JP2743156B2 - Resin-sealed semiconductor device - Google Patents
Resin-sealed semiconductor deviceInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention is a resin-sealed semiconductor equipment
About the.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体装置の小型化、高集積化が進む中
で、樹脂封止した半導体装置のサイズを半導体チップの
サイズに近付ける工夫がなされている。このような半導
体装置として、特開昭６２−１４７７３５号公報、実開
昭６３−１３４１号公報および特開昭６２−２３００２
７号公報に記載されたものが知られている。2. Description of the Related Art As semiconductor devices have become smaller and more highly integrated, there has been an attempt to make the size of a resin-sealed semiconductor device closer to the size of a semiconductor chip. Such a semiconductor device is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 62-147735, 63-1341 and 62-23002.
No. 7 is known.
【０００３】特開昭６２−１４７７３５号公報又は特開
昭６２−２３００２７号公報に記載のものは、半導体チ
ップ上の電極部に相当する個所に半田などによりバンプ
を形成した後、このバンプを含めて全体を樹脂で被覆
し、その後樹脂の一部を研磨などにより除去してバンプ
を樹脂表面と面一に露出させた構造のものである。ま
た、特開昭６２−２３００２７号公報には、バンプが露
出した樹脂表面に、そのバンプと接続される回路導体層
を形成することも提案されている。[0003] Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 62-147735 or Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-230027 discloses a method in which a bump is formed at a position corresponding to an electrode portion on a semiconductor chip by soldering or the like. In this structure, the whole is covered with a resin, and then a part of the resin is removed by polishing or the like to expose the bumps flush with the resin surface. Also, Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-230027 proposes forming a circuit conductor layer connected to the bump on the resin surface where the bump is exposed.
【０００４】一方、実開昭６３−１３４１号公報に記載
されたものは、半導体チップの電極面にバンプを形成
し、そのバンプの一部が突き出るように半導体チップの
周囲を樹脂で封止した構造のものである。On the other hand, in the device described in Japanese Utility Model Application Laid-Open No. 63-1341, a bump is formed on an electrode surface of a semiconductor chip, and the periphery of the semiconductor chip is sealed with a resin so that a part of the bump protrudes. Of structure.
【０００５】このように構成された樹脂封止型の半導体
装置は、回路基板上にフェースダウンさせ、バンプに対
応して形成された配線等に、半田などにより接合して実
装される。[0005] The resin-sealed type semiconductor device thus configured is mounted face down on a circuit board and joined to wirings and the like formed corresponding to the bumps with solder or the like.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術のうち、
特開昭６２−１４７７３５号公報又は特開昭６２−２３
００２７号公報に記載された半導体装置では、バンプの
露出面が封止樹脂の表面と面一であることから、これを
回路基板に実装するにあたり、バンプと基板配線等とを
接続する半田接合部の高さを十分に確保できない。その
ため、実装後の温度変化によって半導体装置と回路基板
との間に生ずる熱歪を、バンプや半田接合部自体の変形
により緩和する作用が小さいから、多大な熱歪により半
田接合部が損傷するおそれがある。SUMMARY OF THE INVENTION Among the above prior arts,
JP-A-62-147735 or JP-A-62-23
In the semiconductor device described in Japanese Patent Publication No. 0027, since the exposed surface of the bump is flush with the surface of the sealing resin, when mounting the bump on the circuit board, a solder joint for connecting the bump to the board wiring and the like is provided. Cannot secure enough height. Therefore, the effect of relieving the thermal strain generated between the semiconductor device and the circuit board due to the temperature change after mounting due to the deformation of the bumps and the solder joint itself is small, and the solder joint may be damaged by a large thermal strain. There is.
【０００７】この点、実開昭６３−１３４１号公報に記
載されたものは、バンプが封止樹脂から突出しているの
で、実装後の温度変化によって生ずる熱歪を、バンプや
半田接合部自体の変形により緩和する作用があるから、
上記のような問題が生ずるおそれは少ない。[0007] In this respect, in Japanese Unexamined Utility Model Publication No. 63-1341, since the bumps protrude from the sealing resin, the thermal strain caused by the temperature change after mounting causes the bumps and the solder joints themselves to be removed. Because it has the effect of relaxing by deformation
It is unlikely that the above-mentioned problem occurs.
【０００８】しかし、従来技術には、次のような問題が
ある。However, the prior art has the following problems.
【０００９】（１）実開昭６３−１３４１号公報に記載
のものは、半導体チップの電極表面の形状が、バンプの
接合面の形状と同一に形成されているから、電極又はバ
ンプと樹脂封止体の接触面を、外部から半導体チップの
電極に至る方向に沿って見ると、それらの接触面が一直
線状になっている。そのため、その接触面部を介して外
部から水分が容易に浸入するおそれがあり、これにより
電気特性上好ましくない現象が発生する。つまり、半導
体チップの電極及びこれに接続されている微細な配線を
も腐食させるなど、耐湿性の点で問題がある。この点
は、他の従来技術も同様である。(1) In the device disclosed in Japanese Utility Model Application Laid-Open No. 63-1341, the shape of the electrode surface of the semiconductor chip is formed to be the same as the shape of the bonding surface of the bump. When the contact surfaces of the stopper are viewed along the direction from the outside to the electrodes of the semiconductor chip, the contact surfaces are straight. Therefore, moisture may easily enter from the outside through the contact surface portion, and a phenomenon unfavorable in electrical characteristics occurs. That is, there is a problem in terms of moisture resistance, such as corrosion of the electrodes of the semiconductor chip and the fine wiring connected thereto. This is the same in other conventional technologies.
【００１０】（２）特開昭６２−２３００２７号公報に
記載のものは、樹脂封止体の表面に導電性部材を回路状
に形成し、この導電性部材により半導体チップの所定の
電極同士を接続しているから、これを回路基板に実装す
る場合、表面に形成された回路に対応した特殊な電極を
回路基板に形成しなければならないので、製品コストの
増加を引き起こす。(2) Japanese Unexamined Patent Publication No. 62-230027 discloses a method in which a conductive member is formed in a circuit shape on the surface of a resin sealing body, and predetermined electrodes of a semiconductor chip are connected to each other by the conductive member. Since the connection is made, when this is mounted on a circuit board, a special electrode corresponding to the circuit formed on the surface must be formed on the circuit board, which causes an increase in product cost.
【００１１】（３）実開昭６３−１３４１号公報に記載
のものは、回路基板の配線等と接合されるバンプの先端
は平面に形成され、エッジを有しているから、回路基板
に実装する際に、エッジが回路基板の表面のソルダーレ
ジストや配線に当たって、それらに傷を付けるおそれが
ある。(3) In the device disclosed in Japanese Utility Model Application Laid-Open No. 63-1341, since the tips of the bumps to be connected to the wiring and the like of the circuit board are formed in a flat surface and have an edge, they are mounted on the circuit board. In doing so, the edge may hit the solder resist or the wiring on the surface of the circuit board and damage them.
【００１２】（４）上記従来の半導体装置は、いずれも
バンプの形成をフリップチップ実装技術で用いられてい
るメッキ法あるいは蒸着法などの薄膜形成法により行っ
ている。そのため、導電性部材となるバンプを厚く形成
するのが困難であり、厚く形成しようとすると製造コス
トが増加する。(4) In the above-mentioned conventional semiconductor devices, the bumps are formed by a thin film forming method such as a plating method or a vapor deposition method used in flip-chip mounting technology. For this reason, it is difficult to form a thick bump serving as a conductive member, and an attempt to form a thick bump increases the manufacturing cost.
【００１３】本発明は、上記の問題点等を解決すること
を課題とするものであり、言い換えれば、樹脂封止型半
導体装置の小型化において、半導体チップと回路基板と
の接合部の熱歪による損傷を低減して接合の信頼性を向
上させること、耐湿性を向上させることを課題とする。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems and the like. In other words, in miniaturizing a resin-encapsulated semiconductor device, the thermal distortion of a joint between a semiconductor chip and a circuit board is reduced. It is an object of the present invention to improve the reliability of bonding by reducing the damage caused by the above, and to improve the moisture resistance.
【００１４】[0014]
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】上記課題は、次の手段に
より解決できる。まず、半導体チップと、この半導体チ
ップの表面に独立して形成された複数個の電極と、この
複数個の電極の表面の少なくとも外縁部を除く一部の表
面を露出して半導体チップの表面に形成された樹脂膜
と、複数個の各電極と外部との電気的接続をとるように
構成された導電性部材と、半導体チップを覆って形成さ
れた樹脂封止体とを備えるものとする。そして、導電性
部材は、電極と接する接合面と、樹脂封止体と接する接
着面と、樹脂膜と接する接着面と、電極、樹脂膜および
樹脂封止体のいずれとも接触しない非接触面とを有し、
この非接触面が前記樹脂封止体の表面よりも外方に突出
した突出部を構成してなるものとする。The above object can be attained by the following means. First, a semiconductor chip, a plurality of electrodes independently formed on the surface of the semiconductor chip, and a part of the surface of the plurality of electrodes excluding at least an outer edge portion.
A resin film formed on the surface of the semiconductor chip by exposing the surface, a conductive member configured to make electrical connection between the plurality of electrodes and the outside, and a resin formed to cover the semiconductor chip And a sealing body. The conductive member has a bonding surface in contact with the electrode, an adhesive surface in contact with the resin sealing body, an adhesive surface in contact with the resin film, and a non-contact surface not in contact with any of the electrode, the resin film and the resin sealing body. Has,
It is assumed that the non-contact surface constitutes a protruding portion that protrudes outward from the surface of the resin sealing body.
【００１６】また、導電性部材を圧膜印刷法により形成
することにより、導電性部材を容易に厚く形成すること
ができるとともに、導電性部材と樹脂封止体との接着性
を向上させることができる。Further, by forming the conductive member by the pressure film printing method, the conductive member can be easily formed thick, and the adhesion between the conductive member and the resin sealing body can be improved. it can.
【００１７】[0017]
【作用】上記手段によれば、次の作用により、課題を解
決することができる。まず、電極表面の少なくとも外縁
部を除く一部の表面を露出して半導体チップの表面に形
成された樹脂膜（パッシベーション膜に相当する。）
は、その樹脂膜の硬化時に収縮し、この収縮によって樹
脂膜が電極表面に大きな密着力で接着される。そのた
め、それらの接着面を通って水分が侵入するのを抑制す
ることができ、耐湿性を向上できる。 According to the above means, the problem can be solved by the following operation. First, at least the outer edge of the electrode surface
A resin film (corresponding to a passivation film) formed on the surface of the semiconductor chip by exposing a part of the surface excluding the portion .
Shrinks when the resin film cures,
The fat film is adhered to the electrode surface with great adhesion. That
To prevent the ingress of moisture through their adhesive surfaces
And the moisture resistance can be improved.
【００１８】また、導電性部材は、樹脂封止体の表面よ
りも外方に突出した突出部を有することから、半導体装
置と回路基板との接合部自体の高さを確保できるので、
実装後の温度変化によって生ずる熱歪を、接合部自体の
変形により緩和する作用が大きくなり、接合部の損傷を
抑制できる。Further, since the conductive member has a protruding portion that protrudes outward from the surface of the resin sealing body, the height of the joint itself between the semiconductor device and the circuit board can be secured.
The effect of alleviating the thermal strain caused by the temperature change after mounting by the deformation of the joint itself becomes large, and damage to the joint can be suppressed.
【００１９】また、複数個の電極と導電性部材が同数で
あることが好ましい。これによれば、回路基板に特殊な
形状の電極や配線を施す必要がないことから、回路基板
の配線構造が簡単になり、製造コストの増加を抑制でき
る。It is preferable that the plurality of electrodes and the number of conductive members are the same. According to this, since it is not necessary to provide a specially shaped electrode or wiring on the circuit board, the wiring structure of the circuit board is simplified, and an increase in manufacturing cost can be suppressed.
【００２０】また、導電性部材の突出部の表面を球面に
したものによれば、実装する際に回路基板に損傷を及ぼ
すおそれを低減できる。According to the conductive member having a protruding surface having a spherical surface, the possibility of damaging the circuit board during mounting can be reduced.
【００２１】また、導電性部材の樹脂封止体との接着面
部における断面積を、導電性部材の電極との接合面より
も大きくすることが好ましい。この構造により、前述し
たように、電極表面にパッシベーション膜（樹脂膜）を
形成でき、その樹脂膜の硬化時の収縮によって電極と樹
脂膜との密着力が大きくなり、耐湿性を向上できる。It is preferable that the cross-sectional area of the conductive member at the bonding surface with the resin sealing member is larger than the bonding surface of the conductive member with the electrode. With this structure, as described above, a passivation film (resin film) can be formed on the surface of the electrode, and the adhesion between the electrode and the resin film increases due to shrinkage of the resin film during curing, thereby improving moisture resistance.
【００２２】また、導電性部材の一部が、半田により構
成されてなるものとすることが好ましい。特に、導電性
部材と電極とが接合する部分の導電性部材を半田にした
場合は、フリップチップ技術により導電性部材の一部を
形成でき、これによれば半田が電極の露出部及びその露
出部に隣接する樹脂膜の外表面を覆うことができるか
ら、樹脂膜よりも耐水性が劣る樹脂封止体に電極が直接
接しない構造にできるので、一層、耐水性が向上する。Preferably, a part of the conductive member is made of solder. In particular, when the conductive member at the portion where the conductive member and the electrode are joined is made of solder, a part of the conductive member can be formed by flip-chip technology. Since the outer surface of the resin film adjacent to the portion can be covered, it is possible to make the structure in which the electrode does not directly contact the resin sealing body having lower water resistance than the resin film, so that the water resistance is further improved.
【００２３】[0023]
【実施例】本発明による半導体装置の一実施例を図１お
よび図２を用いて説明する。図１は断面図、図２は斜視
図である。同図において半導体チップ２があり、この半
導体チップ２の素子が組込まれた主表面にはパッシベー
ション膜（樹脂膜）３が形成されている。このパッシベ
ーション膜３には前記素子と電気的に接続されているパ
ッド（電極）５が形成され、さらにこのパッド５面には
導電性部材としての導電性膜４が形成されている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of a semiconductor device according to the present invention will be described with reference to FIGS. 1 is a sectional view, and FIG. 2 is a perspective view. In FIG. 1, a semiconductor chip 2 is provided, and a passivation film (resin film) 3 is formed on a main surface of the semiconductor chip 2 on which elements are incorporated. A pad (electrode) 5 electrically connected to the device is formed on the passivation film 3, and a conductive film 4 as a conductive member is formed on the surface of the pad 5.
【００２４】この導電性膜４は、たとえば周知の厚膜印
刷法により形成される導電性膜と同様の材料で形成され
るものである。さらに、導電性膜４のみを露呈させた状
態で、半導体チップ２の周辺を被覆して封止樹脂１が設
けられている。The conductive film 4 is formed of the same material as a conductive film formed by, for example, a known thick film printing method. Further, the sealing resin 1 is provided to cover the periphery of the semiconductor chip 2 with only the conductive film 4 exposed.
【００２５】すなわち、図１と図２に示したように、半
導体チップ２の表面に独立して形成された複数個のパッ
ド５の表面の一部を露出して、半導体チップ２の表面に
パッシベーション膜３が形成されいる。つまり、パッド
５の表面の縁部はパッシベーション膜３により覆われ、
各パッド５の露出部に外部との電気的接続をとる導電性
膜４がそれぞれ接合されている。したがって、導電性膜
４は、パッド５と接する接合面と、封止樹脂１と接する
接着面と、パッシベーション膜３と接する接着面との他
に、パッド５、パッシベーション膜３および封止樹脂１
のいずれとも接触しない非接触面とを有し、この非接触
面が封止樹脂１の表面よりも外方に突出した突出部を構
成している。このような導電性膜４の配置は、図２に示
すように、半導体装置の長辺に沿った方向の少なくとも
２列の縦列配置とされている。That is, as shown in FIGS. 1 and 2, a part of the surface of the plurality of pads 5 independently formed on the surface of the semiconductor chip 2 is exposed, and the surface of the semiconductor chip 2 is passivated. The film 3 is formed. That is, the edge of the surface of the pad 5 is covered with the passivation film 3,
A conductive film 4 for making an electrical connection to the outside is joined to an exposed portion of each pad 5. Accordingly, in addition to the bonding surface in contact with the pad 5, the bonding surface in contact with the sealing resin 1, and the bonding surface in contact with the passivation film 3, the conductive film 4 includes the pad 5, the passivation film 3 and the sealing resin 1.
And a non-contact surface that does not come into contact with any of the above. The non-contact surface constitutes a protruding portion that protrudes outward from the surface of the sealing resin 1. As shown in FIG. 2, the conductive films 4 are arranged in at least two columns in a direction along a long side of the semiconductor device.
【００２６】このように構成される実施例によれば、パ
ッド５の表面のうち少なくとも導電性膜４が接合される
露出面を除く部分がパッシベーション膜３により被覆さ
れていることから、つまりパッド５の外縁部をパッシベ
ーション膜３で覆ったことから、パッシベーション膜３
の硬化時の収縮によって、パッド５とパッシベーション
膜３との密着力が大きくなるので、耐湿性を向上でき
る。しかも、パッシベーション膜３よりも一般に耐水性
が劣るとされている封止樹脂１にパッド５が直接接しな
い構造にしているので、一層、耐水性が向上する。According to the embodiment configured as described above, at least the portion of the surface of the pad 5 except for the exposed surface to which the conductive film 4 is bonded is covered with the passivation film 3, that is, the pad 5 Passive outer edge of
Since it covered with Shon film 3, a passivation film 3
By shrinkage during curing, since the adhesion between the pad 5 and the passivation film 3 is increased, it can be on improvement of moisture resistance. Moreover, since the pad 5 does not directly contact the sealing resin 1 which is generally considered to be less water-resistant than the passivation film 3, the water resistance is further improved.
【００２７】また、導電性膜４は、封止樹脂１の表面よ
りも外方に突出した突出部を有することから、半導体装
置を回路基板に実装する際に、その接合部自体の高さを
確保できるので、実装後の温度変化によって生ずる熱歪
を、接合部自体の変形により緩和する作用が大きくな
り、接合部の損傷を抑制できる。Further, since the conductive film 4 has a protruding portion which protrudes outward from the surface of the sealing resin 1, when the semiconductor device is mounted on the circuit board, the height of the bonding portion itself is reduced. Since it can be ensured, the effect of alleviating the thermal strain caused by the temperature change after mounting by the deformation of the joint itself increases, and the damage to the joint can be suppressed.
【００２８】また、導電性膜４の配置を、半導体装置の
長辺に沿った方向の少なくとも２列の縦列配置としたこ
とから、その２列の間、つまり半導体装置の真下にも配
線できるので、高密度実装を可能にする。特に、図２か
ら判るように、縦２列に配置された導電性膜４の配列の
間隔を、半導体装置の長辺の端部から最も近い導電性膜
４までの間隔よりも大きくした場合は、一層、高密度化
を図ることができる。また、パッド５と導電性膜４が同
数であることから、回路基板に特殊な形状の電極や配線
を施す必要がないので、回路基板の配線構造が簡単にな
り、製造コストの増加を抑制できる。Further, since the conductive film 4 is arranged in at least two columns in the direction along the long side of the semiconductor device, wiring can be performed between the two columns, that is, directly below the semiconductor device. Enables high-density mounting. In particular, as can be seen from FIG. 2, when the interval between the arrangement of the conductive films 4 arranged in two vertical columns is larger than the interval from the end of the long side of the semiconductor device to the nearest conductive film 4, The density can be further increased. In addition, since the number of pads 5 and the number of conductive films 4 are the same, there is no need to provide a specially shaped electrode or wiring on the circuit board, so that the wiring structure of the circuit board is simplified and an increase in manufacturing cost can be suppressed. .
【００２９】また、導電性膜４の突出部の表面を球面に
しているので、実装する際に回路基板に損傷を及ぼすお
それを低減できる。Further, since the surface of the projecting portion of the conductive film 4 is spherical, the possibility of damaging the circuit board during mounting can be reduced.
【００３０】ここで、導電性膜４の形成方法としては、
たとえば周知の厚膜印刷法によって、封止樹脂１の形成
前後を問わず形成する。これにより、容易に厚い導電性
膜４を形成できる。また、封止樹脂１はたとえばポッテ
ング法あるいはトランスモールド法等によって形成す
る。Here, the method for forming the conductive film 4 is as follows.
For example, it is formed by a well-known thick film printing method before or after the formation of the sealing resin 1. Thereby, the thick conductive film 4 can be easily formed. The sealing resin 1 is formed by, for example, a potting method or a trans molding method.
【００３１】このように形成した導電性膜４は、上述の
ように周知の厚膜印刷法により形成される導電性膜と同
様の材料からなり、この材料は封止樹脂１と強固な接着
が図れるものとして確認されている。このため、従来見
られたような電極部における水分浸入は、上述した構成
により解消でき、高耐湿性の半導体装置を得ることがで
きる。つまり、従来技術によれば、半田と樹脂との間の
いわゆる濡れ性が悪いために、電極部における水分浸入
があったのである。The conductive film 4 thus formed is made of the same material as the conductive film formed by the known thick film printing method as described above, and this material has strong adhesion to the sealing resin 1. It has been confirmed that it can be achieved. For this reason, the infiltration of moisture into the electrode portion as seen conventionally can be eliminated by the above-described configuration, and a highly moisture-resistant semiconductor device can be obtained. That is, according to the conventional technique, the so-called wettability between the solder and the resin is poor, so that the water infiltrates into the electrode portion.
【００３２】なお、上述した実施例では、周知の厚膜印
刷法により形成される導電性膜と同様の材料を用いたも
のであるが、これに封止樹脂１と同様の樹脂を若干混合
させたものを使用することによって、封止樹脂１とのよ
り強固な接着が図れる。In the above-described embodiment, the same material as the conductive film formed by the well-known thick film printing method is used. By using such a material, stronger adhesion with the sealing resin 1 can be achieved.
【００３３】図３は、本発明による半導体装置の他の実
施例を示す断面図である。図１と同符号のものは同材料
を示している。図１と異なる構成は、導電性部材として
の導電性膜４とパッド５との間に、導電性部材としての
半田バンプ６を介在させていることにある。FIG. 3 is a sectional view showing another embodiment of the semiconductor device according to the present invention. The same reference numerals as those in FIG. 1 indicate the same materials. The configuration different from FIG. 1 is that a solder bump 6 as a conductive member is interposed between a conductive film 4 as a conductive member and a pad 5.
【００３４】この半田バンプ６は、パッド５と導電性膜
４との電気的接続を良好に保つために介在させたもので
ある。この実施例においても、図１実施例と同一の効果
がある他、導電性膜４は封止樹脂１面にて強固な接着が
なされているため、水分の浸入を阻止する構成となって
いる。The solder bumps 6 are provided to maintain good electrical connection between the pad 5 and the conductive film 4. This embodiment also has the same effect as that of the embodiment of FIG. 1, and also has a configuration in which the conductive film 4 is tightly bonded to the surface of the sealing resin 1 so as to prevent infiltration of moisture. .
【００３５】なお、半田バンプ６の替りに、金等の貴金
属性バンプ、他の材料であってもよいことはいうまでも
ない。It is needless to say that a noble metal bump such as gold or another material may be used instead of the solder bump 6.
【００３６】図４は、さらに本発明による半導体装置の
他の実施例を示す断面図である。図１に示した構成と基
本的には異ならないが、封止樹脂１から露呈している導
電性膜４の表面に金属被膜７を形成している点が異な
る。FIG. 4 is a sectional view showing another embodiment of the semiconductor device according to the present invention. Although not basically different from the configuration shown in FIG. 1, the difference is that a metal coating 7 is formed on the surface of the conductive film 4 exposed from the sealing resin 1.
【００３７】この金属被膜７は、導電性膜４を完全に被
って被着されたものであり、その材料は、前記半導体装
置を他の配線基板にフェースダウンして固着させる場合
の該配線との固着強度を向上させる場合において適当な
ものが選定される。The metal film 7 is applied so as to completely cover the conductive film 4 and is made of the same material as the wiring when the semiconductor device is fixed face down to another wiring board. In order to improve the fixing strength of the steel, an appropriate material is selected.
【００３８】上述した各実施例では、いずれも封止樹脂
１との接着性の良好な導電材として、周知の厚膜印刷法
による導電材を用いて説明したものであるが、必ずし
も、この材料に限られないことはいうまでもない。In each of the embodiments described above, the conductive material having good adhesion to the sealing resin 1 has been described using a conductive material formed by a well-known thick film printing method. Needless to say, it is not limited to this.
【００３９】図５は、さらに本発明による半導体装置の
他の実施例を示す断面図である。FIG. 5 is a sectional view showing another embodiment of the semiconductor device according to the present invention.
【００４０】同図はバンプとしてエポキシ系あるいはポ
リイミド系の導電性銀ペースト８を用いたものである。
この銀ペースト８は封止樹脂１の形成前後を問わず形成
できるものである。封止樹脂１の形成後に形成する場合
としては、パッド５が覆われないように封止樹脂１を形
成した後に銀ペーストを圧入する方法が掲げられる。FIG. 4 shows a case where an epoxy or polyimide conductive silver paste 8 is used as a bump.
This silver paste 8 can be formed before or after the sealing resin 1 is formed. As a method of forming after forming the sealing resin 1, a method of press-fitting a silver paste after forming the sealing resin 1 so as not to cover the pad 5 can be cited.
【００４１】銀ペースト８は封止樹脂１の材料、すなわ
ちエポキシ系樹脂あるいはポリイミド系樹脂と混合させ
ることができ、このようにした場合、封止樹脂１との接
着性を向上させることができる。The silver paste 8 can be mixed with the material of the sealing resin 1, that is, an epoxy resin or a polyimide resin, and in such a case, the adhesion to the sealing resin 1 can be improved.
【００４２】また、上記以外の材料としては、導電性を
有するポリイミド膜等の高分子膜等のものであっても適
用できる。As a material other than those described above, a polymer film such as a polyimide film having conductivity may be used.
【００４３】[0043]
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による半導体装置によれば、半導体チップと回路
基板との接合部の熱歪による損傷を低減して接合の信頼
性を向上させ、かつ耐湿性を向上させることができる。As is apparent from the above description,
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to the semiconductor device by this invention, the damage by the thermal distortion of the junction part of a semiconductor chip and a circuit board can be reduced, the reliability of junction can be improved, and moisture resistance can be improved.
【００４４】また、本発明の製造方法によれば、導電性
部材を容易に厚く形成できる。Further, according to the manufacturing method of the present invention, the conductive member can be easily formed thick.
【図１】本発明による樹脂封止型半導体装置の一実施例
を示す断面構成図である。FIG. 1 is a sectional view showing one embodiment of a resin-sealed semiconductor device according to the present invention.
【図２】図１実施例の外観を示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing the appearance of the embodiment of FIG. 1;
【図３】本発明による樹脂封止型半導体装置の他の実施
例の断面構成図である。FIG. 3 is a sectional configuration view of another embodiment of the resin-sealed semiconductor device according to the present invention.
【図４】本発明による樹脂封止型半導体装置のさらに他
の実施例の断面構成図である。FIG. 4 is a cross-sectional view of still another embodiment of the resin-sealed semiconductor device according to the present invention.
【図５】本発明による樹脂封止型半導体装置のさらに他
の実施例の断面構成図である。FIG. 5 is a cross-sectional view of still another embodiment of the resin-sealed semiconductor device according to the present invention.
１ 封止樹脂 ２ 半導体チップ ３ パッシベーション膜 ４ 導電性部材 ５ パッド DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Encapsulation resin 2 Semiconductor chip 3 Passivation film 4 Conductive member 5 Pad
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 矢口 昭弘 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社 日立製作所 機械研究所内 (72)発明者 河合 末男 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社 日立製作所 機械研究所内 (56)参考文献 特開 昭62−230027（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−147735（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−1341（ＪＰ，Ｕ) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing from the front page (72) Inventor Akihiro Yaguchi 502, Kandate-cho, Tsuchiura-shi, Ibaraki Pref. Machinery Research Laboratory, Hitachi, Ltd. In-house (56) References JP-A-62-230027 (JP, A) JP-A-62-147735 (JP, A) JP-A-63-1341 (JP, U)
Claims (6)
面に形成された複数個の電極と、この複数個の電極の表
面の少なくとも外縁部を除く一部の表面を露出して前記
半導体チップの表面に形成された樹脂膜と、前記複数個
の各電極と外部との電気的接続をとるように構成された
導電性部材と、前記半導体チップを覆って形成された樹
脂封止体とを備えてなり、前記導電性部材は、前記電極
と接する接合面と、前記樹脂封止体と接する接着面と、
前記樹脂膜と接する接着面と、前記電極、前記樹脂膜お
よび前記樹脂封止体のいずれとも接触しない非接触面と
を有し、この非接触面が前記樹脂封止体の表面よりも外
方に突出した突出部を構成してなる樹脂封止型半導体装
置。And 1. A semiconductor chip, a plurality of electrodes made form the surface of the semiconductor chip, the semiconductor chip to expose a portion of the surface except at least outer portion of the surface of the plurality of electrodes A resin film formed on the surface, a conductive member configured to make electrical connection between the plurality of electrodes and the outside, and a resin sealing body formed to cover the semiconductor chip. And the conductive member has a bonding surface in contact with the electrode, an adhesive surface in contact with the resin sealing body,
An adhesive surface that is in contact with the resin film, and a non-contact surface that is not in contact with any of the electrode, the resin film, and the resin sealing body, and the non-contact surface is more outward than the surface of the resin sealing body. A resin-encapsulated semiconductor device comprising a protruding portion that protrudes from the substrate.
数である請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。2. The resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1, wherein said plurality of electrodes and said conductive members are the same in number.
りなる請求項１又は２に記載の樹脂封止型半導体装置。3. The resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1, wherein a surface of the protruding portion of the conductive member has a spherical surface.
着部における断面積を、前記導電性部材の前記電極との
接合面よりも大きくしてなる請求項１から３のいずれか
に記載の樹脂封止型半導体装置。4. The method according to claim 1, wherein a cross-sectional area of the conductive member at a bonding portion with the resin sealing body is larger than a bonding surface of the conductive member with the electrode. The resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1.
成されてなる請求項１から４のいずれかに記載の樹脂封
止型半導体装置。5. The resin-sealed semiconductor device according to claim 1, wherein a part of said conductive member is made of solder.
請求項１ないし４のいずれかに記載の樹脂封止型半導体
装置。6. The resin-sealed semiconductor device according to claim 1, wherein said conductive member is made of a plurality of materials.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7203169A JP2743156B2 (en) | 1995-08-09 | 1995-08-09 | Resin-sealed semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7203169A JP2743156B2 (en) | 1995-08-09 | 1995-08-09 | Resin-sealed semiconductor device |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63200620A Division JP2756791B2 (en) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | Resin-sealed semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0846120A JPH0846120A (en) | 1996-02-16 |
| JP2743156B2 true JP2743156B2 (en) | 1998-04-22 |
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ID=16469602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Country Status (1)
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Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5892242A (en) * | 1981-11-27 | 1983-06-01 | Mitsubishi Electric Corp | Ceramic multi-layer substrate |
| JPS5956750U (en) * | 1982-10-07 | 1984-04-13 | 富士電機株式会社 | Resin-encapsulated semiconductor device |
| JPS62118421U (en) * | 1986-01-20 | 1987-07-28 |
-
1995
- 1995-08-09 JP JP7203169A patent/JP2743156B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0846120A (en) | 1996-02-16 |
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