JP2736308B2 - 電界放出ディスプレイ - Google Patents
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Description
関する。より特定すれば、本発明は電界放出ディスプレ
イのグレースケール範囲及び輝度を制御するためのシス
テムに関する。
現により、小型軽量かつ省電力のディスプレイのための
ディスプレイ技術に対する要求が強くなってきた。利用
可能な技術の1つは平面パネルディスプレイ、より特定
すれば液晶ディスプレイを提供している。ラップトップ
・コンピュータには現在液晶ディスプレイが用いられて
いる。しかし、これら液晶ディスプレイはコントラスト
が低く、観察許容範囲が狭い。さらに、カラー液晶ディ
スプレイは高価であり、電池による運用を延長するには
不適当な速度で電力を消費する。
スプレイ技術において幾つかの開発が最近行われた。従
来の電界放出ディスプレイは点状、薄膜、冷陰極線放出
チップの行列アドレス自在なアレイを蛍光発光板と組み
合わせて使用している。このようなディスプレイ装置に
於て、それぞれのチップを行信号でアドレスして格子内
の単一の導電性ストリップを作動させ、同時に列信号で
チップが形成されている導電性ストリップを作動させ
る。作動した行と作動した列の両方の交点には、電界放
出を誘導するのに十分なグリッド−エミッタ間電圧差が
発生し、これによって蛍光板上の画素の発光体を励起す
る。最近の広範囲にわたる研究によって、従来の液晶デ
ィスプレイに代わる、安価で低消費電力かつ高解像度・
高コントラストのフルカラー電界放出ディスプレイが製
造できるようになった。
能に匹敵する性能を達成するためには、電界放出型ディ
スプレイにはグレースケール範囲の制御方法が必要とさ
れる。輝度とグレースケール範囲を制御するための従来
の技術は過剰に電力を消費し、複雑な製造工程を必要と
し、大きすぎる集積回路ダイ表面積を使用する回路を用
いる。
排除して、消費電力が低く、製造工程が簡単で、集積回
路ダイ面積の小さい、電界放出ディスプレイを提供する
ことにある。
出ディスプレイは電界放出ピクセレータと協動するグレ
ースケール・ジェネレータを有する。動作に於て、ある
大きさを有するアナログ信号をディスプレイ装置へ入力
する。グレースケール発生回路は該アナログ入力信号を
高さと幅を有する鋸波信号に変換するためにサンプルホ
ールド回路と放電回路とを含む。さらに、鋸波信号のパ
ルス幅はアナログ信号の大きさに対応する。
は蛍光体標的と基盤上に形成した集積回路とを含む。集
積回路はグレースケール・ジェネレータとアドレス自在
な複数のピクセレータを含む。それぞれのピクセレータ
は標的へ向けて電子を放出するチップとアドレス用トラ
ンジスタを含む。グレースケール・ジェネレータ出力は
それぞれのアドレス用トランジスタへ結合してあり、こ
れによってアドレスしたそれぞれの画素における輝度に
対応する放出の持続時間と強度を制御する。
に於て、グレースケール・ジェネレータはサンプル回路
と、ホールド回路と、放電回路と、グレースケール・ジ
ェネレータ出力を提供するための画素駆動回路とを含
む。本実施例の放電回路は放電開始スイッチと電流供給
源とを含む。
て、ホールド回路の主な要素は固有の容量であり、第1
の実施例の画素駆動回路は削除されている。グレースケ
ール・ジェネレータ出力はホールド回路と放電回路との
協動により提供される。
あって、ホールド回路の主な要素は固有の容量であり、
第1の実施例の画素駆動回路が削除され、さらに放電開
始スイッチが削除されている。
変更であって、放電開始スイッチが削除されている。
のスロープを変化させてグレースケール範囲を伸長また
は圧縮することによりコントラスト制御を実現してい
る。
は光センサーに反応し、周辺光強度にあわせて像面輝度
を補償するようになっている。
価に製造できるといった利点はそれぞれの実施例ごとに
異なる範囲で実現されている。その他の利点は添付の請
求の範囲と本明細書に付属している図面とを参照しつつ
以下の詳細な説明を玩味熟読することにより当業者には
明らかとなろう。
についての以下の説明を読むことで一層よく理解されよ
う。
ロック図である。電界放出ディスプレイ10は蛍光体標
的40と基板20上に形成した集積回路とを含む。集積
回路はピクセレータのアクティブ・マトリクス・アレイ
を含み、それぞれのピクセレータは、電界放出チップと
してのチップ30と、アドレス用トランジスタ15と、
抵抗21とを含む。チップ30はアドレス用トランジス
タ15のソース25に接続されている。アドレス用トラ
ンジスタ15のドレイン20は抵抗21に接続されてい
る。抵抗21は接地されている。さらに、ソース25と
チップ30の間にアドレス用スイッチ32が直列に接続
されており、このスイッチ32は行列マトリクス状に配
置してある複数のピクセレータから1行のピクセレータ
を選択する。
は、チップ30からの放出に十分なだけ高くする。1つ
の実施例に於て、この電圧は約50Vである。しかし、
チップ配置の変更で他の電圧での放出が可能となること
は当業者には明らかであろう。
の真空中に配置する。グリッド35と標的40にはバイ
アスを掛け、グリッド35が標的40より実質的に低い
電圧を有するようにする。1つの実施例に於て、グリッ
ド35の電圧は80Vであり、一方標的40の電圧は1
500Vである。しかし、グリッド35の電圧が標的4
0の電圧より実質的に低くしてある限り、配置の変更に
より、電界放出ディスプレイ10の機能に悪影響を及ぼ
すことなく、これらの電圧を変化させることが可能であ
ることは当業者には明らかであろう。
間の電圧差によってエミッタチップ30から電子が放出
され、グリッド35を通過して、標的40に衝突する。
標的40は蛍光面を含んでいるので、標的40の画素
(12)は放出電子が衝突すると発光する。電界放出デ
ィスプレイ10は多数の電子が蛍光面に衝突するにつれ
さらに高輝度に発光する。
イの明るさの間に直接的な相関に基づいて、本発明では
アドレス用トランジスタ15への入力に出力振幅信号方
式を採用している。高輝度の発光を実現するため、アナ
ログ信号45はグレースケール・ジェネレータ55を用
いて出力信号51に変換している。
ログ信号45を受信してアドレスした画素12の輝度を
決定する。赤、緑、および/または青信号をを含み、P
AL信号方式またはNTSC方式のアナログ信号を受信
すると、グレースケール・ジェネレータ55は所定の周
波数でアナログ信号45をサンプリングする。サンプリ
ングはサンプル回路を用いて行なう。サンプリングが終
了すると、アナログ信号45のサンプルはホールド回路
が保持し、次のサンプルを取り出すまでそれぞれのサン
プルを保存する。サンプリングとホールドの両機能はサ
ンプルホールド回路65で行なう。
の出力に接続されている。放電回路70は図示したよう
にサンプルホールド回路65へ接続してあるが、直接接
続する代わりに従来技術で公知の結合回路を用いること
もできる。放電回路70はサンプリングした電圧とは無
関係に所定の放電電流を供給するので、放電時間はホー
ルド回路65に保存してある電荷の大きさにだけ依存す
る。放電回路70は一般にサンプルホールド回路65の
出力を放電させるための手段を提供する。放電手段は、
例えば、電流供給源または電流ミラー回路で実現可能で
ある。好適実施例に於て、放電回路70は可変応答電流
供給源を含む。別のおよび等価の実施例に於ては、従来
技術で公知のその他の電流制御回路で該可変対応電流供
給源を置き換えている。
路またはバッファ75を放電回路70に接続している。
鋸波の形状を有する出力信号72を駆動回路75へ入力
する。画素駆動回路75は鋸波出力信号72を所定の閾
値と比較して出力信号51を生成する。つまり、駆動回
路75は鋸波出力信号72を出力信号51に変換し、そ
れによって信号72のパルス幅が図2及び図3に図示し
たように、出力信号51のパルス幅に対応する。なお、
本発明のエミッタ制御回路は、画素駆動回路75と、ア
ドレス用トランジスタ15と、抵抗21と、アドレス用
スイッチ32とにより構成されている。
・ジェネレータの伝達関数を図示してある。グレースケ
ール・ジェネレータ55は電界放出ディスプレイ10の
グレースケール範囲と輝度を制御するための手段を提供
する。グレースケール範囲は、本明細書に於て、出力信
号の幅の最小値から最大値までの範囲として定義され
る。
されたアナログ信号45は、所定の周波数でサンプリン
グされる。サンプリングしたアナログ信号45の値は、
そのパルス幅が直接サンプリング電圧に対応する出力信
号51または72に変換される。例えば、図2に於て、
時刻t1 でサンプリングした第1の電圧V1 は5Vであ
り、これは図3に示してある4Vの、時刻t2 でサンプ
リングした第2の電圧V2 により生成されるパルス幅W
2より広いパルス幅W1 に対応するものである。
方形波の形状を有する。第2の実施例に於て、出力信号
(72)は鋸波の形状を有する。第2の実施例に於て、
図2及び図3の出力信号72は同じ傾きを有している。
第1と第2の両方の実施例に於て、信号51または72
は、必要な信号に合わせて同一時刻に開始し別の時刻に
終了するか、または必要な信号に併せて異なる時刻に開
始し同一時刻に終了することが出来る。
ジェネレータ55が図示してある。サンプル回路(サン
プリングスイッチ)85はアナログ信号45を受信す
る。サンプル回路85は、チャネル84を有する電界効
果型トランジスタを含み、該チャネルの一端に信号45
が入力されるように成してあるが、別の等価なサンプリ
ングのための手段にサンプル回路を既知のスイッチング
回路で置き換えるなどの変化が含まれることは当業者に
は明らかであろう。制御信号86を電界効果型トランジ
スタのチャネル84を制御するゲートへ結合すること
で、アナログ信号45を制御信号86の周期に対応する
周波数でサンプリングできる。
地の間に接続する。ホールド回路90はサンプル回路8
5で生成したサンプリング電圧の夫々を保持するもので
ある。ホールド回路90は所定の時定数で充電しサンプ
リングした電圧から所定の時定数で放電するためのコン
デンサを含む。別の等価な実施例に於てはその他の周知
の充電保持回路でホールド回路90を置換している。
た、サンプリング電圧の夫々を放電するための放電回路
70を含む。この放電回路は、放電開始スイッチング装
置98と定電流供給源100の2つの素子を含む。
型トランジスタのチャネル84でサンプル回路85に接
続されており、定電流供給源100とほかの回路の接続
を断続させる。本発明の好適実施例に於て、定電流供給
源100は可変応答電流供給源を含む。電流供給源10
0に対する装置98の回路配置は全体としての回路分岐
には特に関係しない。別の等価な実施例では、その他の
既知の直線性放電回路で図示した回路構成を置換してい
る。
信号95は制御信号86と同一の周期を有するが、信号
86より長いパルス幅を有している。さらに、放電開始
信号95は信号86の後で発行されるので、実質的に放
電する前にホールド回路90をサンプリング電圧へ充電
することができる。好適実施例に於て、信号86の発行
と信号95の発行の間の時間は極小である。
ネレータ55はピクセレータの各列の各々のアドレス用
トランジスタ15の夫々のゲートに接続してある。この
設計では、アドレス用トランジスタの動作特性は、閾値
電圧VT を含め、パルス入力に対向する鋸波入力を補償
するように調節される。
75が電界効果型トランジスタのチャネル84とトラン
ジスタ15の間に接続してある。画素駆動回路75の動
作は図1を参照してすでに説明したとおりである。その
ため、出力信号51がグレースケール・ジェネレータ5
5からディスプレイ10へ方形波の形状で供給される。
ル・ジェネレータ56を図示してある。グレースケール
・ジェネレータ56はグレースケール・ジェネレータ5
5と同様で、すでに説明したような類似の部材には同等
の参照番号が付けてある。
接地の間には、ディスプレイ10とその構造に特有の寄
生容量87が結合している。寄生容量87は図4のホー
ルド回路90と同等の機能を果たす。寄生容量87はサ
ンプル回路85で生成したサンプリング電圧の各々を保
存し、適切な時刻に保存したサンプリング電圧の夫々を
放電させる。その結果、出力信号72がグレースケール
・ジェネレータ56からディスプレイ10へ鋸波の形状
で供給される。
スケール・ジェネレータが図示してある。グレースケー
ル・ジェネレータ57はグレースケール・ジェネレータ
55、56と同様で、すでに説明した類似の部材には同
様の参照番号が付けてある。本実施例では、出力信号7
2はグレースケール・ジェネレータ57からディスプレ
イ10へ鋸波の形状で供給される。
スケール・ジェネレータが図示してある。グレースケー
ル・ジェネレータ58はグレースケール・ジェネレータ
55、56、57と同様で、すでに説明した類似の部材
には同様の参照番号が付けてある。
第1の実施が図示してある。駆動回路75はカスケード
接続した2個の相補型金属酸化物半導体(「CMO
S」)インバータ回路92、94を含む。鋸波の形状を
有する出力信号72を受信すると、インバータ92は図
9に図示したように一定の時定数の反転出力Bを生成す
る。これに続いて、インバータ94は一定の時定数でも
う1度反転した出力Cを発生する。駆動回路75では、
入力電圧閾値レベルが各々の駆動回路の変換点を規定し
ており、この点以降で反転出力の状態が変化する。
ック図である。供給源100は制御信号を提供するコン
トラスト制御手段110と、電流供給源120を含む。
コントラスト制御手段110は電流供給源120に接続
してあり、電流信号が電流供給源120を通る電流の大
きさを制御するようになっている。グレースケール範囲
は出力信号の最小幅から最大幅の値までの範囲として定
義される。コントラスト制御手段110は電流供給源の
所定の電流を調節することによって電界放射ディスプレ
イのグレースケール範囲を伸縮させる。1つの実施例に
於て、電流供給源120は電圧制御抵抗を含む。別の等
価な実施例に於て、電圧制御抵抗は既知のスイッチング
電流供給回路または直線性制御電流供給回路で置換して
いる。
高さを制御するための制御回路のブロック図である。制
御回路175は放電回路70とアドレス用トランジスタ
15の間に直列接続してある。第1の実施例に於て、制
御回路175は鋸波信号72を受信する。別の実施例に
於て、制御回路175は出力信号51を受信する。例え
ば、別の実施例に於て、制御回路175は画素駆動回路
75の代わりに、またはこれと直列に組み合わせて接続
する。
器)78と、利得補償抵抗83と、フォトトランジスタ
(受光装置)82とを含む。トランジスタ82は周辺光
センサーとして作動する。可変利得増幅器(78、8
3)と協動してトランジスタ82は出力信号の大きさを
制御するための制御手段を提供する。動作に於て、制御
手段は光レベルが強い間出力信号の大きさを増加させる
ための制御信号150を提供する。大きさを変化させる
ことで電界放射ディスプレイを取り巻く周辺光を補償す
る。この補償を簡略化するには、集積回路基板20上に
形成したセンサー82が周辺光に応答して増幅器78の
利得を増減し、信号151の大きさが周辺光量に対応す
るようにする。
たが、この説明が発明を制限することを意図したものと
捕らえるべきではない。本発明を好適実施例に於て説明
しているが、図示した実施例、ならびに本発明のさらな
る実施例の各種の変化が、本明細書に添付の請求の範囲
に記載してあるとおり、本発明の範囲を逸脱することな
く実現し得ることは、本明細書を参照すれば当業者には
明らかであると理解すべきである。従って、添付の請求
の範囲はこれらの変化または実施例の全てが本発明の範
囲に含まれるものと見なされるべきものである。
によれば、サンプルホールド回路に保持された電荷の大
きさに応じたパルス幅に対応する電界放出ピクセレータ
を設けたので、消費電力が低く、製造工程が簡単で、集
積回路ダイ面積の小さい電界放出ディスプレイが得られ
るという効果がある。
ある。
関数を示す図である。
関数を示す図である。
ック図である。
ック図である。
ック図である。
ック図である。
る。
給源100のブロック図である。
の制御回路のブロック図である。
Claims (10)
- 【請求項1】 画素(12)の電界放出チップ(30)
に対して、該画素に対応するアナログ入力電圧に応じた
平均電流を供給する電界放出ディスプレイ(10)であ
って、 a.少なくとも一つの電界放出チップ(30)を含む画
素(12)と、 b.前記画素に対するアナログ入力電圧を受信するアナ
ログ入力(45)と、 c.容量(87,90)と、 d.前記アナログ入力(45)と前記容量(87,9
0)との間に接続されており、その入力スイッチがオン
状態にあるときに、前記アナログ入力を前記容量に接続
して、前記容量を前記アナログ入力電圧のサンプルに比
例した電圧に充電すべく、オン状態とオフ状態との間で
周期的に切り換えられるサンプリングスイッチ(85)
と、 e.前記容量(87,90)と並列に接続されており、
前記サンプリングスイッチ(85)がオン状態からオフ
状態に切り替わった後に、制御されたレートで前記容量
を放電させるように前記容量からの電流を導き、前記ア
ナログ入力電圧のサンプルに比例したパルス幅及びピー
クパルス振幅を有する、鋸波形状の次第に減少する鋸波
電圧パルス(72)を前記容量を介して発生させる放電
回路(70,98,100)と、 f.前記鋸波電圧パルスを受信すべく前記容量(87,
90)に接続された制御入力(72)と、前記チップ
(30)に直列に接続された出力とを有しており、前記
鋸波電圧パルスがしきい値を越えている期間(W 1 ,W
2 )の間、前記チップに電流を流すように構成されたエ
ミッタ制御回路(75,15,21,32)とを備える
ことを特徴とする電界放出ディスプレイ 。 - 【請求項2】 前記放電回路(70,98,100)
が、前記ディスプレイのコントラストを調整すべく、前
記容量から導かれる電流を調整するための回路(11
0,120)を更に含むことを特徴とする請求項1に記
載の電界放出ディスプレイ。 - 【請求項3】 前記エミッタ制御回路(75,15,2
1,32)は、 a.前記鋸波電圧パルスが前記しきい値を越えていると
きに、前記チップ(30)へ電流を流すトランジスタ
(15)と、 b.前記トランジスタ及び前記チップと直列に接続され
ており、前記チップへの電流の流れを選択的に可能に
し、その結果、前記画素を選択的に発光させるスイッチ
(32)とを更に備える請求項1又は2に記載の電界放
出ディスプレイ 。 - 【請求項4】 a.前記放電回路(70)は、前記容量
に保持されている電荷の大きさに対応したパルス幅を有
する鋸波電圧パルス(72)を生成し、 b.前記エミッタ制御回路(75,15,21,32)
は、前記放電回路(70)と前記トランジスタ(15)
の間に直列に接続されており、持続時間が前記パルス幅
に対応するようなパルス(51、151)を提供するた
めの駆動回路(75、175)をさらに含む、請求項3
に記載の電界放出ディスプレイ。 - 【請求項5】 a.前記パルス(51、151)はパル
ス高を含み、 b.前記トランジスタ(15)は前記パルス高に応答し
て前記画素(12)の輝度を決定し、 c.前記ディスプレイは、 (1)第2の制御信号(150)を提供するための受光
装置(82)と、 (2)前記放電回路(70)と前記トランジスタ(1
5)の間に直列に接続されており、前記第2の制御信号
(150)に応答して前記パルス高を制御するための制
御回路とをさらに含む、請求項4に記載の電界放出ディ
スプレイ。 - 【請求項6】 前記サンプリングスイッチ(85)及び
前記容量(87,90)を含むサンプルホールド回路
(65)と、前記放電回路(70)と、前記電界放出ピ
クセレータ(35、30、32、15、21)とがとも
に一枚の基板上に形成される、請求項5に記載の電界放
出ディスプレイ。 - 【請求項7】 a.前記パルス(72、51、151)
がパルス高を含み、 b.前記トランジスタは前記画素(12)の輝度を決定
するために前記パルス高に応答し、 c.前記ディスプレイは、 (1)第2の制御信号(150)を提供するための受光
装置(82)と、 (2)前記放電回路(70)と前記トランジスタ(1
5)の間に直列に接続されており、前記第2の制御信号
(150)に応答して前記パルス高を制御するための制
御回路とをさらに含む、請求項3に記載の電界放出ディ
スプレイ。 - 【請求項8】 a.前記放電回路(70)は、前記容量
に保持されている電荷の大きさに対応したパルス幅を有
する鋸波電圧パルス(72)を生成し、 b.前記エミッタ制御回路(75,15,21,32)
は、前記放電回路(70)と前記トランジスタ(15)
の間に直列に接続されており、持続時間が前記パルス幅
に対応するようなパルス(51、151)を提供するた
めの駆動回路(75、175)をさらに含む、請求項1
または2に記載の電界放出ディスプレイ。 - 【請求項9】 a.前記パルス(72、51、151)
はパルス高を含み、 b.前記トランジスタ(15)は前記パルス高に応答し
て前記画素(12)の輝度を決定し、 c.前記ディスプレイは、 (1)第2の制御信号(150)を提供するための受光
装置(82)と、 (2)前記放電回路(70)と前記トランジスタ(1
5)の間に直列に接続されており、前記第2の制御信号
(150)に応答して前記パルス高を制御するための制
御回路とをさらに含む、請求項8に記載の電界放出ディ
スプレイ。 - 【請求項10】 a.前記パルス(72、51、15
1)はパルス高を含み、 b.前記トランジスタ(15)は前記パルス高に応答し
て前記画素(12)の輝度を決定し、 c.前記ディスプレイは、 (1)第2の制御信号(150)を提供するための受光
装置(82)と、 (2)前記放電回路(70)と前記トランジスタ(1
5)の間に直列に接続されており、前記第2の制御信号
(150)に応答して前記パルス高を制御するための制
御回路とをさらに含む、請求項1または2に記載の電界
放出ディスプレイ。
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