JP2752199B2 - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は磁気ヘッドに関する。
（従来の技術） 最近、将来の磁気ヘッド用磁性膜として、約20kGにも
達する高い飽和磁束密度（Bs）を有するFe系の合金膜の
研究が盛んになりつつある。一方、CoFe合金膜も約10％
以上の高いBsを示す。Coを多く含むCoFe合金膜はFe系の
合金膜に比べて耐蝕性に優れる利点を有する。ヘッド用
磁性膜には、高Bs以外に、保磁力（Hc）と磁気歪（λ
ｓ）が小さいことも必要であるが、メッキにより作製し
たCo−10％Fe合金膜はFe系の合金膜に匹敵する低Hcと低
λｓを示すことが報告されている（IEEE Trans.Magn.,M
AG−23（1987）2981）。ここで、磁気ヘッドの各種薄膜
パターンの製造プロセスにおいては、半導体の分野と同
様に、湿式プロセスであるメッキに代わり、将来はスパ
ッタや蒸着等のドライプロセスが望ましいと考えられ
る。さらに、高転送レートの記録再生を行う場合には、
渦電流を低減するために絶縁層（SiO2等）を中間に挟ん
だ多層構造の磁性膜が望ましいが、メッキではこのよう
な多層膜を作製することが困難である。従って、スパッ
タや蒸着により低Hc、低λｓのCoFe合金膜が作製できる
ことが望ましい。この点に鑑みて、我々は、スパッタに
よるCoFe合金膜作製の研究を鋭意進めてきた結果、従来
は低Hcを示さないと思われていたCoFe合金膜でも（J.Ap
pl.Phys.,43（1972）3542）、18％近傍のFe濃度を有す
るCoFe合金膜は前記メッキ膜と同様な低Hcを示すことを
明らかにしてきた（第12回日本応用磁気学会学術講演概
要集2pD−４）。しかし、Co−18％Fe合金膜のλｓは１
×10-5以上の大きな値であり、磁気ヘッドへの応用に際
して、λｓを低減することが望ましい。
達する高い飽和磁束密度（Bs）を有するFe系の合金膜の
研究が盛んになりつつある。一方、CoFe合金膜も約10％
以上の高いBsを示す。Coを多く含むCoFe合金膜はFe系の
合金膜に比べて耐蝕性に優れる利点を有する。ヘッド用
磁性膜には、高Bs以外に、保磁力（Hc）と磁気歪（λ
ｓ）が小さいことも必要であるが、メッキにより作製し
たCo−10％Fe合金膜はFe系の合金膜に匹敵する低Hcと低
λｓを示すことが報告されている（IEEE Trans.Magn.,M
AG−23（1987）2981）。ここで、磁気ヘッドの各種薄膜
パターンの製造プロセスにおいては、半導体の分野と同
様に、湿式プロセスであるメッキに代わり、将来はスパ
ッタや蒸着等のドライプロセスが望ましいと考えられ
る。さらに、高転送レートの記録再生を行う場合には、
渦電流を低減するために絶縁層（SiO2等）を中間に挟ん
だ多層構造の磁性膜が望ましいが、メッキではこのよう
な多層膜を作製することが困難である。従って、スパッ
タや蒸着により低Hc、低λｓのCoFe合金膜が作製できる
ことが望ましい。この点に鑑みて、我々は、スパッタに
よるCoFe合金膜作製の研究を鋭意進めてきた結果、従来
は低Hcを示さないと思われていたCoFe合金膜でも（J.Ap
pl.Phys.,43（1972）3542）、18％近傍のFe濃度を有す
るCoFe合金膜は前記メッキ膜と同様な低Hcを示すことを
明らかにしてきた（第12回日本応用磁気学会学術講演概
要集2pD−４）。しかし、Co−18％Fe合金膜のλｓは１
×10-5以上の大きな値であり、磁気ヘッドへの応用に際
して、λｓを低減することが望ましい。
（発明が解決しようとする課題） 上記の説明で明らかなようにCoFe合金膜は約20kGの高
い飽和磁束密度を有するものの、スパッタリング法や蒸
着法では、ヘッド磁極性膜に必要な低Hc且つ低磁気歪の
膜が作製できない現状にある。このため従来のCoFe合金
膜を用いた磁気ヘッドでは高密度記録ができなかった。
い飽和磁束密度を有するものの、スパッタリング法や蒸
着法では、ヘッド磁極性膜に必要な低Hc且つ低磁気歪の
膜が作製できない現状にある。このため従来のCoFe合金
膜を用いた磁気ヘッドでは高密度記録ができなかった。
本発明はこのような問題点に鑑みなされたものであ
り、飽和磁束密度が高く、保磁力及び磁気歪が低いCoFe
合金を磁性膜として用い、高密度記録が可能な磁気ヘッ
ドを提供することを目的とする。
り、飽和磁束密度が高く、保磁力及び磁気歪が低いCoFe
合金を磁性膜として用い、高密度記録が可能な磁気ヘッ
ドを提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段） 本発明は、基板と、該基板上に形成された磁性膜と、
該磁性膜上に絶縁膜を介して形成されるコイルを具備し
た磁気ヘッドにおいて、前記磁性膜として主成分がCoと
Feからなり、Fe濃度が15at％以上24at％以下、（100）
面が膜面垂直方向に優先成長したfcc（面心立方格子）
相を最も多く含むCoFe合金を用いたことを特徴とする磁
気ヘッドである。
該磁性膜上に絶縁膜を介して形成されるコイルを具備し
た磁気ヘッドにおいて、前記磁性膜として主成分がCoと
Feからなり、Fe濃度が15at％以上24at％以下、（100）
面が膜面垂直方向に優先成長したfcc（面心立方格子）
相を最も多く含むCoFe合金を用いたことを特徴とする磁
気ヘッドである。
上記構造は、窒素を含む雰囲気でスパッタすること
（但し、膜中の窒素混入量は2at％未満に抑える）、ま
たは、酸化マグネシウム基板上にスパッタすることによ
り実現できる。
（但し、膜中の窒素混入量は2at％未満に抑える）、ま
たは、酸化マグネシウム基板上にスパッタすることによ
り実現できる。
（作用） 本発明で用いられる強磁性膜は、19kGの高Bsを示し、
さらに２−3Oeの低Hcと１×10-6の低磁気歪を示す。そ
の結果、このようなCoFe合金膜を磁気ヘッド用磁性膜と
して使用すれば、高密度記録再生に極めて有利な磁気ヘ
ッドが期待できる。
さらに２−3Oeの低Hcと１×10-6の低磁気歪を示す。そ
の結果、このようなCoFe合金膜を磁気ヘッド用磁性膜と
して使用すれば、高密度記録再生に極めて有利な磁気ヘ
ッドが期待できる。
（実施例） 以下に本発明の実施例を挙げ、図面を参照しながらさ
らに具体的に説明する。
らに具体的に説明する。
CoFe合金膜は、アルゴンガスに窒素ガスを混入させた
雰囲気で、窒素ガスの含有量およびFe濃度をパラメータ
として２極RFスパッタにより、ガラス基板（コーニング
社製0211基板）上に作製した。ターゲットはCo円板上に
複数のFeチップを配置した複合ターゲットとした。Fe濃
度は、FeチップのCoプレートに占める割合を変えて制御
した。膜面内に一軸磁気異方性を付与するために、膜作
製中基板近傍に配置した永久磁石により、膜面内の一方
向に外部磁界を加えた。なお、スパッタリングは以下の
条件で行った。
雰囲気で、窒素ガスの含有量およびFe濃度をパラメータ
として２極RFスパッタにより、ガラス基板（コーニング
社製0211基板）上に作製した。ターゲットはCo円板上に
複数のFeチップを配置した複合ターゲットとした。Fe濃
度は、FeチップのCoプレートに占める割合を変えて制御
した。膜面内に一軸磁気異方性を付与するために、膜作
製中基板近傍に配置した永久磁石により、膜面内の一方
向に外部磁界を加えた。なお、スパッタリングは以下の
条件で行った。
高周波電力密度 :5W/cm2 全スパッタガス圧力:9×10-3Torr 窒素ガス分圧 :0−1.35×10-3Torr 電極間距離 :40mm 予備排気 :1×10-6Torr以下 Coに対するFe濃度 :9.5−31at％ 膜厚は約0.3μｍとした。保磁力は最大250Oeの磁界を
困難軸方向に加えて測定した。結晶構造はＸ線ディフラ
クトメータ法（CuKα線使用）により調べた。膜中の窒
素濃度は、水蒸気蒸溜・ネスラー吸光光度法により測定
した。
困難軸方向に加えて測定した。結晶構造はＸ線ディフラ
クトメータ法（CuKα線使用）により調べた。膜中の窒
素濃度は、水蒸気蒸溜・ネスラー吸光光度法により測定
した。
上記条件により作製したCoFe合金膜における保磁力Hc
の窒素分圧依存性をFe濃度をパラメータとして測定した
ところ第１図に示す結果を得た。
の窒素分圧依存性をFe濃度をパラメータとして測定した
ところ第１図に示す結果を得た。
窒素を含まない純アルゴンガス雰囲気中でスパッタに
より作製した場合は、15−24at％Fe膜のみが5Oe以下の
低Hcを示し、12at％以下または31at％のFe濃度の膜では
10Oe以上の比較的高いHcを示した。一方、窒素ガスを添
加したスパッタにより作製した場合は、Fe濃度が12at％
以下の膜では、純アルゴンスパッタ膜に比べてHcの低下
する窒素分圧が存在したものの、それでも10Oe以上の比
較的高いHcを示した。しかし、Fe濃度が15at％以上の膜
では、窒素分圧が約7.2−９×10-4Torrまで増加するとH
cは3Oe以下にまで低下した。以上の結果から、窒素を添
加したスパッタにより、Fe濃度が15at％以上の膜で低Hc
膜が作製できることが判る。
より作製した場合は、15−24at％Fe膜のみが5Oe以下の
低Hcを示し、12at％以下または31at％のFe濃度の膜では
10Oe以上の比較的高いHcを示した。一方、窒素ガスを添
加したスパッタにより作製した場合は、Fe濃度が12at％
以下の膜では、純アルゴンスパッタ膜に比べてHcの低下
する窒素分圧が存在したものの、それでも10Oe以上の比
較的高いHcを示した。しかし、Fe濃度が15at％以上の膜
では、窒素分圧が約7.2−９×10-4Torrまで増加するとH
cは3Oe以下にまで低下した。以上の結果から、窒素を添
加したスパッタにより、Fe濃度が15at％以上の膜で低Hc
膜が作製できることが判る。
次に、低Hcを示した、Fe濃度が15at％以上の膜につい
て、λｓの窒素分圧依存性を調べたところ、第２図に示
す結果を得た。Fe濃度が15−24at％の膜は、純Arスパッ
タリングにより作製した場合は１×10-5以上の高λｓを
示したが、3.8×10-4Torr近傍の窒素分圧で作製した場
合は約３×10-6以下の低λｓを示した。なお、低λｓを
示したこの窒素分圧の範囲では19kGの高Bsを示した。一
方、Fe濃度が31at％の膜のλｓは、やはり3.8×10-4Tor
r近傍の窒素分圧で最小となったものの、その値は１×1
0-5以上の大きな値であった。
て、λｓの窒素分圧依存性を調べたところ、第２図に示
す結果を得た。Fe濃度が15−24at％の膜は、純Arスパッ
タリングにより作製した場合は１×10-5以上の高λｓを
示したが、3.8×10-4Torr近傍の窒素分圧で作製した場
合は約３×10-6以下の低λｓを示した。なお、低λｓを
示したこの窒素分圧の範囲では19kGの高Bsを示した。一
方、Fe濃度が31at％の膜のλｓは、やはり3.8×10-4Tor
r近傍の窒素分圧で最小となったものの、その値は１×1
0-5以上の大きな値であった。
以上の結果から、Fe濃度を15−24at％に設定し、さら
に窒素ガスを加えたスパッタリングを行うことにより、
19kGの高Bsを保ち、低Hc且つ低λｓの良好な軟磁気特性
の磁性膜が得られることが理解できる。
に窒素ガスを加えたスパッタリングを行うことにより、
19kGの高Bsを保ち、低Hc且つ低λｓの良好な軟磁気特性
の磁性膜が得られることが理解できる。
ところで、Fe系の膜では、λｓは結晶配向に依存する
ことが知られている。そこで、15−24at％のFe濃度で低
λｓが得られた理由を明らかにするために、結晶配向性
を調べたところ以下に示す結果を得た。
ことが知られている。そこで、15−24at％のFe濃度で低
λｓが得られた理由を明らかにするために、結晶配向性
を調べたところ以下に示す結果を得た。
第３図に、通常の純アルゴンスパッタにより作製した
膜のＸ線回折曲線の一例を示す。9.5at％Fe膜では、bcc
相のピークは認められず、高強度のfcc相（111）ピーク
を示した。この膜は（111）面が膜面垂直方向に優先成
長した膜、すなわち（111）配向膜と考えられる。Fe濃
度が増加するにつれて、この（111）ピーク強度は低下
し、新たに出現したbcc相（110）ピーク強度が増大し
た。31％Fe膜では、fcc相のピークは認められず、高強
度のbcc相（110）ピークを示した。この膜は、（110）
配向膜と考えられる。以上の結果から、通常のアルゴン
ガススパッタでは、fcc相（111）配向膜またはbcc相（1
10）配向膜が得られることが理解できる。
膜のＸ線回折曲線の一例を示す。9.5at％Fe膜では、bcc
相のピークは認められず、高強度のfcc相（111）ピーク
を示した。この膜は（111）面が膜面垂直方向に優先成
長した膜、すなわち（111）配向膜と考えられる。Fe濃
度が増加するにつれて、この（111）ピーク強度は低下
し、新たに出現したbcc相（110）ピーク強度が増大し
た。31％Fe膜では、fcc相のピークは認められず、高強
度のbcc相（110）ピークを示した。この膜は、（110）
配向膜と考えられる。以上の結果から、通常のアルゴン
ガススパッタでは、fcc相（111）配向膜またはbcc相（1
10）配向膜が得られることが理解できる。
次に、3.8×10-4Torrの窒素分圧で作製した膜におけ
る、Ｘ線回折曲線のFe濃度依存性を第４図に示す。Fe濃
度が24at％以下の膜では、主に高強度のfcc相（200）ピ
ークから成る回折曲線を呈した。一方、Fe濃度が31at％
の膜では、fcc相（200）ピークが認められるものの、純
アルゴンガススパッタにより作製した場合と同様に、bc
c相（110）ピーク強度が最大の回折曲線を呈した。以上
の結果から、bcc相（110）配向膜では高λｓを、fcc相
（100）配向膜では低λｓを示すとが理解できる。な
お、fcc相（200）ピークのロッキングカーブの半値幅と
Fe濃度の関係を第５図に示す。Fe濃度が18at％の膜で半
値幅は最小（約６゜）となった。すなわち、18at％Fe膜
で最も（100）配向の良い膜が得られた。
る、Ｘ線回折曲線のFe濃度依存性を第４図に示す。Fe濃
度が24at％以下の膜では、主に高強度のfcc相（200）ピ
ークから成る回折曲線を呈した。一方、Fe濃度が31at％
の膜では、fcc相（200）ピークが認められるものの、純
アルゴンガススパッタにより作製した場合と同様に、bc
c相（110）ピーク強度が最大の回折曲線を呈した。以上
の結果から、bcc相（110）配向膜では高λｓを、fcc相
（100）配向膜では低λｓを示すとが理解できる。な
お、fcc相（200）ピークのロッキングカーブの半値幅と
Fe濃度の関係を第５図に示す。Fe濃度が18at％の膜で半
値幅は最小（約６゜）となった。すなわち、18at％Fe膜
で最も（100）配向の良い膜が得られた。
ところで、18at％Fe膜について、Ｘ線回折曲線の窒素
分圧依存性を詳しく調べたところ、第６図に示す結果を
得た。3.8×10-4Torr以下の窒素分圧では、窒素分圧が
増加するとfcc相（200）ピーク強度の増大すなわち（10
0）配向度の向上が認められた。この場合は、λｓの低
下は（100）配向度の向上と関連していた。一方、窒素
分圧を5.2×10-4Torr以上に増加すると、fcc相（100）
ピーク強度には変化がみられず、（100）配向を維持し
た。しかし、この場合は、λｓが増加しており、（10
0）配向度とλｓに関連は見られなかった。この理由を
解明するために、格子定数、比抵抗の窒素分圧依存性を
調べた結果を、それぞれ、第７図，第８図に示す。初め
に格子定数に着目すると、窒素分圧を増やした場合、bc
c相の格子定数は、僅かに低下傾向にあるものの、その
変化は僅かであった。一方、fcc相の格子定数は、窒素
分圧を3.8×10-4Torrにまで増やしてもほとんど変化し
なかったが、さらに窒素分圧を5.2×10-4Torr以上に増
やすと0.361nm以上に増加した。次に、比抵抗に着目す
ると、窒素分圧を3.8×10-4Torrまで増やした場合、比
抵抗は、僅かながら増加傾向にあるものの、純アルゴン
ガススパッタ膜とあまり変わらない値を示した。しか
し、5.2×10-4Torr以上に窒素分圧を増やすと、比抵抗
は急俊に増加して40μΩcm以上の値を示した。ここで、
以上述べた格子定数と比抵抗の増加は膜中への窒素混入
によると考えられる。そこで、膜中の窒素含有量を測定
した結果を第９図に示す。この図から、3.8×10-4Torr
以下の窒素分圧では2at％未満の窒素濃度であったが、
5.2×10-4Torr以上の窒素分圧では2at％以上の窒素濃度
であった。以上の結果から、膜中の窒素濃度は2at％未
満に抑制しないと低λｓを示さないことが判る。
分圧依存性を詳しく調べたところ、第６図に示す結果を
得た。3.8×10-4Torr以下の窒素分圧では、窒素分圧が
増加するとfcc相（200）ピーク強度の増大すなわち（10
0）配向度の向上が認められた。この場合は、λｓの低
下は（100）配向度の向上と関連していた。一方、窒素
分圧を5.2×10-4Torr以上に増加すると、fcc相（100）
ピーク強度には変化がみられず、（100）配向を維持し
た。しかし、この場合は、λｓが増加しており、（10
0）配向度とλｓに関連は見られなかった。この理由を
解明するために、格子定数、比抵抗の窒素分圧依存性を
調べた結果を、それぞれ、第７図，第８図に示す。初め
に格子定数に着目すると、窒素分圧を増やした場合、bc
c相の格子定数は、僅かに低下傾向にあるものの、その
変化は僅かであった。一方、fcc相の格子定数は、窒素
分圧を3.8×10-4Torrにまで増やしてもほとんど変化し
なかったが、さらに窒素分圧を5.2×10-4Torr以上に増
やすと0.361nm以上に増加した。次に、比抵抗に着目す
ると、窒素分圧を3.8×10-4Torrまで増やした場合、比
抵抗は、僅かながら増加傾向にあるものの、純アルゴン
ガススパッタ膜とあまり変わらない値を示した。しか
し、5.2×10-4Torr以上に窒素分圧を増やすと、比抵抗
は急俊に増加して40μΩcm以上の値を示した。ここで、
以上述べた格子定数と比抵抗の増加は膜中への窒素混入
によると考えられる。そこで、膜中の窒素含有量を測定
した結果を第９図に示す。この図から、3.8×10-4Torr
以下の窒素分圧では2at％未満の窒素濃度であったが、
5.2×10-4Torr以上の窒素分圧では2at％以上の窒素濃度
であった。以上の結果から、膜中の窒素濃度は2at％未
満に抑制しないと低λｓを示さないことが判る。
以上、詳しく説明してきたように、窒素を添加したス
パッタにより、さらにFe濃度を24at％以下に抑えること
により、通常のアルゴンガススパッタでは作製困難なfc
c相（100）配向膜が実現でき、その結果、低λｓ膜を得
ることができる。さらに、低Hcが得られる組成も考慮す
ると、磁気ヘッドへの応用上不可欠な低Hc且つ低λｓの
磁気特性は、Fe濃度が15−24at％のfcc相（100）配向Co
Fe膜で得られる。この磁性膜を使用した磁気ヘッドの実
施例の幾つかを第10図に示す。第10図（ａ）は長手記録
のハードディスクに対応したヘッドを示す（断面図）。
このヘッドは、基板10−１上に作製した上述したCoFe磁
性膜10−２、ギャップ層10−３と断縁層10−４を介して
磁性膜10−２上に形成したコイル10−５、絶縁層10−４
を介してコイル10−５上に作製した上述したCoFe磁性膜
10−６、保護膜10−７から成る。磁性膜10−２と10−６
に使用されていた従来の磁性膜（NiFe膜やCo系アモルフ
ァス膜等）に比べて上述したCoFe磁性膜の飽和磁束密度
は高いので、高保磁力媒体に対しても十分な記録が可能
になり、その結果、高密度記録が可能となる。一方、第
10図（ｂ）は垂直記録に対応したヘッドの一例を示す
（断面図）。このヘッドは、基板10−８上に上述したCo
Fe磁性膜を用いた主磁極10−９を形成し、この上に絶縁
層10−10を介してコイル10−11を形成し、さらにこの上
に、絶縁層10−10を介してリターンパス磁性体10−12を
形成し、最後に保護膜10−13を形成した構造から成る。
主磁極10−９に使用されていた従来磁性膜（Co系アモル
ファス膜等）に比べて上述したCoFe磁性膜の飽和磁束密
度は高いので、主磁極厚みをさらに薄くすることが可能
になり、その結果線記録密度の高い高密度垂直磁気記録
が可能となる。酸化マグネシウムの（100）面上に、純
アルゴンガスを用いて、実施例１と同様なスパッタ条件
でCoFe膜を作製した。その結果、実施例１と同様に、Bs
＝19kG、Hc＝3Oe、λｓ＝１×10-6の磁気特性と、fcc相
（100）面が膜面垂直方向に配向した結晶構造を示した
（Ｘ線回折曲線はfcc相（200）反射のみを示した）。こ
の結果から、窒素を添加したスパッタ法だけでなく、他
の方法でも、fcc相（100）面が膜面垂直方向に配向した
結晶構造を実現することにより、磁気ヘッドへ応用する
のに望ましい、高Bs、低Hc、低λｓを実現することが判
る。
パッタにより、さらにFe濃度を24at％以下に抑えること
により、通常のアルゴンガススパッタでは作製困難なfc
c相（100）配向膜が実現でき、その結果、低λｓ膜を得
ることができる。さらに、低Hcが得られる組成も考慮す
ると、磁気ヘッドへの応用上不可欠な低Hc且つ低λｓの
磁気特性は、Fe濃度が15−24at％のfcc相（100）配向Co
Fe膜で得られる。この磁性膜を使用した磁気ヘッドの実
施例の幾つかを第10図に示す。第10図（ａ）は長手記録
のハードディスクに対応したヘッドを示す（断面図）。
このヘッドは、基板10−１上に作製した上述したCoFe磁
性膜10−２、ギャップ層10−３と断縁層10−４を介して
磁性膜10−２上に形成したコイル10−５、絶縁層10−４
を介してコイル10−５上に作製した上述したCoFe磁性膜
10−６、保護膜10−７から成る。磁性膜10−２と10−６
に使用されていた従来の磁性膜（NiFe膜やCo系アモルフ
ァス膜等）に比べて上述したCoFe磁性膜の飽和磁束密度
は高いので、高保磁力媒体に対しても十分な記録が可能
になり、その結果、高密度記録が可能となる。一方、第
10図（ｂ）は垂直記録に対応したヘッドの一例を示す
（断面図）。このヘッドは、基板10−８上に上述したCo
Fe磁性膜を用いた主磁極10−９を形成し、この上に絶縁
層10−10を介してコイル10−11を形成し、さらにこの上
に、絶縁層10−10を介してリターンパス磁性体10−12を
形成し、最後に保護膜10−13を形成した構造から成る。
主磁極10−９に使用されていた従来磁性膜（Co系アモル
ファス膜等）に比べて上述したCoFe磁性膜の飽和磁束密
度は高いので、主磁極厚みをさらに薄くすることが可能
になり、その結果線記録密度の高い高密度垂直磁気記録
が可能となる。酸化マグネシウムの（100）面上に、純
アルゴンガスを用いて、実施例１と同様なスパッタ条件
でCoFe膜を作製した。その結果、実施例１と同様に、Bs
＝19kG、Hc＝3Oe、λｓ＝１×10-6の磁気特性と、fcc相
（100）面が膜面垂直方向に配向した結晶構造を示した
（Ｘ線回折曲線はfcc相（200）反射のみを示した）。こ
の結果から、窒素を添加したスパッタ法だけでなく、他
の方法でも、fcc相（100）面が膜面垂直方向に配向した
結晶構造を実現することにより、磁気ヘッドへ応用する
のに望ましい、高Bs、低Hc、低λｓを実現することが判
る。
以上詳細に説明したごとく、本発明によれば高い飽和
磁束密度を有し、且つ、低保磁力と低磁気歪を有する強
磁性膜を用い、高密度記録が可能な磁気ヘッドを提供す
ることができる。
磁束密度を有し、且つ、低保磁力と低磁気歪を有する強
磁性膜を用い、高密度記録が可能な磁気ヘッドを提供す
ることができる。
第１図はFe濃度をパラメータとした、保磁力Hcの窒素分
圧依存性を示す図、第２図はFe濃度をパラメータとした
磁気歪λｓの窒素分圧依存性を示す図、第３図は純アル
ゴンガスを用いた場合におけるＸ線回折曲線のFe濃度依
存性を示す図、第４図は3.8×10-4Torrの窒素分圧で作
製した場合におけるＸ線回折曲線のFe濃度依存性を示す
図、第５図はfcc相（200）ピークに対するロッキングカ
ーブ半幅値のFe濃度依存性を示す図、第６図はFe濃度が
18at％の膜におけるＸ線回折曲線の窒素分圧依存性を示
す図、第７図はFe濃度が18at％の膜における格子定数の
窒素分圧依存性を示す図、第８図はFe濃度が18at％の膜
における比抵抗の窒素分圧依存性を示す図、第９図はFe
濃度が18at％の膜における膜中の窒素濃度と窒素分圧の
関係を示す図、第10図は本発明の一実施例を示す図であ
る。
圧依存性を示す図、第２図はFe濃度をパラメータとした
磁気歪λｓの窒素分圧依存性を示す図、第３図は純アル
ゴンガスを用いた場合におけるＸ線回折曲線のFe濃度依
存性を示す図、第４図は3.8×10-4Torrの窒素分圧で作
製した場合におけるＸ線回折曲線のFe濃度依存性を示す
図、第５図はfcc相（200）ピークに対するロッキングカ
ーブ半幅値のFe濃度依存性を示す図、第６図はFe濃度が
18at％の膜におけるＸ線回折曲線の窒素分圧依存性を示
す図、第７図はFe濃度が18at％の膜における格子定数の
窒素分圧依存性を示す図、第８図はFe濃度が18at％の膜
における比抵抗の窒素分圧依存性を示す図、第９図はFe
濃度が18at％の膜における膜中の窒素濃度と窒素分圧の
関係を示す図、第10図は本発明の一実施例を示す図であ
る。
Claims (6)
- 【請求項１】基板と、該基板上に形成された磁性膜と、
該磁性膜状に絶縁膜を介して形成されたコイルを具備し
た磁気ヘッドにおいて、前記磁性膜として主成分がCoと
Feとからなり、Fe濃度が15at％以上24at％以下、（10
0）面が膜面垂直方向に優先成長したfcc相を最も多く含
むCoFe合金を用いたことを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項２】前記CoFe合金はＮを含むことを特徴とする
請求項１記載の磁気ヘッド。 - 【請求項３】前記CoFe合金はＮを2at％未満含むことを
特徴とする請求項２記載の磁気ヘッド。 - 【請求項４】前記CoFe合金は酸化マグネシウム上に形成
されていることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッ
ド。 - 【請求項５】前記CoFe合金はbcc相を一部に含むことを
特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。 - 【請求項６】前記bcc相は膜面垂直方向に（110）面を有
することを特徴とする請求項５記載の磁気ヘッド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/547,028 US5287239A (en) | 1989-07-05 | 1990-07-02 | Magnetic head using high saturated magnetic flux density film and manufacturing method thereof |
| DE4021376A DE4021376C2 (de) | 1989-07-05 | 1990-07-05 | Magnetkopf und Verfahren zu seiner Herstellung |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1-171967 | 1989-07-05 | ||
| JP17196789 | 1989-07-05 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03130909A JPH03130909A (ja) | 1991-06-04 |
| JP2752199B2 true JP2752199B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=15933078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28292489A Expired - Fee Related JP2752199B2 (ja) | 1989-07-05 | 1989-11-01 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2752199B2 (ja) |
-
1989
- 1989-11-01 JP JP28292489A patent/JP2752199B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03130909A (ja) | 1991-06-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |