JP2741126B2 - ニッケル−クロムめっき製品 - Google Patents
ニッケル−クロムめっき製品Info
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- nickel
- nickel plating
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- bright nickel
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Description
【０００１】
【本発明の技術分野】本発明は、耐食性に優れたニッケ
ル−クロムめっき製品およびその製造方法に関するもの
である。
ル−クロムめっき製品およびその製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来から、自動車部品等の装飾めっきと
して、ニッケル−クロムめっきが行なわれているが、そ
の耐食性を改善する方法として、マイクロポーラスクロ
ムめっきが広く採用されている。このマイクロポーラス
クロムめっき方法は、クロムめっき層表面に肉眼には見
えないほどの微小孔を多数形成し、腐食電流を効果的に
分散する方法であり、そのため、耐食性に優れている。
マイクロポーラスクロムめっき方法においては、微小
孔の数が増えるに従い耐食性も増すが、十分な耐食性の
ためには、その数が１００００個／ｃｍ2程度以上であ
ることが望ましい。
して、ニッケル−クロムめっきが行なわれているが、そ
の耐食性を改善する方法として、マイクロポーラスクロ
ムめっきが広く採用されている。このマイクロポーラス
クロムめっき方法は、クロムめっき層表面に肉眼には見
えないほどの微小孔を多数形成し、腐食電流を効果的に
分散する方法であり、そのため、耐食性に優れている。
マイクロポーラスクロムめっき方法においては、微小
孔の数が増えるに従い耐食性も増すが、十分な耐食性の
ためには、その数が１００００個／ｃｍ2程度以上であ
ることが望ましい。
【０００３】一般に、マイクロポーラスクロムめっき方
法は、めっき素材に予め下地ニッケルめっきを施した
後、非電導性微粒子、例えばＳｉＯ2、ＴｉＯ2等を分
散、懸濁させたニッケルめっき浴中で非電導性微粒子共
析ニッケル（以下、「共析ニッケル」という）めっきを
行い、次いでクロムめっきを行うことで得られる。
法は、めっき素材に予め下地ニッケルめっきを施した
後、非電導性微粒子、例えばＳｉＯ2、ＴｉＯ2等を分
散、懸濁させたニッケルめっき浴中で非電導性微粒子共
析ニッケル（以下、「共析ニッケル」という）めっきを
行い、次いでクロムめっきを行うことで得られる。
【０００４】下地ニッケルめっきとしては、単層の光沢
ニッケルのほか、より高耐食性が要求される場合には２
層ニッケルめっき、あるいは３層めっきが採用され、さ
らに必要に応じてこのニッケルめっきの下に銅めっきが
施される。下地ニッケルとして、耐食性を上げることの
できる２層ニッケルめっき及び３層ニッケルめっきの構
成の一般例を挙げれば次の通りである。
ニッケルのほか、より高耐食性が要求される場合には２
層ニッケルめっき、あるいは３層めっきが採用され、さ
らに必要に応じてこのニッケルめっきの下に銅めっきが
施される。下地ニッケルとして、耐食性を上げることの
できる２層ニッケルめっき及び３層ニッケルめっきの構
成の一般例を挙げれば次の通りである。
【０００５】 （ ２層ニッケルめっき ） 半光沢ニッケルめっき（硫黄含有率：０.００５％未満） ＋ 光沢ニッケルめっき（硫黄含有率：０.０５％） （ ３層ニッケルめっき ） 半光沢ニッケルめっき（硫黄含有率：０.００５％未満） ＋ 高硫黄含有ニッケルめっき（硫黄含有率：０.１〜０.２％） ＋ 光沢ニッケルめっき（硫黄含有率：約０.０５％）
【０００６】上記した２層および３層ニッケルめっきの
防食機構は、「硫黄をより多く含む電気化学的に卑なニ
ッケルめっき層が犠牲的に腐食を受け、電気化学的に貴
な半光沢ニッケルめっき層の腐食を防止する」ことによ
るとされている。
防食機構は、「硫黄をより多く含む電気化学的に卑なニ
ッケルめっき層が犠牲的に腐食を受け、電気化学的に貴
な半光沢ニッケルめっき層の腐食を防止する」ことによ
るとされている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来、めっきの機能と
して素材の防食がもっとも重要であり、素材が腐食を受
けなければ目的が達成されているとしていたが、近年、
耐食性に対する要求はますます高まり、素材のみならず
めっき皮膜自身の防食をも防止することが求められるよ
うになってきた。
して素材の防食がもっとも重要であり、素材が腐食を受
けなければ目的が達成されているとしていたが、近年、
耐食性に対する要求はますます高まり、素材のみならず
めっき皮膜自身の防食をも防止することが求められるよ
うになってきた。
【０００８】ニッケル−クロムめっきでのめっき皮膜の
腐食は、クロムめっき皮膜の欠陥箇所で開始し、クロム
めっき皮膜よりも卑な電位をもつニッケルめっき皮膜が
優先的に溶解することが知られている。 そして、この
結果、ニッケルの腐食孔が形成され、めっき外観の劣化
となるのである。
腐食は、クロムめっき皮膜の欠陥箇所で開始し、クロム
めっき皮膜よりも卑な電位をもつニッケルめっき皮膜が
優先的に溶解することが知られている。 そして、この
結果、ニッケルの腐食孔が形成され、めっき外観の劣化
となるのである。
【０００９】前記したマイクロポーラスクロムめっきの
場合は、クロムめっき表面上に意識的にクロムめっき皮
膜の欠陥箇所を多数形成せしめ、腐食電流を分散して穏
やかな腐食の進行を図るのであるが、確かに腐食が素材
に到達するまでの時間を遅らせることはできるが、めっ
き表面に微小な腐食孔を多数生ずることは避けられず、
このためのめっき外観の劣化が問題となる。
場合は、クロムめっき表面上に意識的にクロムめっき皮
膜の欠陥箇所を多数形成せしめ、腐食電流を分散して穏
やかな腐食の進行を図るのであるが、確かに腐食が素材
に到達するまでの時間を遅らせることはできるが、めっ
き表面に微小な腐食孔を多数生ずることは避けられず、
このためのめっき外観の劣化が問題となる。
【００１０】このような、めっき層内で発生する腐食
は、素地防食効果に優れている前記２層あるいは３層ニ
ッケルめっきを下地ニッケルめっきとして用いても、こ
れらの方法自体がめっき層内での腐食を利用しているも
のであるため、めっき層内防食にはほとんど意味がな
い。
は、素地防食効果に優れている前記２層あるいは３層ニ
ッケルめっきを下地ニッケルめっきとして用いても、こ
れらの方法自体がめっき層内での腐食を利用しているも
のであるため、めっき層内防食にはほとんど意味がな
い。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記した
ようなめっき層内の腐食を防止すべく、下地ニッケルと
して２層ニッケルめっきを採用したマイクロポーラスク
ロムめっきについてめっき層内の腐食の発生、進行機構
から検討を行なった。そしてその結果、半光沢ニッケル
めっき層、光沢ニッケル層および共析ニッケルめっき層
の電位を一定の関係に保つことにより得られたニッケル
−クロムめっき製品は、素材が有効に防食されるととも
にめっき層内の腐食も極めて遅くなることを見出し、本
発明を完成した。
ようなめっき層内の腐食を防止すべく、下地ニッケルと
して２層ニッケルめっきを採用したマイクロポーラスク
ロムめっきについてめっき層内の腐食の発生、進行機構
から検討を行なった。そしてその結果、半光沢ニッケル
めっき層、光沢ニッケル層および共析ニッケルめっき層
の電位を一定の関係に保つことにより得られたニッケル
−クロムめっき製品は、素材が有効に防食されるととも
にめっき層内の腐食も極めて遅くなることを見出し、本
発明を完成した。
【００１２】すなわち、本発明は、被めっき製品素地
を、実質的に硫黄を含まない半光沢ニッケルめっき層、
半光沢ニッケルめっき皮膜に対し１００〜１７０ｍＶ卑
な電気化学的電位を有する光沢ニッケルめっき層、半光
沢ニッケルめっき皮膜に対し６０〜１２０ｍＶ卑であ
り、かつ上記光沢ニッケルめっき皮膜に対し１０〜６０
ｍＶ貴な電気化学的電位を有する非電導性微粒子共析ニ
ッケルめっき層、クロムめっき皮膜で順次被覆されたこ
とを特徴とするニッケル−クロムめっき製品およびその
製造方法を提供するものである。
を、実質的に硫黄を含まない半光沢ニッケルめっき層、
半光沢ニッケルめっき皮膜に対し１００〜１７０ｍＶ卑
な電気化学的電位を有する光沢ニッケルめっき層、半光
沢ニッケルめっき皮膜に対し６０〜１２０ｍＶ卑であ
り、かつ上記光沢ニッケルめっき皮膜に対し１０〜６０
ｍＶ貴な電気化学的電位を有する非電導性微粒子共析ニ
ッケルめっき層、クロムめっき皮膜で順次被覆されたこ
とを特徴とするニッケル−クロムめっき製品およびその
製造方法を提供するものである。
【００１３】本発明のニッケル−クロムめっき製品の製
造においては、各ニッケルめっき層の電位の関係を上記
した一定の範囲内に制御することが極めて重要である。
このニッケルめっき層の電位の測定は、一般に、電解式
めっき厚測定器に銀−塩化銀電極を参照電極として取り
付けた装置を用いて行われており、この方式の電位測定
器は市販されている。
造においては、各ニッケルめっき層の電位の関係を上記
した一定の範囲内に制御することが極めて重要である。
このニッケルめっき層の電位の測定は、一般に、電解式
めっき厚測定器に銀−塩化銀電極を参照電極として取り
付けた装置を用いて行われており、この方式の電位測定
器は市販されている。
【００１４】本発明製品において、最初に施される半光
沢ニッケルめっきは、ニッケル被膜中に実質的に硫黄を
含まないものであり、例えば硫黄含有率が０.００５％
未満のものを用いることができる。 このような半光沢
ニッケルめっきは、すでに公知の組成、例えば、ワット
浴にクマリン、ブチンジオール等の光沢剤を添加した浴
を利用するか、市販されている半光沢ニッケル用光沢
剤、例えば、Ｂ−ｍｕ、ＢＴＬ（いずれも荏原ユージラ
イト株式会社製）を利用することにより調製される。こ
の半光沢ニッケルめっきの厚みの限定は特にはないが、
十分な耐食性を得るためには５μｍ以上とすることが望
ましい。
沢ニッケルめっきは、ニッケル被膜中に実質的に硫黄を
含まないものであり、例えば硫黄含有率が０.００５％
未満のものを用いることができる。 このような半光沢
ニッケルめっきは、すでに公知の組成、例えば、ワット
浴にクマリン、ブチンジオール等の光沢剤を添加した浴
を利用するか、市販されている半光沢ニッケル用光沢
剤、例えば、Ｂ−ｍｕ、ＢＴＬ（いずれも荏原ユージラ
イト株式会社製）を利用することにより調製される。こ
の半光沢ニッケルめっきの厚みの限定は特にはないが、
十分な耐食性を得るためには５μｍ以上とすることが望
ましい。
【００１５】中間ニッケル層として施される光沢ニッケ
ルめっきは、上記半光沢ニッケルめっき層に対し１００
〜１７０ｍＶ卑な電位を有するものであることが必要で
ある。 このめっき層に含まれる硫黄は、一般には、お
よそ０.０５〜０.０８％であるとされるが、ニッケルめ
っき皮膜の電気化学的電位は硫黄の含有率のみで一義的
には決まらないので、上記の電位範囲を硫黄含有率に換
えること意味がない。
ルめっきは、上記半光沢ニッケルめっき層に対し１００
〜１７０ｍＶ卑な電位を有するものであることが必要で
ある。 このめっき層に含まれる硫黄は、一般には、お
よそ０.０５〜０.０８％であるとされるが、ニッケルめ
っき皮膜の電気化学的電位は硫黄の含有率のみで一義的
には決まらないので、上記の電位範囲を硫黄含有率に換
えること意味がない。
【００１６】この光沢ニッケルめっき層と半光沢ニッケ
ルめっき層との電位差が１００ｍＶ以下では、半光沢ニ
ッケルめっき層の防食効果が十分に発揮されず、早期に
素地防食が起こる。 また１７０ｍＶ以上では腐食の進
行に伴ない、光沢ニッケルめっき層の過剰の溶解が起こ
り、めっきに膨れを生じやすくなる。この中間層の光沢
ニッケルめっきの厚さについても特に制限はないが、十
分な耐食性を得るためには５μｍ以上とすることが望ま
しい。
ルめっき層との電位差が１００ｍＶ以下では、半光沢ニ
ッケルめっき層の防食効果が十分に発揮されず、早期に
素地防食が起こる。 また１７０ｍＶ以上では腐食の進
行に伴ない、光沢ニッケルめっき層の過剰の溶解が起こ
り、めっきに膨れを生じやすくなる。この中間層の光沢
ニッケルめっきの厚さについても特に制限はないが、十
分な耐食性を得るためには５μｍ以上とすることが望ま
しい。
【００１７】更に、光沢ニッケルめっき層上に施される
共析ニッケルめっきは、前記半光沢ニッケルめっき層に
対し６０〜１２０ｍＶ卑な電位を有し、かつ光沢ニッケ
ルめっき層に対しては１０〜６０ｍＶ貴な電位を有する
ことが必要である。共析ニッケルめっき層は半光沢ニッ
ケルめっき層に対して卑であることが必要であるが、両
者の電位差が１２０ｍＶ以上では防食過程における非電
導性微粒子共析ニッケルめっき層の溶解が過度に進行
し、十分な表面腐食防止効果は得られない。 また、電
位差が６０ｍＶ以下では良好な外観を有するクロムめっ
きが得られない。
共析ニッケルめっきは、前記半光沢ニッケルめっき層に
対し６０〜１２０ｍＶ卑な電位を有し、かつ光沢ニッケ
ルめっき層に対しては１０〜６０ｍＶ貴な電位を有する
ことが必要である。共析ニッケルめっき層は半光沢ニッ
ケルめっき層に対して卑であることが必要であるが、両
者の電位差が１２０ｍＶ以上では防食過程における非電
導性微粒子共析ニッケルめっき層の溶解が過度に進行
し、十分な表面腐食防止効果は得られない。 また、電
位差が６０ｍＶ以下では良好な外観を有するクロムめっ
きが得られない。
【００１８】一方、非電導性微粒子共析ニッケルめっき
層と光沢ニッケルめっき層の電位差が１０ｍＶ以下では
表面腐食の遅延効果は少なく、また６０ｍＶ以上ではめ
っきに膨れを生じやすくなる問題が生じる。この非電導
性微粒子共析ニッケルめっき層の厚さは、十分な耐食性
を得るためには１μｍ以上とすることが望ましい。
層と光沢ニッケルめっき層の電位差が１０ｍＶ以下では
表面腐食の遅延効果は少なく、また６０ｍＶ以上ではめ
っきに膨れを生じやすくなる問題が生じる。この非電導
性微粒子共析ニッケルめっき層の厚さは、十分な耐食性
を得るためには１μｍ以上とすることが望ましい。
【００１９】上記したように、本発明のニッケル−クロ
ムめっき製品の製造においては、各ニッケルめっき層間
の電位差を一定範囲に制御することが必須であるが、そ
のために使用される各めっき浴としては、上記電位差の
ニッケル被膜を析出するものであれば、従来提供されて
いるものをそのまま利用することも可能である。
ムめっき製品の製造においては、各ニッケルめっき層間
の電位差を一定範囲に制御することが必須であるが、そ
のために使用される各めっき浴としては、上記電位差の
ニッケル被膜を析出するものであれば、従来提供されて
いるものをそのまま利用することも可能である。
【００２０】公知の光沢ニッケルめっきや共析ニッケル
めっき浴を用いる場合、それらのニッケル皮膜の電位を
貴に調整するための手段の例としては、次のような方法
が挙げられる。
めっき浴を用いる場合、それらのニッケル皮膜の電位を
貴に調整するための手段の例としては、次のような方法
が挙げられる。
【００２１】（１）ブチンジオール、ヘキシンジオー
ル、プロパギルアルコール、アリルスルホン酸ナトリウ
ム等の光沢ニッケルめっき用２次光沢剤として公知の薬
剤のめっき浴への添加、または補充。 （２）ホルマリン、抱水クロラール等の半光沢ニッケル
めっき用の光沢剤として公知の薬剤のめっき浴への添
加、又は補充。 （３）めっき浴温の上昇。
ル、プロパギルアルコール、アリルスルホン酸ナトリウ
ム等の光沢ニッケルめっき用２次光沢剤として公知の薬
剤のめっき浴への添加、または補充。 （２）ホルマリン、抱水クロラール等の半光沢ニッケル
めっき用の光沢剤として公知の薬剤のめっき浴への添
加、又は補充。 （３）めっき浴温の上昇。
【００２２】逆に、光沢ニッケルめっきや共析ニッケル
めっき皮膜の電位を卑に調整するためには上記の逆の方
法の他、次のような方法を利用することができる。 （１）ベンゼンスルフィン酸ナトリウム等の高硫黄含有
ニッケルめっき用光沢剤として公知の薬剤のめっき浴へ
の添加、又は補充。
めっき皮膜の電位を卑に調整するためには上記の逆の方
法の他、次のような方法を利用することができる。 （１）ベンゼンスルフィン酸ナトリウム等の高硫黄含有
ニッケルめっき用光沢剤として公知の薬剤のめっき浴へ
の添加、又は補充。
【００２３】本発明のニッケル−クロム製品は、上記に
ように調整された各ニッケルめっき浴を用い、常法にし
たがって２層ニッケルめっきついで共析ニッケルめっき
を施した後、クロムめっきを行なうことにより製造され
る。 最上層のクロムめっきは公知の方法で得られたも
のでよいが、十分な耐食性を得るためにはそのめっき層
は０.１μｍ以上とすることが望ましい。また、半光沢
ニッケルめっきを行なう前に被めっき素材に銅めっきを
施しても良く、このようにして得られためっき製品も本
発明に含まれる。
ように調整された各ニッケルめっき浴を用い、常法にし
たがって２層ニッケルめっきついで共析ニッケルめっき
を施した後、クロムめっきを行なうことにより製造され
る。 最上層のクロムめっきは公知の方法で得られたも
のでよいが、十分な耐食性を得るためにはそのめっき層
は０.１μｍ以上とすることが望ましい。また、半光沢
ニッケルめっきを行なう前に被めっき素材に銅めっきを
施しても良く、このようにして得られためっき製品も本
発明に含まれる。
【００２４】
【発明の効果】本発明のニッケル−クロムめっき製品
は、各ニッケルめっき層の電気化学的電位が一定の範囲
に制御されており、腐食電流を光沢ニッケル層および共
析ニッケル層内でうまく分散することができるので、従
来の方法で得られた同種ニッケル−クロム製品と比べ、
めっき層内の腐食が外観に現われにくく、長期間にわた
り美麗な外観を保つことができるので、工業的に極めて
有用なものである。
は、各ニッケルめっき層の電気化学的電位が一定の範囲
に制御されており、腐食電流を光沢ニッケル層および共
析ニッケル層内でうまく分散することができるので、従
来の方法で得られた同種ニッケル−クロム製品と比べ、
めっき層内の腐食が外観に現われにくく、長期間にわた
り美麗な外観を保つことができるので、工業的に極めて
有用なものである。
【００２５】
【実施例】次に実施例、比較例および試験例を挙げ、本
発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例等
になんら制約されるものではない。 なお、実施例にお
いて採用した共通めっき条件は次の通りである。
発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例等
になんら制約されるものではない。 なお、実施例にお
いて採用した共通めっき条件は次の通りである。
【００２６】 （ 使用材料 ） 試験素材 ： 銅板（５０×１００ｍｍ） 半光沢ニッケル基本めっき浴： 硫酸ニッケル（ＮiＳＯ4・６Ｈ2Ｏ） ２８０ ｇ／ｌ 塩化ニッケル（ＮiＣｌ2・６Ｈ2Ｏ） ４５ ｇ／ｌ ほう酸（Ｈ3ＢＯ3） ４５ ｇ／ｌ 光沢剤 Ｂ−ｍｕ* １０ｍｌ／ｌ 光沢剤 ＢＴＬ* １.５ｍｌ／ｌ 潤滑剤 ＃６２* ２ｍｌ／ｌ ｐＨ ４.０ 浴温 ５５℃
【００２７】 光沢ニッケル基本めっき浴： 硫酸ニッケル（ＮiＳＯ4・６Ｈ2Ｏ） ２８０ ｇ／ｌ 塩化ニッケル（ＮiＣｌ2・６Ｈ2Ｏ） ４５ ｇ／ｌ ほう酸（Ｈ3ＢＯ3） ４５ ｇ／ｌ 光沢剤 ＃６１０* ５ｍｌ／ｌ 光沢剤 ＃６３* １０ｍｌ／ｌ 潤滑剤 ＃６２* ２ｍｌ／ｌ ｐＨ ４.０ 浴温 ５５℃
【００２８】 共析ニッケル基本めっき浴： 硫酸ニッケル（ＮiＳＯ4・６Ｈ2Ｏ） ３００ ｇ／ｌ 塩化ニッケル（ＮiＣｌ2・６Ｈ2Ｏ） ６０ ｇ／ｌ ほう酸（Ｈ3ＢＯ3） ４５ ｇ／ｌ 光沢剤 ＤＮ−３０１* ３ｍｌ／ｌ 光沢剤 ＤＮ−３０３* ８ｍｌ／ｌ 添加剤 ＤＮ−ＭＰ* １０ ｇ／ｌ 添加剤 ＤＮ−３０７* ０.５ ｇ／ｌ ｐＨ ４.０ 浴温 ５５℃
【００２９】 クロムめっき浴： 無水クロム液（ＣｒＯ3） ２４０ ｇ／ｌ 硫酸 （Ｈ2ＳＯ4） １ ｇ／ｌ 添加剤 クロミライトＫＣ−４０* ４ ｇ／ｌ 浴温 ４５℃ （注）上記めっき浴組成中、* が付されているものは荏
原ユージライト株式会社製製品である。
原ユージライト株式会社製製品である。
【００３０】（ めっき工程条件 ） 半光沢ニッケル： ４Ａ／ｄｍ2、２０分（めっき厚：１２μｍ） 光沢ニッケル： ４Ａ／ｄｍ2、２０分（めっき厚：１２μｍ） 共析ニッケルめっき： ４Ａ／ｄｍ2、３分（めっき厚：１.８μｍ） クロムめっき： １５Ａ／ｄｍ2、５分（めっき厚：０.５μｍ） （微孔数：２００００個／ｃｍ2）
【００３１】実 施 例 １ 下記の条件を代える以外は、すべて上記使用材料、めっ
き条件に従いめっきを行った。 なお、比較として、す
べて上記使用材料、めっき条件に従っためっきも行った
（比較例１；従来の標準的工程）。 光沢基本ニッケルめっき浴に、ベンゼンスルフィン
酸ナトリウムを８ｍｇ／ｌ添加した。 共析ニッケル基本めっき浴の浴温を６０℃に上げ、
アリルスルホン酸ナトリウムを１.５ｇ／ｌ添加した。
き条件に従いめっきを行った。 なお、比較として、す
べて上記使用材料、めっき条件に従っためっきも行った
（比較例１；従来の標準的工程）。 光沢基本ニッケルめっき浴に、ベンゼンスルフィン
酸ナトリウムを８ｍｇ／ｌ添加した。 共析ニッケル基本めっき浴の浴温を６０℃に上げ、
アリルスルホン酸ナトリウムを１.５ｇ／ｌ添加した。
【００３２】実 施 例 ２ 下記の条件を代える以外は、すべて上記使用材料、めっ
き条件に従いめっきを行った。 光沢ニッケル基本めっき浴にベンゼンスルフィン酸
ナトリウムを１５ｍｇ／ｌ添加した。 共析ニッケル基本めっき浴の浴温を６０℃に上げ、
アリルスルホン酸ナトリウムを１ｇ／ｌ添加した。
き条件に従いめっきを行った。 光沢ニッケル基本めっき浴にベンゼンスルフィン酸
ナトリウムを１５ｍｇ／ｌ添加した。 共析ニッケル基本めっき浴の浴温を６０℃に上げ、
アリルスルホン酸ナトリウムを１ｇ／ｌ添加した。
【００３３】実 施 例 ３ 下記の条件を代える以外は、すべて上記使用材料、めっ
き条件に従いめっきを行った。 光沢ニッケル基本めっき浴にベンゼンスルフィン酸
ナトリウムを１５ｍｇ／ｌ添加した。 共析ニッケル基本めっき浴にアリルスルホン酸ナト
リウムを０.４ｇ／ｌ添加した。
き条件に従いめっきを行った。 光沢ニッケル基本めっき浴にベンゼンスルフィン酸
ナトリウムを１５ｍｇ／ｌ添加した。 共析ニッケル基本めっき浴にアリルスルホン酸ナト
リウムを０.４ｇ／ｌ添加した。
【００３４】実 施 例 ４ 下記の条件を代える以外は、すべて上記使用材料、めっ
き条件に従いめっきを行った。 光沢ニッケル基本めっき浴にベンゼンスルフィン酸
ナトリウムを２５ｍｇ／ｌ添加した。 共析ニッケル基本めっき浴にアリルスルホン酸ナト
リウムを１ｇ／ｌ添加した。
き条件に従いめっきを行った。 光沢ニッケル基本めっき浴にベンゼンスルフィン酸
ナトリウムを２５ｍｇ／ｌ添加した。 共析ニッケル基本めっき浴にアリルスルホン酸ナト
リウムを１ｇ／ｌ添加した。
【００３５】実 施 例 ５ 下記の条件を代える以外は、すべて上記使用材料、めっ
き条件に従いめっきを行った。 光沢ニッケル基本めっき浴にベンゼンスルフィン酸
ナトリウムを５０ｍｇ／ｌ添加した。 共析ニッケル基本めっき浴にアリルスルホン酸ナト
リウムを１ｇ／ｌ添加した。
き条件に従いめっきを行った。 光沢ニッケル基本めっき浴にベンゼンスルフィン酸
ナトリウムを５０ｍｇ／ｌ添加した。 共析ニッケル基本めっき浴にアリルスルホン酸ナト
リウムを１ｇ／ｌ添加した。
【００３６】比 較 例 ２ 下記の条件を代える以外は、すべて上記使用材料、めっ
き条件に従いめっきを行った。 光沢ニッケルめっき浴を次のもの（高硫黄含有ニッ
ケルめっき用）に替えた。なお、このめっき浴から得ら
れたニッケルめっき皮膜中に含まれる硫黄は約０.１％
であった。 硫酸ニッケル（ＮiＳＯ4・６Ｈ2Ｏ） ３００ ｇ／ｌ 塩化ニッケル（ＮiＣｌ2・６Ｈ2Ｏ） ８０ ｇ／ｌ ほう酸（Ｈ3ＢＯ3） ３５ ｇ／ｌ 添加剤 トリライト* １０ｍｌ／ｌ 湿潤剤 ＃６２* ２ｍｌ／ｌ ｐＨ ３.０ 浴温 ５０℃ * 荏原ユージライト株式会社製品 共析ニッケル基本めっき浴にアリルスルホン酸ナト
リウムを１ｇ／ｌ添加した。
き条件に従いめっきを行った。 光沢ニッケルめっき浴を次のもの（高硫黄含有ニッ
ケルめっき用）に替えた。なお、このめっき浴から得ら
れたニッケルめっき皮膜中に含まれる硫黄は約０.１％
であった。 硫酸ニッケル（ＮiＳＯ4・６Ｈ2Ｏ） ３００ ｇ／ｌ 塩化ニッケル（ＮiＣｌ2・６Ｈ2Ｏ） ８０ ｇ／ｌ ほう酸（Ｈ3ＢＯ3） ３５ ｇ／ｌ 添加剤 トリライト* １０ｍｌ／ｌ 湿潤剤 ＃６２* ２ｍｌ／ｌ ｐＨ ３.０ 浴温 ５０℃ * 荏原ユージライト株式会社製品 共析ニッケル基本めっき浴にアリルスルホン酸ナト
リウムを１ｇ／ｌ添加した。
【００３７】試 験 例 以上の実施例および比較例から得られためっき被膜の各
ニッケルめっき層の電位を測定するとともに、ＪＩＳ−
Ｄ０２０１付属書２のキャス試験で耐食性を比較した。
なお、各ニッケルめっき層間の電位差の測定は、
（株）中央製作所製、電解式めっき厚さ測定器及び多層
ニッケルめっき耐食性測定器を用いて行なった。 各ニ
ッケルめっきの電位を表１に、耐食性試験の結果を表２
に示す。
ニッケルめっき層の電位を測定するとともに、ＪＩＳ−
Ｄ０２０１付属書２のキャス試験で耐食性を比較した。
なお、各ニッケルめっき層間の電位差の測定は、
（株）中央製作所製、電解式めっき厚さ測定器及び多層
ニッケルめっき耐食性測定器を用いて行なった。 各ニ
ッケルめっきの電位を表１に、耐食性試験の結果を表２
に示す。
【００３８】 *ニッケルめっき被膜電位は、半光沢ニッケルめっき被
膜の電位を０ｍＶとして表した。
膜の電位を０ｍＶとして表した。
【００３９】 **レイティングナンバーは、めっき表面の腐食程度を示
すサーフェイスレイテイングナンバーで表した。 表面
に腐食が全く見られない場合、レイティングナンバーは
１０となる。
すサーフェイスレイテイングナンバーで表した。 表面
に腐食が全く見られない場合、レイティングナンバーは
１０となる。
【００４０】この結果から明らかなように、各ニッケル
被膜間の電位差が一定の範囲にあるもののみが優れた耐
食性を示した。
被膜間の電位差が一定の範囲にあるもののみが優れた耐
食性を示した。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 畑中 竜彦 神奈川県藤沢市善行坂１−１−６ 荏原 ユージライト株式会社中央研究所内 (72)発明者 和田 仁志 神奈川県藤沢市善行坂１−１−６ 荏原 ユージライト株式会社中央研究所内 (72)発明者 小澤 学 愛知県豊田市トヨタ町１番地 トヨタ自 動車株式会社内 (56)参考文献 特公 昭62−52039（ＪＰ，Ｂ２) 「現場技術者のための実用めっき」初 版、（昭53−９−25）、日本めっき技術 研究会編、▲槇▼（マキ）書店、Ｐ. 243−261
Claims (3)
- 【請求項１】 被めっき製品素地を、実質的に硫黄を含
まない半光沢ニッケルめっき層、半光沢ニッケルめっき
皮膜に対し１００〜１７０ｍＶ卑な電気化学的電位を有
する光沢ニッケルめっき層、半光沢ニッケルめっき皮膜
に対し６０〜１２０ｍＶ卑であり、かつ上記光沢ニッケ
ルめっき皮膜に対し１０〜６０ｍＶ貴な電気化学的電位
を有する非電導性微粒子共析ニッケルめっき層、クロム
めっき皮膜で順次被覆されたことを特徴とするニッケル
−クロムめっき製品。 - 【請求項２】 被めっき製品素地が銅めっきされたもの
である請求項第１項記載のニッケルクロムめっき製品。 - 【請求項３】 被めっき製品に、実質的に硫黄を含まな
い半光沢ニッケルめっき層を形成する電気めっき、半光
沢ニッケルめっき皮膜に対し１００〜１７０ｍＶ卑な電
気化学的電位を有する光沢ニッケルめっき層を形成する
電気めっき、前記半光沢ニッケルめっき皮膜に対し６０
〜１２０ｍＶ卑であり、かつ上記光沢ニッケルめっき皮
膜に対し１０〜６０ｍＶ貴な電気化学的電位を有する非
電導性微粒子共析ニッケルめっき層を形成する電気めっ
き、クロムめっき皮膜を形成する電気めっきを順次施す
ことを特徴とするニッケル−クロムめっき製品の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35179991A JP2741126B2 (ja) | 1991-12-16 | 1991-12-16 | ニッケル−クロムめっき製品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35179991A JP2741126B2 (ja) | 1991-12-16 | 1991-12-16 | ニッケル−クロムめっき製品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05171468A JPH05171468A (ja) | 1993-07-09 |
| JP2741126B2 true JP2741126B2 (ja) | 1998-04-15 |
Family
ID=18419688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35179991A Expired - Lifetime JP2741126B2 (ja) | 1991-12-16 | 1991-12-16 | ニッケル−クロムめっき製品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2741126B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009074168A (ja) * | 2007-08-30 | 2009-04-09 | Nissan Motor Co Ltd | クロムめっき部品およびその製造方法 |
| PL2145986T3 (pl) * | 2008-07-15 | 2010-09-30 | Atotech Deutschland Gmbh | Roztwór i sposób elektrochemicznego osadzania metalu na substracie |
| WO2010092622A1 (en) * | 2009-02-13 | 2010-08-19 | Nissan Motor Co., Ltd. | Chrome-plated part and manufacturing method of the same |
| CN104772946B (zh) * | 2015-03-11 | 2018-03-16 | 嘉兴敏惠汽车零部件有限公司 | 镀镍‑铬部件及其制造方法 |
| CN104790004A (zh) * | 2015-03-11 | 2015-07-22 | 嘉兴敏惠汽车零部件有限公司 | 镀镍和\或铬部件及其制造方法 |
| JP2015221944A (ja) * | 2015-08-07 | 2015-12-10 | 日産自動車株式会社 | クロムめっき部品及びその製造方法 |
| JP7469289B2 (ja) | 2019-03-12 | 2024-04-16 | 株式会社Jcu | マイクロポーラスめっき液およびこのめっき液を用いた被めっき物へのマイクロポーラスめっき方法 |
| JP7330349B1 (ja) * | 2022-11-11 | 2023-08-21 | 株式会社Jcu | クロムめっき部品及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-12-16 JP JP35179991A patent/JP2741126B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 「現場技術者のための実用めっき」初版、（昭５３−９−２５）、日本めっき技術研究会編、▲槇▼（マキ）書店、Ｐ．２４３−２６１ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05171468A (ja) | 1993-07-09 |
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