JP2736662B2 - 半導体ウェーハの曇防止装置 - Google Patents
半導体ウェーハの曇防止装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】 （１）発明の目的 ［産業上の利用分野］ 本発明は、半導体ウェーハの曇防止装置に関し、特に
半導体ウェーハ処理領域の内部雰囲気中の硫黄酸化物濃
度および窒素酸化物濃度のうち少なくとも硫黄酸化物濃
度を所定値以下に抑制することにより鏡面加工された半
導体ウェーハ表面に生じる曇を防止してなる半導体ウェ
ーハの曇防止装置に関するものである。
半導体ウェーハ処理領域の内部雰囲気中の硫黄酸化物濃
度および窒素酸化物濃度のうち少なくとも硫黄酸化物濃
度を所定値以下に抑制することにより鏡面加工された半
導体ウェーハ表面に生じる曇を防止してなる半導体ウェ
ーハの曇防止装置に関するものである。
［従来の技術］ 半導体ウェーハは、鏡面加工されると、半導体ウェー
ハ処理領域の内部雰囲気中に含まれた水分，窒素酸化物
NOX,硫黄酸化物SOXおよびアンモニアなどから経時的に
生成される析出物によって、その表面に対し“曇”が発
生されており、後続処理の実行に支障をきたしていた。
ハ処理領域の内部雰囲気中に含まれた水分，窒素酸化物
NOX,硫黄酸化物SOXおよびアンモニアなどから経時的に
生成される析出物によって、その表面に対し“曇”が発
生されており、後続処理の実行に支障をきたしていた。
従来、この“曇”を防止するための半導体ウェーハの
曇防止装置としては、たとえば（ｉ）半導体ウェーハ処
理領域の内部雰囲気中の空気を水分吸着剤もしくは除湿
機によって処理し、あるいは半導体ウェーハの表面をラ
ンプもしくはオーブンなどによって加熱することによ
り、半導体ウェーハの表面近傍から水分を除去するもの
が提案されており、また（ii）先行する半導体ウェーハ
の洗浄室から供給されるアンモニアなどのアルカリ成分
を極小量に抑制するものも提案されていた。
曇防止装置としては、たとえば（ｉ）半導体ウェーハ処
理領域の内部雰囲気中の空気を水分吸着剤もしくは除湿
機によって処理し、あるいは半導体ウェーハの表面をラ
ンプもしくはオーブンなどによって加熱することによ
り、半導体ウェーハの表面近傍から水分を除去するもの
が提案されており、また（ii）先行する半導体ウェーハ
の洗浄室から供給されるアンモニアなどのアルカリ成分
を極小量に抑制するものも提案されていた。
［解決すべき問題点］ しかしながら、従来の半導体ウェーハの曇防止装置で
は、（ｉ）水が半導体ウェーハの処理環境に適量必要と
されていたので、“曇”の発生を防止するに十分な所定
量以下に抑制することが実質的にできない欠点があり、
また（ii）アンモニアなどのアルカリ成分も先行する半
導体ウェーハの洗浄室において多用されているので、
“曇”の発生を防止するに十分な濃度まで除去すること
が困難であり、結果的に（iii）半導体ウェーハの曇を
十分に防止することができない欠点があった。
は、（ｉ）水が半導体ウェーハの処理環境に適量必要と
されていたので、“曇”の発生を防止するに十分な所定
量以下に抑制することが実質的にできない欠点があり、
また（ii）アンモニアなどのアルカリ成分も先行する半
導体ウェーハの洗浄室において多用されているので、
“曇”の発生を防止するに十分な濃度まで除去すること
が困難であり、結果的に（iii）半導体ウェーハの曇を
十分に防止することができない欠点があった。
そこで本発明は、これらの欠点を除去すべく、半導体
ウェーハ処理領域の内部雰囲気中の硫黄酸化物濃度およ
び窒素酸化物濃度のうち少なくとも硫黄酸化物濃度を所
定値以下に抑制することにより鏡面加工された半導体ウ
ェーハの表面に生じる“曇”を防止してなる半導体ウェ
ーハの曇防止装置を提供せんとするものである。
ウェーハ処理領域の内部雰囲気中の硫黄酸化物濃度およ
び窒素酸化物濃度のうち少なくとも硫黄酸化物濃度を所
定値以下に抑制することにより鏡面加工された半導体ウ
ェーハの表面に生じる“曇”を防止してなる半導体ウェ
ーハの曇防止装置を提供せんとするものである。
（２）発明の構成 ［問題点の解決手段］ 本発明により提供される問題点の解決手段は、 「半導体ウェーハ処理領域の内部雰囲気を調節して鏡面
加工された半導体ウェーハの曇を防止する半導体ウェー
ハの曇防止装置において、 （ａ）半導体ウェーハ処理領域に対して外部環境から取
り込んだ空気を供給する空調装置と、 （ｂ）空調装置の内部もしくは空調装置と外部環境との
間に配置されており、外部環境から取り込んだ空気から
硫黄酸化物および窒素酸化物のうち少なくとも硫黄酸化
物の一部を除去するための除去手段と を備えており、半導体ウェーハ処理領域の内部雰囲気中
の硫黄酸化物濃度を60ng/以下としてなることを特徴
とする半導体ウェーハの曇防止装置」 である。
加工された半導体ウェーハの曇を防止する半導体ウェー
ハの曇防止装置において、 （ａ）半導体ウェーハ処理領域に対して外部環境から取
り込んだ空気を供給する空調装置と、 （ｂ）空調装置の内部もしくは空調装置と外部環境との
間に配置されており、外部環境から取り込んだ空気から
硫黄酸化物および窒素酸化物のうち少なくとも硫黄酸化
物の一部を除去するための除去手段と を備えており、半導体ウェーハ処理領域の内部雰囲気中
の硫黄酸化物濃度を60ng/以下としてなることを特徴
とする半導体ウェーハの曇防止装置」 である。
［作用］ 本発明にかかる半導体ウェーハの曇防止装置は、半導
体ウェーハ処理領域の内部雰囲気を調節して鏡面加工さ
れた半導体ウェーハの曇を防止する半導体ウェーハの曇
防止装置において、（ａ）半導体ウェーハ処理領域に対
して外部環境から取り込んだ空気を供給する空調装置
と、（ｂ）空調装置の内部もしくは空調装置と外部環境
との間に配置されており外部環境から取り込んだ空気か
ら硫黄酸化物および窒素酸化物のうち少なくとも硫黄酸
化物の一部を除去するための除去手段とを備えており、
半導体ウェーハ処理室の内部雰囲気中の硫黄酸化物濃度
を60ng/以下としてなることを特徴としてなるので、
（ｉ）半導体ウェーハ処理領域の内部雰囲気中の硫黄酸
化物濃度および窒素酸化物濃度のうち少なくとも硫黄酸
化物濃度を十分に抑制する作用をなし、ひいては（ii）
半導体ウェーハの曇を十分に防止する作用をなす。
体ウェーハ処理領域の内部雰囲気を調節して鏡面加工さ
れた半導体ウェーハの曇を防止する半導体ウェーハの曇
防止装置において、（ａ）半導体ウェーハ処理領域に対
して外部環境から取り込んだ空気を供給する空調装置
と、（ｂ）空調装置の内部もしくは空調装置と外部環境
との間に配置されており外部環境から取り込んだ空気か
ら硫黄酸化物および窒素酸化物のうち少なくとも硫黄酸
化物の一部を除去するための除去手段とを備えており、
半導体ウェーハ処理室の内部雰囲気中の硫黄酸化物濃度
を60ng/以下としてなることを特徴としてなるので、
（ｉ）半導体ウェーハ処理領域の内部雰囲気中の硫黄酸
化物濃度および窒素酸化物濃度のうち少なくとも硫黄酸
化物濃度を十分に抑制する作用をなし、ひいては（ii）
半導体ウェーハの曇を十分に防止する作用をなす。
［実施例］ 次に本発明にかかる半導体ウェーハの曇防止装置につ
いて、その実施例を挙げ具体的に説明する。しかしなが
ら以下に説明する実施例は、本発明の理解を容易化ない
し促進化するために記載されるものであって、本発明を
限定するために記載されるものではない。換言すれば、
以下に説明される実施例において開示される各部材は、
本発明の精神ならびに技術的範囲に属する全ての設計変
更ならびに均等物置換を含むものである。
いて、その実施例を挙げ具体的に説明する。しかしなが
ら以下に説明する実施例は、本発明の理解を容易化ない
し促進化するために記載されるものであって、本発明を
限定するために記載されるものではない。換言すれば、
以下に説明される実施例において開示される各部材は、
本発明の精神ならびに技術的範囲に属する全ての設計変
更ならびに均等物置換を含むものである。
第１図は、本発明にかかる半導体ウェーハの曇防止装
置の一実施例を示す説明図である。
置の一実施例を示す説明図である。
第２図は、本発明にかかる半導体ウェーハの曇防止装
置の他の実施例を示す説明図である。
置の他の実施例を示す説明図である。
まず第１図を参照しつつ、本発明にかかる半導体ウェ
ーハの曇防止装置の一実施例について、その構成および
作用を詳細に説明する。
ーハの曇防止装置の一実施例について、その構成および
作用を詳細に説明する。
10は、本発明にかかる半導体ウェーハの曇防止装置で
あって、入力側が外部環境に連通されており外部環境か
ら供給された空気A11から塵埃等を除去して出力するた
めの第１のフィルタ11と、第１のフィルタ11の出力側に
対して入力側が連通されており第１のフィルタ11から与
えられた空気A12から少なくとも硫黄酸化物SOX（好まし
くは硫黄酸化物SOXおよび窒素酸化物NOX）の一部を吸着
によって除去するための第２のフィルタ12と、第２のフ
ィルタ12の出力側に対して連通された空調装置13とを備
えている。第２のフィルタ12は、たとえば活性炭ででき
た活性炭フィルタ、あるいはゼオライトなどの担体に対
して過マンガン酸カリウムなどの化学吸着剤を担持せし
めたケミカルフィルタ（たとえば日本無機（株）製の
“ピュアスメルフィルタ（Ｅタイプ）”など）などで形
成されておれば、硫黄酸化物SOXおよび窒素酸化物NOXの
双方を吸着によって好ましい濃度まで十分に除去できる
ので、好ましい。
あって、入力側が外部環境に連通されており外部環境か
ら供給された空気A11から塵埃等を除去して出力するた
めの第１のフィルタ11と、第１のフィルタ11の出力側に
対して入力側が連通されており第１のフィルタ11から与
えられた空気A12から少なくとも硫黄酸化物SOX（好まし
くは硫黄酸化物SOXおよび窒素酸化物NOX）の一部を吸着
によって除去するための第２のフィルタ12と、第２のフ
ィルタ12の出力側に対して連通された空調装置13とを備
えている。第２のフィルタ12は、たとえば活性炭ででき
た活性炭フィルタ、あるいはゼオライトなどの担体に対
して過マンガン酸カリウムなどの化学吸着剤を担持せし
めたケミカルフィルタ（たとえば日本無機（株）製の
“ピュアスメルフィルタ（Ｅタイプ）”など）などで形
成されておれば、硫黄酸化物SOXおよび窒素酸化物NOXの
双方を吸着によって好ましい濃度まで十分に除去できる
ので、好ましい。
空調装置13は、第２のフィルタ12によって少なくとも
硫黄酸化物SOX（好ましくは硫黄酸化物SOXおよび窒素酸
化物NOX）の一部が吸着によって除去された空気A13から
更に少なくとも硫黄酸化物SOX（好ましくは硫黄酸化物S
OXおよび窒素酸化物NOX）の一部を吸着によって除去す
るための第２のフィルタ12と同様の第３のフィルタ13A
と、第３のフィルタ13Aによって少なくとも硫黄酸化物S
OX（好ましくは硫黄酸化物SOXおよび窒素酸化物NOX）の
一部が除去された空気から微細な塵埃を除去するための
第４のフィルタ13Bとを包有している。
硫黄酸化物SOX（好ましくは硫黄酸化物SOXおよび窒素酸
化物NOX）の一部が吸着によって除去された空気A13から
更に少なくとも硫黄酸化物SOX（好ましくは硫黄酸化物S
OXおよび窒素酸化物NOX）の一部を吸着によって除去す
るための第２のフィルタ12と同様の第３のフィルタ13A
と、第３のフィルタ13Aによって少なくとも硫黄酸化物S
OX（好ましくは硫黄酸化物SOXおよび窒素酸化物NOX）の
一部が除去された空気から微細な塵埃を除去するための
第４のフィルタ13Bとを包有している。
20は、鏡面加工された半導体ウェーハ（図示せず）に
対し表面処理あるいは搬送などの所望の処理を施すため
の半導体ウェーハ処理領域であって、本発明にかかる半
導体ウェーハの曇防止装置10の出力側すなわち空調装置
13の出力側に対し微細な塵埃などを除去するための第５
のフィルタ14を介して連通されており、空調装置13にお
いて水分が除去されて適度の温度に加温された空気A14
から第５のフィルタ14によって微細な塵埃などを適度な
濃度まで除去した空気A16が内部空間に供給され、かつ
内部雰囲気から空気A16が空調装置13の入力側に復帰さ
れている。空気A16は、必ずしも空調装置13の入力側に
復帰せしめる必要がなく、所望によって外部環境に対し
て放出してもよいが、ここでは説明の都合から空調装置
13の入力側に復帰されるものとして説明する。
対し表面処理あるいは搬送などの所望の処理を施すため
の半導体ウェーハ処理領域であって、本発明にかかる半
導体ウェーハの曇防止装置10の出力側すなわち空調装置
13の出力側に対し微細な塵埃などを除去するための第５
のフィルタ14を介して連通されており、空調装置13にお
いて水分が除去されて適度の温度に加温された空気A14
から第５のフィルタ14によって微細な塵埃などを適度な
濃度まで除去した空気A16が内部空間に供給され、かつ
内部雰囲気から空気A16が空調装置13の入力側に復帰さ
れている。空気A16は、必ずしも空調装置13の入力側に
復帰せしめる必要がなく、所望によって外部環境に対し
て放出してもよいが、ここでは説明の都合から空調装置
13の入力側に復帰されるものとして説明する。
しかして本発明にかかる半導体ウェーハの曇防止装置
10は、以下のごとく作用する。
10は、以下のごとく作用する。
すなわち外部環境から入力された空気A11は、第１の
フィルタ11によって塵埃などの異物が部分的に除去され
たのち、第２のフィルタ12によって少なくとも硫黄酸化
物SOX（好ましくは硫黄酸化物SOXおよび窒素酸化物N
OX）の一部が吸着により除去される。
フィルタ11によって塵埃などの異物が部分的に除去され
たのち、第２のフィルタ12によって少なくとも硫黄酸化
物SOX（好ましくは硫黄酸化物SOXおよび窒素酸化物N
OX）の一部が吸着により除去される。
第２のフィルタ12によって少なくとも硫黄酸化物SOX
（好ましくは硫黄酸化物SOXおよび窒素酸化物NOX）の一
部が除去された空気A13は、空調装置13の入力側に与え
られ、そこで第３のフィルタ13Aによって再び少なくと
も硫黄酸化物SOX（好ましくは硫黄酸化物SOXおよび窒素
酸化物NOX）の一部が吸着によって除去される。
（好ましくは硫黄酸化物SOXおよび窒素酸化物NOX）の一
部が除去された空気A13は、空調装置13の入力側に与え
られ、そこで第３のフィルタ13Aによって再び少なくと
も硫黄酸化物SOX（好ましくは硫黄酸化物SOXおよび窒素
酸化物NOX）の一部が吸着によって除去される。
第３のフィルタ13Aによって少なくとも硫黄酸化物SOX
（好ましくは硫黄酸化物SOXおよび窒素酸化物NOX）の一
部が除去された空気は、第４のフィルタ13Bによって微
細な塵埃などが除去されたのち、適宜の湿度および温度
とされ、空気A14として第５のフィルタ14に与えられ
る。空気A14は、第５のフィルタ14で微細な塵埃などが
適度な濃度まで除去され、空気A15として半導体ウェー
ハ処理領域20の内部雰囲気に供給される。
（好ましくは硫黄酸化物SOXおよび窒素酸化物NOX）の一
部が除去された空気は、第４のフィルタ13Bによって微
細な塵埃などが除去されたのち、適宜の湿度および温度
とされ、空気A14として第５のフィルタ14に与えられ
る。空気A14は、第５のフィルタ14で微細な塵埃などが
適度な濃度まで除去され、空気A15として半導体ウェー
ハ処理領域20の内部雰囲気に供給される。
半導体ウェーハ処理領域20の内部雰囲気に供給された
空気A15は、少なくとも硫黄酸化物濃度が60ng/以下と
され（好ましくは硫黄酸化物濃度が60ng/以下とされ
かつ窒素酸化物濃度が50ng/以下とされ）ており、鏡
面加工された半導体ウェーハの表面に“曇”が発生する
ことを防止している。空気A15は、硫黄酸化物濃度が20n
g/以下とされておれば、鏡面加工された半導体ウェー
ハの表面に生じる“曇”を一層良好に防止できる。
空気A15は、少なくとも硫黄酸化物濃度が60ng/以下と
され（好ましくは硫黄酸化物濃度が60ng/以下とされ
かつ窒素酸化物濃度が50ng/以下とされ）ており、鏡
面加工された半導体ウェーハの表面に“曇”が発生する
ことを防止している。空気A15は、硫黄酸化物濃度が20n
g/以下とされておれば、鏡面加工された半導体ウェー
ハの表面に生じる“曇”を一層良好に防止できる。
半導体ウェーハ処理領域20の内部雰囲気中の空気A16
は、シリコンウェーハの表面処理あるいは搬送などの処
理作業に伴なって硫黄酸化物SOX,窒素酸化物NOXあるい
は塵埃などが発生されるので、それらを除去するために
空調装置13の入力側に復帰される。すなわち空気A
16は、少なくとも硫黄酸化物SOX（好ましくは硫黄酸化
物SOXおよび窒素酸化物NOX）の一部が第３のフィルタ13
Aにおいて吸着により除去され、かつ塵埃などの一部が
第４のフィルタ13Bにおいて吸着により除去され、その
のち空気A14として第５のフィルタ14に与えられ、上述
と同様に処理され空気A15として再び半導体ウェーハ処
理領域20の内部雰囲気に供給される。
は、シリコンウェーハの表面処理あるいは搬送などの処
理作業に伴なって硫黄酸化物SOX,窒素酸化物NOXあるい
は塵埃などが発生されるので、それらを除去するために
空調装置13の入力側に復帰される。すなわち空気A
16は、少なくとも硫黄酸化物SOX（好ましくは硫黄酸化
物SOXおよび窒素酸化物NOX）の一部が第３のフィルタ13
Aにおいて吸着により除去され、かつ塵埃などの一部が
第４のフィルタ13Bにおいて吸着により除去され、その
のち空気A14として第５のフィルタ14に与えられ、上述
と同様に処理され空気A15として再び半導体ウェーハ処
理領域20の内部雰囲気に供給される。
更に第２図を参照しつつ、本発明にかかる半導体ウェ
ーハの曇防止装置の他の実施例について、その構成およ
び作用を詳細に説明する。
ーハの曇防止装置の他の実施例について、その構成およ
び作用を詳細に説明する。
30は、本発明にかかる半導体ウェーハの曇防止装置で
あって、入力側が外部環境に連通されており外部環境か
ら供給された空気A12から少なくとも硫黄酸化物SOX（好
ましくは硫黄酸化物SOXおよび窒素酸化物NOX）の一部を
水あるいはその他の液体に吸収することによって除去し
たのち出力するためのスクラバー31と、スクラバー31の
出力側に対して入力側が連通されておりスクラバー31か
ら与えられた空気A22から霧状の水粒子あるいはその他
の液体粒子を除去するための第１のフィルタ32と、第１
のフィルタ32の出力側に対して入力側が連通された空調
装置33とを備えている。
あって、入力側が外部環境に連通されており外部環境か
ら供給された空気A12から少なくとも硫黄酸化物SOX（好
ましくは硫黄酸化物SOXおよび窒素酸化物NOX）の一部を
水あるいはその他の液体に吸収することによって除去し
たのち出力するためのスクラバー31と、スクラバー31の
出力側に対して入力側が連通されておりスクラバー31か
ら与えられた空気A22から霧状の水粒子あるいはその他
の液体粒子を除去するための第１のフィルタ32と、第１
のフィルタ32の出力側に対して入力側が連通された空調
装置33とを備えている。
空調装置33は、第１のフィルタ32から与えられた空気
A23から微細な塵埃などを除去するための第２のフィル
タ33Aを包有している。
A23から微細な塵埃などを除去するための第２のフィル
タ33Aを包有している。
40は、鏡面加工された半導体ウェーハ（図示せず）に
対し表面処理あるいは搬送などの所望の処理を施すため
の半導体ウェーハ処理領域であって、本発明にかかる半
導体ウェーハの曇防止装置30の出力側すなわち空調装置
33の出力側に対し微細な塵埃などを適度な濃度まで除去
するための第３のフィルタ34を介して連通されており、
空調装置33において水分が除去されて適度の温度に加温
された空気A24から第４のフィルタ34によって微細な塵
埃などを適度な濃度まで除去した空気A25が内部雰囲気
に供給され、かつ内部雰囲気から空気A26が空調装置33
の入力側に復帰せしめられている。空気A26は、必ずし
も空調装置33の入力側に復帰せしめる必要がなく、所望
によっては外部環境に対して放出してもよいが、ここで
は説明の都合から空調装置33の入力側に復帰されるもの
として説明する。
対し表面処理あるいは搬送などの所望の処理を施すため
の半導体ウェーハ処理領域であって、本発明にかかる半
導体ウェーハの曇防止装置30の出力側すなわち空調装置
33の出力側に対し微細な塵埃などを適度な濃度まで除去
するための第３のフィルタ34を介して連通されており、
空調装置33において水分が除去されて適度の温度に加温
された空気A24から第４のフィルタ34によって微細な塵
埃などを適度な濃度まで除去した空気A25が内部雰囲気
に供給され、かつ内部雰囲気から空気A26が空調装置33
の入力側に復帰せしめられている。空気A26は、必ずし
も空調装置33の入力側に復帰せしめる必要がなく、所望
によっては外部環境に対して放出してもよいが、ここで
は説明の都合から空調装置33の入力側に復帰されるもの
として説明する。
しかして本発明にかかる半導体ウェーハの曇防止装置
30は、以下のごとく作用する。
30は、以下のごとく作用する。
すなわち外部環境から入力された空気A21は、スクラ
バー31によって少なくとも硫黄酸化物SOX（好ましくは
硫黄酸化物SOXおよび窒素酸化物NOX）の一部を水あるい
は他の液体に吸収せしめて除去される。
バー31によって少なくとも硫黄酸化物SOX（好ましくは
硫黄酸化物SOXおよび窒素酸化物NOX）の一部を水あるい
は他の液体に吸収せしめて除去される。
スクラバー31によって少なくとも硫黄酸化物SOX（好
ましくは硫黄酸化物SOXおよび窒素酸化物NOX）の一部が
除去された空気A22は、第１のフィルタ32に与えられ、
そこで空気A22中の水粒子あるいはその他の液体粒子が
適度な濃度まで除去される。
ましくは硫黄酸化物SOXおよび窒素酸化物NOX）の一部が
除去された空気A22は、第１のフィルタ32に与えられ、
そこで空気A22中の水粒子あるいはその他の液体粒子が
適度な濃度まで除去される。
第１のフィルタ32で空気A22から水粒子あるいはその
他の液体粒子を適度な濃度まで除去することによって作
成された空気A23は、空調装置33において第２のフィル
タ33Aにより微細な塵埃などが適度な濃度まで除去され
たのち、水分が適度に除去され適度の温度まで加温さ
れ、空気A24として第３のフィルタ34に与えられる。空
気A24は、第３のフィルタ34で微細な塵埃などが適度な
濃度まで除去され、空気A25として半導体ウェーハ処理
領域40の内部雰囲気に供給される。
他の液体粒子を適度な濃度まで除去することによって作
成された空気A23は、空調装置33において第２のフィル
タ33Aにより微細な塵埃などが適度な濃度まで除去され
たのち、水分が適度に除去され適度の温度まで加温さ
れ、空気A24として第３のフィルタ34に与えられる。空
気A24は、第３のフィルタ34で微細な塵埃などが適度な
濃度まで除去され、空気A25として半導体ウェーハ処理
領域40の内部雰囲気に供給される。
半導体ウェーハ処理領域40の内部雰囲気に供給された
空気A25は、少なくとも硫黄酸化物濃度が60ng/以下と
され（好ましくは硫黄酸化物濃度が60ng/以下とされ
かつ窒素酸化物濃度が50ng/以下とされ）ており、鏡
面加工された半導体ウェーハの表面に“曇”が発生する
ことを防止している。空気A25は、硫黄酸化物濃度が20n
g/以下とされておれば、鏡面加工された半導体ウェー
ハの表面に生じる“曇”を一層良好に防止できる。
空気A25は、少なくとも硫黄酸化物濃度が60ng/以下と
され（好ましくは硫黄酸化物濃度が60ng/以下とされ
かつ窒素酸化物濃度が50ng/以下とされ）ており、鏡
面加工された半導体ウェーハの表面に“曇”が発生する
ことを防止している。空気A25は、硫黄酸化物濃度が20n
g/以下とされておれば、鏡面加工された半導体ウェー
ハの表面に生じる“曇”を一層良好に防止できる。
半導体ウェーハ処理領域40の内部雰囲気中の空気A26
は、シリコンウェーハの表面処理あるいは搬送などの処
理作業に伴なって塵埃などが発生されるので、それらを
除去するために空調装置33の入力側に復帰される。すな
わち空気A26は、その塵埃などが第２のフィルタ33Aにお
いて吸着により適度な濃度まで除去され、そののち空気
A24として第３のフィルタ34に与えられ、上述と同様に
処理されて空気A25として再び半導体ウェーハ処理領域4
0の内部雰囲気に供給される。
は、シリコンウェーハの表面処理あるいは搬送などの処
理作業に伴なって塵埃などが発生されるので、それらを
除去するために空調装置33の入力側に復帰される。すな
わち空気A26は、その塵埃などが第２のフィルタ33Aにお
いて吸着により適度な濃度まで除去され、そののち空気
A24として第３のフィルタ34に与えられ、上述と同様に
処理されて空気A25として再び半導体ウェーハ処理領域4
0の内部雰囲気に供給される。
加えて第１図および第２図にそれぞれ図示した本発明
にかかる半導体ウェーハの曇防止装置の２つの実施例に
ついて、一層理解を深めるために、具体的な数値を挙げ
て説明する。
にかかる半導体ウェーハの曇防止装置の２つの実施例に
ついて、一層理解を深めるために、具体的な数値を挙げ
て説明する。
（実施例１） 第１図に図示した実施例において、第２のフィルタ12
および第３のフィルタ13Aとしてゼオライトに対して過
マンガン酸カリウムを担持せしめたケミカルフィルタ
（ここでは日本無機（株）製の“ピュアスメルフィルタ
（Ｅタイプ）”）を使用した場合、半導体ウェーハ処理
領域20の内部雰囲気中の硫黄酸化物濃度および窒素酸化
物濃度は、ともに2ng/まで低減せしめられた。
および第３のフィルタ13Aとしてゼオライトに対して過
マンガン酸カリウムを担持せしめたケミカルフィルタ
（ここでは日本無機（株）製の“ピュアスメルフィルタ
（Ｅタイプ）”）を使用した場合、半導体ウェーハ処理
領域20の内部雰囲気中の硫黄酸化物濃度および窒素酸化
物濃度は、ともに2ng/まで低減せしめられた。
この内部雰囲気は、温度が23℃で相対湿度が50％であ
り、アンモニア濃度が80ng/であったが、鏡面加工さ
れた直後の半導体ウェーハを放置したところ、10日経過
しても曇が生じなかった。
り、アンモニア濃度が80ng/であったが、鏡面加工さ
れた直後の半導体ウェーハを放置したところ、10日経過
しても曇が生じなかった。
また鏡面加工された直後の半導体ウェーハは、半導体
ウェーハ処理領域20内で密封ケースに収納したのち、そ
の密封ケースに収納したまま外部環境に放置したとこ
ろ、６カ月経過しても曇が生じなかった。
ウェーハ処理領域20内で密封ケースに収納したのち、そ
の密封ケースに収納したまま外部環境に放置したとこ
ろ、６カ月経過しても曇が生じなかった。
（実施例２） 第２図に図示した実施例おいて、スクラバー31の吸収
剤として水を使用した場合、半導体ウェーハ処理領域40
の内部雰囲気中の硫黄酸化物濃度および窒素酸化物濃度
は、それぞれ5ng/および8ng/まで低減せしめられ
た。
剤として水を使用した場合、半導体ウェーハ処理領域40
の内部雰囲気中の硫黄酸化物濃度および窒素酸化物濃度
は、それぞれ5ng/および8ng/まで低減せしめられ
た。
この内部雰囲気は、温度が23℃で相対湿度が50％であ
り、アンモニア濃度が80ng/であったが、鏡面加工さ
れた直後の半導体ウェーハを放置したところ、10日経過
しても曇が生じなかった。
り、アンモニア濃度が80ng/であったが、鏡面加工さ
れた直後の半導体ウェーハを放置したところ、10日経過
しても曇が生じなかった。
また鏡面加工された直後の半導体ウェーハは、半導体
ウェーハ処理領域20内で密封ケースに収納したのち、そ
の密封ケースに収納したまま外部環境に放置したとこ
ろ、６カ月経過しても曇が生じなかった。
ウェーハ処理領域20内で密封ケースに収納したのち、そ
の密封ケースに収納したまま外部環境に放置したとこ
ろ、６カ月経過しても曇が生じなかった。
（比較例） 従来の半導体ウェーハ処理領域の内部雰囲気は、温度
が23℃で相対湿度が50％であり、かつ硫黄酸化物濃度，
窒素酸化物濃度およびアンモニア濃度がそれぞれ93ng/
,57ng/および80ng/であったが、鏡面加工された
直後の半導体ウェーハを放置したところ、１日以内で曇
が生じた。
が23℃で相対湿度が50％であり、かつ硫黄酸化物濃度，
窒素酸化物濃度およびアンモニア濃度がそれぞれ93ng/
,57ng/および80ng/であったが、鏡面加工された
直後の半導体ウェーハを放置したところ、１日以内で曇
が生じた。
実施例1,2と比較例とを比較すれば、明らかなよう
に、本発明によれば、半導体ウェーハの曇を十分に防止
できる。
に、本発明によれば、半導体ウェーハの曇を十分に防止
できる。
なお上述では、空調装置13内に収容されたケミカルフ
ィルタとして少なくとも硫黄酸化物（好ましくは硫黄酸
化物および窒素酸化物）の一部を除去するフィルタを配
設する場合について主として説明したが、本発明は、こ
れに限定されるものではなく、少なくとも硫黄酸化物
（好ましくは硫黄酸化物および窒素酸化物）の一部を除
去するフィルタに加え少なくともアンモニアの一部を除
去するフィルタ（たとえばリン酸をゼオライトに担持せ
しめた日本無機（株）製の“ピュアスメルフィルタ（Ｆ
タイプ）”など）を空調装置13内に追加収容せしめる場
合も包摂している。このとき第２のフィルタ12の前段も
しくは後段に対しアンモニアを除去するフィルタ（たと
えばリン酸をゼオライトに担持せしめた日本無機（株）
製の“ピュアスメルフィルタ（Ｆタイプ）”など）を追
加配設することにより、本発明は、一層効果的に半導体
ウェーハの曇を防止できる。
ィルタとして少なくとも硫黄酸化物（好ましくは硫黄酸
化物および窒素酸化物）の一部を除去するフィルタを配
設する場合について主として説明したが、本発明は、こ
れに限定されるものではなく、少なくとも硫黄酸化物
（好ましくは硫黄酸化物および窒素酸化物）の一部を除
去するフィルタに加え少なくともアンモニアの一部を除
去するフィルタ（たとえばリン酸をゼオライトに担持せ
しめた日本無機（株）製の“ピュアスメルフィルタ（Ｆ
タイプ）”など）を空調装置13内に追加収容せしめる場
合も包摂している。このとき第２のフィルタ12の前段も
しくは後段に対しアンモニアを除去するフィルタ（たと
えばリン酸をゼオライトに担持せしめた日本無機（株）
製の“ピュアスメルフィルタ（Ｆタイプ）”など）を追
加配設することにより、本発明は、一層効果的に半導体
ウェーハの曇を防止できる。
また第２図実施例においては、空気A26をスクラバー3
1に供給することによりアンモニアの一部を吸収除去し
てもよい。この場合、スクラバー31において、硫黄酸化
物および窒素酸化物とアンモニアとが共存することとな
り、中和反応によってそれらの吸収が助長されて好まし
い。
1に供給することによりアンモニアの一部を吸収除去し
てもよい。この場合、スクラバー31において、硫黄酸化
物および窒素酸化物とアンモニアとが共存することとな
り、中和反応によってそれらの吸収が助長されて好まし
い。
更に上述では、半導体ウェーハ処理領域20，40がとも
に３段のフィルタ11,13B,14;32,33A,34を必要とするク
リーンルームとされている場合について説明したが、本
発明は、これに限定されるものではなく、所定の環境条
件が要求される領域である場合も包摂している。
に３段のフィルタ11,13B,14;32,33A,34を必要とするク
リーンルームとされている場合について説明したが、本
発明は、これに限定されるものではなく、所定の環境条
件が要求される領域である場合も包摂している。
（３）発明の効果 上述より明らかなように、本発明にかかる半導体ウェ
ーハの曇防止装置は、半導体ウェーハ処理領域の内部雰
囲気を調して鏡面加工された半導体ウェーハの曇を防止
する半導体ウェーハの曇防止装置において、 （ａ）半導体ウェーハ処理領域に対して外部環境から取
り込んだ空気を供給する空調装置と、 （ｂ）空調装置の内部もしくは空調装置と外部環境との
間に配置されており、外部環境から取り込んだ空気から
硫黄酸化物および窒素酸化物のうち少なくとも硫黄酸化
物の一部を除去するための除去手段と を備えており、 半導体ウェーハ処理領域の内部雰囲気中の硫黄酸化物濃
度を60ng/以下としてなることを特徴とするので、 （ｉ）半導体ウェーハ処理領域の内部雰囲気中の硫黄酸
化物濃度および窒素酸化物濃度のうち少なくとも硫黄酸
化物濃度を十分に抑制できる効果 を有し、ひいては （ii）半導体ウェーハの曇を十分に防止できる効果 を有する。
ーハの曇防止装置は、半導体ウェーハ処理領域の内部雰
囲気を調して鏡面加工された半導体ウェーハの曇を防止
する半導体ウェーハの曇防止装置において、 （ａ）半導体ウェーハ処理領域に対して外部環境から取
り込んだ空気を供給する空調装置と、 （ｂ）空調装置の内部もしくは空調装置と外部環境との
間に配置されており、外部環境から取り込んだ空気から
硫黄酸化物および窒素酸化物のうち少なくとも硫黄酸化
物の一部を除去するための除去手段と を備えており、 半導体ウェーハ処理領域の内部雰囲気中の硫黄酸化物濃
度を60ng/以下としてなることを特徴とするので、 （ｉ）半導体ウェーハ処理領域の内部雰囲気中の硫黄酸
化物濃度および窒素酸化物濃度のうち少なくとも硫黄酸
化物濃度を十分に抑制できる効果 を有し、ひいては （ii）半導体ウェーハの曇を十分に防止できる効果 を有する。
第１図は、本発明にかかる半導体ウェーハの曇防止装置
の一実施例を示す説明図、第２図は本発明にかかる半導
体ウェーハの曇防止装置の他の実施例を示す説明図であ
る。10 ……半導体ウェーハの曇防止装置 11……フィルタ 12……フィルタ 13……空調装置 13A,13B……フィルタ 14……フィルタ20 ……半導体ウェーハ処理領域30 ……半導体ウェーハの曇防止装置 31……スクラバー 32……フィルタ 33……空調装置 33A……フィルタ 34……フィルタ40 ……半導体ウェーハ処理領域
の一実施例を示す説明図、第２図は本発明にかかる半導
体ウェーハの曇防止装置の他の実施例を示す説明図であ
る。10 ……半導体ウェーハの曇防止装置 11……フィルタ 12……フィルタ 13……空調装置 13A,13B……フィルタ 14……フィルタ20 ……半導体ウェーハ処理領域30 ……半導体ウェーハの曇防止装置 31……スクラバー 32……フィルタ 33……空調装置 33A……フィルタ 34……フィルタ40 ……半導体ウェーハ処理領域
Claims (1)
- 【請求項１】半導体ウェーハ処理領域の内部雰囲気を調
節して鏡面加工された半導体ウェーハの曇を防止する半
導体ウェーハの曇防止装置において、 （ａ）半導体ウェーハ処理領域に対して外部環境から取
り込んだ空気を供給する空調装置と、 （ｂ）空調装置の内部もしくは空調装置と外部環境との
間に配置されており、外部環境から取り込んだ空気から
硫黄酸化物および窒素酸化物のうち少なくとも硫黄酸化
物の一部を除去するための除去手段と を備えており、半導体ウェーハ処理領域の内部雰囲気中
の硫黄酸化物濃度を60ng/以下としてなることを特徴
とする半導体ウェーハの曇防止装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63278587A JP2736662B2 (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | 半導体ウェーハの曇防止装置 |
| KR1019890015556A KR950011558B1 (ko) | 1988-11-04 | 1989-10-27 | 반도체 웨이퍼의 흐림 방지장치 |
| US07/429,733 US5039321A (en) | 1988-11-04 | 1989-10-31 | Apparatus for preventing clouding of a semiconductor wafer |
| DE3936540A DE3936540A1 (de) | 1988-11-04 | 1989-11-02 | Vorrichtung zum verhindern der truebung einer halbleiterscheibe |
| IT02226889A IT1236657B (it) | 1988-11-04 | 1989-11-03 | Apparecchiatura per impedire l'annebbiamento di un wafer di semi-conduttore |
| US07/708,206 US5122170A (en) | 1988-11-04 | 1991-05-31 | Apparatus for preventing clouding of a semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63278587A JP2736662B2 (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | 半導体ウェーハの曇防止装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02125413A JPH02125413A (ja) | 1990-05-14 |
| JP2736662B2 true JP2736662B2 (ja) | 1998-04-02 |
Family
ID=17599340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63278587A Expired - Fee Related JP2736662B2 (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | 半導体ウェーハの曇防止装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5039321A (ja) |
| JP (1) | JP2736662B2 (ja) |
| KR (1) | KR950011558B1 (ja) |
| DE (1) | DE3936540A1 (ja) |
| IT (1) | IT1236657B (ja) |
Families Citing this family (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6340381B1 (en) * | 1991-12-02 | 2002-01-22 | Ebara Research Co., Ltd. | Method and apparatus for the preparation of clean gases |
| US5922105A (en) * | 1992-12-02 | 1999-07-13 | Ebara Research Co., Ltd. | Method and apparatus for the preparation of clean gases |
| EP0672445B1 (en) * | 1992-12-02 | 1998-03-25 | Ebara Corporation | Method and apparatus for preventing contamination of substrate or substrate surface |
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| JP3334929B2 (ja) * | 1993-02-04 | 2002-10-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
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| US5833726A (en) * | 1995-05-26 | 1998-11-10 | Extraction System, Inc. | Storing substrates between process steps within a processing facility |
| TW363903B (en) * | 1996-03-11 | 1999-07-11 | Memc Electronic Materials Spa | Apparatus for use in automatically cleaning semiconductor wafers and methods for drying a semiconductor wafer in the automatic drying machine |
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| JP3405439B2 (ja) | 1996-11-05 | 2003-05-12 | 株式会社荏原製作所 | 固体表面の清浄化方法 |
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| JP3991375B2 (ja) * | 1996-11-13 | 2007-10-17 | 東京エレクトロン株式会社 | トラップ装置 |
| JP3559133B2 (ja) * | 1997-01-31 | 2004-08-25 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理装置および基板処理装置 |
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| EP1105203B1 (en) | 1998-08-20 | 2004-01-28 | Extraction Systems, Inc. | Filters employing porous strongly acidic polymers |
| US6273100B1 (en) | 1998-08-27 | 2001-08-14 | Micron Technology, Inc. | Surface cleaning apparatus and method |
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| JP2001141274A (ja) * | 1999-11-12 | 2001-05-25 | Daikin Ind Ltd | クリーンルーム |
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| US7540901B2 (en) * | 2000-05-05 | 2009-06-02 | Entegris, Inc. | Filters employing both acidic polymers and physical-adsorption media |
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