JP2761822B2 - ポジ型フオトレジスト組成物 - Google Patents
ポジ型フオトレジスト組成物Info
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- JP2761822B2 JP2761822B2 JP4025158A JP2515892A JP2761822B2 JP 2761822 B2 JP2761822 B2 JP 2761822B2 JP 4025158 A JP4025158 A JP 4025158A JP 2515892 A JP2515892 A JP 2515892A JP 2761822 B2 JP2761822 B2 JP 2761822B2
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- Japan
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- positive photoresist
- naphthoquinonediazide
- photoresist composition
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は輻射線に感応するポジ型
フオトレジスト組成物に関するものであり、特に高い解
像力と感度、更に良好なパターンの断面形状を備えた微
細加工用フオトレジスト組成物に関するものである。本
発明に成るポジ型フオトレジストは、半導体ウエハー、
ガラス、セラミツクスもしくは金属等の基板上にスピン
塗布法もしくはローラー塗布法で０．５〜３μｍの厚み
に塗布される。その後、加熱、乾燥し、露光マスクを介
して回路パターン等を紫外線照射等により焼き付け、現
像してポジ画像が形成される。更にこのポジ画像をマス
クとしてエツチングすることにより、基板上にパターン
の加工を施すことができる。代表的な応用分野にはＩＣ
等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘツド等の回路基
板の製造、その他のフオトフアブリケーシヨン工程等が
ある。
フオトレジスト組成物に関するものであり、特に高い解
像力と感度、更に良好なパターンの断面形状を備えた微
細加工用フオトレジスト組成物に関するものである。本
発明に成るポジ型フオトレジストは、半導体ウエハー、
ガラス、セラミツクスもしくは金属等の基板上にスピン
塗布法もしくはローラー塗布法で０．５〜３μｍの厚み
に塗布される。その後、加熱、乾燥し、露光マスクを介
して回路パターン等を紫外線照射等により焼き付け、現
像してポジ画像が形成される。更にこのポジ画像をマス
クとしてエツチングすることにより、基板上にパターン
の加工を施すことができる。代表的な応用分野にはＩＣ
等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘツド等の回路基
板の製造、その他のフオトフアブリケーシヨン工程等が
ある。
【０００２】
【従来の技術】ポジ型フオトレジスト組成物としては、
一般にアルカリ可溶性樹脂と感光物としてのナフトキノ
ンジアジド化合物とを含む組成物が用いられている。例
えば、「ノボラツク型フエノール樹脂／ナフトキノンジ
アジド置換化合物」としてＵＳＰ−３,６６６,４７３
号、ＵＳＰ−４,１１５,１２８号及びＵＳＰ−４,１７
３,４７０号等に、また最も典型的な組成物として 「ク
レゾールーホルムアルデヒドより成るノボラツク樹脂／
トリヒドロキシベンゾフエノンー１,２ーナフトキノン
ジアジドスルホン酸エステル」の例がトンプソン 「イ
ントロダクシヨン・トウー・マイクロリソグラフイー」
(Ｌ.Ｆ.Ｔｈｏｍｐｓｏｎ 「Ｉｎｔｒｏ-ｄｕｃｔｉｏ
ｎ ｔｏ Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏ−ｇｒａｐｈｙ」）
(ＡＣＳ出版、Ｎｏ．２１９号、Ｐ１１２〜１２１）に
記載されている。結合剤としてのノボラツク樹脂は、膨
潤することなくアルカリ水溶液に溶解可能であり、また
生成した画像をエツチングのマスクとして使用する際に
特にプラズマエツチングに対して高い耐性を与えるが故
に本用途に特に有用である。また、感光物に用いるナフ
トキノンジアジド化合物は、それ自身ノボラツク樹脂の
アルカリ溶解性を低下せしめる溶解阻止剤として作用す
るが、光照射を受けて分解するとアルカリ可溶性物質を
生じてむしろノボラツク樹脂のアルカリ溶解度を高める
働きをする点で特異であり、この光に対する大きな性質
変化の故にポジ型フオトレジストの感光物として特に有
用である。これまで、かかる観点からノボラツク樹脂と
ナフトキノンジアジド系感光物を含有する数多くのポジ
型フオトレジストが開発、実用化され、１．５μｍ〜２
μｍ程度までの線幅加工においては充分な成果をおさめ
てきた。
一般にアルカリ可溶性樹脂と感光物としてのナフトキノ
ンジアジド化合物とを含む組成物が用いられている。例
えば、「ノボラツク型フエノール樹脂／ナフトキノンジ
アジド置換化合物」としてＵＳＰ−３,６６６,４７３
号、ＵＳＰ−４,１１５,１２８号及びＵＳＰ−４,１７
３,４７０号等に、また最も典型的な組成物として 「ク
レゾールーホルムアルデヒドより成るノボラツク樹脂／
トリヒドロキシベンゾフエノンー１,２ーナフトキノン
ジアジドスルホン酸エステル」の例がトンプソン 「イ
ントロダクシヨン・トウー・マイクロリソグラフイー」
(Ｌ.Ｆ.Ｔｈｏｍｐｓｏｎ 「Ｉｎｔｒｏ-ｄｕｃｔｉｏ
ｎ ｔｏ Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏ−ｇｒａｐｈｙ」）
(ＡＣＳ出版、Ｎｏ．２１９号、Ｐ１１２〜１２１）に
記載されている。結合剤としてのノボラツク樹脂は、膨
潤することなくアルカリ水溶液に溶解可能であり、また
生成した画像をエツチングのマスクとして使用する際に
特にプラズマエツチングに対して高い耐性を与えるが故
に本用途に特に有用である。また、感光物に用いるナフ
トキノンジアジド化合物は、それ自身ノボラツク樹脂の
アルカリ溶解性を低下せしめる溶解阻止剤として作用す
るが、光照射を受けて分解するとアルカリ可溶性物質を
生じてむしろノボラツク樹脂のアルカリ溶解度を高める
働きをする点で特異であり、この光に対する大きな性質
変化の故にポジ型フオトレジストの感光物として特に有
用である。これまで、かかる観点からノボラツク樹脂と
ナフトキノンジアジド系感光物を含有する数多くのポジ
型フオトレジストが開発、実用化され、１．５μｍ〜２
μｍ程度までの線幅加工においては充分な成果をおさめ
てきた。
【０００３】しかし、集積回路はその集積度を益々高め
ており、超ＬＳＩなどの半導体基板の製造においては１
μｍ以下の線幅から成る超微細パターンの加工が必要と
される様になってきている。かかる用途においては、特
に高い解像力、露光マスクの形状を正確に写しとる高い
パターン形状再現精度及び高生産性の観点からの高感度
を有するフオトレジストが要求され、従来の上記ポジ型
フオトレジストでは対応できないのが実状である。
ており、超ＬＳＩなどの半導体基板の製造においては１
μｍ以下の線幅から成る超微細パターンの加工が必要と
される様になってきている。かかる用途においては、特
に高い解像力、露光マスクの形状を正確に写しとる高い
パターン形状再現精度及び高生産性の観点からの高感度
を有するフオトレジストが要求され、従来の上記ポジ型
フオトレジストでは対応できないのが実状である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明の目的と
する所は、特に半導体デバイスの製造において、（１）
高い解像力を有するポジ型フオトレジスト組成物、
（２） フオトマスク線幅の広い範囲にわたってマスク
寸法を正確に再現するポジ型フオトレジスト組成物、
（３） １μｍ以下の線幅のパターンにおいて、高いア
スペクト比を有する断面形状のレジストパターンを生成
し得るポジ型フオトレジスト組成物、（４） パターン
断面の側壁が垂直に近い形状のパターンを生成し得るポ
ジ型フオトレジスト組成物、（５） 広い現像ラチチユ
ードを有するポジ型フオトレジスト組成物、（６） 得
られるレジスト像が耐熱性に優れるポジ型フオトレジス
ト組成物、を提供する事にある。
する所は、特に半導体デバイスの製造において、（１）
高い解像力を有するポジ型フオトレジスト組成物、
（２） フオトマスク線幅の広い範囲にわたってマスク
寸法を正確に再現するポジ型フオトレジスト組成物、
（３） １μｍ以下の線幅のパターンにおいて、高いア
スペクト比を有する断面形状のレジストパターンを生成
し得るポジ型フオトレジスト組成物、（４） パターン
断面の側壁が垂直に近い形状のパターンを生成し得るポ
ジ型フオトレジスト組成物、（５） 広い現像ラチチユ
ードを有するポジ型フオトレジスト組成物、（６） 得
られるレジスト像が耐熱性に優れるポジ型フオトレジス
ト組成物、を提供する事にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記諸特
性に留意し鋭意検討した結果、アルカリ可溶性樹脂と特
定の構造式を有するキノンジアジド化合物を用いること
により、上記目的を達成し得ることを見いだし、この知
見に基づき本発明を完成させるに至った。即ち、本発明
の目的は、下記一般式（Ｉ）で表されるポリヒドロキシ
化合物の１,２−ナフトキノンジアジド−５− (及び／
又は−４−）ス ルホン酸エステルとアルカリ可溶性樹
脂を含有することを特徴とするポジ型フオトレジスト組
成物により達成された。
性に留意し鋭意検討した結果、アルカリ可溶性樹脂と特
定の構造式を有するキノンジアジド化合物を用いること
により、上記目的を達成し得ることを見いだし、この知
見に基づき本発明を完成させるに至った。即ち、本発明
の目的は、下記一般式（Ｉ）で表されるポリヒドロキシ
化合物の１,２−ナフトキノンジアジド−５− (及び／
又は−４−）ス ルホン酸エステルとアルカリ可溶性樹
脂を含有することを特徴とするポジ型フオトレジスト組
成物により達成された。
【０００６】
【化２】
【０００７】ここで、Ｒ１〜Ｒ２７：同一でも異なって
も良く、水素原子、水酸基、ハロゲン原子、アルキル
基、アルコキシ基、ニトロ基、アルケニル基、アリール
基、アラルキル基、アルコキシカルボニル基、アリール
カルボニルオキシ基、アシロキシ基、アシル基、アリー
ルオキシ基、もしくはアラルコキシ基、を表す。以下、
本発明を詳細に説明する。
も良く、水素原子、水酸基、ハロゲン原子、アルキル
基、アルコキシ基、ニトロ基、アルケニル基、アリール
基、アラルキル基、アルコキシカルボニル基、アリール
カルボニルオキシ基、アシロキシ基、アシル基、アリー
ルオキシ基、もしくはアラルコキシ基、を表す。以下、
本発明を詳細に説明する。
【０００８】上記一般式（Ｉ）のＲ１〜Ｒ ２７ におい
て、ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子もしく
はヨウ素原子が、アルキル基としてはメチル基、エチル
基、プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ
−ブチル基もしくはｔ−ブチル基の様な炭素数１〜４の
アルキル基が、アルコキシ基としてはメトキシ基、エト
キシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロ
キシプロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ
基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基もしくはｔ−
ブトキシ基の様な炭素数１〜４のアルコキシ基が好まし
い。 アルケニル基としては、ビニル基、プロペニル
基、アリル基もしくはブテニル基の様な炭素数２〜４の
アルケニル基が好ましい。
て、ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子もしく
はヨウ素原子が、アルキル基としてはメチル基、エチル
基、プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ
−ブチル基もしくはｔ−ブチル基の様な炭素数１〜４の
アルキル基が、アルコキシ基としてはメトキシ基、エト
キシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロ
キシプロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ
基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基もしくはｔ−
ブトキシ基の様な炭素数１〜４のアルコキシ基が好まし
い。 アルケニル基としては、ビニル基、プロペニル
基、アリル基もしくはブテニル基の様な炭素数２〜４の
アルケニル基が好ましい。
【０００９】アリール基としてはフエニル基、キシリル
基、トルイル基、クメニル基が、アラルキル基としては
ベンジル基、フエネチル基、クミル基が、アルコキシカ
ルボニル基としてはメトキシカルボニル基、エトキシカ
ルボニル基が、アリールカルボニルオキシ基としてはベ
ンゾイルオキシ基が、アシロキシ基としてはブチリルオ
キシ基、アセトキシ基が、アシル基としてはホルミル
基、アセチル基、ブチリル基、ベンゾイル基、シンナモ
イル基、バレリル基が、アラルコキシ基としてはベンジ
ルオキシ基が、アリールオキシ基としてはフエノキシ基
が好ましい。
基、トルイル基、クメニル基が、アラルキル基としては
ベンジル基、フエネチル基、クミル基が、アルコキシカ
ルボニル基としてはメトキシカルボニル基、エトキシカ
ルボニル基が、アリールカルボニルオキシ基としてはベ
ンゾイルオキシ基が、アシロキシ基としてはブチリルオ
キシ基、アセトキシ基が、アシル基としてはホルミル
基、アセチル基、ブチリル基、ベンゾイル基、シンナモ
イル基、バレリル基が、アラルコキシ基としてはベンジ
ルオキシ基が、アリールオキシ基としてはフエノキシ基
が好ましい。
【００１０】一般式（Ｉ）で表される化合物は、例えば
特開昭５５−１６２７２８に記載された方法、即ち、酸
性条件もしくはアルカリ性条件下で、カルボニルプリカ
ーサーとフエノール誘導体を反応させることにより得ら
れる。反応を酸性条件下で行う場合、メルカプト基を含
有する触媒を使用するのが好ましい。メルカプト基を含
有する触媒の具体例としては、エタンチオール、１−ブ
タンチオール、チオフエノール、メルカプト酢酸等を挙
げることができるが、これらに限定されるものではな
い。縮合反応は理論量以上のフエノール反応成分を用い
て行うのが好ましい。反応温度は室温から１００℃、も
しくはそれ以上の温度が好ましい。縮合反応の進行は、
クロマトグラフ法または分光分析法で容易に監視でき
る。例えば、赤外分光分析を用いて、カルボニル吸収帯
の減少によつて容易に追跡できる。
特開昭５５−１６２７２８に記載された方法、即ち、酸
性条件もしくはアルカリ性条件下で、カルボニルプリカ
ーサーとフエノール誘導体を反応させることにより得ら
れる。反応を酸性条件下で行う場合、メルカプト基を含
有する触媒を使用するのが好ましい。メルカプト基を含
有する触媒の具体例としては、エタンチオール、１−ブ
タンチオール、チオフエノール、メルカプト酢酸等を挙
げることができるが、これらに限定されるものではな
い。縮合反応は理論量以上のフエノール反応成分を用い
て行うのが好ましい。反応温度は室温から１００℃、も
しくはそれ以上の温度が好ましい。縮合反応の進行は、
クロマトグラフ法または分光分析法で容易に監視でき
る。例えば、赤外分光分析を用いて、カルボニル吸収帯
の減少によつて容易に追跡できる。
【００１１】これらの化合物の精製は、再結晶、溶離ク
ロマトグラフイー等で行うことができる。再結晶に好適
な溶剤は、塩化メチレン、ベンゼン、シクロヘキサン、
メタノール、エタノール、及びアルコール−水混合物等
である。溶離クロマトグラフイーは、アルミナもしくは
シリカで種々の溶剤を溶離剤として行うのが最適であ
る。
ロマトグラフイー等で行うことができる。再結晶に好適
な溶剤は、塩化メチレン、ベンゼン、シクロヘキサン、
メタノール、エタノール、及びアルコール−水混合物等
である。溶離クロマトグラフイーは、アルミナもしくは
シリカで種々の溶剤を溶離剤として行うのが最適であ
る。
【００１２】この様にして得られる一般式（Ｉ）で表さ
れる化合物の具体例としては、α，α，α’，α’，
α”，α”−ヘキサキス−（４−ヒドロキシフエニル）
−１，３，５−トリエチルベンゼン、α，α，α’，
α’，α”，α”−ヘキサキス−（４−ヒドロキシ−
２，６−ジメチルフエニル）−１，３，５−トリエチル
ベンゼン、α，α，α’，α’，α”，α”−ヘキサキ
ス−（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフエニル）−
１，３，５−トリエチルベンゼン、α，α，α’，
α’，α”，α”−ヘキサキス−（４−ヒドロキシ−３
−メチルフエニル）−１，３，５−トリエチルベンゼ
ン、等を挙げることができるが、これらに限定されるさ
れるものではない。これらのポリヒドロキシ化合物は単
独で、もしくは２種以上の組合せで用いられる。
れる化合物の具体例としては、α，α，α’，α’，
α”，α”−ヘキサキス−（４−ヒドロキシフエニル）
−１，３，５−トリエチルベンゼン、α，α，α’，
α’，α”，α”−ヘキサキス−（４−ヒドロキシ−
２，６−ジメチルフエニル）−１，３，５−トリエチル
ベンゼン、α，α，α’，α’，α”，α”−ヘキサキ
ス−（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフエニル）−
１，３，５−トリエチルベンゼン、α，α，α’，
α’，α”，α”−ヘキサキス−（４−ヒドロキシ−３
−メチルフエニル）−１，３，５−トリエチルベンゼ
ン、等を挙げることができるが、これらに限定されるさ
れるものではない。これらのポリヒドロキシ化合物は単
独で、もしくは２種以上の組合せで用いられる。
【００１３】本発明の化合物は、例えば前記ポリヒドロ
キシ化合物の水酸基の一部又は全部を、１,２−ナフト
キノンジアジド−５− (及び／又は−４−）スルホニル
クロリドと、塩基性触媒の存在下で、通常のエステル化
反応を行うことにより得られる。即ち、所定量のポリヒ
ドロキシ化合物と１,２−ナフトキノンジアジド−５−
(及び／又は−４−）スルホニルクロリド、ジオキサン
・アセトン・メチルエチルケトン・Ｎ−メチルピロリド
ン等の溶媒をフラスコ中に仕込み、塩基性触媒、例えば
水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウ
ム、トリエチルアミン等を滴下して縮合させる。得られ
た生成物は、水洗後精製し乾燥する。以上のエステル化
反応においては、エステル化数及びエステル化位置が種
々異なる混合物が得られる。従って、本発明でいうエス
テル化率は、この混合物の平均値として定義される。こ
のように定義されたエステル化率は、原料であるポリヒ
ドロキシ化合物と１,２−ナフトキノンジアジド−５−
(及び／又は−４−）スルホニルクロリドとの混合比に
より制御できる。即ち、添加された１,２−ナフトキノ
ンジアジド−５− (及び／又は−４−）スルホニルクロ
リドは、実質上総てエステル化反応を起こすので、所望
のエステル化率の混合物を得るためには、原料のモル比
を調整すれば良い。必要に応じて、１,２−ナフトキノ
ンジアジド−５−スルホン酸エステルと１,２−ナフト
キノンジアジド−４−スルホン酸エステルを併用するこ
ともできる。また、前記方法における反応温度は、通常
−２０〜６０℃、好ましくは０〜４０℃である。前記の
ような方法で合成される本発明の感光性化合物は、樹脂
組成物として使用する際に、単独でもしくは２種以上混
合してアルカリ可溶性樹脂に配合して使用されるが、そ
の配合量は、ノボラツク樹脂１００重量部に対し該化合
物５〜１００重量部、好ましくは１０〜５０重量部であ
る。この使用比率が５重量部未満では残膜率が著しく低
下し、また１００重量部を越えると感度及び溶剤への溶
解性が低下する。
キシ化合物の水酸基の一部又は全部を、１,２−ナフト
キノンジアジド−５− (及び／又は−４−）スルホニル
クロリドと、塩基性触媒の存在下で、通常のエステル化
反応を行うことにより得られる。即ち、所定量のポリヒ
ドロキシ化合物と１,２−ナフトキノンジアジド−５−
(及び／又は−４−）スルホニルクロリド、ジオキサン
・アセトン・メチルエチルケトン・Ｎ−メチルピロリド
ン等の溶媒をフラスコ中に仕込み、塩基性触媒、例えば
水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウ
ム、トリエチルアミン等を滴下して縮合させる。得られ
た生成物は、水洗後精製し乾燥する。以上のエステル化
反応においては、エステル化数及びエステル化位置が種
々異なる混合物が得られる。従って、本発明でいうエス
テル化率は、この混合物の平均値として定義される。こ
のように定義されたエステル化率は、原料であるポリヒ
ドロキシ化合物と１,２−ナフトキノンジアジド−５−
(及び／又は−４−）スルホニルクロリドとの混合比に
より制御できる。即ち、添加された１,２−ナフトキノ
ンジアジド−５− (及び／又は−４−）スルホニルクロ
リドは、実質上総てエステル化反応を起こすので、所望
のエステル化率の混合物を得るためには、原料のモル比
を調整すれば良い。必要に応じて、１,２−ナフトキノ
ンジアジド−５−スルホン酸エステルと１,２−ナフト
キノンジアジド−４−スルホン酸エステルを併用するこ
ともできる。また、前記方法における反応温度は、通常
−２０〜６０℃、好ましくは０〜４０℃である。前記の
ような方法で合成される本発明の感光性化合物は、樹脂
組成物として使用する際に、単独でもしくは２種以上混
合してアルカリ可溶性樹脂に配合して使用されるが、そ
の配合量は、ノボラツク樹脂１００重量部に対し該化合
物５〜１００重量部、好ましくは１０〜５０重量部であ
る。この使用比率が５重量部未満では残膜率が著しく低
下し、また１００重量部を越えると感度及び溶剤への溶
解性が低下する。
【００１４】本発明に用いるアルカリ可溶性樹脂として
は、ノボラツク樹脂、アセトン−ピロガロール樹脂やポ
リヒドロキシスチレン及びその誘導体を挙げることがで
きる。これらの中で、特にノボラツク樹脂が好ましく、
所定のモノマーを主成分として、酸性触媒の存在下、ア
ルデヒド類と付加縮合させることにより得られる。所定
のモノマーとしては、フエノール、ｍ−クレゾール、ｐ
−クレゾール、ｏ−クレゾール等のクレゾール類、２,
５−キシレノール、３,５−キシレノール、３,４−キシ
レノール、２,３−キシレノール等のキシレノール類、
ｍ−エチルフエノール、ｐ−エチルフエノール、ｏ−エ
チルフエノール、ｐ−ｔ−ブチルフエノール等のアルキ
ルフエノール類、２，３，５−トリメチルフエノール、
２，３，４−トリメチルフエノール等のトリアルキルフ
エノール類、ｐ−メトキシフエノール、ｍ−メトキシフ
エノール、３,５−ジメトキシフエノール、２−メトキ
シ −４−メチルフエノール、ｍ−エトキシフエノー
ル、ｐ−エトキシフエノール、ｍ−プロポキシフエノー
ル、ｐ−プロポキシフエノール、ｍ−ブトキシフエノー
ル、ｐ−ブトキシフエノール等のアルコキシフエノール
類、２−メチル−４−イソプロピルフエノール等のビス
アルキルフエノール類、ｍ−クロロフエノール、ｐ−ク
ロロフエノール、ｏ−クロロフエノール、ジヒドロキシ
ビフエニル、ビスフエノールＡ、フエニルフエノール、
レゾルシノール、ナフトール等のヒドロキシ芳香族化合
物を単独もしくは２種以上混合して使用することができ
るが、これらに限定されるものではない。
は、ノボラツク樹脂、アセトン−ピロガロール樹脂やポ
リヒドロキシスチレン及びその誘導体を挙げることがで
きる。これらの中で、特にノボラツク樹脂が好ましく、
所定のモノマーを主成分として、酸性触媒の存在下、ア
ルデヒド類と付加縮合させることにより得られる。所定
のモノマーとしては、フエノール、ｍ−クレゾール、ｐ
−クレゾール、ｏ−クレゾール等のクレゾール類、２,
５−キシレノール、３,５−キシレノール、３,４−キシ
レノール、２,３−キシレノール等のキシレノール類、
ｍ−エチルフエノール、ｐ−エチルフエノール、ｏ−エ
チルフエノール、ｐ−ｔ−ブチルフエノール等のアルキ
ルフエノール類、２，３，５−トリメチルフエノール、
２，３，４−トリメチルフエノール等のトリアルキルフ
エノール類、ｐ−メトキシフエノール、ｍ−メトキシフ
エノール、３,５−ジメトキシフエノール、２−メトキ
シ −４−メチルフエノール、ｍ−エトキシフエノー
ル、ｐ−エトキシフエノール、ｍ−プロポキシフエノー
ル、ｐ−プロポキシフエノール、ｍ−ブトキシフエノー
ル、ｐ−ブトキシフエノール等のアルコキシフエノール
類、２−メチル−４−イソプロピルフエノール等のビス
アルキルフエノール類、ｍ−クロロフエノール、ｐ−ク
ロロフエノール、ｏ−クロロフエノール、ジヒドロキシ
ビフエニル、ビスフエノールＡ、フエニルフエノール、
レゾルシノール、ナフトール等のヒドロキシ芳香族化合
物を単独もしくは２種以上混合して使用することができ
るが、これらに限定されるものではない。
【００１５】アルデヒド類としては、例えばホルムアル
デヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プ
ロピルアルデヒド、ベンズアルデヒド、フエニルアセト
アルデヒド、α−フエニルプロピルアルデヒド、β−フ
エニルプロピルアルデヒド、ｏ−ヒドロキシベンズアル
デヒド、ｍ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｐ−ヒドロ
キシベンズアルデヒド、ｏ−クロロベンズアルデヒド、
ｍ−クロロベンズアルデヒド、ｐ−クロロベンズアルデ
ヒド、ｏ−ニトロベンズアルデヒド、ｍ−ニトロベンズ
アルデヒド、ｐ−ニトロベンズアルデヒド、ｏ−メチル
ベンズアルデヒド、ｍ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−
メチルベンズアルデヒド、ｐ−エチルベンズアルデヒ
ド、ｐ−ｎ−ブチルベンズアルデヒド、フルフラール、
クロロアセトアルデヒド及びこれらのアセタール体、例
えばクロロアセトアルデヒドジエチルアセタール等を使
用することができるが、これらの中で、ホルムアルデヒ
ドを使用するのが好ましい。これらのアルデヒド類は、
単独でもしくは２種以上組み合わせて用いられる。酸性
触媒としては塩酸、硫酸、ギ酸、酢酸及びシユウ酸等を
使用することができる。こうして得られたノボラツク樹
脂の重量平均分子量は、２０００〜３００００の範囲で
あることが好ましい。２０００未満では未露光部の現像
後の膜減りが大きく、３００００を越えると現像速度が
小さくなつてしまう。特に好適なのは６０００〜２００
００の範囲である。ここで、重量平均分子量はゲルパー
ミエーシヨンクロマトグラフイーのポリスチレン換算値
をもつて定義される。
デヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プ
ロピルアルデヒド、ベンズアルデヒド、フエニルアセト
アルデヒド、α−フエニルプロピルアルデヒド、β−フ
エニルプロピルアルデヒド、ｏ−ヒドロキシベンズアル
デヒド、ｍ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｐ−ヒドロ
キシベンズアルデヒド、ｏ−クロロベンズアルデヒド、
ｍ−クロロベンズアルデヒド、ｐ−クロロベンズアルデ
ヒド、ｏ−ニトロベンズアルデヒド、ｍ−ニトロベンズ
アルデヒド、ｐ−ニトロベンズアルデヒド、ｏ−メチル
ベンズアルデヒド、ｍ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−
メチルベンズアルデヒド、ｐ−エチルベンズアルデヒ
ド、ｐ−ｎ−ブチルベンズアルデヒド、フルフラール、
クロロアセトアルデヒド及びこれらのアセタール体、例
えばクロロアセトアルデヒドジエチルアセタール等を使
用することができるが、これらの中で、ホルムアルデヒ
ドを使用するのが好ましい。これらのアルデヒド類は、
単独でもしくは２種以上組み合わせて用いられる。酸性
触媒としては塩酸、硫酸、ギ酸、酢酸及びシユウ酸等を
使用することができる。こうして得られたノボラツク樹
脂の重量平均分子量は、２０００〜３００００の範囲で
あることが好ましい。２０００未満では未露光部の現像
後の膜減りが大きく、３００００を越えると現像速度が
小さくなつてしまう。特に好適なのは６０００〜２００
００の範囲である。ここで、重量平均分子量はゲルパー
ミエーシヨンクロマトグラフイーのポリスチレン換算値
をもつて定義される。
【００１６】本発明では、前記感光物を主として用いる
べきであるが、必要に応じて、以下に示すポリヒドロキ
シ化合物の１,２−ナフトキノンジアジド−５− (及び
／又は−４−）スルホニルクロリドとのエステル化物を
併用することができる。ポリヒドロキシ化合物の例とし
ては、例えば、２,３,４−トリヒドロキシベンゾフエノ
ン、２,４,４'−トリヒドロキシベンゾフエノン、２,
４,６−トリヒドロキシベンゾフエノン、２,３,４−ト
リヒドロキシ−２'−メチルベンゾフエノン、２,３,４,
４'−テトラヒドロキシベンゾフエノン、２,２',４,４'
−テトラヒドロキシベンゾフエノン、２,４,６,３',４'
−ペンタヒドロキシベンゾフエノン、２,３,４,２',４'
−ペンタヒドロキシベンゾフエノン、２,３,４,２',５'
−ペンタヒドロキシベンゾフエノン、２,４,６,３',
４',５'−ヘキサヒドロキシベンゾフエノン、２,３,４,
３',４',５'−ヘキサヒドロキシベンゾフエノン等のポ
リヒドロキシベンゾフエノン類、２,３,４−トリヒドロ
キシアセトフエノン、２,３,４−トリヒドロキシフエニ
ルペンチルケトン、２,３,４−トリヒドロキシフエニル
ヘキシルケトン等のポリヒドロキシフエニルアルキルケ
トン類、ビス (２,４−ジヒドロキシフエニル）メタ
ン、ビス (２,３,４−トリヒドロキシフエニル ）メタ
ン、ビス (２,４−ジヒドロキシフエニル）プロパン−
１、ビス (２,３,４−トリヒドロキシフエニル）プロパ
ン−１、ノルジヒドログアイアレチン酸等のビス ( (ポ
リ）ヒドロキシフエニル）アルカン類、３,４,５−トリ
ヒドロキシ安息香酸プロピル、２,３,４−トリヒドロキ
シ安息香酸フエニル、３,４,５−トリヒドロキシ安息香
酸フエニル等のポリヒドロキシ安息香酸エステル類、ビ
ス (２,３,４−トリヒドロキシベンゾイル）メタン、ビ
ス (３−アセチル−４,５,６−トリヒドロキシフエニ
ル）ーメタン、ビス (２,３,４−トリヒドロキシベンゾ
イル）ベンゼン、ビス (２,４,６−トリヒドロキシベン
ゾイル）ベンゼン等のビス (ポリヒドロキシベンゾイ
ル）アルカン又はビス (ポリヒドロキシベンゾイル）ア
リール類、エチレングリコール−ジ (３,５−ジヒドロ
キシベンゾエート）、エチレングリコール−ジ (３,４,
５−トリヒドロキシベンゾエート）等のアルキレン−ジ
(ポリヒドロキシベンゾエート）類、２,３,４−ビフエ
ニルトリオール、３,４,５−ビフエニルトリオール、
３,５,３',５'−ビフエニルテトロール、２,４,２',４'
−ビフエニルテトロール、２,４,６,３',５'−ビフエニ
ルペントール、２,４,６,２',４',６'−ビフエニルヘキ
ソール、２,３,４,２',３',４'−ビフエニルヘキソール
等のポリヒドロキシビフエニル類、４,４'−チオビス
(１,３−ジヒドロキシ）ベンゼン等のビス (ポリヒドロ
キシ）スルフイド類、２,２',４,４'−テトラヒドロキ
シジフエニルエーテル等のビス (ポリヒドロキシフエニ
ル）エーテル類、２,２',４,４'−テトラヒドロキシジ
フエニルスルフオキシド等のビス (ポリヒドロキシフエ
ニル）スルフオキシド類、２,２',４,４'−ジフエニル
スルフオン等のビス (ポリヒドロキシフエニル）スルフ
オン類、４,４',３'',４''−テトラヒドロキシ−３,５,
３',５'−テトラメチルトリフエニルメタン、４,４',
２'',３'',４''−ペンタヒドロキシ−３,５,３',５'−
テトラメチルトリフエニルメタン、２,３,４,２',３',
４'−ヘキサヒドロキシ−５,５'−ジアセチルトリフエ
ニルメタン、２,３,４,２',３',４',３'',４''−オクタ
ヒドロキシ−５,５'−ジアセチルトリフエニルメタン、
２,４,６,２',４',６'−ヘキサヒドロキシ−５,５'−ジ
プロピオニルトリフエニルメタン等のポリヒドロキシト
リフエニルメタン類、３,３,３',３'−テトラメチル−
１,１'−スピロビ−インダン−５,６,５',６'−テトロ
ール、３,３,３',３'−テトラメチル−１,１'−スピロ
ビ−インダン−５,６,７,５',６',７'−ヘキソオール、
３,３,３',３'−テトラメチル−１,１'−スピロビ−イ
ンダン−４,５,６,４',５',６'−ヘキソオール、３,３,
３',３'−テトラメチル−１,１'−スピロビ−インダン
−４,５,６,５',６',７'−ヘキソオール等のポリヒドロ
キシスピロビ−インダン類、３,３−ビス (３,４−ジヒ
ドロキシフエニル）フタリド、３,３−ビス (２,３,４
−トリヒドロキシフエニル）フタリド、３',４',５',
６'−テトラヒドロキシスピロ [フタリド−３,９'−キ
サンテン］等のポリヒドロキシフタリド類、あるいはモ
リン、ケルセチン、ルチン等のフラボノ色素類等を用い
る事ができる。また、ノボラツク樹脂等フエノール樹脂
の低核体を用いる事もできる。これらのポリヒドロキシ
化合物のナフトキノンジアジドエステル感光物は単独
で、もしくは２種以上の組み合わせで用いられる。感光
物とアルカリ可溶性樹脂の使用比率は、樹脂１００重量
部に対し、感光物５〜１００重量部、好ましくは１０〜
５０重量部である。この使用比率が５重量部未満では残
膜率が著しく低下し、他方１００重量部を超えると感度
及び溶剤への溶解性が低下する。
べきであるが、必要に応じて、以下に示すポリヒドロキ
シ化合物の１,２−ナフトキノンジアジド−５− (及び
／又は−４−）スルホニルクロリドとのエステル化物を
併用することができる。ポリヒドロキシ化合物の例とし
ては、例えば、２,３,４−トリヒドロキシベンゾフエノ
ン、２,４,４'−トリヒドロキシベンゾフエノン、２,
４,６−トリヒドロキシベンゾフエノン、２,３,４−ト
リヒドロキシ−２'−メチルベンゾフエノン、２,３,４,
４'−テトラヒドロキシベンゾフエノン、２,２',４,４'
−テトラヒドロキシベンゾフエノン、２,４,６,３',４'
−ペンタヒドロキシベンゾフエノン、２,３,４,２',４'
−ペンタヒドロキシベンゾフエノン、２,３,４,２',５'
−ペンタヒドロキシベンゾフエノン、２,４,６,３',
４',５'−ヘキサヒドロキシベンゾフエノン、２,３,４,
３',４',５'−ヘキサヒドロキシベンゾフエノン等のポ
リヒドロキシベンゾフエノン類、２,３,４−トリヒドロ
キシアセトフエノン、２,３,４−トリヒドロキシフエニ
ルペンチルケトン、２,３,４−トリヒドロキシフエニル
ヘキシルケトン等のポリヒドロキシフエニルアルキルケ
トン類、ビス (２,４−ジヒドロキシフエニル）メタ
ン、ビス (２,３,４−トリヒドロキシフエニル ）メタ
ン、ビス (２,４−ジヒドロキシフエニル）プロパン−
１、ビス (２,３,４−トリヒドロキシフエニル）プロパ
ン−１、ノルジヒドログアイアレチン酸等のビス ( (ポ
リ）ヒドロキシフエニル）アルカン類、３,４,５−トリ
ヒドロキシ安息香酸プロピル、２,３,４−トリヒドロキ
シ安息香酸フエニル、３,４,５−トリヒドロキシ安息香
酸フエニル等のポリヒドロキシ安息香酸エステル類、ビ
ス (２,３,４−トリヒドロキシベンゾイル）メタン、ビ
ス (３−アセチル−４,５,６−トリヒドロキシフエニ
ル）ーメタン、ビス (２,３,４−トリヒドロキシベンゾ
イル）ベンゼン、ビス (２,４,６−トリヒドロキシベン
ゾイル）ベンゼン等のビス (ポリヒドロキシベンゾイ
ル）アルカン又はビス (ポリヒドロキシベンゾイル）ア
リール類、エチレングリコール−ジ (３,５−ジヒドロ
キシベンゾエート）、エチレングリコール−ジ (３,４,
５−トリヒドロキシベンゾエート）等のアルキレン−ジ
(ポリヒドロキシベンゾエート）類、２,３,４−ビフエ
ニルトリオール、３,４,５−ビフエニルトリオール、
３,５,３',５'−ビフエニルテトロール、２,４,２',４'
−ビフエニルテトロール、２,４,６,３',５'−ビフエニ
ルペントール、２,４,６,２',４',６'−ビフエニルヘキ
ソール、２,３,４,２',３',４'−ビフエニルヘキソール
等のポリヒドロキシビフエニル類、４,４'−チオビス
(１,３−ジヒドロキシ）ベンゼン等のビス (ポリヒドロ
キシ）スルフイド類、２,２',４,４'−テトラヒドロキ
シジフエニルエーテル等のビス (ポリヒドロキシフエニ
ル）エーテル類、２,２',４,４'−テトラヒドロキシジ
フエニルスルフオキシド等のビス (ポリヒドロキシフエ
ニル）スルフオキシド類、２,２',４,４'−ジフエニル
スルフオン等のビス (ポリヒドロキシフエニル）スルフ
オン類、４,４',３'',４''−テトラヒドロキシ−３,５,
３',５'−テトラメチルトリフエニルメタン、４,４',
２'',３'',４''−ペンタヒドロキシ−３,５,３',５'−
テトラメチルトリフエニルメタン、２,３,４,２',３',
４'−ヘキサヒドロキシ−５,５'−ジアセチルトリフエ
ニルメタン、２,３,４,２',３',４',３'',４''−オクタ
ヒドロキシ−５,５'−ジアセチルトリフエニルメタン、
２,４,６,２',４',６'−ヘキサヒドロキシ−５,５'−ジ
プロピオニルトリフエニルメタン等のポリヒドロキシト
リフエニルメタン類、３,３,３',３'−テトラメチル−
１,１'−スピロビ−インダン−５,６,５',６'−テトロ
ール、３,３,３',３'−テトラメチル−１,１'−スピロ
ビ−インダン−５,６,７,５',６',７'−ヘキソオール、
３,３,３',３'−テトラメチル−１,１'−スピロビ−イ
ンダン−４,５,６,４',５',６'−ヘキソオール、３,３,
３',３'−テトラメチル−１,１'−スピロビ−インダン
−４,５,６,５',６',７'−ヘキソオール等のポリヒドロ
キシスピロビ−インダン類、３,３−ビス (３,４−ジヒ
ドロキシフエニル）フタリド、３,３−ビス (２,３,４
−トリヒドロキシフエニル）フタリド、３',４',５',
６'−テトラヒドロキシスピロ [フタリド−３,９'−キ
サンテン］等のポリヒドロキシフタリド類、あるいはモ
リン、ケルセチン、ルチン等のフラボノ色素類等を用い
る事ができる。また、ノボラツク樹脂等フエノール樹脂
の低核体を用いる事もできる。これらのポリヒドロキシ
化合物のナフトキノンジアジドエステル感光物は単独
で、もしくは２種以上の組み合わせで用いられる。感光
物とアルカリ可溶性樹脂の使用比率は、樹脂１００重量
部に対し、感光物５〜１００重量部、好ましくは１０〜
５０重量部である。この使用比率が５重量部未満では残
膜率が著しく低下し、他方１００重量部を超えると感度
及び溶剤への溶解性が低下する。
【００１７】本発明の組成物には、更に現像液への溶解
促進のために、ポリヒドロキシ化合物を含有することが
できる。好ましいポリヒドロキシ化合物としては、フエ
ノール類、レゾルシン、フロログルシン、２,３,４−ト
リヒドロキシベンゾフエノン、２,３,４,４’−テトラ
ヒドロキシベンゾフエノン、２,３,４,３’,４’,５’
−ヘキサヒドロキシベンゾフエノン、アセトン−ピロガ
ロール縮合樹脂、フロログルシド、２,４,２’,４’−
ビフエニルテトロール、４,４’−チオビス (１,３ −
ジヒドロキシ）ベンゼン、２,２’,４,４’−テトラヒ
ドロキシジフエニルエ ーテル、２,２’,４,４’−テト
ラヒドロキシジフエニルスルフオキシド、２, ２’,４,
４’−テトラヒドロキシジフエニルスルフオン等を挙げ
ることができ る。これらのポリヒドロキシ化合物は、
キノンジアジド化合物１００重量部に対して、通常１０
０重量部以下、好ましくは５〜５０重量部以下の割合で
配合することができる。
促進のために、ポリヒドロキシ化合物を含有することが
できる。好ましいポリヒドロキシ化合物としては、フエ
ノール類、レゾルシン、フロログルシン、２,３,４−ト
リヒドロキシベンゾフエノン、２,３,４,４’−テトラ
ヒドロキシベンゾフエノン、２,３,４,３’,４’,５’
−ヘキサヒドロキシベンゾフエノン、アセトン−ピロガ
ロール縮合樹脂、フロログルシド、２,４,２’,４’−
ビフエニルテトロール、４,４’−チオビス (１,３ −
ジヒドロキシ）ベンゼン、２,２’,４,４’−テトラヒ
ドロキシジフエニルエ ーテル、２,２’,４,４’−テト
ラヒドロキシジフエニルスルフオキシド、２, ２’,４,
４’−テトラヒドロキシジフエニルスルフオン等を挙げ
ることができ る。これらのポリヒドロキシ化合物は、
キノンジアジド化合物１００重量部に対して、通常１０
０重量部以下、好ましくは５〜５０重量部以下の割合で
配合することができる。
【００１８】本発明の感光物及びアルカリ可溶性ノボラ
ツク樹脂を溶解させる溶剤としては、メチルエチルケト
ン、シクロヘキサノン等のケトン類、４−エトキシ−２
−ブタノン、４−メトキシ−４−メチル−２−ペンタノ
ン等のケトエーテル類、エチレングリコールモノメチル
エーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等の
アルコールエーテル類、ジオキサン、エチレングリコー
ルジメチルエーテル等のエーテル類、メチルセロソルブ
アセテート、エチルセロソルブアセテート等のセロソル
ブエステル類、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル等
の脂肪酸エステル類、１,１,２−トリクロロエチレン等
のハロゲン化炭化水素類、ジメチルアセトアミド、Ｎ−
メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルス
ルホキシド等の高極性溶剤を例示することができる。こ
れら溶剤は単独で、もしくは複数の溶剤を混合して使用
することもできる。
ツク樹脂を溶解させる溶剤としては、メチルエチルケト
ン、シクロヘキサノン等のケトン類、４−エトキシ−２
−ブタノン、４−メトキシ−４−メチル−２−ペンタノ
ン等のケトエーテル類、エチレングリコールモノメチル
エーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等の
アルコールエーテル類、ジオキサン、エチレングリコー
ルジメチルエーテル等のエーテル類、メチルセロソルブ
アセテート、エチルセロソルブアセテート等のセロソル
ブエステル類、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル等
の脂肪酸エステル類、１,１,２−トリクロロエチレン等
のハロゲン化炭化水素類、ジメチルアセトアミド、Ｎ−
メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルス
ルホキシド等の高極性溶剤を例示することができる。こ
れら溶剤は単独で、もしくは複数の溶剤を混合して使用
することもできる。
【００１９】本発明のポジ型フオトレジスト用組成物に
は、ストリエーシヨン等の塗布性を更に向上させるため
に、界面活性剤を配合する事ができる。界面活性剤とし
ては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポ
リオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチ
レンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエー
テル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリ
オキシエチレンオクチルフエノールエーテル、ポリオキ
シエチレンノニルフエノールエーテル等のポリオキシエ
チレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレン
・ポリオキシプロピレンブロツクコポリマー類、ソルビ
タンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソ
ルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエー
ト、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステア
レート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエ
チレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレン
ソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソル
ビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタ
ントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリ
ステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸
エステル類等のノニオン系界面活性剤、エフトツプＥＦ
３０１,ＥＦ３０３,ＥＦ３５２ (新秋田化成(株)製）、
メガフアツクＦ１７１,Ｆ１７３ (大日本インキ(株)
製）、フロラードＦＣ４３０,ＦＣ４３１ (住友スリー
エム(株)製）、アサヒガードＡＧ７１０,サーフロンＳ
−３８２,ＳＣ１０１,ＳＣ１０２,ＳＣ１０３,ＳＣ１０
４,ＳＣ１０５,ＳＣ１０６ (旭硝子(株)製）等のフツ素
系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１
(信越化学工業(株)製）やアクリル酸系もしくはメタク
リル酸系 (共）重合ポリフローＮｏ．７５,Ｎｏ．９５
(共栄社油脂化学工業(株)製）等を挙げることができ
る。これらの界面活性剤の配合量は、本発明の組成物中
のアルカリ可溶性樹脂及びキノンジアジド化合物１００
重量部当たり、通常、２重量部以下、好ましくは１重量
部以下である。これらの界面活性剤は単独で添加しても
よいし、また、いくつかの組み合わせで添加することも
できる。
は、ストリエーシヨン等の塗布性を更に向上させるため
に、界面活性剤を配合する事ができる。界面活性剤とし
ては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポ
リオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチ
レンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエー
テル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリ
オキシエチレンオクチルフエノールエーテル、ポリオキ
シエチレンノニルフエノールエーテル等のポリオキシエ
チレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレン
・ポリオキシプロピレンブロツクコポリマー類、ソルビ
タンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソ
ルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエー
ト、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステア
レート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエ
チレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレン
ソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソル
ビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタ
ントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリ
ステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸
エステル類等のノニオン系界面活性剤、エフトツプＥＦ
３０１,ＥＦ３０３,ＥＦ３５２ (新秋田化成(株)製）、
メガフアツクＦ１７１,Ｆ１７３ (大日本インキ(株)
製）、フロラードＦＣ４３０,ＦＣ４３１ (住友スリー
エム(株)製）、アサヒガードＡＧ７１０,サーフロンＳ
−３８２,ＳＣ１０１,ＳＣ１０２,ＳＣ１０３,ＳＣ１０
４,ＳＣ１０５,ＳＣ１０６ (旭硝子(株)製）等のフツ素
系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１
(信越化学工業(株)製）やアクリル酸系もしくはメタク
リル酸系 (共）重合ポリフローＮｏ．７５,Ｎｏ．９５
(共栄社油脂化学工業(株)製）等を挙げることができ
る。これらの界面活性剤の配合量は、本発明の組成物中
のアルカリ可溶性樹脂及びキノンジアジド化合物１００
重量部当たり、通常、２重量部以下、好ましくは１重量
部以下である。これらの界面活性剤は単独で添加しても
よいし、また、いくつかの組み合わせで添加することも
できる。
【００２０】本発明のポジ型フオトレジスト用組成物の
現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、
炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリ
ウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミ
ン、ｎ−プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルア
ミン、ジ−ｎ−ブチルアミン等の第二アミン類、トリエ
チルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、
ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等の
アルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロ
キシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第
四級アンモニウム塩、ピロール、ピペリジン等の環状ア
ミン類、等のアルカリ類の水溶液を使用することができ
る。更に、上記アルカリ類の水溶液にアルコール類、界
面活性剤を適当量添加して使用することもできる。
現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、
炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリ
ウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミ
ン、ｎ−プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルア
ミン、ジ−ｎ−ブチルアミン等の第二アミン類、トリエ
チルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、
ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等の
アルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロ
キシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第
四級アンモニウム塩、ピロール、ピペリジン等の環状ア
ミン類、等のアルカリ類の水溶液を使用することができ
る。更に、上記アルカリ類の水溶液にアルコール類、界
面活性剤を適当量添加して使用することもできる。
【００２１】本発明のポジ型フオトレジスト用組成物に
は、必要に応じ、染料、可塑剤、接着助剤を配合するこ
とができる。その具体例としては、メチルバイオレツ
ト、クリスタルバイオレツト、マラカイトグリーン等の
染料、ステアリン酸、アセタール樹脂、フエノキシ樹
脂、アルキツド樹脂等の可塑剤、ヘキサメチルジシラザ
ン、クロロメチルシラン等の接着助剤がある。
は、必要に応じ、染料、可塑剤、接着助剤を配合するこ
とができる。その具体例としては、メチルバイオレツ
ト、クリスタルバイオレツト、マラカイトグリーン等の
染料、ステアリン酸、アセタール樹脂、フエノキシ樹
脂、アルキツド樹脂等の可塑剤、ヘキサメチルジシラザ
ン、クロロメチルシラン等の接着助剤がある。
【００２２】上記ポジ型フオトレジスト用組成物を精密
集積回路素子の製造に使用されるような基板 (例：シリ
コン／二酸化シリコン被覆）上にスピナー、コーター等
の適当な塗布方法により塗布後、所定のマスクを通して
露光し、現像することにより良好なレジストを得ること
ができる。以下、本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れらに限定されるものではない。なお、％は、他に指定
のない限り、重量％を示す。
集積回路素子の製造に使用されるような基板 (例：シリ
コン／二酸化シリコン被覆）上にスピナー、コーター等
の適当な塗布方法により塗布後、所定のマスクを通して
露光し、現像することにより良好なレジストを得ること
ができる。以下、本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れらに限定されるものではない。なお、％は、他に指定
のない限り、重量％を示す。
【００２３】
（１）化合物［Ｉ−ａ］：α，α，α’，α’，α”，
α”−ヘキサキス−（４−ヒドロキシフエニル）−１，
３，５−トリエチルベンゼンの合成 ２８２ｇのフエノール、３０．６ｇの１，３，５−トリ
アセチルベンゼンの溶融混合物中に、３．０ｍｌのチオ
グリコール酸を加え、５０℃で塩化水素ガスを導入し
た。赤外吸収スペクトル及びガスクロマトグラフイーで
減量の全部が消失してヘキサフエノール形成が完了した
ことを示した後、減圧下で全反応生成物からフエノール
を留去し、生成物を水性メタノールから再結晶して精製
した。白色結晶はガスクロマトグラフイーで９７％の純
度を示し、融点１７２〜１７８℃を有していた。
α”−ヘキサキス−（４−ヒドロキシフエニル）−１，
３，５−トリエチルベンゼンの合成 ２８２ｇのフエノール、３０．６ｇの１，３，５−トリ
アセチルベンゼンの溶融混合物中に、３．０ｍｌのチオ
グリコール酸を加え、５０℃で塩化水素ガスを導入し
た。赤外吸収スペクトル及びガスクロマトグラフイーで
減量の全部が消失してヘキサフエノール形成が完了した
ことを示した後、減圧下で全反応生成物からフエノール
を留去し、生成物を水性メタノールから再結晶して精製
した。白色結晶はガスクロマトグラフイーで９７％の純
度を示し、融点１７２〜１７８℃を有していた。
【００２４】（２）化合物［Ｉ−ｂ］：α，α，α’，
α’，α”，α”−ヘキサキス−（４−ヒドロキシ−
２，６−ジメチルフエニル）−１，３，５−トリエチル
ベンゼンの合成 フエノールの代わりに３６６ｇの２，６−キシレノール
を用いた以外は、（５）と同様にして、［Ｉ−ｂ］を合
成した。白色結晶はガスクロマトグラフイーで９９％の
純度を示し、融点１７４〜１８０℃を有していた。
α’，α”，α”−ヘキサキス−（４−ヒドロキシ−
２，６−ジメチルフエニル）−１，３，５−トリエチル
ベンゼンの合成 フエノールの代わりに３６６ｇの２，６−キシレノール
を用いた以外は、（５）と同様にして、［Ｉ−ｂ］を合
成した。白色結晶はガスクロマトグラフイーで９９％の
純度を示し、融点１７４〜１８０℃を有していた。
【００２５】（３）感光物ａの合成 合成例（１）で合成したα，α，α’，α’，α”，
α”−ヘキサキス−（４−ヒドロキシフエニル）−１，
３，５−トリエチルベンゼン３５．７ｇ、１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホニルクロリド６０．４
ｇ、及びアセトン６００ｍｌを３つ口フラスコに仕込み
均一に溶解した。次いで、トリエチルアミン／アセトン
＝２３．９ｇ／１００ｍｌを徐々に滴下し、２５℃で３
時間反応させた。反応混合液を１％塩酸水溶液３０００
ｍｌ中に注ぎ、生じた沈澱物を濾別し、水洗・乾燥 (４
０℃）を行い、α，α，α’，α’，α”，α”−ヘキ
サキス−（４−ヒドロキシフエニル）−１，３，５−ト
リエチルベンゼンの１,２−ナフ トキノンジアジド−５
−スルホン酸エステル（感光物ａ）６３．７ｇを得た。
α”−ヘキサキス−（４−ヒドロキシフエニル）−１，
３，５−トリエチルベンゼン３５．７ｇ、１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホニルクロリド６０．４
ｇ、及びアセトン６００ｍｌを３つ口フラスコに仕込み
均一に溶解した。次いで、トリエチルアミン／アセトン
＝２３．９ｇ／１００ｍｌを徐々に滴下し、２５℃で３
時間反応させた。反応混合液を１％塩酸水溶液３０００
ｍｌ中に注ぎ、生じた沈澱物を濾別し、水洗・乾燥 (４
０℃）を行い、α，α，α’，α’，α”，α”−ヘキ
サキス−（４−ヒドロキシフエニル）−１，３，５−ト
リエチルベンゼンの１,２−ナフ トキノンジアジド−５
−スルホン酸エステル（感光物ａ）６３．７ｇを得た。
【００２６】（４）感光物ｂの合成 合成例（２）で合成したα，α，α’，α’，α”，
α”−ヘキサキス−（４−ヒドロキシ−２，６−ジメチ
ルフエニル）−１，３，５−トリエチルベンゼン４６．
５ｇ、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル
クロリド５３．７ｇ、及びアセトン６００ｍｌを３つ口
フラスコに仕込み均一に溶解した。次いで、トリエチル
アミン／アセトン＝２１．２ｇ／１００ｍｌを徐々に滴
下し、２５℃で５時間反応させた。反応混合液を１％塩
酸水溶液３０００ｍｌ中に注ぎ、生じた沈澱物を濾別
し、水洗・乾燥 (４０℃）を行い、α，α，α’，
α’，α”，α”−ヘキサキス−（４−ヒドロキシ−
２，６−ジメチルフエニル）−１，３，５−トリエチル
ベンゼンの１,２−ナフ トキノンジアジド−５−スルホ
ン酸エステル（感光物ｂ）７０．１ｇを得た。
α”−ヘキサキス−（４−ヒドロキシ−２，６−ジメチ
ルフエニル）−１，３，５−トリエチルベンゼン４６．
５ｇ、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル
クロリド５３．７ｇ、及びアセトン６００ｍｌを３つ口
フラスコに仕込み均一に溶解した。次いで、トリエチル
アミン／アセトン＝２１．２ｇ／１００ｍｌを徐々に滴
下し、２５℃で５時間反応させた。反応混合液を１％塩
酸水溶液３０００ｍｌ中に注ぎ、生じた沈澱物を濾別
し、水洗・乾燥 (４０℃）を行い、α，α，α’，
α’，α”，α”−ヘキサキス−（４−ヒドロキシ−
２，６−ジメチルフエニル）−１，３，５−トリエチル
ベンゼンの１,２−ナフ トキノンジアジド−５−スルホ
ン酸エステル（感光物ｂ）７０．１ｇを得た。
【００２７】（５）感光物ｃの合成 ２，３，４−トリヒドロキシベンゾフエノン１１．５
ｇ、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルク
ロリド３０．２ｇ、及びアセトン３００ｍｌを３つ口フ
ラスコに仕込み均一に溶解した。次いで、トリエチルア
ミン／アセトン＝１１．４ｇ／５０ｍｌを徐々に滴下
し、２５℃で３時間反応させた。反応混合液を１％塩酸
水溶液１５００ｍｌ中に注ぎ、生じた沈澱物を濾別し、
水洗・乾燥 (４０℃）を行い、２，３，４−トリヒドロ
キシベンゾフエノンの１,２−ナフトキノンジアジド−
５−スルホン酸エステル（感光物ｃ）２９．８ｇを得
た。
ｇ、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルク
ロリド３０．２ｇ、及びアセトン３００ｍｌを３つ口フ
ラスコに仕込み均一に溶解した。次いで、トリエチルア
ミン／アセトン＝１１．４ｇ／５０ｍｌを徐々に滴下
し、２５℃で３時間反応させた。反応混合液を１％塩酸
水溶液１５００ｍｌ中に注ぎ、生じた沈澱物を濾別し、
水洗・乾燥 (４０℃）を行い、２，３，４−トリヒドロ
キシベンゾフエノンの１,２−ナフトキノンジアジド−
５−スルホン酸エステル（感光物ｃ）２９．８ｇを得
た。
【００２８】（６）感光物ｄの合成 ２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフエノン１
２．３ｇ、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホ
ニルクロリド４０．３ｇ、及びアセトン３００ｍｌを３
つ口フラスコに仕込み均一に溶解した。次いで、トリエ
チルアミン／アセトン＝１５．２ｇ／５０ｍｌを徐々に
滴下し、２５℃で３時間反応させた。反応混合液を１％
塩酸水溶液１５００ｍｌ中に注ぎ、生じた沈澱物を濾別
し、水洗・乾燥 (４０℃）を行い、２，３，４，４’−
テトラヒドロキシベンゾフエノンの１,２−ナフトキノ
ンジアジド−５−スルホン酸エステル（感光物ｄ）３
９．７ｇを得た。
２．３ｇ、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホ
ニルクロリド４０．３ｇ、及びアセトン３００ｍｌを３
つ口フラスコに仕込み均一に溶解した。次いで、トリエ
チルアミン／アセトン＝１５．２ｇ／５０ｍｌを徐々に
滴下し、２５℃で３時間反応させた。反応混合液を１％
塩酸水溶液１５００ｍｌ中に注ぎ、生じた沈澱物を濾別
し、水洗・乾燥 (４０℃）を行い、２，３，４，４’−
テトラヒドロキシベンゾフエノンの１,２−ナフトキノ
ンジアジド−５−スルホン酸エステル（感光物ｄ）３
９．７ｇを得た。
【００２９】（７）ノボラツク樹脂の合成 ｍ−クレゾール４０ｇ、ｐ−クレゾール６０ｇ、３７％
ホルマリン水溶液４９ｇ及びシユウ酸０．１３ｇを３つ
口フラスコに仕込み、攪拌しながら１００℃まで昇温し
１５時間反応させた。その後温度を２００℃まで上げ、
除々に５ｍｍＨｇまで減圧して、水、未反応のモノマ
ー、ホルムアルデヒド、シユウ酸等を除去した。次いで
熔融したアルカリ可溶性ノボラツク樹脂を室温に戻して
回収した。得られたノボラツク樹脂は重量平均分子量７
１００ (ポリスチレン換算）であつた。
ホルマリン水溶液４９ｇ及びシユウ酸０．１３ｇを３つ
口フラスコに仕込み、攪拌しながら１００℃まで昇温し
１５時間反応させた。その後温度を２００℃まで上げ、
除々に５ｍｍＨｇまで減圧して、水、未反応のモノマ
ー、ホルムアルデヒド、シユウ酸等を除去した。次いで
熔融したアルカリ可溶性ノボラツク樹脂を室温に戻して
回収した。得られたノボラツク樹脂は重量平均分子量７
１００ (ポリスチレン換算）であつた。
【００３０】（８）ポジ型フオトレジスト組成物の調製
と評価 上記（３）〜（６）で得られた感光物ａ〜ｄ各１．３ｇ
及び上記（７）で得られたクレゾールノボラツク樹脂
（分子量７１００）５ｇをエチルセロソルブアセテート
１５ｇに溶解し、０．２μｍのミクロフイルターを用い
て濾過し、フオトレジスト組成物を調製した。このフオ
トレジスト組成物をスピナーを用いてシリコンウエハー
に塗布し、真空吸着式ホツトプレートで１００℃、９０
秒間乾燥して膜厚１．２μｍのレジスト膜を得た。この
膜に縮小投影露光装置（キヤノン社製縮小投影露光装置
ＦＰＡ−１５５０）を用い露光した後、２．３８％のテ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で１分間現
像し、３０秒間水洗して乾燥した。このようにして得ら
れたシリコンウエハーのレジストパターンを走査型電子
顕微鏡で観察し、レジストを評価した。その結果を表２
に示す。感度は、０．７μｍのマスクパターンを再現す
る露光量の逆数をもつて定義し、比較例１の感度に対す
る相対値で示した。残膜率は、未露光部の現像前後の比
の百分率で表した。解像力は、０．７μｍのマスクパタ
ーンを再現する露光量における限界解像力を表す。耐熱
性は、レジストがパターン形成されたシリコンウエハー
を対流オーブンで３０分間ベークし、そのパターンの変
形が起こらない温度を示した。レジストの形状は、０．
７μｍのレジストパターン断面におけるレジスト壁面と
シリコンウエハーの平面のなす角（Θ）で表した。これ
から判る様に、本発明の感光物ａ,ｂを用いたレジスト
は、 特に解像力及びレジスト形状が優れていた。本発
明の感光物は、エチレングリコールモノエチルエーテル
アセテートに対する溶解性も優れており、これらの感光
物を用いたレジスト組成物溶液は４０℃、５０日間も放
置しても沈澱物の析出はなかつたが、比較例の感光物
ｃ，ｄを用いたレジスト組成物溶液は同条件で放置した
ところ、レジスト組成物中に沈澱の析出が見られた。
と評価 上記（３）〜（６）で得られた感光物ａ〜ｄ各１．３ｇ
及び上記（７）で得られたクレゾールノボラツク樹脂
（分子量７１００）５ｇをエチルセロソルブアセテート
１５ｇに溶解し、０．２μｍのミクロフイルターを用い
て濾過し、フオトレジスト組成物を調製した。このフオ
トレジスト組成物をスピナーを用いてシリコンウエハー
に塗布し、真空吸着式ホツトプレートで１００℃、９０
秒間乾燥して膜厚１．２μｍのレジスト膜を得た。この
膜に縮小投影露光装置（キヤノン社製縮小投影露光装置
ＦＰＡ−１５５０）を用い露光した後、２．３８％のテ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で１分間現
像し、３０秒間水洗して乾燥した。このようにして得ら
れたシリコンウエハーのレジストパターンを走査型電子
顕微鏡で観察し、レジストを評価した。その結果を表２
に示す。感度は、０．７μｍのマスクパターンを再現す
る露光量の逆数をもつて定義し、比較例１の感度に対す
る相対値で示した。残膜率は、未露光部の現像前後の比
の百分率で表した。解像力は、０．７μｍのマスクパタ
ーンを再現する露光量における限界解像力を表す。耐熱
性は、レジストがパターン形成されたシリコンウエハー
を対流オーブンで３０分間ベークし、そのパターンの変
形が起こらない温度を示した。レジストの形状は、０．
７μｍのレジストパターン断面におけるレジスト壁面と
シリコンウエハーの平面のなす角（Θ）で表した。これ
から判る様に、本発明の感光物ａ,ｂを用いたレジスト
は、 特に解像力及びレジスト形状が優れていた。本発
明の感光物は、エチレングリコールモノエチルエーテル
アセテートに対する溶解性も優れており、これらの感光
物を用いたレジスト組成物溶液は４０℃、５０日間も放
置しても沈澱物の析出はなかつたが、比較例の感光物
ｃ，ｄを用いたレジスト組成物溶液は同条件で放置した
ところ、レジスト組成物中に沈澱の析出が見られた。
【００３１】
【表１】
【００３２】
【発明の効果】本発明のポジ型フオトレジストは解像
力、感度、現像性、耐熱性に優れ、微細加工用フオトレ
ジストとして好適に用いられる。
力、感度、現像性、耐熱性に優れ、微細加工用フオトレ
ジストとして好適に用いられる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−253058（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−158854（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G03F 7/004
Claims (1)
- 【請求項１】 下記一般式（Ｉ）で表されるポリヒドロ
キシ化合物の１，２−ナフトキノンジアジド−５−（及
び／又は−４−）スルホン酸エステルとアルカリ可溶性
樹脂を含有することを特徴とするポジ型フオトレジスト
組成物。 【化１】一般式（Ｉ） ここで、 Ｒ１〜Ｒ２７：同一でも異なっても良く、水素原子、水
酸基、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ニト
ロ基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アル
コキシカルボニル基、アリールカルボニルオキシ基、ア
シロキシ基、アシル基、アリールオキシ基、もしくはア
ラルコキシ基、 を表す。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4025158A JP2761822B2 (ja) | 1992-02-12 | 1992-02-12 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| US08/015,578 US5340688A (en) | 1992-02-12 | 1993-02-10 | Positive type photoresist composition |
| DE4304098A DE4304098A1 (en) | 1992-02-12 | 1993-02-11 | Positive photoresist compsn. contg. naphthoquinone-di:azido-sulphonate - of poly:hydroxy-phenyl benzene or alkane cpd. and alkali-soluble resin with high resolution and speed |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4025158A JP2761822B2 (ja) | 1992-02-12 | 1992-02-12 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05224410A JPH05224410A (ja) | 1993-09-03 |
| JP2761822B2 true JP2761822B2 (ja) | 1998-06-04 |
Family
ID=12158222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4025158A Expired - Fee Related JP2761822B2 (ja) | 1992-02-12 | 1992-02-12 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5340688A (ja) |
| JP (1) | JP2761822B2 (ja) |
| DE (1) | DE4304098A1 (ja) |
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| US5700620A (en) * | 1993-12-24 | 1997-12-23 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Radiation ray sensitive resin compostion containing at least two different naphthoquinonediazide sulfonic acid esters and an alkali-soluble low-molecular compound |
| EP0706090B1 (en) * | 1994-10-05 | 2001-01-03 | JSR Corporation | Radiation sensitive resin composition |
| KR0164962B1 (ko) * | 1995-10-14 | 1999-01-15 | 김흥기 | 포지티브형 포토레지스트 조성물 |
| TWI494697B (zh) | 2004-12-24 | 2015-08-01 | Mitsubishi Gas Chemical Co | 光阻用化合物 |
| TW202248755A (zh) | 2021-03-22 | 2022-12-16 | 日商富士軟片股份有限公司 | 負型感光性樹脂組成物、硬化物、積層體、硬化物的製造方法以及半導體元件 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US3666473A (en) * | 1970-10-06 | 1972-05-30 | Ibm | Positive photoresists for projection exposure |
| JPS5280022A (en) * | 1975-12-26 | 1977-07-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | Light solubilizable composition |
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| US4340767A (en) * | 1981-05-14 | 1982-07-20 | Ethyl Corporation | Antioxidant process using formaldehyde |
| US4415725A (en) * | 1982-03-19 | 1983-11-15 | General Electric Co. | Aromatic branched polycarbonate from tetraphenol |
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| EP0227487B1 (en) * | 1985-12-27 | 1992-07-15 | Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. | Positive type radiation-sensitive resin composition |
| JPS63261256A (ja) * | 1987-04-20 | 1988-10-27 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| US5177172A (en) * | 1988-05-31 | 1993-01-05 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Selected methylol-substituted trihydroxybenzophenones and their use in phenolic resin compositions |
| JP2700918B2 (ja) * | 1989-04-26 | 1998-01-21 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| JPH061377B2 (ja) * | 1989-12-28 | 1994-01-05 | 日本ゼオン株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
| JPH0412356A (ja) * | 1990-04-28 | 1992-01-16 | Toray Ind Inc | ポジ型フォトレジスト組成物 |
| JPH04253058A (ja) * | 1991-01-29 | 1992-09-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
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- 1992-02-12 JP JP4025158A patent/JP2761822B2/ja not_active Expired - Fee Related
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1993
- 1993-02-10 US US08/015,578 patent/US5340688A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-02-11 DE DE4304098A patent/DE4304098A1/de not_active Ceased
Also Published As
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|---|---|
| DE4304098A1 (en) | 1993-09-09 |
| US5340688A (en) | 1994-08-23 |
| JPH05224410A (ja) | 1993-09-03 |
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