JP2744307B2 - 光電変換装置 - Google Patents
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- H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
- H04N1/03—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array
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Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、光電変換装置に関し、更に詳しくは、特に
フアクシミリ、イメージリーダ、デイジタル複写機およ
び電子黒板等の入力部に用いられる光電変換装置に関す
る。
フアクシミリ、イメージリーダ、デイジタル複写機およ
び電子黒板等の入力部に用いられる光電変換装置に関す
る。
[従来の技術] 近年、フアクシミリ、イメージリーダ等の小型化、高
性能化のために、光電変換装置として、等倍光学系をも
つ長尺ラインセンサの開発が行われている。
性能化のために、光電変換装置として、等倍光学系をも
つ長尺ラインセンサの開発が行われている。
小型化、低コスト化のため、等倍フアイバーレンズア
レイを用いずに、ガラス等の透明スペーサを介して、セ
ンサが原稿からの反射光を直接検知する光電変換装置も
提案されている。
レイを用いずに、ガラス等の透明スペーサを介して、セ
ンサが原稿からの反射光を直接検知する光電変換装置も
提案されている。
第7図(A)および(B)は、従来の光電変換装置を
模式的に示した断面図である。
模式的に示した断面図である。
第7図(A)は、従来の光電変換装置の光電変換素子
アレイの主走査方向から見た模式的断面図であり、第7
図(B)は、光電変換素子アレイの副走査方向から見た
模式的断面図である。
アレイの主走査方向から見た模式的断面図であり、第7
図(B)は、光電変換素子アレイの副走査方向から見た
模式的断面図である。
ここで、1は透光性センサ基板であり、ガラス等の透
光性基板上に半導体プロセス等により形成された不図示
の光電変換素子および照明窓を有している。2は透光性
実装基板であり、ガラス等の透光性基板上に厚膜印刷法
あるいはフオトリソグラフイ法等により形成された配線
部4を有している。配線部4は透光性センサ基板1と不
図示の駆動回路部とを電気的に接続する。そして、透光
性実装基板2上に透光性センサ基板1を接着層5により
接着してある。3は原稿Pを照明する光源でありLEDチ
ツプ6を複数個アレイ状に配列させたLEDアレイからな
る。
光性基板上に半導体プロセス等により形成された不図示
の光電変換素子および照明窓を有している。2は透光性
実装基板であり、ガラス等の透光性基板上に厚膜印刷法
あるいはフオトリソグラフイ法等により形成された配線
部4を有している。配線部4は透光性センサ基板1と不
図示の駆動回路部とを電気的に接続する。そして、透光
性実装基板2上に透光性センサ基板1を接着層5により
接着してある。3は原稿Pを照明する光源でありLEDチ
ツプ6を複数個アレイ状に配列させたLEDアレイからな
る。
しかして、光源3からの照明光Lは、透光性実装基板
2および透光性センサ基板1内を透過して原稿Pに照射
され、原稿Pから反射した情報光L′が透光性センサ基
板1上の光電変換素子に入射して、光電変換素子より画
像信号として出力される。
2および透光性センサ基板1内を透過して原稿Pに照射
され、原稿Pから反射した情報光L′が透光性センサ基
板1上の光電変換素子に入射して、光電変換素子より画
像信号として出力される。
[発明が解決しようとしている課題] しかしながら、上述の従来の光電変換装置において
は、さらなる低コスト化、小型化を目指した場合、以下
に示すような課題を生ずる。
は、さらなる低コスト化、小型化を目指した場合、以下
に示すような課題を生ずる。
光電変換装置の低コスト化を達成する一つの手段とし
て、LEDチップの数を減少させ、光源をコストダウンさ
せることが行なわれる。
て、LEDチップの数を減少させ、光源をコストダウンさ
せることが行なわれる。
LEDチップの数を減少させると、LEDチップ間の距離が
大になるため、照度ムラが生じるようになる。
大になるため、照度ムラが生じるようになる。
この照度ムラを低減させるために、LEDアレイと原稿
面との距離を大にすることも考えられるが、照度の低下
が著しくなり、かつ光電変換装置の大型化を招き、好ま
しくない。
面との距離を大にすることも考えられるが、照度の低下
が著しくなり、かつ光電変換装置の大型化を招き、好ま
しくない。
また、LEDを千鳥状に配することも考えられるが、配
置精度にともない光度ムラが生じる可能性があり、特に
LEDチップの数を減らした場合は充分な効果が得られな
い場合があった。
置精度にともない光度ムラが生じる可能性があり、特に
LEDチップの数を減らした場合は充分な効果が得られな
い場合があった。
[課題を解決するための手段(及び作用)] 本発明によれば、複数個の発光源が配列された光源
と、該光源から出射した光を原稿に照射するため該発光
源に沿って配された導光手段と、該原稿に照射された光
の反射光を受容する複数個の光電変換素子と、を有し、
該導光手段の側面に光量分布を補正するための補正手段
を設けることにより、原稿面の照度を高くかつ均一にす
ることができ、光電変換装置の低コスト化、小型化を実
現することができる。
と、該光源から出射した光を原稿に照射するため該発光
源に沿って配された導光手段と、該原稿に照射された光
の反射光を受容する複数個の光電変換素子と、を有し、
該導光手段の側面に光量分布を補正するための補正手段
を設けることにより、原稿面の照度を高くかつ均一にす
ることができ、光電変換装置の低コスト化、小型化を実
現することができる。
[実施例] 以下、図面を参照して、本発明を詳細に説明する。
第1図(A)および(B)は、本発明の第1の実施例
であり、本発明の光電変換装置の模式的な断面図であ
る。
であり、本発明の光電変換装置の模式的な断面図であ
る。
第1図(A)は第1の実施例を光電変換素子アレイの
主走査方向から見た模式的断面図であり、第1図(B)
は第1の実施例を光電変換素子アレイの副走査方向から
見た模式的断面図である。
主走査方向から見た模式的断面図であり、第1図(B)
は第1の実施例を光電変換素子アレイの副走査方向から
見た模式的断面図である。
ここで、1は透光性センサ基板であり、石英ガラスや
硼珪酸ガラス等の透光性および絶縁性を有する基板上に
半導体プロセス等により形成された光電変換素子アレイ
を有する。
硼珪酸ガラス等の透光性および絶縁性を有する基板上に
半導体プロセス等により形成された光電変換素子アレイ
を有する。
2は透光性実装基板であり、石英ガラス、硼珪酸ガラ
ス、ソーダガラスあるいはアクリル(アルカリ元素の溶
出や拡散を防ぐSiO2等の保護膜が設けられたものであっ
ても良い)等の透光性および絶縁性を有する基板上に、
厚膜印刷法により形成されたAg、Ag−Pd、Ag−Pt、Au
等、またはフォトリソグラフィにより形成されたAl、C
u、Mo、ITO等の配線部4を有している。
ス、ソーダガラスあるいはアクリル(アルカリ元素の溶
出や拡散を防ぐSiO2等の保護膜が設けられたものであっ
ても良い)等の透光性および絶縁性を有する基板上に、
厚膜印刷法により形成されたAg、Ag−Pd、Ag−Pt、Au
等、またはフォトリソグラフィにより形成されたAl、C
u、Mo、ITO等の配線部4を有している。
配線部4は光電変換素子アレイと不図示の駆動回路部
とを接続する。そして、透光性実装基板2上に透光性セ
ンサ基板1を接着層5により接着してある。この接着層
5にはシリコン系、アクリル系、エポキシ系等の室温あ
るいは加熱硬化型、光硬化型等の透光性接着剤が好適に
用いられ、透光性センサ基板1および透光性実装基板2
の各基板と熱膨張率および光屈折率が近似した材質のも
のを用いる。また、透光性センサ基板1と透光性実装基
板2の配線部4とは、ワイヤボンディング、半田付け等
で電気的に接続されている。
とを接続する。そして、透光性実装基板2上に透光性セ
ンサ基板1を接着層5により接着してある。この接着層
5にはシリコン系、アクリル系、エポキシ系等の室温あ
るいは加熱硬化型、光硬化型等の透光性接着剤が好適に
用いられ、透光性センサ基板1および透光性実装基板2
の各基板と熱膨張率および光屈折率が近似した材質のも
のを用いる。また、透光性センサ基板1と透光性実装基
板2の配線部4とは、ワイヤボンディング、半田付け等
で電気的に接続されている。
3は光源で、LEDチップ6からなる発光源を複数個直
線状に配列されたLEDアレイからなる疑似直線光源であ
る。
線状に配列されたLEDアレイからなる疑似直線光源であ
る。
なお、原稿Pの読み取り位置、透光性センサ基板1の
照明窓の配列位置および光源3のアレイ方向の光軸は、
原稿Pの読み取り位置から降ろした垂直平面内に存在す
るような位置に設定されている。
照明窓の配列位置および光源3のアレイ方向の光軸は、
原稿Pの読み取り位置から降ろした垂直平面内に存在す
るような位置に設定されている。
7は、透光性センサ基板1の光電変換素子アレイと光
源3との間に配置され、光源3から発せられた照明光L
を効率良くかつ均一に原稿面へ導く導光部材である。導
光部材7は、光源3および光電変換素子アレイの主走査
方向の長さと略一致する長さで、照明される原稿面から
見た場合、主走査方向に長い矩形断面形状を呈し、アク
リル樹脂等の材料からなっている。
源3との間に配置され、光源3から発せられた照明光L
を効率良くかつ均一に原稿面へ導く導光部材である。導
光部材7は、光源3および光電変換素子アレイの主走査
方向の長さと略一致する長さで、照明される原稿面から
見た場合、主走査方向に長い矩形断面形状を呈し、アク
リル樹脂等の材料からなっている。
而して照明光Lは、導光部材7、透光性実装基板2お
よび透光性センサ基板1を透過し、原稿Pを照射し、原
稿Pから反射した情報光L′は透光性センサ基板1上の
光電変換素子に入射して、光電変換素子より画像信号が
出力される。
よび透光性センサ基板1を透過し、原稿Pを照射し、原
稿Pから反射した情報光L′は透光性センサ基板1上の
光電変換素子に入射して、光電変換素子より画像信号が
出力される。
本発明の特徴は、光源と光電変換素子の間に、照明光
の一部の全反射を抑制する補正手段を側面に有する導光
手段を設けたところにある。
の一部の全反射を抑制する補正手段を側面に有する導光
手段を設けたところにある。
光源3より発せられた照明光Lは、導光部材7の光源
3と対面した入射面7aより導光部材7内に入射し、導光
部材7の側面7bでの全反射を繰り返し、効率良く出射面
7cから出射するが、途中、導光部材7の側面7bに設けら
れた調光部(光量の補正部)8により照明光の一部は全
反射が抑制され、原稿面では均一な照度を示すことにな
る。
3と対面した入射面7aより導光部材7内に入射し、導光
部材7の側面7bでの全反射を繰り返し、効率良く出射面
7cから出射するが、途中、導光部材7の側面7bに設けら
れた調光部(光量の補正部)8により照明光の一部は全
反射が抑制され、原稿面では均一な照度を示すことにな
る。
補正部8を設置する位置はLEDチップ6の指向特性、L
EDチップ間の距離、導光部材7の形状、LEDチップ6か
ら原稿Pまでの距離等に応じて、適宜決められる。
EDチップ間の距離、導光部材7の形状、LEDチップ6か
ら原稿Pまでの距離等に応じて、適宜決められる。
第1の実施例においては、第2図(A)に示すような
指向特性を有するLEDチップ6を主走査方向に直線状に
配列したLEDアレイ3を用いているので、第1図(B)
に示すようにLEDチップ6上の導光部材の側面7bに補正
部8を設けている。これにより、照明光の全反射を一部
抑制して、原稿面照度を均一にしている。
指向特性を有するLEDチップ6を主走査方向に直線状に
配列したLEDアレイ3を用いているので、第1図(B)
に示すようにLEDチップ6上の導光部材の側面7bに補正
部8を設けている。これにより、照明光の全反射を一部
抑制して、原稿面照度を均一にしている。
補正部8には、光を吸収して全反射を抑制する場合、
光の光軸を変更して全反射を抑制する場合等が考えられ
る。
光の光軸を変更して全反射を抑制する場合等が考えられ
る。
光を吸収させる補正部の場合には、黒色樹脂、たとえ
ば三菱樹脂化学のカーボンブラック#2400等を塗布させ
ることにより形成される。また光の光軸を変更させる補
正部の場合には、導光部材7の側面7bに微小な凹凸を形
成し、光を拡散及び/又は透過させる構造とする。
ば三菱樹脂化学のカーボンブラック#2400等を塗布させ
ることにより形成される。また光の光軸を変更させる補
正部の場合には、導光部材7の側面7bに微小な凹凸を形
成し、光を拡散及び/又は透過させる構造とする。
なお、補正部8の形成には上述の方法に限定されるこ
となく、いかなる材料あるいは形状であっても、側面7b
での全反射を適宜抑制する方法であれば差し支えない。
となく、いかなる材料あるいは形状であっても、側面7b
での全反射を適宜抑制する方法であれば差し支えない。
第3図(A)は、第1の実施例の効果を説明する図で
あり、(A−0)は従来技術による原稿面照度の分布、
(A−1)は導光部材を用いた時の原稿面照度の分布、
(A−2)は補正部を有する導光部材を用いた時の原稿
面照度の分布を示している。(A−0)に示すように導
光部材を介することなくLEDアレイにより原稿面を照明
すると原稿面照度は低く、照度ムラも大きい。また、
(A−1)に示すように導光部材を介して原稿を照明す
ると、原稿面照度は全体的に高くなるが、LEDチップ間
の照度が比較的低く、照度ムラが大きい。一方、(A−
2)に示すように補正部材を有する導光部材を介して原
稿を照明すると、原稿を効率良く高い照度で照明するこ
とができ、かつ照度ムラを大幅に低減することができる
ことがわかる。
あり、(A−0)は従来技術による原稿面照度の分布、
(A−1)は導光部材を用いた時の原稿面照度の分布、
(A−2)は補正部を有する導光部材を用いた時の原稿
面照度の分布を示している。(A−0)に示すように導
光部材を介することなくLEDアレイにより原稿面を照明
すると原稿面照度は低く、照度ムラも大きい。また、
(A−1)に示すように導光部材を介して原稿を照明す
ると、原稿面照度は全体的に高くなるが、LEDチップ間
の照度が比較的低く、照度ムラが大きい。一方、(A−
2)に示すように補正部材を有する導光部材を介して原
稿を照明すると、原稿を効率良く高い照度で照明するこ
とができ、かつ照度ムラを大幅に低減することができる
ことがわかる。
次に第4図は、本発明の第2の実施例であり、本発明
の光電変換装置を光電変換素子アレイの方向から見た模
式的な断面図である。第2の実施例においては、第2図
(B)に示すような指向特性を有するLEDチップを主走
査方向に直線状に配列したLEDアレイを用いているの
で、第4図に示すようにLEDチップ6間の上に補正部8
を設けることにより、照明光の一部の全反射を抑制して
いる。
の光電変換装置を光電変換素子アレイの方向から見た模
式的な断面図である。第2の実施例においては、第2図
(B)に示すような指向特性を有するLEDチップを主走
査方向に直線状に配列したLEDアレイを用いているの
で、第4図に示すようにLEDチップ6間の上に補正部8
を設けることにより、照明光の一部の全反射を抑制して
いる。
第3図(B)は、第2の実施例の効果を説明する図で
あり、(B−0)は従来技術による原稿面照度の分布、
(B−1)は導光部材を用いたときの原稿面照度の分
布、(B−2)は補正部を有する導光部材を用いた時の
原稿面照度の分布を示している。第3図(B)によれ
ば、第2の実施例のように導光部材を用いると、原稿を
効率良く高い照度で照明することができ、かつ補正部を
設けることにより照度ムラを大幅に低減することができ
ることがわかる。
あり、(B−0)は従来技術による原稿面照度の分布、
(B−1)は導光部材を用いたときの原稿面照度の分
布、(B−2)は補正部を有する導光部材を用いた時の
原稿面照度の分布を示している。第3図(B)によれ
ば、第2の実施例のように導光部材を用いると、原稿を
効率良く高い照度で照明することができ、かつ補正部を
設けることにより照度ムラを大幅に低減することができ
ることがわかる。
第5図は、本発明に係る透光性センサ基板を光電変換
素子アレイの主走査方向から見た模式的断面図である。
透光性を有するガラス基板11上には、マトリクス配線部
12、照明窓13、光電変換素子14、電荷蓄積部15および蓄
積された電荷を適宜のタイミングで転送するスイッチン
グ用の薄膜トランジスタ(TFT)16が形成されている。
素子アレイの主走査方向から見た模式的断面図である。
透光性を有するガラス基板11上には、マトリクス配線部
12、照明窓13、光電変換素子14、電荷蓄積部15および蓄
積された電荷を適宜のタイミングで転送するスイッチン
グ用の薄膜トランジスタ(TFT)16が形成されている。
これら各素子の層構成は、ガラス基板11上にCrからな
る遮光性下電極17、SiNからなる絶縁層18、a−Si:Hか
らなる光導電性半導体層19、n+a−Si:Hからなるオー
ミックコンタクト層20およびAlからなる上電極21が順次
積層され、各素子とも同一の製造プロセスにより形成さ
れている。
る遮光性下電極17、SiNからなる絶縁層18、a−Si:Hか
らなる光導電性半導体層19、n+a−Si:Hからなるオー
ミックコンタクト層20およびAlからなる上電極21が順次
積層され、各素子とも同一の製造プロセスにより形成さ
れている。
また、光電変換素子14、電荷蓄積部15およびTFT部16
等は、SiNからなるパシベーション層22に覆われ、さら
にパシペーション層22の上には接着層23を介して薄板ガ
ラスからなる保護層24が設けられている。
等は、SiNからなるパシベーション層22に覆われ、さら
にパシペーション層22の上には接着層23を介して薄板ガ
ラスからなる保護層24が設けられている。
薄板ガラス24は、原稿Pとの摩擦から光電変換素子14
等を保護する耐摩耗層としての機能と原稿Pと光電変換
素子14との距離を一定に確保するスペーサとしての機能
を有している。
等を保護する耐摩耗層としての機能と原稿Pと光電変換
素子14との距離を一定に確保するスペーサとしての機能
を有している。
かかる構成において、透光性センサ基板1の原稿Pと
は反対の面側に設けられた光源3から照射された照明光
Lは透光性センサ基板1を透過して原稿Pを照明する。
そして原稿Pで反射された情報光L′は光電変換素子14
に受光される。
は反対の面側に設けられた光源3から照射された照明光
Lは透光性センサ基板1を透過して原稿Pを照明する。
そして原稿Pで反射された情報光L′は光電変換素子14
に受光される。
第6図は、本発明に係る光電変換素子を用いて構成し
た画像処理装置(例えばファクシミリ)の一例を示す。
た画像処理装置(例えばファクシミリ)の一例を示す。
ここで、102は原稿Pを読み取り位置に向けて給送す
るための給送ローラー、104は原稿Pを一枚ずつ確実に
分離給送するための分離片である。106は光電変換素子1
00の読み取り位置に設けられて原稿Pの被読み取り面を
規制するとともに原稿Pを搬送する搬送ローラーであ
る。
るための給送ローラー、104は原稿Pを一枚ずつ確実に
分離給送するための分離片である。106は光電変換素子1
00の読み取り位置に設けられて原稿Pの被読み取り面を
規制するとともに原稿Pを搬送する搬送ローラーであ
る。
Wは図示の例ではロール紙形態をした記録媒体であ
り、光電変換装置100により読み取られた画像情報ある
いはファクシミリ装置等の場合には外部から送信された
画像情報が形成される。110は当該画像形成をおこなう
ための記録ヘッドであり、サーマルヘッド、インクジェ
ット記録ヘッド等種々のものを用いることができる。ま
た、この記録ヘッドは、シリアルタイプのものでも、ラ
インタイプのものでもよい。112は記録ヘッド110による
記録位置に対して記録媒体Wを搬送するとともにその被
記録面を規制するプラテンローラである。
り、光電変換装置100により読み取られた画像情報ある
いはファクシミリ装置等の場合には外部から送信された
画像情報が形成される。110は当該画像形成をおこなう
ための記録ヘッドであり、サーマルヘッド、インクジェ
ット記録ヘッド等種々のものを用いることができる。ま
た、この記録ヘッドは、シリアルタイプのものでも、ラ
インタイプのものでもよい。112は記録ヘッド110による
記録位置に対して記録媒体Wを搬送するとともにその被
記録面を規制するプラテンローラである。
120は、操作入力を受容するスイッチやメッセージそ
の他、装置の状態を報知するための表示部等を配したオ
ペレーションパネルである。
の他、装置の状態を報知するための表示部等を配したオ
ペレーションパネルである。
130は、システムコントローラ基板であり、外部の制
御を行なう制御部や、光電変換素子の駆動回路、画像情
報の処理部、送受信部等が設けられる。140は、装置の
電源である。
御を行なう制御部や、光電変換素子の駆動回路、画像情
報の処理部、送受信部等が設けられる。140は、装置の
電源である。
第6図に示される装置に上記第1の実施例乃至第2の
実施例を用いて原稿を照明して読み取りを行なったとこ
ろ、極めて安定した、均一な読み取りを行なうことがで
きた。
実施例を用いて原稿を照明して読み取りを行なったとこ
ろ、極めて安定した、均一な読み取りを行なうことがで
きた。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば、画像情報の読
み取りに係る原稿を照射するための複数個の発光源が配
列された光源と、該光源から出射した光を該原稿に照射
するため該発光源に沿って配された導光手段と、該原稿
に照射された光の反射光を受容する複数個の光電変換素
子と、を有し、該導光手段の側面に照明光の一部を吸
収、拡散あるいは透過させて全反射を抑制することによ
って光量分布を補正するための補正手段を設けることに
より、原稿面の照度を高くかつ均一にすることができ、
光電変換装置の低コスト化、小型化を実現することがで
きる。
み取りに係る原稿を照射するための複数個の発光源が配
列された光源と、該光源から出射した光を該原稿に照射
するため該発光源に沿って配された導光手段と、該原稿
に照射された光の反射光を受容する複数個の光電変換素
子と、を有し、該導光手段の側面に照明光の一部を吸
収、拡散あるいは透過させて全反射を抑制することによ
って光量分布を補正するための補正手段を設けることに
より、原稿面の照度を高くかつ均一にすることができ、
光電変換装置の低コスト化、小型化を実現することがで
きる。
また、本発明によれば、常に安定的で、均一な読み取
りを行なうことのできる光電変換装置を提供することが
できる。
りを行なうことのできる光電変換装置を提供することが
できる。
第1図(A)および(B)は本発明の光電変換装置の第
1の実施例の模式的断面図、 第2図(A)および(B)は、本発明の光電変換装置に
係るLEDチップの指向特性を示す図、 第3図(A)および(B)は、本発明の光電変換装置の
効果を示す図、 第4図は、本発明の光電変換装置の第2の実施例の模式
的断面図、 第5図は、本発明の実施例に係る透光性センサ基板を光
電変換素子アレイ主走査方向から見た模式的断面図、 第6図は、本発明を適用可能な画像処理装置の一例を示
す断面図、 第7図(A)および(B)は、従来の光電変換装置の模
式的断面図である。 1……透光性センサ基板、 2……透光性実装基板、 3……光源、 4……配線部、 5……接着層、 6……LEDチップ、 7……導光部材、 7a……導光部材の入射面、 7b……導光部材の側面、 7c……導光部材の出射面、 8……補正部、 11……ガラス基板、 12……マトリクス配線部、 13……透光性センサ基板の照明窓、 14……光電変換素子、 15……電荷蓄積部、 16……TFT部、 17……下電極、 18……絶縁層、 19……光導電性半導体層、 20……オーミックコンタクト層、 21……上電極、 22……パシベーション層、 23……接着層、 24……保護層、 L……照明光、 L′……情報光、 P……原稿。
1の実施例の模式的断面図、 第2図(A)および(B)は、本発明の光電変換装置に
係るLEDチップの指向特性を示す図、 第3図(A)および(B)は、本発明の光電変換装置の
効果を示す図、 第4図は、本発明の光電変換装置の第2の実施例の模式
的断面図、 第5図は、本発明の実施例に係る透光性センサ基板を光
電変換素子アレイ主走査方向から見た模式的断面図、 第6図は、本発明を適用可能な画像処理装置の一例を示
す断面図、 第7図(A)および(B)は、従来の光電変換装置の模
式的断面図である。 1……透光性センサ基板、 2……透光性実装基板、 3……光源、 4……配線部、 5……接着層、 6……LEDチップ、 7……導光部材、 7a……導光部材の入射面、 7b……導光部材の側面、 7c……導光部材の出射面、 8……補正部、 11……ガラス基板、 12……マトリクス配線部、 13……透光性センサ基板の照明窓、 14……光電変換素子、 15……電荷蓄積部、 16……TFT部、 17……下電極、 18……絶縁層、 19……光導電性半導体層、 20……オーミックコンタクト層、 21……上電極、 22……パシベーション層、 23……接着層、 24……保護層、 L……照明光、 L′……情報光、 P……原稿。
Claims (5)
- 【請求項1】複数個の発光源が配列された光源と、該光
源から出射した光を原稿に照射するため該発光源に沿っ
て配された導光手段と、該原稿に照射された光の反射光
を受容する複数個の光電変換素子と、を有し、該導光手
段の側面に光量分布を補正するための補正手段を設けた
ことを特徴とする光電変換装置。 - 【請求項2】前記補正手段は、光吸収性部材を有するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の光電変換
装置。 - 【請求項3】前記補正手段は、光を拡散及び/又は透過
させる構造を有することを特徴とする特許請求の範囲第
1項に記載の光電変換装置。 - 【請求項4】前記補正手段は、該導光手段の側面に設け
られた微小な凹凸を有することを特徴とする特許請求の
範囲第1項に記載の光電変換装置。 - 【請求項5】前記補正手段は、該発光源の間に対応して
設けられている特許請求の範囲第1項乃至第4項のいず
れか1項に記載の光電変換装置。
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---|---|---|---|
JP1302672A JP2744307B2 (ja) | 1989-11-21 | 1989-11-21 | 光電変換装置 |
US07/616,831 US5187595A (en) | 1989-11-21 | 1990-11-21 | Photoelectric conversion device having improved illumination and information processing apparatus mounting the device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1302672A JP2744307B2 (ja) | 1989-11-21 | 1989-11-21 | 光電変換装置 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03161968A JPH03161968A (ja) | 1991-07-11 |
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Family
ID=17911799
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1302672A Expired - Fee Related JP2744307B2 (ja) | 1989-11-21 | 1989-11-21 | 光電変換装置 |
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---|---|
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JP (1) | JP2744307B2 (ja) |
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JPH0699610A (ja) * | 1992-09-21 | 1994-04-12 | Fuji Xerox Co Ltd | 静電記録用記録ヘッド及びその製法 |
DE69325337T2 (de) * | 1992-11-04 | 1999-11-18 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Kontaktbildsensor und Abtastverfahren mittels eines solchen Sensors |
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US5880852A (en) * | 1995-05-23 | 1999-03-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Reading unit and recording apparatus on which the reading unit is mountable |
EP0744299B1 (en) * | 1995-05-26 | 2003-03-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Reading unit and recording apparatus capable of mounting such reading unit thereon |
US5912746A (en) * | 1996-03-14 | 1999-06-15 | Intergraph Corporation | Contact image sensor for large format scanner |
JPH1097612A (ja) | 1996-08-02 | 1998-04-14 | Canon Inc | 画像読取装置及び画像読取システム |
JPH1098581A (ja) * | 1996-08-02 | 1998-04-14 | Canon Inc | 画像読取装置及び画像読取システム |
US5786902A (en) * | 1996-09-17 | 1998-07-28 | Eastman Kodak Company | Photographic printer and method of digitally correcting for a photographic printer |
JP3167111B2 (ja) * | 1997-04-25 | 2001-05-21 | キヤノン株式会社 | 画像読取装置 |
JPH11136439A (ja) * | 1997-10-29 | 1999-05-21 | Canon Inc | イメージセンサ及び、それを用いた情報処理装置 |
EP1017222A3 (en) * | 1998-12-24 | 2004-05-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Illumination apparatus using light guide |
JP4168960B2 (ja) * | 2004-03-24 | 2008-10-22 | 富士ゼロックス株式会社 | 画像読み取り装置、画像読み取りユニット、光照射装置 |
JP6299636B2 (ja) * | 2015-03-18 | 2018-03-28 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | 照明装置、及び画像読取装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3544713A (en) * | 1968-09-03 | 1970-12-01 | Marquardt Corp | Solid state electro-optical contact scanner |
CA1127227A (en) * | 1977-10-03 | 1982-07-06 | Ichiro Endo | Liquid jet recording process and apparatus therefor |
JPS5848962A (ja) * | 1981-09-18 | 1983-03-23 | Hitachi Ltd | 光センサアレイ装置 |
US4680644A (en) * | 1984-07-23 | 1987-07-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for reading an image |
US4763189A (en) * | 1984-08-31 | 1988-08-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Color image sensor with three line sensors on different layers separated by electrically-insulating layers |
DE3869250D1 (de) * | 1987-07-17 | 1992-04-23 | Sharp Kk | Bildsensor des kontakttyps. |
JP3093244B2 (ja) * | 1989-07-24 | 2000-10-03 | キヤノン株式会社 | 照明系の改良された光電変換装置及び該装置を搭載した情報処理装置 |
-
1989
- 1989-11-21 JP JP1302672A patent/JP2744307B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-11-21 US US07/616,831 patent/US5187595A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH03161968A (ja) | 1991-07-11 |
US5187595A (en) | 1993-02-16 |
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Legal Events
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