JP2766575B2 - 投影レンズの評価装置及び評価方法 - Google Patents
投影レンズの評価装置及び評価方法Info
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70591—Testing optical components
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-
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- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70641—Focus
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
Description
置及び評価方法に係り、特に投影レンズの像面湾曲を評
価する装置及び方法に関する。
従来の投影露光装置の光学系を示す。水銀ランプ等の光
源11から発した光は集光レンズ12を介してチップの
回路パターンが形成されているマスク13を照明する。
マスク13を通過した光は投影レンズ14を介してウエ
ハ15上にマスク13の回路パターンの像を投影する。
これにより、回路パターンの露光及び焼き付けが行われ
る。このような投影露光装置のように微小な回路パター
ンを高精度で投影する場合には、投影レンズ14の結像
面が優れた平面性を有する必要がある。投影レンズ14
に像面傾斜及び像面湾曲等のレンズ製造誤差があると、
ベストフォーカス位置が部分的にずれてしまい、像面全
体にわたってベストフォーカスで露光することができな
くなる。
ようにして評価されていた。まず、ウエハ15の位置を
光軸に沿って所定間隔で移動させつつウエハ15上に図
12に示されるようなテストパターン16a〜16gを
順次露光する。その後、ウエハ15を現像し、図13に
示されるようにそれぞれテストパターン16a〜16g
に対応してウエハ15上に形成されたパターン17a〜
17gを顕微鏡で観察する。そして、パターン17a〜
17gのうち最も形状の優れたパターンを見い出し、そ
のパターンを露光したときのウエハ15の位置をベスト
フォーカス位置とする。例えば、図13においては、パ
ターン17cがベストフォーカスで形成されたパターン
と判定される。同様にして、マスク13の回路パターン
により露光されるウエハ15の一つのチップ内の多数の
点でベストフォーカス位置を求める。このようにしてチ
ップ内のベストフォーカス位置の分布を調べることによ
り、投影レンズ14の像面湾曲が検査される。
ンズ14の像面湾曲の評価を行うためには、上述したよ
うにテストパターン16a〜16gの露光、ウエハ15
の現像、光学顕微鏡及び電子顕微鏡等によるパターン1
7a〜17gの観察を行うことにより、チップ内の多数
の点でのベストフォーカス位置を求めなければならず、
多大の手間と時間を要するという問題があった。この発
明はこのような問題点を解消するためになされたもの
で、容易に且つ高精度で投影レンズの評価を行うことが
できる投影レンズの評価装置及び評価方法を提供するこ
とを目的とする。
ズの評価装置は、照明光を発する光源と、それぞれ遮光
部分と透過部分とが交互に繰り返し配列された複数の焦
点合わせ用パターンが全面にわたって形成されたマスク
と、光源から発した照明光をマスクの全面上に照射させ
ることによりマスクを通過した照明光を露光装置に搭載
するための投影レンズに入射させる集光レンズと、投影
レンズにより集光された照明光を反射して再び投影レン
ズに入射に照射させる反射手段と、マスクの複数の焦点
合わせ用パターンのうち選択された焦点合わせ用パター
ンを通過した後に反射手段で反射して再びその焦点合わ
せ用パターンを通過した照明光を反射するハーフミラー
と、選択された焦点合わせ用パターンに対応してハーフ
ミラーをマスクの全面上で移動させる移動装置と、ハー
フミラーで反射された照明光の光量を検出するセンサと
を備え、センサで検出された照明光の光量から投影レン
ズの全面におけるベストフォーカス位置の分布を計測す
ることにより投影レンズの評価を行うものである。
その全面にわたってそれぞれ遮光部分と透過部分とが交
互に繰り返し配列された複数の焦点合わせ用パターンが
形成されたマスクの全面に照明光を照射し、各焦点合わ
せ用パターンを通過した照明光を露光装置に搭載するた
めの投影レンズを介して投影面上に投影すると共に投影
面で反射した照明光を投影レンズを介して再びその焦点
合わせ用パターンに通過させ、複数の焦点合わせ用パタ
ーンを再び通過した照明光の光量をそれぞれ検出して投
影レンズの全面におけるベストフォーカス位置の分布を
計測することにより投影レンズの評価を行う方法であ
る。
は、移動装置で移動されたハーフミラーが、マスクの選
択された焦点合わせ用パターン及び投影レンズを通過し
た後に反射手段の表面で反射して再び投影レンズを介し
てその焦点合わせ用パターンを通過した照明光をとら
え、センサがハーフミラーで反射された照明光の光量を
検出する。また、この発明に係る投影レンズの評価方法
においては、投影面で反射した後に再び投影レンズを介
してマスクの複数の焦点合わせ用パターンを通過した照
明光の光量がそれぞれ検出され、これによりベストフォ
ーカス位置の分布が計測される。
て説明する。図1はこの発明の一実施例に係る投影レン
ズの評価装置の光学系を示す図である。水銀ランプ等の
光源1の下方に集光レンズ2を介してマスク3が配置さ
れている。さらに、マスク3の下方にはこれから評価し
ようとする投影レンズ4が配置され、投影レンズ4の下
方に反射手段となるウエハ5が配置されている。マスク
3と集光レンズ2との間には斜めにハーフミラー6が配
置され、ハーフミラー6の側方にセンサ7が配置されて
いる。ハーフミラー6は移動装置6aによりマスク3の
表面に沿って移動できるようになっている。
板9を有しており、透明基板9の全面上に多数の焦点合
わせ用パターン8が形成されている。各焦点合わせ用パ
ターン8は、所定のピッチで互いに平行に配置された複
数の遮光部材10を有しており、これら複数の遮光部材
10によって、図3に示されるように、遮光部分Aと透
過部分Bとが交互に繰り返し配列されたパターンを形成
している。
る。まず、光源1から発した照明光は集光レンズ2を介
してマスク3の全面を照明する。マスク3の各焦点合わ
せ用パターン8を通過した照明光は、投影レンズ4を介
してウエハ5に入射し、ウエハ5表面で反射した照明光
が再び投影レンズ4を介してその焦点合わせ用パターン
8を今度は下から上に向けて通過する。ここで、マスク
3の複数の焦点合わせ用パターン8のうち一つを選択
し、移動装置6aによりハーフミラー6をその焦点合わ
せ用パターン8の直上に移動させる。すると、選択され
た焦点合わせ用パターン8を下から上に向けて通過した
照明光はハーフミラー6で反射されてセンサ7に入射
し、その光量が検出される。
いて詳細に説明する。まず、図3に示されるように、マ
スク3の焦点合わせ用パターン8を通過した直後の照明
光は交互に繰り返し配列された遮光部分Aと透過部分B
とにより矩形波状の光振幅分布を有している。照明光が
投影レンズ4を介してウエハ5に至ると、図4に示され
るように、照明光の振幅分布は回折のために形状が崩れ
て正弦波状となる。ただし、ベストフォーカスであれ
ば、図4のように正弦波の振幅は大きなものとなる。こ
の照明光がウエハ5表面で反射し、投影レンズ4を介し
て再びマスク3の焦点合わせ用パターン8に至ると、図
5に示されるように、正弦波状の反射光が下から上に向
けて焦点合わせ用パターン8を照明することとなる。ベ
ストフォーカス時には、反射光の振幅分布形状の劣化が
少ないので、焦点合わせ用パターン8の透過部分Bを通
過する光の透過量は大きくなる。すなわち、ハーフミラ
ー6を介してセンサ7に入射される光量が大きくなる。
るようにマスク3の焦点合わせ用パターン8を通過した
直後の照明光は矩形波状の光振幅分布を有しているが、
照明光が投影レンズ4を介してウエハ5に至ると、図7
に示されるように照明光の振幅分布はデフォーカスのた
めにベストフォーカス時よりも形状が崩れたものとな
る。このため、ウエハ5での反射光が再びマスク3の焦
点合わせ用パターン8を通過する際には、図8に斜線部
Cで示すように遮光部分Aによって大きな光量が遮断さ
れる。その結果、ハーフミラー6を介してセンサ7に入
射される光量は小さくなる。
ベストフォーカス時に最大となり、デフォーカスになる
程減少する。従って、ウエハ5の位置を光軸に沿って移
動させつつセンサ7での検出量をモニタすることによ
り、容易にベストフォーカス位置を求めることが可能と
なる。
を移動させて他の焦点合わせ用パターン8の直上に位置
させ、同様にしてその焦点合わせ用パターン8に対応す
るベストフォーカス位置を求める。このようにして全て
の焦点合わせ用パターン8に対応するベストフォーカス
位置を順次求め、ベストフォーカス位置の分布を計測す
ることにより投影レンズ4の像面湾曲の評価が行われ
る。
とする回路パターンと複数の焦点合わせ用パターン8と
を一枚の露光用マスクに共に形成することもできる。こ
の場合には、回路パターンの露光と並行して投影レンズ
4の像面湾曲の評価を行うことができる。従って、気
圧、温度、露光頻度等に起因して生じる像面湾曲の変動
を連続的にモニタすることが可能となる。また、上記の
実施例ではハーフミラー6がマスク3と集光レンズ2と
の間に配置されていたが、これに限るものではなく、マ
スク3より光源1に近い位置にあればよい。例えば、光
源1と集光レンズ2との間に配置することもできる。反
射手段としてウエハ5を用いたが、ミラー等を用いても
よい。
マスク23を用いることもできる。このマスク23は透
明基板29を有しており、透明基板29の全面上に多数
の焦点合わせ用パターン28が形成されている。各焦点
合わせ用パターン28は、共通の中心Pの回りに所定の
角度間隔で配置された複数の扇形の遮光部材30を有し
ており、これら複数の遮光部材30によって遮光部分D
と透過部分Eとが交互に繰り返し配列されたパターンを
形成している。上記の実施例と同様に、ウエハ5の表面
で反射してこれらの焦点合わせ用パターン28を通過し
た照明光の光量をセンサ7で順次検出することにより、
ベストフォーカス位置の分布が求められる。
のパターンの大きさに依存するので、投影レンズ4で投
影しようとする原板のパターンの最小ピッチと同程度の
ピッチで遮光部分と透過部分とが交互に配列された焦点
合わせ用パターンを用いると、より高精度にベストフォ
ーカス位置を求めることができる。図9に示された焦点
合わせ用パターン28は、遮光部分Dと透過部分Eとが
それぞれ扇形を有しているので、点Pを中心とする円を
考えると、この円の半径に応じて円周に沿った遮光部分
Dと透過部分Eとの配列ピッチが変化する。すなわち、
半径を大きくとると配列ピッチは大きくなり、半径を小
さくとると配列ピッチも小さくなる。そこで、図9の焦
点合わせ用パターン28の像をセンサ7の受光面上に結
像させ、点Pを中心とした任意の半径の環状部分Qのみ
を取り出してこの部分の照明光の光量を検出すれば、所
望の配列ピッチによるベストフォーカス位置を求めるこ
とができ、高精度で像面湾曲の評価を行うことが可能と
なる。
に形成された複数の焦点合わせ用パターン38が、それ
ぞれ互いに配列ピッチの異なる複数のパターン38a、
38b及び38cからなるマスク33を用いることもで
きる。各パターン38a、38b及び38cは、それぞ
れ固有のピッチで互いに平行に配置された複数の遮光部
材を有している。各焦点合わせ用パターン38におい
て、パターン38a、38b及び38cの中から、投影
しようとする原板のパターンピッチに最も近い配列ピッ
チを有するパターンを選択し、そのパターンを通過した
照明光の光量を検出することにより、高精度でベストフ
ォーカス位置の分布が計測される。
影レンズの評価装置は、照明光を発する光源と、それぞ
れ遮光部分と透過部分とが交互に繰り返し配列された複
数の焦点合わせ用パターンが全面にわたって形成された
マスクと、光源から発した照明光をマスクの全面上に照
射させることによりマスクを通過した照明光を露光装置
に搭載するための投影レンズに入射させる集光レンズ
と、投影レンズにより集光された照明光を反射して再び
投影レンズに入射に照射させる反射手段と、マスクの複
数の焦点合わせ用パターンのうち選択された焦点合わせ
用パターンを通過した後に反射手段で反射して再びその
焦点合わせ用パターンを通過した照明光を反射するハー
フミラーと、選択された焦点合わせ用パターンに対応し
てハーフミラーをマスクの全面上で移動させる移動装置
と、ハーフミラーで反射された照明光の光量を検出する
センサとを備え、センサで検出された照明光の光量から
投影レンズの全面におけるベストフォーカス位置の分布
を計測することにより投影レンズの評価を行うので、容
易に且つ高精度で露光装置に搭載するための投影レンズ
の評価を行うことができる。
法は、その全面にわたってそれぞれ遮光部分と透過部分
とが交互に繰り返し配列された複数の焦点合わせ用パタ
ーンが形成されたマスクの全面に照明光を照射し、各焦
点合わせ用パターンを通過した照明光を露光装置に搭載
するための投影レンズを介して投影面上に投影すると共
に投影面で反射した照明光を投影レンズを介して再びそ
の焦点合わせ用パターンに通過させ、複数の焦点合わせ
用パターンを再び通過した照明光の光量をそれぞれ検出
して投影レンズの全面におけるベストフォーカス位置の
分布を計測することにより投影レンズの評価を行うの
で、ウエハの現像及び顕微鏡による観察等が不要とな
り、容易に且つ高精度で投影レンズの評価を行うことが
可能となる。
置の光学系を示す図である。
る。
ある。
ある。
ある。
る。
る。
る。
ある。
平面図である。
る。
にテストパターンを露光した状態を示す平面図である。
面図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 照明光を発する光源と、 それぞれ遮光部分と透過部分とが交互に繰り返し配列さ
れた複数の焦点合わせ用パターンが全面にわたって形成
されたマスクと、 前記光源から発した照明光を前記マスクの全面上に照射
させることにより前記マスクを通過した照明光を露光装
置に搭載するための投影レンズに入射させる集光レンズ
と、 投影レンズにより集光された照明光を反射して再び投影
レンズに入射に照射させる反射手段と、 前記マスクの複数の焦点合わせ用パターンのうち選択さ
れた焦点合わせ用パターンを通過した後に前記反射手段
で反射して再びその焦点合わせ用パターンを通過した照
明光を反射するハーフミラーと、 選択された焦点合わせ用パターンに対応して前記ハーフ
ミラーを前記マスクの全面上で移動させる移動装置と、 前記ハーフミラーで反射された照明光の光量を検出する
センサとを備え、前記センサで検出された照明光の光量
から投影レンズの全面におけるベストフォーカス位置の
分布を計測することにより投影レンズの評価を行うこと
を特徴とする投影レンズの評価装置。 - 【請求項2】 その全面にわたってそれぞれ遮光部分と
透過部分とが交互に繰り返し配列された複数の焦点合わ
せ用パターンが形成されたマスクの全面に照明光を照射
し、 各焦点合わせ用パターンを通過した照明光を露光装置に
搭載するための投影レンズを介して投影面上に投影する
と共に投影面で反射した照明光を投影レンズを介して再
びその焦点合わせ用パターンに通過させ、 複数の焦点合わせ用パターンを再び通過した照明光の光
量をそれぞれ検出して投影レンズの全面におけるベスト
フォーカス位置の分布を計測することにより投影レンズ
の評価を行うことを特徴とする投影レンズの評価方法。
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JP4010164A JP2766575B2 (ja) | 1992-01-23 | 1992-01-23 | 投影レンズの評価装置及び評価方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP4010164A JP2766575B2 (ja) | 1992-01-23 | 1992-01-23 | 投影レンズの評価装置及び評価方法 |
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JPH05198476A JPH05198476A (ja) | 1993-08-06 |
JP2766575B2 true JP2766575B2 (ja) | 1998-06-18 |
Family
ID=11742646
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (2)
Country | Link |
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- 1992-01-23 JP JP4010164A patent/JP2766575B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1992-11-10 US US07/974,075 patent/US5321493A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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