JP2739778B2 - ３−５族化合物半導体の選択成長方法 - Google Patents
３−５族化合物半導体の選択成長方法Info
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- JP2739778B2 JP2739778B2 JP63291A JP63291A JP2739778B2 JP 2739778 B2 JP2739778 B2 JP 2739778B2 JP 63291 A JP63291 A JP 63291A JP 63291 A JP63291 A JP 63291A JP 2739778 B2 JP2739778 B2 JP 2739778B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は品質の優れた３−５族化
合物半導体を低温で選択的に成長する方法に関するもの
である。
合物半導体を低温で選択的に成長する方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】３−５族化合物半導体の選択エピタキシ
ャル成長は、発光ダイオ−ド（ＬＥＤ）やレ−ザ−ダイ
オ−ド（ＬＤ）に代表される光デバイス、また電界効果
トランジスタ（ＦＥＴ）やヘテロバイポーラトランジス
タ（ＨＢＴ）に代表される高速デバイスの高性能化のた
めに極めて重要である。たとえばＧａＡｓＦＥＴでは電
極形成前にソースおよびドレイン領域のみに選択的にＮ
+型コンタクト層を成長して寄生抵抗の低減することが
できる。また活性領域を高抵抗のＡｌＧａＡｓ層で埋め
込んだＢＨレーザーでは駆動電流の低減することができ
る。さらに光および高速デバイスを同一基板上へ集積化
し、高機能化をはかる際の素子分離などにも選択エピタ
キシャル成長技術は欠かすことができない。
ャル成長は、発光ダイオ−ド（ＬＥＤ）やレ−ザ−ダイ
オ−ド（ＬＤ）に代表される光デバイス、また電界効果
トランジスタ（ＦＥＴ）やヘテロバイポーラトランジス
タ（ＨＢＴ）に代表される高速デバイスの高性能化のた
めに極めて重要である。たとえばＧａＡｓＦＥＴでは電
極形成前にソースおよびドレイン領域のみに選択的にＮ
+型コンタクト層を成長して寄生抵抗の低減することが
できる。また活性領域を高抵抗のＡｌＧａＡｓ層で埋め
込んだＢＨレーザーでは駆動電流の低減することができ
る。さらに光および高速デバイスを同一基板上へ集積化
し、高機能化をはかる際の素子分離などにも選択エピタ
キシャル成長技術は欠かすことができない。
【０００３】ハロゲン輸送法や有機金属気相成長法（Ｍ
ＯＣＶＤ法）が実用化されるまでは、選択エピタキシャ
ル成長法としてもっぱら液相成長法（ＬＰＥ法）が用い
られてきた。最近さらに高真空で成長する有機金属分子
線エピタキシャル成長法（ＭＯ−ＭＢＥ法）などのガス
を用いる気相成長法（ＶＰＥ法）が注目されている。
ＯＣＶＤ法）が実用化されるまでは、選択エピタキシャ
ル成長法としてもっぱら液相成長法（ＬＰＥ法）が用い
られてきた。最近さらに高真空で成長する有機金属分子
線エピタキシャル成長法（ＭＯ−ＭＢＥ法）などのガス
を用いる気相成長法（ＶＰＥ法）が注目されている。
【０００４】選択成長に加えてデバイス性能の向上に必
要な薄膜構造の成長が可能で、また量産性が優れてい
る。
要な薄膜構造の成長が可能で、また量産性が優れてい
る。
【０００５】３族有機金属化合物を原料とする気相成長
法のうち特に減圧ＭＯＣＶＤ法が普及している。高真空
下で成長を行なうＭＯ−ＭＢＥ法の実用化が始まってい
る。
法のうち特に減圧ＭＯＣＶＤ法が普及している。高真空
下で成長を行なうＭＯ−ＭＢＥ法の実用化が始まってい
る。
【０００６】特に熱平衡により近い状態での気相成長手
法であるハロゲン輸送法の選択性が優れている。しかし
Ａｌを構成元素に含む３−５族化合物半導体の成長が難
しいためあまり用いられていない。ホットウオール反応
管を用いるハロゲン輸送法ではＡｌと石英管壁との反応
が問題となり、管壁をカーボンでコーティングするなど
特別な工夫が必要となる。
法であるハロゲン輸送法の選択性が優れている。しかし
Ａｌを構成元素に含む３−５族化合物半導体の成長が難
しいためあまり用いられていない。ホットウオール反応
管を用いるハロゲン輸送法ではＡｌと石英管壁との反応
が問題となり、管壁をカーボンでコーティングするなど
特別な工夫が必要となる。
【０００７】３族有機金属化合物を原料とした選択成長
において、３族有機金属が基板結晶表面に比べてＳｉＯ
2 マスク上で分解しにくい性質を利用している。そのた
め３族有機金属原料としてトリエチルガリウム（ＴＥＧ
ａ）などエチル基をもつものより、より分解しにくいト
リメチルガリウム（ＴＭＧａ）などメチル基をもつ原料
を用いた方が選択性が優ているまた成長圧力が低くＳｉ
Ｏ2 マスク上での３族原料の表面拡散長が伸びるほど選
択性は良くなる。したがって高真空下で成長を行なうＭ
Ｏ−ＭＢＥ法の方がより低温で良好な選択性が得る。
において、３族有機金属が基板結晶表面に比べてＳｉＯ
2 マスク上で分解しにくい性質を利用している。そのた
め３族有機金属原料としてトリエチルガリウム（ＴＥＧ
ａ）などエチル基をもつものより、より分解しにくいト
リメチルガリウム（ＴＭＧａ）などメチル基をもつ原料
を用いた方が選択性が優ているまた成長圧力が低くＳｉ
Ｏ2 マスク上での３族原料の表面拡散長が伸びるほど選
択性は良くなる。したがって高真空下で成長を行なうＭ
Ｏ−ＭＢＥ法の方がより低温で良好な選択性が得る。
【０００８】純粋な有機金属ではないが３族原子とハロ
ゲン元素、中でも塩素との結合を持つ有機金属化合物、
たとえばジエチルガリウムクロライド（ＤＥＧａＣｌ）
を用いる方法が現在までに報告された中では最も良好な
選択性が得られる。これはＤＥＧａＣｌの分解で生じた
ＧａＣｌが極めて安定で、ＳｉＯ2上では分解しないた
めと考えられる。成長温度６００℃以上で減圧ＭＯＣＶ
Ｄ法に適用した場合についてＡＰＬ（Ａｐｐｌｉｅｄ
Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ），ｖｏｌ．５４，ｎ
ｏ．１０，Ｍａｒｃｈ，１９８９，ｐｐ．Ｌ９１０〜９
１２に報告されている。
ゲン元素、中でも塩素との結合を持つ有機金属化合物、
たとえばジエチルガリウムクロライド（ＤＥＧａＣｌ）
を用いる方法が現在までに報告された中では最も良好な
選択性が得られる。これはＤＥＧａＣｌの分解で生じた
ＧａＣｌが極めて安定で、ＳｉＯ2上では分解しないた
めと考えられる。成長温度６００℃以上で減圧ＭＯＣＶ
Ｄ法に適用した場合についてＡＰＬ（Ａｐｐｌｉｅｄ
Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ），ｖｏｌ．５４，ｎ
ｏ．１０，Ｍａｒｃｈ，１９８９，ｐｐ．Ｌ９１０〜９
１２に報告されている。
【０００９】本発明者の実験結果では成長温度４００℃
以下まで、すなわちＤＥＧａＣｌが分解し成長に寄与で
きる温度以上のすべての温度範囲で選択性のあることを
確認している。成長圧力に依存しないので、たとえば大
気圧下でも良好な選択性が得られる。
以下まで、すなわちＤＥＧａＣｌが分解し成長に寄与で
きる温度以上のすべての温度範囲で選択性のあることを
確認している。成長圧力に依存しないので、たとえば大
気圧下でも良好な選択性が得られる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】３族原料として３族元
素とハロゲン元素の結合を持つ有機金属化合物、たとえ
ば塩素と結合したＤＥＧａＣｌを用いた上記従来の選択
成長技術における問題点を考える。
素とハロゲン元素の結合を持つ有機金属化合物、たとえ
ば塩素と結合したＤＥＧａＣｌを用いた上記従来の選択
成長技術における問題点を考える。
【００１１】ＤＥＧａＣｌを用いると、ＤＥＧａＣｌが
分解し成長する温度、４００℃以上のすべての温度範囲
で選択性があり、成長圧力にも依存しない。しかしなが
ら低温ではカーボンが不純物として大量に取込まれてし
まうという問題点があり、これは原料の分解、すなわち
エチル基の脱離が低温では起こりにくく、エチル基に含
まれるカーボンが結晶中に取込まれてしまうためと考え
られる。そのため高純度の膜を得るためには５００℃以
上の比較的高温で成長を行なう必要があった。
分解し成長する温度、４００℃以上のすべての温度範囲
で選択性があり、成長圧力にも依存しない。しかしなが
ら低温ではカーボンが不純物として大量に取込まれてし
まうという問題点があり、これは原料の分解、すなわち
エチル基の脱離が低温では起こりにくく、エチル基に含
まれるカーボンが結晶中に取込まれてしまうためと考え
られる。そのため高純度の膜を得るためには５００℃以
上の比較的高温で成長を行なう必要があった。
【００１２】ところで熱的に安定なＧａ−Ｃｌ結合を持
つ化合物でさえあれば、本来はカーボンの取込みの原因
となる有機化合物を用いる必要性はなく、たとえばクロ
ロガラン（ＧａＨ2 Ｃｌ）やジクロロガラン（ＧａＨＣ
ｌ2 ）、さらにＧａＣｌ3 などの無機化合物を用いれば
カーボンの取込みを完全に防ぐことができると考えられ
る。
つ化合物でさえあれば、本来はカーボンの取込みの原因
となる有機化合物を用いる必要性はなく、たとえばクロ
ロガラン（ＧａＨ2 Ｃｌ）やジクロロガラン（ＧａＨＣ
ｌ2 ）、さらにＧａＣｌ3 などの無機化合物を用いれば
カーボンの取込みを完全に防ぐことができると考えられ
る。
【００１３】ところがＧａＨ2 ＣｌやＧａＨＣｌ2 は常
温で極めて不安定で、蒸気圧も低いなど大きな問題があ
る。一方ＧａＣｌ3 は安定で、所定の蒸気圧があるので
ガスとして配管内を移送しバルブで切り換えて反応容器
に供給できると思われる。
温で極めて不安定で、蒸気圧も低いなど大きな問題があ
る。一方ＧａＣｌ3 は安定で、所定の蒸気圧があるので
ガスとして配管内を移送しバルブで切り換えて反応容器
に供給できると思われる。
【００１４】ところがＧａＣｌ3 は強い潮解性と腐食性
があるので、取扱いが極めて難しく、選択成長用の原料
とすることができなかった。
があるので、取扱いが極めて難しく、選択成長用の原料
とすることができなかった。
【００１５】本発明の目的はこのような従来技術の問題
点を解消し、さらに低温で高品質の３−５族化合物半導
体を選択的に成長する方法を提供することにある。
点を解消し、さらに低温で高品質の３−５族化合物半導
体を選択的に成長する方法を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の３−５族化合物
半導体の選択成長方法は、３族化合物および５族化合物
からなる揮発性錯化合物と５族元素または５族揮発性化
合物とを基板上に供給する。ここで揮発性錯化合物を構
成する３族化合物は３族元素とハロゲン元素とが直接結
合した水素化合物である。また揮発性錯化合物を構成す
る５族化合物として窒素化合物を用いることができる。
半導体の選択成長方法は、３族化合物および５族化合物
からなる揮発性錯化合物と５族元素または５族揮発性化
合物とを基板上に供給する。ここで揮発性錯化合物を構
成する３族化合物は３族元素とハロゲン元素とが直接結
合した水素化合物である。また揮発性錯化合物を構成す
る５族化合物として窒素化合物を用いることができる。
【００１７】
【作用】一般に３族化合物を構成する３族原子には空の
ｐ電子軌道があり、そのためこれら化合物は電子受容体
（Ｌｅｗｉｓ酸）として働く。一方、５族化合物を構成
する５族原子は孤立電子対をもつためこれら化合物は電
子供与体（Ｌｅｗｉｓ塩基）として働く。その結果３族
化合物と５族化合物とがいわゆる酸・塩基の反応を起こ
す。すなわち３族原子の空のｐ電子軌道に５族原子の孤
立電子対が配位して、より安定な錯合体を形成しようと
する。
ｐ電子軌道があり、そのためこれら化合物は電子受容体
（Ｌｅｗｉｓ酸）として働く。一方、５族化合物を構成
する５族原子は孤立電子対をもつためこれら化合物は電
子供与体（Ｌｅｗｉｓ塩基）として働く。その結果３族
化合物と５族化合物とがいわゆる酸・塩基の反応を起こ
す。すなわち３族原子の空のｐ電子軌道に５族原子の孤
立電子対が配位して、より安定な錯合体を形成しようと
する。
【００１８】３族元素とハロゲン元素とが直接結合した
水素化合物、例えばＧａ−Ｃｌ結合を持つＧａＨ2 Ｃｌ
やＧａＨＣｌ2 などは常温で極めて不安定であるという
問題があった。しかしこの場合も適切な５族化合物を選
んでこれら水素化合物と反応させれば、常温で安定でか
つ適度な蒸気圧を持つ錯合体を形成することができる。
このような錯合体は成長温度では３族水素化合物と５族
化合物とに容易に分解する。
水素化合物、例えばＧａ−Ｃｌ結合を持つＧａＨ2 Ｃｌ
やＧａＨＣｌ2 などは常温で極めて不安定であるという
問題があった。しかしこの場合も適切な５族化合物を選
んでこれら水素化合物と反応させれば、常温で安定でか
つ適度な蒸気圧を持つ錯合体を形成することができる。
このような錯合体は成長温度では３族水素化合物と５族
化合物とに容易に分解する。
【００１９】ここで５族化合物自体が安定で分解しなけ
れば、５族元素の供給は実質的にはないものと見なすこ
とができる。また分解さえしなければたとえ５族有機化
合物を用いてもカーボン不純物源とはならない。一方３
族水素化合物、例えばＧａＨ2 Ｃｌは成長温度で容易に
分解するので、以上のプロセスによって最終的にはＧａ
−Ｃｌのみを基板表面に供給することができる。
れば、５族元素の供給は実質的にはないものと見なすこ
とができる。また分解さえしなければたとえ５族有機化
合物を用いてもカーボン不純物源とはならない。一方３
族水素化合物、例えばＧａＨ2 Ｃｌは成長温度で容易に
分解するので、以上のプロセスによって最終的にはＧａ
−Ｃｌのみを基板表面に供給することができる。
【００２０】さて５族化合物としてはヒ素や燐また窒素
などの化合物が３族水素化合物と安定な錯合体を形成す
る。しかしその中では原子番号の最も小さい窒素の化合
物、例えばＮＨ3 や、また有機化合物では特にメチル基
を持つトリメチルアミン（ＴＭＮ：Ｎ（ＣＨ3 ）3 ）や
ジメチルアミン（ＤＭＮＨ：ＮＨ（ＣＨ3 ）2 ）などが
最も熱的に安定であり、かつ得られる錯合体の蒸気圧も
高い。
などの化合物が３族水素化合物と安定な錯合体を形成す
る。しかしその中では原子番号の最も小さい窒素の化合
物、例えばＮＨ3 や、また有機化合物では特にメチル基
を持つトリメチルアミン（ＴＭＮ：Ｎ（ＣＨ3 ）3 ）や
ジメチルアミン（ＤＭＮＨ：ＮＨ（ＣＨ3 ）2 ）などが
最も熱的に安定であり、かつ得られる錯合体の蒸気圧も
高い。
【００２１】したがって３族元素−ハロゲン元素の結合
をもつ３族水素化合物と５族窒素化合物とが反応して生
成する揮発性錯化合物、例えばＧａＨ2 Ｃｌ・ＴＭＮを
３族原料として用いて、高品質な３−５族化合物半導体
をさらに低温で選択成長する方法が実現できる。
をもつ３族水素化合物と５族窒素化合物とが反応して生
成する揮発性錯化合物、例えばＧａＨ2 Ｃｌ・ＴＭＮを
３族原料として用いて、高品質な３−５族化合物半導体
をさらに低温で選択成長する方法が実現できる。
【００２２】
【実施例】本発明の一実施例について、図面を参照して
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００２３】ＳｉＯ2 マスクを形成したＧａＡｓ（１０
０）基板にＧａＡｓを成長させるために、図１に示す横
型減圧ＭＯＣＶＤ装置を用いた。
０）基板にＧａＡｓを成長させるために、図１に示す横
型減圧ＭＯＣＶＤ装置を用いた。
【００２４】反応容器１の中にサセプタホルダ４で支持
されたカ−ボンサセプタ２に基板結晶３を置いた。反応
容器１の外周の高周波コイル８でサセプタ２を加熱す
る。
されたカ−ボンサセプタ２に基板結晶３を置いた。反応
容器１の外周の高周波コイル８でサセプタ２を加熱す
る。
【００２５】フィルタ５を通して排気装置６および排気
管７が接続されている。
管７が接続されている。
【００２６】ガス導入系統としてＡｓＨ3 ガスボンベ
９、ＤＥＧａＣｌバブラ１０、ＧａＨ2 Ｃｌ・ＴＭＮバ
ブラ１１およびキャリヤになるＨ2 ガス１２が接続さ
れ、流量制御装置１３とバルブ１４によってガス流量が
制御される。
９、ＤＥＧａＣｌバブラ１０、ＧａＨ2 Ｃｌ・ＴＭＮバ
ブラ１１およびキャリヤになるＨ2 ガス１２が接続さ
れ、流量制御装置１３とバルブ１４によってガス流量が
制御される。
【００２７】選択性の有無を調べるためＧａＡｓ基板３
の表面の一部にはＳｉＯ2 マスクが形成されている。
の表面の一部にはＳｉＯ2 マスクが形成されている。
【００２８】キャリアガスとなるＨ2 を９ｌ／ｍｉｎと
し、反応管内圧力１００Ｔｏｒｒ、ＧａＡｓ基板３の温
度２００℃〜７００℃でＧａＡｓを３０分成長した。Ａ
ｓＨ3 の反応管内分圧は１Ｔｏｒｒ、ＧａＨ2 Ｃｌ・Ｔ
ＭＮの分圧は２×１０-2Ｔｏｒｒとした。
し、反応管内圧力１００Ｔｏｒｒ、ＧａＡｓ基板３の温
度２００℃〜７００℃でＧａＡｓを３０分成長した。Ａ
ｓＨ3 の反応管内分圧は１Ｔｏｒｒ、ＧａＨ2 Ｃｌ・Ｔ
ＭＮの分圧は２×１０-2Ｔｏｒｒとした。
【００２９】比較のためＧａＨ2 Ｃｌ・ＴＭＮのかわり
に従来のＤＥＧａＣｌを用いた実験も行なった。成長
後、光学顕微鏡観察から選択性を評価した。ＳｉＯ2 マ
スクを除去してから、成長したＧａＡｓ層の膜厚を段差
計で測定した。
に従来のＤＥＧａＣｌを用いた実験も行なった。成長
後、光学顕微鏡観察から選択性を評価した。ＳｉＯ2 マ
スクを除去してから、成長したＧａＡｓ層の膜厚を段差
計で測定した。
【００３０】ＧａＡｓの成長速度の温度依存性を図２に
示す。この温度範囲ではほぼ一定で、ＳｉＯ2 マスクへ
のＧａＡｓの析出は認められない。選択成長が可能とい
える。
示す。この温度範囲ではほぼ一定で、ＳｉＯ2 マスクへ
のＧａＡｓの析出は認められない。選択成長が可能とい
える。
【００３１】一方従来の原料であるＤＥＧａＣｌを用い
ると、図２に重ねて示すように４００℃以下で成長速度
が大きく低下した。低温ではＤＥＧａＣｌの分解率が減
少するためと考えられる。
ると、図２に重ねて示すように４００℃以下で成長速度
が大きく低下した。低温ではＤＥＧａＣｌの分解率が減
少するためと考えられる。
【００３２】２００℃〜７００℃の温度範囲でＧａＨ2
Ｃｌ・ＴＭＮおよびＤＥＧａＣｌを用いて成長した膜の
不純物密度をホール測定データを図３に示す。本実施例
のＧａＨ2 Ｃｌ・ＴＭＮを用いて成長した膜はすべて１
０14〜１０15／ｃｍ3 の低濃度のＮ型伝導を示した。一
方従来のＤＥＧａＣｌを用いて成長した膜は５００℃以
下でＰ型伝導を示し、低温になると不純物密度が増加す
る。このＰ型高濃度の不純物はＳＩＭＳ測定からカーボ
ンであることが確かめられた。
Ｃｌ・ＴＭＮおよびＤＥＧａＣｌを用いて成長した膜の
不純物密度をホール測定データを図３に示す。本実施例
のＧａＨ2 Ｃｌ・ＴＭＮを用いて成長した膜はすべて１
０14〜１０15／ｃｍ3 の低濃度のＮ型伝導を示した。一
方従来のＤＥＧａＣｌを用いて成長した膜は５００℃以
下でＰ型伝導を示し、低温になると不純物密度が増加す
る。このＰ型高濃度の不純物はＳＩＭＳ測定からカーボ
ンであることが確かめられた。
【００３３】本実施例においてＧａＨ2 Ｃｌ・ＴＭＮを
３族原料として用いることによって、より低温でＧａＡ
ｓの選択成長が実現できた。カーボン不純物の取込みは
認められなかった。
３族原料として用いることによって、より低温でＧａＡ
ｓの選択成長が実現できた。カーボン不純物の取込みは
認められなかった。
【００３４】なお３族Ｇａ原料としてはＧａＨ2 Ｃｌ・
ＤＭＮＨなどを用いることができ、５族元素の種類を変
えたＧａＰやＧａＳｂの選択成長、またＧａＡｓＰなど
混晶の選択成長にも本発明を適用することができる。Ａ
ｌＨ2 Ｉ・ＴＭＮとＡｓＨ3を用いたＡｌＡｓの選択成
長やＩｎＨ2 Ｃｌ・ＴＭＮとＰＨ3 を用いたＩｎＰの選
択成長などでも同様の効果得られる。そのほか広く３−
５族化合物半導体の選択成長に本発明を適用することが
できる。
ＤＭＮＨなどを用いることができ、５族元素の種類を変
えたＧａＰやＧａＳｂの選択成長、またＧａＡｓＰなど
混晶の選択成長にも本発明を適用することができる。Ａ
ｌＨ2 Ｉ・ＴＭＮとＡｓＨ3を用いたＡｌＡｓの選択成
長やＩｎＨ2 Ｃｌ・ＴＭＮとＰＨ3 を用いたＩｎＰの選
択成長などでも同様の効果得られる。そのほか広く３−
５族化合物半導体の選択成長に本発明を適用することが
できる。
【００３５】本実施例では気相成長装置として減圧ＭＯ
ＣＶＤ装置を用いたが、常圧ＭＯＣＶＤ装置や真空中で
成長を行なうＭＯＭＢＥ装置でも同様の結果が得られ
る。
ＣＶＤ装置を用いたが、常圧ＭＯＣＶＤ装置や真空中で
成長を行なうＭＯＭＢＥ装置でも同様の結果が得られ
る。
【００３６】
【発明の効果】低温で選択性と十分な成長速度も得ら
れ、かつカーボン不純物の取込みがない、高品質な３−
５族化合物半導体の低温選択成長方法が実現できた。
れ、かつカーボン不純物の取込みがない、高品質な３−
５族化合物半導体の低温選択成長方法が実現できた。
【図１】本発明の一実施例で用いた気相成長装置の概略
図である。
図である。
【図２】ＧａＨ2 Ｃｌ・ＴＭＮおよびＤＥＧａＣｌを用
いた成長温度と成長速度との関係を示すグラフである。
いた成長温度と成長速度との関係を示すグラフである。
【図３】半導体膜の成長温度と不純物濃度との関係を示
すグラフである。
すグラフである。
１ 反応容器 ２ カーボンサセプタ ３ 基板結晶 ４ サセプタホルダ ５ フィルタ ６ 排気装置 ７ 排気管 ８ 高周波誘導コイル ９ ＡｓＨ3 ボンベ １０ ＤＥＧａＣｌバブラ １１ ＧａＨ2 Ｃｌ・ＴＭＮバブラ １２ キャリアＨ2 ガス １３ 流量制御装置 １４ バルブ
Claims (2)
- 【請求項１】 ３族化合物および５族化合物からなる揮
発性錯化合物と５族元素または５族揮発性化合物とを基
板上に供給する３−５族化合物半導体の成長方法におい
て、揮発性錯化合物を構成する３族化合物は３族元素と
ハロゲン元素とが直接結合した水素化合物であることを
特徴とする３−５族化合物半導体の選択成長方法。 - 【請求項２】 揮発性錯化合物を構成する５族化合物が
窒素化合物である請求項１記載の３−５族化合物半導体
の選択成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63291A JP2739778B2 (ja) | 1991-01-08 | 1991-01-08 | ３−５族化合物半導体の選択成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63291A JP2739778B2 (ja) | 1991-01-08 | 1991-01-08 | ３−５族化合物半導体の選択成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04279023A JPH04279023A (ja) | 1992-10-05 |
| JP2739778B2 true JP2739778B2 (ja) | 1998-04-15 |
Family
ID=11479107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63291A Expired - Lifetime JP2739778B2 (ja) | 1991-01-08 | 1991-01-08 | ３−５族化合物半導体の選択成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2739778B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2646966B2 (ja) * | 1993-07-15 | 1997-08-27 | 日本電気株式会社 | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の薄膜成長方法 |
| US7390360B2 (en) * | 2004-10-05 | 2008-06-24 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Organometallic compounds |
| US20080018004A1 (en) * | 2006-06-09 | 2008-01-24 | Air Products And Chemicals, Inc. | High Flow GaCl3 Delivery |
-
1991
- 1991-01-08 JP JP63291A patent/JP2739778B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04279023A (ja) | 1992-10-05 |
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