JP2738070B2 - ダイボンディング方法 - Google Patents
ダイボンディング方法Info
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- JP2738070B2 JP2738070B2 JP27410589A JP27410589A JP2738070B2 JP 2738070 B2 JP2738070 B2 JP 2738070B2 JP 27410589 A JP27410589 A JP 27410589A JP 27410589 A JP27410589 A JP 27410589A JP 2738070 B2 JP2738070 B2 JP 2738070B2
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- heat sink
- molten solder
- collet
- solder
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/75301—Bonding head
- H01L2224/75302—Shape
- H01L2224/75303—Shape of the pressing surface
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、熱的影響を受けやすいパワーモジュールな
どの製造過程において、半導体チップなどをヒートシン
ク上にダイボンディングする方法に関するものである。
どの製造過程において、半導体チップなどをヒートシン
ク上にダイボンディングする方法に関するものである。
従来の技術 従来から、熱的影響を受けやすいチップのダイボンデ
ィングにおいては、ヒートシンクとの接合に高温はんだ
が必要であった。そして材料の酸化を防ぐために還元雰
囲気中ではんだを溶融させた状態でヒートシンクに滴下
し、コレットに吸着させた半導体チップをはんだ上でス
クラブすることによりヒートシンクとチップを接合して
いた。
ィングにおいては、ヒートシンクとの接合に高温はんだ
が必要であった。そして材料の酸化を防ぐために還元雰
囲気中ではんだを溶融させた状態でヒートシンクに滴下
し、コレットに吸着させた半導体チップをはんだ上でス
クラブすることによりヒートシンクとチップを接合して
いた。
以下図面を参照しながら説明する。第3図a,bにおい
て、11はヒートシンク、12は前工程においてヒートシン
ク11上に滴下された溶融はんだ、13は半導体チップ、14
はチップ13を吸着するための貫通孔15を備え、かつ昇降
機能およびスクラブ機能を持つコレットである。溶融は
んだ12が滴下され、チップ13がダイボンディングされる
工程は300℃〜400℃の高温となっている。そして材料の
酸化を防ぐため、これらの工程はすべて還元雰囲気中で
行われる。第3図a,bに示したように吸着されたチップ1
3は、溶融はんだ12が滴下されたヒートシンク11の上方
から降下し、はんだ12がチップ13の裏面全体に広がるよ
うに、また気泡などを巻きこまないようにはんだ12上で
第3図bに矢印て示した方向にスクラブし接合するもの
である。
て、11はヒートシンク、12は前工程においてヒートシン
ク11上に滴下された溶融はんだ、13は半導体チップ、14
はチップ13を吸着するための貫通孔15を備え、かつ昇降
機能およびスクラブ機能を持つコレットである。溶融は
んだ12が滴下され、チップ13がダイボンディングされる
工程は300℃〜400℃の高温となっている。そして材料の
酸化を防ぐため、これらの工程はすべて還元雰囲気中で
行われる。第3図a,bに示したように吸着されたチップ1
3は、溶融はんだ12が滴下されたヒートシンク11の上方
から降下し、はんだ12がチップ13の裏面全体に広がるよ
うに、また気泡などを巻きこまないようにはんだ12上で
第3図bに矢印て示した方向にスクラブし接合するもの
である。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、上記に示した従来の方法ではスクラブ
の方向が一方向であるため、チップ裏面全体にはんだが
まわりにくく、とくに気泡を巻こんだ場合チップの駆動
時にこの部分が異常の高温となり最終的にはチップ破壊
となるという問題があった。
の方向が一方向であるため、チップ裏面全体にはんだが
まわりにくく、とくに気泡を巻こんだ場合チップの駆動
時にこの部分が異常の高温となり最終的にはチップ破壊
となるという問題があった。
課題を解決するための手段 本発明は上記課題を解決するため、ヒートシンクに滴
下された溶融はんだ上で、コレットに吸着されたチップ
を回転させることにより接合するものとした。
下された溶融はんだ上で、コレットに吸着されたチップ
を回転させることにより接合するものとした。
作用 本発明は上記方法においてヒートシンクの溶融はんだ
を半導体チップの裏面全体にはんだをまわすことがで
き、気泡等を巻こみにくく完全な接合ができる。
を半導体チップの裏面全体にはんだをまわすことがで
き、気泡等を巻こみにくく完全な接合ができる。
実 施 例 以下、本発明の一実施例におけるダイボンディング方
法について、図面を参照しながら説明する。
法について、図面を参照しながら説明する。
第1図は、本発明実施例におけるダイボンディングの
様子を示したものである。第1図において、1は半導体
チップ、2はこのチップ1を吸着するコレット、3は溶
融はんだ、4はヒートシンクである。コレット2は、昇
降機能および回転機能をもっている。また、これらの工
程はすべて還元雰囲気中で行われるものである。
様子を示したものである。第1図において、1は半導体
チップ、2はこのチップ1を吸着するコレット、3は溶
融はんだ、4はヒートシンクである。コレット2は、昇
降機能および回転機能をもっている。また、これらの工
程はすべて還元雰囲気中で行われるものである。
このような構成のもとで工程を模式的に示した第2図
a〜eを用いて説明する。溶融はんだ3がヒートシンク
4に滴下された後、チップ1がコレット2に吸着された
状態で前記ヒートシンク4上に下降する。チップ1が溶
融はんだ3に接した状態でコレット2が回転(第2図
d)することにより、はんだ3がチップ1の裏面全体に
いきわたり十分な接合が完了する。
a〜eを用いて説明する。溶融はんだ3がヒートシンク
4に滴下された後、チップ1がコレット2に吸着された
状態で前記ヒートシンク4上に下降する。チップ1が溶
融はんだ3に接した状態でコレット2が回転(第2図
d)することにより、はんだ3がチップ1の裏面全体に
いきわたり十分な接合が完了する。
発明の効果 本発明によれば、ダイボンディング時チップが回転し
ながらはんだをまきこむため、はんだがチップ裏面全体
にまわり、気泡を巻きこむことがなく十分に安定した接
合を行うことができる。
ながらはんだをまきこむため、はんだがチップ裏面全体
にまわり、気泡を巻きこむことがなく十分に安定した接
合を行うことができる。
第1図は本発明の一実施例におけるダイボンディング時
の全体配置を示す斜視図、第2図a〜eはそのダイボン
ディング方法を示す工程図、第3図a,bは従来例の説明
図である。 1……半導体チップ、2……コレット、3……溶融はん
だ、4……ヒートシンク。
の全体配置を示す斜視図、第2図a〜eはそのダイボン
ディング方法を示す工程図、第3図a,bは従来例の説明
図である。 1……半導体チップ、2……コレット、3……溶融はん
だ、4……ヒートシンク。
Claims (1)
- 【請求項1】半導体チップなどのヒートシンク上へのダ
イボンディング時、ヒートシンク上に滴下された溶融は
んだ上で、コレットに吸着されたチップを回転させてこ
のチップを前記ヒートシンクに接合することを特徴とす
るダイボンディング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27410589A JP2738070B2 (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | ダイボンディング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27410589A JP2738070B2 (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | ダイボンディング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03136254A JPH03136254A (ja) | 1991-06-11 |
JP2738070B2 true JP2738070B2 (ja) | 1998-04-08 |
Family
ID=17537074
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27410589A Expired - Fee Related JP2738070B2 (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | ダイボンディング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2738070B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06209058A (ja) * | 1993-01-12 | 1994-07-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法,並びにその実装方法 |
-
1989
- 1989-10-20 JP JP27410589A patent/JP2738070B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH03136254A (ja) | 1991-06-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |