JP2769840B2 - 水酸基含有置換基を有するシロキサン化合物 - Google Patents

水酸基含有置換基を有するシロキサン化合物

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JP2769840B2 JP1073342A JP7334289A JP2769840B2 JP 2769840 B2 JP2769840 B2 JP 2769840B2 JP 1073342 A JP1073342 A JP 1073342A JP 7334289 A JP7334289 A JP 7334289A JP 2769840 B2 JP2769840 B2 JP 2769840B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、合成樹脂の改質に、特にエポキシ樹脂の応
力緩和に好適な新規なシロキサン化合物に関する。
〔従来の技術〕
従来より、耐湿性、電気特性、成形性、機械的特性な
どに優れたエポキシ樹脂は半導体素子の樹脂封止材とし
て広く利用されてきた。しかし、エポキシ樹脂は一般的
に低弾性率であるため可撓性に乏しく、成形を行うとき
にこれが内部応力として残り、クラツクの発生や素子の
破損が生じ易いといつた欠点があつた。このため従来よ
り、シリコン系改質剤、ゴム、低応力樹脂などを用いて
応力を緩和する措置が検討されてきた。
また、ヒドロシリル基を持つシリコーン化合物にヒド
ロシリル化反応を用いて水酸基を有するオレフインを付
加する場合、ヒドロシリル化触媒により水酸基がヒドロ
シリル基の水素原子と脱水素の副反応を起こし目的物の
収率が下がつてしまうため、トリメチルシリル基などの
置換基で該水酸基を保護してやる必要があつた。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかし、近年においてはパツケージの薄型化や小型
化、又、半導体素子の高集積化にともなう素子上のパタ
ーンの緻密化や素子のチツプの大型化が進み、半導体封
止材料への要求特性が厳しくなり、従来のエポキシ樹脂
の改質剤よりさらに優れた、特に、応力緩和、耐湿性、
半田などへの耐熱性に優れ且つエポキシ樹脂への反応性
が良好な改質剤が望まれていた。
また、ヒドロシリル基を持つシリコーン化合物にヒド
ロシリル化反応を用いて水酸基を有するオレフインを付
加する場合は、主原料のほかに保護基として用いる化合
物が必要である上、さらにヒドロシリル化反応の前に水
酸基を保護する工程とヒドロシリル化反応の終了後に保
護基を外す工程が必要であつた。このため反応工程が長
くなり且つ製造コストがかさむという欠点があつた。
本発明は、以上のような問題点を改良するのに優れ
た、エポキシ樹脂の改質剤としてのシロキサン化合物と
その安価な製造方法を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段及び作用〕
本発明者等は、上記の目的を達成するために鋭意研究
した結果下記発明に到達した。即ち、第1の発明は、一
般式(I) {式中、jは0〜2000の整数を表わし、R1は次式 (式中、Rは炭素原子数1〜4のアルキル基又は炭素
原子数1〜4のアルコキシ基を表わし、Aは炭素原子数
1〜4の2価の炭化水素基を表わし、aは0〜3の整数
を表わし、bは1又は2である)で示される基を表わ
し、R2、R3、R4、R5及びR6はそれぞれ炭素原子数1〜4
のアルキル基又はフエニル基を表わす}によつて示され
るシロキサン化合物である。
第2の発明は、一般式(II) (式中、k及びlはそれぞれ0〜2000の整数を表わ
し、R1、R3、R4、R5及びR6は前記と同じ意味を表わし、
R8は炭素原子数1〜4のアルキル基またはフエニル基を
表わす)によつて示されるシロキサン化合物である。
第3の発明は、一般式(III) (式中、m、n及びpはそれぞれ0〜2000の整数を表
わし、R1、R3、R4、R5及びR6は、前記と同じ意味を表わ
す)によつて示されるシロキサン化合物である。
第4の発明は、一般式(V) (式中、sは0〜2000の整数を表わし、tは1〜2000
の整数を表わし、R1、R2、R3、R5、及びR6は前記と同じ
意味を表わし、R7、R9及びR10はそれぞれ炭素原子数1
〜4のアルキル基又はフエニル基を表わす)によつて示
されるシロキサン化合物である。
第5の発明は、下記式(VI)、式(VII)又は式(VII
I) (式中、j、k、l、m、n、p、R2、R3、R4、R5
R6及びR8は前記と同じ意味を表わす)で示されるヒドロ
シリル基含有シロキサン化合物へ、周期律表第VIII属の
金属元素の錯化合物又はそれらと各種オレフインのコン
プレツクスを触媒として用い、水酸基部分を他の置換基
によつて保護していない次式(XX)で示されるフエノー
ル化合物 (ここに、R、A、a及びbは前記と同じ意味を表わ
す)の少なくとも1種をヒドロシリル化反応によつて付
加させることを特徴とする第1発明、第2発明又は第3
発明に係るシロキサン化合物の製造方法である。この方
法における反応温度は30〜150℃が好ましい。
第6の発明は、下記式(X) (式中、s、t、R2、R3、R5、R6、R7、R9及びR10
前記と同じ意味を表わす)で示されるヒドロシリル基含
有シロキサン化合物へ、周期律表第VIII属の金属元素の
錯化合物もしくはそれらと各種オレフインのコンプレツ
クスを触媒として用い、水酸基部分を他の置換基によつ
て保護していない前記式(XX)で示されるフエノール化
合物の少なくとも1種をヒドロシリル化反応によつて付
加させることを特徴とする第4発明に係るシロキサン化
合物の製造方法である。この方法における反応温度は30
〜150℃が好ましい。
第7の発明は、第5発明の製造方法において、触媒が
白金錯体化合物又はそれらと各種オレフインのコンプレ
ツクスであり、その使用量が原料シロキサン化合物の珪
素原子に結合した水素原子1個に対して1×10-8〜1×
10-4モルである方法である。
第8の発明は、第6の発明の製造方法において、触媒
が白金錯体化合物又はそれらと各種オレフインのコンプ
レツクスであり、その使用量が原料シロキサン化合物の
珪素原子に結合した水素原子1個に対して1×10-8〜1
×10-4モルである方法である。
第9の発明は、第5発明の製造方法において、触媒が
塩化白金酸又は塩化白金銀と各種オレフインのコンプレ
ツクスであり、その使用量が原料シロキサン化合物の珪
素原子に結合した水素原子1個に対して1×10-8〜1×
10-4モルである方法である。
第10の発明は、第6の発明の製造方法において、触媒
が塩化白金酸又は塩化白金銀と各種オレフインのコンプ
レツクスであり、その使用量が原料シロキサン化合物の
珪素原子に結合した水素原子1個に対して1×10-8〜1
×10-4モルである方法である。
第11の発明は、第5の発明の製造方法において、触媒
が塩化ロジウム、ロジウム錯体化合物又はそれらと各種
オレフインのコンプレツクスであり、その使用量が原料
シロキサン化合物の珪素原子に結合した水素原子1個に
対して1×10-6〜1×10-1モルである方法である。
第12の発明は、第6の発明の製造方法において、触媒
が塩化ロジウム、ロジウム錯体化合物又はそれらと各種
オレフインのコンプレツクスであり、その使用量が原料
シロキサン化合物の珪素原子に結合した水素原子1個に
対して1×10-6〜1×10-1モルである方法である。
第13の発明は、第5の発明の製造方法において、触媒
がウイルキンソン錯体又はウイルキンソン錯体と各種オ
レフインのコンプレツクスであり、その使用量が原料シ
ロキサン化合物の珪素原子に結合した水素原子1個に対
して1×10-6〜1×10-1モルである方法である。
第14の発明は、第6の発明の製造方法において、触媒
がウイルキンソン錯体又はウイルキンソン錯体と各種オ
レフインのコンプレツクスであり、その使用量が原料シ
ロキサン化合物の珪素原子に結合した水素原子1個に対
して1×10-6〜1×10-1モルである方法である。
本発明の、上記、第1発明の一般式(I)における
j、第2発明の一般式(II)におけるk及びl、第3発
明の一般式(III)におけるm、n及びp、第4発明の
一般式(V)におけるs及びtはポリシロキサン直鎖部
のシロキサンユニツトの個数をあらわし、それらの範囲
は、合成樹脂へ導入した場合にシロキサンの持つ機能特
性の明確な発現を得るため、合成樹脂への導入を容易に
するため、及び、合成を容易にするために、j、k、
l、m、n、p、及びsの値の範囲をそれぞれ0〜2000
とし、tの値の範囲を1〜2000とする。
本発明のシロキサン化合物は、水酸基含有置換基を基
準としたシロキサン鎖の本数が、上記第1発明の一般式
(I)で示される1本、第2発明の一般式(II)で示さ
れる2本及び第3発明の一般式(III)で示される3本
の3種類の構造があることを特徴としている。又、第4
発明は、一般式(V)で示されるようにペンダント部位
にのみ水酸基含有置換基を有し、製造時にs及びtの値
を任意に設定することにより、自由に目的とする比率で
分子鎖のペンダント部位へ水酸基含有置換基を導入する
ことができることを特徴としている。これらから、目的
とする合成樹脂や付与したい機能特性に合わせて任意の
構造のものを選択し、単独で又は混合して用いることが
できる。
さらに、第2発明の一般式(II)、及び、第3発明の
一般式(III)で示される、水酸基含有置換基を基準と
したシロキサン鎖本数が2本及び3本の場合のそれぞれ
のシロキサン鎖長は、目的によつてはそれぞれ違つた分
子鎖長を設定することもできるが、合成樹脂に特殊な機
能を付与する必要がある場合や特性をより細かくコント
ロールする必要がある場合以外は、製造工程が増え合成
条件の許容範囲が狭くなるのを避けるため、それぞれ同
一のシロキサン鎖長に設定するのが好ましい。
前記R1で表わされる基としては、3−(o−ヒドロキ
シフエニル)プロピル基、3−(p−ヒドロキシフエニ
ル)プロピル基、3−(m−ヒドロキシフエニル)プロ
ピル基、又は3−(p−ヒドロキシ−m−メトキシフエ
ニル)プロピル基、3−(2,5−ジヒドロキシフエニ
ル)プロピル基、3−(3,4−ジヒドロキシフエニル)
プロピル基、3−(3,5−ジヒドロキシフエニル)プロ
ピル基、3−(3−メチル−5−ヒドロキシフエニル)
プロピル基、3−(3−エチル−5−ヒドロキシフエニ
ル)プロピル基、3−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキ
シフエニル)プロピル基を挙げることができる。
本発明の、第1発明の一般式(I)、第2発明の一般
式(II)、第3発明の一般式(III)、及び第4発明の
一般式(V)で示されるシロキサン化合物は、分子中に
存在する水酸基をこれと反応可能なエポキシ樹脂などの
合成樹脂へ反応させ、化学結合により組み込むことによ
り、合成樹脂の特性改善に有用なシロキサン化合物とし
て用いることができ、特に半導体素子の樹脂封止材の内
部応力緩和剤として優れた効果を得ることができる。
本発明の第5発明、第6発明、第7発明、第8発明、
第9発明、第10発明、第11発明、第12発明、第13発明及
び第14発明の製造方法は、添加する触媒の種類と量によ
り、更に好ましくはそれらに合わせて反応温度をコント
ロールすることにより、水酸基を持つオレフインである
前記式(XX)で示されるフエノール化合物の水酸基部分
をヘキサメチルジシラザンやトリメチルクロロシランな
どの各種シリル化剤で保護しなくともほとんど副反応を
起こさず95%以上の収率で目的化合物を得ることができ
ることを特徴としている。従来、水酸基を持つオレフイ
ンのヒドロシリル化反応においては、ヒドロシリル化触
媒の作用により珪素原子に結合した水素原子と付加しよ
うとするオレフインの持つ水酸基の水素原子が結合する
ことにより副反応である脱水素反応が生じ目的物の収量
を減少させていた。このため水酸基部分を、これに他の
置換基を付加させることによつて保護し、ヒドロシリル
化反応終了後にその保護基を外す操作が必要であつた。
本発明による製造方法を用いることにより、水酸基保護
工程に必要な製造設備への投資や保護置換基として用い
る原料が不要となるため大幅な製造工程の短縮及びコス
トダウンが可能となつた。
本発明において用いられるヒドロシリル化触媒として
は、周期律表第VIII属の金属元素の錯化合物又はそれら
と各種オレフインのコンプレツクスを用いることがで
き、特に白金化合物及びロジウム化合物が良好である。
触媒の使用量は白金化合物の場合で、原料シロキサンの
珪素原子に結合した水素原子1個に対して1×10-8〜1
×10-4モルの範囲が良く、1×10-7〜1×10-5モルの範
囲が特によい。1×10-8モル未満では反応系中の微量の
水分や妨害物質の影響によつて触媒が失活しやすく、1
×10-4モルを越える量では副反応が起きやすく目的シロ
キサン化合物の収量が低下することがある。ロジウム化
合物では原料シロキサンの珪素原子に結合した水素原子
1個に対して1×10-6〜1×10-1モルの範囲がよく、1
×10-5〜1×10-2モルの範囲が特によい。1×10-6モル
未満では反応系中の微量の水分や妨害物質の影響によつ
て触媒が失活しやすく、1×10-1モルを越える量では副
反応が起きやすく目的シロキサン化合物の収量が悪化す
ることがある。
本発明方法におけるヒドロシリル化の反応温度は30〜
150℃の範囲がよく50〜100℃の範囲が特によい。30℃未
満では反応時間が長くかかる上、微量の反応妨害物質の
存在によつて反応がスムーズに進行しないことがあり、
150℃を越える温度では副反応が起きやすく目的シロキ
サン化合物の収量が低下することがある。この反応温度
は使用触媒の種類及び量、又、合成スケールによつて決
定され、触媒として塩化白金酸を原料シロキサンの水素
原子1個に対して1×10-6モル使用し、数kgの合成スケ
ールの場合は、60〜70℃の範囲がよい。反応の終点は、
ガスクロマトグラフイー、赤外分光等によつて確認でき
る。
反応溶媒を用いるときは、α−オレフインでなく、又
活性水素を持たない通常の炭化水素系の溶媒がよく、た
とえばトルエン、キシレン及びヘキサンなどを使用でき
る。しかし、容積効率の悪化や危険物である溶媒の取扱
いなどのデメリツトが大きいので、原料シロキサンが高
粘度であるなど特別の場合をのぞいては、反応溶媒は使
用しない方が望ましい。
以下に本発明の化合物の製造法をより具体的に説明す
る。
本発明の化合物の原料であるヒドロシリル基を有する
シロキサン化合物は、市販品を入手できる他、以下の方
法によつても容易に得られる。
(手法1−a) まず、下記式(XI) (式中、R3、R4、R5及びR6は前記と同じ意味を表わ
し、u1は0〜6の整数を表わす)で示されるシラノール
化合物の1種又は2種以上を開始剤とし、開始剤に対し
0.05〜100モル%のリチウム系触媒の存在下、下記式(X
II) (式中、u2は3〜5の整数を表わし、R5及びR6は前記
と同じ意味を表わす)で示されるシロキサン環状体化合
物の1種又は2種以上を活性水素を有しない極性溶媒中
でアニオン重合させ、又は式(XI)の化合物をそのまま
用いて下記式(XIII)で示される中間体化合物を得る。
(式中、X0はリチウム原子又は水素原子を表わし、
R3、R4、R5及びR6は前記と同じ意味を表わし、u3は0〜
2000の整数を表わす) (手法1−b) 手法1−aによつて得られた中間体、式(XIII)のシ
ロキサン化合物を、下記式(XIV) (R2は前記と同じ意味を表わす)で示されるクロロシ
ラン化合物で重合停止させることによつて下記式(VI) (式中、jは0〜2000の整数を表わし、R2、R3、R4
R5及びR6は前記と同じ意味を表わす)で示されるヒドロ
シリル基含有シロキサン化合物を得る。
(手法1−c) 手法1−aによつて得られた中間体、式(XIII)のシ
ロキサン化合物を、下記式(XV) (R8は前記と同じ意味を表わす)で示されるクロロシ
ラン化合物で重合停止させることによつて下記式(VI
I) (式中、k、l、R3、R4、R5、R6及びR8は前記と同じ
意味を表わす)で示されるヒドロシリル基含有シロキサ
ン化合物を得る。
(手法1−d) 手法1−aによつて得られた中間体、式(XIII)のシ
ロキサン化合物を、トリクロロシランで重合停止させる
ことによつて下記式(VIII) (式中、m、n、p、R3、R4、R5及びR6は前記と同じ
意味を表わす)で示されるヒドロシリル基含有シロキサ
ン化合物を得る。
上記式(VI)、式(VII)及び式(VIII)で示される
シロキサン化合物においてj、k、l、m、n及びpで
表わされるその重合度は、開始剤である上記式(XI)の
化合物と上記式(XII)で示されるシロキサン環状体化
合物の仕込比を変えることによつて任意にコントロール
でき、シロキサン鎖1本当りの数平均分子量が約15万以
下のもの(シロキサンユニツトの個数で2000以下)であ
れば自由に目的分子量のシロキサン化合物を合成でき
る。また、これを越える分子量のものでも重合条件を変
えることにより調製可能である。
又、上記式(VI)、式(VII)及び式(VIII)で示さ
れるシロキサン化合物を合成するとき用いるリチウム系
触媒としては、金属リチウム、ブチルリチウム、水酸化
リチウム及びリチウムトリアルキルシラノレート等を挙
げることができ、これらの1種又は2種以上の混合物を
触媒として用いることができる。
上記式(XI)で示される化合物の例としては、トリメ
チルシラノール、トリエチルシラノール、トリフエニル
シラノール、ジメチルブチルシラノール、ジフエニルブ
チルシラノール、1−ヒドロキシ−1,1,3,3,3−ペンタ
メチルジシロキサン、1−ヒドロキシ−1,1,3,3,5,5,7,
7,7−ノナメチルテトラシロキサン、1−ヒドロキシ−
1,1,3,3,5,5,7,7,9,9,9−ウンデカメチルペンタシロキ
サン、1−ヒドロキシ−1,1,3,3,5,5−ヘキサメチル−
7,7,7−トリフエニルテトラシロキサン、1−ヒドロキ
シ−1,1,3,3,5,5−ヘキサフエニル−7,7,7−トリメチル
テトラシロキサン、1−ヒドロキシ−1,3,5−トリメチ
ル−1,3,5−トリフエニル−7,7,7−トリメチルテトラシ
ロキサン及び1−ヒドロキシ−1,3,5−トリメチル−1,
3,5−トリフエニル−7,7,7−トリフエニルテトラシロキ
サン等がある。
上記式(XII)で示される化合物の例としては、ヘキ
サメチルシクロトリシロキサン、オクタメチルシクロテ
トラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、
ヘキサエチルシクロトリシロキサン、オクタエチルシク
ロテトラシロキサン、デカエチルシクロペンタシロキサ
ン、ヘキサプロピルシクロトリシロキサン、オクタプロ
ピルシクロテトラシロキサン、ヘキサフエニルシクロト
リシロキサン、オクタフエニルシクロテトラシロキサ
ン、1,3,5−トリメチル−1,3,5−トリフエニルシクロト
リシロキサン、1,3,5,7−テトラメチル−1,3,5,7−テト
ラフエニルシクロテトラシロキサン、1,3,5−トリメチ
ル−1,3,5−トリプロピルシクロトリシロキサン及び1,
3,5,7−テトラメチル−1,3,5,7−テトラプロピルシクロ
テトラシロキサン等がある。
上記式(XIV)で示される化合物の例としては、ジメ
チルクロロシラン、ジエチルクロロシラン及びジフエニ
ルクロロシラン等がある。
上記式(XV)で示される化合物の例としては、メチル
ジクロロシラン、エチルジクロロシラン及びフエニルジ
クロロシラン等がある。
(手法2−a)(参考) 次に、下記式(XVI)及び式(XVII) (式中、u4及びu5はそれぞれ0〜8の整数を表わし、
かつu4+u5が3以上の整数であり、u6及びu7は、それぞ
れ0〜2000の整数を表わし、かつu6+u7が1以上であ
り、R5、R6及びR7は前記と同じ意味を表わす)で示され
るシロキサン化合物の1種類又は2種類以上と下記式
(XVIII) (式中、u8は0〜4の整数を表わし、R2、R3、R5及び
R6は前記と同じ意味を表わす)で示されるシロキサン化
合物を硫酸、酸性活性白土などの酸触媒の存在下で平衡
化反応を行うことにより、又は式(XVIII)の化合物を
そのまま用いて下記式(IX) (式中、q、r、R2、R3、R5、R6及びR7は前記と同じ
意味を表わす)で示されるヒドロシリル基含有シロキサ
ン化合物を得る。
上記式(IX)で示されるシロキサン化合物においてq
+rで表わされるその重合度は、式(XVI)及び式(XVI
I)で示される化合物と式(XVIII)の仕込比を変えるこ
とにより、又は式(XVIII)の化合物をそのまま使用す
るときは適当なものを選定することにより、任意にコン
トロールでき、ペンダント部位に存在する珪素原子に結
合した水素原子の割合は、上記式(XVI)中のu4とu5
割合、又、上記式(XVII)中のu6とu7の割合によつて任
意に設定できる。例えばu5及びu7の値が0の化合物を用
いて合成した場合、又は式(XVIII)の化合物をそのま
ま使用する場合は、上記式(IX)中のrの値が0の、両
末端にのみ珪素原子に結合した水素原子を持つ化合物で
ある下記式(IX′)を得ることができる。
(式中、qは0〜2000の整数を表わし、R2、R3、R5
びR6は前記と同じ意味を表わす) (手法2−b) 手法2−aにおいて、式(XVIII)で示される化合物
にかえて下記式(XIX) (式中、u9は0〜4の整数を表わし、R2、R3、R5
R6、R9及びR10は前記と同じ意味を表わす)で示される
シロキサン化合物を用い、u5≧1である式(XVI)の化
合物及びu7≧1である式(XVII)の化合物を用いて硫
酸、酸性活性白土などの酸触媒の存在下で平衡化反応を
行うことにより、下記式(X) (式中、sは0〜2000の整数を表わし、tは1〜2000
の整数を表わし、R2、R3、R5、R6、R7、R9及びR10は前
記と同じ意味を表わす)で示されるヒドロシリル基含有
シロキサン化合物を得る。
上記式(XVI)で示される化合物の例としては、ヘキ
サメチルシクロトリシロキサン、オクタメチルシクロテ
トラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、
ヘキサエチルシクロトリシロキサン、オクタエチルシク
ロテトラシロキサン、デカエチルシクロペンタシロキサ
ン、ヘキサプロピルシクロトリシロキサン、オクタプロ
ピルシクロテトラシロキサン、デカプロピルシクロペン
タシロキサン、ヘキサフエニルシクロトリシロキサン、
オクタフエニルシクロテトラシロキサン、デカフエニル
シクロペンタシロキサン、1,3,5−トリメチルシクロト
リシロキサン、1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシ
ロキサン、1,3,5,7,9−ペンタメチルシクロペンタシロ
キサン、1,3,5−トリメチル−1,3,5−トリフエニルシク
ロトリシロキサン、1,3,5,7−テトラメチル−1,3,5,7−
テトラフエニルシクロテトラシロキサン、1,3,5−トリ
メチル−1,3,5−トリプロピルシクロトリシロキサン、
1,3,5,7−テトラメチル−1,3,5,7−テトラプロピルシク
ロテトラシロキサン、1,1,3,3,5−ペンタメチルシクロ
トリシロキサン、1,1,3,5−テトラメチルシクロトリシ
ロキサン、1,1,3,3,5,5,7−ヘプタメチルシクロテトラ
シロキサン、1,1,3,3,5,7−ヘキサメチルシクロテトラ
シロキサン、1,1,3,5,5,7−ヘキサメチルシクロテトラ
シロキサン及び1,1,3,5,7−ペンタメチルシクロテトラ
シロキサン等がある。
上記式(XVII)で示される化合物の例としては、 (式中、Meはメチル基、Etはエチル基、Prはプロピル
基、Phはフエニル基を表わし、yは1〜2000の整数を表
わし、y0、y1、y2+y3はそれぞれ独立に0〜2000の整数
を表わすがy0+y1≧1、y0+y2+y3≧1である)等があ
る。
上記式(XVIII)で示される化合物の例としては、1,
1,3,3−テトラメチルジシロキサン、1,1,3,3−テトラフ
エニルジシロキサン及び1,1−ジメチル−3,3−ジフエニ
ルジシロキサン等がある。
上記式(XIX)で示される化合物の例としては、ヘキ
サメチルジシロキサン、ヘキサフエニルジシロキサン及
び1,1,1,3,3,5,5,5−オクタメチルジシロキサン等があ
る。
以上のような手法にて得られた珪素原子に結合した水
素原子を有するシロキサン化合物を原料に用いて、次に
示すヒドロシリル化反応により本発明の目的とするシロ
キサン化合物を得る。
(1)水酸基含有置換基を基準としたシロキサン鎖の本
数が1本のシロキサン化合物 まず上記手法によつて得られた、目的とする置換基の
種類(メチル基、エチル基、フエニル基など)及び分子
量を持つ下記式(VI)で示されるヒドロシリル基含有シ
ロキサン化合物と前記式(XX)で示されるフエノール化
合物を、周期律表第VIII属の金属元素の錯化合物又はそ
れらと各種オレフインのコンプレツクスを触媒として用
いヒドロシリル化反応を行うことにより、第1発明であ
る下記式(I)で示されるシロキサン化合物を得る。
(式中、j、R1、R2、R3、R4、R5及びR6は前記と同じ
意味を表わし、Xは前記式(XX)で示されるフエノール
化合物を示す) (2)水酸基含有置換基を基準としたシロキサン鎖の本
数が2本のシロキサン化合物 まず上記手法によつて得られた、目的とする置換基の
種類及び分子量を持つ下記式(VII)で示されるヒドロ
シリル基含有シロキサン化合物と前記式(XX)で示され
るフエノール化合物を、周期律表第VIII属の金属元素の
錯化合物又はそれらと各種オレフインのコンプレツクス
を触媒として用いヒドロシリル化反応を行うことによ
り、第2発明である下記式(II)で示されるシロキサン
化合物を得る。
(式中、k、l、R1、R8、R3、R4、R5、R6及びXは前
記と同じ意味を表わす) (3)水酸基含有置換基を基準としたシロキサン鎖の本
数が3本のシロキサン化合物 まず上記手法によつて得られた、目的とする置換基の
種類及び分子量を持つ下記式(VIII)で示されるヒドロ
シリル基含有シロキサン化合物と前記式(XX)で示され
る化合物を、周期律表第VIII属の金属元素の錯化合物又
はそれらと各種オレフインのコンプレツクスを触媒とし
て用いヒドロシリル化反応を行うことにより、第3発明
である下記式(III)で示されるシロキサン化合物を得
る。
(式中、m、n、p、R1、R3、R4、R5、R6及びXは前
記と同じ意味を表わす) (5)シロキサン分子鎖のペンダント部位に任意の割合
の水酸基含有置換基を持つシロキサン化合物 まず上記手法によつて得られた、目的とするペンダン
ト部位の水酸基含有置換基と置換さるべき水素原子の割
合、置換基の種類及び分子量を持つ下記式(X)で示さ
れるヒドロシリル基含有シロキサン化合物と前記式(X
X)で示されるフエノール化合物を、周期律表第VIII属
の金属元素の錯化合物又はそれらと各種オレフインのコ
ンプレツクスを触媒として用いヒドロシリル化反応を行
うことで第4発明である下記式(V)で示される目的シ
ロキサン化合物を得る。
(式中、sは0〜2000の整数を表わし、tは1〜2000
の整数を表わし、R1、R2、R3、R5、R6、R7、R9、R10
びXは前記と同じ意味を表わす) 前記式(XX)で示されるフエノール化合物としては、
o−アリルフエノール、p−アリルフエノール、m−ア
リルフエノール、p−ヒドロキシ−m−メトキシ−2−
プロペニルベンゼン、3−(2,5−ジヒドロキシフエニ
ル)−1−プロペン、3−(3,4−ジヒドロキシフエニ
ル)−1−プロペン、3−(3,5−ジヒドロキシフエニ
ル)−1−プロペン、3−(3−メチル−5−ヒドロキ
シフエニル)プロペン、3−メチル−5−ヒドロキシフ
エニルエテン、3−(3−エチル−5−ヒドロキシフエ
ニル)プロペン、3−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキ
シフエニル)プロペン等を挙げることができる。
以上のようにして第1発明の一般式(I)、第2発明
の一般式(II)、第3発明の一般式(III)、及び第4
発明の一般式(V)で示される水酸基含有置換基を有す
る新規シロキサン化合物を安価な製造方法で容易に得る
ことができる。
〔発明の効果〕
本発明のシロキサン化合物は、エポキシ樹脂を用いた
半導体素子の樹脂封止においてその内部応力を緩和する
のに極めて優れたシロキサン化合物である。更に、水酸
基含有置換基を基準としたシロキサン鎖の本数及び両末
端部位に加えペンダント部位への水酸基含有置換基の導
入割合などをコントロールしたシロキサン化合物を任意
に得ることができるので、緻密で多彩な要求特性にも対
応した化合物を供給できる。
又、本発明の製造方法では水酸基部位の保護が不要で
あるため保護置換基用の原料が不要となる上、水酸基を
保護する工程とそれを外す工程が不要となり、それだけ
原料費、設備費及び装置運転費が削減され、より迅速に
安価な製品の供給が可能となる。
〔実施例〕
以下に実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明する
が、本発明はこれらの実施例によつて何ら限定されるも
のではない。
参考例1 1−ヒドロ−1,1,3,3,5,5,7,7,9,9,9−ウンデカメチル
ペンタシロキサンの製造 攪拌装置と冷却装置を取り付けた3l三口丸底フラスコ
にトリメチルシラノール90.0gをN2気流下で仕込み、ブ
チルリチウムヘキサン溶液(1.5モル/l)666mlを滴下し
つつ添加した。更に、その中へ乾燥テトラヒドロフラン
300mlに溶解させたヘキサメチルシクロトリシロキサン2
23gを仕込み、20℃で10時間重合させた。
次に、ジメチルクロロシラン94.6gとトリエチルアミ
ン101gを加え1時間攪拌し重合を停止させた。合成物を
分液ロートに移し、生成した塩を水洗により除去した
後、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。こうして得られ
た反応生成物から低沸点成分を100℃/100mmHgの条件で
2時間かけて留去し、釜残に目的シロキサン化合物をほ
ぼ定量的な収率で得た。得られたシロキサン化合物の1H
‐NMRスペクトル、IRスペクトルのそれぞれの分析結果
及びSi-H基定量データは下記の通りであり、次式の構造
と確認された。
(式中、z1はシロキサンユニツトの個数を表わす)1 H‐NMR(CDCl3):δppm 0.10(Si-CH 3,s,33H) 4.55(Si-H,m,1H) IR(KBr) 2970cm-1(C−H) 2250cm-1(Si-H) 1260cm-1(Si-CH3) 1120〜1050cm-1(Si-O) Si-H基の定量データ H〔ppm〕 2703〔ppm〕 H〔ppm〕よりの計算当量 370 実施例1 1−{3−(o−ヒドロキシフエニル)プロピル}−1,
1,3,3,5,5,7,7,9,9,9−ウンデカメチルペンタシロキサ
ンの製造 攪拌装置と冷却装置を取り付けた1三口丸底フラス
コに参考例1で得られた1−ヒドロ−1,1,3,3,5,5,7,7,
9,9,9−ウンデカメチルペンタシロキサン74.0gを仕込み
60℃に加熱した。これに塩化白金酸1.0×10-4gを添加
したのちにo−アリルフエノール40.2gを滴下しつつ添
加した。滴下終了後、そのまま2時間熟成させた。こう
して得られた反応生成物から低沸点成分を100℃/1mmHg
の条件で2時間かけて留去し、釜残に目的シロキサン化
合物をほぼ定量的な収率で得た。
得られたシロキサン化合物の1H‐NMRスペクトル、IR
スペクトル、粘度のそれぞれの分析結果及び水酸基定量
データは下記のとおりであり、次式の構造と確認され
た。
(式中、X3はo−ヒドロキシフエニル基を表わし、z1
はシロキサンユニツトの個数を表わす)1 H‐NMR(CDCl3):δppm 0.1(Si-CH 3,s,33H) 0.5〜2.7(Si-CH 2CH 2CH 2−,broad,6H) 6.3〜7.2(フエニル基,m,4H) IR(KBr) 3650〜3200cm-1(−OH) 2970cm-1(C−H) 1260cm-1(Si-CH3) 1120〜1050cm-1(Si-O) 750cm-1(1,2−二置換フエニル基) 水酸基の定量データ 水酸基 3.38重量% 粘度(25℃) 50センチポイズ 参考例2 α位にヒドロシリル基を有するシロキサン化合物の製造 攪拌装置と冷却装置を取り付けた3l三口丸底フラスコ
にトリメチルシラノール18.0gをN2気流下で仕込み、ブ
チルリチウムヘキサン溶液(1.5モル/l)133mlを滴下し
つつ添加した。更に、その中へ乾燥テトラヒドロフラン
200mlに溶解させたヘキサメチルシクロトリシロキサン1
71gを仕込み、20℃で20時間重合させた。
次に、ジメチルクロロシラン19.0gとトリエチルアミ
ン21gを加え1時間攪拌し重合を停止させた。合成物を
分液ロートに移し、生成した塩を水洗により除去した
後、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。こうして得られ
た反応生成物から低沸点成分を100℃/1mmHgの条件で2
時間かけて留去し、釜残に目的シロキサン化合物をほぼ
定量的な収率で得た。
得られたシロキサン化合物のIRスペクトル、GPC(ゲ
ルパーミエーシヨンクロマトグラフイー)、粘度のそれ
ぞれの分析結果及びSi-H基定量データは下記のとおりで
あり、次式の構造と確認された。
(式中、z2はシロキサンユニツトの個数を表わす) IR(KBr) 2970cm-1(C−H) 2250cm-1(Si-H) 1260cm-1(Si-CH3) 1120〜1050cm-1(Si-O) GPC(トルエン)ポリスチレン換算分子量 数平均分子量 (Mn) 1200 重量平均分子量(Mw) 1300 分散度 (Mw/Mn) 1.1 Si-H基の定量データ H〔ppm〕 1074〔ppm〕 H〔ppm〕よりの計算当量 931 粘度(25℃) 6センチポイズ 実施例2 α位にヒドロキシフエニル基を有するシロキサン化合物
の製造 攪拌装置と冷却装置を取り付けた1三口丸底フラス
コに参考例2で得られたα位にヒドロシリル基を有する
シロキサン化合物465.5gを仕込み60℃に加熱した。これ
に塩化白金酸2.6×10-4gを添加したのちにo−アリル
フエノール80.4gを滴下しつつ添加した。滴下終了後、
そのまま2時間熟成させた。
こうして得られた反応生成物から低沸点成分を150℃/
1mmHgの条件で2時間かけて留去し、釜残に目的シロキ
サン化合物をほぼ定量的な収率で得た。得られたシロキ
サン化合物のIRスペクトル、粘度のそれぞれの分析結果
及び水酸基定量データは下記のとおりであり、次式の構
造と確認された。
(式中、X3はo−ヒドロキシフエニル基を表わし、z2
はシロキサンユニツトの個数を表わす) IR(KBr) 3650〜3200cm-1(−OH) 2970cm-1(C−H) 1260cm-1(Si-CH3) 1120〜1050cm-1(Si-O) 750cm-1(1,2−二置換フエニル基) 水酸基の定量データ 水酸基 1.60重量% 粘度(25℃) 22センチポイズ 参考例3 α位にヒドロシリル基を有するシロキサン化合物の製造 攪拌装置と冷却装置を取り付けた5l三口丸底フラスコ
にトリメチルシラノール2.7gをN2気流下で仕込み、ブチ
ルリチウムヘキサン溶液(1.5モル/l)20mlを滴下しつ
つ添加した。更に、その中へ乾燥テトラヒドロフラン20
00mlに溶解させたヘキサメチルシクロトリシロキサン22
23gを仕込み、25℃で25時間重合させた。
次に、ジメチルクロロシラン3.12gとトリエチルアミ
ン4gを加え1時間攪拌し重合を停止させた。合成物を分
液ロートに移し、生成した塩を水洗により除去した後、
無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。
こうして得られた反応生成物から低沸点成分を150℃/
1mmHgの条件で2時間かけて留去し、釜残に目的シロキ
サン化合物をほぼ定量的な収率で得た。
得られたシロキサン化合物のIRスペクトル、GPC(ゲ
ルパーミエーシヨンクロマトグラフイー)、粘度のそれ
ぞれの分析結果及びSi-H基定量データは下記のとおりで
あり、次式の構造と確認された。
(式中、z3はシロキサンユニツトの個数を表わす) IR(KBr) 2970cm-1(C−H) 2250cm-1(Si-H) 1260cm-1(Si-CH3) 1120〜1050cm-1(Si-O) GPC(トルエン)ポリスチレン換算分子量 数平均分子量 (Mn) 63600 重量平均分子量(Mw) 79800 分散度 (Mw/Mn) 1.3 Si-H基の定量データ H〔ppm〕 15.1〔ppm〕 H〔ppm〕よりの計算当量 66230 粘度(25℃) 4310センチポイズ 実施例3 α位にヒドロキシフエニル基を有するシロキサン化合物
の製造 攪拌装置と冷却装置を取り付けた1三口丸底フラス
コに参考例3で得られたα位にヒドロシリル基を有する
シロキサン化合物100.0gとトルエン50ml及びo−アリル
フエノール0.3gを仕込み80℃に加熱した。これに塩化白
金酸0.078×10-4gを添加し、そのまま2時間熟成させ
た。こうして得られた反応生成物から低沸点成分を150
℃/1mmHgの条件で2時間かけて留去し、釜残に目的シロ
キサン化合物をほぼ定量的な収率で得た。
得られたシロキサン化合物のIRスペクトル、GPC(ゲ
ルパーミエーシヨンクロマトグラフイー)、粘度のそれ
ぞれの分析結果及び水酸基定量データは下記のとおりで
あり、次式の構造と確認された。
(式中、X3はo−ヒドロキシフエニル基を表わし、z3
はシロキサンユニツトの個数を表わす) IR(KBr) 3650〜3200cm-1(−OH) 2970cm-1(C−H) 1260cm-1(Si-CH3) 1120〜1050cm-1(Si-O) 750cm-1(1,2−二置換フエニル基) GPC(トルエン)ポリスチレン換算分子量 数平均分子量 (Mn) 54200 重量平均分子量(Mw) 79700 分散度 (Mw/Mn) 1.5 水酸基の定量データ 水酸基 0.03重量% 粘度(25℃) 10940センチポイズ 参考例4 ヒドロシリル基を基準としたシロキサン鎖が2本のシロ
キサン化合物の製造 攪拌装置と冷却装置を取り付けた3l三口丸底フラスコ
にトリメチルシラノール18.0gをN2気流下で仕込み、ブ
チルリチウムヘキサン溶液(1.5モル/l)133mlを滴下し
つつ添加した。更に、その中へ乾燥テトラヒドロフラン
200mlに溶解させたヘキサメチルシクロトリシロキサン1
71gを仕込み、20℃で20時間重合させた。
次に、メチルジクロロシラン11.5gとトリエチルアミ
ン21gを加え1時間攪拌し重合を停止させた。合成物を
分液ロートに移し、生成した塩を水洗により除去した
後、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。こうして得られ
た反応生成物から低沸点成分を100℃/1mmHgの条件で2
時間かけて留去し、釜残に目的シロキサン化合物をほぼ
定量的な収率で得た。
得られたシロキサン化合物のIRスペクトル、GPC(ゲ
ルパーミエーシヨンクロマトグラフイー)、粘度のそれ
ぞれの分析結果及びSi-H基定量データは下記の通りであ
り、次式の構造と確認された。
(式中、z4及びz5はそれぞれシロキサンユニツトの個
数を表わす) IR(KBr) 2970cm-1(C−H) 2250cm-1(Si-H) 1260cm-1(Si-CH3) 1120〜1050cm-1(Si-O) GPC(トルエン)ポリスチレン換算分子量 数平均分子量 (Mn) 1700 重量平均分子量(Mw) 2100 分散度 (Mw/Mn) 1.2 Si-H基の定量データ H〔ppm〕 503〔ppm〕 H〔ppm〕よりの計算当量 1990 粘度(25℃) 28センチポイズ 実施例4 ヒドロキシフエニル基を基準としたシロキサン鎖が2本
のシロキサン化合物の製造 攪拌装置と冷却装置を取り付けた1三口丸底フラス
コに参考例4で得られたヒドロシリル基を基準としたシ
ロキサン鎖が2本のシロキサン化合物99.5g及びo−ア
リルフエノール10.1gを仕込み60℃に加熱した。これに
塩化白金酸2.6×10-4gを添加し、そのまま2時間熟成
させた。こうして得られた反応生成物から低沸点成分を
150℃/1mmHgの条件で2時間かけて留去し、釜残に目的
シロキサン化合物をほぼ定量的な収率で得た。
得られたシロキサン化合物のIRスペクトル、GPC(ゲ
ルパーミエーシヨンクロマトグラフイー)、粘度のそれ
ぞれの分析結果及び水酸基定量データは下記のとおりで
あり、次式の構造と確認された。
(式中、X3はo−ヒドロキシフエニル基を表わし、z4
及びz5はそれぞれシロキサンユニツトの個数を表わす) IR(KBr) 3650〜3200cm-1(−OH) 2970cm-1(C−H) 1260cm-1(Si-CH3) 1120〜1050cm-1(Si-O) 750cm-1(1,2−二置換フエニル基) GPC(トルエン)ポリスチレン換算分子量 数平均分子量 (Mn) 1200 重量平均分子量(Mw) 2010 分散度 (Mw/Mn) 1.7 水酸基の定量データ 水酸基 0.80重量% 粘度(25℃) 64センチポイズ 参考例5 ヒドロシリル基を基準としたシロキサン鎖が2本のシロ
キサン化合物の製造 攪拌装置と冷却装置を取り付けた5l三口丸底フラスコ
にトリメチルシラノール67.5gをN2気流下で仕込み、ブ
チルリチウムヘキサン溶液(1.5モル/l)500mlを滴下し
つつ添加した。更に、その中へ乾燥テトラヒドロフラン
1500mlに溶解させたヘキサメチルシクロトリシロキサン
1217gを仕込み、20℃で25時間重合させた。
次に、メチルジクロロシラン43.1gとトリエチルアミ
ン76gを加え1時間攪拌し重合を停止させた。合成物を
分液ロートに移し、生成した塩を水洗により除去した
後、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。こうして得られ
た反応生成物から低沸点成分を150℃/1mmHgの条件で2
時間かけて留去し、釜残に目的シロキサン化合物をほぼ
定量的な収率で得た。
得られたシロキサン化合物のIRスペクトル、GPC(ゲ
ルパーミエーシヨンクロマトグラフイー)、粘度のそれ
ぞれの分析結果及びSi-H基定量データは下記のとおりで
あり、次式の構造と確認された。
(式中、z6及びz7はそれぞれシロキサンユニツトの個
数を表わす) IR(KBr) 2970cm-1(C−H) 2250cm-1(Si-H) 1260cm-1(Si-CH3) 1120〜1050cm-1(Si-O) GPC(トルエン)ポリスチレン換算分子量 数平均分子量 (Mn) 21200 重量平均分子量(Mw) 23400 分散度 (Mw/Mn) 1.1 Si-H基の定量データ H〔ppm〕 49.6〔ppm〕 H〔ppm〕よりの計算当量 20170 粘度(25℃) 371センチポイズ 実施例5 ヒドロキシフエニル基を基準としたシロキサン鎖が2本
のシロキサン化合物の製造 攪拌装置と冷却装置を取り付けた1三口丸底フラス
コに参考例5で得られたヒドロシリル基を基準としたシ
ロキサン鎖が2本のシロキサン化合物201.7g及びo−ア
リルフエノール2.01gを仕込み70℃に加熱した。これに
塩化白金酸0.52×10-4gを添加し、そのまま2時間熟成
させた。こうして得られた反応生成物から低沸点成分を
150℃/1mmHgの条件で2時間かけて留去し、釜残に目的
シロキサン化合物をほぼ定量的な収率で得た。
得られたシロキサン化合物IRスペクトル、GPC(ゲル
パーミエーシヨンクロマトグラフイー)、粘度のそれぞ
れの分析結果及び水酸基定量データは下記のとおりであ
り、次式の構造と確認された。
(式中、X3はo−ヒドロキシフエニル基を表わし、z6
及びz7はそれぞれシロキサンユニツトの個数を表わす) IR(KBr) 3650〜3200cm-1(−OH) 2970cm-1(C−H) 1260cm-1(Si-CH3) 1120〜1050cm-1(Si-O) 750cm-1(1,2−二置換フエニル基) GPC(トルエン)ポリスチレン換算分子量 数平均分子量 (Mn) 16700 重量平均分子量(Mw) 22600 分散度 (Mw/Mn) 1.4 水酸基の定量データ 水酸基 0.08重量% 粘度(25℃) 871センチポイズ 参考例6 ヒドロシリル基を基準としたシロキサン鎖が3本のシロ
キサン化合物の製造 攪拌装置と冷却装置を取り付けた5l三口丸底フラスコ
にトリメチルシラノール67.5gをN2気流下で仕込み、ブ
チルリチウムヘキサン溶液(1.5モル/l)500mlを滴下し
つつ添加した。更に、その中へ乾燥テトラヒドロフラン
1500mlに溶解させたヘキサメチルシクロトリシロキサン
1217gを仕込み、20℃で17時間重合させた。
次に、トリクロロシラン34.0gとトリエチルアミン76g
を加え1時間攪拌し重合を停止させた。合成物を分液ロ
ートに移し、生成した塩を水洗により除去した後、無水
硫酸ナトリウムで乾燥させた。こうして得られた反応生
成物から低沸点成分を150℃/1mmHgの条件で2時間かけ
て留去し、釜残に目的シロキサン化合物をほぼ定量的な
収率で得た。
得られたシロキサン化合物のIRスペクトル、GPC(ゲ
ルパーミエーシヨンクロマトグラフイー)、粘度のそれ
ぞれの分析結果及びSi-H基定量データは下記のとおりで
あり、次式の構造と確認された。
(式中、z8、z9及びz10はそれぞれシロキサンユニツ
トの個数を表わす) IR(KBr) 2970cm-1(C−H) 2250cm-1(Si-H) 1260cm-1(Si-CH3) 1120〜1050cm-1(Si-O) GPC(トルエン)ポリスチレン換算分子量 数平均分子量 (Mn) 4200 重量平均分子量(Mw) 5300 分散度 (Mw/Mn) 1.3 Si-H基の定量データ H〔ppm〕 217〔ppm〕 H〔ppm〕よりの計算当量 4610 粘度(25℃) 38センチポイズ 実施例6 ヒドロキシフエニル基を基準としたシロキサン鎖が3本
のシロキサン化合物の製造 攪拌装置と冷却装置を取り付けた1三口丸底フラス
コに参考例6で得られたヒドロシリル基を基準としたシ
ロキサン鎖が3本のシロキサン化合物461g及びo−アリ
ルフエノール20.1gを仕込み70℃に加熱した。これに塩
化白金酸5.2×10-4gを添加し、そのまま2時間熟成さ
せた。こうして得られた反応生成物から低沸点成分を15
0℃/1mmHgの条件で2時間かけて留去し、釜残に目的シ
ロキサン化合物をほぼ定量的な収率で得た。
得られたシロキサン化合物のIRスペクトル、GPC(ゲ
ルパーミエーシヨンクロマトグラフイー)、粘度のそれ
ぞれの分析結果及び水酸基定量データは下記のとおりで
あり、次式の構造と確認された。
(式中、X3はo−ヒドロキシフエニル基を表わし、
z8、z9及びz10はそれぞれシロキサンユニツトの個数を
表わす) IR(KBr) 3650〜3200cm-1(−OH) 2970cm-1(C−H) 1260cm-1(Si-CH3) 1120〜1050cm-1(Si-O) 750cm-1(1,2−二置換フエニル基) GPC(トルエン)ポリスチレン換算分子量 数平均分子量 (Mn) 3750 重量平均分子量(Mw) 5280 分散度 (Mw/Mn) 1.4 水酸基の定量データ 水酸基 0.36重量% 粘度(25℃) 141センチポイズ 参考例12 シロキサン鎖ペンダント部位にヒドロシリル基を有する
シロキサン化合物の製造 攪拌装置と冷却装置を取り付けた2l三口丸底フラスコ
にオクタメチルシクロテトラシロキサン320g、1,3,5,7
−テトラメチルシクロテトラシロキサン230g、ヘキサメ
チルジシロキサン355g及び触媒として酸性活性白土2gを
仕込み、70℃で25時間重合させた。反応終了後、触媒を
過にて除去し、得られた反応生成物から低沸点成分を
100℃/100mmHgの条件で1時間かけて留去し、釜残に目
的シロキサン化合物をほぼ定量的な収率で得た。
得られたシロキサン化合物のIRスペクトル、粘度のそ
れぞれの分析結果及びSi-H基定量データは下記のとおり
であり、次式の構造と確認された。
(式中、z18及びz19はそれぞれシロキサンユニツトの
個数を表わす) IR(KBr) 2970cm-1(C−H) 2250cm-1(Si-H) 1260cm-1(Si-CH3) 1120〜1050cm-1(Si-O) Si-H基の定量データ H〔ppm〕 4220〔ppm〕 H〔ppm〕よりの計算当量 237 粘度(25℃) 5センチポイズ 実施例12 シロキサン鎖ペンダント部位にヒドロキシフエニル基を
有するシロキサン化合物の製造 攪拌装置と冷却装置を取り付けた1三口丸底フラス
コに参考例12で得られたシロキサン化合物90.5gを仕込
み70℃に加熱した。これに塩化白金酸0.2×10-4gを添
加した後にo−アリルフエノール76.7gを滴下にて添加
した。滴下終了後、そのまま2時間熟成させた。こうし
て得られた反応生成物から低沸点成分を120℃/1mmHgの
条件で2時間かけて留去し、釜残に目的シロキサン化合
物をほぼ定量的な収率で得た。
得られたシロキサン化合物のIRスペクトル、粘度のそ
れぞれの分析結果及び水酸基定量データは下記のとおり
であり、次式の構造と確認された。
(式中、X3はo−ヒドロキシフエニル基を表わし、z
18及びz19はそれぞれシロキサンユニツトの個数を表わ
す) IR(KBr) 3650〜3200cm-1(−OH) 2970cm-1(C−H) 1260cm-1(Si-CH3) 1120〜1050cm-1(Si-O) 750cm-1(1,2−二置換フエニル基) 水酸基の定量データ 水酸基 4.60重量% 粘度(25℃) 148センチポイズ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−234551(JP,A) 特開 平2−28213(JP,A) 特開 平2−155915(JP,A) 特開 平2−256605(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) C07F 7/08 C08G 77/38 CA(STN) REGISTRY(STN)

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一般式(II) (式中、k及びlはそれぞれ0〜2000の整数を表わし、
    R1は次式 (式中、Rは炭素原子数1〜4のアルキル基又は炭素原
    子数1〜4のアルコキシ基を表わし、Aは炭素原子数1
    〜4の2価の炭化水素基を表わし、aは0〜3の整数を
    表わし、bは1又は2である)で示される基を表わし、
    R3、R4、R5、R6及びR8は、それぞれ炭素原子数1〜4の
    アルキル基又はフェニル基を表わす)によって示される
    シロキサン化合物。
  2. 【請求項2】一般式(III) (式中、m、n及びpはそれぞれ0〜2000の整数を表わ
    し、R1、R3、R4、R5及びR6は請求項1に記載したものと
    同じ意味を表わす)によって示されるシロキサン化合
    物。
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