JP2731953B2 - エネルギー量制御装置 - Google Patents

エネルギー量制御装置

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JP2731953B2
JP2731953B2 JP1202774A JP20277489A JP2731953B2 JP 2731953 B2 JP2731953 B2 JP 2731953B2 JP 1202774 A JP1202774 A JP 1202774A JP 20277489 A JP20277489 A JP 20277489A JP 2731953 B2 JP2731953 B2 JP 2731953B2
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、感応物体に対する照射エネルギー量を制御
するエネルギー量制御装置に関し、特に半導体製造装置
においてパルスレーザーからの光束を用いてレチクルや
ウエハ等を照射し露光する際の露光量制御に用いて好適
なエネルギー量制御装置に関するものである。
[従来の技術] 最近の半導体技術は電子回路の高集積化、微細化の一
途を辿り、光学的な露光方式も高解像力のレンズの開発
等でますますその領域を拡げつつある。このような半導
体製造における露光装置において、マスクまたはレチク
ルの回路パターンをウエハ面上に転写、焼付ける場合に
は、ウエハ面上に焼付けられる回路パターンの解像線巾
は光源の波長に比例するため、近年ではリソグラフィの
光源として紫外線用ではHgランプを、またディープ紫外
線用では超高圧Xe−Hgを使用している。
しかし、かかる光ではレジスト感度が弱く、このため
長い露光時間を必要とし、作業性に乏しいという問題点
があった。
一方、近年エキシマ(excimer)レーザーという高出
力の遠紫外領域を発振波長とする光源が各方面で使用さ
れている。このエキシマレーザーは高輝度性、単色性そ
して可干渉距離が短いことから半導体製造の際の露光装
置には大変有効である。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、エキシマレーザを露光装置の照明光学
系の光源として用い、ウエハ面上へ照射されるエネルギ
ー量を調整しようとすると、エキシマレーザの励起方式
は放電励起方式であるので放電励起電圧を制御すること
によって行なうことが考えられる。しかし、このような
方法では、励起電圧が大きくなりずきるとレーザあるい
は励起回路が破壊され、逆に励起電圧が小さくなりずき
るとレーザが発振しなくなる等、励起電圧を制御して照
射エネルギー量を高精度に調整することは一般に大変困
難であった また、エキシマレーザは大出力のパルス発振であり、
発光時間も10〜20msec程度と非常に短いため超高速シャ
ッター等を必要とし、照射時間を制御することにより精
密に照射エネルギー量を制御することも難しい。
また、NDフィルターを用いて照射エネルギー量の調整
を行なう方法も考えられている。しかしこの方法におい
ても、必要時以外は退避しているフィルターをスループ
ットをおとすことなくパルス光の短い発光間隔の間で光
路中に出入りさせるには、フィルターを移動させる移動
装置のモータの立ち上げ時間を極力短くするために、モ
ータを大型化させなければらならいという問題があっ
た。
本発明はこのような問題に鑑み、常に安定した状態で
しかも長時間にわたり感光性材料への照射エネルギー量
を適切な値に制御でき、また、簡易な構成のエネルギー
量制御装置を提供することを目的とする。特に、本発明
においては、ウエハ面上のフォトレジスト等の感光性材
料面への回路パターンをパルス発光光を用いて投影露光
する露光装置の露光量制御に用いて好適なエネルギー量
制御装置の提供を目的とする。
[課題を解決するための手段および作用] 上記の目的を達成するため、本発明に係わるエネルギ
ー量制御装置は、半透過部材やハーフミラー等の光学部
材を光源からの光束の光路中に連続的に出入りさせ、あ
るいはキューブ形状などの光学部材を光路中で連続的に
姿勢変更させ、さらにこれらの光学部材の光路中の位置
や姿勢と光源のパルス発光のタイミングとの同期をとる
ことにより光源が発光する時間間隔を変化させることに
より露光装置等のエネルギー量を制御するようにしたも
のである。
本発明による構成によれば、常に安定した状態でエネ
ルギー量を適切な値に制御できるとともに、大型の駆動
機構を必要とせず簡易な構成でフィルターを光路中へ高
速に出入りさせることを可能としている。
[実施例] 以下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。
実施例1 第1図、第2図および第3図は、本発明の第1の実施
例を示す概略構成図である。第1図において、1は指向
性の良いパルスレーザーであるエキシマレーザー、2は
エネルギー量制御部、3はエネルギー量制御部2を駆動
するための駆動制御部、4はエネルギー量制御を行なう
ためにエキシマレーザー1および駆動制御部3をコント
ロールする中央制御装置、5は第1のレンズ群である照
明光学系、6は一部の光を透過する反射鏡、7は反射鏡
6から一部透過された光量すなわちエネルギー量を測定
する受光素子を含む監視装置、8はレチクル、9はウエ
ハ面である被投影面、10はレチクル8のパターンを被投
影面9に投影するための第2のレンズ群である投影光学
系、11はエキシマレーザー1から出射され被投影面9ま
での光束の光軸である。
第2図は、第1図のエネルギー量制御部2の詳細図で
ある。第2図において、21は光軸11をさえぎっている回
転板、26は回転板21を回転させるためのモーター、27は
モーター26の回転速度と位置を検知するためのエンコー
ダーである。
第3図は、第2図のエネルギー量制御部2を光軸11の
方向(第2図紙面左右方向)からみた図である。第3図
において、22は回転板21にあいている貫通穴、23は回転
板21にあいている貫通穴に取り付けられた3/4のエネル
ギー量が透過するNDフィルター、24は回転板21にあいて
いる貫通穴に取り付けられた1/2のエネルギー量が透過
するNDフィルター、25は回転板21にあいている貫通穴に
取り付けられた1/4のエネルギー量が透過するNDフィル
ターである。
貫通穴22、NDフィルター23、NDフィルター24およびND
フィルター25は回転板21の回転中心に対して四等分(90
度間隔)に配置されており、貫通穴22、NDフィルター2
3、NDフィルター24およびNDフィルター25の各々の中心
は回転板21の回転により光軸11の中心を通ることが可能
である。また、前記貫通穴22、NDフィルター23,24,25と
前記エンコーダーの回転角度信号との対応は、あらかじ
め中央制御装置4に記憶されている。
上記構成において、モーター26はエンコーダー27およ
び駆動制御部3によって所定の一定速度で回転してい
る。そして、エネルギー量制御部2の回転板21はこのモ
ーター26によって回転している。ここで被露光面9に対
し所定の露光光量(以下、露光エネルギー量と呼ぶ)で
露光を行なう場合には、中央制御装置4は先ず駆動制御
部3により回転板21の回転角度信号を検出し、貫通穴22
が光軸11上に合致するタイミングでパルス発光するよう
にエキシマレーザー1に指令をあたえる。すなわち、エ
キシマレーザー1が連続的にパルス発光する場合、その
発光タイミングは常に貫通穴22を通過するようにモータ
ー26の回転に対して同期をとるということである。そし
て、監視装置7によって各々のパルスのパルスエネルギ
ー量の測定および測定値の積算を行ない、必要な積算値
すなわち露光エネルギー量に達したらエキシマレーザー
1の発光を停止する。なお、これらの判断は中央制御装
置4で行なわれ、また前記パルスエネルギー量の積算は
中央制御装置4で行なっても良い。
ところが、この状態では露光エネルギー量の制御は露
光パルスの数でしか制御できていない。例えば、100パ
ルスと101パルスでは1%の差があり、100.5パルス分の
露光を行なうという制御はできない。
そこで、本実施例の装置では、露光中あと1パルスで
必要露光エネルギー量に達する段階で、監視装置7およ
び中央制御装置4により不足露光エネルギー量を演算
し、0パルス相当、1/4パルス相当、1/2パルス相当、3/
4パルス相当および1パルス相当のエネルギー量のうち
上記不足露光エネルギー量に最も近いものを選択し、例
えばその選択結果が0パルス相当であれば最終パルスの
発光を中止する。また、上記選択結果が1/4パルス相当
であれば回転板21に取り付けられたNDフィルター25の中
心が光軸11を通るタイミングに最終の1パルスが発光す
るよう中央制御装置4からエキシマレーザー1に指令を
あたえる。同様にして、上記選択結果が1/2パルス相当
であれば回転板21に取り付けられたNDフィルター24の中
心が光軸11を通るタイミングに最終の1パルスが発光す
るよう中央制御装置4からエキシマレーザー1に指令を
あたえ、上記選択結果が3/4パルス相当であれば回転板2
1に取り付けられたNDフィルター23の中心が光軸11を通
るタイミングに最終の1パルスが発光するよう中央制御
装置4からエキシマレーザー1に指令をあたえる。上記
選択結果が1パルス相当であれば回転板21にあいている
貫通穴22の中心が光軸11を通るタイミングに最終の1パ
ルスが発光するよう中央制御装置4からエキシマレーザ
ー1に指令をあたえる。以上のようにして、1/4パルス
分のエネルギー量を単位とする露光エネルギー量制御を
行なうことができる。
ここで、上に述べた露光動作の総発光パルス数をnパ
ルスとすると、回転板21は一定速度で回転しているか
ら、1パルス目からn−1パルス目までの各発光パルス
の時間間隔は回転板21が1回転する時間に等しく一定で
ある。この時間をtとすれば、n−1パルス目とnパル
ス目の時間間隔はt/4の整数倍となる。
また、上述の実施例では回転板21の1回転中に貫通穴
22が1箇所であったが、上記貫通穴22を回転板21に複数
設けることにより、エキシマレーザー1の発光間隔中に
回転板21が1回転する必要がなくなり回転板21の回転速
度を低下させることが可能になる。
さらに、上述の実施例では一露光動作の最終パルス発
光でエネルギー量補正を行なったが、最終パルスに限ら
ず複数のパルス発光でエネルギー量補正を行なうことも
可能である。例えば、貫通穴22と3種類の透過率のNDフ
ィルターすなわち1/8透過NDフィルター、1/4透過NDフィ
ルター、1/2透過NDフィルターを使用して3パルスで補
正を行なった場合、1/8パルス相当のエネルギー量の分
解能で露光エネルギー量制御可能となる。
また、上述の実施例では3種類の透過率のNDフィルタ
ーを用いているが、これは限定されるものでなく1種類
であっても複数であってもまた同一の透過率のNDフィル
ターが複数であってもよい。
さらに、上述の実施例ではNDフィルターを使用したが
これをハーフミラーに置き換え不要エネルギー量を反射
させることとしてもよい。
以上述べたように、この第1の実施例によれば、エキ
シマレーザーを使った露光装置において、光路中を貫通
穴およびNDフィルターが連続的に出入りするように貫通
穴およびNDフィルターを設けた回転板を回転させたエキ
シマレーザーの発光と上記回転板の位置の同期をとると
いう簡単なシステムで、エネルギー量制御を行なうこと
ができる。
実施例2 次に、本発明の第2の実施例につき説明する。この実
施例は第1図の構成におけるエネルギー量制御部2とし
て第4図に示すものを用いた例である。
第4図において、30はエキシマレーザー1から出射さ
れた光を透過させる光学部材で四角形断面を持つキュー
ブである。31はキューブ30の一面、33は面31と対向する
面でかり面31と平行である。32はキューブ30の一面であ
り面31と垂直である。34は面32と対向する面であり面32
と平行である。35はキューブ30の断面の中心にある回転
中心(紙面に垂直な方向の軸の回りに沿う回転)であ
り、キューブ30は不図示のアクチュエーターおよび駆動
制御装置により回転中心35を中心として回転している。
そして、エキシマレーザー1から出射される光の光軸11
が回転中心35と垂直な位置にエキシマレーザー1が配置
されている。
ここで、面31に垂直に入射した光はキューブ30を透過
し、面33に垂直でかつ入射エネルギー量のほぼ100%の
エネルギー量で出射する。同様に面33に垂直に入射した
光はキューブ30を透過し、面31に垂直でかつ入射エネル
ギー量のほぼ100%のエネルギー量で出射する。一方、
面32に垂直に入射した光はキューブ30を透過し、面34に
垂直でかつ入射エネルギー量の1/2のエネルギー量で出
射するように、面32および面34には半透過膜を付してあ
る。同様に面34に垂直に入射した光はキューブ30を透過
し、面32に垂直でかつ入射エネルギー量の1/2のエネル
ギー量で出射する。
上記構成において、被露光面9に対し所定の露光エネ
ルギー量で露光を行なう場合には、中央制御装置4はエ
キシマレーザー1から出射される光の光軸11が面31、3
2、33、34に垂直に入射するタイミングでエキシマレー
ザー1が発光するよう同期をとる。この場合、上記4種
類の面とそれぞれの面に入射するレーザー光のパルス数
とを組み合わせることにより、エキシマレーザーの1パ
ルス当りのエネルギー量の1/2の単位で全露光エネルギ
ー量を選択することが可能となる。すなわち、エキシマ
レーザー1パルス当りのエネルギー量の1/2の単位のエ
ネルギー量でエネルギー量制御を行なうことができる。
なお、本実施例は四角形断面のキューブ30を使用した
が、他の多面体を用いてもよい。次に他の多面体の実施
例を示す。
実施例3 第5図は本発明の第3の実施例を示す。この実施例は
上述の第2の実施例の四角形断面のキューブ30を五角形
断面にした実施例であり、第5図は第1図のエネルギー
量制御部2の詳細図である。
第5図において、40はエキシマレーザー1から出射さ
れた光の光束、41は正五角形断面をもちエキシマレーザ
ー光40が透過する光学部材、42は光学部材41の正五角形
の重心に位置する回転中心である。
上記構成において、エキシマレーザー1は光束40が常
に同一光路を通るような光学部材41の一回転中に存在す
る5点の位置においてのみ発光するよう同期がとられて
いる。これにより光束40は常に同一光路を維持して射出
することができる。また、光学部材41の一回転中に存在
する5点の位置でのみ発光するということは光学部材41
内に5種類の光路をもつということである。ここで、光
学部材41の光束が出入りする5面に適切な半透過膜が配
されるよう処理することにより、上記5種類の光路に対
して5種類の透過率をあたえることができる。そして、
上記光学部材41の一回転中に存在する上記5点の位置で
のそれぞれの透過率を事前に知り、エキシマレーザー1
を上記5点のうちどの点で何回発光するかを中央制御装
置4により演算することにより、エキシマレーザー1の
1パルス当りのエネルギー量以下の単位でのエネルギー
量制御を可能としている。
実施例4 第6図は、本発明の第4の実施例を示す。本実施例は
第2の実施例の透過光に対して反射光を利用した実施例
であり、第6図は第1図のエネルギー量制御部2の詳細
図である。
第6図において、50はエキシマレーザー1から出射さ
れた光を反射させる光学部材で正四角形断面を持つキュ
ーブである。51はキューブ50の一面、53は面51と対向す
る面であり面51と平行である。52はキューブ50の一面で
あり面51と垂直である。54は面52と対向する面であり面
52と平行である。55はキューブ50の断面の中心にある回
転中心であり、キューブ50は不図示のアクチュエーター
および駆動制御装置により回転中心55を中心として回転
している。
ここで、面51および面53は入射エネルギー量に対して
100%反射する全反射ミラー、面52は入射エネルギー量
に対して50%反射するハーフミラー、面54は入射エネル
ギー量に対して25%反射するハーフミラーである。
上記構成において、被露光面9に対し所定の露光エネ
ルギー量で露光を行なう場合には、中央制御装置4は先
ず、エキシマレーザー1から出射される光の光軸11が回
転中のキューブ50の全反射面である面51および面53に対
し45゜となる位置のタイミングに同期をとって、エキシ
マレーザー1を連続的に発光させる。それらの光は面51
および面53で90゜方向にまげられ、次の工程である照明
光学系5に入射される。そして、第1の実施例と同様に
監視装置7および中央制御装置4により不足露光エネル
ギー量を演算し、不足露光エネルギー量が1パルス相当
以下に達した段階で上記連続的発光を停止して、0パル
ス相当、1/4パルス相当、1/2パルス相当、3/4パルス相
当および1パルス相当のエネルギー量のうち上記不足露
光エネルギー量に最も近いものを選択し、例えばその選
択結果が0パルス相当であれば最終パルスの発光を中止
する。また、上記選択結果が1/4パルス相当であれば回
転しているキューブ50の面54が光軸11と45゜の位置にな
るタイミングに同期をとって1パルス発光する。上記選
択結果が1/2パルス相当であれば面52が光軸11と45゜の
位置になるタイミングに同期をとって1パルス発光す
る。上記選択結果が3/4パルス相当であれば、面52が光
軸11と45゜の位置になるタイミングに同期をとって1パ
ルス発光させ、さらに面54が光軸11と45゜の位置になる
タイミングに同期をとって1パルス発光する。このよう
にして露光エネルギー量制御を行なう。
この実施例は、エキシマレーザーを使った露光装置に
おいて光路中に反射率の異なる複数のハーフミラーを設
けそれらを光路中から出し入れし、上記複数のハーフミ
ラーの位置とエキシマレーザーの発光の同期をとること
によりエネルギー量制御を行なうようにしたものであ
る。
実施例5 第7図および第8図は、本発明の第5の実施例を示
す。第7図および第8図は第1図のエネルギー量制御部
2の詳細図であり、第8図は第7図の光軸11の方向から
見た側面図である。
第7図および第8図において、11aは光軸11の断面、4
0aは光束40の最外周部分の断面、61は回転する事によ
り、光束40を完全に遮光および全く遮光しない位置を持
ち、その回転途中では遮光量を無段階に変えられるアパ
ーチャーストップの機能を持つ回転板である。60は回転
板61の回転中心である。
上記構成において、回転板61はモーター26によって連
続的に回転しており、中央制御装置4はエンコーダー27
および駆動制御部3により回転板61の位置を検出してい
る。ここで、中央制御装置4が所定の露光エネルギー量
を被露光面9に必要としたとき、中央制御装置4はエン
コーダー27および駆動制御部3により回転板61の位置を
検知し、回転板61が光束40の通過を全く遮光しない位置
で連続的にパルス発光するようにエキシマレーザー1に
指令をあたえる。そして、監視装置7によってエネルギ
ー量を測定し、露光中あと1パルスで必要エネルギー量
に達する段階で連続的な発光を停止し、監視装置7およ
び中央制御装置4により不足露光エネルギー量を演算
し、上記不足露光エネルギー量に等価のエネルギー量が
通過する回転板の位置で最終1パルスが発光するように
中央制御装置4よりエキシマレーザー1に指令をあたえ
る。以上のように、上記回転板61とエキシマレーザー1
の発光のタイミングをとる事によりエネルギー量制御が
可能となる。
実施例6 第9図は、本発明の第6の実施例を示す。第9図は第
1図のエネルギー量制御部2の詳細図である。
第9図において、70は光の入射角に応じて透過エネル
ギー量が変化する干渉フィルター、71は干渉フィルター
が運動する回転中心であり、紙面に対して垂直な直線軸
である。干渉フィルター70は不図示のアクチュエーター
により回転中心71を中心として所定角度内で往復回転運
動している。干渉フィルター70は、上記往復回転運動内
では光束40をけらない十分な大きさを持っている。ま
た、不図示のセンサーにより光軸11に対する干渉フィル
ター70の角度は常時検知されている。
上記構成において、干渉フィルター70は連続的に往復
回転運動しており、中央制御装置4が所定のエネルギー
量を被露光面9に必要としたときには、中央制御装置4
は不図示のセンターにより干渉フィルター70の位置を検
知し、透過エネルギー量が最大のタイミングで連続的に
パルス発光するようにエキシマレーザー1に指令をあた
える。
そして、監視装置7によって各々のパルスのエネルギ
ー量を測定および積算し、露光中あと1パルスで必要エ
ネルギー量に達する段階で発光を一度停止し、監視装置
7および中央制御装置4により不足エネルギー量を演算
し、上記不足エネルギー量に等価のエネルギー量が通過
する干渉フィルター70の角度で最終1パルスが発光する
よう中央制御装置4よりエキシマレーザー1に指令をあ
たえる。
また、最終1パルスのみで補正するのでなく、監視装
置7で常に測定しているのであるからそれ以前の複数の
パルスから補正を行ない目的の総エネルギー量になるよ
うに制御を行なう事も可能である。この場合、干渉フィ
ルター70の往復回転運動の範囲を小さくして透過エネル
ギー量が最も減少する時の透過率が大きくても可能であ
る。すなわち、干渉フィルター70の透過エネルギー量を
0付近にするには大きな角度変化をあたえなければなら
ず、干渉フィルター70が光束40をけらないためには干渉
フィルターを大きくする必要があり、また総露光時間を
短くするにはエキシマレーザー1の発光間隔を短くする
必要があり干渉フィルターの往復回転運動を高速にする
ことが必要になってしまうからである。
また、光路中に複数の干渉フィルターを設けそれらの
往復回転運動の同期をとる事により、1枚の干渉フィル
ターの往復回転運動の移動量が小さく1枚当りの透過エ
ネルギー量の減少が小さくても、光が複数枚の干渉フィ
ルターを通る事により大きな減衰を得る事が可能であ
る。以上述べたように、本実施例は光路中に往復回転運
動する干渉フィルターを設け、干渉フィルターの角度と
エキシマレーザー発光の同期をとるという簡単な構成で
エネルギー量制御を行なうようにしたものである。な
お、この干渉フィルターは反射型のものでもよい。
以上、6種類の実施例を述べたが、これらを複数組み
合わせる事も十分に可能である。また、先に述べたよう
にエキシマレーザーの励起電圧を制御して出力エネルギ
ーを大きく変えることは困難であるが、若干変化させる
事は不可能でなく、エキシマレーザーの出力エネルギー
量を変化させる事と本発明とを組み合わせる事により、
さらに効率の良いエネルギー量制御が可能となる。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば、パルスレーザ
ーの光路中に連続的に移動する半透過部材、ハーフミラ
ーまたは干渉フィルター等の光学部材を設け、レーザー
の発光と上記光学部材の位置との同期をとることにより
光源が発光する時間間隔を変化させるようにしているの
で、常に安定した状態でしかも長時間にわたり感光性材
料への露光量を適切な値に制御することのできる簡易な
構成のエネルギー量制御装置が提供される。特に、本発
明に係るエネルギー量制御装置はウエハ面上のフォトレ
ジスト等の感光性材料面へ回路パターンを投影露光する
際に用いて好適である。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例に係るエネルギー量制御装
置を適用した露光装置の全体のシステム構成図、 第2図および第3図は、第1の実施例に係るエネルギー
量制御部の詳細図、 第4図は、第2の実施例に係るエネルギー量制御部の詳
細図、 第5図は、第3の実施例に係るエネルギー量制御部の詳
細図、 第6図は、第4の実施例に係るエネルギー量制御部の詳
細図、 第7図および第8図は、第5の実施例に係るエネルギー
量制御部の詳細図、 第9図は、第6の実施例に係るエネルギー量制御部の詳
細図である。 1:エキシマレーザー、 2:エネルギー量制御部、 3:駆動制御部、 4:中央制御装置、 5:照明光学系、 7:監視装置、 11:光軸、 21:回転板、 30:キューブ、 40:光束。

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】第1の透過部と第2の透過部とを有した光
    学部材と、該光学部材を駆動し、パルス発光する光源か
    ら射出される光束の光路中に前記第1及び第2の透過部
    を一定周期で出し入れさせる駆動手段と、前記光源が発
    光する時間間隔を制御する制御手段とを有し、前記駆動
    手段で前記光学部材を駆動するとき、前記光路中に前記
    第1または第2の透過部が一定周期で存在するタイミン
    グに同期して前記光源が発光する時間間隔を変化させる
    ことにより、光束が通過する透過部を変更し、前記光学
    部材を通過する光束のエネルギー量を制御することを特
    徴とするエネルギー量制御装置。
  2. 【請求項2】第1のミラーと第2のミラーとを有した光
    学部材と、該光学部材を駆動し、パルス発光する光源か
    ら射出される光束の光路中に前記第1及び第2のミラー
    を一定周期で出し入れさせる駆動手段と、前記光源が発
    光する時間間隔を制御する制御手段とを有し、前記駆動
    手段で前記光学部材を駆動するとき、前記光路中に前記
    第1または第2のミラーが一定周期で存在するタイミン
    グに同期して前記光源が発光する時間間隔を変化させる
    ことにより、光束が反射するミラーを変更し、前記光学
    部材で反射した光束のエネルギー量を制御することを特
    徴とするエネルギー量制御装置。
  3. 【請求項3】干渉フィルターと、パルス発光する光源か
    ら射出される光束の光路中で前記干渉フィルタを一定周
    期で揺動させる駆動手段と、前記光源が発光する時間間
    隔を制御する制御手段とを有し、前記駆動手段で前記干
    渉フィルターを揺動するとき、前記光源が発光する時間
    間隔を変化させることにより、一定周期で揺動する前記
    干渉フィルターに入射する光束の入射角を変更し、前記
    干渉フィルターを通過した光束のエネルギー量を制御す
    ることを特徴とするエネルギー量制御装置。
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Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5408484A (en) * 1990-05-30 1995-04-18 Weimel; Erich Switchable energy supply for a laser system
US5305054A (en) * 1991-02-22 1994-04-19 Canon Kabushiki Kaisha Imaging method for manufacture of microdevices
JPH06260384A (ja) * 1993-03-08 1994-09-16 Nikon Corp 露光量制御方法
JP3296448B2 (ja) 1993-03-15 2002-07-02 株式会社ニコン 露光制御方法、走査露光方法、露光制御装置、及びデバイス製造方法
JP3316704B2 (ja) * 1993-06-10 2002-08-19 株式会社ニコン 投影露光装置、走査露光方法、及び素子製造方法
JP2862477B2 (ja) * 1993-06-29 1999-03-03 キヤノン株式会社 露光装置及び該露光装置を用いてデバイスを製造する方法
JP3363532B2 (ja) * 1993-07-26 2003-01-08 キヤノン株式会社 走査型露光装置
JP3267414B2 (ja) * 1993-11-11 2002-03-18 キヤノン株式会社 走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いるデバイス製造方法
JPH07254559A (ja) * 1994-01-26 1995-10-03 Canon Inc 走査型露光装置及びそれを用いたデバイス製造方法
JPH08179514A (ja) * 1994-12-22 1996-07-12 Canon Inc 露光装置および露光方法
JP3630807B2 (ja) * 1994-12-28 2005-03-23 キヤノン株式会社 走査露光装置及び当該走査露光装置を用いたデバイスの製造方法
US5854803A (en) 1995-01-12 1998-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser illumination system
JP3402850B2 (ja) * 1995-05-09 2003-05-06 キヤノン株式会社 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
DE19618119C2 (de) * 1995-05-12 2003-02-13 Lambda Physik Ag Verfahren zum Regeln der Energie von Strahlungspulsen eines Excimerlasers
DE69625126T2 (de) * 1995-06-05 2003-07-31 Canon Kk Verfahren zur Kontrolle von Excimerlaserausgangsstrahlung
JP3391940B2 (ja) * 1995-06-26 2003-03-31 キヤノン株式会社 照明装置及び露光装置
JP3591922B2 (ja) * 1995-07-17 2004-11-24 キヤノン株式会社 光量測定装置
JPH09129550A (ja) 1995-08-30 1997-05-16 Canon Inc 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
KR100210569B1 (ko) * 1995-09-29 1999-07-15 미따라이 하지메 노광방법 및 노광장치, 그리고 이를 이용한 디바이스제조방법
JP3459742B2 (ja) * 1996-01-17 2003-10-27 キヤノン株式会社 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP3278407B2 (ja) 1998-02-12 2002-04-30 キヤノン株式会社 投影露光装置及びデバイス製造方法
JP4392879B2 (ja) 1998-09-28 2010-01-06 キヤノン株式会社 投影露光装置及びデバイスの製造方法
US6842225B1 (en) * 1999-05-07 2005-01-11 Nikon Corporation Exposure apparatus, microdevice, photomask, method of exposure, and method of production of device
US20070117287A1 (en) * 2005-11-23 2007-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus
WO2007072744A1 (en) * 2005-12-20 2007-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus and laser irradiation method and method for manufacturing semiconductor device
US7706420B2 (en) * 2006-09-05 2010-04-27 Corning Incorporated Optical power modulation at high frequency
JP5355147B2 (ja) * 2009-02-27 2013-11-27 株式会社東芝 排出係数算定器および排出係数算定方法
JP5681675B2 (ja) * 2011-07-29 2015-03-11 富士フイルム株式会社 光音響画像生成装置及び音響波ユニット
FR2993677B1 (fr) * 2012-07-18 2015-03-27 Valeo Etudes Electroniques Dispositif et procede d'emission d'un faisceau lumineux destine a former une image, systeme de projection et afficheur utilisant ledit dispositif
FR2993676B1 (fr) * 2012-07-18 2015-03-27 Valeo Etudes Electroniques Dispositif et procede d'emission d'un faisceaux lumineux destine a former une image, systeme de projection et afficheur utilisant ledit dispositif
KR20140142856A (ko) * 2013-06-05 2014-12-15 삼성디스플레이 주식회사 레이저 장치 및 이를 이용한 결정화 방법

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5823003A (ja) * 1981-08-04 1983-02-10 Olympus Optical Co Ltd レ−ザ−光強度可変装置
FR2519156A1 (fr) * 1981-12-28 1983-07-01 Thomson Csf Dispositif optique a source d'energie radiante pour le transfert de motifs sur un substrat et procede de mise en oeuvre
US4884101A (en) * 1987-02-03 1989-11-28 Nikon Corporation Apparatus capable of adjusting the light amount
JPS63192233A (ja) * 1987-02-05 1988-08-09 Nikon Corp 光量調整装置
JPS63268281A (ja) * 1987-04-27 1988-11-04 Nikon Corp 光量制御装置
JPS63285989A (ja) * 1987-05-18 1988-11-22 Kawasaki Steel Corp レ−ザ総出力エネルギの制御方法
JP2773117B2 (ja) * 1987-06-19 1998-07-09 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
JP2569711B2 (ja) * 1988-04-07 1997-01-08 株式会社ニコン 露光制御装置及び該装置による露光方法

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