JP2764440B2 - アナモルフィックプリズム - Google Patents
アナモルフィックプリズムInfo
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- JP2764440B2 JP2764440B2 JP25891489A JP25891489A JP2764440B2 JP 2764440 B2 JP2764440 B2 JP 2764440B2 JP 25891489 A JP25891489 A JP 25891489A JP 25891489 A JP25891489 A JP 25891489A JP 2764440 B2 JP2764440 B2 JP 2764440B2
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- Japan
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- light
- prism
- laser diode
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、レーザダイオードの偏光特性を利用する例
えば偏光ビームスプリッタを用いた光学機器等に使用す
るアナモルフィックプリズムに関する。
えば偏光ビームスプリッタを用いた光学機器等に使用す
るアナモルフィックプリズムに関する。
（従来の技術） レーザダイオードのビームの放射角度特性は楕円形で
あり、レンズ等によって平行ビームに変換すると、楕円
形のビームとなる。アルモルフィックプリズムペアは、
この楕円形のビームを円形のビームに直すための一つの
手段として知られている。
あり、レンズ等によって平行ビームに変換すると、楕円
形のビームとなる。アルモルフィックプリズムペアは、
この楕円形のビームを円形のビームに直すための一つの
手段として知られている。
このプリズムペアの各プリズムの光入射面には、光透
過率を高めるため及びヤケを防止するために低屈折率誘
電体の単層減反射コーティングが施されている。
過率を高めるため及びヤケを防止するために低屈折率誘
電体の単層減反射コーティングが施されている。
（発明が解決しようとする課題） アナモルフィックプリズムペアは、ブリュースタ角の
近くで使用されるため、レーザダイオードの光の偏光特
性はそのプリズムペアを透過することにより強化される
が、各プリズムの光入射面に単層減反射コーティングが
あると、レーザダイオードの光の偏光特性を弱めるよう
に作用する。したがって、レーザダイオードの光の偏光
特性を高めたいという面から見ると、前記コーティング
を施すことは好ましくないという課題があった。
近くで使用されるため、レーザダイオードの光の偏光特
性はそのプリズムペアを透過することにより強化される
が、各プリズムの光入射面に単層減反射コーティングが
あると、レーザダイオードの光の偏光特性を弱めるよう
に作用する。したがって、レーザダイオードの光の偏光
特性を高めたいという面から見ると、前記コーティング
を施すことは好ましくないという課題があった。
本発明は、従来のもののこのような課題を解決するこ
とをその目的とするものである。
とをその目的とするものである。
（課題を解決するための手段） 本発明は、上記の目的を達成するために、プリズムの
光入射面に該プリズムの素材より高屈折率の誘電体膜を
その膜厚がλ/4n1（但し、λは光の波長、n1は誘電体膜
の屈折率）の付近となるようにコーティングしたことを
特徴とする。
光入射面に該プリズムの素材より高屈折率の誘電体膜を
その膜厚がλ/4n1（但し、λは光の波長、n1は誘電体膜
の屈折率）の付近となるようにコーティングしたことを
特徴とする。
（作用） 大部分がＰ偏光で、わずかにＳ偏光成分を含んでいる
レーザダイオードの光がアナモルフィックプリズムにブ
リュースタ角度に近い角度で入射すると、プリズムの光
入射面においてＳ偏光が反射し、Ｐ偏光のみがプリズム
を透過する。この光入射面に前記誘電体膜がコーティン
グされると、Ｓ偏光の反射量が増加し、Ｐ偏光も反射す
るようになる。しかし、Ｐ偏光の反射量はＳ偏光の反射
量に比べて小さいので、透過光におけるＰ偏光の割合は
増加し、レーザダイオードの光の偏光特性が高まる。
レーザダイオードの光がアナモルフィックプリズムにブ
リュースタ角度に近い角度で入射すると、プリズムの光
入射面においてＳ偏光が反射し、Ｐ偏光のみがプリズム
を透過する。この光入射面に前記誘電体膜がコーティン
グされると、Ｓ偏光の反射量が増加し、Ｐ偏光も反射す
るようになる。しかし、Ｐ偏光の反射量はＳ偏光の反射
量に比べて小さいので、透過光におけるＰ偏光の割合は
増加し、レーザダイオードの光の偏光特性が高まる。
光が屈折率n0の媒質から、屈折率n1膜厚d1の薄膜がコ
ーティングされた屈折率n2の媒質に垂直入射したときの
反射率Ｒは次式で表わされる。
ーティングされた屈折率n2の媒質に垂直入射したときの
反射率Ｒは次式で表わされる。
但し、 ψ1:前記薄膜へ垂直入射したときの屈折角。
この式を作図した第３図に示す前記誘電体膜の膜厚d1
とその屈折率n1との積に対する光反射率特性から明らか
なように約λ/4n1の膜厚において従来のもの（破線で示
す）に比べて大幅に光反射率が高くなる。したがってこ
の膜厚付近においてレーザダイオードの光の偏光特性が
高まる。
とその屈折率n1との積に対する光反射率特性から明らか
なように約λ/4n1の膜厚において従来のもの（破線で示
す）に比べて大幅に光反射率が高くなる。したがってこ
の膜厚付近においてレーザダイオードの光の偏光特性が
高まる。
約λ/4n1の奇数倍の膜厚でも光反射率が高いが、波長
によって著しく変化するので、種々の波長で使用する場
合には、約λ/4n1の膜厚がよい。
によって著しく変化するので、種々の波長で使用する場
合には、約λ/4n1の膜厚がよい。
（実施例） 以下本発明の実施例を図面につき説明する。
第１図は本発明の一実施例のアナモルフィックプリズ
ムの慨略構成を示す。
ムの慨略構成を示す。
同図において、アナモルフィックプリズム１を構成す
るプリズム1aと1bの光入射面には、プリズム1aと1bの素
材より高屈折率の誘電体膜２が約λ/4n1（λ：光の波
長、n1:屈折率）の膜厚になるようにコーティングされ
ている。
るプリズム1aと1bの光入射面には、プリズム1aと1bの素
材より高屈折率の誘電体膜２が約λ/4n1（λ：光の波
長、n1:屈折率）の膜厚になるようにコーティングされ
ている。
図示の２つのプリズム1aと1bの配置構成によれば、レ
ーザダイオードの光３が図示のようにプリズム1aに入射
し、プリズム1bから出放射すると、第２図示のように、
断面楕円形の入射光（破線で示す）は断面円形の出射光
（実線で示す）となる。そのビーム整形の程度はビーム
整形比b/aで表わされる。このビーム整形比は、プリズ
ム1a,1bの素材例えばガラスの屈折率、プリズム1a,1bの
ウェッジ角θ及び２個のプリズム1a,1bの配置により変
化できる。
ーザダイオードの光３が図示のようにプリズム1aに入射
し、プリズム1bから出放射すると、第２図示のように、
断面楕円形の入射光（破線で示す）は断面円形の出射光
（実線で示す）となる。そのビーム整形の程度はビーム
整形比b/aで表わされる。このビーム整形比は、プリズ
ム1a,1bの素材例えばガラスの屈折率、プリズム1a,1bの
ウェッジ角θ及び２個のプリズム1a,1bの配置により変
化できる。
たとえば屈折率＝1.78,ウェッジ角θ＝29.4゜とし、
入射角度θｉをこの場合のブリュースタ角＝60.5゜とす
ると、ビーム整形比は3.6倍となる。このプリズム1a,1b
を使用し、これ等の配置を変更してビーム整形比を約５
倍とすると、入射角度θｉは65.5゜、ビーム整形比を約
６倍とすると、θｉ＝68゜となる。以上の各場合につい
て、無コートの場合、n1＝2.04のZrO2、n1＝2.30のTiO2
を膜厚d1がλ/4n1になるようにコーティングした場合の
偏光各成分の反射率を次表に示す。
入射角度θｉをこの場合のブリュースタ角＝60.5゜とす
ると、ビーム整形比は3.6倍となる。このプリズム1a,1b
を使用し、これ等の配置を変更してビーム整形比を約５
倍とすると、入射角度θｉは65.5゜、ビーム整形比を約
６倍とすると、θｉ＝68゜となる。以上の各場合につい
て、無コートの場合、n1＝2.04のZrO2、n1＝2.30のTiO2
を膜厚d1がλ/4n1になるようにコーティングした場合の
偏光各成分の反射率を次表に示す。
表から明らかなように、同じ入射角度における場合、
本発明によれば、Ｓ偏光の反射率がＰ偏光の反射率に比
べて大幅に増加する。したがってレーザダイオードの光
の偏光特性は無コートの場合よりも更に強化される。ま
た入射角度が大きくなるほどＳ偏光の反射率が増加し、
Ｐ偏光の反射率は減少するので、透過光の偏光比率は強
化される。
本発明によれば、Ｓ偏光の反射率がＰ偏光の反射率に比
べて大幅に増加する。したがってレーザダイオードの光
の偏光特性は無コートの場合よりも更に強化される。ま
た入射角度が大きくなるほどＳ偏光の反射率が増加し、
Ｐ偏光の反射率は減少するので、透過光の偏光比率は強
化される。
（発明の効果） 本発明は、上述の通りの構成であるから、プリズム素
材の表面のヤケを防ぐことができると共にレーザダイオ
ードの偏光特性を高めることができる等の効果を有す
る。
材の表面のヤケを防ぐことができると共にレーザダイオ
ードの偏光特性を高めることができる等の効果を有す
る。
第１図は本発明の一実施例の慨略構成図、第２図はレー
ザダイオードの光ビームの整形の説明図、第３図は本発
明と従来例の特性図である。 １……アナモルフィックプリズム 1a,1b……プリズム ２……誘電体膜
ザダイオードの光ビームの整形の説明図、第３図は本発
明と従来例の特性図である。 １……アナモルフィックプリズム 1a,1b……プリズム ２……誘電体膜
Claims (1)
- 【請求項１】プリズムの光入射面に該プリズムの素材よ
り高屈折率の誘電体膜をその膜厚がλ/4n1（但し、λは
光の波長、n1は誘電体膜の屈折率）の付近となるように
コーティングしたことを特徴とするアナモルフィックプ
リズム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25891489A JP2764440B2 (ja) | 1989-10-05 | 1989-10-05 | アナモルフィックプリズム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25891489A JP2764440B2 (ja) | 1989-10-05 | 1989-10-05 | アナモルフィックプリズム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03122610A JPH03122610A (ja) | 1991-05-24 |
| JP2764440B2 true JP2764440B2 (ja) | 1998-06-11 |
Family
ID=17326787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25891489A Expired - Fee Related JP2764440B2 (ja) | 1989-10-05 | 1989-10-05 | アナモルフィックプリズム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2764440B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010237377A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Furukawa Electric Co Ltd:The | プリズム、プリズムペア及び該プリズムペアを備える波長選択デバイス |
| JP2013057820A (ja) * | 2011-09-08 | 2013-03-28 | Asahi Kasei E-Materials Corp | 車両窓用の光透過性積層体 |
-
1989
- 1989-10-05 JP JP25891489A patent/JP2764440B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03122610A (ja) | 1991-05-24 |
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Legal Events
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