JP2781247B2 - 微小突起電極付接続基板の製造方法 - Google Patents
微小突起電極付接続基板の製造方法Info
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- JP2781247B2 JP2781247B2 JP4594290A JP4594290A JP2781247B2 JP 2781247 B2 JP2781247 B2 JP 2781247B2 JP 4594290 A JP4594290 A JP 4594290A JP 4594290 A JP4594290 A JP 4594290A JP 2781247 B2 JP2781247 B2 JP 2781247B2
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- film
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、コネクターとして用いられる、微小突起電
極付接続基板の製造方法に関する。
極付接続基板の製造方法に関する。
このようなコネクターは、LSIチップなどに形成され
たバンプないしは直接その端子と加圧接着などの方法に
より、全端子が同時に接続される。
たバンプないしは直接その端子と加圧接着などの方法に
より、全端子が同時に接続される。
［従来の技術］ 従来のワイヤーボンディングやTAB（テープオートメ
イテッドボンディング）といった接続方法においてはチ
ップの周辺からしか端子が取り出せないのに対し、微小
突起電極付接続基板による接着方式を用いるとチップ全
面から端子を取り出すことが可能であるので、高密度化
に有利であり、近年特に注目されている。
イテッドボンディング）といった接続方法においてはチ
ップの周辺からしか端子が取り出せないのに対し、微小
突起電極付接続基板による接着方式を用いるとチップ全
面から端子を取り出すことが可能であるので、高密度化
に有利であり、近年特に注目されている。
第４図に従来の微小突起電極付接続基板の製造方法の
例を示す。この製造方法は、製造工程（１）ないし
（５）に示すように、銅箔７を貼り付けた絶縁基板4a上
にレジスト２を施した後、エッチングにより配線導体パ
ターン３を形成し、レジストを除去する。その上に、突
起電極６を形成するためのめっき用レジスト2bを施し、
めっき法により突起電極を形成する、というような方法
であった。
例を示す。この製造方法は、製造工程（１）ないし
（５）に示すように、銅箔７を貼り付けた絶縁基板4a上
にレジスト２を施した後、エッチングにより配線導体パ
ターン３を形成し、レジストを除去する。その上に、突
起電極６を形成するためのめっき用レジスト2bを施し、
めっき法により突起電極を形成する、というような方法
であった。
［発明が解決しようとする課題］ 上述のような製造方法により作製された微小突起電極
付接続基板は、突起電極形成めっき用のレジストを施す
面が平面となっていないためにレジスト位置精度が低
い、レジスト内にエアー溜りが発生しやすい、という問
題点があった。
付接続基板は、突起電極形成めっき用のレジストを施す
面が平面となっていないためにレジスト位置精度が低
い、レジスト内にエアー溜りが発生しやすい、という問
題点があった。
本発明の目的は、上述の問題点を解決した微小突起電
極付接続基板の製造方法を提供することにある。
極付接続基板の製造方法を提供することにある。
［課題を解決するための手段］ このような目的を達成するために、本発明は、担体基
板上に所定の配線導体パターンをめっき法により形成す
る工程と、前記配線導体パターンの上に絶縁層を形成す
る工程と、前記担体基板を除去する工程と、この担体基
板を除去した側にめっき用レジストを施し、めっき法に
より前記配線導体パターン上の所定の箇所に微小突起電
極を形成する工程とを含むことを特徴とする。
板上に所定の配線導体パターンをめっき法により形成す
る工程と、前記配線導体パターンの上に絶縁層を形成す
る工程と、前記担体基板を除去する工程と、この担体基
板を除去した側にめっき用レジストを施し、めっき法に
より前記配線導体パターン上の所定の箇所に微小突起電
極を形成する工程とを含むことを特徴とする。
［作 用］ 以下、図面に従って本発明を詳述する。
工程（１）において、１は担体基板であり、アルミニ
ウム，亜鉛，スズ，鉄およびステンレス等の金属薄板を
用いることができる。この金属導板としては、機械的剥
離あるいはエッチングにより除去できるものであれば良
いが、特に配線導体パターンを形成する金属に対して選
択的なエッチングによる除去が可能である金属が好まし
く、その中でも特に低コストで加工性に優れたアルミニ
ウムが好ましい。
ウム，亜鉛，スズ，鉄およびステンレス等の金属薄板を
用いることができる。この金属導板としては、機械的剥
離あるいはエッチングにより除去できるものであれば良
いが、特に配線導体パターンを形成する金属に対して選
択的なエッチングによる除去が可能である金属が好まし
く、その中でも特に低コストで加工性に優れたアルミニ
ウムが好ましい。
担体基板１上に、液状レジストあるいはDFR（ドラム
フィルムレジスト）等を用いる写真法あるいはスクリー
ン印刷法によりレジストパターン２を形成する。スクリ
ーン印刷法では、レジストインクのにじみのため微細な
パターンが正確に表われないので、写真法によってレジ
ストパターンを形成することが好ましい。
フィルムレジスト）等を用いる写真法あるいはスクリー
ン印刷法によりレジストパターン２を形成する。スクリ
ーン印刷法では、レジストインクのにじみのため微細な
パターンが正確に表われないので、写真法によってレジ
ストパターンを形成することが好ましい。
次いで担体基板１をカソードとして、電気めっきによ
り銅あるいはニッケル等の金属を、レジスト２で覆われ
ている部分以外の担体基板１の表面に析出させて配線導
体パターン３を形成する。このめっき金属としては銅，
ニッケル，銀および金等を用いることができるが、低コ
ストで導通性に優れた銅が好ましい。配線導体パターン
３を形成後めっき用のレジストパターン２は剥離しても
しなくてもかまわない。
り銅あるいはニッケル等の金属を、レジスト２で覆われ
ている部分以外の担体基板１の表面に析出させて配線導
体パターン３を形成する。このめっき金属としては銅，
ニッケル，銀および金等を用いることができるが、低コ
ストで導通性に優れた銅が好ましい。配線導体パターン
３を形成後めっき用のレジストパターン２は剥離しても
しなくてもかまわない。
工程（２）および（３）において、配線導体パターン
３を覆うように、ポリイミドフィルム，ポリエーテルイ
ミドフィルム，ポリエーテルエーテルケトンフィルム，
ポリエーテルサルホンフィルムおよびポリエチレンテレ
フタレートフィルム等のような各種フィルムを絶縁基板
4aとして、装着シート5aにより接着するか、接着剤によ
り貼り合わせる。または絶縁体（ソルダーレジストタイ
プのもの）を塗布することによって絶縁層を形成した後
に、エッチングあるいは機械的剥離により担体基板１を
除去する。担体基板１を除去するには、機械的剥離では
基板4aに強い応力がかかるので、エッチングによって除
去することが好ましい。
３を覆うように、ポリイミドフィルム，ポリエーテルイ
ミドフィルム，ポリエーテルエーテルケトンフィルム，
ポリエーテルサルホンフィルムおよびポリエチレンテレ
フタレートフィルム等のような各種フィルムを絶縁基板
4aとして、装着シート5aにより接着するか、接着剤によ
り貼り合わせる。または絶縁体（ソルダーレジストタイ
プのもの）を塗布することによって絶縁層を形成した後
に、エッチングあるいは機械的剥離により担体基板１を
除去する。担体基板１を除去するには、機械的剥離では
基板4aに強い応力がかかるので、エッチングによって除
去することが好ましい。
次に工程（４）において、絶縁基板4aの反対面側の配
線導体パターン３上に、スクリーン印刷法，写真法ある
いはめっきレジスト用フィルムを接着する等の方法によ
り、突起電極を形成するために必要なめっき用のレジス
トを施す。ここでいうめっきレジスト用フィルムとは、
突起電極６に対応する部分に予め穴あけをした絶縁フィ
ルム4aのことであり、接着シート5bを用いて絶縁フィル
ム4bをレジストパターン２に接着する。
線導体パターン３上に、スクリーン印刷法，写真法ある
いはめっきレジスト用フィルムを接着する等の方法によ
り、突起電極を形成するために必要なめっき用のレジス
トを施す。ここでいうめっきレジスト用フィルムとは、
突起電極６に対応する部分に予め穴あけをした絶縁フィ
ルム4aのことであり、接着シート5bを用いて絶縁フィル
ム4bをレジストパターン２に接着する。
スクリーン印刷法においては微小な突起電極に対する
位置精度が低く、写真法においてはレジスト表面が平面
でないためやはり突起電極部の位置精度が低い。そこ
で、めっきレジスト用フィルム（絶縁フィルム4b）を接
着してめっきレジストを形成することが好ましい。
位置精度が低く、写真法においてはレジスト表面が平面
でないためやはり突起電極部の位置精度が低い。そこ
で、めっきレジスト用フィルム（絶縁フィルム4b）を接
着してめっきレジストを形成することが好ましい。
めっきレジスト用フィルムとしては前述した絶縁基板
4aと同様に、ポリイミドフィルム，ポリエーテルイミド
フィルム，ポリエーテルエーテルケトンフィルム，ポリ
エーテルサルホンフィルムおよびポリエチレンテレフタ
レートフィルム等の各種フィルム類を使用することがで
きるが、ここでは微小突起電極形成めっき用のレジスト
として用いるので、寸法安定性に優れたポリイミドフィ
ルムがより好ましい。
4aと同様に、ポリイミドフィルム，ポリエーテルイミド
フィルム，ポリエーテルエーテルケトンフィルム，ポリ
エーテルサルホンフィルムおよびポリエチレンテレフタ
レートフィルム等の各種フィルム類を使用することがで
きるが、ここでは微小突起電極形成めっき用のレジスト
として用いるので、寸法安定性に優れたポリイミドフィ
ルムがより好ましい。
絶縁フィルム4bへの穴あけは、ドリルあるいはパンチ
ングによる機械的方法あるいは絶縁層のエッチングによ
る方法を用いることができるが、生産性に優れた数値制
御型のドリルあるいは金型を用いて穴あけする方法がよ
り好ましい。穴あけの際の穴径ｘは、突起電極間距離を
縮めるためには小さい程好ましく、接着剤のにじみを考
慮すると大きい程有利である。穴径Ｘ（μｍ）は、突起
電極６（工程（５）参照）の直径Ａ（μｍ）に対して50
≦ｘ≦Ａ＋100さらに100≦ｘ≦Ａ＋50とすることが好ま
しい。これは配線導体幅が広い、後述する第３図に示し
た実施例の場合にもあてはまる。
ングによる機械的方法あるいは絶縁層のエッチングによ
る方法を用いることができるが、生産性に優れた数値制
御型のドリルあるいは金型を用いて穴あけする方法がよ
り好ましい。穴あけの際の穴径ｘは、突起電極間距離を
縮めるためには小さい程好ましく、接着剤のにじみを考
慮すると大きい程有利である。穴径Ｘ（μｍ）は、突起
電極６（工程（５）参照）の直径Ａ（μｍ）に対して50
≦ｘ≦Ａ＋100さらに100≦ｘ≦Ａ＋50とすることが好ま
しい。これは配線導体幅が広い、後述する第３図に示し
た実施例の場合にもあてはまる。
めっきレジスト用フィルムの位置合わせ方法として
は、基準穴と基準ピンとによるピン合わせ方式、あるい
は位置合わせマークを設けての光学的な位置合わせおよ
び仮接着方式等がある。ピン合わせ方式においては基準
穴の破損によって位置ずれを生じる場合があるので、光
学的位置合わせ方式がより好ましい。
は、基準穴と基準ピンとによるピン合わせ方式、あるい
は位置合わせマークを設けての光学的な位置合わせおよ
び仮接着方式等がある。ピン合わせ方式においては基準
穴の破損によって位置ずれを生じる場合があるので、光
学的位置合わせ方式がより好ましい。
絶縁フィルム4bの接着は通常の加熱加圧プレスによっ
て行われるが、特にめっきレジスト用フィルムを接着す
る際にはプレス圧が高過ぎると接着剤の拡がりにより穴
がふさがってしまう場合があるので、プレスの時の条件
は、温度120〜250℃，圧力0.5〜30kgcm-2であることが
好ましい。
て行われるが、特にめっきレジスト用フィルムを接着す
る際にはプレス圧が高過ぎると接着剤の拡がりにより穴
がふさがってしまう場合があるので、プレスの時の条件
は、温度120〜250℃，圧力0.5〜30kgcm-2であることが
好ましい。
工程５において、突起電極６をめっきにより形成する
際には、基板面積に対するめっき部分の面積が非常に小
さいために、電荷が集中して樹枝状のめっきが成長する
場合があるので、本基板とは別に突起電極密集部分を避
けた形状すなわち、電極密集部分よりもやや大きい窓を
設けた形状のダミー基板を設けてめっきを行うことが好
ましい。
際には、基板面積に対するめっき部分の面積が非常に小
さいために、電荷が集中して樹枝状のめっきが成長する
場合があるので、本基板とは別に突起電極密集部分を避
けた形状すなわち、電極密集部分よりもやや大きい窓を
設けた形状のダミー基板を設けてめっきを行うことが好
ましい。
このダミーの基板の突起電極群に対する面積比は100
倍以上が好ましく、さらには500倍以上が好ましい。突
起電極６を形成するめっき金属としては、配線導体パタ
ーン３を形成する金属と同様に、銅，ニッケル，銀およ
び金等を用いることができるが、低コストで導通性に優
れた銅が好ましく、その中でも特に横方向に対する縦方
向へのめっきの成長速度が速く突起電極間距離を小さく
することができる硫酸銅めっきあるいはピロリン酸銅め
っきが好ましい。
倍以上が好ましく、さらには500倍以上が好ましい。突
起電極６を形成するめっき金属としては、配線導体パタ
ーン３を形成する金属と同様に、銅，ニッケル，銀およ
び金等を用いることができるが、低コストで導通性に優
れた銅が好ましく、その中でも特に横方向に対する縦方
向へのめっきの成長速度が速く突起電極間距離を小さく
することができる硫酸銅めっきあるいはピロリン酸銅め
っきが好ましい。
めっきを通常の連続通電により行うと平滑な表面を得
ることが難しいので、断続的パルスによりめっきをより
行う。一般的な酸銅めっきを例に取ると、パルス電流の
ピークの電流密度iP＝１〜6Ad-2,パルスの周期Ｔ＝10〜
100msec,パルス電流が流れる時間的割合（Duty Cycle）
を20〜80％、より好ましくはiP＝２〜4Adm-2,T＝20〜50
msecおよびDuty Cycle＝50〜70％の断続的パルスめっき
でめっきを行うことが好ましい。
ることが難しいので、断続的パルスによりめっきをより
行う。一般的な酸銅めっきを例に取ると、パルス電流の
ピークの電流密度iP＝１〜6Ad-2,パルスの周期Ｔ＝10〜
100msec,パルス電流が流れる時間的割合（Duty Cycle）
を20〜80％、より好ましくはiP＝２〜4Adm-2,T＝20〜50
msecおよびDuty Cycle＝50〜70％の断続的パルスめっき
でめっきを行うことが好ましい。
接続抵抗を減らすために、突起電極６の表面には無電
解めっき等により金めっきを施すことが好ましい。
解めっき等により金めっきを施すことが好ましい。
第２図は本発明の他の実施例の製造工程を示す図であ
る。第２図において第１図と同様の箇所には同一の符号
を付す。まず、工程（１）において、第１図の工程
（１）において作製されたものを２枚、配線導体パター
ン３側を対向させ接着剤を用いて貼り合わせる。工程
（２）においては、第１図に示した工程（２）ないし
（５）と同様にして基板４を両側に突起電極６を形成す
る。
る。第２図において第１図と同様の箇所には同一の符号
を付す。まず、工程（１）において、第１図の工程
（１）において作製されたものを２枚、配線導体パター
ン３側を対向させ接着剤を用いて貼り合わせる。工程
（２）においては、第１図に示した工程（２）ないし
（５）と同様にして基板４を両側に突起電極６を形成す
る。
第３図も本発明の他の実施例を示すが、この接続基板
は突起電極６が絶縁フィルム4bの表面の一部を覆ってい
るところが、第１図および第２図に示した接続基板とは
異なる。第３図に示す接続基板を２枚、第２図に示す工
程と同様にして貼り合せてもよい。
は突起電極６が絶縁フィルム4bの表面の一部を覆ってい
るところが、第１図および第２図に示した接続基板とは
異なる。第３図に示す接続基板を２枚、第２図に示す工
程と同様にして貼り合せてもよい。
［実施例］ 以下、第１図に示す製造工程に従って作製した微小突
起付接続基板について説明するが、本発明はこれに限定
されるものではない。この製造工程によって作製され
た、第１図（５）に示す構造をもつ微小突起付接続基板
と同様に第２図（２）および第３図に示す接続基板、お
よび第３図に示す接続基板を２枚貼り合わせた構造をも
つ微小突起付接続基板を作製することができる。また、
レジスト等のような薬品あるいはめっきの条件等は前述
したすべてが有効であることはいうまでもない。
起付接続基板について説明するが、本発明はこれに限定
されるものではない。この製造工程によって作製され
た、第１図（５）に示す構造をもつ微小突起付接続基板
と同様に第２図（２）および第３図に示す接続基板、お
よび第３図に示す接続基板を２枚貼り合わせた構造をも
つ微小突起付接続基板を作製することができる。また、
レジスト等のような薬品あるいはめっきの条件等は前述
したすべてが有効であることはいうまでもない。
まず、工程（１）において、厚さ80μｍのアルミニウ
ム製の担体基板１上に液状ネガレジスト（コダック社
製:KMR747）を塗布し、プリベークを行った後にフォト
マスクを通して露光を行い、続いて現像およびリンスを
行い、最後にポストベークを行い、厚さ４μｍのレジス
トパターン２を形成した。なお、坦体基板１の厚さは10
〜200μｍであればよい。レジストパターン２の厚さは1
0μｍ以下とする。
ム製の担体基板１上に液状ネガレジスト（コダック社
製:KMR747）を塗布し、プリベークを行った後にフォト
マスクを通して露光を行い、続いて現像およびリンスを
行い、最後にポストベークを行い、厚さ４μｍのレジス
トパターン２を形成した。なお、坦体基板１の厚さは10
〜200μｍであればよい。レジストパターン２の厚さは1
0μｍ以下とする。
次いで、アルミニウム担体基板１をカソードとして、
ピロリン酸銅めっき浴中で、55℃,2.7Adm-2の定電流電
解により配線導体パターン３を形成した後、レジスト剥
離液（ナガセ産業社製:N−530）を用いてレジストの剥
離を行った。
ピロリン酸銅めっき浴中で、55℃,2.7Adm-2の定電流電
解により配線導体パターン３を形成した後、レジスト剥
離液（ナガセ産業社製:N−530）を用いてレジストの剥
離を行った。
工程（２）および（３）において、配線導体パターン
３上に、厚さ50μm,接着剤層50μｍのポリイミドフィル
ム（デュポン社製パイララックス）を温度180℃、圧力3
kgcm-2で１時間の加熱加圧プレスを行うことにより接着
した後に、７％塩酸中でアルミニウム担体基板１をエッ
チングにより除去した。
３上に、厚さ50μm,接着剤層50μｍのポリイミドフィル
ム（デュポン社製パイララックス）を温度180℃、圧力3
kgcm-2で１時間の加熱加圧プレスを行うことにより接着
した後に、７％塩酸中でアルミニウム担体基板１をエッ
チングにより除去した。
工程（４）において、厚さ25μm,接着剤層25μｍのポ
リイミドフィルム（デュポン社製パイララックス）の突
起電極６に対応する部分に、数値制御のドリラーにより
直径250μｍの穴をあけ、光学的方法により位置合わせ
を行い、温度180℃、圧力1kgcm-2で１時間の加熱加圧プ
レスを行い、穴あきポリイミドフィルムを配線導体パタ
ーン上に接着した。
リイミドフィルム（デュポン社製パイララックス）の突
起電極６に対応する部分に、数値制御のドリラーにより
直径250μｍの穴をあけ、光学的方法により位置合わせ
を行い、温度180℃、圧力1kgcm-2で１時間の加熱加圧プ
レスを行い、穴あきポリイミドフィルムを配線導体パタ
ーン上に接着した。
（５）以上のように準備した基板の被めっき部の密集
した以外の部分を、本基板とは別のめっきダミー用銅板
で覆い、本基板と通電するようにした上で突起電極形成
めっきを行った。
した以外の部分を、本基板とは別のめっきダミー用銅板
で覆い、本基板と通電するようにした上で突起電極形成
めっきを行った。
ダミー用銅板の突起電極群に対する面積比は800倍と
し、加熱加圧プレス時に配線導体パターン表面に強固な
酸化皮膜を生じるので、突起電極形成めっき前処理液と
して40％硝酸を用い、平滑な突起電極表面を得るために
めっき用光沢剤としてCP−２（ハーショウ村田社製）1.
5cc-1を添加し、ip＝2.5Adm-2,T＝30msec,Duty Cycle
＝66％の断続的パルスめっきにより突起電極６を形成し
た。
し、加熱加圧プレス時に配線導体パターン表面に強固な
酸化皮膜を生じるので、突起電極形成めっき前処理液と
して40％硝酸を用い、平滑な突起電極表面を得るために
めっき用光沢剤としてCP−２（ハーショウ村田社製）1.
5cc-1を添加し、ip＝2.5Adm-2,T＝30msec,Duty Cycle
＝66％の断続的パルスめっきにより突起電極６を形成し
た。
最後に、無電解金めっき液中で突起電極表面に厚さ約
１μｍの金の薄層を形成した。
１μｍの金の薄層を形成した。
このようにして得られた突起電極は高さが30μm,直径
が200μｍの真円状であり、その表面の粗さ（表面の凸
凹の山と谷の距離）は１μｍ以下であった。
が200μｍの真円状であり、その表面の粗さ（表面の凸
凹の山と谷の距離）は１μｍ以下であった。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、配線導体パタ
ーンの担体基板側に突起電極をめっき法によって形成す
るようにしたので、突起電極形成めっきレジストを施す
表面が平滑であるためにレジスト位置精度が±５μｍ以
下と高く、また突起電極形成めっき開始面が平滑である
ため突起電極表面の粗さが１μｍ以内の極めて平滑な表
面を得ることができ、さらに、突起電極の高さを希望に
応じて自由に変化させることができるという効果があ
る。
ーンの担体基板側に突起電極をめっき法によって形成す
るようにしたので、突起電極形成めっきレジストを施す
表面が平滑であるためにレジスト位置精度が±５μｍ以
下と高く、また突起電極形成めっき開始面が平滑である
ため突起電極表面の粗さが１μｍ以内の極めて平滑な表
面を得ることができ、さらに、突起電極の高さを希望に
応じて自由に変化させることができるという効果があ
る。
そこで、本発明によれば、接続電極ピッチを小さくす
るために直径が200μｍ以下で、充分な接続信頼性が得
られ、高さが自由に変えられ、表面粗さが１μｍ以下の
微小突起電極を有する微小突起電極付接続基板を製造す
ることができるという効果がある。
るために直径が200μｍ以下で、充分な接続信頼性が得
られ、高さが自由に変えられ、表面粗さが１μｍ以下の
微小突起電極を有する微小突起電極付接続基板を製造す
ることができるという効果がある。
第１図は本発明実施例の製造工程の説明図、 第２図および第３図は本発明の他の実施例を示す図、 第４図は従来の微小突起電極付接続基板の製造方法を示
す図である。 １……担体基板、 ２……レジストパターン、 ３……配線導体パターン、 4a……絶縁基板、 4b……絶縁フィルム、 5a,5b……接着シート、 ６……突起電極。
す図である。 １……担体基板、 ２……レジストパターン、 ３……配線導体パターン、 4a……絶縁基板、 4b……絶縁フィルム、 5a,5b……接着シート、 ６……突起電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/60 311 H05K 3/24
Claims (1)
- 【請求項１】担体基板上に所定の配線導体パターンをめ
っき法により形成する工程と、前記配線導体パターンの
上に絶縁層を形成する工程と、前記担体基板を除去する
工程と、この担体基板を除去した側にめっき用レジスト
を施し、めっき法により前記配線導体パターン上の所定
の箇所に微小突起電極を形成する工程とを含むことを特
徴とする微小突起電極付接続基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4594290A JP2781247B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 微小突起電極付接続基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4594290A JP2781247B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 微小突起電極付接続基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03250639A JPH03250639A (ja) | 1991-11-08 |
| JP2781247B2 true JP2781247B2 (ja) | 1998-07-30 |
Family
ID=12733333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4594290A Expired - Lifetime JP2781247B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 微小突起電極付接続基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2781247B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1408337A3 (en) * | 1994-11-15 | 2007-09-19 | FormFactor, Inc. | Probe card assembly |
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1990
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