JP2802850B2 - Target material and method for producing the same - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体の磁気記
録層をスパツタ法により形成するためのターゲツト材、
およびその製造方法に関する。The present invention relates to a target material for forming a magnetic recording layer of a magnetic recording medium by a spatter method.
And its manufacturing method.

【０００２】[0002]

【従来の技術】磁気デイスク、磁気テープ等の磁気記録
媒体は、高密度記録性の点から、その磁気記録層（磁性
膜）を強磁性合金で形成した金属薄膜型記録媒体が、従
来の塗布型磁気記録媒体に代って主流となつている。そ
の磁気記録層をスパツタ法により非磁性基体上に製膜す
るためのターゲツト材として、Ｃｏ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｃ
ｒ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金が使用されてきた。2. Description of the Related Art A magnetic recording medium such as a magnetic disk, a magnetic tape, or the like is a metal thin-film type recording medium having a magnetic recording layer (magnetic film) formed of a ferromagnetic alloy in view of high-density recording properties. It has become the mainstream in place of type magnetic recording media. Co-Ni, Co-C is used as a target material for forming the magnetic recording layer on a non-magnetic substrate by a sputter method.
r, Co-Ni-Cr alloys have been used.

【０００３】磁気記録分野における高密度記録に対する
要求はますます高まり、一層の高保磁力化およびノイズ
レベルの低減が要求されているが、上記Ｃｏ−Ｎｉ，Ｃ
ｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金等をターゲツト材とし
て形成される磁性膜では、その改善効果に限度がある。[0003] In the field of magnetic recording, demands for high-density recording are increasing, and further higher coercive force and lower noise level are required.
A magnetic film formed by using an o-Cr, Co-Ni-Cr alloy or the like as a target material has a limited improvement effect.

【０００４】その高密度記録化の要請に応えるためのタ
ーゲツト材の改良として種々の提案がなされており、例
えば特開平１−１３３２１７号公報には、一定量のＴａ
を添加したＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金をターゲツト材として
磁性膜を形成することにより高保磁力とノイズ低減効果
を得ることが記載され、特開平３−１３８３６５号公報
には、そのＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金磁性膜の磁気特性の均
質性を高めるためのターゲツト材の改良として、Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｔａ合金の微細な急冷凝固粉末を加圧焼結して製
造される均質緻密な焼結体をターゲツト材とすることが
記載されている。また、このほかＢを一定量添加したＣ
ｏ−Ｃｒ−Ｂ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｉ−Ｂ合金をターゲツト
として磁性膜を形成することや、そのスパツタ蒸着にお
いて基板に負電圧を印加するバイアススパツタにより磁
性膜の保磁力を高めること等も提案されている（特開平
３−４９０２１号公報、特開平３−５４７２３号公
報）。Various proposals have been made to improve a target material to meet the demand for high-density recording. For example, Japanese Patent Laid-Open Publication No.
It is described that a high coercive force and a noise reduction effect are obtained by forming a magnetic film using a Co-Cr-Ta alloy to which Ti is added as a target material, and JP-A-3-138365 discloses that the Co-Cr-Ta alloy is obtained. As an improvement of the target material for improving the homogeneity of the magnetic properties of the magnetic film, Co-
It describes that a target material is a homogeneous and dense sintered body produced by pressure sintering a fine rapidly solidified powder of a Cr-Ta alloy. In addition, C to which a certain amount of B is added
It is also possible to form a magnetic film with the o-Cr-B or Co-Cr-Ni-B alloy as a target, and to increase the coercive force of the magnetic film by a bias sputter applying a negative voltage to the substrate in the sputter deposition. It has been proposed (JP-A-3-49021, JP-A-3-54723).

【０００５】[0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、磁気記録媒
体の高密度記録に適した改良された磁気特性を有する磁
性膜を形成するための新規合金組成を有するターゲツト
材およびその製造方法を提供するものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a target material having a novel alloy composition for forming a magnetic film having improved magnetic properties suitable for high-density recording of a magnetic recording medium, and a method for producing the same. Is what you do.

【０００６】[0006]

【課題を解決するための手段および作用】本発明のター
ゲツト材は、原子％で、Ｃｒ：６〜１７％，Ｂ：０．８
〜１０％，Ｎｉ：０．５〜３６％または／およびＴａ：
０．５〜８％（但し、ＮｉとＴａの合計量は３８％を越
えない），残部実質的にＣｏからなり、相対密度：９８
％以上である焼結体であることを特徴としている。本発
明のターゲツト材は、上記組成を有する粒径２２メツシ
ユ以下の急冷凝固された微細なアトマイズ粉末を焼結原
料とし、熱間静水加圧焼結することにより製造される。The target material of the present invention is as follows: Cr: 6 to 17%, B: 0.8 in atomic%.
-10%, Ni: 0.5-36% or / and Ta:
0.5 to 8% (however, the total amount of Ni and Ta does not exceed 38%), the balance being substantially composed of Co, and a relative density of 98
% Or more. The target material of the present invention is produced by using a rapidly atomized fine atomized powder having the above composition and having a particle size of 22 mesh or less as a sintering raw material and hot isostatic pressing.

【０００７】以下、本発明について詳しく説明する。本
発明のターゲツト材を、焼結体として形成することとし
たのは、ターゲツト材の肉厚内部における構成元素の分
布のムラを防止し、板厚方向の全体に亘る組成の均質性
を得るためである。通常、ターゲツト材は、溶解・鋳造
による鋳塊として、また鋳塊を緻密化するための熱間も
しくは冷間での塑性加工（鍛造、圧延等）を加えて所要
形状に成形する工程を経て製造されるが、本発明の前記
組成を有するターゲツト合金は、そのＢ，Ｔａの固溶限
が比較的低く、しかも工業的生産での鋳造工程では平衝
状態からのずれが生じるため、ミクロ的にＢ，Ｔａ等の
富化した偏析、およびそれらの化合物の局所的な晶出・
偏在を不可避的に付随する。その組成の不均質性は、熱
間・冷間の塑性加工を施しても十分に解消することがで
きない。このような組成の不均一なターゲツト材を使用
して行うスパツタリングでは、基板上に蒸着形成される
磁性膜の組成が、スパツタリングの経過に伴つて変動
し、所期の磁気特性を確保することは不可能である。そ
こで本発明は、そのターゲツト材を、組成の均質な微細
粉末を原料とする焼結体として形成することにより、タ
ーゲツト材の肉厚内部の組成の均質性を確保し、併せて
高緻密性をもたせている。鋳造工程を経て製造されるタ
ーゲツト材では、熱間・冷間のいずれの塑性加工も困難
である（割れを生じ易い）のに対し、均質な組成と高緻
密質の焼結体として形成される本発明のターゲツト材
は、熱間または冷間の塑性加工を施すことができ、その
塑性加工の効果としてターゲツト材をより高緻密質のも
のとすることも可能である。Hereinafter, the present invention will be described in detail. The purpose of forming the target material of the present invention as a sintered body is to prevent unevenness in the distribution of constituent elements inside the thickness of the target material and to obtain a uniform composition throughout the thickness direction. It is. Usually, the target material is manufactured as an ingot by melting and casting, and through a process of forming into a required shape by applying hot or cold plastic working (forging, rolling, etc.) to densify the ingot. However, the target alloy having the above composition of the present invention has a relatively low solid solubility limit of B and Ta, and a deviation from a flat state occurs in a casting process in industrial production. Enriched segregation of B, Ta, etc., and local crystallization of those compounds.
Inevitably accompanies uneven distribution. The inhomogeneity of the composition cannot be sufficiently eliminated even by performing hot / cold plastic working. In sputtering using a target material having such a non-uniform composition, the composition of a magnetic film deposited and formed on a substrate fluctuates as the spattering progresses, and it is not possible to secure desired magnetic properties. Impossible. Therefore, the present invention secures the homogeneity of the composition inside the thickness of the target material by forming the target material as a sintered body using fine powder having a uniform composition as a raw material, and at the same time, achieves high density. I have it. In the target material manufactured through the casting process, it is difficult to perform both hot and cold plastic working (prone to cracking), but it is formed as a sintered body with a homogeneous composition and high density The target material of the present invention can be subjected to hot or cold plastic working. As a result of the plastic working, it is possible to make the target material more dense.

【０００８】本発明のターゲツト材を、Ｃｒ：６〜１７
％，Ｂ：０．８〜１０％，およびＮｉ：０．５〜３６％
とＴａ：０．５〜８％の１種ないし２種（但し、Ｎｉと
Ｔａの合計量は３８％以下），残部実質的にＣｏからな
る組成としたのは、この組成範囲において、１６００Ｏ
ｅ以上の保磁力（Ｈｃ）を発現し、高密度記録を可能と
する改良された磁気特性が得られ、また耐候性も良く、
記録層として必要な安定性も確保されるからである。Ｎ
ｉとＴａを同時に含有する場合の両元素の合計量の上限
を３８％としたのは、それを越えると却つて保磁力が低
下するからである。なお、ＮｉおよびＴａの含有量は好
ましくは、Ｎｉ：２％以上、Ｔａ：１％以上である。[0008] The target material of the present invention, Cr: 6-17
%, B: 0.8 to 10%, and Ni: 0.5 to 36%
And Ta: one or two of 0.5 to 8% (however, the total amount of Ni and Ta is 38% or less), and the balance substantially consisting of Co is 1600O in this composition range.
e, a coercive force (Hc) of at least e is obtained, improved magnetic properties enabling high-density recording are obtained, and weather resistance is good.
This is because the stability required for the recording layer is also ensured. N
The upper limit of the total amount of both elements when i and Ta are simultaneously contained is set to 38%, because if it exceeds that, the coercive force will be reduced. The contents of Ni and Ta are preferably Ni: 2% or more and Ta: 1% or more.

【０００９】本発明のターゲツトの緻密度を、相対密度
で９８％以上としたのは、焼結体の緻密性が低いと、そ
れだけ焼結体に内蔵されるガス量が多く、スパツタリン
グ中のターゲツトからのガス放出に起因して異常放電が
生じ易くなり、基板上に形成される磁性膜の均質性が損
なわれ、磁気特性の改善効果を十分に発現させることが
できなくなるからであり、このため相対密度９８％以上
として、スパツタリング中のガス放出とそれに付随する
上記弊害を防止している。The reason why the target of the present invention is made to have a relative density of 98% or more in terms of relative density is that the lower the density of the sintered body, the larger the amount of gas contained in the sintered body and the larger the target during sputtering. This is because abnormal discharge is likely to occur due to gas release from the substrate, the uniformity of the magnetic film formed on the substrate is impaired, and the effect of improving the magnetic properties cannot be sufficiently exhibited, and By setting the relative density to 98% or more, outgassing during sputtering and the above-mentioned adverse effects associated therewith are prevented.

【００１０】本発明のターゲツト材の焼結原料として使
用される前記組成を有するＣｏ基合金粉末は、成分元素
の偏析等のない均質なものであることを要する。原料粉
末の組成の不均一は焼結体の組成の均質性を損なう原因
となるからである。このため本発明は原料粉末としてア
トマイズ粉末を使用することとした。アトマイズ法にお
ける合金溶湯の噴霧時に十分な急速冷却凝固を行なわせ
て得られる微細粉末は、その急冷効果として、固溶限の
低いＢやＴａ等が均一に固溶し、またそれらの化合物が
晶出した場合でも、微細に分散晶出した均質性の高い組
織を有する。そのアトマイズ合金粉末を、粒径２２メツ
シユ以下の微細粉末に限定したのは、十分な急冷効果に
よる粉末組成の均質性を確保するためである。アトマイ
ズ粉末は、ガスアトマイズ粉末、水アトマイズ粉末、ま
たは真空アトマイズ粉末等を適宜使用することができ
る。The Co-based alloy powder having the above-mentioned composition used as a sintering raw material for the target material of the present invention needs to be homogeneous without segregation of component elements. This is because the non-uniform composition of the raw material powder may impair the homogeneity of the composition of the sintered body. For this reason, the present invention uses an atomized powder as the raw material powder. The fine powder obtained by performing sufficient rapid cooling and solidification at the time of spraying the molten alloy in the atomizing method has a quenching effect, in which B, Ta, or the like having a low solid solubility is uniformly dissolved, and the compound is crystallized. Even when it is crystallized, it has a finely dispersed and crystallized structure with high homogeneity. The reason for limiting the atomized alloy powder to fine powder having a particle size of 22 mesh or less is to ensure homogeneity of the powder composition by a sufficient quenching effect. As the atomized powder, a gas atomized powder, a water atomized powder, a vacuum atomized powder, or the like can be appropriately used.

【００１１】上記アトマイズ粉末を、カプセル容器に充
填し、脱気密封したうえ、加圧焼結処理に付す。容器の
材種は、軟鋼、ステンレス鋼等、その選択は任意であ
る。容器内に充填した粉末は十分に脱気することが必要
であり、脱気不十分なまま焼結処理を行つて得られるタ
ーゲツト材は、スパツタリングにおいて、焼結体内に残
留した窒素、酸素の放出により、異常放電を生じ、基板
上に形成される磁性膜の健全性を損う原因となる。この
ため、０．１ｍｍＨｇ以下の真空下に密封することとし
た。The above-mentioned atomized powder is filled in a capsule container, degassed and sealed, and then subjected to pressure sintering. The material type of the container may be arbitrarily selected, such as mild steel or stainless steel. The powder filled in the container needs to be sufficiently degassed, and the target material obtained by performing sintering processing with insufficient degassing will release nitrogen and oxygen remaining in the sintered body during sputtering. As a result, an abnormal discharge is generated, and the integrity of the magnetic film formed on the substrate is impaired. Therefore, sealing was performed under a vacuum of 0.1 mmHg or less.

【００１２】加圧焼結処理に熱間静水等方加圧焼結法
（ＨＩＰ焼結）法を適用するのは、高加圧力の均一な作
用下に生起する焼結反応により、均質・緻密性にすぐれ
た焼結体を形成するためである。その焼結処理は、温
度：８００〜１２００℃，加圧力：５００〜２０００Ｋ
ｇｆ／ｃｍ² ，保持時間：０．５〜４Ｈｒの条件下に首
尾よく達成される。温度：８００℃以上、加圧力：５０
０Ｋｇｆ／ｃｍ² 以上、保持時間：０．５Ｈｒ以上とし
たのは、それに満たない処理条件では、相対密度９８％
以上の緻密性を確保することが困難ないし不可能となる
からであり、他方、処理温度の上限を１２００℃に規定
したのは、それを越えると、液相の生成とそれに伴う
Ｂ、Ｔａ等の偏析が生起し、結果として、微細アトマイ
ズ粉末を使用したことの効果が失われ、得られる焼結体
の均質性を確保することができなくなるからである。ま
た、加圧力の上限を２０００Ｋｇｆ／ｃｍ² とし、保持
時間の上限を４Ｈｒとしたのは、それ以上の加圧力と時
間を適用することにより得られる利益はないからであ
る。The hot isostatic pressing method (HIP sintering) is applied to the pressure sintering process because of the homogeneous and dense sintering reaction that occurs under the uniform action of high pressure. This is for forming a sintered body having excellent properties. The sintering process is performed at a temperature of 800 to 1200 ° C. and a pressure of 500 to 2000 K.
gf / cm ² , retention time: 0.5-4 Hr. Temperature: 800 ° C or higher, pressure: 50
0 Kgf / cm ² or more, and holding time: 0.5 Hr or more are the reason that the relative density of 98%
On the other hand, it is difficult or impossible to secure the above-mentioned denseness. On the other hand, the upper limit of the treatment temperature is set to 1200 ° C. This is because segregation occurs, and as a result, the effect of using the fine atomized powder is lost, and the homogeneity of the obtained sintered body cannot be ensured. The reason why the upper limit of the pressing force is set to 2000 kgf / cm ² and the upper limit of the holding time is set to 4 Hr is that there is no advantage obtained by applying a pressing force and time longer than that.

【００１３】上記工程を経て得られた焼結体はこれに適
宜の機械加工が加えられて所定形状のターゲツト材に仕
上げられる。また、その焼結体は、溶解・鋳造法による
ものと異なつて、熱間または冷間での鍛造、圧延等の塑
性加工が可能であり、従つて所望により、その緻密性を
更に高めるべく塑性加工に付して所定の板形状に成形す
ることもできる。[0013] The sintered body obtained through the above steps is subjected to appropriate machining and finished into a target material having a predetermined shape. Also, the sintered body can be subjected to plastic working such as hot or cold forging and rolling, unlike the method of melting / casting, and therefore, if necessary, the plasticity is further increased in order to further increase its denseness. It can be formed into a predetermined plate shape by processing.

【００１４】本発明のターゲツト材を磁性膜材料とする
磁気記録媒体の製作は、常法に従つて行えばよい。例え
ば、面内記録用磁気デイスクについて述べれば、アルミ
ニウム合金板等を基体とし、その表面に無電解めつきに
より硬質のＮｉ−Ｐめつき膜（膜厚：例えば１５〜２５
μｍ）を設け、めつき膜面にテキスチヤ処理を施したの
ち、磁性膜に面内異方性を与えるための下地層としてＣ
ｒ膜を適宜の膜厚（例えば５００〜３０００Å）に形成
し、ついで本発明のターゲツト材を使用して、上記Ｃｒ
膜面上に磁性膜（膜厚は例えば５００〜１０００Å）を
形成する。上記磁性膜のスパツタ成膜過程において、基
板側に、負の電圧（約−４０Ｖ以上、例えば−４０〜−
２５０Ｖ）を印加するバイアススパツタを適用した場合
は、その効果として磁性膜に、より高い保磁力を付与す
ることも可能である。なお、上記磁性膜の膜面には、所
望により、その摩耗・損傷を防止するための保護膜とし
て、潤滑性と耐摩耗性を備えた被膜、例えば炭素質膜
（膜厚：例えば１５０〜６００Å）が常法に従つて形成
される。The production of a magnetic recording medium using the target material of the present invention as a magnetic film material may be performed according to a conventional method. For example, in the case of a magnetic disk for in-plane recording, an aluminum alloy plate or the like is used as a base, and a hard Ni-P coating film (film thickness: for example, 15 to 25) is formed on the surface by electroless plating.
μm), and the surface of the plated film is subjected to a texturing process.
An r film is formed to an appropriate thickness (for example, 500 to 3000 °), and then the Cr film is formed using the target material of the present invention.
A magnetic film (thickness is, for example, 500 to 1000) is formed on the film surface. In the sputter film forming process of the magnetic film, a negative voltage (about -40 V or more, for example, -40 to-
When a bias spatter applying a voltage of 250 V) is applied, a higher coercive force can be applied to the magnetic film as an effect thereof. If desired, a film having lubricity and abrasion resistance, for example, a carbonaceous film (thickness: for example, 150 to 600 °) may be formed on the film surface of the magnetic film as a protective film for preventing abrasion and damage thereof. ) Are formed in a conventional manner.

【００１５】[0015]

【実施例】【Example】

［Ｉ］ターゲツト材の製造 所定の化学組成を有するＣｏ基合金のガスアトマイズ粉
末を分級し、２２メツシユアンダの微細粉末を焼結原料
とする。上記アトマイズ粉末を軟鋼製カプセル容器に充
填し、真空度０．０８ｍｍＨｇで真空密封したうえ、熱
間静水等方加圧焼結処理（ＨＩＰ）を行つた（表１）。
焼結後、カプセル容器を機械加工により除去して板状焼
結体（板厚：４０ｍｍ）を取出し、これに機械加工を加
えて複数枚のターゲツト材（板厚：２ｍｍ）に仕上げ
た。[I] Production of target material A gas atomized powder of a Co-based alloy having a predetermined chemical composition is classified, and a fine powder of 22 mesh under is used as a sintering raw material. The above-mentioned atomized powder was filled in a mild steel capsule container, vacuum-sealed at a degree of vacuum of 0.08 mmHg, and then subjected to hot isostatic pressing (HIP) (Table 1).
After sintering, the capsule container was removed by machining to take out a plate-like sintered body (sheet thickness: 40 mm), which was subjected to machining to finish into a plurality of target materials (sheet thickness: 2 mm).

【００１６】表１に供試ターゲツト材の相対密度、およ
び表面と板厚中心部の化学組成分析値を示す。表中、Ｔ
１〜Ｔ４は発明例の焼結体ターゲツト、Ｔ５およびＴ６
は比較例である。比較例Ｔ５のターゲツト材は、発明例
と同一のＨＩＰ処理により製造された焼結体であるが、
合金元素としてＢの含有を欠いている例であり、Ｔ６は
溶解鋳造により鋳片（板厚４０ｍｍ）として製造した例
（但し、合金組成は本発明の規定を満足している）であ
る。鋳片として製造された供試ターゲツト材Ｔ６は、そ
の表面と板厚中心部とにおけるＢおよびＴａの含有量に
大きな差異があるのに対し、微細なアトマイズ合金粉末
を使用しＨＩＰ処理による焼結体として形成された供試
ターゲツト材Ｔ１〜Ｔ５の板厚方向の偏析は軽微で均質
性にすぐれている。なお、鋳片として形成された供試材
Ｔ６は、鋳造および熱間圧延工程で割れを生じ、ターゲ
ツト材としての所定形状への成形は不可能であつた。Table 1 shows the relative densities of the test target materials and the chemical composition analysis values of the surface and the center of the plate thickness. In the table, T
1 to T4 are the sintered body targets of the invention examples, T5 and T6
Is a comparative example. The target material of Comparative Example T5 is a sintered body manufactured by the same HIP processing as the invention example,
T6 is an example in which the content of B is lacking as an alloy element, and T6 is an example in which a slab (plate thickness: 40 mm) is produced by melting casting (however, the alloy composition satisfies the requirements of the present invention). The test target material T6 produced as a slab had a large difference in the B and Ta contents between the surface and the center of the plate thickness, whereas the fine target alloy powder was sintered by HIP treatment using fine atomized alloy powder. The segregation in the thickness direction of the test target materials T1 to T5 formed as a body is slight and excellent in homogeneity. The test material T6 formed as a cast slab cracked during the casting and hot rolling steps, and could not be formed into a predetermined shape as a target material.

【００１７】［ＩＩ］磁気デイスクの製作 アルミニウム合金基板（表面に膜厚２０μｍのＮｉ−Ｐ
合金無電解めつき膜形成）に、直流マグネトロンスパツ
タリング法を使用し、スパツタ雰囲気：５×１０^-3Ｔｏ
ｒｒＡｒガス，基板温度：２５０℃，基板バイアス電
圧：−１５０Ｖのスパツタ条件下に、Ｃｒ膜（膜厚：１
０００Å）、磁性膜（膜厚：６００Å）、および炭素質
膜（膜厚：２５０Å）をこの順に積層成膜して面内異方
性磁気デイスクを製作した。磁性膜のスパツタ成膜には
前記供試ターゲツト材Ｔ１〜Ｔ５を使用した。各供試磁
気デイスクについて、磁性膜のスパツタ成膜に使用した
ターゲツト材とそのスパツタリング層位、および磁気特
性の測定結果を表２に示す。[II] Production of magnetic disk Aluminum alloy substrate (Ni-P having a thickness of 20 μm on the surface)
DC magnetron sputtering method is used for the electroless plating of the alloy), and the sputtering atmosphere is 5 × 10 ⁻³ To.
Under sputter conditions of rrAr gas, substrate temperature: 250 ° C., and substrate bias voltage: −150 V, a Cr film (film thickness: 1)
000 °), a magnetic film (thickness: 600 °), and a carbonaceous film (thickness: 250 °) were laminated in this order to produce an in-plane anisotropic magnetic disk. The target materials T1 to T5 were used for spatter film formation of the magnetic film. Table 2 shows the measurement results of the target material used for the sputter deposition of the magnetic film, the sputtering layer position, and the magnetic properties of each magnetic disk under test.

【００１８】表２に示したように、ターゲツト材Ｔ５
（Ｂを含有しない）を使用して磁性膜を形成した磁気デ
イスクＤ９およびＤ１０に比べ、本発明のターゲツト材
Ｔ１〜Ｔ４を使用して磁性膜を形成した磁気デイスクＤ
１〜Ｄ８は、そのいずれも約１６００Ｏｅ以上の高保磁
力（Ｈｃ）を有し、かつ保磁力角型比Ｓ^* の値も相対的
に低いレベルにある。保磁力角型比Ｓ^* は、記録媒体ノ
イズとの関連を有し、その値が低い程、媒体ノイズは小
さくなるとされている特性値であり、供試磁気デイスク
Ｄ１〜Ｄ８と磁気デイスクＤ９，Ｄ１０との比較から、
本発明のターゲツト材を使用することにより、高密度記
録に適した磁気特性を有する記録媒体が得られることが
わかる。また、同一のターゲツト材を使用し、その表面
層をスパツタリングして磁性膜を形成した磁気デイスク
と、その板厚中央層をスパツタリングして磁性膜を形成
した磁気デイスクとの比較から、スパツタリングの経過
に伴う磁性膜の特性の変動は少なく、ターゲツト材の使
用開始当初から、その寿命に到るまで、磁気特性の安定
した磁性膜を形成できることがわかる。As shown in Table 2, the target material T5
(Not containing B), compared to magnetic disks D9 and D10 formed with a magnetic film using the target materials T1 to T4 of the present invention.
1 to D8 all have a high coercive force (Hc) of about 1600 Oe or more, and the value of the coercive force squareness ratio S ^* is also at a relatively low level. The coercive force squareness ratio S ^* has a relationship with the recording medium noise. The lower the value is, the smaller the medium noise is. This is a characteristic value. The test magnetic disks D1 to D8 and the magnetic disks D9, From the comparison with D10,
It can be seen that a recording medium having magnetic properties suitable for high-density recording can be obtained by using the target material of the present invention. Also, from the comparison between a magnetic disk having the same target material and a magnetic film formed by sputtering the surface layer thereof and a magnetic disk having a magnetic film formed by sputtering the center thickness layer thereof, It can be seen that there is little change in the characteristics of the magnetic film due to the above, and a magnetic film with stable magnetic characteristics can be formed from the beginning of use of the target material to the end of its life.

【００１９】[0019]

【表１】 [Table 1]

【００２０】[0020]

【表２】 [Table 2]

【００２１】[0021]

【発明の効果】本発明のターゲツト材を使用することに
より、高密度記録に適した磁気特性を有する磁性膜を形
成することができる。そのターゲツト材は、板厚方向の
組成変動が少なく良好な均質性を有しているので、ター
ゲツト材の使用開始当初から寿命に到るまで、そのスパ
ツタリングにより形成される磁性膜は、所定の合金組成
とそれに基づく改良された一定の磁気特性を有し、磁気
記録層としての信頼性にすぐれている。By using the target material of the present invention, a magnetic film having magnetic characteristics suitable for high-density recording can be formed. Since the target material has a good homogeneity with little variation in composition in the thickness direction, the magnetic film formed by sputtering the target material from the start of use of the target material to the end of its life is a predetermined alloy. It has a composition and improved constant magnetic properties based on it, and has excellent reliability as a magnetic recording layer.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西 隆 兵庫県尼崎市西向島町64番地 株式会社 クボタ 尼崎工場内 (56)参考文献 特開 平５−247642（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−247641（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−263231（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−263232（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−263233（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) C23C 14/34 C22C 1/04 C22C 19/07──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Inventor Takashi Nishi 64, Nishimukaijima-cho, Amagasaki City, Hyogo Prefecture Kubota Corporation Amagasaki Plant (56) References JP-A-5-247642 (JP, A) JP-A-5-247641 (JP, a) JP flat 5-263231 (JP, a) JP flat 5-263232 (JP, a) JP flat 5-263233 (JP, a) (58 ) investigated the field (Int.Cl. ⁶ , DB name) C23C 14/34 C22C 1/04 C22C 19/07

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 原子％で、Ｃｒ：６〜１７％，Ｂ：０．
８〜１０％，Ｎｉ：０．５〜３６％または／およびＴ
ａ：０．５〜８％（但し、ＮｉとＴａの合計量は３８％
を越えない），残部実質的にＣｏからなり、相対密度：
９８％以上である焼結体であることを特徴とするターゲ
ツト材。1. Atomic%, Cr: 6 to 17%, B: 0.
8 to 10%, Ni: 0.5 to 36% or / and T
a: 0.5 to 8% (however, the total amount of Ni and Ta is 38%
), The balance being substantially composed of Co, and the relative density:
A target material characterized by being a sintered body of 98% or more. 【請求項２】 原子％で、Ｃｒ：６〜１７％，Ｂ：０．
８〜１０％，Ｎｉ：０．５〜３６％または／およびＴ
ａ：０．５〜８％（但し、ＮｉとＴａの合計量は３８％
を越えない），残部実質的にＣｏからなる、粒径２２メ
ツシユ以下のアトマイズ合金粉末を金属容器に充填し、
脱気密封した後、熱間静水等方加圧焼結することを特徴
とする請求項１に記載のターゲツト材の製造方法。2. Atomic%, Cr: 6 to 17%, B: 0.
8 to 10%, Ni: 0.5 to 36% or / and T
a: 0.5 to 8% (however, the total amount of Ni and Ta is 38%
), Atomized alloy powder consisting essentially of Co and having a particle size of 22 mesh or less is filled in a metal container,
2. The method for producing a target material according to claim 1, wherein hot isostatic sintering is performed after degassing and sealing.