JP2737664B2 - Information recording medium - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、情報記録媒体およびそ
の製造方法に係り、レーザ光，電子線等の再生用エネル
ギービームによって情報の書き込み読み出しを可能とし
た情報記録媒体に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an information recording medium and a method for manufacturing the same, and more particularly to an information recording medium in which information can be written and read by a reproducing energy beam such as a laser beam or an electron beam.

【０００２】[0002]

【従来の技術】光ディスク用の基板に凹凸の情報（記録
ピット）を形成する方法としては、インジェクション成
形法を使用してプラスチックの基板に凹凸の情報を形成
する方法と、紫外線硬化樹脂を使用して基板上に凹凸の
情報を形成するフォトポリマ法（２Ｐ法）とが知られて
いる。2. Description of the Related Art As a method for forming uneven information (recording pits) on a substrate for an optical disk, a method for forming uneven information on a plastic substrate by using an injection molding method, and a method using an ultraviolet curing resin. There is known a photopolymer method (2P method) for forming uneven information on a substrate.

【０００３】従来の光ディスクの製造方法を以下に示
す。[0003] A conventional method of manufacturing an optical disk will be described below.

【０００４】（ａ）．レジスト原盤工程 この工程は、射出成形用スタンパを製作するための土台
となる原盤を作る工程である。まず基板洗浄を充分に行
った後、次工程のレジスト層の剥離防止のため、シラン
カップリング剤を蒸気状にしてガラス基板に吸着させ、
密着剤処理を施す。乾燥後、フォトレジストをスピンコ
ート法により均一に塗布した後、レーザーカッティング
法により記録ピットを露光する。次に、レジスト盤を回
転させながら現像液を滴下し、潜像部分を除去し現像を
行い原盤を得る。(A). Resist mastering step This step is a step of forming a master serving as a base for manufacturing an injection molding stamper. First, after sufficiently washing the substrate, the silane coupling agent is adsorbed on the glass substrate in a vapor state to prevent the resist layer from peeling off in the next step,
Apply adhesive treatment. After drying, a photoresist is uniformly applied by spin coating, and then the recording pits are exposed by laser cutting. Next, a developing solution is dropped while rotating the resist disc, the latent image portion is removed, and development is performed to obtain a master disc.

【０００５】（ｂ）．電鋳工程 この工程は、原盤からスタンパを作製する工程である。
まず、レジスト原盤に伝導性を付加するためにＮｉのス
パッタリングにより厚さ１００〔ｎｍ〕前後のＮｉ薄膜
を形成して電鋳用の電極となる導電膜を形成する。(B). Electroforming step This step is a step of producing a stamper from a master.
First, in order to add conductivity to the resist master, a Ni thin film having a thickness of about 100 [nm] is formed by sputtering of Ni to form a conductive film serving as an electrode for electroforming.

【０００６】レジスト原盤のＮｉ薄膜を陰極，溶解効率
の高いデポラライズドニッケルを陽極として低応力のス
ルファミン酸ニッケル浴中で電鋳めっきを行う。Electroforming plating is performed in a low-stress nickel sulfamate bath using a Ni thin film of a resist master as a cathode and depolarized nickel having a high dissolution efficiency as an anode.

【０００７】レジスト原盤からＮｉ薄膜と共にＮｉ板を
剥がし、表面のレジストを除去したＮｉ板がマスタ盤
で、そのまま裏面研磨を施し、射出成形に用いればマス
タスタンパとなるが、通常は表面層の酸化処理と電鋳を
繰り返して、マスタ盤からマザー盤を、マザー盤からス
タンパと、１枚のマスタ盤から２５枚程度のスタンパを
作製する。[0007] The Ni plate together with the Ni thin film is peeled off from the resist master and the Ni plate from which the resist on the surface is removed is a master plate. The back surface is polished as it is, and if it is used for injection molding, it becomes a master stamper. By repeating the processing and electroforming, a mother board is manufactured from the master board, a stamper is manufactured from the mother board, and about 25 stampers are manufactured from one master board.

【０００８】（ｃ）．レプリケーション工程 この工程は、スタンパから記録ピット付きディスク基板
の製作工程である。まず、樹脂の原材料であるペレット
を充分乾燥させた後、射出成形機の可動金型にスタンパ
を取り付け、鏡面に仕上げた固定金型との中空部に加熱
溶融状態の樹脂を噴出し、圧縮、保圧の後に強制冷却さ
せて、形成されたディスク基板を金型から取り出す。(C). Replication Step This step is a step of manufacturing a disk substrate with recording pits from a stamper. First, after sufficiently drying the pellets, which are the raw materials of the resin, a stamper is attached to the movable mold of the injection molding machine, and the resin in a heated and melted state is injected into a hollow portion of the mirror-finished fixed mold, and compressed. After the holding pressure, the disk substrate is forcibly cooled and the formed disk substrate is taken out of the mold.

【０００９】（ｄ）．反射膜と保護膜の形成工程 形成されたディスク基板上へのアルミニウム（Ａｌ）反
射膜の成膜と紫外線硬化樹脂の塗布，硬化工程である。
まず、ディスク基板上にスパッタリングによりＡｌ反射
膜を厚さ８０〔ｎｍ〕前後形成する。次に、スピンコー
ト法により紫外線硬化樹脂を塗布後、紫外線の照射によ
り硬化させる。(D). Coating the reflective film and Aluminum bromide (Al) film formation and UV-curable resin of the reflective film on the protective film forming step of forming disks on the substrate, a curing process.
First, an Al reflection film having a thickness of about 80 [nm] is formed on a disk substrate by sputtering. Next, after applying an ultraviolet curable resin by spin coating, the resin is cured by irradiation with ultraviolet light.

【００１０】一方、光ディスクは、上記製法とは別に、
情報の高密度収録および記録されたデータの高精度化が
求められている。しかしながら前述した従来技術による
作製法を用いると、元のピット情報が少なくとも２回
（めっき、射出成形）転写されるため転写精度は、半導
体製造で用いられるマスクを利用した露光法による転写
に比較して１桁から２桁ほど低い。このため、再生ビー
ムによって記録ピットを再生するとき、転写不良による
記録ピット周辺部のダレやボケが生じ、これに起因して
符号間干渉やクロストークが発生してジッタ値が劣化す
るという問題点を有していた。[0010] On the other hand, an optical disk is separate from the above-mentioned manufacturing method.
There is a demand for high-density recording of information and higher accuracy of recorded data. However, using the above-described conventional manufacturing method, the original pit information is transferred at least twice (plating, injection molding), so that the transfer accuracy is lower than the transfer by the exposure method using a mask used in semiconductor manufacturing. About one or two digits lower. Therefore, when the recording pit is reproduced by the reproduction beam, sagging or blurring around the recording pit due to improper transfer occurs, which causes intersymbol interference or crosstalk, thereby deteriorating the jitter value. Had.

【００１１】かかる問題を解決するため、例えば特開平
４−１４６５３９号公報では、ほぼ平坦な樹脂基板上に
設けられた平坦な一層の反射性材料に、ドライエッチン
グ法を用いて高密度，高精度の情報ピットを形成した光
ディスクが提案されている。In order to solve such a problem, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-146539 discloses a high-density, high-precision, one-layer reflective material provided on a substantially flat resin substrate using a dry etching method. An optical disc in which information pits are formed has been proposed.

【００１２】これを更に詳述すると、記録ピット部が
反射率の高い反射性材料で形成され、未記録部は反射性
材料が除去することで透明とした媒体構成、記録ピッ
ト部が反射率の低い非反射性材料で形成され、未記録部
は反射率の高い反射性材料が成膜された媒体構成、未
記録部が反射率の高い反射性材料で形成され、記録ピッ
ト部は反射性材料が除去され光透過性の穴状となってい
る媒体構成、の三種類の媒体構成である。More specifically, the recording pit portion is formed of a reflective material having a high reflectance, and the unrecorded portion is made transparent by removing the reflective material. A non-recorded portion is formed of a high-reflectivity reflective film, and the unrecorded portion is formed of a high-reflectivity reflective material. The recording pit portion is formed of a reflective material. , And a medium configuration in which a light-transmitting hole is removed.

【００１３】[0013]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
開平４−１４６５３９号公報に開示された光ディスク
は、媒体構成および製作工程において以下に示す問題点
を有する。However, the optical disk disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-146538 has the following problems in the medium configuration and manufacturing process.

【００１４】第１の問題点は、信号品質の良好なＣ／Ｎ
比を得るには十分な反射率と反射率差が必要であるが、
反射膜が一層のみであるため使用可能な反射膜が限定さ
れることである。現在市販されている通常密度のコンパ
クトディスクにあっては、その反射率は、７８０〔ｎ
ｍ〕のレーザ光に対して、未記録部で７０％以上，記録
部のオンピット状態で２８％以下となっている。このた
め、反射率差が４２％となり、同時にＣ／Ｎは６０〔ｄ
Ｂ〕以上となる。７８０〔ｎｍ〕のレーザ光に対して反
射率が７０％以上の元素はＲｈ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ａ
ｌ，Ｉｎだけであり、他の元素を反射膜として使用でき
ない。The first problem is that the C / N with good signal quality is used.
To obtain the ratio, a sufficient reflectance and reflectance difference are required,
Since there is only one reflective film, usable reflective films are limited. For a normal density compact disc currently on the market, its reflectivity is 780 [n
m], 70% or more in the unrecorded area and 28% or less in the on-pit state of the recorded area. For this reason, the reflectance difference is 42%, and at the same time, the C / N is 60 [d
B]. Elements having a reflectance of 70% or more with respect to a laser beam of 780 [nm] are Rh, Cu, Ag, Au, A
1 and In only, and other elements cannot be used as a reflection film.

【００１５】第２の問題点は、再生方式において、特開
平４−１４６５３９号公報記載の光ディスクでは、上述
したの媒体構成上、未記録部ではレーザ光が透過して
しまうため、フォーカスサーボ及びトラックサーボがか
からない状態となっている。また、上述したの媒体
構成においては、記録ピットの反射光と未記録部の反射
光との位相差が殆ど存在しないため、一般に使用されて
いる再生方式のプッシュプル方式は使用できず、ヘテロ
ダイン方式かスリービーム方式を用いなければならな
い。The second problem is that, in the reproducing method, in the optical disk described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-146538, since the laser beam is transmitted through the unrecorded portion due to the above-mentioned medium configuration, focus servo and track The servo is not applied. Further, in the above-described medium configuration, since there is almost no phase difference between the reflected light of the recorded pits and the reflected light of the unrecorded portion, the push-pull method of the generally used reproducing method cannot be used, and the heterodyne method is not applicable. Or the three-beam method must be used.

【００１６】第３の問題点は、媒体構成の光ディス
クの製造工程は示されているが、媒体構成の光ディス
クの製造工程が示されていない点（未開示）である。The third problem is that the process for manufacturing an optical disk having a medium configuration is shown, but the process for manufacturing an optical disk having a medium configuration is not shown (not disclosed).

【００１７】従来の光ディスク原盤の作製方法によれ
ば、露光ビームの強度分布は、ガウス分布をしているた
め、フォトレジスト膜上に、露光によって形成された潜
像も略ガウス分布となる。現像によって形成されるピッ
ト断面は、潜像が中間調部を含む略ガウス分布であるた
め、図１８に示すように、現像の進行とともに記号ａの
形状から記号ｅに形状に変化する。このため、例えば図
１９に示すように、ガウス分布の裾の広がりに等しい部
分にピット部Ｐのダレやボケとして現れる。この図１９
において符号５１は透明基板を示し、符号５２は金属反
射膜を示し、符号５３は樹脂膜を示し、符号５４はダレ
やボケの部分を示すAccording to the conventional method of manufacturing a master optical disc, since the intensity distribution of the exposure beam has a Gaussian distribution, the latent image formed by exposure on the photoresist film also has a substantially Gaussian distribution. Since the latent image has a substantially Gaussian distribution including a halftone portion, the cross section of the pit formed by the development changes from the shape of the symbol a to the symbol e as the development proceeds, as shown in FIG. For this reason, for example, as shown in FIG. 19, the pit portion P appears as a droop or blur at a portion equal to the spread of the skirt of the Gaussian distribution. This FIG.
, Reference numeral 51 denotes a transparent substrate, reference numeral 52 denotes a metal reflection film, reference numeral 53 denotes a resin film, and reference numeral 54 denotes a sagging or blurred portion.

【００１８】[0018]

【発明の目的】本発明は、上記従来例の有する不都合を
改善し、とくに転写不良による記録ピット周辺部のダレ
やボケを少なくし、高密度且つ高精度であり、同時にフ
ォーカスサーボおよびトラックサーボを安定してかける
ことができる情報記録媒体を提供することを、その目的
とする。SUMMARY OF THE INVENTION The object of the present invention is to improve the disadvantages of the prior art described above, and in particular, to reduce sagging and blurring around recording pits due to poor transfer, to achieve high-density and high-accuracy, and to simultaneously perform focus servo and track servo. An object of the present invention is to provide an information recording medium that can be stably used.

【００１９】[0019]

【課題を解決するための手段】本発明では、その請求項
１において、透明基板と、この透明基板上に被膜され高
屈折率層および低屈折率層の順で繰り返された二層以上
の多層膜と、この多層膜上に積層された樹脂膜とを備
え、前記高屈折率層が穴状の記録ピットを有すると共
に、この穴状の部分に前記低屈折率層が充填され、前記
多層膜上に反射層を被膜する、という構成を採ってい
る。According to the present invention, there are provided the following claims.
1, a transparent substrate, a multilayer film of two or more layers coated on the transparent substrate and repeated in the order of a high refractive index layer and a low refractive index layer, and a resin film laminated on the multilayer film The high refractive index layer has hole-shaped recording pits, and the hole-shaped portion is filled with the low refractive index layer,
The configuration is such that a reflective layer is coated on the multilayer film .

【００２０】また、本発明では、その請求項２におい
て、透明基板と、この透明基板上に被膜され低屈折率層
および高屈折率層の順で繰り返された二層以上の多層膜
と、この多層膜上に積層された樹脂膜とを備え、前記低
屈折率層が穴状の記録ピットを有すると共に、この穴状
の部分に前記高屈折率層が充填され、前記多層膜上に反
射層を被膜する、という構成を採っている。Further, according to the present invention, in claim 2 of the present invention,
A transparent substrate and a low refractive index layer coated on the transparent substrate.
And multi-layer films repeated in the order of high refractive index layer
And a resin film laminated on the multilayer film.
The refractive index layer has hole-shaped recording pits,
Is filled with the high refractive index layer and a reflective layer is coated on the multilayer film.

【００２１】また、本発明では、その請求項３記載にお
いて、高屈折率層および低屈折率層の各層の膜厚を、λ
／4 ｎ（λはレーザ光の波長、ｎは屈折率層の屈折率）
とする、という構成を採っている。[0021] In the present invention, in its third aspect, the thickness of each layer of the high refractive index layer and the low refractive index layer, lambda
/ 4 n (λ is the wavelength of the laser beam, n is the refractive index of the refractive index layer)
Is adopted.

【００２２】また、本発明では、その請求項４におい
て、高屈折率層をアモルファスＳi の水素含有合金で形
成するとともに、当該アモルファスＳi の水素含有合金
を、その膜厚方向の平均組成の一般式「Ｓi _1-X Ｈ_X 」
で表した場合に、ｘが原子パーセントで「28／47≦ｘ≦
28／29」の範囲のものを使用する、という構成を採って
いる。この場合、屈折率は4.0 ≦ｎｘ≦4.5 となる。[0022] In the present invention, in its fourth aspect, with a high refractive index layer formed of a hydrogen-containing alloy of amorphous Si, a hydrogen-containing alloy of the amorphous Si, the general formula of the average composition of the film thickness direction "Si _1-X H _X "
In the case where x is represented by atomic percent, “28/47 ≦ x ≦
28/29 ”is used. In this case, the refractive index is 4.0 ≦ nx ≦ 4.5.

【００２３】また、本発明では、その請求項５におい
て、高屈折率層を微結晶化Ｓi の水素含有合金で形成す
ると共に、この微結晶化Ｓi の水素含有合金を、その膜
厚方向の平均組成の一般式「Ｓi _1-X Ｈ_X 」で表した場
合に、ｘが原子パーセントで「28／47≦ｘ≦28／37」の
範囲のものを使用する、という構成を採っている。この
場合、屈折率は3.3 ≦ｎｘ≦3.5 となる。[0023] In the present invention, in its claim 5, to form a high refractive index layer with a hydrogen-containing alloy of microcrystalline Si, a hydrogen-containing alloy of the microcrystalline Si, the average of the film thickness direction When the composition is represented by the general formula “Si _1-X H _X ”, x is used in the range of “28/47 ≦ x ≦ 28/37” in atomic percent. In this case, the refractive index is 3.3 ≦ nx ≦ 3.5.

【００２４】また、本発明では、その請求項６におい
て、高屈折率層をアモルファスＳi Ｃの水素含有合金で
形成すると共に、このアモルファスＳi Ｃの水素含有合
金を、その膜厚方向の平均組成の一般式「（Ｓi Ｃ）
_1-X Ｈ_X 」で表した場合に、ｘが原子パーセントで「40
／49≦ｘ≦40／41」の範囲のものを使用する、という構
成を採っている。この場合、屈折率は3.1 ≦ｎｘ≦4.1
となる。[0024] In the present invention, in its claim 6, with a high refractive index layer formed of a hydrogen-containing alloy of amorphous Si C, a hydrogen-containing alloy of the amorphous Si C, the average composition of the film thickness direction The general formula "(SiC)
_1-X H _X , x is “40
/ 49 ≦ x ≦ 40/41 ”is used. In this case, the refractive index is 3.1 ≦ nx ≦ 4.1
Becomes

【００２５】また、本発明では、その請求項７におい
て、高屈折率層を、アモルファスＳiＧe の水素含有合
金で形成すると共に、このアモルファスＳi Ｇe の水素
含有合金を、その膜厚方向の平均組成の一般式「（Ｓi
Ｇe ）_1-X Ｈ_X 」で表した場合に、ｘが原子パーセント
で「503 ／598 ≦ｘ≦503 ／518 」の範囲のものを使用
する、という構成を採っている。そして、この場合、屈
折率は3.2 ≦ｎｘ≦3.8となる。[0025] In the present invention, in its claim 7, the high refractive index layer, so as to form a hydrogen-containing alloy of amorphous SiGe, a hydrogen-containing alloy of the amorphous Si Ge, the average composition of the film thickness direction The general formula "(Si
When expressed in Ge) _1-X H _X ", x is from use of the range of" 503/598 ≦ x ≦ 503/ 518 "in atom percent, and employs a configuration that. In this case, the refractive index satisfies 3.2 ≦ nx ≦ 3.8.

【００２６】また、本発明では、その請求項８におい
て、高屈折率層をアモルファスＳi の窒化物で形成する
と共に、このアモルファスＳi の窒化物を、その膜厚方
向の平均組成の一般式「Ｓi _1-X Ｎ_X 」で表した場合
に、ｘが原子パーセントで「0 ≦ｘ≦4 ／7 」の範囲の
ものを使用する、という構成を採っている。この場合、
屈折率は2.0 ≦ｎｘ≦3.82である。[0026] In the present invention, in its claim 8, to form a high refractive index layer with a nitride of amorphous Si, a nitride of the amorphous Si, the formula in the thickness direction of the average composition "Si when expressed in _1-X N _X ", x is from use of the range of" 0 ≦ x ≦ 4/7 "in atom percent, and employs a configuration that. in this case,
The refractive index is 2.0 ≦ nx ≦ 3.82.

【００２７】また、本発明では、その請求項９におい
て、高屈折率層をアモルファスＳi の酸化物で形成する
と共に、このアモルファスＳi の酸化物を、その膜厚方
向の平均組成の一般式「Ｓi _1-X Ｏ_X 」で表した場合
に、ｘが原子パーセントで「0 ≦ｘ≦2 ／3 」の範囲の
ものを使用する、という構成を採っている。この場合、
屈折率は1.46≦ｎｘ≦3.82である。[0027] In the present invention, in its claim 9, to form a high refractive index layer of an oxide of amorphous Si, the oxide of the amorphous Si, the general formula "Si average composition of the film thickness direction when expressed in _1-X O _X ", x is from use of the range of" 0 ≦ x ≦ 2/3 "in atom percent, and employs a configuration that. in this case,
The refractive index is 1.46 ≦ nx ≦ 3.82.

【００２８】また、本発明では、その請求項１０におい
て、高屈折率層が、屈折率ｎ＜1.5である低屈折率の媒
体と，屈折率 1.5≦ｎ＜3.0 である高屈折率の媒体，お
よび屈折率ｎ≧3.0 である高屈折率層の媒体の、少なく
とも屈折率の異なる２種類以上の媒体を混ぜ合わせると
により形成される均質な中間の屈折率を備えたものとす
る、という構成を採っている。[0028] In the present invention, in its claim 10, the high refractive index layer, a low refractive index of the medium in the refractive index n <1.5, the high refractive index of the medium which is a refractive index 1.5 ≦ n <3.0, And a medium of a high refractive index layer having a refractive index n ≧ 3.0, which has a uniform intermediate refractive index formed by mixing at least two types of media having different refractive indices. I am taking it.

【００２９】また、本発明では、その請求項１１におい
て、透明基板上に、第１金属反射膜，低屈折率層，第２
金属反射膜および樹脂膜を順次被膜する。そして、第１
金属反射膜に穴状の記録ピットを形成するとともにこの
穴状の部分に前記低屈折率層を充填する、という構成を
採っている。[0029] In the present invention, in its claim 11, on a transparent substrate, a first metal reflective layer, a low refractive index layer, a second
A metal reflection film and a resin film are sequentially coated. And the first
A hole-shaped recording pit is formed in the metal reflective film and this
The hole-shaped portion is filled with the low refractive index layer .

【００３０】また、本発明では、その請求項１２におい
て、透明基板上に、第１金属反射膜，高屈折率層，第２
金属反射膜および樹脂膜を順次被膜する。そして、第１
金属反射膜に穴状の記録ピットを形成するとともにこの
穴状の部分に前記高屈折率層を充填する、という構成を
採っている。Further, according to the present invention, in the twelfth aspect , the first metal reflection film, the high refractive index layer and the second
A metal reflection film and a resin film are sequentially coated. And the first
A hole-shaped recording pit is formed in the metal reflective film and this
The hole-shaped portion is filled with the high refractive index layer .

【００３１】（削除） (Delete)

【００３２】（削除） (Delete)

【００３３】（削除） (Delete)

【００３４】これによって、前述した目的を達成しよう
とするものである。Thus, the above-mentioned object is achieved.

【００３５】[0035]

【作 用】まず、本発明の情報記録媒体にかかる各請求
項に共通の構成，即ち高屈折率層および低屈折率層の繰
り返し多層膜について、その光学的作用の例を説明す
る。First, an example of the optical action of the common structure of the claims relating to the information recording medium of the present invention, that is, the repeated multilayer film of a high refractive index layer and a low refractive index layer will be described.

【００３６】本発明は、透明基板上に高屈折率層および
低屈折率層の順よりなるλ／４もしくはこれに近い膜厚
の繰り返し多層膜または低屈折率層および高屈性率層の
順よりなるλ／４繰り返し多層膜を、少なくとも一層以
上積層することで、反射鏡として利用される。The present invention is directed to a repetitive multilayer film having a thickness of λ / 4 or a film having a thickness close to λ / 4 or a low refractive index layer and a high refractive index layer formed on a transparent substrate in the order of a high refractive index layer and a low refractive index layer. By laminating at least one λ / 4 repeating multilayer film composed of at least one layer, it is used as a reflecting mirror.

【００３７】そして、高屈折率、低屈折率のλ／４膜を
それぞれＨ，Ｌとおくと、多層膜反射鏡の一例として、
「空気（ｎ₀ ）−Ｈ（ＬＨ・・・ＬＨ）−ガラス
（ｎ）」、略して、「空気−Ｈ（ＬＨ）^q −ガラス」と
いう構成のものがある。そして、「ｎ₁ ＝ｎ₃ ＝……＝
ｎ_2q+1＝ｎ_H 」，「ｎ₂ ＝ｎ₄ ＝……＝ｎ_2q＝ｎ_L 」と
おくと、中心波長に対するエネルギー反射率Ｒは、一般
的な電磁場の境界条件を求める方法から、Ｒ＝ ［（ｎ₀ ｎｎ_L ^2q- ｎ_H ^2(q+1)）／（ｎ₀ ｎｎ_l ^2q＋ｎ_H ^2(q+1)）］² ×１００ ……〈１〉 となる。この式〈１〉を用いてｑ＝１，２の場合の反射
率を計算すると、ｑ＝１のときＲ＝６８［％］、ｑ＝２
のときＲ＝９３［％］となる（但し、ｎ₀ ＝１，ｎ＝
１．５２，ｎ_L ＝１．３８，ｎ_H ＝２．３５として計算
した）。Then, a λ / 4 film having a high refractive index and a low refractive index is formed.
Letting H and L respectively, as an example of a multilayer reflector,
"Air (n₀) -H (LH ... LH) -glass
(N) ", for short," air-H (LH)^q-Glass "
There is a thing of the structure called. And "n₁= N_Three= …… =
n_{2q + 1}= N_H”,“ N_Two= N_Four= …… = n_2q= N_L"When
In other words, the energy reflectance R with respect to the center wavelength is generally
From the method of finding the boundary condition of a typical electromagnetic field, R = [(n₀ nn_L ^2q-n_H ^{2 (q + 1)}) / (N₀ nn_l ^2q+ N_H ^{2 (q + 1)})]^Two × 100 ... <1> Reflection in the case of q = 1, 2 using this equation <1>
When the ratio is calculated, when q = 1, R = 68 [%], q = 2
In the case of, R = 93 [%] (where n₀= 1n =
1.52, n_L= 1.38, n_HCalculated as = 2.35
did).

【００３８】次に、穴状の記録ピット形成による光学的
作用を説明すると、高屈折率層および低屈折率層の繰り
返し多層膜に少なくとも一層以上にドライエッチングに
よりピット形状の穴を形成し、高屈折率層，低屈折率層
あるいは両層を除去することで、上記に示した光学干渉
条件が壊れ、ピット部に入射したレーザ光は透過する。
従って、レーザ光が記録ピット上に位置するとき、反射
光は透過光量分だけ減少し、検出系で読みだしが可能と
なる。Next, the optical effect of the formation of the hole-shaped recording pits will be described. At least one or more pit-shaped holes are formed by dry etching in at least one layer of the high refractive index layer and the low refractive index layer. By removing the refractive index layer, the low refractive index layer, or both layers, the above-described optical interference condition is broken, and the laser light incident on the pit portion is transmitted.
Therefore, when the laser light is positioned on the recording pit, the reflected light is reduced by the amount of transmitted light, and can be read by the detection system.

【００３９】また、反射層は光学的には次のように機能
する。即ち、穴状の記録ピットを形成後、該繰り返し多
層膜上に被膜される金属または高屈折率層および低屈折
層の繰り返し多層膜より構成される反射層を備えた媒体
構成とすると、ピット部に入射したレーザ光は記録ピッ
ト低部の反射層で反射され、未記録部で反射されたレー
ザ光に対して位相差が発生し、干渉して反射光量が低下
する。従って、従来のプッシュプル方式での再生が可能
となる。The reflection layer optically functions as follows. That is, after forming a hole-shaped recording pit, a medium having a reflective layer composed of a metal or a high-refractive-index layer and a low-refractive-index layer repeatedly formed on the multi-layer film has a pit portion. Is reflected by the reflection layer at the lower part of the recording pit, a phase difference is generated with respect to the laser light reflected by the unrecorded part, and the laser light interferes to reduce the amount of reflected light. Therefore, reproduction by the conventional push-pull method becomes possible.

【００４０】（削除） (Delete)

【００４１】（削除） (Delete)

【００４２】また、本発明にかかる情報記録媒体は、高
屈折率および低屈折率の誘電体を用いて製作できるた
め、長期のデータ保存に関する優れた信頼性を有する。Further, since the information recording medium according to the present invention can be manufactured using a dielectric material having a high refractive index and a low refractive index, it has excellent reliability for long-term data storage.

【００４３】更に、本発明の情報記録媒体は、記録ピッ
トをレーザ光を透過する媒体構成とすることにより、未
記録部の反射面と記録部の透過面の間に光学的な位相差
が存在しないため、超解像光学系より再生用媒体として
優れている。Further, in the information recording medium of the present invention, by forming the recording pits into a medium transmitting laser light, an optical phase difference exists between the reflection surface of the unrecorded portion and the transmission surface of the recorded portion. Therefore, it is superior to a super-resolution optical system as a medium for reproduction.

【００４４】[0044]

【第１参考例】以下、本発明の前提となる第１参考例を
図１乃至図３に基づいて説明する。First Embodiment A first embodiment which is a premise of the present invention will be described below with reference to FIGS.

【００４５】図１は、本参考例における情報記録媒体１
の部分断面図を示す。この内、図１（ｂ）は、図１
（ａ）におけるＡ部の拡大部分断面図である。[0045] Figure 1 is an information recording medium 1 in the present reference example
FIG. Of these, FIG.
It is an expanded partial sectional view of A section in (a).

【００４６】この図１（ａ）において、本参考例は、透
明基板１Ａと、この透明基板１Ａ上に被膜され高屈折率
層１Ｂ₁ および低屈折率層１Ｂ₂ の順で繰り返された二
層以上の多層膜１Ｂ₁₂と、この多層膜１Ｂ₁₂上に積層さ
れた樹脂膜１Ｃとを備えている。そして、高屈折率層１
Ｂ₁ および低屈折率層１Ｂ₂ の内の少なくとも一層の屈
折率層が穴状の記録ピッド１Ｐを有している。[0046] In this FIG. 1 (a), the present reference example, the transparent substrate 1A, two layers that are repeated in skinned order of the high refractive index layer 1B ₁ and the low refractive index layer 1B ₂ on the transparent substrate 1A or the multilayer film 1B _12, and a resin film 1C stacked on the multilayer film 1B _12. And the high refractive index layer 1
At least one layer of refractive index layer of the B ₁ and the low-refractive index layer 1B ₂ has a hole-shaped recording Rapid 1P.

【００４７】高屈折率層１Ｂ₁ ，低屈折率層１Ｂ₂ は、
それぞれ図２乃至図３に開示した図表の（1 ）から（1
2) までに示す何れかの材質，構成および膜厚で被膜さ
れている。記録ピット１Ｐは、前述した多層膜１Ｂ₁₂形
成後、エッチングにより形成される。符号Ｐはピット部
を示し、符号Ｍはミラー部を示す。The high refractive index layer 1B ₁ and the low refractive index layer 1B ₂
Each of the charts disclosed in FIGS. 2 and 3 from (1) to (1)
It is coated with any of the materials, configurations and film thicknesses described in 2). Recording pits 1P after the multilayer film 1B ₁₂ formed as described above, is formed by etching. Symbol P indicates a pit portion, and symbol M indicates a mirror portion.

【００４８】図２乃至図３に、上記多層膜１Ｂ₁₂の材質
を種々変えた場合，および層の繰り返し回数を変化させ
た場合の媒体反射率の算定結果を示す。すなわち、高屈
折率層１Ｂ₁ をＨ，低屈折率層１Ｂ₂ をＬとし、低屈折
率層Ｌと高屈折率層Ｈを前述した透明基板１Ａ上に積層
した層（ＨＬ）の繰り返し回数をｑとしたとき、波長６
８０〔ｎｍ〕のレーザ光に対する媒体反射率の光学計算
結果を右欄に示す。この結果、ｑ＝１で反射率が７０％
以上となることが判明した。[0048] Figure 2 to 3 shows the multi-layer film 1B ₁₂ where various changed and the material, and calculation results of the medium reflectance in the case of changing the number of repetitions of the layers. That is, a high refractive index layer 1B ₁ H, the number of repetitions of the layers of low refractive index layer 1B ₂ and L, were laminated a low refractive index layer L and the high refractive index layer H on a transparent substrate 1A mentioned above (HL) q, wavelength 6
The right column shows the result of optical calculation of the medium reflectivity for a laser beam of 80 [nm]. As a result, the reflectance is 70% when q = 1.
It turns out that it becomes above.

【００４９】そして、この第１参考例においては、各記
録ピッド１Ｐに入射したレーザ光は、記録ピッド１Ｐ内
の底部の反射層で反射され、ミラー部Ｍで反射されたレ
ーザ光に対して位相差が発生し、干渉して反射光量が低
下する。従って、プッシュプル方式による再生が可能と
なっている。In the first reference example, the laser light incident on each recording pid 1P is reflected by the bottom reflecting layer in the recording pid 1P, and is positioned relative to the laser light reflected by the mirror M. A phase difference occurs, causing interference and reducing the amount of reflected light. Therefore, reproduction by the push-pull method is possible.

【００５０】また、この第１参考例は、高屈折率，低屈
折率の誘電体を用いて構成し得るため、長期のデータ保
存に優れたものとなっている。さらに、この第１参考例
における情報記録媒体は、各記録ピッド１Ｐをレーザ光
を通過する媒体構成とすることにより、未記録部の反射
面と記録部の透過面の間の光学的な位相差が存在しない
ため、超解像光学系より再生媒体として優れたものとな
っている。Further, the first reference example can be formed by using a dielectric material having a high refractive index and a low refractive index, so that it is excellent in long-term data storage. Further, the information recording medium in the first reference example has a medium configuration in which each recording pid 1P passes a laser beam, so that an optical phase difference between the reflection surface of the unrecorded portion and the transmission surface of the recorded portion is obtained. Does not exist, it is superior to a super-resolution optical system as a reproduction medium.

【００５１】[0051]

【第２参考例】図４乃至図６に本発明の前提となる第２
参考例を示す。ここで、前述した図１の第１参考例と同
一の構成部材については同一の符号を用いるものとす
る。Second Embodiment FIGS. 4 to 6 show a second embodiment of the present invention .
Here is a reference example . Here, the same reference numerals are used for the same components as those of the first reference example of FIG. 1 described above.

【００５２】この第２参考例における情報記録媒体２
は、透明基板２Ａと、この透明基板２Ａ上に被膜され低
屈折率層２Ｂ₂ および高屈折率層２Ｂ₁ の順で繰り返さ
れた少なくとも二層以上の多層膜２Ｂ₂₁と、この多層膜
２Ｂ₂₁上に積層された樹脂膜２Ｃとを備えている。そし
て、低屈折率層２Ｂ₂ および高屈折率層２Ｂ₁ の内の少
なくても一層の屈折率層が穴状の記録ピッド２Ｐを備え
ている。Information recording medium 2 in the second reference example
Includes a transparent substrate 2A, at least two or more layers of the multilayer film 2B ₂₁ was repeated on the transparent substrate 2A in the order of the coating, low-refractive index layer 2B ₂ and the high-refractive index layer 2B _1, the multilayer film 2B ₂₁ And a resin film 2C laminated thereon. Then, fewer or more of refractive index layer of the low refractive index layer 2B ₂ and the high-refractive index layer 2B ₁ is provided with a hole-shaped recording Rapid 2P.

【００５３】高屈折率層２Ｂ₁ ，低屈折率層２Ｂ₂ は、
それぞれ図５乃至図６に開示した図表の（13）から（2
4) までに示す何れかの材質，構成および膜厚で被膜さ
れている。記録ピット２Ｐは、前述した多層膜２Ｂ₂₁形
成後、エッチングにより形成される。The high refractive index layer 2B ₁ and the low refractive index layer 2B ₂
(13) to (2) in the tables disclosed in FIGS. 5 and 6, respectively.
It is coated with any of the materials, configurations and film thicknesses shown in 4). Recording pits 2P after the multilayer film 2B ₂₁ formed as described above, is formed by etching.

【００５４】図５乃至図６に、上記多層膜２Ｂ₁₂の材質
を種々変えた場合，および層の繰り返し回数を変化させ
た場合の媒体反射率の算定結果を示す。即ち、高屈折率
層２Ｂ₁ をＨ，低屈折率層２Ｂ₂ をＬとし、低屈折率層
Ｌと高屈折率層Ｈを前述した透明基板２Ａ上に積層した
層（ＨＬ）の繰り返し回数をｑとしたとき、波長６８０
〔ｎｍ〕のレーザ光に対する媒体反射率の光学計算結果
を右欄に示す。この結果、ｑ＝２で反射率が７０％以上
となることが判明した。その他の作用効果については、
前述した第１参考例と同等となっている。[0054] in FIGS. 5-6 shows the multi-layer film 2B ₁₂ where various changed and the material, and calculation results of the medium reflectance in the case of changing the number of repetitions of the layers. That is, a high refractive index layer 2B ₁ H, the number of repetitions of the layers of low refractive index layer 2B ₂ and L, were laminated a low refractive index layer L and the high refractive index layer H on the transparent substrate 2A as described above (HL) where q is the wavelength of 680
The right column shows the results of optical calculation of the reflectance of the medium with respect to the laser light of [nm]. As a result, it was found that the reflectance was 70% or more when q = 2. For other effects,
This is equivalent to the first reference example described above.

【００５５】[0055]

【第１実施例】図７乃至図８に第１実施例を示す。ま
ず、図７に示すように、この第１実施例における情報記
録媒体３は、透明基板３Ａと、この透明基板３Ａ上に順
次被膜された高屈折率層３Ｂ₁ および低屈折率層３Ｂ₂
と、この低屈折率層３Ｂ₂ の上に積層された反射膜３Ｃ
と、この反射膜３Ｃ上に積層された樹脂膜３Ｄとを備え
ている。First Embodiment FIGS. 7 and 8 show a first embodiment. First, as shown in FIG. 7, the information recording medium 3 in the first embodiment includes a transparent substrate 3A, the high refractive index is transparent sequentially coating onto a substrate 3A layer 3B ₁ and the low refractive index layer 3B ₂
When a reflection film 3C which are laminated on the low-refractive index layer 3B ₂
And a resin film 3D laminated on the reflection film 3C.

【００５６】高屈折率層３Ｂ₁ には、エッチングにより
記録ピット３Ｐが形成されている。低屈折率層３Ｂ
₂ は、記録ピット３Ｐの形成後に高屈折率層３Ｂ₁ 上に
積層されるようになっている。[0056] The high refractive index layer 3B _1, the recording pit 3P are formed by etching. Low refractive index layer 3B
₂ is adapted to be laminated after the formation of the recording pits 3P on the high refractive index layer 3B _1.

【００５７】そして、この高屈折率層３Ｂ₁ の記録ピッ
ト３Ｐ内にも、低屈折率層３Ｂ₂ が充填されるようにな
っている。このため、低屈折率層３Ｂ₂ は記録ピット３
Ｐ部分が凹部を形成し、同時にその上に積層される反射
層も記録ピット３Ｐ部分に凹部が形成された状態となっ
ている。その他の構成は前述した図１の参考例と同一と
なっている。[0057] Then, also the high refractive index layer 3B ₁ of the recording pit 3-Way, the low refractive index layer 3B ₂ is adapted to be filled. For this reason, the low refractive index layer 3B ₂
The P portion forms a concave portion, and at the same time, the reflective layer laminated thereon also has a state in which a concave portion is formed in the recording pit 3P portion. Other configurations are the same as those of the above-described reference example of FIG.

【００５８】図８に、前述した図７に示した媒体構成に
おいて、透明基板３Ａをポリカーボネイト、高屈折率層
３Ｂ₁ をＳｉ(4 5ｎｍ）、低屈折率層３Ｂ₂ をＳｉＯ₂
(-)、反射層３ＣをＡｌ（９８ｎｍ）としたときのミラ
ー部Ｍとピット部Ｐの反射率と，ミラー部Ｍの反射光と
ピット部Ｐの反射光の位相差のＳｉＯ₂ 膜厚依存性を、
波長６８０〔ｎｍ〕のレーザ光に対して光学計算した結
果を示す。[0058] Figure 8, in the medium structure shown in FIG. 7 described above, polycarbonate transparent substrate 3A, the Si (4 5 nm) high refractive index layer 3B _1, the low refractive index layer 3B ₂ SiO ₂
(-), The reflectance of the mirror portion M and the pit portion P when the reflective layer 3C is made of Al (98 nm), and the phase difference between the reflected light of the mirror portion M and the reflected light of the pit portion P depend on the thickness of the SiO ₂ film. Gender,
The results of optical calculations for laser light having a wavelength of 680 [nm] are shown.

【００５９】これによると、ＳｉＯ₂ 膜厚が１０５〔ｎ
ｍ〕近傍で位相差の絶対値は１８０〔ｄｅｇ〕、ピット
部Ｐの反射率は８６〔％〕、ミラー部Ｍの反射率は７８
〔％〕となり、プッシュプル方式を用いた再生光学系に
適した媒体であることが明らかとなった。また、ＳｉＯ
₂ 膜厚が２２０〔ｎｍ〕近傍で位相差の絶対値は１８０
〔ｄｅｇ〕、ピット部Ｐの反射率は８５〔％〕、ミラー
部Ｍの反射率は８〔％〕となり、ミラー部Ｍの反射率が
ピット部Ｐの反射率よりも高い媒体構成とすることで、
高密度化に適した媒体であることが明らかとなった。According to this, the SiO ₂ film thickness is 105 [n
m], the absolute value of the phase difference is 180 [deg], the reflectance of the pit portion P is 86 [%], and the reflectance of the mirror portion M is 78.
[%], Which proved that the medium was suitable for a reproduction optical system using the push-pull method. In addition, SiO
_{2 When the} film thickness is around 220 [nm], the absolute value of the phase difference is 180
[Deg], the reflectance of the pit portion P is 85 [%], the reflectance of the mirror portion M is 8 [%], and the medium configuration is such that the reflectance of the mirror portion M is higher than the reflectance of the pit portion P. so,
It became clear that the medium was suitable for high density.

【００６０】ここで、上記第１実施例では、高屈折率層
３Ｂ₁ に記録ピット３Ｐを形成したのちに当該高屈折率
層３Ｂ₁ 上に低屈折率層３Ｂ₂ を成膜するように構成し
たが、逆に高屈折率層３Ｂ₁ と低屈折率層３Ｂ₂ とを入
れ換えて、低屈折率層３Ｂ₂に記録ピット３Ｐを形成し
たのちに当該低屈折率層３Ｂ₂ 上に高屈折率層３Ｂ₁を
成膜するように構成してもよい。[0060] Here, in the first embodiment, configured to deposit a low-refractive index layer 3B ₂ on the high refractive index layer 3B ₁ after forming the recording pits 3P in the high refractive index layer 3B ₁ was, but conversely the high refractive index layer 3B ₁ interchanged the low refractive index layer 3B _2, a high refractive index is formed over the low-refractive index layer 3B ₂ after forming the recording pits 3P in the low refractive index layer 3B ₂ it may be configured to deposit a layer 3B _1.

【００６１】[0061]

【第２実施例】図９乃至図１０に第２実施例を示す。こ
の第２実施例における情報記録媒体４は、図９に示すよ
うに、透明基板４Ａと、この透明基板４Ａ上に順次被膜
された高屈折率層４Ｂ₁ および低屈折率層４Ｂ₂ と、こ
の低屈折率層４Ｂ₂ の上に積層された反射層４Ｃと、こ
の反射膜４Ｃ上に積層された樹脂膜４Ｄとを備えてい
る。このため、高屈折率層４Ｂ₁ の記録ピット４Ｐ内に
も、低屈折率層４Ｂ₂ が充填されるようになっている。Second Embodiment FIGS. 9 and 10 show a second embodiment. Information recording medium 4 in the second embodiment, as shown in FIG. 9, a transparent substrate 4A, this is sequentially coated on a transparent substrate 4A the high refractive index layer 4B ₁ and the low refractive index layer 4B _2, the It includes a reflective layer 4C which is laminated on the low-refractive index layer 4B _2, and a resin film 4D stacked on the reflective layer 4C. Therefore, even the high refractive index layer 4B ₁ of the recording pit 4P, the low refractive index layer 4B ₂ is adapted to be filled.

【００６２】ここで、この第２実施例では、高屈折率層
４Ｂ₁ に記録ピット４Ｐを形成後、低屈折率層４Ｂ₂ を
成膜し平準化処理を行った後に、反射層４Ｃおよび樹脂
層４Ｄを順次積層して媒体構成した点に特長を備えてい
る。このため、反射層４Ｃおよび樹脂層４Ｄは凹凸のな
い均一の厚さの成膜がなされている。その他の構成は前
述した図１の参考例と同一となっている。[0062] Here, in the second embodiment, after forming the recording pits 4P in the high refractive index layer 4B _1, after the low refractive index layer 4B ₂ film was formed by leveling process, the reflective layer 4C and the resin The feature is that the medium is formed by sequentially stacking the layers 4D. For this reason, the reflective layer 4C and the resin layer 4D are formed with a uniform thickness without irregularities. Other configurations are the same as those of the above-described reference example of FIG.

【００６３】図１０に、上述した図９の媒体構成におい
て、透明基板４Ａをポリカーボネイト、高屈折率層４Ｂ
₁ をＳｉ(4 5ｎｍ）、低屈折率層４Ｂ₂ をＳｉＯ₂ (-)+
ＳｉＯ₂(４５ｎｍ）、反射層４ＣをＡｌ(9 8ｎｍ）とし
たときのミラー部Ｍとピット部Ｐの反射率と、ミラー部
Ｍの反射光とピット部Ｐの反射光の位相差のＳｉＯ₂膜
厚依存性を、波長６８０ｎｍのレーザ光に対して光学計
算した結果を示す。In FIG. 10, in the medium configuration of FIG. 9, the transparent substrate 4A is made of polycarbonate and the high refractive index layer 4B.
₁ is Si (45 nm), and the low refractive index layer 4B ₂ is SiO ₂ (−) +
SiO ₂ (45 nm), the reflectance of the mirror portion M and the pit portion P when the reflective layer 4C is Al (98 nm), and the SiO ₂ of the phase difference between the reflected light of the mirror portion M and the reflected light of the pit portion P. The results of optical calculation of the film thickness dependence with respect to laser light having a wavelength of 680 nm are shown.

【００６４】この結果、ＳｉＯ₂ 膜厚が５０〔ｎｍ〕近
傍で位相差の絶対値は１８０〔ｄｅｇ〕、ピット部Ｐの
反射率は８７〔％〕、ミラー部Ｍの反射率は７０〔％〕
となり、このため、プッシュプル方式を用いた再生光学
系に適した媒体であることが判明した。As a result, the absolute value of the phase difference is 180 [deg], the reflectance of the pit portion P is 87 [%], and the reflectance of the mirror portion M is 70 [%] when the SiO ₂ film thickness is around 50 [nm]. ]
Therefore, it was found that the medium was suitable for a reproduction optical system using the push-pull method.

【００６５】また、ＳｉＯ₂ 膜厚が２２０〔ｎｍ〕近傍
で位相差の絶対値は１８０〔ｄｅｇ〕、ピット部Ｐの反
射率は８５〔％〕、ミラー部Ｍの反射率は８〔％〕とな
り、ミラー部Ｍの反射率がピット部Ｐの反射率よりも高
い媒体構成とすることで、高密度化の適した媒体である
ことが明らかとなった。When the SiO ₂ film thickness is around 220 [nm], the absolute value of the phase difference is 180 [deg], the reflectance of the pit portion P is 85 [%], and the reflectance of the mirror portion M is 8 [%]. Thus, it was clarified that a medium suitable for high-density recording was obtained by adopting a medium configuration in which the reflectance of the mirror portion M was higher than the reflectance of the pit portion P.

【００６６】[0066]

【第３実施例】図１１乃至図１２に第３実施例を示す。Third Embodiment FIGS. 11 and 12 show a third embodiment.

【００６７】この第３実施例における情報記録媒体５
は、まず、図１１に示すように、透明基板５Ａと、この
透明基板５Ａ上に順次被膜された高屈折率層５Ｂ₁ およ
び低屈折率層５Ｂ₂ と、この低屈折率層５Ｂ₂ の上に積
層された反射層５Ｃと、この反射層５Ｃ上に積層された
樹脂膜５Ｄとを備えている。そして、この第３実施例で
は、高屈折率層５Ｂ₁ と低屈折率層５Ｂ₂ とに共通に、
記録ピット５Ｐの穴部分が形成されている点に特長を備
えている。The information recording medium 5 in the third embodiment
, First, as shown in FIG. 11, a transparent substrate 5A, this is sequentially coated on a transparent substrate 5A the high refractive index layer 5B ₁ and the low refractive index layer 5B _2, on the low-refractive index layer 5B ₂ And a resin film 5D laminated on the reflective layer 5C. Then, in the third embodiment, common to the high refractive index layer 5B ₁ and the low refractive index layer 5B _2,
The feature is that a hole portion of the recording pit 5P is formed.

【００６８】このため、記録ピット５Ｐの穴部分には、
前述した反射層５Ｃが充填された状態となっており、ま
た、前述した樹脂膜５Ｄも反射層５Ｃに積層された状態
で記録ピット５Ｐの穴部分内に充填された状態となって
いる。For this reason, in the hole of the recording pit 5P,
The reflective layer 5C is filled, and the resin film 5D is also stacked on the reflective layer 5C, filling the holes of the recording pits 5P.

【００６９】図１２に、上述した図１１の媒体構成にお
いて、透明基板５Ａをポリカーボネイト、高屈折率層５
Ｂ₁ をＳｉ（４５ｎｍ）、低屈折率層５Ｂ₂ をＳｉＯ₂
(-)、反射層５ＣをＡｌ(9 8ｎｍ）としたときのミラー
部Ｍとピット部Ｐの反射率と、ミラー部Ｍの反射光とピ
ット部Ｐの反射光の位相差のＳｉＯ₂ 膜厚依存性を波長
６８０〔ｎｍ〕のレーザ光に対して光学計算した結果を
示す。この結果、ＳｉＯ₂ 膜厚が１１０〔ｎｍ〕近傍で
位相差の絶対値は１８０〔ｄｅｇ〕、ピット部Ｐの反射
率は８６〔％〕、ミラー部Ｍの反射率は５〔％〕となり
ミラー部Ｍの反射率がピット部Ｐの反射率よりも高い媒
体構成とすることで、高密度化の適した媒体であること
が明らかとなった。FIG. 12 shows a case where the transparent substrate 5A is made of polycarbonate and the high refractive index layer 5 in the medium configuration of FIG.
B ₁ is Si (45 nm), and the low refractive index layer 5B ₂ is SiO ₂
(−), The reflectance of the mirror portion M and the pit portion P when the reflection layer 5C is made of Al (98 nm), and the SiO ₂ film thickness of the phase difference between the reflected light of the mirror portion M and the reflected light of the pit portion P. The results of optical calculation of the dependence on laser light having a wavelength of 680 [nm] are shown. As a result, when the SiO ₂ film thickness is around 110 [nm], the absolute value of the phase difference is 180 [deg], the reflectance of the pit portion P is 86 [%], and the reflectance of the mirror portion M is 5 [%]. By adopting a medium configuration in which the reflectivity of the portion M is higher than the reflectivity of the pit portion P, it has been clarified that the medium is suitable for high density.

【００７０】[0070]

【その他の実施例】図１３乃至図１５に、本発明のその
他の実施例を示す。[Other Embodiments] FIGS. 13 to 15 show another embodiment of the present invention.

【００７１】この図１３乃至図１５に示す各実施例は、
二層の金属反射層を有すると共に、第１の金属反射層に
記録ピットを形成した点に特長を備えている。Each of the embodiments shown in FIGS.
It is characterized in that it has two metal reflective layers and that recording pits are formed in the first metal reflective layer.

【００７２】まず、図１３において、情報記録媒体６
は、透明基板６Ａ上に順次被膜された第１金属反射層６
Ｂ，低屈折率層６Ｃと、この低屈折率層６Ｃの上に積層
された第２金属反射層６Ｄと、この第２金属反射層６Ｄ
上に積層された樹脂膜６Ｅとを備えている。First, in FIG. 13, the information recording medium 6
Is a first metal reflective layer 6 sequentially coated on a transparent substrate 6A.
B, a low refractive index layer 6C, a second metal reflective layer 6D laminated on the low refractive index layer 6C, and a second metal reflective layer 6D
And a resin film 6E laminated thereon.

【００７３】そして、この図１３に示す情報記録媒体６
においては、第１金属反射層６Ｂに記録ピット６Ｐを形
成した後に、低屈折率層６Ｃ，第２金属反射層６Ｄ，樹
脂層６Ｅを順次積層して媒体構成した点に特長を備えて
いる。その他の構成は前述した図７の実施例と同一とな
っている。Then, the information recording medium 6 shown in FIG.
Is characterized in that a recording pit 6P is formed in the first metal reflection layer 6B, and then a low refractive index layer 6C, a second metal reflection layer 6D, and a resin layer 6E are sequentially laminated to form a medium. Other configurations are the same as those in the embodiment of FIG. 7 described above.

【００７４】また、図１４において、情報記録媒体７
は、透明基板７Ａ上に順次被膜された第１金属反射層７
Ｂ，低屈折率層７Ｃと、この低屈折率層７Ｃの上に積層
された第２金属反射層７Ｄと、この第２金属反射層７Ｄ
上に積層された樹脂膜７Ｅとを備えている。In FIG. 14, the information recording medium 7
Is a first metal reflective layer 7 sequentially coated on a transparent substrate 7A.
B, a low refractive index layer 7C, a second metal reflective layer 7D laminated on the low refractive index layer 7C, and a second metal reflective layer 7D
And a resin film 7E laminated thereon.

【００７５】そして、この図１４に示す情報記録媒体７
においては、第１金属反射層７Ｂに記録ピット７Ｐを形
成した後に低屈折率層７Ｃを成膜して平準化処理を行
い、その後に、第２金属反射層７Ｄ，樹脂層７Ｅを順次
積層して媒体構成した点に特長を備えている。その他の
構成は前述した図９の実施例と同一となっている。Then, the information recording medium 7 shown in FIG.
In the above, after forming the recording pits 7P on the first metal reflection layer 7B, a low refractive index layer 7C is formed and leveling is performed, and then a second metal reflection layer 7D and a resin layer 7E are sequentially laminated. It has a feature in that it has a medium configuration. Other configurations are the same as those of the embodiment of FIG. 9 described above.

【００７６】更に、図１５において、情報記録媒体８
は、透明基板８Ａ上に順次被膜された第１金属反射層８
Ｂ，高屈折率層８Ｃと、この高屈折率層８Ｃの上に積層
された第２金属反射層８Ｄと、この第２金属反射層８Ｄ
上に積層された樹脂膜８Ｅとを備えている。Further, in FIG. 15, the information recording medium 8
Is a first metal reflective layer 8 sequentially coated on a transparent substrate 8A.
B, a high refractive index layer 8C, a second metal reflective layer 8D laminated on the high refractive index layer 8C, and a second metal reflective layer 8D
And a resin film 8E laminated thereon.

【００７７】そして、この図１５に示す情報記録媒体８
においては、第１金属反射層８Ｂに記録ピット８Ｐを形
成した後に、高屈折率層８Ｃ，第２金属反射層８Ｄ，樹
脂層８Ｅを順次積層して媒体構成した点に特長を備えて
いる。その他の構成は前述した図１３の実施例と同一と
なっている。Then, the information recording medium 8 shown in FIG.
Is characterized in that a medium is formed by forming a recording pit 8P on the first metal reflection layer 8B and then sequentially laminating a high refractive index layer 8C, a second metal reflection layer 8D, and a resin layer 8E. Other configurations are the same as those of the embodiment of FIG.

【００７８】図１６に、上述したその他の実施例，即ち
図１３乃至図１５に示した媒体構成において、ピット部
Ｐとミラー部Ｍの反射率，およびピット部Ｐの反射光と
ミラー部Ｍの反射光の位相差を波長６８０〔ｎｍ〕のレ
ーザ光に対して求めた光学計算の結果を示す。FIG. 16 shows the other embodiments described above, that is, in the medium configuration shown in FIGS. 13 to 15, the reflectance of the pit portion P and the mirror portion M, and the reflected light of the pit portion P and the mirror portion M. The result of optical calculation in which the phase difference of the reflected light was obtained for a laser beam having a wavelength of 680 [nm] is shown.

【００７９】この光学計算の結果により、二層の金属反
射層を有する媒体構成を用いても、プッシュプル方式を
用いた再生光学系に適した情報記録媒体６〜８を得られ
ることが判明した。As a result of the optical calculation, it was found that the information recording media 6 to 8 suitable for the reproducing optical system using the push-pull method can be obtained even when the medium configuration having the two metal reflective layers is used. .

【００８０】ここで、上記第１及び第２参考例並びに第
１及び第２実施例において、多層膜を構成する高屈折率
層および低屈折率層の各層の膜厚を、λ／4 ｎ（λはレ
ーザ光の波長、ｎは屈折率層の屈折率）もしくはこれに
近い値とすると反射鏡としてより有効に機能するものを
得ることができる。Here, the first and second reference examples and the
In the first and second embodiments , the thickness of each of the high refractive index layer and the low refractive index layer constituting the multilayer film is set to λ / 4 n (λ is the wavelength of the laser beam, and n is the refractive index of the refractive index layer). Alternatively, if the value is close to this, a mirror that functions more effectively as a reflecting mirror can be obtained.

【００８１】次に、上記各実施例における情報記録媒体
の製造方法，特に記録ピットの形成方法の一例を図１７
に基づいて説明する。Next, an example of a method of manufacturing an information recording medium in each of the above embodiments, in particular, a method of forming recording pits is shown in FIG.
It will be described based on.

【００８２】〔第１工程〕 この工程は、高屈折率層及び低屈折率層の成膜工程を示
す。この工程では、透明基板１Ａ〜８Ａ上に、記録ピッ
ト１Ｐ〜８Ｐを形成するための高屈折率層と低屈折率層
からなる多層膜１Ｂ₁₂，２Ｂ₂₁を積層し、或いは、高屈
折率層３Ｂ₁ ，４Ｂ₁ ，５Ｂ₁ のみを成膜し、又は、金
属反射層６Ｂ，７Ｂ，８Ｂをスパッタ法蒸着法等により
成膜する。[First Step] This step is a step of forming a high refractive index layer and a low refractive index layer. In this step, on a transparent substrate 1A-8A, laminated multilayer film 1B _12, 2B ₂₁ where the high refractive index layer for forming a recording pit 1P~8P made of a low refractive index layer, or the high refractive index layer Only 3B ₁ , 4B ₁ , and 5B ₁ are formed, or the metal reflective layers 6B, 7B, and 8B are formed by a sputtering deposition method or the like.

【００８３】〔第２工程〕 この工程は、スピンコート法によるレジスト塗布工程を
示す。即ち、第１工程が完了したディスクに、界面活性
剤等の吸着処理を施し、しかるのちスピンコート法を用
いてフォトレジストを塗布する。このフォトレジストの
塗布後、直ちに９０〔℃〕のオーブンで３０分間プリベ
ークを行う。[Second Step] This step shows a resist coating step by spin coating. That is, the disk on which the first step has been completed is subjected to an adsorption treatment with a surfactant or the like, and then a photoresist is applied using a spin coating method. Immediately after the application of the photoresist, prebaking is performed in an oven at 90 ° C. for 30 minutes.

【００８４】〔第３工程〕 この工程は、光や電子線等の露光工程を示す。即ち、第
２工程の完了したディスクに、密着露光法あるいはダイ
レクトカッティング法により、記録ピットの露光を行
う。[Third Step] This step is an exposure step using light, an electron beam or the like. That is, the recording pits are exposed to the disc after the completion of the second step by the close contact exposure method or the direct cutting method.

【００８５】〔第４工程〕 この工程は、アルカリ水溶液による現像工程を示す。即
ち、第３工程で露光が完了したディスクをアルカリ水溶
液によって現像処理を施す。[Fourth Step] This step shows a developing step using an aqueous alkali solution. That is, the disk that has been exposed in the third step is subjected to development processing with an aqueous alkaline solution.

【００８６】〔第５工程〕 この工程は、プラズマによる反応性エッチング工程を示
す。即ち、ＲＩＥ或いはＥＣＲ等のプラズマエッチング
によって、第１工程で成膜した層にピット部を形成す
る。エッチングガスとしては、ＣＦ₄ ，ＣＦ₄ ／Ｏ₂ ，
ＣＣｌ₄ ／Ｈｅ，ＣＣｌ₂ Ｆ₂ ／Ｎ₂ ，ＣＣｌ₄ ／ＳＦ
₆ ，ＣＢｒＦ₃ ／Ｃｌ₂ ，Ｃｌ₂ ／Ａｒ，ＣＢｒＦ₃ ，
Ｓｉｃｌ₄ ，ＣＣｌ₂ Ｆ₄ ／Ｏ₂ ，ＳｉＣｌ₄ ／Ｃ
ｌ₂ ，ＣＦ₄ ／Ｈ₂ ，ＣＨＦ₃ ，ＣＨＦ₃ ／Ｏ₂ ，ＣＨ
Ｆ₃ ／ＣＯ₂ ，ＣＨＦ₃ ／Ｃ₂ Ｆ₆ ，ＣＣｌ₄ ／Ｈｅ，
ＣＣｌ₄ ／ＢＣｌ₃ ／Ｏ₂ ，ＢＣｌ₃ ／Ｃｌ₂ ，ＢＣｌ
₃ ／ＣＣｌ₃ Ｆ／Ｈｅ，ＣＣｌ₄ ／Ｏ₂ ，ＣＦ₄ ／
Ｏ₂ ，ＳＦ₆ ／Ｃｌ₂ ，Ｃｌ₂ ／Ｈ₂等が用いられる。[Fifth Step] This step is a reactive etching step using plasma. That is, a pit portion is formed in the layer formed in the first step by plasma etching such as RIE or ECR. As an etching gas, CF ₄ , CF ₄ / O ₂ ,
CCl ₄ / He, CCl ₂ F ₂ / N ₂ , CCl ₄ / SF
₆ , CBrF ₃ / Cl ₂ , Cl ₂ / Ar, CBrF ₃ ,
Sicl ₄ , CCl ₂ F ₄ / O ₂ , SiCl ₄ / C
l ₂ , CF ₄ / H ₂ , CHF ₃ , CHF ₃ / O ₂ , CH
F ₃ / CO ₂ , CHF ₃ / C ₂ F ₆ , CCl ₄ / He,
CCl ₄ / BCl ₃ / O ₂ , BCl ₃ / Cl ₂ , BCl
₃ / CCl ₃ F / He, CCl ₄ / O ₂ , CF ₄ /
O ₂ , SF ₆ / Cl ₂ , Cl ₂ / H _{2 and the} like are used.

【００８７】〔第６乃至第７工程〕 この工程は、樹脂層の塗布および紫外線硬化工程を示
す。即ち、前述した第５工程によって記録ピット１Ｐ〜
８Ｐが形成されたディスク上に、紫外線硬化樹脂を塗布
して硬化させた後に樹脂層１Ｃ，２Ｃを直接的に形成す
る（第６Ａ工程）か、或いは残留しているフォトレジス
トをＯ₂ プラズマ等により灰化処理をして取り除いた後
に（第６Ｂ工程）、媒体構成に応じて高屈折率層，低屈
折率層，又は反射層を成膜し、その後に、樹脂層３Ｄ〜
５Ｄ，６Ｅ〜８Ｅを形成する（第７工程）。これによ
り、各実施例ではそれぞれ所定の情報記録媒体が得られ
るようになっている。[Sixth and Seventh Steps] This step shows the steps of applying a resin layer and curing with ultraviolet rays. That is, the recording pits 1P to 1P
The resin layer 1C, 2C is directly formed after applying and curing an ultraviolet curable resin on the disk on which 8P is formed (Step 6A), or the remaining photoresist is replaced with O ₂ plasma or the like. After removing by ashing treatment (step 6B), a high-refractive-index layer, a low-refractive-index layer, or a reflective layer is formed according to the medium configuration, and then the resin layers 3D to 3D are formed.
5D, 6E to 8E are formed (seventh step). Thus, in each embodiment, a predetermined information recording medium can be obtained.

【００８８】次に、上記各実施例における主要構成部材
の作用について説明する。Next, the operation of the main components in each of the above embodiments will be described.

【００８９】まず、高屈折率層および低屈折率層の繰り
返し多層膜１Ｂ₁₂，２Ｂ₂₁の光学的作用について説明す
ると、透明基板上に高屈折率層および低屈折率層の各膜
厚がλ／４若しくはこれに近い膜厚の繰り返し多層膜１
Ｂ₁₂，または低屈折率層および高屈性率層の順よりなる
λ／４若しくはこれに近い膜厚の繰り返し多層膜２Ｂ₂₁
を少なくとも一層以上積層することにより、反射鏡とし
て利用することができる。ここで、高屈折率層、低屈折
率層の膜をそれぞれＨ，Ｌと書けば、多層膜反射鏡の一
例として「空気（ｎ₀ ）−Ｈ（ＬＨ・・・・ＬＨ）−ガ
ラス（ｎ）」，略記して「空気−Ｈ（ＬＨ）^q −ガラ
ス」という構成のものがある。ここで、「ｎ₁ ＝ｎ₃ ＝
……＝ｎ_2q+1＝ｎ_H 」、「ｎ₂ ＝ｎ₄ ＝……＝ｎ_2q＝ｎ
_L 」と書けば、中心波長に対するエネルギー反射率は、
一般的な電磁場の境界条件を求める方法から、 Ｒ＝〔（ｎ₀ ｎｎ_L ^2q- ｎ_H ^2(q+1)）／（ｎ₀ ｎｎ_l ^2q＋ｎ_H ^2(q+1)）〕² ×１ ００ ………〈１〉 となる。First, the optical function of the multilayer films 1B ₁₂ and 2B ₂₁ composed of a high refractive index layer and a low refractive index layer will be described. The thickness of each of the high refractive index layer and the low refractive index layer on a transparent substrate is λ. / 4 or a multilayer film 1 having a film thickness close to this
B ₁₂ , or a repetitive multilayer film 2B _{21 having a} thickness of λ / 4 or a thickness close to λ / 4 in the order of the low refractive index layer and the high refractive index layer
Can be used as a reflector by laminating at least one layer. Here, if the films of the high-refractive-index layer and the low-refractive-index layer are written as H and L, respectively, “air (n ₀ ) -H (LH... LH) -glass (n )) ", Abbreviated as" air-H (LH) ^q -glass ". Here, “n ₁ = n ₃ =
... = N _{2q + 1} = n _H ”,“ n ₂ = n ₄ =... = N _2q = n
_{L, the} energy reflectance for the center wavelength is
From the process of finding a general field boundary conditions, R = ^{_{[(n 0 n n L 2q -}} n H 2 (q + 1)) / (n 0 n n l 2q + n H 2 (q + 1)) ] ² x 100 ... <1>

【００９０】この式〈１〉を用いてｑ＝１，２の場合の
反射率を計算すると、ｑ＝１のときＲ＝６８［％］、ｑ
＝２のときＲ＝９３［％］となる（ただし、ｎ₀ ＝１，
ｎ＝１．５２，ｎ_L ＝１．３８，ｎ_H ＝２．３５とし
た）。When the reflectance in the case of q = 1 and 2 is calculated by using this equation <1>, when q = 1, R = 68 [%], q
= 2, R = 93 [%] (where n ₀ = 1,
_{n = 1.52, n L = 1.38} , and the n _H = 2.35).

【００９１】次に、穴状の記録ピットによる光学的作用
について説明する。Next, the optical function of the hole-shaped recording pit will be described.

【００９２】高屈折率層および低屈折率層の繰り返し多
層膜に少なくとも一層以上にドライエッチングによりピ
ット形状の穴を形成し、高屈折率層，低屈折率層あるい
は両層を除去すると、ピット部に入射したレーザ光は透
過する。従って、レーザ光が記録ピット上に位置すると
き、反射光は透過光量分だけ減少し、検出系で読みだし
が可能となる（この時の検出系はヘテロダイン方式ある
いはスリービーム方式が望ましい）。When a pit-shaped hole is formed by dry etching in at least one layer of the repeated multilayer film of the high refractive index layer and the low refractive index layer, and the high refractive index layer, the low refractive index layer, or both layers are removed, the pit portion is removed. The laser light incident on is transmitted. Therefore, when the laser beam is positioned on the recording pit, the reflected light is reduced by the amount of transmitted light, and can be read out by the detection system (the detection system at this time is preferably a heterodyne system or a three-beam system).

【００９３】一方、金属膜，或いは高屈折率層および低
屈折層の繰り返し多層膜より構成される反射層を備えて
いた媒体構成にあっては、ピット部に入射したレーザ光
は記録ピット底部の反射層で反射され、未記録部で反射
されたレーザ光に対して位相差が発生し、干渉して反射
光量が低下する。従って、従来のプッシュプル方式での
再生が可能となる。On the other hand, in a medium configuration provided with a reflective layer composed of a metal film or a multilayer structure in which a high refractive index layer and a low refractive index layer are repeatedly formed, the laser beam incident on the pit portion is located at the bottom of the recording pit. A phase difference is generated with respect to the laser light reflected by the reflection layer and reflected by the unrecorded portion, and the laser light interferes to reduce the amount of reflected light. Therefore, reproduction by the conventional push-pull method becomes possible.

【００９４】また、上述した製造工程においては、前述
した従来の光ディスクの原盤作成において、フォトレジ
ストの露光および現像で記録ピットを形成していたが、
上記実施例による情報記録媒体においては、記録ピット
形成用に用いられていたポジ型のフォトレジストをガウ
ス状の露光状態を逆用してドライエッチングのマスクと
して利用することにより、露光ビーム径よりも小さな記
録ピットを形成することができ、これによって情報記録
に際しての高密度化が可能となる。In the above-described manufacturing process, recording pits are formed by exposing and developing a photoresist in the above-described conventional master making of an optical disk.
In the information recording medium according to the above embodiment, the positive photoresist used for forming the recording pits is used as a mask for dry etching by reversing the Gaussian exposure state, so that the exposure beam diameter is smaller than the exposure beam diameter. Small recording pits can be formed, which enables high-density recording of information.

【００９５】更に、上記露光工程において、情報記録媒
体をダイレクトレーザカッテング法により、一枚ずつ製
作することも可能であるが、まず上述したドライエッチ
ング法を用いて、高密度高精度のフォトマスクを製作
し、密着露光法により大量生産することも可能である。Further, in the above-mentioned exposure step, it is possible to manufacture an information recording medium one by one by a direct laser cutting method. First, a high-density and high-precision photomask is formed by using the above-mentioned dry etching method. It can be manufactured and mass-produced by the contact exposure method.

【００９６】そして、上記各実施例に於ける各情報記録
媒体は、高屈折率および低屈折率の誘電体を用いて製作
できるため、長期のデータ保存に関する優れた信頼性を
有する。Each information recording medium in each of the above-described embodiments can be manufactured using a dielectric material having a high refractive index and a low refractive index, and thus has excellent reliability for long-term data storage.

【００９７】また、上記実施例に於ける各情報記録媒体
は、記録ピットをレーザ光を透過する媒体構成とするこ
とにより、未記録部の反射面と記録部の透過面の間に光
学的な位相差が存在しないため、超解像光学系より再生
用媒体として優れたものとなっている。In each of the information recording media in the above embodiments, the recording pits are configured to transmit laser light, so that an optical recording medium is provided between the reflection surface of the unrecorded portion and the transmission surface of the recorded portion. Since there is no phase difference, it is superior to a super-resolution optical system as a reproducing medium.

【００９８】ここで、上記各実施例において、透明基板
１〜８としてＳｉＯ₂ を用いた場合を例示したが、本発
明は透明基板の素材をＳｉＯ₂ に限定するものではな
く、例えばポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポ
リカーボネート（ＰＣ）、非結晶質ポリオレフィン（Ａ
ＰＯ）、エポキシ等の熱可逆性樹脂を用いたものであっ
てもよい。Here, in each of the above embodiments, the case where SiO ₂ is used as the transparent substrates 1 to 8 has been exemplified. However, the present invention is not limited to the material of the transparent substrate being SiO _2. For example, polymethyl methacrylate is used. (PMMA), polycarbonate (PC), amorphous polyolefin (A
PO) or a thermoreversible resin such as epoxy.

【００９９】また、上記各実施例においては、反射膜を
Ａｌとしたが、これは６８０〔ｎｍ〕のレーザ光に対し
て、反射率が高いことを利用したものであり反射膜をＡ
ｌに限定するものではない。Ａｌの外に、Ａｇ，Ａｕ，
Ｃｕ，Ｉｎ，Ｔｉ，Ｖ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，
Ｆｅ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐ
ｔを少なくとも一種類以上用いるか、或いはＳｉ，Ｇ
ｅ，等の半導体や透明誘電体と組み合わせることで、多
層膜による干渉によって、特定の波長の光について反射
率を大きくするようにしても良い。In each of the above embodiments, the reflective film is made of Al. This is because the reflectivity is high for a laser beam of 680 [nm].
It is not limited to 1. In addition to Al, Ag, Au,
Cu, In, Ti, V, Nb, Cr, Mo, W, Mn,
Fe, Ru, Os, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, P
t is used in at least one kind, or Si, G
By combining with a semiconductor such as e, a transparent dielectric, or the like, the reflectance of light of a specific wavelength may be increased by interference by a multilayer film.

【０１００】ここで、上記各実施例にあって、高屈折率
層をアモルファスＳi の水素含有合金で形成してもよ
い。この場合、アモルファスＳi の水素含有合金は、そ
の膜厚方向の平均組成を一般式「Ｓi _1-X Ｈ_X 」で表し
た場合に、ｘが原子パーセントで「28／47≦ｘ≦28／2
9」の範囲に設定されたものが使用される。また、この
場合、屈折率では「4.0 ≦ｎｘ≦4.5 」の範囲のものと
なる。Here, in each of the above embodiments, the high refractive index layer may be formed of an amorphous Si hydrogen-containing alloy. In this case, when the average composition in the film thickness direction of the amorphous Si hydrogen-containing alloy is represented by the general formula “Si _1-X H _X ”, x is atomic percent and “28/47 ≦ x ≦ 28/2”.
9 "is used. In this case, the refractive index is in the range of “4.0 ≦ nx ≦ 4.5”.

【０１０１】更に、上記各実施例にあって、高屈折率層
を微結晶化Ｓi の水素含有合金で形成してもよい。この
場合、微結晶化Ｓi の水素含有合金は、その膜厚方向の
平均組成を一般式「Ｓi _1-X Ｈ_X 」で表した場合に、ｘ
が原子パーセントで「28／47≦ｘ≦28／37」の範囲に設
定されたものが使用される。また、この場合、屈折率で
は「3.3 ≦ｎｘ≦3.5 」の範囲のものとなる。Further, in each of the above embodiments, the high refractive index layer may be formed of a microcrystalline Si-containing hydrogen-containing alloy. In this case, when the average composition in the film thickness direction of the hydrogen-containing alloy of microcrystallized Si is represented by the general formula “Si _1-X H _X ”, x
Is set in the range of “28/47 ≦ x ≦ 28/37” in atomic percent. In this case, the refractive index is in the range of “3.3 ≦ nx ≦ 3.5”.

【０１０２】また、上記各実施例にあって、高屈折率層
をアモルファスＳi Ｃの水素含有合金で形成してもよ
い。この場合、アモルファスＳi Ｃの水素含有合金は、
その膜厚方向の平均組成を一般式「（Ｓi Ｃ）
_1-X Ｈ_X 」で表した場合に、ｘが原子パーセントで「40
／49≦ｘ≦40／41」の範囲に設定されたものが使用され
る。また、この場合、屈折率では「3.1 ≦ｎｘ≦4.1 」
の範囲のものとなる。In each of the above embodiments, the high refractive index layer may be formed of an amorphous SiC hydrogen-containing alloy. In this case, the amorphous SiC hydrogen-containing alloy is:
The average composition in the film thickness direction is represented by the general formula “(SiC)
_1-X H _X , x is “40
/ 49 ≦ x ≦ 40/41 ”is used. In this case, the refractive index is “3.1 ≦ nx ≦ 4.1”.
Of the range.

【０１０３】更に、上記各実施例にあって、高屈折率層
をアモルファスＳi Ｇe の水素含有合金で形成してもよ
い。この場合、アモルファスＳi Ｇe の水素含有合金
は、その膜厚方向の平均組成を一般式「（Ｓi Ｇe ）
_1-X Ｈ_X 」で表した場合に、ｘが原子パーセントで「50
3 ／598 ≦ｘ≦503 ／518 」の範囲に設定されたものが
使用される。また、この場合、屈折率では「3.2 ≦ｎｘ
≦3.8 」の範囲のものとなる。Further, in each of the above embodiments, the high refractive index layer may be formed of amorphous SiGe hydrogen-containing alloy. In this case, the amorphous SiGe hydrogen-containing alloy has an average composition in the film thickness direction represented by the general formula “(SiGe)
_When expressed as _1-X H _X , x is “50
3/598 ≦ x ≦ 503/518 ”is used. In this case, the refractive index is “3.2 ≦ nx
≦ 3.8 ”.

【０１０４】また、上記各実施例にあって、高屈折率層
をアモルファスＳi の窒化物で形成してもよい。この場
合、アモルファスＳi の窒化物の高屈折率層は、その膜
厚方向の平均組成を一般式「Ｓi _1-X Ｎ_X 」で表した場
合に、ｘが原子パーセントで「0 ≦ｘ≦4 ／7 」の範囲
に設定されたものが使用される。また、この場合、屈折
率では「2.0 ≦ｎｘ≦3.82」の範囲のものとなる。In each of the above embodiments, the high refractive index layer may be formed of an amorphous Si nitride. In this case, when the average composition in the film thickness direction of the high refractive index layer of the amorphous Si nitride is represented by the general formula “Si _1-X N _x ”, x is atomic percent and “0 ≦ x ≦ 4 / 7 "is used. In this case, the refractive index is in a range of “2.0 ≦ nx ≦ 3.82”.

【０１０５】また、上記各実施例にあって、高屈折率層
をアモルファスＳi の酸化物で形成してもよい。この場
合、アモルファスＳi の酸化物の高屈折率層は、その膜
厚方向の平均組成を一般式「Ｓi _1-X Ｏ_X 」で表した場
合に、ｘが原子パーセントで「0 ≦ｘ≦2 ／3 」の範囲
に設定されたものが使用される。また、この場合、屈折
率では「1.46≦ｎｘ≦3.82」の範囲のものとなる。Further, in each of the above embodiments, the high refractive index layer may be formed of an amorphous Si oxide. In this case, when the average composition in the film thickness direction of the high refractive index layer of the amorphous Si oxide is represented by the general formula “Si _1-X O _x ”, x is atomic percent and “0 ≦ x ≦ 2”. / 3 ”is used. In this case, the refractive index is in the range of “1.46 ≦ nx ≦ 3.82”.

【０１０６】更に又、上記各実施例にあって、高屈折率
層を、屈折率がｎ＜1.5 である低屈折率の媒体と，屈折
率が 1.5≦ｎ＜3.0 である高屈折率の媒体，および屈折
率がｎ≧3.0 である高屈折率層の媒体の、少なくとも屈
折率の異なる２種類以上の媒体を混ぜ合わせるとにより
形成される均質な中間の屈折率を備えたもので形成して
もよい。Further, in each of the above embodiments, the high refractive index layer is composed of a low refractive index medium having a refractive index of n <1.5 and a high refractive index medium having a refractive index of 1.5 ≦ n <3.0. , And a medium of a high refractive index layer having a refractive index of n ≧ 3.0, which has a uniform intermediate refractive index formed by mixing at least two types of media having different refractive indexes. Is also good.

【０１０７】この場合、屈折率が「ｎ＜1.5 」である低
屈折率の媒体としては、ＬｉＦ(1.39)，ＮａＦ(1.31)，
ＫＦ(1.32)，ＲｂＦ(1.40)，ＣｓＦ(1.48)，ＣａＦ(1.3
2)，ＲｂＣｌ(1.48)，ＭｇＦ₂ (1.38)，ＣａＦ₂ (1.4
3)，ＳｒＦ₂ (1.44)，ＢａＦ₂ (1.47)，ＢａＭｇＦ
₄ (1.47)，ＬｉＹＦ₄(1.45),Ｎａ₂ ＳｂＦ₅(1.47) ，Ｓ
ｉＯ₂(1.46)，ＲｂＣｌＯ₃(1.46) ，ＮＨ₄ ＣｌＯ₄(1.4
8) ，ＬｉＣｌＯ₄ ・3 Ｈ₂ Ｏ(1.48)，ＫＢ₅ Ｏ₈ ・４
Ｈ₂ Ｏ(1.49)，ＮＨ₄ Ｂ₅ Ｏ₈ ・４Ｈ₂ Ｏ(1.42)，Ｂｅ
ＳＯ₄・４Ｈ₂ Ｏ(1.47)，Ｌｉ₂ ＳＯ₄ ・Ｈ₂ Ｏ(1.4
6)，Ｌｉ₂ ＳｅＯ₄ ・Ｈ₂ Ｏ(1.46)，ＬｉＫＳＯ₄(1.4
6)，ＬｉＮａＳＯ₄(1.47) ，( ＮＨ₄ ＣＨ₃ ）Ａｌ( Ｓ
Ｏ₂ ）・１２Ｈ₂ Ｏ(1.46)，ＫＮａ( Ｃ₄ Ｈ₄ Ｏ₆ ）・
４Ｈ₂ Ｏ(1.49)，（ＣＨ₂ ・ＣＦ₂ ）ｎ(1.43)が望まし
い。ここで、( )内は屈折率を示す。In this case, as a medium having a low refractive index having a refractive index of “n <1.5”, LiF (1.39), NaF (1.31),
KF (1.32), RbF (1.40), CsF (1.48), CaF (1.3
2), RbCl (1.48), MgF ₂ (1.38), CaF ₂ (1.48)
3), SrF ₂ (1.44), BaF ₂ (1.47), BaMgF
₄ (1.47), LiYF ₄ (1.45), Na ₂ SbF ₅ (1.47), S
iO ₂ (1.46), RbClO ₃ (1.46), NH ₄ ClO ₄ (1.4
_{8), LiClO 4 · 3 H} 2 O (1.48), KB 5 O 8 · 4
_{H 2 O (1.49), NH} 4 B 5 O 8 · 4H 2 O (1.42), Be
_{SO 4 · 4H 2 O (1.47} ), Li 2 SO 4 · H 2 O (1.4
6), Li ₂ SeO ₄ .H ₂ O (1.46), LiKSO ₄ (1.4
6), LiNaSO ₄ (1.47), (NH ₄ CH ₃ ) Al (S
_{O 2) · 12H 2 O (} 1.46), KNa (C 4 H 4 O 6) ·
4H ₂ O (1.49) and (CH ₂ · CF ₂ ) n (1.43) are desirable. Here, the parentheses indicate the refractive index.

【０１０８】この内、特に望ましいものは、ＣａＦ，Ｌ
ｉＦ，ＮａＦ，ＫＦ，ＭｇＦ₂ ，ＳｉＯ₂ である。Of these, CaF, L is particularly desirable.
iF, NaF, KF, MgF ₂ and SiO ₂ .

【０１０９】また、屈折率が「1.5 ≦ｎ＜3.0 」の屈折
率層としては、ダイヤモンドカーボン(2.0) ，ＴｈＦ₄
(1.5) ，ＮｄＦ₃ (1.61), ＣｅＦ₃ (1.63), ＰｂＦ
₃ (1.77),The refractive index layer having a refractive index of “1.5 ≦ n <3.0” includes diamond carbon (2.0), ThF ₄
(1.5), NdF ₃ (1.61), CeF ₃ (1.63), PbF
₃ (1.77),

【０１１０】ＭｇＯ(1.74)，ＺｎＯ(1.99)，ＢｅＯ(1.7
2)，Ｓｉ₂ Ｏ₃(1.55),ＳｉＯ(2.0),ＴｈＯ₂(1.86) ，Ｔ
ｉＯ₂(1.9)，ＴｅＯ₂ (2.27)，Ａｌ₂ Ｏ₃ (1.54), Ｙ₂
Ｏ₃(1.92), Ｌａ₂ Ｏ₃ (1.9) ，ＣｅＯ₂ (2.2) ，Ｚｒ
Ｏ₂(1.97) ，Ｔａ₂ Ｏ₅(2.1)，ＰｂＯ(2.6),Ｌａ₂ Ｏ₂
Ｓ(2.16)，ＬｉＧａＯ₂(1.76) ，ＢａＴｉＯ₃(2.37)，
ＳｒＴｉＯ₃ (2.4) ，ＰｂＴｉＯ₃ (2.67), ＫＮｂＯ₃
(2.33),Ｋ( Ｔａ. Ｎｂ) Ｏ₃ (2.29), ＬｉＮｂＯ₃ (2.
30), ＬｉＴａＯ₃ (2.175),Ｐｂ( Ｍｇ_1/3 Ｎｂ_2/3 )
Ｏ₃ (2.56), Ｐｂ( Ｍｇ_1/3 Ｔａ_2/3 ) Ｏ₃ (2.40)，Ｐ
ｂ( Ｚｎ_1/3 Ｎｂ_2/3 ) Ｏ₃ (2.54), ( Ｐｂ，Ｌａ)(Ｚ
ｒ，Ｔｉ) Ｏ₂ (2.51)，ＰｂＧｅＯ₃ (2.02), Ｌｉ₂ Ｇ
ｅＯ₃(1.68),ＹＡｌＯ₃ (1.93), ＭｇＡｌ₂ Ｏ₄ (1.7
3)，ＢｅＡｌ₂ Ｏ₄ (1.74)，ＣｏＦｅ₂ Ｏ₄ (2.37)，Ｌ
ａ₂ Ｂｅ₂ Ｏ₅ (1.96)，( Ｓｒ, Ｂａ) Ｎｂ₂ Ｏ₆ (2.3
1)，Ｌａ₂ Ｔｉ₂ Ｏ₇ (2.25)，Ｎｄ₂ Ｔｉ₂ Ｏ₇ (2.1
5)，Ｂａ₂ ＴｉＳｉ₂ Ｏ₈ (1.762) ，Ｐｂ₅ Ｇｅ₃ Ｏ₁₁
(2.12)，ＰｂＮｂ₄ Ｏ₁₁(2.41)，Ｂｉ₄ Ｔｉ₃ Ｏ₁₂(2.7
0)，Ｂｉ₄ Ｇｅ₃ Ｏ₁₂(2.07)，Ｂｉ₄ Ｓｉ₃ Ｏ₁₂(2.0
2)，Ｙ₃ Ａｌ₅ Ｏ₁₂(1.83)，Ｙ₃ Ｇａ₅ Ｏ₁₂(1.93)，Ｙ
₃ Ｆｅ₅ Ｏ₁₂(2.22)，Ｇｄ₃ Ｇａ₅ Ｏ₁₂(1.96)，ＧｄＦ
ｅ₅ Ｏ₁₂(2.20)，( Ｇｄ, Ｂｉ) Ｆｅ₅ Ｏ₁₂(2.20)，Ｂ
ａ₂ ＮａＮｂ₅ Ｏ₁₂(2.26)，Ｐｂ₂ ＫＮｂ₅ Ｏ₁₂（2.4
6) ，Ｓｒ₂ ＫＮｂ₅ Ｏ₁₅(2.25)，Ｂａ₂ ＬｉＮｂ₅ Ｏ
₁₅（ 2.32 ），Ｋ₃ Ｌｉ₂ Ｎｂ₅ Ｏ₁₅(2.21)，Ｂａ₃ Ｔ
ｉＮｂ₄ Ｏ₁₅(2.36)，Ｂｉ₁₂ＧｅＯ₂₀(2.55)，Ｂｉｌ₂
ＳｉＯ₂₀(2.54)，Ｃａ₁₂Ａｌ₁₄Ｏ₃₃(1.61),MgO (1.74), ZnO (1.99), BeO (1.7
2), Si ₂ O ₃ (1.55), SiO (2.0), ThO ₂ (1.86), T
iO ₂ (1.9), TeO ₂ (2.27), Al ₂ O ₃ (1.54), Y ₂
O ₃ (1.92), La ₂ O ₃ (1.9), CeO ₂ (2.2), Zr
O ₂ (1.97), Ta ₂ O ₅ (2.1), PbO (2.6), La ₂ O ₂
S (2.16), LiGaO ₂ (1.76), BaTiO ₃ (2.37),
SrTiO ₃ (2.4), PbTiO ₃ (2.67), KNbO ₃
(2.33), K (Ta. Nb) O ₃ (2.29), LiNbO ₃ (2.
30), LiTaO ₃ (2.175), Pb (Mg _1/3 Nb _2/3 )
O ₃ (2.56), Pb (Mg _1/3 Ta _2/3 ) O ₃ (2.40), P
b (Zn _1/3 Nb _2/3 ) O ₃ (2.54), (Pb, La) (Z
r, Ti) O ₂ (2.51), PbGeO ₃ (2.02), Li ₂ G
eO ₃ (1.68), YAlO ₃ (1.93), MgAl ₂ O ₄ (1.7
3), BeAl ₂ O ₄ (1.74), CoFe ₂ O ₄ (2.37), L
a ₂ Be ₂ O ₅ (1.96), (Sr, Ba) Nb ₂ O ₆ (2.3
1), La ₂ Ti ₂ O ₇ (2.25), Nd ₂ Ti ₂ O ₇ (2.1
5), Ba ₂ TiSi ₂ O ₈ (1.762), Pb ₅ Ge ₃ O ₁₁
(2.12), PbNb ₄ O ₁₁ (2.41), Bi ₄ Ti ₃ O ₁₂ (2.7
0), Bi ₄ Ge ₃ O ₁₂ (2.07), Bi ₄ Si ₃ O ₁₂ (2.0
2), Y ₃ Al ₅ O ₁₂ (1.83), Y ₃ Ga ₅ O ₁₂ (1.93), Y
₃ Fe ₅ O ₁₂ (2.22), Gd ₃ Ga ₅ O ₁₂ (1.96), GdF
e ₅ O ₁₂ (2.20), (Gd, Bi) Fe ₅ O ₁₂ (2.20), B
a ₂ NaNb ₅ O ₁₂ (2.26), Pb ₂ KNb ₅ O ₁₂ (2.4
6), Sr ₂ KNb ₅ O ₁₅ (2.25), Ba ₂ LiNb ₅ O
₁₅ (2.32), K ₃ Li ₂ Nb ₅ O ₁₅ (2.21), Ba ₃ T
iNb ₄ O ₁₅ (2.36), Bi ₁₂ GeO ₂₀ (2.55), Bill ₂
SiO ₂₀ (2.54), Ca ₁₂ Al ₁₄ O ₃₃ (1.61),

【０１１１】ＡｇＣｌ(1.98)，ＴｌＣｌ(2.19)，ＣｕＣ
ｌ(1.99)，ＬｉＢｒ(1.78)，ＮａＢｒ(1.64)，ＫＢｒ
(1.53)，ＣｓＢｒ(1.66)，ＡｇＢｒ(2.25)，ＴｌＢｒ
(2.34)，ＣｕＢｒ(2.16)，ＮａＩ(1.77)，ＫＩ(1.64)，
ＣｓＩ(1.73)，ＡｇＩ(2.18)，ＴｌＩ(2.78)，ＣｕＩ
(2.34)，Ｔｌ( Ｂｒ, Ｉ)(2.20) ，Ｔｌ( ＣＬ, Ｂｒ)
(2.40) ，ＰｂＦ₂ (1.77)，Ｈｇ₂ Ｃｌ₂ (2.62)，Ｌａ
Ｆ₃ (1.82)，ＣｓＰｂＣｌ₃ (1.94)，ＢａＭｇＦ₄ (1.4
7)，ＢａＺｎＦ₄ (1.51)，Ａｇ₂ ＨｇＩ₄ (2.4) ，Ｎａ
ＣｌＯ₃ (1.51)，ＮａＢｒＯ₃ (1.59)，ＣｄＨｇ( ＳＣ
Ｎ)₄ (2.04) ，AgCl (1.98), TlCl (2.19), CuC
1 (1.99), LiBr (1.78), NaBr (1.64), KBr
(1.53), CsBr (1.66), AgBr (2.25), TlBr
(2.34), CuBr (2.16), NaI (1.77), KI (1.64),
CsI (1.73), AgI (2.18), TlI (2.78), CuI
(2.34), Tl (Br, I) (2.20), Tl (CL, Br)
(2.40), PbF ₂ (1.77), Hg ₂ Cl ₂ (2.62), La
F ₃ (1.82), CsPbCl ₃ (1.94), BaMgF ₄ (1.4
7), BaZnF ₄ (1.51), Ag ₂ HgI ₄ (2.4), Na
ClO ₃ (1.51), NaBrO ₃ (1.59), CdHg (SC
N) ₄ (2.04),

【０１１２】ＺｎＳｉＰ₂ (2.95)，ＺｎＳ(2.37)，Ｚｎ
Ｓｅ(2.61)，ＣｄＳｉＰ₂ (2.95)，ＣｄＳ(2.49)，Ｃｄ
Ｓｅ(2.64)，ＣｄＴｅ(2.61)，ＨｇＳ(2.89)，ＧａＳｅ
(2.98)，ＬｉＩｎＳ₂ (2.23)，ＬｉＩｎＳｅ₂ (2.45)，
ＣｕＡｌＳ₂ (2.48)，ＣｕＡｌＳｅ₂ (2.64)，ＣｕＡｌ
Ｔｅ₂ (2.99)，ＣｕＩｎＳ₂ (2.53)，ＣｕＩｎＳｅ₂(2.
70)，ＣｕＧａＳ₂ (2.49)，ＣｕＧａＳｅ₂ (2.72)，Ａ
ｇＡｌＳ₂ (2.42)，ＡｇＡｌＳｅ₂ (2.59)，ＡｇＡｌＴ
ｅ₂ (2.90)，ＡｇＩｎＳ₂ (2.46)，ＡｇＩｎＳｅ₂ (2.6
4)，ＡｇＩｎＴｅ₂ (2.97)，ＡｇＧａＳ₂ (2.38)，Ａｇ
ＧａＳｅ₂ (2.61)，ＡｇＧａＴｅ₂ (2.94)，ＧｅＳ
₃ (2.11)，Ａｓ₂ Ｓ₃ (2.61)，Ａｓ₂ Ｓｅ₃(2.89)，Ａ
ｇ₃ ＡｓＳ₃ (2.59)，ＣｄＧａ₂ Ｓ₃₄(2.395),Ｔｌ₃ Ｔ
ａＳ₄ (2.4 )，Ｔｌ₃ ＴａＳｅ₄ (2.71)，Ｔｌ₃ ＶＳ₄
(2.95)，Ｔｌ₃ ＡｓＳ₄ (2.65)Ｔｌ₃ＡｓＳｅ₄ (2.9
3)，Ｔｌ₃ ＰＳｅ₄ (2.93)，ZnSiP ₂ (2.95), ZnS (2.37), Zn
Se (2.61), CdSiP ₂ (2.95), CdS (2.49), Cd
Se (2.64), CdTe (2.61), HgS (2.89), GaSe
(2.98), LiInS ₂ (2.23), LiInSe ₂ (2.45),
CuAlS ₂ (2.48), CuAlSe ₂ (2.64), CuAl
Te ₂ (2.99), CuInS ₂ (2.53), CuInSe ₂ (2.
70), CuGaS ₂ (2.49), CuGaSe ₂ (2.72), A
gAlS ₂ (2.42), AgAlSe ₂ (2.59), AgAlT
e ₂ (2.90), AgInS ₂ (2.46), AgInSe ₂ (2.6
4), AgInTe ₂ (2.97), AgGaS ₂ (2.38), Ag
GaSe ₂ (2.61), AgGaTe ₂ (2.94), GeS
₃ (2.11), As ₂ S ₃ (2.61), As ₂ Se ₃ (2.89), A
g ₃ AsS ₃ (2.59), CdGa ₂ S ₃₄ (2.395), Tl ₃ T
aS ₄ (2.4), Tl ₃ TaSe ₄ (2.71), Tl ₃ VS ₄
(2.95), Tl ₃ AsS ₄ (2.65) Tl ₃ AsSe ₄ (2.9
3), Tl ₃ PSe ₄ (2.93),

【０１１３】ＧａＮ(1.55)，Ｓｉ₃ Ｎ₄ (2.0) ，ＣａＣ
ｏ₃ (1.65)，ＮａＮＯ₃ (1.60)，Ｂａ( ＮＯ₃ )₂ (1.5
7) ，Ｓｒ( ＮＯ₃ )₂ (1.58) ，Ｐｂ( ＮＯ₃ )₂ (1.78)
，ＮａＮＯ₂ (1.65)，Ｓｒ( ＮＯ₂ )₂・Ｈ₂ Ｏ(1.5
6)，ＬｉＩＯ₃ (1.89)，ＫＩＯ₃(1.70)，ＮＨ₄ ＩＯ
₃ (1.78)，ＫＩＯ₂ Ｆ₂ (1.62)，ＫＩＯ₃ ・ＨＩＯ
₃ (1.98)，Ｋ₂ Ｈ( ＩＯ₃ )₂Ｃｌ(1.88)，ＬｉＢ₄ Ｏ₇
(1.61)，GaN (1.55), Si ₃ N ₄ (2.0), CaC
o ₃ (1.65), NaNO ₃ (1.60), Ba (NO ₃ ) ₂ (1.5
7), Sr (NO ₃ ) ₂ (1.58), Pb (NO ₃ ) ₂ (1.78)
, NaNO ₂ (1.65), Sr (NO ₂ ) ₂ .H ₂ O (1.5
6), LiIO ₃ (1.89), KIO ₃ (1.70), NH ₄ IO
₃ (1.78), KIO ₂ F ₂ (1.62), KIO ₃ · HIO
₃ (1.98), K ₂ H (IO ₃ ) ₂ Cl (1.88), LiB ₄ O ₇
(1.61),

【０１１４】Ｋ₂ Ｍｎ₂ ( ＳＯ₄ )₃(1.57)，Ｒｂ₂ Ｍｎ
₂ ( ＳＯ₄ )₃(1.60)，Ｔｌ₂ Ｍｎ₂( ＳＯ₄ )₃ (1.80)
，( ＮＨ₄ )₂Ｍｎ₂ ( ＳＯ₄ )₃(1.52)，( ＮＨ₄ )₂Ｃ
ｄ₂(ＳＯ₄ )₃(1.57)，ＬｉＨ₃ ( ＳｅＯ₃ )₂(1.74)，Ｒ
ｂＨ₃ ( ＳｅＯ₃ )₂(1.67)，ＮＨ₄ Ｈ₃ ( ＳｅＯ₃ )
₂(1.68)，Ｓｒ₂ Ｓ₂ Ｏ₆ ・₄ Ｈ₂ Ｏ(1.53)，ＫＨ₂ Ｐ
Ｏ₄ (1.51)，ＫＤ₂ ＰＯ₄ (1.51)，ＮＨ₄ Ｈ₂ ＰＯ
₄ (1.52)，ＮＤ₄ Ｄ₂ ＰＯ₄ (1.52)，ＲｂＨ₂ ＰＯ
₄ (1.51)，ＫＨ₂ ＡｓＯ₄ (1.57)，ＫＤ₂ ＡｓＯ₄ (1.5
6)，ＮＨ₄ Ｈ₂ＡｓＯ₄ (1.58)，ＲｂＨ₂ ＡｓＯ₄ (1.5
6)，ＲｂＤ₂ ＡｓＯ₄ (1.57)，ＣｓＨ₂ＡｓＯ₄ (1.5
7)，ＣｓＤ₂ ＡｓＯ₄ (1.55)，ＫＴｉＯＰＯ₄ (1.74)，
ＲｂＴｉＯＰＯ₄ (1.75)，(Ｋ, Ｒｂ) ＲｂＴｉＯＰＯ
₄ (1.75)，Ｃａ₅ ( ＰＯ₄ )₃Ｆ(1.63)，Ｃａ₄ Ｌａ(Ｐ
Ｏ₄ )₃Ｏ(1.70)，ＬｉＮｄＰ₄ Ｏ₁₂(1.60)，ＫＮｄＰ₄
Ｏ₁₂(1.59)，ＮｄＰ₅Ｏ₁₄(1.59),K ₂ Mn ₂ (SO ₄ ) ₃ (1.57), Rb ₂ Mn
₂ (SO ₄ ) ₃ (1.60), Tl ₂ Mn ₂ (SO ₄ ) ₃ (1.80)
, (NH ₄ ) ₂ Mn ₂ (SO ₄ ) ₃ (1.52), (NH ₄ ) ₂ C
d ₂ (SO ₄ ) ₃ (1.57), LiH ₃ (SeO ₃ ) ₂ (1.74), R
bH ₃ (SeO ₃ ) ₂ (1.67), NH ₄ H ₃ (SeO ₃ )
_{2 (1.68), Sr 2 S} 2 O 6 · 4 H 2 O (1.53), KH 2 P
O ₄ (1.51), KD ₂ PO ₄ (1.51), NH ₄ H ₂ PO
₄ (1.52), ND ₄ D ₂ PO ₄ (1.52), RbH ₂ PO
₄ (1.51), KH ₂ AsO ₄ (1.57), KD ₂ AsO ₄ (1.5
6), NH ₄ H ₂ AsO ₄ (1.58), RbH ₂ AsO ₄ (1.5
6), RbD ₂ AsO ₄ (1.57), CsH ₂ AsO ₄ (1.5
7), CsD ₂ AsO ₄ (1.55), KTiOPO ₄ (1.74),
RbTiOPO ₄ (1.75), (K, Rb) RbTiOPO
₄ (1.75), Ca ₅ (PO ₄ ) ₃ F (1.63), Ca ₄ La (P
O ₄ ) ₃ O (1.70), LiNdP ₄ O ₁₂ (1.60), KNdP ₄
O ₁₂ (1.59), NdP ₅ O ₁₄ (1.59),

【０１１５】ＣａＭｏＯ₄(1.99) ，ＰｂＭｏＯ₄(2.41)
，ＣａＷＯ₄(1.92) ，ＺｎＷＯ₄(2.14) ，Ｇｄ₂(Ｍｏ
Ｏ₄)₃(1.843)，Ｔｂ₂(ＭｏＯ₄ )₃(1.848) ，Ｂｉ₂ ( Ｍ
ｏＯ₄)₃ (2.28) ，Ｋ₅ ( Ｂｉ，Ｎｄ)(ＭｏＯ₄)₄(1.79)
，Ｐｂ₂ ＭｏＯ₅(2.18) ，Ｂｉ₂ ＷＯ₆ (2.5) ，ＹＶ
Ｏ₄ (2.00)，Ｃａ₃ ( ＶＯ₄ )₂(1.86)，Ｐｂ₅(ＧｅＯ₄)
(ＶＯ₄ )₂ (2.28) ，CaMoO ₄ (1.99), PbMoO ₄ (2.41)
, CaWO ₄ (1.92), ZnWO ₄ (2.14), Gd ₂ (Mo
O ₄ ) ₃ (1.843), Tb ₂ (MoO ₄ ) ₃ (1.848), Bi ₂ (M
oO ₄ ) ₃ (2.28), K ₅ (Bi, Nd) (MoO ₄ ) ₄ (1.79)
, Pb ₂ MoO ₅ (2.18), Bi ₂ WO ₆ (2.5), YV
O ₄ (2.00), Ca ₃ (VO ₄ ) ₂ (1.86), Pb ₅ (GeO ₄ )
(VO ₄ ) ₂ (2.28),

【０１１６】Ｇｄ₂ ＳｉＯ₅ (1.9) ，Ａｌ₂ ( ＳｉＯ₄)
Ｆ(1.63)，ＣａＹ₄ ( ＳｉＯ₄ )₃Ｏ(1.83)，ＣａＬａ₄
( ＳｉＯ₄ )₃Ｏ(1.86)，ＳｒＬａ₄ ( ＳｉＯ₄ )₃Ｏ(1.7
9)，( ＮａＣａ) Ｌｉ( Ａ，ＦｅＭｎ)₈(1.65)，Ｂｅ₃
Ａｌ₂ Ｓｉ₆ Ｏ₁₈(1.57)，Gd ₂ SiO ₅ (1.9), Al ₂ (SiO ₄ )
F (1.63), CaY ₄ (SiO ₄ ) ₃ O (1.83), CaLa ₄
(SiO ₄ ) ₃ O (1.86), SrLa ₄ (SiO ₄ ) ₃ O (1.7
9), (NaCa) Li ( A, FeMn) 8 (1.65), Be 3
Al ₂ Si ₆ O ₁₈ (1.57),

【０１１７】Ｃ₁₄Ｈ₁₀(1.55), Ｃ₂₄Ｈ₁₈(1.52), ＣＯ(
ＮＨ₂)₂(1.60) ，Ｂａ( ＣＯＯＨ₎₂(1.57)，Ｓｒ( ＣＯ
ＯＨ)₂(1.55)，Ｐｂ₂ Ｓｒ( ＣＨ₃ ＣＨ₂ ＣＯＯ)₆(1.4
9)，Ｃ₄ Ｈ₆ Ｏ₆(1.49) ，( ＮＨ₄ ＣＨ₂ ＣＯＯＨ)₃Ｈ
₂ ＳＯ₄(1.56) ，Ｃ₄ Ｈ₃ Ｎ₃ Ｏ₄ (1.52)，( ＣＨ₂)₆
Ｎ₄(1.59) ，( Ｃ₆ Ｈ₅ ＣＯ)₂(1.84)，Ｃ₆ Ｈ₄ ＮＯ₂
ＮＨ₂ (1.76)，Ｃ₆ Ｈ₄(ＯＨ)₂(1.59)，Ｃ₆ Ｈ₄(ＮＨ₄)
ＯＨ(1.67)，Ｃ₅ Ｈ₃ＮＯＣＨ₃ ＮＯ₂ (1.71)，Ｃ₆ Ｈ
₄ ( ＣＯ₂ )₂ＨＣｓ(1.67)，Ｃ₆ Ｈ₄(ＣＯ₂₎₂ＨＲｂ(1.
66)，Ｃ₆ Ｈ₃ ＮＯ₂ ＣＨ₃ ＮＨ₂(1.70) ，Ｃ₆ Ｈ₃ Ｃ
Ｈ₃(ＮＨ₂₎₂(1.62) ，Ｃ₆ Ｈ₂(ＮＯ₂ )₃ＯＨ(1.68)，Ｋ
Ｈ( Ｃ₈ Ｈ₄ Ｏ₄)(1.66 ) ，Ｃ₁₀Ｈ₁₄Ｏ(1.58), Ｃ₁₀Ｈ
₁₁Ｎ₃ Ｏ₆ (1.56)，Ｃ₁₀Ｈ₁₃Ｎ₅ Ｏ₄ (1.52)，Ｃ₁₄Ｈ₁₇
ＮＯ₂ (2.04)であることが望ましい。ここで、( )内は
屈折率を示す。この内、特に望ましいものは、Ｔｉ
Ｏ₂ ，Ｔａ₂ Ｏ₅ ，Ｓｉ₃ Ｎ₄ ，ＺｎＳ，Ｙ₂ Ｏ₃ ，Ｚ
ｎＳｅ，ＧａＳｅ，ＣｕＩｎＳｅ₂ (2.70)，ＣｕＧａＳ
₂ (2.49)，ＣｕＧａＳｅ₂ (2.72)，ＡｇＡｌＳ₂ (2.4
2)，ＡｇＡｌＳｅ₂ (2.59)，ＡｇＡｌＴｅ₂ (2.90)，Ａ
ｇＩｎＳ₂ (2.46)，ＡｇＩｎＳｅ₂ (2.64)，ＡｇＩｎＴ
ｅ₂ (2.97)，ＡｇＧａＳ₂ (2.38)，ＡｇＧａＳｅ₂ (2.6
1)，ＡｇＧａＴｅ₂ (2.94)，ＧｅＳ₃ (2.11)である。C ₁₄ H ₁₀ (1.55), C ₂₄ H ₁₈ (1.52), CO (
NH ₂ ) ₂ (1.60), Ba (COOH _{) 2} (1.57), Sr (CO
OH) ₂ (1.55), Pb ₂ Sr (CH ₃ CH ₂ COO) ₆ (1.4
_{9), C 4 H 6 O} 6 (1.49), (NH 4 CH 2 COOH) 3 H
₂ SO ₄ (1.56), C ₄ H ₃ N ₃ O ₄ (1.52), (CH ₂ ) ₆
N ₄ (1.59), (C ₆ H ₅ CO) ₂ (1.84), C ₆ H ₄ NO ₂
NH ₂ (1.76), C ₆ H ₄ (OH) ₂ (1.59), C ₆ H ₄ (NH ₄ )
_{OH (1.67), C 5 H} 3 NOCH 3 NO 2 (1.71), C 6 H
₄ (CO ₂ ) ₂ HCs (1.67), C ₆ H ₄ (CO _{2) 2} HRb (1.
66), C ₆ H ₃ NO ₂ CH ₃ NH ₂ (1.70), C ₆ H ₃ C
H ₃ (NH _{2) 2} (1.62), C ₆ H ₂ (NO ₂ ) ₃ OH (1.68), K
_{H (C 8 H 4 O 4} ) (1.66), C 10 H 14 O (1.58), C 10 H
_{11 N 3 O 6 (1.56)} , C 10 H 13 N 5 O 4 (1.52), C 14 H 17
NO ₂ (2.04) is desirable. Here, the parentheses indicate the refractive index. Of these, particularly desirable is Ti
O ₂ , Ta ₂ O ₅ , Si ₃ N ₄ , ZnS, Y ₂ O ₃ , Z
nSe, GaSe, CuInSe ₂ (2.70), CuGaS
₂ (2.49), CuGaSe ₂ (2.72), AgAlS ₂ (2.4
2), AgAlSe ₂ (2.59), AgAlTe ₂ (2.90), A
gInS ₂ (2.46), AgInSe ₂ (2.64), AgInT
e ₂ (2.97), AgGaS ₂ (2.38), AgGaSe ₂ (2.6
1), AgGaTe ₂ (2.94) and GeS ₃ (2.11).

【０１１８】更に、本実施例において、屈折率が「ｎ≧
3.0 」である高屈折率層は、Ｇｅ(4.01)，Ｓｉ(3.82)，
Ｓｅ(5.56)，Ｔｅ(4.85)，ＺｎＴｅ(3.05)，ＨｇＳｅ
(3.75)，ＰｂＳ(3.5) ，ＰｂＴｅ(5.6) ，Ｉｎ₅₇Ｓｅ₄₃
(3.8) ，Ｉｎ₃ Ｓｅ₂(3.8)，ＩｎＳｅ(3.8) ，Ｉｎ₂ Ｓ
ｂ₃(4.1)，ＧａＳｂ(4.6) ，ＴｌＧａＳｅ₂ (3.0) ，Ａ
ｇ₃ ＳｂＡｇＳ₃(3.08) ，Ｔｌ₃ ＡｓＳｅ₃ (3.33)，Ｃ
ｕＧａＴｅ₂(3.01) ，ＣｕＩｎＴｅ₂ (3.0 5) ，ＺｎＳ
ｉＡｓ₂ (3.22)，ＺｎＧｅＰ₂ (3.14)，ＺｎＧｅＡｓ₂
(3.38)，ＺｎＳｎＰ₂ (3.21)，ＺｎＳｎＡｓ₂ (3.53)，
ＣｄＳｉＡｓ₂ (3.22)，ＣｄＧｅＰ₂ (3.20)，ＣｄＧｅ
ＡＳ₂ (3.56)，ＣｄＳｎＰ₂ (3.14)，ＣｄＳｎＡｓ
₂ (3.46)，ＧａＡｓ(3.42)，ＧａＳｂ(3.9) ，ＧａＰ
(3.35)，ＩｎＰ(3.37)，ＩｎＡｓ(3.4) ，ＩｎＳｂ(3.7
5)，Ｓｂ₂ Ｓ₃ (3.0) ，Ｓｂ₂ Ｔｅ₃ (5.0) ，( Ｇａ，
Ａｌ) Ａｓ(3.21 〜3.65) ，Ｇａ( Ａｓ，Ｐ)(3.29〜3.
36)，( Ｇａ，Ａｌ) Ｓｂ(3.2〜3.92) ，( ＩｎＧａ)
(ＡｓＰ)(3.21〜3.42) ，ＣｄＧｅＡｓ₂ (3.60)，Ｇｅ
₁₉Ｓｂ₃₈Ｔｅ₄₃(4.15)，Ｇｅ₁₈Ｓｂ₃₂Ｔｅ₅₀(4.28)，Ｇ
ｅ₂₇Ｓｅ₁₈Ｔｅ₅₅(3.05)，Ｉｎ₂₂Ｓｂ₃₃Ｔｅ₄₅(4.295)
，Ｉｎ₂₂Ｓｂ₃₇Ｔｅ₄₁(4.968) ，Ｉｎ₂₀Ｓｂ₃₇Ｔｅ
₄₃(4.952) ，Ｉｎ₃₂Ｓｂ₄₀Ｔｅ₂₈(3.04)5 ，Ｓｂ₅₆Ｓｅ
₄₀Ｚｎ₄ (4.234) ，Ｓｂ₄₄Ｓｅ₂₉Ｚｎ₂₇(3.492) ，Ｓｂ
₃₄Ｓｅ₅₈Ｓｎ₈ (5.068) ，Ｓｅ₅₂Ｇｅ₂₇Ｓｎ₂₁(3.761)
，Ｔｅ₆₄Ｓｂ₆ Ｓｎ₃₀(3.147) ，Ｓｅ₆₆Ｓｂ₂₄Ｇｅ
₁₀(4.240) ，Ｔｅ₈₀Ｓｅ₁₀Ｓｂ₁₀(4.0) ，ＧｅＳｂ₂ Ｔ
ｅ₄ (4.7) ，ＴｅＯ_x (3.8) ，ＧｅＴｅ(4.4) であるこ
とが望ましい。ここで、( )内は屈折率を示す。Further, in this embodiment, when the refractive index is “n ≧
The high-refractive-index layer of “3.0” is Ge (4.01), Si (3.82),
Se (5.56), Te (4.85), ZnTe (3.05), HgSe
(3.75), PbS (3.5), PbTe (5.6), In ₅₇ Se ₄₃
(3.8), In ₃ Se ₂ (3.8), InSe (3.8), In ₂ S
b ₃ (4.1), GaSb (4.6), TlGaSe ₂ (3.0), A
g ₃ SbAgS ₃ (3.08), Tl ₃ AsSe ₃ (3.33), C
uGaTe ₂ (3.01), CuInTe ₂ (3.05), ZnS
iAs ₂ (3.22), ZnGeP ₂ (3.14), ZnGeAs ₂
(3.38), ZnSnP ₂ (3.21), ZnSnAs ₂ (3.53),
CdSiAs ₂ (3.22), CdGeP ₂ (3.20), CdGe
AS ₂ (3.56), CdSnP ₂ (3.14), CdSnAs
₂ (3.46), GaAs (3.42), GaSb (3.9), GaP
(3.35), InP (3.37), InAs (3.4), InSb (3.7
5), Sb ₂ S ₃ (3.0), Sb ₂ Te ₃ (5.0), (Ga,
Al) As (3.21 to 3.65), Ga (As, P) (3.29 to 3.
36), (Ga, Al) Sb (3.2 to 3.92), (InGa)
(AsP) (3.21~3.42), CdGeAs 2 (3.60), Ge
₁₉ Sb ₃₈ Te ₄₃ (4.15), Ge ₁₈ Sb ₃₂ Te ₅₀ (4.28), G
e ₂₇ Se ₁₈ Te ₅₅ (3.05), In ₂₂ Sb ₃₃ Te ₄₅ (4.295)
, In ₂₂ Sb ₃₇ Te ₄₁ (4.968), In ₂₀ Sb ₃₇ Te
₄₃ (4.952), In ₃₂ Sb ₄₀ Te ₂₈ (3.04) 5, Sb ₅₆ Se
₄₀ Zn ₄ (4.234), Sb ₄₄ Se ₂₉ Zn ₂₇ (3.492), Sb
₃₄ Se ₅₈ Sn ₈ (5.068), Se ₅₂ Ge ₂₇ Sn ₂₁ (3.761)
, Te ₆₄ Sb ₆ Sn ₃₀ (3.147), Se ₆₆ Sb ₂₄ Ge
₁₀ (4.240), Te ₈₀ Se ₁₀ Sb ₁₀ (4.0), GeSb ₂ T
e ₄ (4.7), TeO _x (3.8), and GeTe (4.4) are desirable. Here, the parentheses indicate the refractive index.

【０１１９】この内、特に望ましいものは、Ｇｅ，Ｓ
ｉ，ＩｎＳｅである。Among these, particularly desirable ones are Ge, S
i, InSe.

【０１２０】[0120]

【発明の効果】以上のように、本発明の情報記録媒体に
よると、従来例における光ディスク形成時のダレやボケ
によるクロストークと符号間干渉の影響と有効に取り除
くことができ、これによって情報記録の高密度化が可能
となり、また、フォーカスサーボおよびトラックサーボ
を安定してかけることができるという従来にない優れた
効果を得ることができる。As it is evident from the foregoing description, according to the information recording medium of the present invention, dividing <br/> Kukoto taken to enable the influence of crosstalk and intersymbol interference due to sagging and blurring at the time of the optical disk formed in the conventional example is can, thereby enabling higher density of information recording can also be obtained an excellent effect unprecedented that can Kakeru stably a full Okasusabo and track servo.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の第１参考例を示す部分断面図で、図１
（Ａ）は多層膜とピット部との関係を示す部分断面図、
図１（Ｂ）は図１（Ａ）内の記号Ａ部分の拡大部分断面
図である。FIG. 1 is a partial sectional view showing a first reference example of the present invention, and FIG.
(A) is a partial sectional view showing the relationship between the multilayer film and the pit portion,
FIG. 1B is an enlarged partial sectional view of a portion A in FIG. 1A.

【図２】図１内に開示した各屈折率層を構成する種々の
材質における屈折率および反射率の演算結果を示す図表
である。FIG. 2 is a table showing calculation results of a refractive index and a reflectance of various materials constituting each refractive index layer disclosed in FIG.

【図３】図１内に開示した各屈折率層を構成するその他
の材質における屈折率および反射率の演算結果を示す図
表である。FIG. 3 is a table showing calculation results of a refractive index and a reflectance of other materials constituting each refractive index layer disclosed in FIG. 1;

【図４】本発明の第２参考例を示す部分断面図で、図４
（Ａ）は多層膜とピット部との関係を示す部分断面図、
図４（Ｂ）は図４（Ａ）内の記号Ａ部分の拡大部分断面
図である。FIG. 4 is a partial sectional view showing a second reference example of the present invention,
(A) is a partial sectional view showing the relationship between the multilayer film and the pit portion,
FIG. 4B is an enlarged partial cross-sectional view of a portion A in FIG. 4A.

【図５】図４内に開示した各屈折率層を構成する種々の
材質における屈折率および反射率の演算結果を示す図表
である。FIG. 5 is a table showing calculation results of refractive index and reflectance of various materials constituting each refractive index layer disclosed in FIG.

【図６】図４内に開示した各屈折率層を構成するその他
の材質における屈折率および反射率の演算結果を示す図
表である。FIG. 6 is a table showing calculation results of a refractive index and a reflectance of another material constituting each refractive index layer disclosed in FIG. 4;

【図７】本発明の第１実施例を示す部分断面図である。FIG. 7 is a partial sectional view showing the first embodiment of the present invention.

【図８】図７における情報記録媒体の反射率と位相差の
ＳｉＯ₂ 膜厚依存性を示す線図である。FIG. 8 is a diagram showing the dependency of the reflectance and the phase difference of the information recording medium in FIG. 7 on the thickness of the SiO ₂ film.

【図９】本発明の第２実施例を示す部分断面図（低屈折
率層を平準化処理したもの）である。FIG. 9 is a partial cross-sectional view showing a second embodiment of the present invention (in which a low refractive index layer has been leveled).

【図１０】図９における情報記録媒体の反射率と位相差
のＳｉＯ₂ 膜厚依存性を示す線図である。10 is a diagram showing the dependency of the reflectance and the phase difference of the information recording medium in FIG. 9 on the thickness of the SiO ₂ film.

【図１１】本発明の第３実施例を示す部分断面図であ
る。FIG. 11 is a partial sectional view showing a third embodiment of the present invention.

【図１２】図１１における情報記録媒体の反射率と位相
差のＳｉＯ₂ 膜厚依存性を示す線図である。12 is a diagram showing the dependency of the reflectance and the phase difference of the information recording medium in FIG. 11 on the thickness of the SiO ₂ film.

【図１３】本発明のその他の実施例で、金属反射膜を使
用した場合の例を示す部分断面図である。FIG. 13 is a partial cross-sectional view showing an example in which a metal reflection film is used in another embodiment of the present invention.

【図１４】本発明のその他の実施例で、金属反射膜を使
用し且つ低屈折率層を平準化処理した場合の例を示す部
分断面図である。FIG. 14 is a partial cross-sectional view showing an example in which a metal reflective film is used and a low refractive index layer is leveled in another embodiment of the present invention.

【図１５】本発明のその他の実施例で、金属反射膜を使
用した場合の他の例を示す部分断面図である。FIG. 15 is a partial cross-sectional view showing another example in which a metal reflection film is used in another embodiment of the present invention.

【図１６】本発明のその他の実施例におけるミラー部と
ピット部の各反射率および位相差の演算結果を示す図表
である。FIG. 16 is a table showing calculation results of respective reflectances and phase differences of a mirror portion and a pit portion in another embodiment of the present invention.

【図１７】本発明における情報記録媒体の製造方法の例
を示しており、図１７（Ａ）は第１工程を示す図であ
り、図１７（Ｂ）は第２工程を示す図であり、図１７
（Ｃ）は第３工程を示す図であり、図１７（Ｄ）は第４
工程を示す図であり、図１７（Ｅ）は第５工程を示す図
であり、図１７（Ｆ）は第６工程を示す図であり、図１
７（Ｇ）は他の第６工程を示す図であり、図１７（Ｈ）
は他の第６工程に続く第７工程を示す図である。17A and 17B show an example of a method for manufacturing an information recording medium according to the present invention, wherein FIG. 17A shows a first step, FIG. 17B shows a second step, FIG.
FIG. 17C is a view showing a third step, and FIG.
FIG. 17E is a view showing a fifth step, FIG. 17F is a view showing a sixth step, and FIG.
FIG. 7 (G) shows another sixth step, and FIG. 17 (H)
FIG. 21 is a view showing a seventh step following the other sixth step.

【図１８】従来例におけるピット部のダレ・ボケの原因
を示す説明図である。FIG. 18 is an explanatory diagram showing a cause of sagging and blurring of a pit portion in a conventional example.

【図１９】従来例におけるピット部のダレ・ボケの形態
を示す説明図である。FIG. 19 is an explanatory diagram showing a form of sagging and blurring of a pit portion in a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１，２，３，４，５，６，７，８ 情報記録媒体 １Ａ，２Ａ，３Ａ，４Ａ，５Ａ，６Ａ，７Ａ，８Ａ 透
明基板 １Ｂ₁ ，２Ｂ₁ ，３Ｂ₁ ，４Ｂ₁ ，４Ｂ₁ ，５Ｂ₁ ，８
Ｃ 高屈折率層 １Ｂ₂ ，２Ｂ₂ ，３Ｂ₂ ，４Ｂ₂ ，４Ｂ₂ ，５Ｂ₂ ，６
Ｃ，７Ｃ 低屈折率層 １Ｂ₁₂，２Ｂ₂₁ 多層膜 １Ｃ，２Ｃ，３Ｄ，４Ｄ，５Ｄ，６Ｅ，７Ｅ，８Ｅ 樹
脂膜 ３Ｃ，４Ｃ，５Ｃ 反射層 ６Ｂ，７Ｂ，８Ｂ 第１金属反射層 ６Ｄ，７Ｄ，８Ｄ 第２金属反射層1,2,3,4,5,6,7,8 information recording medium 1A, 2A, 3A, 4A, 5A, 6A, 7A, 8A transparent substrate _{1B 1, 2B 1, 3B 1} , 4B 1, 4B 1, 5B _1, 8
C High refractive index layer 1B ₂ , 2B ₂ , 3B ₂ , 4B ₂ , 4B ₂ , 5B ₂ , 6
C, 7C low refractive index layer 1B _12, 2B ₂₁ multilayer film 1C, 2C, 3D, 4D, 5D, 6E, 7E, 8E resin film 3C, 4C, 5C reflective layer 6B, 7B, 8B first metal reflective layer 6D, 7D, 8D Second metal reflective layer

Claims (12)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 透明基板と、この透明基板上に被膜され
高屈折率層および低屈折率層の順で繰り返された二層以
上の多層膜と、この多層膜上に積層された樹脂膜とを備
え、前記高屈折率層が穴状の 記録ピットを有すると共に、こ
の穴状の部分に前記低屈折率層が充填され、前記多層膜
上に反射層を被膜したことを特徴とする情報記録媒体。1. A transparent substrate, a multilayer film of two or more layers coated on the transparent substrate and repeated in the order of a high refractive index layer and a low refractive index layer, and a resin film laminated on the multilayer film. wherein the high refractive index layer and having a hole-shaped recording pits, this
An information recording medium, characterized in that the hole-shaped portion is filled with the low refractive index layer , and a reflective layer is coated on the multilayer film. 【請求項２】 透明基板と、この透明基板上に被膜され
低屈折率層および高屈折率層の順で繰り返された二層以
上の多層膜と、この多層膜上に積層された樹脂膜とを備
え、前記低屈折率層が穴状 の記録ピットを有すると共に、こ
の穴状の部分に前記高屈折率層が充填され、前記多層膜
上に反射層を被膜したことを特徴とする情報記録媒体。2. A transparent substrate, a multilayer film of two or more layers coated on the transparent substrate and repeated in the order of a low refractive index layer and a high refractive index layer, and a resin film laminated on the multilayer film. the provided, together with the low refractive index layer has a hole-shaped recording pits, this
An information recording medium , wherein the hole-shaped portion is filled with the high refractive index layer , and a reflective layer is coated on the multilayer film. 【請求項３】 前記高屈折率層および低屈折率層の各層
の膜厚を、λ／4 ｎ（λはレーザ光の波長、ｎは屈折率
層の屈折率）としたことを特徴とする請求項１又は２項
記載の情報記録媒体。3. The film thickness of each of the high refractive index layer and the low refractive index layer is λ / 4 n (where λ is the wavelength of the laser beam, and n is the refractive index of the refractive index layer). The information recording medium according to claim 1 . 【請求項４】 前記高屈折率層をアモルファスＳi の水
素含有合金で形成すると共に、このアモルファスＳi の
水素含有合金は、その膜厚方向の平均組成を一般式「Ｓ
i _1-X Ｈ_X 」で表した場合に、前記ｘが原子パーセント
で「28／47≦ｘ≦28／29」の範囲に設定されたものであ
ることを特徴とする請求項１，２又は３記載の情報記録
媒体。4. The high refractive index layer is formed of an amorphous Si hydrogen-containing alloy, and the amorphous Si hydrogen-containing alloy has an average composition in a film thickness direction represented by a general formula “S
When expressed in i _1-X H _X ", according to claim 1, wherein said x is one that was set in the range of" 28/47 ≦ x ≦ 28/ 29 "in atomic percent or 3. The information recording medium according to 3 . 【請求項５】 前記高屈折率層を微結晶化Ｓi の水素含
有合金で形成すると共に、この微結晶化Ｓi の水素含有
合金は、その膜厚方向の平均組成を一般式「Ｓi _1-X Ｈ
_X 」で表した場合に、前記ｘが原子パーセントで「28／
47≦ｘ≦28／37」の範囲に設定されたものであることを
特徴とする請求項１，２又は３記載の情報記録媒体。5. The high-refractive-index layer is formed of a hydrogen-containing alloy of microcrystallized Si, and the hydrogen-containing alloy of microcrystallized Si has an average composition in a film thickness direction represented by a general formula “Si _1-X H
_X ”, the x is“ 28 /
4. An information recording medium according to claim 1, wherein the information recording medium is set in a range of 47 ≦ x ≦ 28/37 ”. 【請求項６】 前記高屈折率層をアモルファスＳi Ｃの
水素含有合金で形成すると共に、このアモルファスＳi
Ｃの水素含有合金は、その膜厚方向の平均組成を一般式
「（Ｓi Ｃ）_1-X Ｈ_X 」で表した場合に、前記ｘが原子
パーセントで「40／49≦ｘ≦40／41」の範囲に設定され
たものであることを特徴とする請求項１，２又は３記載
の情報記録媒体。6. The high refractive index layer is formed of a hydrogen-containing alloy of amorphous SiC.
C of the hydrogen-containing alloy, when representing the average composition of the film thickness direction by the formula _{"(Si C) 1-X H} X ", "40/49 ≦ with said x is atomic percent x ≦ 40/41 claim 1, wherein the information recording medium is characterized in that "is one that is set in the range of. 【請求項７】 前記高屈折率層をアモルファスＳi Ｇe
の水素含有合金で形成すると共に、このアモルファスＳ
i Ｇe の水素含有合金は、その膜厚方向の平均組成を一
般式「（Ｓi Ｇe ）_1-X Ｈ_X 」で表した場合に、前記ｘ
が原子パーセントで「503 ／598 ≦ｘ≦503 ／518 」の
範囲に設定されたものであることを特徴とする請求項
１，２又は３記載の情報記録媒体。7. The high refractive index layer is made of amorphous SiGe.
And the amorphous S
If the hydrogen-containing alloy of i Ge is representing the average composition of the film thickness direction by the formula _{"(Si Ge) 1-X H} X ', wherein x
Is set in the range of “503/598 ≦ x ≦ 503/518” in atomic percent.
An information recording medium according to 1, 2, or 3 . 【請求項８】 前記高屈折率層をアモルファスＳi の窒
化物で形成すると共に、このアモルファスＳi の窒化物
は、その膜厚方向の平均組成を一般式「Ｓi _1-X Ｎ_X 」
で表した場合に、前記ｘが原子パーセントで「0 ≦ｘ≦
4 ／7」の範囲に設定されたものであることを特徴とす
る請求項１，２又は３記載の情報記録媒体。8. The high refractive index layer is formed of an amorphous Si nitride, and the amorphous Si nitride has an average composition in a film thickness direction represented by a general formula “Si _1−X N _X ”.
In the case where x is represented by atomic percent, “0 ≦ x ≦
4/7 claim 1, wherein the information recording medium is characterized in that which has been set in the range of. " 【請求項９】 前記高屈折率層をアモルファスＳi の酸
化物で形成すると共に、このアモルファスＳi の酸化物
は、その膜厚方向の平均組成を一般式「Ｓi _1-X Ｏ_X 」
で表した場合に、前記ｘが原子パーセントで「0 ≦ｘ≦
2 ／3」の範囲に設定されたものであることを特徴とす
る請求項１，２又は３記載の情報記録媒体。9. The high-refractive-index layer is formed of an amorphous Si oxide, and the amorphous Si oxide has an average composition in a film thickness direction represented by a general formula “Si _1-X O _X ”.
In the case where x is represented by atomic percent, “0 ≦ x ≦
4. The information recording medium according to claim 1, wherein the information recording medium is set in a range of "2/3". 【請求項１０】 前記高屈折率層が、屈折率がｎ＜1.5
である低屈折率の媒体と，屈折率が 1.5≦ｎ＜3.0 であ
る高屈折率の媒体，および屈折率がｎ≧3.0 である高屈
折率層の媒体の、少なくとも屈折率の異なる２種類以上
の媒体を混ぜ合わせることにより形成される均質な中間
の屈折率を備えたものであることを特徴とする請求項
１，２又は３記載の情報記録媒体。10. The high refractive index layer has a refractive index of n <1.5.
At least two types having different refractive indices: a medium having a low refractive index, a medium having a high refractive index having a refractive index of 1.5 ≦ n <3.0, and a medium having a high refractive index layer having a refractive index of n ≧ 3.0. Characterized in that it has a homogeneous intermediate refractive index formed by mixing different media.
An information recording medium according to 1, 2, or 3 . 【請求項１１】 透明基板上に、第１金属反射膜，低屈
折率層，第２金属反射膜および樹脂膜を順次被膜し、前
記第１金属反射膜に穴状の記録ピットを形成するととも
にこの穴状の部分に前記低屈折率層を充填したことを特
徴とする情報記録媒体。11. A method according to claim 1, wherein a first metal reflection film, a low refractive index layer, a second metal reflection film, and a resin film are sequentially coated on a transparent substrate, and hole-shaped recording pits are formed in the first metal reflection film.
An information recording medium characterized in that the hole-shaped portion is filled with the low refractive index layer . 【請求項１２】 透明基板上に、第１金属反射膜，高屈
折率層，第２金属反射膜および樹脂膜を順次被膜し、前
記第１金属反射膜に穴状の記録ピットを形成するととも
にこの穴状の部分に前記高屈折率層を充填したことを特
徴とする情報記録媒体。12. A method according to claim 1, wherein a first metal reflection film, a high refractive index layer, a second metal reflection film, and a resin film are sequentially coated on a transparent substrate, and hole-shaped recording pits are formed in the first metal reflection film.
An information recording medium characterized in that the hole-shaped portion is filled with the high refractive index layer .