JP2768657B2 - 位相反転マスク及びその製造方法 - Google Patents
位相反転マスク及びその製造方法Info
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は位相反転マスク及び
その製造方法に関し、特に光遮断膜パターンの隣接部分
では入射光を３種類に連続するよう位相反転させ二電場
の消滅干渉効果を用いる位相反転マスクに関する。
その製造方法に関し、特に光遮断膜パターンの隣接部分
では入射光を３種類に連続するよう位相反転させ二電場
の消滅干渉効果を用いる位相反転マスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置の軽薄短小化の勢いに
従い配線間の距離が減少され、段差が増加され、トラン
ジスタやキャパシター等のような単位素子の大きさも減
少されてパターンの微細化が次第に加速されている。
従い配線間の距離が減少され、段差が増加され、トラン
ジスタやキャパシター等のような単位素子の大きさも減
少されてパターンの微細化が次第に加速されている。
【０００３】一般に感光膜パターン形成のための露光工
程の際、用いられる露光マスクは石英基板にクロム層や
アルミニウム等の光遮断膜を塗布した後、イオンビーム
エッチングにより光遮断膜パターンを形成する。しか
し、一般の露光マスクでは光分解能以下の微細パターン
の形成が困難であり、現在用いられている通常の感光液
や露光装置、例えば波長が４３６ｎｍであるＧライン
や、３６５ｎｍであるＩラインストッパでは０．５μｍ
以下の微細パターンを得ることが困難である。
程の際、用いられる露光マスクは石英基板にクロム層や
アルミニウム等の光遮断膜を塗布した後、イオンビーム
エッチングにより光遮断膜パターンを形成する。しか
し、一般の露光マスクでは光分解能以下の微細パターン
の形成が困難であり、現在用いられている通常の感光液
や露光装置、例えば波長が４３６ｎｍであるＧライン
や、３６５ｎｍであるＩラインストッパでは０．５μｍ
以下の微細パターンを得ることが困難である。
【０００４】しかも、６４Ｍディーラム以上の超高集積
素子等は０．５μｍ以下の微細パターンが要求され、こ
のような極微細パターンは高解像度の感光膜パターンを
得るため位相反転マスク（ｐｈａｓｅ ｓｈｉｆｔ ｍ
ａｓｋ）を用いて形成されている。
素子等は０．５μｍ以下の微細パターンが要求され、こ
のような極微細パターンは高解像度の感光膜パターンを
得るため位相反転マスク（ｐｈａｓｅ ｓｈｉｆｔ ｍ
ａｓｋ）を用いて形成されている。
【０００５】通常の位相反転マスクでは、露光マスクの
光遮断膜パターン等と共に光の位相を１８０°又は９０
°反転させる位相反転膜パターンを形成し、露光工程の
際、ウェーハ上に照射される光の振幅を一定に保持し、
位相反転膜パターンを通過した光とその位相反転膜の隣
接パターンを通過した光との干渉による露光効果が最小
になるようにして感光膜パターンの解像度を向上させる
原理を用いた位相反転マスクがある。
光遮断膜パターン等と共に光の位相を１８０°又は９０
°反転させる位相反転膜パターンを形成し、露光工程の
際、ウェーハ上に照射される光の振幅を一定に保持し、
位相反転膜パターンを通過した光とその位相反転膜の隣
接パターンを通過した光との干渉による露光効果が最小
になるようにして感光膜パターンの解像度を向上させる
原理を用いた位相反転マスクがある。
【０００６】このような位相反転マスクは入射される光
の波長λと、屈折率ｎである位相反転物質を光の位相が
１６０〜２００°程度反転するような厚さで形成し、感
光膜に照射する光のコントラスト（ｃｏｎｔｒａｓｔ）
比を大きくした。たとえば、入射光がＧ−ライン又は、
ｉ−ラインであり、位相反転物質でＳ，Ｏ，Ｇ（ｓｐｉ
ｎ ｏｎ ｇｌａｓｓ：以下ＳＯＧという）、酸化膜又
は、窒化膜等を用いる場合に位相反転物質を３４００〜
４０００Å程度の厚さに形成すれば良い。
の波長λと、屈折率ｎである位相反転物質を光の位相が
１６０〜２００°程度反転するような厚さで形成し、感
光膜に照射する光のコントラスト（ｃｏｎｔｒａｓｔ）
比を大きくした。たとえば、入射光がＧ−ライン又は、
ｉ−ラインであり、位相反転物質でＳ，Ｏ，Ｇ（ｓｐｉ
ｎ ｏｎ ｇｌａｓｓ：以下ＳＯＧという）、酸化膜又
は、窒化膜等を用いる場合に位相反転物質を３４００〜
４０００Å程度の厚さに形成すれば良い。
【０００７】位相反転マスクを用いれば、従来の感光液
及び露光装備を用いて０．５μｍ以下の微細パターンも
形成することが可能であり、このような位相反転マスク
としてはレベンソン型、エッジ強調型等がある。
及び露光装備を用いて０．５μｍ以下の微細パターンも
形成することが可能であり、このような位相反転マスク
としてはレベンソン型、エッジ強調型等がある。
【０００８】従来の位相反転マスクを説明するための図
１乃至図２を、相互連関させて説明する。
１乃至図２を、相互連関させて説明する。
【０００９】先ず、図１（ａ）の位相反転マスク（２）
では、ガラスや石英等の透明基板（３）上に一定間隔及
び幅（ライン／スペース）を有する位相反転膜パターン
（４）が反転形成されており、その上側により小さいラ
イン／スペースを有するクロムからなる光遮断膜パター
ン（５）が形成されている。
では、ガラスや石英等の透明基板（３）上に一定間隔及
び幅（ライン／スペース）を有する位相反転膜パターン
（４）が反転形成されており、その上側により小さいラ
イン／スペースを有するクロムからなる光遮断膜パター
ン（５）が形成されている。
【００１０】この位相反転マスク（２）では、位相反転
膜パターン（４）を通過した光と透明基板（３）のみを
通過した光の間に、図１（ｂ）に示しているように、電
場（６）、（７）が１８０°の位相差を見せる。
膜パターン（４）を通過した光と透明基板（３）のみを
通過した光の間に、図１（ｂ）に示しているように、電
場（６）、（７）が１８０°の位相差を見せる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】従って、ウェーハ上に
到達した光は図２のような干渉によりイメージコントラ
ストが向上するが、光の波長等が一定の場合、焦点深度
やパターン微細化に限界を有してある程度以上では素子
の高集積化が困難になるという問題点がある。
到達した光は図２のような干渉によりイメージコントラ
ストが向上するが、光の波長等が一定の場合、焦点深度
やパターン微細化に限界を有してある程度以上では素子
の高集積化が困難になるという問題点がある。
【００１２】本発明は前記のような問題点を解決するた
めのもので、位相反転マスクより出てくる光コントラス
トを改良したり、コントラスト曲線の両側傾斜度を増加
させるためのものである。
めのもので、位相反転マスクより出てくる光コントラス
トを改良したり、コントラスト曲線の両側傾斜度を増加
させるためのものである。
【００１３】本発明の目的は、光遮断膜パターンを中心
に順次位相反転が二度以上ずつ生じるよう多層の微細な
位相反転膜パターンを容易に形成しイメージコントラス
トの傾斜角を急にして、素子の高集積化に有利であり、
工程マージンが向上されて素子動作の信頼性及び工程収
率を向上させることができる位相反転マスクを提供する
ことにある。
に順次位相反転が二度以上ずつ生じるよう多層の微細な
位相反転膜パターンを容易に形成しイメージコントラス
トの傾斜角を急にして、素子の高集積化に有利であり、
工程マージンが向上されて素子動作の信頼性及び工程収
率を向上させることができる位相反転マスクを提供する
ことにある。
【００１４】本発明の他の目的は、多層位相反転膜パタ
ーンを形成し、上側の位相反転膜パターン上に光遮断膜
パターンを形成して、素子の高集積化に有利であり、工
程収率を向上させることができる位相反転マスクの製造
方法を提供することにある。
ーンを形成し、上側の位相反転膜パターン上に光遮断膜
パターンを形成して、素子の高集積化に有利であり、工
程収率を向上させることができる位相反転マスクの製造
方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】前記のような目的を達成
するための本発明による位相反転マスクの特徴は、透明
基板上に相違するスペースを有し、遮断される光径路が
重なっている位相反転膜パターンと光遮断膜パターンを
備える位相反転マスクにおいて、位相反転膜パターン及
び光遮断膜パターンとは異なるスペースを有し、光遮断
膜パターンを中心に露光する光の電場位相がパターンの
厚さにより順次三度変化するよう、位相反転膜パターン
とは一部の光径路が重なる多層の位相反転膜パターンが
光遮断膜パターンの下部に積層されることにある。
するための本発明による位相反転マスクの特徴は、透明
基板上に相違するスペースを有し、遮断される光径路が
重なっている位相反転膜パターンと光遮断膜パターンを
備える位相反転マスクにおいて、位相反転膜パターン及
び光遮断膜パターンとは異なるスペースを有し、光遮断
膜パターンを中心に露光する光の電場位相がパターンの
厚さにより順次三度変化するよう、位相反転膜パターン
とは一部の光径路が重なる多層の位相反転膜パターンが
光遮断膜パターンの下部に積層されることにある。
【００１６】本発明による位相反転マスクの他の特徴
は、透明基板の一側面に予定されたスペースを有するよ
う形成されている第１位相反転膜パターンと、第１位相
反転膜パターン上に形成されており、スペースが第１位
相反転膜パターンより大きく形成されている光遮断膜パ
ターンと、第１位相反転膜パターンと光遮断膜パターン
の間に介在されており、光径路が第１位相反転膜パター
ンと一部重なる部分を有し、スペースが第１位相反転膜
パターンよりも大きく光遮断膜パターンよりは小さく形
成されている第２位相反転膜パターンを備えることにあ
る。
は、透明基板の一側面に予定されたスペースを有するよ
う形成されている第１位相反転膜パターンと、第１位相
反転膜パターン上に形成されており、スペースが第１位
相反転膜パターンより大きく形成されている光遮断膜パ
ターンと、第１位相反転膜パターンと光遮断膜パターン
の間に介在されており、光径路が第１位相反転膜パター
ンと一部重なる部分を有し、スペースが第１位相反転膜
パターンよりも大きく光遮断膜パターンよりは小さく形
成されている第２位相反転膜パターンを備えることにあ
る。
【００１７】本発明による位相反転マスクのさらに他の
特徴は、透明基板の一側面に予定されたスペースを有す
るよう形成されている第１位相反転膜パターンと、第１
位相反転膜パターン上に形成されており、スペースが第
１位相反転膜パターンより大きく形成されている光遮断
膜パターンと、透明基板の他側面にスペースが第１位相
反転膜パターンよりも大きく光遮断膜パターンよりは小
さく形成されており、光径路が第１位相反転膜パターン
と一部重なる部分を有する第２位相反転膜パターンを備
えることにある。なお、ここで、第１又は第２位相反転
膜パターンの代わりに、それぞれ同様のスペースを有す
る透明基板がエッチングされた溝を備えていてもよい。
特徴は、透明基板の一側面に予定されたスペースを有す
るよう形成されている第１位相反転膜パターンと、第１
位相反転膜パターン上に形成されており、スペースが第
１位相反転膜パターンより大きく形成されている光遮断
膜パターンと、透明基板の他側面にスペースが第１位相
反転膜パターンよりも大きく光遮断膜パターンよりは小
さく形成されており、光径路が第１位相反転膜パターン
と一部重なる部分を有する第２位相反転膜パターンを備
えることにある。なお、ここで、第１又は第２位相反転
膜パターンの代わりに、それぞれ同様のスペースを有す
る透明基板がエッチングされた溝を備えていてもよい。
【００１８】他の目的を達成するための本発明による位
相反転マスク製造方法の特徴は、透明基板の一側面に予
定されたスペースを有する第１位相反転膜パターンを形
成する工程と、第１位相反転膜パターン上にスペースが
第１位相反転膜パターンより大きい第２位相反転膜パタ
ーンを形成するが、光径路が第１位相反転膜パターンと
一部重なる部分を有するよう形成する工程と、第２位相
反転膜パターン上にスペースが第２位相反転膜パターン
より大きい光遮断膜パターンを形成する工程を備えるこ
とにある。
相反転マスク製造方法の特徴は、透明基板の一側面に予
定されたスペースを有する第１位相反転膜パターンを形
成する工程と、第１位相反転膜パターン上にスペースが
第１位相反転膜パターンより大きい第２位相反転膜パタ
ーンを形成するが、光径路が第１位相反転膜パターンと
一部重なる部分を有するよう形成する工程と、第２位相
反転膜パターン上にスペースが第２位相反転膜パターン
より大きい光遮断膜パターンを形成する工程を備えるこ
とにある。
【００１９】本発明による位相反転マスク製造方法の他
の特徴は、透明基板の一側面に予定されたスペースを有
する第１位相反転膜パターンを形成する工程と、第１位
相反転膜パターン上にスペースが第１位相反転膜パター
ンより大きい光遮断膜パターンを形成する工程と、透明
基板の他側面に光径路が第１位相反転膜パターンと一部
重なる部分を有し、スペースが第１位相反転膜パターン
より大きく光遮断膜パターンよりは小さい第２位相反転
膜パターンを形成する工程を備えることにある。なお、
ここで、第１又は、第２位相反転膜パターンを形成する
代りに、夫々同様のスペースを有する透明基板にエッチ
ングされた溝を形成しても良い。
の特徴は、透明基板の一側面に予定されたスペースを有
する第１位相反転膜パターンを形成する工程と、第１位
相反転膜パターン上にスペースが第１位相反転膜パター
ンより大きい光遮断膜パターンを形成する工程と、透明
基板の他側面に光径路が第１位相反転膜パターンと一部
重なる部分を有し、スペースが第１位相反転膜パターン
より大きく光遮断膜パターンよりは小さい第２位相反転
膜パターンを形成する工程を備えることにある。なお、
ここで、第１又は、第２位相反転膜パターンを形成する
代りに、夫々同様のスペースを有する透明基板にエッチ
ングされた溝を形成しても良い。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明による位相反転マス
ク及びその製造方法に関し、添付図面を参照して詳細に
説明すると次の通りである。
ク及びその製造方法に関し、添付図面を参照して詳細に
説明すると次の通りである。
【００２１】図３（ａ）乃至図３（ｃ）、及び図４
（ａ）は、本発明の一実施例による位相反転マスクの製
造工程図として、二層の位相反転膜パターンを透明基板
の両側に互いに重なるよう形成した例であり、図４
（ａ）が最終完成状態の断面図なので、製造方法と構造
を図４（ｂ）及び（ｃ）を参照しながら共に説明する。
（ａ）は、本発明の一実施例による位相反転マスクの製
造工程図として、二層の位相反転膜パターンを透明基板
の両側に互いに重なるよう形成した例であり、図４
（ａ）が最終完成状態の断面図なので、製造方法と構造
を図４（ｂ）及び（ｃ）を参照しながら共に説明する。
【００２２】先ず、ガラス又は、石英等のような透明基
板（３）の一側面に予定されたライン／スペースを有す
る第１感光膜パターン（９Ａ）を形成した後、第１感光
膜パターン（９Ａ）により露出している透明基板（３）
を予定の深さ、例えば投射される光の電場を１８０°程
度移動（shift)させる程度の深さ（ｄ）だけ除去して位
相反転膜の役割を果たす溝（１５）を形成する。この
際、ｄはｄ＝λ／（ｎ′−１）（λは露光波長、ｎ′は
基板の屈折率）として決定し、溝（１５）の幅、即ちス
ペースはＬ１にする。（図３（ａ）参照） その次に、第１感光膜パターン（９Ａ）を除去し、透明
基板（３）の他側面に第２感光膜パターン（９Ｂ）をマ
スクで写真エッチングして位相反転膜パターン（４）を
予定された厚さｔに形成する。この際、位相反転膜パタ
ーン（４）は溝（１５）の内側にまで延長されていて位
相反転膜パターン（４）等の間のスペースＬ２をＬ１よ
り小さくし、ｔはｔ＝λ／（ｎ−１）（ｎは位相反転膜
の屈折率）を考慮して決定し、位相反転膜パターン
（４）はＳ．Ｏ．Ｇ（spin on glass;以下ＳＯＧと称す
る）、酸化膜、窒化膜等で形成する。（図３（ｂ）参
照） その後、位相反転膜パターン（４）上に、第３感光膜パ
ターン（９Ｃ）をエッチングマスクにして、クロムパタ
ーンとなった光遮断膜パターン（５）を形成するが、溝
（１５）により突出されている透明基板（３）部分より
小さく形成してスペースＬ３をＬ１より大きく形成す
る。（図３（ｃ）参照） その次に、第３感光膜パターン（９Ｃ）を除去して二つ
の位相反転層を有する位相反転マスク（１０）を形成す
る。（図４（ａ）参照） 前記のような位相反転マスク（１０）を用いて露光すれ
ば、図４（ｂ）に示しているように光遮断膜パターン
（５）両側の透明基板（３）と位相反転膜パターン
（４）を通過した光（１１）は陽の電場値を有し、その
横の部分の位相反転膜パターン（４）と透明基板（３）
の溝（１５）部分を通過した光（１２）は陰の電場値を
有し、透明基板（３）の溝（１５）部分のみを通過した
光（１３）は陰の電場値を有する。
板（３）の一側面に予定されたライン／スペースを有す
る第１感光膜パターン（９Ａ）を形成した後、第１感光
膜パターン（９Ａ）により露出している透明基板（３）
を予定の深さ、例えば投射される光の電場を１８０°程
度移動（shift)させる程度の深さ（ｄ）だけ除去して位
相反転膜の役割を果たす溝（１５）を形成する。この
際、ｄはｄ＝λ／（ｎ′−１）（λは露光波長、ｎ′は
基板の屈折率）として決定し、溝（１５）の幅、即ちス
ペースはＬ１にする。（図３（ａ）参照） その次に、第１感光膜パターン（９Ａ）を除去し、透明
基板（３）の他側面に第２感光膜パターン（９Ｂ）をマ
スクで写真エッチングして位相反転膜パターン（４）を
予定された厚さｔに形成する。この際、位相反転膜パタ
ーン（４）は溝（１５）の内側にまで延長されていて位
相反転膜パターン（４）等の間のスペースＬ２をＬ１よ
り小さくし、ｔはｔ＝λ／（ｎ−１）（ｎは位相反転膜
の屈折率）を考慮して決定し、位相反転膜パターン
（４）はＳ．Ｏ．Ｇ（spin on glass;以下ＳＯＧと称す
る）、酸化膜、窒化膜等で形成する。（図３（ｂ）参
照） その後、位相反転膜パターン（４）上に、第３感光膜パ
ターン（９Ｃ）をエッチングマスクにして、クロムパタ
ーンとなった光遮断膜パターン（５）を形成するが、溝
（１５）により突出されている透明基板（３）部分より
小さく形成してスペースＬ３をＬ１より大きく形成す
る。（図３（ｃ）参照） その次に、第３感光膜パターン（９Ｃ）を除去して二つ
の位相反転層を有する位相反転マスク（１０）を形成す
る。（図４（ａ）参照） 前記のような位相反転マスク（１０）を用いて露光すれ
ば、図４（ｂ）に示しているように光遮断膜パターン
（５）両側の透明基板（３）と位相反転膜パターン
（４）を通過した光（１１）は陽の電場値を有し、その
横の部分の位相反転膜パターン（４）と透明基板（３）
の溝（１５）部分を通過した光（１２）は陰の電場値を
有し、透明基板（３）の溝（１５）部分のみを通過した
光（１３）は陰の電場値を有する。
【００２３】図４（ａ）に示している位相反転マスクの
位置に伴う図４（ｂ）の電場に対する光の強度を図４
（ｃ）に示す。図４（ｂ）の電場は相互干渉し、図５に
示しているように、イメージコントラストが向上し、光
の強度のグラフが急激に変化する。図示はしていない
が、磁場も電場と同様に位相の変化が発生し干渉効果を
起こす。
位置に伴う図４（ｂ）の電場に対する光の強度を図４
（ｃ）に示す。図４（ｂ）の電場は相互干渉し、図５に
示しているように、イメージコントラストが向上し、光
の強度のグラフが急激に変化する。図示はしていない
が、磁場も電場と同様に位相の変化が発生し干渉効果を
起こす。
【００２４】前記では溝（１５）のスペースＬ２を位相
反転膜パターン（４）のスペースＬ３より小さくした
が、これは互いに大きさが変っても本発明の効果におい
ては同様である。
反転膜パターン（４）のスペースＬ３より小さくした
が、これは互いに大きさが変っても本発明の効果におい
ては同様である。
【００２５】図５は、本発明の他の実施例に伴う位相反
転マスクの断面図で、透明基板（３）の一側に順次スペ
ースが大きくなる第１及び第２位相反転膜パターン（４
Ａ），（４Ｂ）と光遮断膜パターン（５）が積層されて
おり、製造工程上の便宜のため第１及び第２位相反転膜
パターン（４Ａ），（４Ｂ）をエッチング選択比の差が
ある物質の組合せで形成する。
転マスクの断面図で、透明基板（３）の一側に順次スペ
ースが大きくなる第１及び第２位相反転膜パターン（４
Ａ），（４Ｂ）と光遮断膜パターン（５）が積層されて
おり、製造工程上の便宜のため第１及び第２位相反転膜
パターン（４Ａ），（４Ｂ）をエッチング選択比の差が
ある物質の組合せで形成する。
【００２６】さらに、第１位相反転膜パターン（４Ａ）
を同様な幅を有する溝を形成して代えることもでき、こ
のような位相反転マスクも図４（ａ）に示している位相
反転マスク（１０）と同じ効果を有する。
を同様な幅を有する溝を形成して代えることもでき、こ
のような位相反転マスクも図４（ａ）に示している位相
反転マスク（１０）と同じ効果を有する。
【００２７】前記とは別の例として、光遮断膜パターン
を中心に位相が三度代わった光が投射され、相互干渉に
より光の強度のグラフのエッジ部分が傾斜が大きくなる
効果を有する例等も本発明の思想に属することは勿論で
ある。
を中心に位相が三度代わった光が投射され、相互干渉に
より光の強度のグラフのエッジ部分が傾斜が大きくなる
効果を有する例等も本発明の思想に属することは勿論で
ある。
【００２８】
【発明の効果】以上で説明したように、本発明による位
相反転マスク及びその製造方法は透明基板の両側又は、
一側にスペースが異なる二層の位相反転膜パターンを相
互の光径路が重なるように形成し、一側位相反転膜パタ
ーン上により小さいスペースの光遮断膜パターンを形成
して光遮断膜パターンを中心に三度の位相反転が生じる
ようにして隣接した光等の間の干渉によりイメージコン
トラストを向上させたので、光の強度のグラフの傾斜が
増加し微細パターン形成が容易であり、工程余裕度が増
加され素子動作の信頼性及び工程収率を向上させること
ができる利点がある。
相反転マスク及びその製造方法は透明基板の両側又は、
一側にスペースが異なる二層の位相反転膜パターンを相
互の光径路が重なるように形成し、一側位相反転膜パタ
ーン上により小さいスペースの光遮断膜パターンを形成
して光遮断膜パターンを中心に三度の位相反転が生じる
ようにして隣接した光等の間の干渉によりイメージコン
トラストを向上させたので、光の強度のグラフの傾斜が
増加し微細パターン形成が容易であり、工程余裕度が増
加され素子動作の信頼性及び工程収率を向上させること
ができる利点がある。
【図１】図１（ａ）は、従来反復型位相反転マスクの一
実施例に伴う断面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）
の位相反転マスクの位置に伴う電場の強さを示したグラ
フである。
実施例に伴う断面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）
の位相反転マスクの位置に伴う電場の強さを示したグラ
フである。
【図２】図１（ａ）の位相反転マスクの位置に伴う光の
強さを示したグラフである。
強さを示したグラフである。
【図３】図３（ａ）乃至図３（ｃ）は、本発明の一実施
例に伴う位相反転マスクの製造工程図である。
例に伴う位相反転マスクの製造工程図である。
【図４】図４（ａ）は、本発明の一実施例に伴う位相反
転マスクの製造工程図であり、図４（ｂ）は、図４
（ａ）に示す位相反転マスクの位置に伴う電場の強さを
示したグラフであり、図４（ｃ）は、図４（ａ）に示す
位相反転マスクの位置に伴う光の強さを示したグラフで
ある。
転マスクの製造工程図であり、図４（ｂ）は、図４
（ａ）に示す位相反転マスクの位置に伴う電場の強さを
示したグラフであり、図４（ｃ）は、図４（ａ）に示す
位相反転マスクの位置に伴う光の強さを示したグラフで
ある。
【図５】本発明の他の実施例に伴う位相反転マスクの断
面図である。
面図である。
１：入射光、２，１０：位相反転マスク、３：透明基
板、４：位相反転膜パターン、５：光遮断膜パターン、
６，７：電場、８，１４：光強度、９Ａ，９Ｂ，９Ｃ：
感光膜パターン、ｄ：エッチング深さ、Ｌ：パターン
幅、１１：位相反転膜パターンと透明基板の溝部分を通
過した光の電場、１２：位相反転膜パターンと透明基板
を通過した光の電場、１３：透明基板の溝を透過した光
の電場
板、４：位相反転膜パターン、５：光遮断膜パターン、
６，７：電場、８，１４：光強度、９Ａ，９Ｂ，９Ｃ：
感光膜パターン、ｄ：エッチング深さ、Ｌ：パターン
幅、１１：位相反転膜パターンと透明基板の溝部分を通
過した光の電場、１２：位相反転膜パターンと透明基板
を通過した光の電場、１３：透明基板の溝を透過した光
の電場
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G03F 1/08
Claims (11)
- 【請求項１】 透明基板上に相違するスペースを有し、
遮断される光径路が重なっている位相反転膜パターンと
光遮断膜パターンを備える位相反転マスクにおいて、 前記位相反転膜パターン及び光遮断膜パターンとは異な
るスペースを有し、前記光遮断膜パターンを中心に露光
する光の位相がパターンエッジの厚さにより順次三度変
化するよう、前記位相反転膜パターンとは一部の光径路
が重なる多層の位相反転膜パターンが、前記光遮断膜パ
ターンの下部に積層されていることを特徴とする位相反
転マスク。 - 【請求項２】 前記多層の位相反転膜パターンがＳＯ
Ｇ、酸化膜及び窒化膜からなる群より任意に選択される
一つの物質で成ることを特徴とする請求項１記載の位相
反転マスク。 - 【請求項３】 透明基板の一側面に、予定されたスペー
スを有するよう形成されている第１位相反転膜パターン
と、 前記第１位相反転膜パターン上に形成されており、スペ
ースが第１位相反転膜パターンより大きく形成されてい
る光遮断膜パターンと、 前記第１位相反転膜パターンと光遮断膜パターンの間に
介在されており、光径路が第１位相反転膜パターンと一
部重なる部分を有し、スペースが前記第１位相反転膜パ
ターンよりも大きく光遮断膜パターンよりは小さく形成
されている第２位相反転膜パターンを備える位相反転マ
スク。 - 【請求項４】 前記第１及び第２位相反転膜パターンが
ＳＯＧ、酸化膜及び窒化膜からなる群より任意に選択さ
れる一つの物質でなることを特徴とする請求項３記載の
位相反転マスク。 - 【請求項５】 前記第１位相反転膜パターンの代りに、
像が反転したスペースを有する透明基板がエッチングさ
れた溝を備えることを特徴とする請求項３記載の位相反
転マスク。 - 【請求項６】 透明基板の一側面に予定されたスペース
を有するよう形成されている第１位相反転膜パターン
と、 前記第１位相反転膜パターン上に形成されており、スペ
ースが第１位相反転膜パターンより大きく形成されてい
る光遮断膜パターンと、 前記透明基板の他側面に、スペースが前記第１位相反転
膜パターンよりも大きく光遮断膜パターンよりは小さく
形成されており、光径路が第１位相反転膜パターンと一
部重なる部分を有する第２位相反転膜パターンを備える
位相反転マスク。 - 【請求項７】 前記第１又は第２位相反転膜パターン
が、それぞれ同様のスペースを有する透明基板がエッチ
ングされた溝を備えることを特徴とする請求項６記載の
位相反転マスク。 - 【請求項８】 透明基板の一側面に予定されたスペース
を有する第１位相反転膜パターンを形成する工程と、 前記第１位相反転膜パターン上に、スペースが前記第１
位相反転膜パターンより大きい第２位相反転膜パターン
を形成するが、光径路が第１位相反転膜パターンと一部
重なる部分を有するよう形成する工程と、 前記第２位相反転膜パターン上に、スペースが第２位相
反転膜パターンより大きい光遮断膜パターンを形成する
工程を備える位相反転マスクの製造方法。 - 【請求項９】 前記第１及び第２位相反転膜パターン
が、エッチング選択比差を有する相違する物質で形成す
ることを特徴とする請求項８記載の位相反転マスクの製
造方法。 - 【請求項１０】 透明基板の一側面に予定されたスペー
スを有する第１位相反転膜パターンを形成する工程と、 前記第１位相反転膜パターン上に、スペースが前記第１
位相反転膜パターンより大きい光遮断膜パターンを形成
する工程と、 前記透明基板の他側面に、光径路が第１位相反転膜パタ
ーンと一部重なる部分を有し、スペースが第１位相反転
膜パターンより大きく光遮断膜パターンよりは小さい第
２位相反転膜パターンを形成する工程を備える位相反転
マスクの製造方法。 - 【請求項１１】 前記第１又は、第２位相反転膜パター
ンを形成せず、夫々同様のスペースを有する透明基板が
エッチングされた溝を形成することを特徴とする請求項
１０記載の位相反転マスク製造方法。
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| JPH0236585A (ja) * | 1988-07-27 | 1990-02-06 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 量子井戸構造及び量子井戸構造を用いた半導体素子 |
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-
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-
1996
- 1996-03-22 US US08/621,796 patent/US5902701A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-03-22 TW TW085103466A patent/TW434670B/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-03-25 CN CNB961027215A patent/CN1154879C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1996-03-25 JP JP6880796A patent/JP2768657B2/ja not_active Expired - Fee Related
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