JP2762405B2 - Package for ultra high frequency device - Google Patents
Package for ultra high frequency deviceInfo
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- JP2762405B2 JP2762405B2 JP8266686A JP26668696A JP2762405B2 JP 2762405 B2 JP2762405 B2 JP 2762405B2 JP 8266686 A JP8266686 A JP 8266686A JP 26668696 A JP26668696 A JP 26668696A JP 2762405 B2 JP2762405 B2 JP 2762405B2
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- insulating layers
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、３〜５０ＧＨｚの
いわゆる超高周波の動作周波数で動作させる半導体素子
等の素子を収容する超高周波素子用パッケージに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近時は、電子装置の高速化に伴って、そ
の動作周波数が１０ＧＨｚを越える高集積化された超高
周波用の半導体素子等の素子が出現している。そして、
該超高周波用の素子を収容する、高周波特性に優れたパ
ッケージの需要が、益々高まりつつある。
【０００３】従来一般のパッケージは、セラミック等か
らなる複数の絶縁層を積層して形成している。絶縁層表
面やその内部には、メタライズ等の導体からなる高周波
信号を伝える帯状等をした伝送線路を、複数本所定ピッ
チで並べて備えている。
【０００４】ところで、高集積化された超高周波用の半
導体素子等の素子を、上述のパッケージに収容した場合
には、その半導体素子の電極に電気的に接続する複数本
の伝送線路のインナーリード部のパターンピッチを、半
導体素子の素子の接続パターンピッチに合わせて、ごく
小ピッチに形成しなければならない。
【０００５】しかしながら、上述のパッケージにおいて
は、その伝送線路のアウターリード部にリード線等を安
定して的確にろう付け接続できるようにするために、そ
の伝送線路のアウターリード部のパターン幅Ｃを、一定
幅に幅広く形成する必要がある。
【０００６】また、上述のパッケージの伝送線路に高周
波信号を伝送効率良く伝えるためには、その同じ伝送線
路のインナーリード部とアウターリード部とのパターン
幅Ａ、Ｃを、同一幅に形成する必要がある。そして、そ
の伝送線路の特性インピーダンスのマッチングを図る必
要がある。
【０００７】そのため、上述のパッケージに、高集積化
された超高周波用の半導体素子等の素子を収容した場合
には、その複数本の伝送線路の隣合うインナーリード部
間のスペース幅が、狭小となって、その隣合う伝送線路
間のクロストークが増大してしまった。
【０００８】なお、上述のパッケージにおいて、このよ
うな課題を解消するために、その伝送線路のインナーリ
ード部直下のパッケージの絶縁層の厚さを階段状に局部
的に変えたり、その伝送線路のインナーリード部直下の
パッケージの絶縁層部分に誘電率の異なる他の絶縁体を
埋め込んだりして、その伝送線路のインナーリード部が
備えられた絶縁層部分の実効誘電率を変える方法が、従
来より、知られている。
【０００９】この方法によれば、上述のパッケージの伝
送線路のインナーリード部とアウターリード部との特性
インピーダンスのマッチングを図りながら、その伝送線
路のインナーリード部のパターン幅Ａを、同じ伝送線路
のアウターリード部のパターン幅Ｃに比べて、小幅に形
成できる。そして、その複数本の伝送線路の隣合うイン
ナーリード部間のスペース幅を、充分に取って、その隣
合う伝送線路間のクロストークを少なく抑えることがで
きる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法では、パッケージの一部の絶縁層を、それに連なる絶
縁層部分に比べて、不連続的に階段状に薄く又は厚く形
成したり、誘電率の異なる他の絶縁体で不連続的に形成
したりしなければならない。その結果、パッケージの機
械的強度が落ちたり、パッケージに反りや歪みが生じた
りしてしまう。そのため、上記方法は、パッケージの製
造を困難化し、パッケージの大量生産に適さないため、
一般に実用化されるに至っていない。
【００１１】これらのことは、上述の複数の絶縁層を積
層してなるパッケージのみでなく、その他の各種構造を
したパッケージの場合にも言えた。即ち、高集積化され
た超高周波用の半導体素子等の素子を収容する各種構造
をしたパッケージの設計に際に際しては、その伝送線路
の特性インピーダンスのマッチングを図りながら、その
伝送線路の一部の幅を、同じ伝送線路の他の部分の幅に
比べて、広狭に調整する必要がある場合があるが、その
ような場合においても、従来は、上述の方法以外には、
他の有効な手段がなかった。
【００１２】本発明は、このような問題点を解消するた
めになされたもので、その伝送線路の特性インピーダン
スのマッチングを図りながら、その伝送線路の一部の幅
を、同じ伝送線路の他の部分の幅に比べて、広狭に自在
に調整できる、製造が容易で量産に適した、超高周波素
子用パッケージを提供することを目的としている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の超高周波素子用パッケージは、複数の絶縁
層が積層されて形成されたパッケージであって、伝送線
路が複数の前記絶縁層を上下に連続して貫通して備えら
れた超高周波素子用パッケージにおいて、複数の前記絶
縁層間に、前記伝送線路と所定間隔あけて、伝送線路の
周囲を囲む導体からなる調整物体であって、伝送線路の
特性インピーダンス調整用の調整物体が設けられて、そ
れらの調整物体が、前記絶縁層を上下に貫通して設けら
れたヴィアホールであって、その内部に導体が充填され
たヴィアホールにより一連に電気的に接続されてなるこ
とを特徴としている。
【００１４】この超高周波素子用パッケージにおいて
は、パッケージを形成している複数の絶縁層を上下に連
続して貫通して備えられた伝送線路の周囲の複数の絶縁
層間に、伝送線路の周囲を囲むようにして設けられた導
体からなる調整物体であって、その内部に導体が充填さ
れたヴィアホールにより一連に電気的に接続された調整
物体が、該調整物体周辺の伝送線路が備えられた絶縁層
部分の実効誘電率を、局部的に増大させたり減少させた
りする。
【００１５】そのため、複数の絶縁層間に設けられた上
記の調整物体とその内方の伝送線路との離隔距離、その
調整物体の量や密度、その調整物体の材質等を適宜選択
することにより、調整物体内方の伝送線路部分の特性イ
ンピーダンスを、大小に調整できる。
【００１６】換言すれば、複数の絶縁層間に設けられた
上記の調整物体とその内方の伝送線路との離隔距離、そ
の調整物体の量や密度、その調整物体の材質等を適宜選
択することにより、調整物体近くに配置された伝送線路
部分であって、パッケージを形成している複数の絶縁層
を上下に連続して貫通して備えられた伝送線路部分の特
性インピーダンスのマッチングを図りながら、その伝送
線路部分の幅やその直径を大小に調整できる。
【００１７】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を、図
面に従い説明する。図１ないし図４は本発明の超高周波
素子用パッケージの好適な実施の形態を示し、図１はそ
の縦断面図、図２はその平面図、図３と図４はその絶縁
層の上面図である。以下に、このパッケージを説明す
る。
【００１８】図のパッケージ１０は、４枚のアルミアナ
セラミック等の絶縁層６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄを積層し
て形成している。
【００１９】パッケージ１０の最下絶縁層６ａの下面に
は、複数本のリード９を垂直に起立させて格子状に並べ
て植設している。
【００２０】パッケージ１０の積層された４枚の絶縁層
６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄには、該４枚の絶縁層を連続し
て上下に貫通させて、メタライズ等の導体からなる伝送
線路７０を備えている。そして、該伝送線路７０を介し
て、最上絶縁層６ｄの上面に備えられた伝送線路７０と
最下絶縁層６ａの下面に植設されたリード９とを電気的
に接続している。
【００２１】パッケージ１０の積層された４枚の各絶縁
層６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ間には、伝送線路７０と一定
距離あけて、図３に示したように、伝送線路７０の周囲
をリング状に幅狭く囲むメタライズ等の導体からなる調
整物体層１５、又は図４に示したように、伝送線路７０
周囲に小径の穴状部分を残して、伝送線路７０の周囲を
幅広く囲むメタライズ等の導体からなる調整物体層１５
を備えている。
【００２２】４枚の各絶縁層６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄに
は、該各絶縁層を上下に貫通させて、導体を充填したヴ
ィアホール１４を設けている。そして、それらの導体を
充填したヴィアホール１４を介して、４枚の各絶縁層６
ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ間に備えた導体からなる調整物体
層１５を、一連に電気的に接続している。
【００２３】即ち、図のパッケージ１０では、伝送線路
７０を連続して上下に貫通させて備えた複数（４枚）の
絶縁層６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ間に、伝送線路７０と所
定間隔あけて、伝送線路７０の周囲を囲む調整物体層１
５からなる調整物体であって、伝送線路７０の特性イン
ピーダンス調整用の導体からなる調整物体をそれぞれ設
けて、それらの調整物体を絶縁層６ａ、６ｂ、６ｃ、６
ｄを上下に貫通させて設けた導体を充填したヴィアホー
ル１４により一連に電気的に接続している。
【００２４】その他は、従来の複数の絶縁層を積層して
形成してなるパッケージと同様に構成していて、このパ
ッケージ１０においては、複数の絶縁層６ａ、６ｂ、６
ｃ、６ｄ間に設ける調整物体層１５からなる調整物体と
その内方の伝送線路７０との離隔距離、その調整物体の
量や密度、その調整物体の材質等を適宜選択することに
より、調整物体内方の伝送線路７０部分の特性インピー
ダンスを、大小に調整できる。
【００２５】換言すれば、複数の絶縁層６ａ、６ｂ、６
ｃ、６ｄ間に設ける上記調整物体とその内方の伝送線路
との離隔距離、その調整物体の量や密度、その調整物体
の材質等を適宜選択することにより、伝送線路７０の特
性インピーダンスのマッチングを図りながら、調整物体
１５近くの伝送線路７０部分の幅、即ち調整物体内方の
複数の絶縁層６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄを連続して上下に
貫通させて備えた伝送線路７０部分の直径を広狭に調整
できる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の超高周波
素子用パッケージによれば、その複数の絶縁層間に設け
た調整物体により、該調整物体近くの伝送線路部分の特
性インピーダンスを、大小に調整できる。
【００２７】そして、その調整物体近くの伝送線路部分
の幅、即ちその伝送線路部分の直径を、同じ伝送線路の
他の部分の幅に規制されずに、その伝送線路の特性イン
ピーダンスのマッチングを図りながら、パッケージ内部
に収容する高集積化された超高周波用の半導体素子等の
素子の接続パターンピッチ等に合わせて、広狭に自在に
調整できる。
【００２８】また、本発明の超高周波素子用パッケージ
を製造する場合に、そのセラミック等からなる複数の絶
縁層間に設けるメタライズ等の導体からなる調整物体
や、その絶縁層に設けるメタライズ等の導体を充填した
ヴィアホールを、その絶縁層及び該絶縁層に備えるメタ
ライズ等の導体からなる伝送線路と同時に一体焼成する
等して、その複数の絶縁層間やその絶縁層に手数を掛け
ずに容易かつ迅速に形成できる。そして、超高周波用の
半導体素子等の素子を収容する超高周波素子用パッケー
ジの大量生産の容易化、迅速化が図れる。
【００２９】また、伝送線路の特性インピーダンスを調
整するために、パッケージの絶縁層の一部の厚さを階段
状に局部的に薄く又は厚く形成したり、パッケージの絶
縁層の一部に誘電率の異なる絶縁体を埋め込んだりする
必要がなくなる。そして、パッケージの伝送線路の特性
インピーダンスの調整手段を設けたために、パッケージ
の機械適強度が損なわれたり、パッケージが反ったりや
歪んだりするのを、的確に防ぐことができる。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a package for an ultra-high frequency device for housing an element such as a semiconductor device operated at a so-called ultra-high frequency operating frequency of 3 to 50 GHz. 2. Description of the Related Art Recently, with the increase in the speed of electronic devices, devices such as highly integrated semiconductor devices for ultra-high frequencies whose operating frequency exceeds 10 GHz have appeared. And
The demand for a package for accommodating the ultrahigh-frequency element and having excellent high-frequency characteristics has been increasing. A conventional general package is formed by laminating a plurality of insulating layers made of ceramic or the like. A plurality of band-shaped transmission lines, such as metallized conductors, for transmitting high-frequency signals are arranged on the surface of the insulating layer or inside thereof at a predetermined pitch. When a highly integrated device such as a semiconductor device for an ultra-high frequency is accommodated in the above-mentioned package, inner leads of a plurality of transmission lines electrically connected to electrodes of the semiconductor device are provided. The pattern pitch of the parts must be formed very small in accordance with the connection pattern pitch of the semiconductor elements. However, in the above-described package, the pattern width C of the outer lead portion of the transmission line is set so that a lead wire or the like can be stably and accurately connected to the outer lead portion of the transmission line. , It is necessary to form it with a certain width. In order to transmit a high-frequency signal to the transmission line of the above-described package with high transmission efficiency, the pattern widths A and C of the inner lead portion and the outer lead portion of the same transmission line must be formed to be the same. There is. Then, it is necessary to match the characteristic impedance of the transmission line. For this reason, when a highly integrated semiconductor device such as a semiconductor device for an ultra-high frequency is accommodated in the above-described package, the space width between adjacent inner lead portions of the plurality of transmission lines is narrow. As a result, crosstalk between adjacent transmission lines has increased. In the above-mentioned package, in order to solve such a problem, the thickness of the insulating layer of the package immediately below the inner lead portion of the transmission line is locally changed stepwise, or the thickness of the transmission line is changed. By embedding another insulator with a different dielectric constant into the insulating layer portion of the package directly below the inner lead, the method of changing the effective dielectric constant of the insulating layer portion of the transmission line with the inner lead portion has been changed. ,Are known. According to this method, the pattern width A of the inner lead portion of the transmission line is changed while the characteristic impedance of the inner lead portion and the outer lead portion of the transmission line of the package is matched. The width can be made smaller than the pattern width C of the outer lead portion. In addition, a sufficient width of the space between the adjacent inner lead portions of the plurality of transmission lines can be obtained, and crosstalk between the adjacent transmission lines can be reduced. However, according to this method, a part of the insulating layer of the package is discontinuously formed stepwise thinly or thickly in comparison with the insulating layer part connected thereto, It must be formed discontinuously with another insulator having a different dielectric constant. As a result, the mechanical strength of the package is reduced, and the package is warped or distorted. Therefore, the above-mentioned method makes package manufacturing difficult and is not suitable for mass production of packages.
In general, it has not been put to practical use. These facts can be said not only for a package formed by laminating a plurality of insulating layers described above, but also for packages having other various structures. In other words, when designing a package having various structures for accommodating elements such as highly integrated semiconductor devices for ultra-high frequency, a part of the transmission line is designed while matching the characteristic impedance of the transmission line. The width may need to be adjusted to be wider or narrower than the width of other parts of the same transmission line, but even in such a case, conventionally, in addition to the method described above,
There was no other effective means. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve such a problem, and it is intended to match the characteristic impedance of a transmission line while changing the width of a part of the transmission line to another width of the same transmission line. It is an object of the present invention to provide a package for an ultra-high frequency device, which can be adjusted to be wider and narrower than the width of the portion, is easy to manufacture, and is suitable for mass production. [0013] In order to achieve the above object, a package for an ultra-high frequency device according to the present invention is a package formed by laminating a plurality of insulating layers, and comprising a plurality of transmission lines. In the package for an ultra-high frequency element provided so as to continuously penetrate the insulating layer vertically, an adjustment object comprising a conductor surrounding the transmission line at a predetermined distance from the transmission line between the plurality of insulating layers. An adjusting object for adjusting the characteristic impedance of the transmission line is provided, and the adjusting objects are via holes provided vertically penetrating the insulating layer, and the inside thereof is filled with a conductor. The via holes are electrically connected in series. In this package for an ultrahigh-frequency device, the periphery of the transmission line is formed between a plurality of insulation layers surrounding the transmission line provided by vertically penetrating a plurality of insulation layers forming the package. An adjusting object made of a conductor provided so as to surround the adjusting object electrically connected in series by a via hole filled with a conductor inside the adjusting object, the insulating layer provided with a transmission line around the adjusting object. The effective permittivity of the portion is locally increased or decreased. [0015] Therefore, by appropriately selecting the separation distance between the adjustment object provided between the plurality of insulating layers and the transmission line inside the adjustment object, the amount and density of the adjustment object, the material of the adjustment object, and the like, The characteristic impedance of the transmission line portion inside the adjustment object can be adjusted to be large or small. In other words, the distance between the adjusting object provided between the plurality of insulating layers and the transmission line inside the adjusting object, the amount and density of the adjusting object, the material of the adjusting object, and the like are appropriately selected. Thereby, while aiming at the matching of the characteristic impedance of the transmission line portion provided near the adjustment object and provided by continuously penetrating a plurality of insulating layers forming the package in the vertical direction, The width and the diameter of the transmission line can be adjusted to be large or small. Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 to 4 show a preferred embodiment of a package for an ultrahigh-frequency device according to the present invention. FIG. 1 is a longitudinal sectional view, FIG. 2 is a plan view thereof, and FIGS. 3 and 4 are top views of an insulating layer thereof. It is. Hereinafter, this package will be described. The package 10 shown in the figure is formed by laminating four insulating layers 6a, 6b, 6c and 6d of aluminum ceramic or the like. On the lower surface of the lowermost insulating layer 6a of the package 10, a plurality of leads 9 are vertically erected and arranged in a grid pattern. The four insulating layers 6a, 6b, 6c, 6d of the package 10 are continuously penetrated up and down to form a transmission line 70 made of a conductor such as a metallization. Have. Then, the transmission line 70 provided on the upper surface of the uppermost insulating layer 6d and the lead 9 implanted on the lower surface of the lowermost insulating layer 6a are electrically connected via the transmission line 70. As shown in FIG. 3, a ring is formed around the transmission line 70 between the four insulating layers 6a, 6b, 6c, and 6d of the package 10 at a certain distance from the transmission line 70. The adjustment object layer 15 made of a conductor such as a metallization that surrounds the transmission line 70 in a narrow shape, or as shown in FIG.
The adjustment object layer 15 made of a conductor such as metallization, which surrounds the transmission line 70 widely, leaving a small-diameter hole-shaped portion around it.
It has. In each of the four insulating layers 6a, 6b, 6c and 6d, a via hole 14 filled with a conductor is provided by vertically penetrating the insulating layers. Then, through the via holes 14 filled with the conductors, the four insulating layers 6
The adjustment object layer 15 made of a conductor provided between a, 6b, 6c, and 6d is electrically connected in series. That is, in the package 10 shown in the figure, the transmission line 70 is provided at predetermined intervals between the plurality of (four) insulating layers 6a, 6b, 6c, 6d provided by continuously penetrating the transmission line 70 vertically. The adjustment object layer 1 surrounding the periphery of the transmission line 70
5 are provided, each of which is made of a conductor for adjusting the characteristic impedance of the transmission line 70, and these adjustment objects are separated by insulating layers 6a, 6b, 6c, 6
A series of electrical connections are made by via holes 14 filled with a conductor provided by vertically penetrating d. The rest of the structure is the same as that of a conventional package formed by stacking a plurality of insulating layers. In this package 10, a plurality of insulating layers 6a, 6b, 6
By appropriately selecting the separation distance between the adjustment object composed of the adjustment object layer 15 provided between c and 6d and the transmission line 70 inside the adjustment object, the amount and density of the adjustment object, the material of the adjustment object, and the like, The characteristic impedance of the transmission line 70 inside the body can be adjusted to be large or small. In other words, the plurality of insulating layers 6a, 6b, 6
Matching of the characteristic impedance of the transmission line 70 by appropriately selecting the separation distance between the adjustment object provided between c and 6d and the transmission line inside the adjustment object, the amount and density of the adjustment object, the material of the adjustment object, and the like. , The width of the portion of the transmission line 70 near the adjustment object 15, that is, the diameter of the portion of the transmission line 70 provided by continuously penetrating the insulating layers 6a, 6b, 6c, 6d inside the adjustment object vertically. Can be adjusted widely. As described above, according to the package for an ultra-high frequency device of the present invention, the characteristic impedance of the transmission line near the adjustment object is reduced by the adjustment object provided between the plurality of insulating layers. , Can be adjusted large and small. Then, the width of the transmission line portion near the adjustment object, that is, the diameter of the transmission line portion is not restricted by the width of other portions of the same transmission line, and the characteristic impedance of the transmission line is matched. However, the width can be freely adjusted in accordance with the connection pattern pitch of elements such as highly integrated ultra-high frequency semiconductor elements housed in the package. Further, when manufacturing the package for an ultra-high frequency device of the present invention, an adjustment object made of a metallized conductor or the like provided between a plurality of insulating layers made of ceramic or the like, or a metallized or the like conductor provided on the insulating layer is used. The filled via hole is baked together with the insulating layer and the transmission line formed of a conductor such as metallization provided in the insulating layer, for example, so as to be easily and quickly without troublesome work on the plurality of insulating layers and the insulating layer. Can be formed. Further, it is possible to facilitate and speed up mass production of a package for an ultra-high frequency element for accommodating an element such as a semiconductor element for an ultra-high frequency. Further, in order to adjust the characteristic impedance of the transmission line, the thickness of a part of the insulating layer of the package is locally thinned or thickened stepwise, or the dielectric constant of the part of the insulating layer of the package is changed. There is no need to bury different insulators. Since the means for adjusting the characteristic impedance of the transmission line of the package is provided, it is possible to accurately prevent the mechanical strength of the package from being impaired, or the package from warping or distorting.
【図面の簡単な説明】 【図１】本発明のパッケージの縦断面図である。 【図２】本発明のパッケージの平面面である。 【図３】本発明のパッケージの絶縁層の上面図である。 【図４】本発明のパッケージの絶縁層の上面図である。 【符号の説明】 ６ａ 最下絶縁層 ６ｂ、６ｃ 中間絶縁層 ６ｄ 最上絶縁層 ９ リード １０ パッケージ １４ ヴィアホール １５ 調整物体層 ７０ 伝送線路[Brief description of the drawings] FIG. 1 is a longitudinal sectional view of a package of the present invention. FIG. 2 is a plan view of the package of the present invention. FIG. 3 is a top view of an insulating layer of the package of the present invention. FIG. 4 is a top view of an insulating layer of the package of the present invention. [Explanation of symbols] 6a Lowermost insulating layer 6b, 6c Intermediate insulating layer 6d top insulation layer 9 Lead 10 packages 14 Via Hall 15 Adjustment object layer 70 Transmission line
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 23/12──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) H01L 23/12
Claims (1)
あって、伝送線路が複数の前記絶縁層を上下に連続して
貫通して備えられた超高周波素子用パッケージにおい
て、複数の前記絶縁層間に、前記伝送線路と所定間隔あ
けて、伝送線路の周囲を囲む導体からなる調整物体であ
って、伝送線路の特性インピーダンス調整用の調整物体
が設けられて、それらの調整物体が、前記絶縁層を上下
に貫通して設けられたヴィアホールであって、その内部
に導体が充填されたヴィアホールにより一連に電気的に
接続されてなることを特徴とする超高周波素子用パッケ
ージ。(57) [Claims] A package formed by laminating multiple insulating layers
There, in the superhigh frequency package element transmission line provided with <br/> through successively a plurality of the insulating layer vertically, the insulating layers of multiple, spaced the transmission line by a predetermined distance , a regulating body made of a conductor surrounding the transmission line, adjusting the object for the characteristic impedance adjustment of heat transmission line
Are provided , and these adjustment objects are via holes provided vertically penetrating the insulating layer,
Series ultra high frequency device package characterized by comprising are electrically connected by via hole conductors is filled in.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8266686A JP2762405B2 (en) | 1996-09-17 | 1996-09-17 | Package for ultra high frequency device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8266686A JP2762405B2 (en) | 1996-09-17 | 1996-09-17 | Package for ultra high frequency device |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61254134A Division JPH0793392B2 (en) | 1986-10-25 | 1986-10-25 | Package for ultra high frequency devices |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09199634A JPH09199634A (en) | 1997-07-31 |
| JP2762405B2 true JP2762405B2 (en) | 1998-06-04 |
Family
ID=17434294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8266686A Expired - Lifetime JP2762405B2 (en) | 1996-09-17 | 1996-09-17 | Package for ultra high frequency device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2762405B2 (en) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5951555A (en) * | 1982-09-17 | 1984-03-26 | Nec Corp | Semiconductor integrated circuit device |
-
1996
- 1996-09-17 JP JP8266686A patent/JP2762405B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09199634A (en) | 1997-07-31 |
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Legal Events
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |