。ところで、レーザ
光源のパワーは15/0.98=1.531(mW)である。したがっ
て、上記光量Pwは、 PW=(IL+Io)/2 =(1.531×RP×TP+1.5×RM×RP)/2 で表される。この数式に上記の数値を代入し、PINフォ
トダイオードの入射光量Pwを求めると17.7μWとなる。
したがって、PINフォトダイオードの入射光量Pwを、該P
INフォトダイオードのショット雑音が支配的な領域ま
で、十分大きくすることができる。
次に、本実施例の場合のC/Nの説明を第3図を用いて
説明する。第3図において、上記の媒体雑音N3はレーザ
光が光磁気ディスクで反射される時に、表面の微細な凹
凸や記録媒体の特性の揺らぎによって発生する雑音であ
るが、本発明の場合、PINフォトダイオードに入射させ
るゲタ同相成分として、媒体雑音を含まないレーザ光を
入射させるので、同相成分の雑音はレーザー雑音N4のレ
ベルまで低減でき、当該検出系のC/Nを第3図に示す理
論限界値CNR5まで高めることが出来る。
説明する。第3図において、上記の媒体雑音N3はレーザ
光が光磁気ディスクで反射される時に、表面の微細な凹
凸や記録媒体の特性の揺らぎによって発生する雑音であ
るが、本発明の場合、PINフォトダイオードに入射させ
るゲタ同相成分として、媒体雑音を含まないレーザ光を
入射させるので、同相成分の雑音はレーザー雑音N4のレ
ベルまで低減でき、当該検出系のC/Nを第3図に示す理
論限界値CNR5まで高めることが出来る。
また、レーザダイオードから放射される全光量に対
し、実際に光磁気ディスクの信号検出のために使用され
る光量の比、所謂カップリング効率は、上記透過率TPと
等しく98%となり、高いカップリング効率を得ることが
できる。
し、実際に光磁気ディスクの信号検出のために使用され
る光量の比、所謂カップリング効率は、上記透過率TPと
等しく98%となり、高いカップリング効率を得ることが
できる。
なお、光検出器15、16において、光磁気ディスクの反
射光と上記ビームスプリッタ12のミラー面12aで反射さ
れたレーザ光とが干渉し、所謂スペックル・ノイズが発
生する場合には、該ミラー面12aをランダム・フェーズ
・シフタで構成し、上記干渉を抑えることができる。ま
た、上記ミラー面12aの反射率を、例えば50〜70%と
し、所謂F−APC(フロント・オートマチック・パワー
・コントロール)を構成してもよい。
射光と上記ビームスプリッタ12のミラー面12aで反射さ
れたレーザ光とが干渉し、所謂スペックル・ノイズが発
生する場合には、該ミラー面12aをランダム・フェーズ
・シフタで構成し、上記干渉を抑えることができる。ま
た、上記ミラー面12aの反射率を、例えば50〜70%と
し、所謂F−APC(フロント・オートマチック・パワー
・コントロール)を構成してもよい。
また、上記光検出器15、16で検出される信号の和は、
光磁気ディスクのアドレス信号であり、この和信号から
所謂サーボ信号を得ることもできる。またサーボ信号検
出を別光路としても高いカップリング効率を得ることが
できる。
光磁気ディスクのアドレス信号であり、この和信号から
所謂サーボ信号を得ることもできる。またサーボ信号検
出を別光路としても高いカップリング効率を得ることが
できる。
実施例2 第4図は本発明に係る第2の実施例であり、光磁気記
録媒体、例えば光磁気ディスクの信号検出装置の光学系
の構成図である。
録媒体、例えば光磁気ディスクの信号検出装置の光学系
の構成図である。
この図において、レーザ光源21のレーザ光はS波のレ
ーザ光とする。このレーザ光源21からのレーザ光は、コ
リメータレンズ22を介して、1つの全反射ミラー面23b
を有し偏光選択性を持つビームスプリッタ23に入力され
る。ここで例えば、このビームスプリッタ23のP波に対
する透過率TPを100%、反射率RPを0%とし、S波に対
する透過率TSを2%、反射率RSを98%とする。この場
合、上記レーザ光源21からのレーザ光の98%はこのビー
ムスプリッタ23で反射され光磁気ディスク10に照射され
る。一方、残りの2%のレーザ光(ゲタ同相成分IL)は
ビームスプリッタ23を透過し、1/4波長板32に入射され
る。
ーザ光とする。このレーザ光源21からのレーザ光は、コ
リメータレンズ22を介して、1つの全反射ミラー面23b
を有し偏光選択性を持つビームスプリッタ23に入力され
る。ここで例えば、このビームスプリッタ23のP波に対
する透過率TPを100%、反射率RPを0%とし、S波に対
する透過率TSを2%、反射率RSを98%とする。この場
合、上記レーザ光源21からのレーザ光の98%はこのビー
ムスプリッタ23で反射され光磁気ディスク10に照射され
る。一方、残りの2%のレーザ光(ゲタ同相成分IL)は
ビームスプリッタ23を透過し、1/4波長板32に入射され
る。
次に、上記光磁気ディスク10に入射したレーザ光はこ
の光磁気ディスク10によって反射され、再びビームスプ
リッタ23に入射され、このビームスプリッタ23の界面23
aにおいて、光磁気信号成分IPの100%と光磁気ディスク
の反射光のS波成分ISの2%(同相成分IS′)が透過さ
れる。この透過したレーザ光は、ビームスプリッタ23の
全反射ミラー面23bで反射され、1/2波長板24に入射され
る。この1/2波長板24に入射されたレーザ光は偏光面が4
5度回転され、偏光ビームスプリッタ25に入射される。
この偏光ビームスプリッタ25は1つの全反射ミラー面25
cと2つの界面25a、25bを有し、例えば第一の界面25a
は、P波に対する透過率TPが100%、反射率RPが0%と
し、S波に対する透過率TSが0%、反射率RSが100%と
する。また、第2の界面25bは、P波に対する透過率TP
が0%、反射率RPが100%とし、S波に対する透過率TS
が100%、反射率RSが0%とする。
の光磁気ディスク10によって反射され、再びビームスプ
リッタ23に入射され、このビームスプリッタ23の界面23
aにおいて、光磁気信号成分IPの100%と光磁気ディスク
の反射光のS波成分ISの2%(同相成分IS′)が透過さ
れる。この透過したレーザ光は、ビームスプリッタ23の
全反射ミラー面23bで反射され、1/2波長板24に入射され
る。この1/2波長板24に入射されたレーザ光は偏光面が4
5度回転され、偏光ビームスプリッタ25に入射される。
この偏光ビームスプリッタ25は1つの全反射ミラー面25
cと2つの界面25a、25bを有し、例えば第一の界面25a
は、P波に対する透過率TPが100%、反射率RPが0%と
し、S波に対する透過率TSが0%、反射率RSが100%と
する。また、第2の界面25bは、P波に対する透過率TP
が0%、反射率RPが100%とし、S波に対する透過率TS
が100%、反射率RSが0%とする。
この場合、上記1/2波長板24を介して偏光ビームスプ
リッタ25に入射されたレーザ光は、該偏光ビームスプリ
ッタ25によって、互いに直交する偏光面を持つ偏光成分
に分離される。すなわち、第1の偏光成分は界面25aで
反射され、収束レンズ26及びシリンドリカルレンズ27を
介して、例えばPINフォトダイオードで構成される光検
出器28に入射される。第2の偏光面を持つ偏光成分は界
面25aを通過した後、界面25bで反射され、収束レンズ29
及びシリンドリカルレンズ30を介して、例えば同じくPI
Nフォトダイオードで構成される光検出器31に入射され
る。
リッタ25に入射されたレーザ光は、該偏光ビームスプリ
ッタ25によって、互いに直交する偏光面を持つ偏光成分
に分離される。すなわち、第1の偏光成分は界面25aで
反射され、収束レンズ26及びシリンドリカルレンズ27を
介して、例えばPINフォトダイオードで構成される光検
出器28に入射される。第2の偏光面を持つ偏光成分は界
面25aを通過した後、界面25bで反射され、収束レンズ29
及びシリンドリカルレンズ30を介して、例えば同じくPI
Nフォトダイオードで構成される光検出器31に入射され
る。
一方、レーザ光源21からコリメータレンズ22を介し、
ビームスプリッタ23を直接透過して、上記1/4波長板32
に入射したレーザ光は、該1/4波長板32において円偏光
とされた後、上記偏光ビームスプリッタ25に入射され
る。この偏光ビームスプリッタ25の界面25bにおいて、
上記円偏光であるレーザ光の1/2の光量のP波(ゲタ同
相成分ILP)が反射され、上記収束レンズ26及びシリン
ドリカルレンズ27を介して、上記光検出器28に入射され
る。一方円偏光のレーザ光の残りの1/2の光量のS波
(ゲタ同相成分ILS)は界面25bを透過し、該偏光ビーム
スプリッタ25の全反射ミラー面25cで反射された後、上
記収束レンズ29及びシリンドリカルレンズ30を介して、
上記光検出器31に入射される。すなわち、光検出器28に
入射されるレーザ光としては、S波に変換された光磁気
信号と上記ゲタ同相成分ILP(P波)であり、光検出器3
1に入射されるレーザ光としては、P波に変換された光
磁気信号と上記ゲタ同相成分ILS(S波)である。ま
た、光検出器28、31に入射される光磁気信号成分とゲタ
同相成分は互いに偏光面が90度ずれており、干渉しな
い。このように、上記光磁気ディスク10を介しないレー
ザ光源の一部のレーザ光を上記光磁気信号に加算して入
射させ、光検出器のPINフォトダイオードに入射する光
量を、PINフォトダイオードのショット雑音が支配的な
領域まで大きくし、該領域で光電変換を行わせるように
したものである。
ビームスプリッタ23を直接透過して、上記1/4波長板32
に入射したレーザ光は、該1/4波長板32において円偏光
とされた後、上記偏光ビームスプリッタ25に入射され
る。この偏光ビームスプリッタ25の界面25bにおいて、
上記円偏光であるレーザ光の1/2の光量のP波(ゲタ同
相成分ILP)が反射され、上記収束レンズ26及びシリン
ドリカルレンズ27を介して、上記光検出器28に入射され
る。一方円偏光のレーザ光の残りの1/2の光量のS波
(ゲタ同相成分ILS)は界面25bを透過し、該偏光ビーム
スプリッタ25の全反射ミラー面25cで反射された後、上
記収束レンズ29及びシリンドリカルレンズ30を介して、
上記光検出器31に入射される。すなわち、光検出器28に
入射されるレーザ光としては、S波に変換された光磁気
信号と上記ゲタ同相成分ILP(P波)であり、光検出器3
1に入射されるレーザ光としては、P波に変換された光
磁気信号と上記ゲタ同相成分ILS(S波)である。ま
た、光検出器28、31に入射される光磁気信号成分とゲタ
同相成分は互いに偏光面が90度ずれており、干渉しな
い。このように、上記光磁気ディスク10を介しないレー
ザ光源の一部のレーザ光を上記光磁気信号に加算して入
射させ、光検出器のPINフォトダイオードに入射する光
量を、PINフォトダイオードのショット雑音が支配的な
領域まで大きくし、該領域で光電変換を行わせるように
したものである。
次に、光検出器28及び31の出力信号はそれぞれ差動増
幅器32の入力端子に入力され、所謂差動検出法によっ
て、上記ゲタ同相成分が除去され、光磁気信号成分のみ
が検出される。
幅器32の入力端子に入力され、所謂差動検出法によっ
て、上記ゲタ同相成分が除去され、光磁気信号成分のみ
が検出される。
すなわち、光検出器の入射光量を増加させ、PINフォ
トダイオードのショット雑音が支配的な領域で光電変換
を行うようにするとともに、このために加算されるレー
ザ光(ゲタ同相成分)として、光磁気ディスクの反射光
を用いず、レーザ光源からのレーザ光の一部を用いるの
である。換言すると媒体雑音が含まれていないレーザ光
を用いるのである。この結果、第1の実施例と同様に、
当該検出系のC/Nを第3図に示す理論限界値CNR5まで高
めることができる。また、この場合のビームスプリッタ
23で作用するエンハンス後のカー回転角は第1の実施例
と同様に、41.2度となり、従来の技術と比較して高いエ
ンハンスをすることができる。なお、このカー回転角を
最大45度までエンハンスするように上記ビームスプリッ
タ23の反射率RSを設定することも可能である。また、複
屈折があり、カー回転角θkの値が3度程度となる場合
には、エンハンス後のカー回転角θk′が最大45度にな
るように、上記反射率RPの値を例えば5〜6%に設定す
ることもできる。また、本光学系のカップリング効率も
98%と高くすることができる。なお、本光学系では、1/
4波長板32は1/2波長板でもよい。
トダイオードのショット雑音が支配的な領域で光電変換
を行うようにするとともに、このために加算されるレー
ザ光(ゲタ同相成分)として、光磁気ディスクの反射光
を用いず、レーザ光源からのレーザ光の一部を用いるの
である。換言すると媒体雑音が含まれていないレーザ光
を用いるのである。この結果、第1の実施例と同様に、
当該検出系のC/Nを第3図に示す理論限界値CNR5まで高
めることができる。また、この場合のビームスプリッタ
23で作用するエンハンス後のカー回転角は第1の実施例
と同様に、41.2度となり、従来の技術と比較して高いエ
ンハンスをすることができる。なお、このカー回転角を
最大45度までエンハンスするように上記ビームスプリッ
タ23の反射率RSを設定することも可能である。また、複
屈折があり、カー回転角θkの値が3度程度となる場合
には、エンハンス後のカー回転角θk′が最大45度にな
るように、上記反射率RPの値を例えば5〜6%に設定す
ることもできる。また、本光学系のカップリング効率も
98%と高くすることができる。なお、本光学系では、1/
4波長板32は1/2波長板でもよい。
実施例3 第5図は本発明に係る第3の実施例であり、光磁気記
録媒体、例えば光磁気ディスクの信号検出装置の光学系
の構成図である。なお、該第5図には説明を簡単にする
ために、コリメータレンズ、対物レンズ等のレンズ類の
記載を省略している。
録媒体、例えば光磁気ディスクの信号検出装置の光学系
の構成図である。なお、該第5図には説明を簡単にする
ために、コリメータレンズ、対物レンズ等のレンズ類の
記載を省略している。
この図において、レーザ光源41はシングルモードレー
ザダイオードであり、このレーザ光は、例えば波長が83
0nmのP波のレーザ光とする。また、レーザ光源48はマ
ルチモードレーザダイオードであり、このレーザ光は、
例えば波長が780nmのP波のレーザ光とする。
ザダイオードであり、このレーザ光は、例えば波長が83
0nmのP波のレーザ光とする。また、レーザ光源48はマ
ルチモードレーザダイオードであり、このレーザ光は、
例えば波長が780nmのP波のレーザ光とする。
レーザ光源41からのレーザ光は、偏光選択性を持つビ
ームスプリッタ42を介して、光磁気ディスク10に照射さ
れる。ここで、例えば、このビームスプリッタ42のP波
に対する透過率TPを98%、反射率RPを2%とし、S波に
対する透過率TSを0%、反射率RSを100%とする。すな
わち、光磁気ディスク10に照射される光量はレーザ光源
41の全光量の98%となる。上記光磁気ディスク10で反射
されたレーザ光は再び上記ビームスプリッタ42に入射さ
れ、このビームスプリッタ42で反射されると共に、上記
のレーザ光源48からのレザー光と加算される。この加算
されたレーザ光は1/2波長板43で偏光面が45度回転さ
れ、偏光ビームスプリッタ44に入射される。該偏光ビー
ムスプリッタ44において、互いに直交する偏光面を持つ
偏光成分に分離される。この偏光ビームスプリッタ44で
反射される一つの偏光面を持つ偏光成分は例えばPINフ
ォトダイオードで構成される光検出器45に入射される。
一方、偏光ビームスプリッタ44を透過した他の偏光面を
持つ偏光成分は、例えばPINフォトダイオードで構成さ
れる光検出器46に入射される。光検出器45及び46の出力
信号はそれぞれ差動増幅器47の入力端子に入力され、所
謂差動検出法によって、同相成分である上記レーザ光源
48のレーザ光の及び光磁気ディスクで反射されたP波が
除去され、光磁気信号成分のみが検出される。
ームスプリッタ42を介して、光磁気ディスク10に照射さ
れる。ここで、例えば、このビームスプリッタ42のP波
に対する透過率TPを98%、反射率RPを2%とし、S波に
対する透過率TSを0%、反射率RSを100%とする。すな
わち、光磁気ディスク10に照射される光量はレーザ光源
41の全光量の98%となる。上記光磁気ディスク10で反射
されたレーザ光は再び上記ビームスプリッタ42に入射さ
れ、このビームスプリッタ42で反射されると共に、上記
のレーザ光源48からのレザー光と加算される。この加算
されたレーザ光は1/2波長板43で偏光面が45度回転さ
れ、偏光ビームスプリッタ44に入射される。該偏光ビー
ムスプリッタ44において、互いに直交する偏光面を持つ
偏光成分に分離される。この偏光ビームスプリッタ44で
反射される一つの偏光面を持つ偏光成分は例えばPINフ
ォトダイオードで構成される光検出器45に入射される。
一方、偏光ビームスプリッタ44を透過した他の偏光面を
持つ偏光成分は、例えばPINフォトダイオードで構成さ
れる光検出器46に入射される。光検出器45及び46の出力
信号はそれぞれ差動増幅器47の入力端子に入力され、所
謂差動検出法によって、同相成分である上記レーザ光源
48のレーザ光の及び光磁気ディスクで反射されたP波が
除去され、光磁気信号成分のみが検出される。
すなわち、光検出器の入射光量を増加させ、PINフォ
トダイオードのショット雑音が支配的な領域で光電変換
を行うようにするために加算されるレーザ光(ゲタ同相
成分)として、光磁気ディスクの反射光に含まれるP波
成分を用いず、レーザ光源48からのレーザ光、例えばS/
Nが80dB以上あるマルチモードレーザダイオードのレー
ザ光を用いる。換言すると媒体雑音が含まれていないレ
ーザ光を用い、光検出器のPINフォトダイオードに入射
される光量を該PINフォトダイオードのショット雑音が
支配的な領域まで大きくし、当該検出系のC/Nを第3図
に示す理論限界値CNR5まで高めることができる。また、
この場合のビームスプリッタ42で作用するエンハンス後
のカー回転角は第1の実施例と同様に、41.2度となり、
従来の技術と比較して高いエンハンスをすることができ
る。なお、このカー回転角を最大45度までエンハンスす
るように上記ビームスプリッタ42の反射率RPを設定する
ことも可能である。また、複屈折があり、カー回転角θ
kの値が3度程度となる場合には、エンハンス後のカー
回転角θk′が最大45度になるように、上記反射率RPの
値を例えば5〜6%に設定することもできる。また、本
光学系のカップリング効率も98%と高くすることができ
る。
トダイオードのショット雑音が支配的な領域で光電変換
を行うようにするために加算されるレーザ光(ゲタ同相
成分)として、光磁気ディスクの反射光に含まれるP波
成分を用いず、レーザ光源48からのレーザ光、例えばS/
Nが80dB以上あるマルチモードレーザダイオードのレー
ザ光を用いる。換言すると媒体雑音が含まれていないレ
ーザ光を用い、光検出器のPINフォトダイオードに入射
される光量を該PINフォトダイオードのショット雑音が
支配的な領域まで大きくし、当該検出系のC/Nを第3図
に示す理論限界値CNR5まで高めることができる。また、
この場合のビームスプリッタ42で作用するエンハンス後
のカー回転角は第1の実施例と同様に、41.2度となり、
従来の技術と比較して高いエンハンスをすることができ
る。なお、このカー回転角を最大45度までエンハンスす
るように上記ビームスプリッタ42の反射率RPを設定する
ことも可能である。また、複屈折があり、カー回転角θ
kの値が3度程度となる場合には、エンハンス後のカー
回転角θk′が最大45度になるように、上記反射率RPの
値を例えば5〜6%に設定することもできる。また、本
光学系のカップリング効率も98%と高くすることができ
る。
なお、本実施例の場合光磁気ディスクの反射光と上記
レーザ光源48のレーザ光は互いに干渉しないので、上述
のスッペクル・ノイズの影響もない。また、上記レーザ
光源41に光磁気ディスクの反射光が戻る光量による雑
音、所謂レーザダイオードの自己結合によるレーザ雑音
もゲタ同相成分に含まれなくなるため、より理想的に同
相除去できる。
レーザ光源48のレーザ光は互いに干渉しないので、上述
のスッペクル・ノイズの影響もない。また、上記レーザ
光源41に光磁気ディスクの反射光が戻る光量による雑
音、所謂レーザダイオードの自己結合によるレーザ雑音
もゲタ同相成分に含まれなくなるため、より理想的に同
相除去できる。
更に独立したレーザダイオードでゲタ同相成分を与え
ることができるため、このパワーを変化させ、RPに限定
されずPINフォトダイオードに最適な光量を供給可能で
ある。
ることができるため、このパワーを変化させ、RPに限定
されずPINフォトダイオードに最適な光量を供給可能で
ある。
ところで、上述の3つの実施例では、光磁気信号の検
出方法として、差動光学系を用いたが、光検出器のPIN
フォトダイオードに入射されるレーザ光に含まれる媒体
雑音が少ないので、上述のAPDを用いる方法と同様に1
個の光検出器で光磁気信号の検出も可能であり、簡単な
構造の検出系が構成できる。また、本発明は光磁気ディ
スクの反射光の検出に限定されず、光磁気ディスクの透
過光を検出する場合でも適用できる。
出方法として、差動光学系を用いたが、光検出器のPIN
フォトダイオードに入射されるレーザ光に含まれる媒体
雑音が少ないので、上述のAPDを用いる方法と同様に1
個の光検出器で光磁気信号の検出も可能であり、簡単な
構造の検出系が構成できる。また、本発明は光磁気ディ
スクの反射光の検出に限定されず、光磁気ディスクの透
過光を検出する場合でも適用できる。
上述の説明からも明らかなように、本発明よれば、カ
ー回転角のエンハンスを最適値である45度まで行うこと
が可能である。また、光検出器の入射光量をPINフォト
ダイオードのショット雑音が支配的な領域に設定できる
と共に、このために加算するレーザ光には光磁気ディス
クの媒体雑音を含まないので、C/Nを理論限界値まで高
めることができる。また、カップリング効率の高い光磁
気信号の検出装置の実現が可能となる。
ー回転角のエンハンスを最適値である45度まで行うこと
が可能である。また、光検出器の入射光量をPINフォト
ダイオードのショット雑音が支配的な領域に設定できる
と共に、このために加算するレーザ光には光磁気ディス
クの媒体雑音を含まないので、C/Nを理論限界値まで高
めることができる。また、カップリング効率の高い光磁
気信号の検出装置の実現が可能となる。
第1図は本発明の第1の実施例としての光磁気ディスク
の信号検出装置の光学系の構成を示す図、第2図はカー
回転角エンハンス後のレーザ光の偏光成分を示す図、第
3図はC/N特性を示す図、第4図は本発明の第2実施例
としての光磁気ディスクの信号検出装置の光学系の構成
を示す図、第5図は本発明の第3実施例としての光磁気
ディスクの信号検出装置の光学系の構成を示す図、第6
図は従来の光磁気ディスクの信号検出装置の光学系の構
成を示す図、第7図は光磁気ディスクの反射光の偏光成
分を示す図、第8図はカー回転角エンハンス後のレーザ
光の偏光成分を示す図である。 10……光磁気ディスク 11……レーザ光源 12……ビームスプリッタ 13……偏光ビームスプリッタ 15……光検出器 16……光検出器
の信号検出装置の光学系の構成を示す図、第2図はカー
回転角エンハンス後のレーザ光の偏光成分を示す図、第
3図はC/N特性を示す図、第4図は本発明の第2実施例
としての光磁気ディスクの信号検出装置の光学系の構成
を示す図、第5図は本発明の第3実施例としての光磁気
ディスクの信号検出装置の光学系の構成を示す図、第6
図は従来の光磁気ディスクの信号検出装置の光学系の構
成を示す図、第7図は光磁気ディスクの反射光の偏光成
分を示す図、第8図はカー回転角エンハンス後のレーザ
光の偏光成分を示す図である。 10……光磁気ディスク 11……レーザ光源 12……ビームスプリッタ 13……偏光ビームスプリッタ 15……光検出器 16……光検出器
Claims (1)
- 【請求項1】カー効果又はファラデ効果を有する光磁気
記録媒体に所定の直線偏光のレーザ光を照射するレーザ
光源と、 上記光磁気記録媒体からの反射光又は透過光のカー効果
又はファラデ効果による偏光面の回転角を45度以下にエ
ンハンスするビームスプリッタと、 上記偏光面の回転角のエンハンス後のレーザ光を検出す
る光検出器とを少なくとも有し、上記偏光面の回転角の
エンハンス後のレーザ光に、上記レーザ光源からの上記
光磁気記録媒体を介しないレーザ光又は上記レーザ光源
とは異なる他のレーザ光源からの上記光磁気記録媒体を
介しないレーザ光を加えて、上記光検出器で上記光磁気
記録媒体の信号を検出することを特徴とする光磁気記録
媒体の信号検出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1512189A JP2805790B2 (ja) | 1989-01-26 | 1989-01-26 | 光磁気記録媒体の信号検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1512189A JP2805790B2 (ja) | 1989-01-26 | 1989-01-26 | 光磁気記録媒体の信号検出装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02198044A JPH02198044A (ja) | 1990-08-06 |
JP2805790B2 true JP2805790B2 (ja) | 1998-09-30 |
Family
ID=11879993
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1512189A Expired - Fee Related JP2805790B2 (ja) | 1989-01-26 | 1989-01-26 | 光磁気記録媒体の信号検出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2805790B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69321380T2 (de) * | 1992-02-05 | 1999-04-08 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Magnetooptisches Informationsaufzeichnungs- und -wiedergabegerät |
-
1989
- 1989-01-26 JP JP1512189A patent/JP2805790B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH02198044A (ja) | 1990-08-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |