JP2785623B2 - Single crystal growth equipment - Google Patents
Single crystal growth equipmentInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、チョクラルスキー法
（以下ＣＺ法と称する）による単結晶成長装置、さらに
詳しくは、単結晶を引上げ中の同装置内において、同時
にその単結晶の品質改善をなし得る単結晶成長装置に関
するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for growing a single crystal by the Czochralski method (hereinafter referred to as the CZ method), and more particularly, to improving the quality of a single crystal in the same apparatus while the single crystal is being pulled. The present invention relates to a single crystal growth apparatus capable of performing the following.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図７にはＣＺ法による単結晶成長装置の
従来例が示されている。この単結晶成長装置１はメイン
チャンバ２を備え、このメインチャンバ２の上には、引
上げられた単結晶棒Ｗを取り出すためのプルチャンバ３
がアイソレーションバルブ（図示せず）を介して設けら
れている。2. Description of the Related Art FIG. 7 shows a conventional example of an apparatus for growing a single crystal by the CZ method. The single crystal growing apparatus 1 includes a main chamber 2, and a pull chamber 3 for taking out a pulled single crystal rod W is provided on the main chamber 2.
Are provided via an isolation valve (not shown).
【０００３】ここで、メインチャンバ２内には、半導体
原料を収容するルツボ５とそれを収納保持するサセプタ
６が配され、また、メインチャンバ２内におけるサセプ
タ６の周囲にはヒータ７と熱遮蔽体８とが配されてい
る。Here, a crucible 5 for accommodating a semiconductor material and a susceptor 6 for accommodating and holding the same are disposed in the main chamber 2, and a heater 7 and a heat shield are provided around the susceptor 6 in the main chamber 2. The body 8 is arranged.
【０００４】また、ルツボ５の直上中心の、単結晶を引
上げる部分にはガス整流管９があり、かつ、その下端に
は、外上方向に折り返して拡開するリフレクタ１２が固
着されている。このガス整流管９およびリフレクタ１２
を備える単結晶成長装置については、特開昭６４−６５
０８６号公報において開示されている。A gas straightening tube 9 is provided at the center of the crucible 5 directly above the crucible 5 for pulling up the single crystal, and a reflector 12 is fixed at the lower end of the gas straightening tube 9 so as to be folded outward and expand. . The gas straightening tube 9 and the reflector 12
Japanese Patent Laid-Open No. 64-65
No. 086.
【０００５】すなわち、この単結晶成長装置１では、ヒ
ータ７による加熱でルツボ５内の半導体原料を溶融し
て、ワイヤあるいは引上軸１０によって懸吊された種結
晶１１をその融液に浸し、その種結晶１１およびルツボ
５を逆方向に回転させながら単結晶を成長させるように
なっている。この単結晶成長の過程で、プルチャンバ３
に導入された雰囲気ガスは、ガス整流管９の上方より単
結晶成長界面方向に向かって流下する。That is, in the single crystal growing apparatus 1, the semiconductor material in the crucible 5 is melted by heating by the heater 7, and the seed crystal 11 suspended by the wire or the pulling shaft 10 is immersed in the melt. The single crystal is grown while rotating the seed crystal 11 and the crucible 5 in opposite directions. In the course of this single crystal growth, pull chamber 3
Is introduced from above the gas straightening tube 9 toward the single crystal growth interface.
【０００６】半導体原料のＳｉを石英製のルツボ５内で
溶融する場合、石英ルツボの構成成分であるＳｉＯ2 と
Ｓｉ溶融体とが反応してＳｉＯを生成し、これが蒸発し
て単結晶装置のチャンバ２，３の壁面や引上軸１０に析
出し、この析出物が単結晶を引上げ中の界面に落下して
良質な単結晶成長を妨げることがある。[0006] When silicon as a semiconductor material is melted in a quartz crucible 5, SiO 2 which is a component of the quartz crucible reacts with a Si melt to produce SiO, which evaporates and is used in a single crystal apparatus. The precipitates may be deposited on the wall surfaces of the chambers 2 and 3 and on the pulling shaft 10, and the precipitates may fall on the interface during the pulling of the single crystal and hinder the growth of a good single crystal.
【０００７】ガス整流管９は、この場合の雰囲気ガスと
して使用されるＡｒガスの流れを、メインチャンバ２内
の、特に単結晶引上げ部に、集中的かつ均質なガス流を
形成するように流下させることにより、単結晶引上げ界
面周辺におけるＳｉＯの析出や落下を防止し、良質な単
結晶の引上げを可能にする。[0007] The gas rectifier tube 9 causes the flow of the Ar gas used as the atmospheric gas in this case to flow down so as to form a concentrated and uniform gas flow in the main chamber 2, especially in the single crystal pulling section. By doing so, precipitation and fall of SiO around the single crystal pulling interface are prevented, and pulling of a high-quality single crystal is enabled.
【０００８】また、この気流は引上げ中の単結晶を冷却
すると同時に、原料溶融部の高熱を遮蔽するので結晶の
引上げ速度を向上させ、あるいは単結晶成長時における
成長界面を平坦化し、不純物濃度の均質化や各種の結晶
欠陥の抑制にも効果があるとされている（特開昭４７−
２６３８８号公報）。Further, this air current cools the single crystal during the pulling, and at the same time, shields the high heat of the raw material melting portion, thereby improving the pulling speed of the crystal, or flattening the growth interface at the time of growing the single crystal, thereby reducing the impurity concentration. It is also said to be effective in homogenization and suppression of various crystal defects (Japanese Patent Laid-Open No.
26388).
【０００９】リフレクタ１２は、ルツボ５中の溶融原料
やヒータ７からくる高温の輻射熱を遮断することによっ
て、単結晶の微小欠陥の発生を抑制する効果の外、ガス
整流管９下方の単結晶引上げの界面部におけるＡｒガス
の流れをむらなく分配させ、Ｓｉ単結晶中におけるドー
パントや酸素濃度の均一化を助成する。また、メインチ
ャンバ２中のヒータ７等の炭素材から発生するＣＯやＣ
Ｏ2 の融液面への逆流を抑えて、単結晶の炭素汚染を防
止し、これに起因する結晶欠陥の発生を減少させる効果
がある。The reflector 12 has the effect of suppressing the generation of minute defects in the single crystal by blocking the molten raw material in the crucible 5 and the high-temperature radiant heat coming from the heater 7, and also pulls the single crystal below the gas rectifying tube 9. To uniformly distribute the flow of the Ar gas at the interface portion of the Si single crystal, thereby helping to make the dopant and oxygen concentrations in the Si single crystal uniform. Further, CO or C generated from a carbon material such as the heater 7 in the main chamber 2 may be used.
This has the effect of suppressing backflow of O 2 to the melt surface, preventing carbon contamination of the single crystal, and reducing the occurrence of crystal defects due to this.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ガス整
流管９およびリフレクタ１２を持つ従来の単結晶成長装
置１によれば、下記のような問題があった。However, according to the conventional single crystal growing apparatus 1 having the gas rectifying tube 9 and the reflector 12, there are the following problems.
【００１１】すなわち、この単結晶成長装置１により、
上述のような様々な効果が得られてはいるが、この装置
の特長とすべき点は、単結晶の生産性や品質の改善を図
る際において、専らガス流による単結晶引上げ条件のコ
ントロールに偏し（この場合、ガス流量の変動による冷
却や流路形成の制御）、結晶品質に対するもう一つの大
きな要因である引上げ中の単結晶の熱履歴の制御は全く
不可能に近い状態となっている。特に、半導体デバイス
分野における一層の微細化傾向にあって、結晶品質向上
の要求が高まっているにも拘らず、従来の本装置により
製造されるＳｉ単結晶の品質は必ずしも満足すべきもの
でなかった。発明者等は、この問題点の解決につき、鋭
意検討を進めた結果、Ｓｉ単結晶における品質の向上に
は、従来より問題とされている各種の微小欠陥の発生を
抑制することや、酸素の析出をより精密に制御する必要
があること、そのためには単結晶の熱処理、なかんず
く、単結晶引上げ中における熱履歴の制御が重要である
との結論に到達した。That is, the single crystal growing apparatus 1
Although various effects as described above have been obtained, the feature of this device is that when improving the productivity and quality of single crystals, it is mainly used to control the conditions for pulling single crystals by gas flow. In this case, it is almost impossible to control the thermal history of the single crystal during pulling, which is another major factor for crystal quality, which is bias (in this case, control of cooling and flow path formation due to fluctuations in gas flow rate). I have. In particular, despite the trend toward further miniaturization in the field of semiconductor devices, the demand for improved crystal quality has been increasing, but the quality of Si single crystals manufactured by the conventional apparatus has not always been satisfactory. . The inventors of the present invention have conducted intensive studies on solving this problem, and as a result of improving the quality of the Si single crystal, it has been necessary to suppress the generation of various kinds of minute defects, which has been a problem, and to reduce the oxygen content. We concluded that it was necessary to control the precipitation more precisely, for which the heat treatment of the single crystal, especially the control of the thermal history during single crystal pulling, was important.
【００１２】本発明は、かかる点に鑑みなされたもの
で、引上げ中のシリコン単結晶の熱履歴のコントロール
により、結晶品質の改善が図れる単結晶引上装置を提供
することをその目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a single crystal pulling apparatus capable of improving crystal quality by controlling the thermal history of a silicon single crystal during pulling.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】本発明は、ルツボ内で半
導体原料融液に種結晶を浸漬し、その種結晶を引上げる
ことによって単結晶を成長させる装置であって、その単
結晶の成長の際に単結晶の軸に沿って上方から成長界面
に向けて雰囲気ガスを導入するためのガス整流管と、前
記ガス整流管の下端に設けられそのガス整流管の外上方
向に折り返されて拡開するリフレクタとを備えた単結晶
成長装置において、前記ガス整流管に、引き上げた単結
晶から順に所定の熱履歴を辿るように制御する再加熱ヒ
ータを組み込んだものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is an apparatus for growing a single crystal by immersing a seed crystal in a melt of a semiconductor raw material in a crucible and pulling the seed crystal. At the time, a gas rectifying tube for introducing an atmospheric gas from above along the axis of the single crystal toward the growth interface, and provided at the lower end of the gas rectifying tube and bent outward and upward of the gas rectifying tube. in single crystal growth apparatus having a reflector that widens, the gas rectifying tube, pulled single binding
Reheat heaters that control the heat
Data .
【００１４】[0014]
【作用】上記した手段によれば、単結晶棒はその引上げ
中において（場合によっては引上げを終了した静止状態
で）適切な熱履歴を辿るようにガス整流管内の再加熱用
ヒータによって強制的に温度制御されるので、酸素析出
の調整が図れ、各種の微小欠陥の発生が防止され、Ｓｉ
単結晶における品質の信頼性が向上する。According to the above-mentioned means, the single crystal rod is forcibly forced by the reheating heater in the gas straightening tube so as to follow an appropriate heat history during the pulling (in some cases, in a stationary state after the pulling is completed). Since the temperature is controlled, adjustment of oxygen precipitation can be achieved, generation of various minute defects can be prevented, and Si
The reliability of the quality of the single crystal is improved.
【００１５】[0015]
【実施例】以下、本発明に係る単結晶引上装置の実施例
を図面に基づいて説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a single crystal pulling apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１６】図１には実施例の単結晶成長装置の要部が
示されている。この単結晶成長装置２０が従来の単結晶
成長装置（図７）と異なる点は、下端にリフレクタ２７
を備えたガス整流管２１に再加熱用ヒータ２２が組み込
まれていることである。以下、この点について詳しく説
明する。FIG. 1 shows a main part of a single crystal growth apparatus according to an embodiment. This single crystal growing apparatus 20 is different from the conventional single crystal growing apparatus (FIG. 7) in that a reflector 27 is provided at the lower end.
That is, the heater 22 for reheating is incorporated in the gas rectifying tube 21 provided with Hereinafter, this point will be described in detail.
【００１７】石英ルツボ５の直上には円筒形のガス整流
管２１が配され、このガス整流管２１の下端には、ガス
整流管２１の外上方向に折り返されて拡開するリフレク
タ２７が付設されている。そして、このリフレクタ２７
によって融液２８からの放熱を抑制し、黒鉛ヒータ７の
熱を効率的に利用できるようになっている。また、この
リフレクタ２７は、単結晶引上げ界面に対する熱遮蔽
や、不活性ガスの整流作用をも営み、これによって融液
表面の不活性ガスの流れが整えられ、結晶の品質劣化を
防止している。A cylindrical gas straightening tube 21 is disposed immediately above the quartz crucible 5, and a reflector 27 is provided at the lower end of the gas straightening tube 21 so as to be folded outward and upward from the gas straightening tube 21. Have been. And this reflector 27
Thereby, heat radiation from the melt 28 is suppressed, and the heat of the graphite heater 7 can be used efficiently. In addition, the reflector 27 also functions as a heat shield for the single crystal pulling interface and a rectifying action of the inert gas, whereby the flow of the inert gas on the melt surface is adjusted and the quality of the crystal is prevented from deteriorating. .
【００１８】一方、ガス整流管２１の上端部内周には再
加熱用ヒータ２２が付設されている。この再加熱用ヒー
タ２２は、ガス整流管２１に巻回された加熱コイルを有
し、この加熱コイルに電極３０からフィーダ３１を通じ
て給電できるようになっている。なお、再加熱用ヒータ
２２の外周に付設されている部材すなわち符号２３は断
熱材である。On the other hand, a reheating heater 22 is attached to the inner periphery of the upper end of the gas flow control tube 21. The reheating heater 22 has a heating coil wound around the gas rectifier tube 21, and power can be supplied to the heating coil from the electrode 30 through the feeder 31. Note that a member provided on the outer periphery of the reheating heater 22, that is, reference numeral 23 is a heat insulating material.
【００１９】また、ガス整流管２１の内周には少なくと
も１箇所以上にサーモカップル（図示せず）が設けられ
ている。このサーモカップルの測温接点は前記再加熱用
ヒータ２２の内側に設置され、ガス整流管２１の所定位
置の温度が測定される。A thermocouple (not shown) is provided at at least one or more locations on the inner periphery of the gas straightening pipe 21. The thermocouple contact of this thermocouple is installed inside the reheating heater 22, and the temperature at a predetermined position of the gas rectifier tube 21 is measured.
【００２０】そうして、ガス整流管２１の測温結果に基
づいて、フィードバック制御によって加熱コイルの電力
制御が行われ、これにより単結晶棒Ｗの下端部の加熱コ
ントロールが行われる。The power control of the heating coil is performed by feedback control based on the temperature measurement result of the gas rectifier tube 21, whereby the lower end of the single crystal rod W is controlled.
【００２１】このように構成された実施例の単結晶成長
装置２０によれば、引上げ中もしくは引上げ後ガス整流
管２１内に存する単結晶棒Ｗは強制的に再加熱制御がな
されるので、単結晶の熱履歴を調節することができ、そ
の結果、酸素析出を制御したり、欠陥の発生を防止する
と同時に、望ましい品質を有する単結晶を、その成長装
置内において製造することができる。According to the single crystal growing apparatus 20 of the embodiment configured as described above, the single crystal rod W existing in the gas straightening tube 21 during or after the pulling is forcibly controlled for reheating. The thermal history of the crystal can be adjusted so that a single crystal of desired quality can be produced in the growth apparatus while controlling oxygen precipitation and preventing defects from occurring.
【００２２】以下、この図２〜図５に基づいて試験結果
について説明する。Hereinafter, the test results will be described with reference to FIGS.
【００２３】図２には、直径４０ｃｍルツボで半導体原
料であるＳｉを４０ｋｇを溶融して引上げた場合の単結
晶の熱履歴が示されている。○が再加熱用ヒータ８をオ
フした状態で引上げた場合の単結晶の熱履歴であって、
●が再加熱用ヒータ８をオンした状態で引上げた場合の
単結晶の熱履歴を示している。FIG. 2 shows the thermal history of a single crystal when 40 kg of semiconductor material Si is melted and pulled up in a crucible having a diameter of 40 cm. ○ is the thermal history of the single crystal when pulled up with the reheating heater 8 turned off,
Represents the thermal history of the single crystal when pulled up with the reheating heater 8 turned on.
【００２４】図３には、図２と同一条件で引上げた単結
晶の半径方向中心部の結晶欠陥発生のバラツキを、単結
晶のヘッドの結晶欠陥発生量を１００として示してあ
る。この図３では、○が再加熱用ヒータ８をオフした状
態で引上げた場合の単結晶の結晶欠陥発生のバラツキ
を、●が再加熱用ヒータ８をオンした状態で引上げた場
合の単結晶の結晶欠陥発生のバラツキを示している。こ
の図３からは、引上げ中に、再加熱処理をしなかったも
のでは、引上げ軸の長さ方向で結晶欠陥発生のバラツキ
が大きいのに対して、引上げ中に再加熱処理をしたもの
では、引上げ軸の長さ方向で結晶欠陥のバラツキが小さ
いことが判る。なお、本試験で測定した結晶欠陥は、従
来から知られているＯＳＦ（酸化誘起積層欠陥）のよう
に、光学的顕微鏡によって観察されるようなμｍオーダ
のサイズを有する欠陥とは異なり、ＢＭＤ（結晶内部微
小欠陥）と呼ばれるもので、そのサイズは数１０ｎｍ〜
数１００ｎｍのレベルにある。FIG. 3 shows the variation in the occurrence of crystal defects at the center in the radial direction of the single crystal pulled under the same conditions as in FIG. In FIG. 3, ○ indicates the variation in the generation of crystal defects in the single crystal when the reheating heater 8 was turned off, and ● indicates the single crystal when the reheating heater 8 was turned on. This shows the variation in the occurrence of crystal defects. From FIG. 3, it can be seen from FIG. 3 that when the reheating treatment was not performed during the pulling, the variation in the generation of crystal defects was large in the length direction of the pulling shaft. It can be seen that the dispersion of crystal defects is small in the length direction of the pulling axis. The crystal defect measured in this test is different from a defect having a size on the order of μm as observed by an optical microscope, such as a conventionally known OSF (oxidation-induced stacking fault). The size is several tens of nm or more.
It is at the level of several 100 nm.
【００２５】図４には、単結晶の初期酸素濃度が示され
ている。この初期酸素濃度は１１００℃で熱処理した後
のものであって、○は再加熱用ヒータ８をオフした状態
で引上げたサンプル１の初期酸素濃度を、●は再加熱用
ヒータ８をオンした状態で引上げたサンプル２の初期酸
素濃度を表している。この図４からはサンプル１（○）
およびサンプル２（●）の初期酸素濃度にあまり差異が
ないことが確認される。次に、この両サンプルを酸素析
出熱処理したときの析出酸素量の差を図５に示す。サン
プル１（○）では、析出酸素量はあまり低減されていな
いのに対して、サンプル２（●）では著しく析出酸素量
が低減され、しかも、均一化されていることが判る。こ
の結果から、再加熱用ヒータ８で引上げ中に再加熱した
方が、加熱しなかったものよりも析出酸素量を低く、し
かも、均一化できることが判る。FIG. 4 shows the initial oxygen concentration of the single crystal. The initial oxygen concentration was obtained after heat treatment at 1100 ° C., ○ indicates the initial oxygen concentration of the sample 1 pulled up with the reheating heater 8 turned off, and ● indicates the state with the reheating heater 8 turned on. Represents the initial oxygen concentration of the sample 2 pulled up in FIG. From this FIG. 4, sample 1 (（)
Also, it is confirmed that there is not much difference in the initial oxygen concentration of Sample 2 (●). Next, FIG. 5 shows the difference in the amount of precipitated oxygen when the two samples were subjected to oxygen precipitation heat treatment. It can be seen that in Sample 1 (析出), the amount of precipitated oxygen was not significantly reduced, whereas in Sample 2 (●), the amount of precipitated oxygen was significantly reduced and was uniform. From this result, it can be seen that reheating during pulling up by the reheating heater 8 can reduce the amount of precipitated oxygen and achieve uniformity as compared with unheated one.
【００２６】図６には他の実施例の単結晶成長装置に係
る再加熱用ヒータ３３が示されている。このヒータ３３
が前記実施例の単結晶成長装置２０のそれと異なる点
は、ガス整流管２１にスパイラル状に巻回される加熱コ
イル３４が下側に行くに従って太くなっていることであ
る。FIG. 6 shows a reheating heater 33 according to a single crystal growth apparatus of another embodiment. This heater 33
However, the difference from the single crystal growth apparatus 20 of the above embodiment is that the heating coil 34 spirally wound around the gas rectifying tube 21 becomes thicker toward the lower side.
【００２７】単結晶の成長界面からの距離に従って単結
晶棒Ｗの温度は低くなるので、その低くなる部分におい
ては、加熱コイル３４を細くすることで発熱量を増大さ
せ、一方、単結晶棒Ｗの温度が比較的に高い部分におい
ては、加熱コイル３４を太くすることで発熱量を抑制し
ている。これにより、電力消費量の低減を図りつつ、単
結晶に適切な熱履歴を辿らせることが可能となる。Since the temperature of the single crystal rod W decreases with distance from the growth interface of the single crystal, the heating value is increased by making the heating coil 34 thinner in the portion where the temperature decreases, while the single crystal rod W increases. In portions where the temperature is relatively high, the heating value is suppressed by making the heating coil 34 thicker. Thus, it is possible to cause the single crystal to follow an appropriate heat history while reducing the power consumption.
【００２８】また、図示はしていないが、再加熱用ヒー
タを単結晶棒Ｗの軸方向に複数配列するとともに、それ
らを独立にコントロールできるように構成しても良い。Although not shown, a plurality of heaters for reheating may be arranged in the axial direction of the single crystal rod W, and the heaters may be controlled independently.
【００２９】以上、本発明の実施例を図面に基づいて説
明したが、本発明は、かかる実施例に限定されるもので
はなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能
であることはいうまでもない。Although the embodiment of the present invention has been described with reference to the drawings, the present invention is not limited to the embodiment, and various modifications can be made without departing from the gist of the present invention. Needless to say.
【００３０】[0030]
【発明の効果】本発明によれば、ルツボ内で半導体原料
融液に種結晶を浸漬し、その種結晶を引上げることによ
って単結晶を成長させる装置であって、その単結晶の成
長の際に単結晶の軸に沿って上方から成長界面に向けて
雰囲気ガスを導入するためのガス整流管と、前記ガス整
流管の下端に設けられそのガス整流管の外上方向に折り
返されて拡開するリフレクタとを備えた単結晶成長装置
において、前記ガス整流管に、引き上げた単結晶から順
に所定の熱履歴を辿るように制御する再加熱ヒータを組
み込んだので、酸素析出欠陥の発生が効果的にコントロ
ールされ、酸化膜耐圧の向上ひいては品質の信頼性向上
が効果的に図れることになる。According to the present invention, there is provided an apparatus for growing a single crystal by immersing a seed crystal in a melt of a semiconductor raw material in a crucible and pulling up the seed crystal. A gas rectifying tube for introducing an atmospheric gas from above along the axis of the single crystal toward the growth interface; and a gas rectifying tube provided at the lower end of the gas rectifying tube which is folded outward and upward to expand. in single crystal growth apparatus having a reflector which, forward to the purge tube, the pulled single crystal
A re-heater that controls so as to follow a predetermined heat history
As a result, the generation of oxygen precipitation defects is effectively controlled, and the withstand voltage of the oxide film is improved, and the reliability of the quality is effectively improved.
【図１】実施例の単結晶成長装置の要部を示す縦断面図
である。FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing a main part of a single crystal growth apparatus according to an embodiment.
【図２】従来方法および本発明方法によって引上げられ
た単結晶の熱履歴を示すグラフである。FIG. 2 is a graph showing the thermal history of a single crystal pulled by the conventional method and the method of the present invention.
【図３】従来方法および本発明方法によって引上げられ
た単結晶の結晶欠陥のバラツキを示すグラフである。FIG. 3 is a graph showing variations in crystal defects of a single crystal pulled by the conventional method and the method of the present invention.
【図４】従来方法および本発明方法によって引上げられ
た単結晶の初期酸素濃度を示すグラフである。FIG. 4 is a graph showing the initial oxygen concentration of a single crystal pulled by the conventional method and the method of the present invention.
【図５】従来方法および本発明方法によって引上げられ
た単結晶の析出酸素濃度を示すグラフである。FIG. 5 is a graph showing the precipitated oxygen concentration of a single crystal pulled by the conventional method and the method of the present invention.
【図６】他の実施例の単結晶成長装置のヒータ廻りの縦
断面図である。FIG. 6 is a longitudinal sectional view around a heater of a single crystal growth apparatus of another embodiment.
【図７】従来の単結晶成長装置の縦断面図である。FIG. 7 is a longitudinal sectional view of a conventional single crystal growth apparatus.
Ｗ 単結晶棒 ５ 石英ルツボ ２１ ガス整流管 ２２ 再加熱用ヒータ ２７ リフレクタ W single crystal rod 5 quartz crucible 21 gas straightening tube 22 heater for reheating 27 reflector
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 庭山 正 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越 半導体株式会社 磯部工場内 (72)発明者 小田 道明 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越 半導体株式会社 磯部工場内 (56)参考文献 特開 平３−33093（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−48491（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C30B 1/00 - 35/00 H01L 21/208────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Tadashi Niwayama, 2-13-1, Isobe, Annaka-shi, Gunma Prefecture Inside the Isobe Plant, Shin-Etsu Semiconductor Co., Ltd. (72) Michiaki Oda 2--13, Isobe, Annaka-shi, Gunma Prefecture No. 1 Shin-Etsu Semiconductor Co., Ltd. Isobe Plant (56) References JP-A-3-33093 (JP, A) JP-A-2-48491 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB Name) C30B 1/00-35/00 H01L 21/208
Claims (1)
漬し、その種結晶を引上げることによって単結晶を成長
させる装置であって、その単結晶の成長の際に単結晶の
軸に沿って上方から成長界面に向けて雰囲気ガスを導入
するためのガス整流管と、前記ガス整流管の下端に設け
られそのガス整流管の外上方向に折り返されて拡開する
リフレクタとを備えた単結晶成長装置において、前記ガ
ス整流管に、引き上げた単結晶から順に所定の熱履歴を
辿るように制御する再加熱ヒータを組み込んだことを特
徴とする単結晶成長装置。An apparatus for growing a single crystal by immersing a seed crystal in a semiconductor material melt in a crucible and pulling up the seed crystal, wherein the single crystal grows along the axis of the single crystal during the growth of the single crystal. A gas straightening tube for introducing an atmospheric gas from above along the growth interface, and a reflector provided at a lower end of the gas straightening tube, which is folded outward and upward from the gas straightening tube to expand. In the single crystal growing apparatus, the gas
The specified heat history is applied to the flow straightening tube in order from the pulled single crystal.
It is especially noteworthy that a reheater that controls
Single-crystal growth apparatus according to symptoms.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4316166A JP2785623B2 (en) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | Single crystal growth equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4316166A JP2785623B2 (en) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | Single crystal growth equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06144987A JPH06144987A (en) | 1994-05-24 |
| JP2785623B2 true JP2785623B2 (en) | 1998-08-13 |
Family
ID=18074024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4316166A Expired - Lifetime JP2785623B2 (en) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | Single crystal growth equipment |
Country Status (1)
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Family Cites Families (1)
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|---|---|---|---|---|
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Also Published As
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