JP2751229B2 - Ａｐｄバイアス電圧制御回路 - Google Patents
Ａｐｄバイアス電圧制御回路Info
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- JP2751229B2 JP2751229B2 JP63198804A JP19880488A JP2751229B2 JP 2751229 B2 JP2751229 B2 JP 2751229B2 JP 63198804 A JP63198804 A JP 63198804A JP 19880488 A JP19880488 A JP 19880488A JP 2751229 B2 JP2751229 B2 JP 2751229B2
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- Japan
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- bias voltage
- apd
- circuit
- voltage
- avalanche photodiode
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光通信方式に係り、特にアバランシエフオト
ダイオード（以下、APDと呼称する）バイアス電圧制御
回路に関するものである。
ダイオード（以下、APDと呼称する）バイアス電圧制御
回路に関するものである。
光フアイバによる高速デイジタル通信システムでは、
受光素子としてAPDがよく用いられている。
受光素子としてAPDがよく用いられている。
このAPDは光電流を増倍する作用をもつており、増倍
率がAPDのバイアス電圧に依存することから、受信信号
レベルが変動してもAPDの増倍率（APDバイアス電圧）を
操作し、得られる電気信号振幅が一定となるよう帰還を
かける方法が従来より用いられている。そして、一般に
用いられているAPD制御方式の構成を示した図である第
２図に示すように、等価増幅回路11とピーク検出回路12
およびAPDバイアス電圧制御回路13で構成されている。
率がAPDのバイアス電圧に依存することから、受信信号
レベルが変動してもAPDの増倍率（APDバイアス電圧）を
操作し、得られる電気信号振幅が一定となるよう帰還を
かける方法が従来より用いられている。そして、一般に
用いられているAPD制御方式の構成を示した図である第
２図に示すように、等価増幅回路11とピーク検出回路12
およびAPDバイアス電圧制御回路13で構成されている。
この第２図において、14はAPD、15は光フアイバ伝送
路である。そして、Ｓは信号電圧出力で、この信号電圧
出力Ｓはピーク検出回路12へ導入されるとともに識別回
路16へ送出されるように構成されている。
路である。そして、Ｓは信号電圧出力で、この信号電圧
出力Ｓはピーク検出回路12へ導入されるとともに識別回
路16へ送出されるように構成されている。
第３図は従来のAPDバイアス電圧制御回路の一例を示
す構成図であり、発振回路21と発振電圧制御端子22およ
び昇圧トランス23ならびに整流・平滑回路24によつて構
成されている。
す構成図であり、発振回路21と発振電圧制御端子22およ
び昇圧トランス23ならびに整流・平滑回路24によつて構
成されている。
この第３図において、25はAPD、26は光フアイバ伝送
路、27は等化増幅回路で、この等化増幅回路27は第２図
における等化増幅回路11に相当する。
路、27は等化増幅回路で、この等化増幅回路27は第２図
における等化増幅回路11に相当する。
このように構成されたAPDバイアス電圧制御回路にお
いて、発振回路21で得られた交流電圧は昇圧トランス23
で昇圧され、整流・平滑回路24でリツプル除去された
後、APD25のバイアス電圧となるが、第２図におけるピ
ーク検出回路12の出力電圧（電気信号振幅に比例した電
圧）を第３図の発振電圧制御端子22に印加することで、
これに比例して昇圧トランス23に入力される交流電圧振
幅を制御しており、電気信号振幅が一定となるようAPD2
5のバイアス電圧が制御される。
いて、発振回路21で得られた交流電圧は昇圧トランス23
で昇圧され、整流・平滑回路24でリツプル除去された
後、APD25のバイアス電圧となるが、第２図におけるピ
ーク検出回路12の出力電圧（電気信号振幅に比例した電
圧）を第３図の発振電圧制御端子22に印加することで、
これに比例して昇圧トランス23に入力される交流電圧振
幅を制御しており、電気信号振幅が一定となるようAPD2
5のバイアス電圧が制御される。
上述した従来のAPDバイアス電圧制御回路では、APDバ
イアス電圧を制御する際、整流・平滑回路の出力電圧を
直接用いるよう構成されているため、APDバイアス電圧
の応答は、平滑回路の時定数により制限を受けている。
そして、通常、その時定数は数秒となるため、光フアイ
バ伝送路に機械的外乱が加わる等でAPDの受光レベルが
急激に変化した際、APDのバイアス電圧が追従できず信
号電圧振幅が変化し、識別回路で正しく再生されず、誤
りが発生するという課題があつた。
イアス電圧を制御する際、整流・平滑回路の出力電圧を
直接用いるよう構成されているため、APDバイアス電圧
の応答は、平滑回路の時定数により制限を受けている。
そして、通常、その時定数は数秒となるため、光フアイ
バ伝送路に機械的外乱が加わる等でAPDの受光レベルが
急激に変化した際、APDのバイアス電圧が追従できず信
号電圧振幅が変化し、識別回路で正しく再生されず、誤
りが発生するという課題があつた。
本発明のAPDバイアス電圧制御回路は、アノードが第
１の抵抗を介して接地されたアバランシェフォトダイオ
ードのカソードに第２の抵抗を介して接続されかつアバ
ランシェフォトダイオードにバイアス電圧を印加する高
電圧発生回路と、アバランシェフォトダイオードのアノ
ードに接続されかつアバランシェフォトダイオードの出
力信号のピーク値を検出するピーク検出回路と、このピ
ーク検出回路に接続されかつピーク検出回路の出力電圧
を反転増幅する反転増幅回路と、コレクタがアバランシ
ェフォトダイオードのカソードに接続されエミッタが接
地されベースが反転増幅回路の出力側に接続されたトラ
ンジスタとを備えたものである。
１の抵抗を介して接地されたアバランシェフォトダイオ
ードのカソードに第２の抵抗を介して接続されかつアバ
ランシェフォトダイオードにバイアス電圧を印加する高
電圧発生回路と、アバランシェフォトダイオードのアノ
ードに接続されかつアバランシェフォトダイオードの出
力信号のピーク値を検出するピーク検出回路と、このピ
ーク検出回路に接続されかつピーク検出回路の出力電圧
を反転増幅する反転増幅回路と、コレクタがアバランシ
ェフォトダイオードのカソードに接続されエミッタが接
地されベースが反転増幅回路の出力側に接続されたトラ
ンジスタとを備えたものである。
本発明においては、トランジスタのベース電圧を制御
することでAPDのバイアス電圧を制御する。
することでAPDのバイアス電圧を制御する。
以下、図面に基づき本発明の実施例を詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明によるAPDバイアス電圧制御回路の一
実施例を示す構成図である。
実施例を示す構成図である。
図において、１は制御端子、２は反転増幅回路、３は
高電圧発生回路、４は抵抗（抵抗値Ｒ）、５はトランジ
スタ、６はAPD、７は光フアイバ伝送路、８は等化増幅
回路で、この等化増幅回路８は第２図における等化増幅
回路11に相当する。
高電圧発生回路、４は抵抗（抵抗値Ｒ）、５はトランジ
スタ、６はAPD、７は光フアイバ伝送路、８は等化増幅
回路で、この等化増幅回路８は第２図における等化増幅
回路11に相当する。
そして、APD6のアノードは第１の抵抗を介して接地さ
れており、APD6のカソードには第２の抵抗４を介してAP
D6にバイアス電圧を印加する高電圧発生回路３が接続さ
れている。また、APD6のアノードには等化増幅回路８を
介して出力信号のピーク値を検出するピーク検出回路12
が接続されており、このピーク検出回路12には反転増幅
回路２が接続されている。また、トランジスタ５のコレ
クタはAPD6のカソードに接続され、エミッタは接地さ
れ、ベースは反転増幅回路２の出力側に接続されてい
る。このトランジスタ５のベース電圧でAPD6のバイアス
電圧が制御される。
れており、APD6のカソードには第２の抵抗４を介してAP
D6にバイアス電圧を印加する高電圧発生回路３が接続さ
れている。また、APD6のアノードには等化増幅回路８を
介して出力信号のピーク値を検出するピーク検出回路12
が接続されており、このピーク検出回路12には反転増幅
回路２が接続されている。また、トランジスタ５のコレ
クタはAPD6のカソードに接続され、エミッタは接地さ
れ、ベースは反転増幅回路２の出力側に接続されてい
る。このトランジスタ５のベース電圧でAPD6のバイアス
電圧が制御される。
つぎにこの第１図に示す実施例の動作を第２図を参照
して説明する。
して説明する。
制御端子１に印加された第２図に示すピーク検出回路
12の出力電圧は、反転増幅回路２で反転増幅され、トラ
ンジスタ５のベースに印加される。
12の出力電圧は、反転増幅回路２で反転増幅され、トラ
ンジスタ５のベースに印加される。
このとき、トランジスタ５のVB−IC特性で定まるコレ
クタ電流により、高電圧発生回路３の出力電圧をIC×Ｒ
〔Ｖ〕電圧降下させAPD6のバイアス電圧とすることで、
APD6の光電流増倍率を制御している。
クタ電流により、高電圧発生回路３の出力電圧をIC×Ｒ
〔Ｖ〕電圧降下させAPD6のバイアス電圧とすることで、
APD6の光電流増倍率を制御している。
以上説明したように本発明は、高電圧発生回路の出力
端子に抵抗を介してトランジスタのコレクタを接続し、
このトランジスタのエミツタを接地し、そのトランジス
タのコレクタをAPDに接続するよう構成し、トランジス
タのベース電圧を制御することでAPDのバイアス電圧を
制御することにより、APDのバイアス電圧応答速度が改
善され、受光レベルの急変に対しても信号電圧振幅を一
定に保つことができる効果がある。
端子に抵抗を介してトランジスタのコレクタを接続し、
このトランジスタのエミツタを接地し、そのトランジス
タのコレクタをAPDに接続するよう構成し、トランジス
タのベース電圧を制御することでAPDのバイアス電圧を
制御することにより、APDのバイアス電圧応答速度が改
善され、受光レベルの急変に対しても信号電圧振幅を一
定に保つことができる効果がある。
第１図は本発明によるAPDバイアス電圧制御回路の一実
施例を示す構成図、第２図は一般に用いられるAPD制御
方式を示すブロツク図、第３図は従来のAPDバイアス電
圧制御回路の一例を示す構成図である。 １……制御端子、２……反転増幅回路、３……高電圧発
生回路、４……抵抗、５……トランジスタ、６……APD
（アバランシエフオトダイオード）。
施例を示す構成図、第２図は一般に用いられるAPD制御
方式を示すブロツク図、第３図は従来のAPDバイアス電
圧制御回路の一例を示す構成図である。 １……制御端子、２……反転増幅回路、３……高電圧発
生回路、４……抵抗、５……トランジスタ、６……APD
（アバランシエフオトダイオード）。
Claims (1)
- 【請求項１】アノードが第１の抵抗を介して接地された
アバランシェフォトダイオードのカソードに第２の抵抗
を介して接続されかつ前記アバランシェフォトダイオー
ドにバイアス電圧を印加する高電圧発生回路と、 前記アバランシェフォトダイオードのアノードに接続さ
れかつ前記アバランシェフォトダイオードの出力信号の
ピーク値を検出するピーク検出回路と、 前記ピーク検出回路に接続されかつ前記ピーク検出回路
の出力電圧を反転増幅する反転増幅回路と、 コレクタが前記アバランシェフォトダイオードのカソー
ドに接続され、エミッタが接地され、ベースが前記反転
増幅回路の出力側に接続されたトランジスタとを備え、 前記トランジスタのベース電圧で前記アバランシェフォ
トダイオードのバイアス電圧が制御されることを特徴と
するAPDバイアス電圧制御回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63198804A JP2751229B2 (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | Ａｐｄバイアス電圧制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63198804A JP2751229B2 (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | Ａｐｄバイアス電圧制御回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0250534A JPH0250534A (ja) | 1990-02-20 |
| JP2751229B2 true JP2751229B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=16397190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63198804A Expired - Lifetime JP2751229B2 (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | Ａｐｄバイアス電圧制御回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2751229B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04359479A (ja) * | 1991-06-04 | 1992-12-11 | Mitsubishi Electric Corp | フォトダイオード装置 |
| FR2684506A1 (fr) * | 1991-11-29 | 1993-06-04 | Thomson Composants Militaires | Recepteur de signaux lumineux. |
| JP4590974B2 (ja) | 2004-08-09 | 2010-12-01 | 住友電気工業株式会社 | 光受信回路 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61182336A (ja) * | 1985-02-07 | 1986-08-15 | Fujitsu Ltd | Ａｐｄ保護回路 |
| JPS6285013U (ja) * | 1985-11-19 | 1987-05-30 | ||
| JPS62217739A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-25 | Fujitsu Ltd | アバランシエ・ホトダイオ−ドのバイアス電圧制御回路 |
-
1988
- 1988-08-11 JP JP63198804A patent/JP2751229B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0250534A (ja) | 1990-02-20 |
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