JP2752199B2 - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は磁気ヘッドに関する。
(従来の技術) 最近、将来の磁気ヘッド用磁性膜として、約20kGにも
達する高い飽和磁束密度(Bs)を有するFe系の合金膜の
研究が盛んになりつつある。一方、CoFe合金膜も約10%
以上の高いBsを示す。Coを多く含むCoFe合金膜はFe系の
合金膜に比べて耐蝕性に優れる利点を有する。ヘッド用
磁性膜には、高Bs以外に、保磁力(Hc)と磁気歪(λ
s)が小さいことも必要であるが、メッキにより作製し
たCo−10%Fe合金膜はFe系の合金膜に匹敵する低Hcと低
λsを示すことが報告されている(IEEE Trans.Magn.,M
AG−23(1987)2981)。ここで、磁気ヘッドの各種薄膜
パターンの製造プロセスにおいては、半導体の分野と同
様に、湿式プロセスであるメッキに代わり、将来はスパ
ッタや蒸着等のドライプロセスが望ましいと考えられ
る。さらに、高転送レートの記録再生を行う場合には、
渦電流を低減するために絶縁層(SiO2等)を中間に挟ん
だ多層構造の磁性膜が望ましいが、メッキではこのよう
な多層膜を作製することが困難である。従って、スパッ
タや蒸着により低Hc、低λsのCoFe合金膜が作製できる
ことが望ましい。この点に鑑みて、我々は、スパッタに
よるCoFe合金膜作製の研究を鋭意進めてきた結果、従来
は低Hcを示さないと思われていたCoFe合金膜でも(J.Ap
pl.Phys.,43(1972)3542)、18%近傍のFe濃度を有す
るCoFe合金膜は前記メッキ膜と同様な低Hcを示すことを
明らかにしてきた(第12回日本応用磁気学会学術講演概
要集2pD−4)。しかし、Co−18%Fe合金膜のλsは1
×10-5以上の大きな値であり、磁気ヘッドへの応用に際
して、λsを低減することが望ましい。
達する高い飽和磁束密度(Bs)を有するFe系の合金膜の
研究が盛んになりつつある。一方、CoFe合金膜も約10%
以上の高いBsを示す。Coを多く含むCoFe合金膜はFe系の
合金膜に比べて耐蝕性に優れる利点を有する。ヘッド用
磁性膜には、高Bs以外に、保磁力(Hc)と磁気歪(λ
s)が小さいことも必要であるが、メッキにより作製し
たCo−10%Fe合金膜はFe系の合金膜に匹敵する低Hcと低
λsを示すことが報告されている(IEEE Trans.Magn.,M
AG−23(1987)2981)。ここで、磁気ヘッドの各種薄膜
パターンの製造プロセスにおいては、半導体の分野と同
様に、湿式プロセスであるメッキに代わり、将来はスパ
ッタや蒸着等のドライプロセスが望ましいと考えられ
る。さらに、高転送レートの記録再生を行う場合には、
渦電流を低減するために絶縁層(SiO2等)を中間に挟ん
だ多層構造の磁性膜が望ましいが、メッキではこのよう
な多層膜を作製することが困難である。従って、スパッ
タや蒸着により低Hc、低λsのCoFe合金膜が作製できる
ことが望ましい。この点に鑑みて、我々は、スパッタに
よるCoFe合金膜作製の研究を鋭意進めてきた結果、従来
は低Hcを示さないと思われていたCoFe合金膜でも(J.Ap
pl.Phys.,43(1972)3542)、18%近傍のFe濃度を有す
るCoFe合金膜は前記メッキ膜と同様な低Hcを示すことを
明らかにしてきた(第12回日本応用磁気学会学術講演概
要集2pD−4)。しかし、Co−18%Fe合金膜のλsは1
×10-5以上の大きな値であり、磁気ヘッドへの応用に際
して、λsを低減することが望ましい。
(発明が解決しようとする課題) 上記の説明で明らかなようにCoFe合金膜は約20kGの高
い飽和磁束密度を有するものの、スパッタリング法や蒸
着法では、ヘッド磁極性膜に必要な低Hc且つ低磁気歪の
膜が作製できない現状にある。このため従来のCoFe合金
膜を用いた磁気ヘッドでは高密度記録ができなかった。
い飽和磁束密度を有するものの、スパッタリング法や蒸
着法では、ヘッド磁極性膜に必要な低Hc且つ低磁気歪の
膜が作製できない現状にある。このため従来のCoFe合金
膜を用いた磁気ヘッドでは高密度記録ができなかった。
本発明はこのような問題点に鑑みなされたものであ
り、飽和磁束密度が高く、保磁力及び磁気歪が低いCoFe
合金を磁性膜として用い、高密度記録が可能な磁気ヘッ
ドを提供することを目的とする。
り、飽和磁束密度が高く、保磁力及び磁気歪が低いCoFe
合金を磁性膜として用い、高密度記録が可能な磁気ヘッ
ドを提供することを目的とする。
(課題を解決するための手段) 本発明は、基板と、該基板上に形成された磁性膜と、
該磁性膜上に絶縁膜を介して形成されるコイルを具備し
た磁気ヘッドにおいて、前記磁性膜として主成分がCoと
Feからなり、Fe濃度が15at%以上24at%以下、(100)
面が膜面垂直方向に優先成長したfcc(面心立方格子)
相を最も多く含むCoFe合金を用いたことを特徴とする磁
気ヘッドである。
該磁性膜上に絶縁膜を介して形成されるコイルを具備し
た磁気ヘッドにおいて、前記磁性膜として主成分がCoと
Feからなり、Fe濃度が15at%以上24at%以下、(100)
面が膜面垂直方向に優先成長したfcc(面心立方格子)
相を最も多く含むCoFe合金を用いたことを特徴とする磁
気ヘッドである。
上記構造は、窒素を含む雰囲気でスパッタすること
(但し、膜中の窒素混入量は2at%未満に抑える)、ま
たは、酸化マグネシウム基板上にスパッタすることによ
り実現できる。
(但し、膜中の窒素混入量は2at%未満に抑える)、ま
たは、酸化マグネシウム基板上にスパッタすることによ
り実現できる。
(作用) 本発明で用いられる強磁性膜は、19kGの高Bsを示し、
さらに2−3Oeの低Hcと1×10-6の低磁気歪を示す。そ
の結果、このようなCoFe合金膜を磁気ヘッド用磁性膜と
して使用すれば、高密度記録再生に極めて有利な磁気ヘ
ッドが期待できる。
さらに2−3Oeの低Hcと1×10-6の低磁気歪を示す。そ
の結果、このようなCoFe合金膜を磁気ヘッド用磁性膜と
して使用すれば、高密度記録再生に極めて有利な磁気ヘ
ッドが期待できる。
(実施例) 以下に本発明の実施例を挙げ、図面を参照しながらさ
らに具体的に説明する。
らに具体的に説明する。
CoFe合金膜は、アルゴンガスに窒素ガスを混入させた
雰囲気で、窒素ガスの含有量およびFe濃度をパラメータ
として2極RFスパッタにより、ガラス基板(コーニング
社製0211基板)上に作製した。ターゲットはCo円板上に
複数のFeチップを配置した複合ターゲットとした。Fe濃
度は、FeチップのCoプレートに占める割合を変えて制御
した。膜面内に一軸磁気異方性を付与するために、膜作
製中基板近傍に配置した永久磁石により、膜面内の一方
向に外部磁界を加えた。なお、スパッタリングは以下の
条件で行った。
雰囲気で、窒素ガスの含有量およびFe濃度をパラメータ
として2極RFスパッタにより、ガラス基板(コーニング
社製0211基板)上に作製した。ターゲットはCo円板上に
複数のFeチップを配置した複合ターゲットとした。Fe濃
度は、FeチップのCoプレートに占める割合を変えて制御
した。膜面内に一軸磁気異方性を付与するために、膜作
製中基板近傍に配置した永久磁石により、膜面内の一方
向に外部磁界を加えた。なお、スパッタリングは以下の
条件で行った。
高周波電力密度 :5W/cm2 全スパッタガス圧力:9×10-3Torr 窒素ガス分圧 :0−1.35×10-3Torr 電極間距離 :40mm 予備排気 :1×10-6Torr以下 Coに対するFe濃度 :9.5−31at% 膜厚は約0.3μmとした。保磁力は最大250Oeの磁界を
困難軸方向に加えて測定した。結晶構造はX線ディフラ
クトメータ法(CuKα線使用)により調べた。膜中の窒
素濃度は、水蒸気蒸溜・ネスラー吸光光度法により測定
した。
困難軸方向に加えて測定した。結晶構造はX線ディフラ
クトメータ法(CuKα線使用)により調べた。膜中の窒
素濃度は、水蒸気蒸溜・ネスラー吸光光度法により測定
した。
上記条件により作製したCoFe合金膜における保磁力Hc
の窒素分圧依存性をFe濃度をパラメータとして測定した
ところ第1図に示す結果を得た。
の窒素分圧依存性をFe濃度をパラメータとして測定した
ところ第1図に示す結果を得た。
窒素を含まない純アルゴンガス雰囲気中でスパッタに
より作製した場合は、15−24at%Fe膜のみが5Oe以下の
低Hcを示し、12at%以下または31at%のFe濃度の膜では
10Oe以上の比較的高いHcを示した。一方、窒素ガスを添
加したスパッタにより作製した場合は、Fe濃度が12at%
以下の膜では、純アルゴンスパッタ膜に比べてHcの低下
する窒素分圧が存在したものの、それでも10Oe以上の比
較的高いHcを示した。しかし、Fe濃度が15at%以上の膜
では、窒素分圧が約7.2−9×10-4Torrまで増加するとH
cは3Oe以下にまで低下した。以上の結果から、窒素を添
加したスパッタにより、Fe濃度が15at%以上の膜で低Hc
膜が作製できることが判る。
より作製した場合は、15−24at%Fe膜のみが5Oe以下の
低Hcを示し、12at%以下または31at%のFe濃度の膜では
10Oe以上の比較的高いHcを示した。一方、窒素ガスを添
加したスパッタにより作製した場合は、Fe濃度が12at%
以下の膜では、純アルゴンスパッタ膜に比べてHcの低下
する窒素分圧が存在したものの、それでも10Oe以上の比
較的高いHcを示した。しかし、Fe濃度が15at%以上の膜
では、窒素分圧が約7.2−9×10-4Torrまで増加するとH
cは3Oe以下にまで低下した。以上の結果から、窒素を添
加したスパッタにより、Fe濃度が15at%以上の膜で低Hc
膜が作製できることが判る。
次に、低Hcを示した、Fe濃度が15at%以上の膜につい
て、λsの窒素分圧依存性を調べたところ、第2図に示
す結果を得た。Fe濃度が15−24at%の膜は、純Arスパッ
タリングにより作製した場合は1×10-5以上の高λsを
示したが、3.8×10-4Torr近傍の窒素分圧で作製した場
合は約3×10-6以下の低λsを示した。なお、低λsを
示したこの窒素分圧の範囲では19kGの高Bsを示した。一
方、Fe濃度が31at%の膜のλsは、やはり3.8×10-4Tor
r近傍の窒素分圧で最小となったものの、その値は1×1
0-5以上の大きな値であった。
て、λsの窒素分圧依存性を調べたところ、第2図に示
す結果を得た。Fe濃度が15−24at%の膜は、純Arスパッ
タリングにより作製した場合は1×10-5以上の高λsを
示したが、3.8×10-4Torr近傍の窒素分圧で作製した場
合は約3×10-6以下の低λsを示した。なお、低λsを
示したこの窒素分圧の範囲では19kGの高Bsを示した。一
方、Fe濃度が31at%の膜のλsは、やはり3.8×10-4Tor
r近傍の窒素分圧で最小となったものの、その値は1×1
0-5以上の大きな値であった。
以上の結果から、Fe濃度を15−24at%に設定し、さら
に窒素ガスを加えたスパッタリングを行うことにより、
19kGの高Bsを保ち、低Hc且つ低λsの良好な軟磁気特性
の磁性膜が得られることが理解できる。
に窒素ガスを加えたスパッタリングを行うことにより、
19kGの高Bsを保ち、低Hc且つ低λsの良好な軟磁気特性
の磁性膜が得られることが理解できる。
ところで、Fe系の膜では、λsは結晶配向に依存する
ことが知られている。そこで、15−24at%のFe濃度で低
λsが得られた理由を明らかにするために、結晶配向性
を調べたところ以下に示す結果を得た。
ことが知られている。そこで、15−24at%のFe濃度で低
λsが得られた理由を明らかにするために、結晶配向性
を調べたところ以下に示す結果を得た。
第3図に、通常の純アルゴンスパッタにより作製した
膜のX線回折曲線の一例を示す。9.5at%Fe膜では、bcc
相のピークは認められず、高強度のfcc相(111)ピーク
を示した。この膜は(111)面が膜面垂直方向に優先成
長した膜、すなわち(111)配向膜と考えられる。Fe濃
度が増加するにつれて、この(111)ピーク強度は低下
し、新たに出現したbcc相(110)ピーク強度が増大し
た。31%Fe膜では、fcc相のピークは認められず、高強
度のbcc相(110)ピークを示した。この膜は、(110)
配向膜と考えられる。以上の結果から、通常のアルゴン
ガススパッタでは、fcc相(111)配向膜またはbcc相(1
10)配向膜が得られることが理解できる。
膜のX線回折曲線の一例を示す。9.5at%Fe膜では、bcc
相のピークは認められず、高強度のfcc相(111)ピーク
を示した。この膜は(111)面が膜面垂直方向に優先成
長した膜、すなわち(111)配向膜と考えられる。Fe濃
度が増加するにつれて、この(111)ピーク強度は低下
し、新たに出現したbcc相(110)ピーク強度が増大し
た。31%Fe膜では、fcc相のピークは認められず、高強
度のbcc相(110)ピークを示した。この膜は、(110)
配向膜と考えられる。以上の結果から、通常のアルゴン
ガススパッタでは、fcc相(111)配向膜またはbcc相(1
10)配向膜が得られることが理解できる。
次に、3.8×10-4Torrの窒素分圧で作製した膜におけ
る、X線回折曲線のFe濃度依存性を第4図に示す。Fe濃
度が24at%以下の膜では、主に高強度のfcc相(200)ピ
ークから成る回折曲線を呈した。一方、Fe濃度が31at%
の膜では、fcc相(200)ピークが認められるものの、純
アルゴンガススパッタにより作製した場合と同様に、bc
c相(110)ピーク強度が最大の回折曲線を呈した。以上
の結果から、bcc相(110)配向膜では高λsを、fcc相
(100)配向膜では低λsを示すとが理解できる。な
お、fcc相(200)ピークのロッキングカーブの半値幅と
Fe濃度の関係を第5図に示す。Fe濃度が18at%の膜で半
値幅は最小(約6゜)となった。すなわち、18at%Fe膜
で最も(100)配向の良い膜が得られた。
る、X線回折曲線のFe濃度依存性を第4図に示す。Fe濃
度が24at%以下の膜では、主に高強度のfcc相(200)ピ
ークから成る回折曲線を呈した。一方、Fe濃度が31at%
の膜では、fcc相(200)ピークが認められるものの、純
アルゴンガススパッタにより作製した場合と同様に、bc
c相(110)ピーク強度が最大の回折曲線を呈した。以上
の結果から、bcc相(110)配向膜では高λsを、fcc相
(100)配向膜では低λsを示すとが理解できる。な
お、fcc相(200)ピークのロッキングカーブの半値幅と
Fe濃度の関係を第5図に示す。Fe濃度が18at%の膜で半
値幅は最小(約6゜)となった。すなわち、18at%Fe膜
で最も(100)配向の良い膜が得られた。
ところで、18at%Fe膜について、X線回折曲線の窒素
分圧依存性を詳しく調べたところ、第6図に示す結果を
得た。3.8×10-4Torr以下の窒素分圧では、窒素分圧が
増加するとfcc相(200)ピーク強度の増大すなわち(10
0)配向度の向上が認められた。この場合は、λsの低
下は(100)配向度の向上と関連していた。一方、窒素
分圧を5.2×10-4Torr以上に増加すると、fcc相(100)
ピーク強度には変化がみられず、(100)配向を維持し
た。しかし、この場合は、λsが増加しており、(10
0)配向度とλsに関連は見られなかった。この理由を
解明するために、格子定数、比抵抗の窒素分圧依存性を
調べた結果を、それぞれ、第7図,第8図に示す。初め
に格子定数に着目すると、窒素分圧を増やした場合、bc
c相の格子定数は、僅かに低下傾向にあるものの、その
変化は僅かであった。一方、fcc相の格子定数は、窒素
分圧を3.8×10-4Torrにまで増やしてもほとんど変化し
なかったが、さらに窒素分圧を5.2×10-4Torr以上に増
やすと0.361nm以上に増加した。次に、比抵抗に着目す
ると、窒素分圧を3.8×10-4Torrまで増やした場合、比
抵抗は、僅かながら増加傾向にあるものの、純アルゴン
ガススパッタ膜とあまり変わらない値を示した。しか
し、5.2×10-4Torr以上に窒素分圧を増やすと、比抵抗
は急俊に増加して40μΩcm以上の値を示した。ここで、
以上述べた格子定数と比抵抗の増加は膜中への窒素混入
によると考えられる。そこで、膜中の窒素含有量を測定
した結果を第9図に示す。この図から、3.8×10-4Torr
以下の窒素分圧では2at%未満の窒素濃度であったが、
5.2×10-4Torr以上の窒素分圧では2at%以上の窒素濃度
であった。以上の結果から、膜中の窒素濃度は2at%未
満に抑制しないと低λsを示さないことが判る。
分圧依存性を詳しく調べたところ、第6図に示す結果を
得た。3.8×10-4Torr以下の窒素分圧では、窒素分圧が
増加するとfcc相(200)ピーク強度の増大すなわち(10
0)配向度の向上が認められた。この場合は、λsの低
下は(100)配向度の向上と関連していた。一方、窒素
分圧を5.2×10-4Torr以上に増加すると、fcc相(100)
ピーク強度には変化がみられず、(100)配向を維持し
た。しかし、この場合は、λsが増加しており、(10
0)配向度とλsに関連は見られなかった。この理由を
解明するために、格子定数、比抵抗の窒素分圧依存性を
調べた結果を、それぞれ、第7図,第8図に示す。初め
に格子定数に着目すると、窒素分圧を増やした場合、bc
c相の格子定数は、僅かに低下傾向にあるものの、その
変化は僅かであった。一方、fcc相の格子定数は、窒素
分圧を3.8×10-4Torrにまで増やしてもほとんど変化し
なかったが、さらに窒素分圧を5.2×10-4Torr以上に増
やすと0.361nm以上に増加した。次に、比抵抗に着目す
ると、窒素分圧を3.8×10-4Torrまで増やした場合、比
抵抗は、僅かながら増加傾向にあるものの、純アルゴン
ガススパッタ膜とあまり変わらない値を示した。しか
し、5.2×10-4Torr以上に窒素分圧を増やすと、比抵抗
は急俊に増加して40μΩcm以上の値を示した。ここで、
以上述べた格子定数と比抵抗の増加は膜中への窒素混入
によると考えられる。そこで、膜中の窒素含有量を測定
した結果を第9図に示す。この図から、3.8×10-4Torr
以下の窒素分圧では2at%未満の窒素濃度であったが、
5.2×10-4Torr以上の窒素分圧では2at%以上の窒素濃度
であった。以上の結果から、膜中の窒素濃度は2at%未
満に抑制しないと低λsを示さないことが判る。
以上、詳しく説明してきたように、窒素を添加したス
パッタにより、さらにFe濃度を24at%以下に抑えること
により、通常のアルゴンガススパッタでは作製困難なfc
c相(100)配向膜が実現でき、その結果、低λs膜を得
ることができる。さらに、低Hcが得られる組成も考慮す
ると、磁気ヘッドへの応用上不可欠な低Hc且つ低λsの
磁気特性は、Fe濃度が15−24at%のfcc相(100)配向Co
Fe膜で得られる。この磁性膜を使用した磁気ヘッドの実
施例の幾つかを第10図に示す。第10図(a)は長手記録
のハードディスクに対応したヘッドを示す(断面図)。
このヘッドは、基板10−1上に作製した上述したCoFe磁
性膜10−2、ギャップ層10−3と断縁層10−4を介して
磁性膜10−2上に形成したコイル10−5、絶縁層10−4
を介してコイル10−5上に作製した上述したCoFe磁性膜
10−6、保護膜10−7から成る。磁性膜10−2と10−6
に使用されていた従来の磁性膜(NiFe膜やCo系アモルフ
ァス膜等)に比べて上述したCoFe磁性膜の飽和磁束密度
は高いので、高保磁力媒体に対しても十分な記録が可能
になり、その結果、高密度記録が可能となる。一方、第
10図(b)は垂直記録に対応したヘッドの一例を示す
(断面図)。このヘッドは、基板10−8上に上述したCo
Fe磁性膜を用いた主磁極10−9を形成し、この上に絶縁
層10−10を介してコイル10−11を形成し、さらにこの上
に、絶縁層10−10を介してリターンパス磁性体10−12を
形成し、最後に保護膜10−13を形成した構造から成る。
主磁極10−9に使用されていた従来磁性膜(Co系アモル
ファス膜等)に比べて上述したCoFe磁性膜の飽和磁束密
度は高いので、主磁極厚みをさらに薄くすることが可能
になり、その結果線記録密度の高い高密度垂直磁気記録
が可能となる。酸化マグネシウムの(100)面上に、純
アルゴンガスを用いて、実施例1と同様なスパッタ条件
でCoFe膜を作製した。その結果、実施例1と同様に、Bs
=19kG、Hc=3Oe、λs=1×10-6の磁気特性と、fcc相
(100)面が膜面垂直方向に配向した結晶構造を示した
(X線回折曲線はfcc相(200)反射のみを示した)。こ
の結果から、窒素を添加したスパッタ法だけでなく、他
の方法でも、fcc相(100)面が膜面垂直方向に配向した
結晶構造を実現することにより、磁気ヘッドへ応用する
のに望ましい、高Bs、低Hc、低λsを実現することが判
る。
パッタにより、さらにFe濃度を24at%以下に抑えること
により、通常のアルゴンガススパッタでは作製困難なfc
c相(100)配向膜が実現でき、その結果、低λs膜を得
ることができる。さらに、低Hcが得られる組成も考慮す
ると、磁気ヘッドへの応用上不可欠な低Hc且つ低λsの
磁気特性は、Fe濃度が15−24at%のfcc相(100)配向Co
Fe膜で得られる。この磁性膜を使用した磁気ヘッドの実
施例の幾つかを第10図に示す。第10図(a)は長手記録
のハードディスクに対応したヘッドを示す(断面図)。
このヘッドは、基板10−1上に作製した上述したCoFe磁
性膜10−2、ギャップ層10−3と断縁層10−4を介して
磁性膜10−2上に形成したコイル10−5、絶縁層10−4
を介してコイル10−5上に作製した上述したCoFe磁性膜
10−6、保護膜10−7から成る。磁性膜10−2と10−6
に使用されていた従来の磁性膜(NiFe膜やCo系アモルフ
ァス膜等)に比べて上述したCoFe磁性膜の飽和磁束密度
は高いので、高保磁力媒体に対しても十分な記録が可能
になり、その結果、高密度記録が可能となる。一方、第
10図(b)は垂直記録に対応したヘッドの一例を示す
(断面図)。このヘッドは、基板10−8上に上述したCo
Fe磁性膜を用いた主磁極10−9を形成し、この上に絶縁
層10−10を介してコイル10−11を形成し、さらにこの上
に、絶縁層10−10を介してリターンパス磁性体10−12を
形成し、最後に保護膜10−13を形成した構造から成る。
主磁極10−9に使用されていた従来磁性膜(Co系アモル
ファス膜等)に比べて上述したCoFe磁性膜の飽和磁束密
度は高いので、主磁極厚みをさらに薄くすることが可能
になり、その結果線記録密度の高い高密度垂直磁気記録
が可能となる。酸化マグネシウムの(100)面上に、純
アルゴンガスを用いて、実施例1と同様なスパッタ条件
でCoFe膜を作製した。その結果、実施例1と同様に、Bs
=19kG、Hc=3Oe、λs=1×10-6の磁気特性と、fcc相
(100)面が膜面垂直方向に配向した結晶構造を示した
(X線回折曲線はfcc相(200)反射のみを示した)。こ
の結果から、窒素を添加したスパッタ法だけでなく、他
の方法でも、fcc相(100)面が膜面垂直方向に配向した
結晶構造を実現することにより、磁気ヘッドへ応用する
のに望ましい、高Bs、低Hc、低λsを実現することが判
る。
以上詳細に説明したごとく、本発明によれば高い飽和
磁束密度を有し、且つ、低保磁力と低磁気歪を有する強
磁性膜を用い、高密度記録が可能な磁気ヘッドを提供す
ることができる。
磁束密度を有し、且つ、低保磁力と低磁気歪を有する強
磁性膜を用い、高密度記録が可能な磁気ヘッドを提供す
ることができる。
第1図はFe濃度をパラメータとした、保磁力Hcの窒素分
圧依存性を示す図、第2図はFe濃度をパラメータとした
磁気歪λsの窒素分圧依存性を示す図、第3図は純アル
ゴンガスを用いた場合におけるX線回折曲線のFe濃度依
存性を示す図、第4図は3.8×10-4Torrの窒素分圧で作
製した場合におけるX線回折曲線のFe濃度依存性を示す
図、第5図はfcc相(200)ピークに対するロッキングカ
ーブ半幅値のFe濃度依存性を示す図、第6図はFe濃度が
18at%の膜におけるX線回折曲線の窒素分圧依存性を示
す図、第7図はFe濃度が18at%の膜における格子定数の
窒素分圧依存性を示す図、第8図はFe濃度が18at%の膜
における比抵抗の窒素分圧依存性を示す図、第9図はFe
濃度が18at%の膜における膜中の窒素濃度と窒素分圧の
関係を示す図、第10図は本発明の一実施例を示す図であ
る。
圧依存性を示す図、第2図はFe濃度をパラメータとした
磁気歪λsの窒素分圧依存性を示す図、第3図は純アル
ゴンガスを用いた場合におけるX線回折曲線のFe濃度依
存性を示す図、第4図は3.8×10-4Torrの窒素分圧で作
製した場合におけるX線回折曲線のFe濃度依存性を示す
図、第5図はfcc相(200)ピークに対するロッキングカ
ーブ半幅値のFe濃度依存性を示す図、第6図はFe濃度が
18at%の膜におけるX線回折曲線の窒素分圧依存性を示
す図、第7図はFe濃度が18at%の膜における格子定数の
窒素分圧依存性を示す図、第8図はFe濃度が18at%の膜
における比抵抗の窒素分圧依存性を示す図、第9図はFe
濃度が18at%の膜における膜中の窒素濃度と窒素分圧の
関係を示す図、第10図は本発明の一実施例を示す図であ
る。
Claims (6)
- 【請求項1】基板と、該基板上に形成された磁性膜と、
該磁性膜状に絶縁膜を介して形成されたコイルを具備し
た磁気ヘッドにおいて、前記磁性膜として主成分がCoと
Feとからなり、Fe濃度が15at%以上24at%以下、(10
0)面が膜面垂直方向に優先成長したfcc相を最も多く含
むCoFe合金を用いたことを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項2】前記CoFe合金はNを含むことを特徴とする
請求項1記載の磁気ヘッド。 - 【請求項3】前記CoFe合金はNを2at%未満含むことを
特徴とする請求項2記載の磁気ヘッド。 - 【請求項4】前記CoFe合金は酸化マグネシウム上に形成
されていることを特徴とする請求項1記載の磁気ヘッ
ド。 - 【請求項5】前記CoFe合金はbcc相を一部に含むことを
特徴とする請求項1記載の磁気ヘッド。 - 【請求項6】前記bcc相は膜面垂直方向に(110)面を有
することを特徴とする請求項5記載の磁気ヘッド。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/547,028 US5287239A (en) | 1989-07-05 | 1990-07-02 | Magnetic head using high saturated magnetic flux density film and manufacturing method thereof |
DE4021376A DE4021376C2 (de) | 1989-07-05 | 1990-07-05 | Magnetkopf und Verfahren zu seiner Herstellung |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1-171967 | 1989-07-05 | ||
JP17196789 | 1989-07-05 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03130909A JPH03130909A (ja) | 1991-06-04 |
JP2752199B2 true JP2752199B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=15933078
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28292489A Expired - Fee Related JP2752199B2 (ja) | 1989-07-05 | 1989-11-01 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2752199B2 (ja) |
-
1989
- 1989-11-01 JP JP28292489A patent/JP2752199B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH03130909A (ja) | 1991-06-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |