JP2727693B2 - Voltage-dependent nonlinear resistor porcelain composition and method for manufacturing varistor - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は電気機器，電子機器で発生する異常高電圧，
ノイズ，静電気などから機器の半導体及び回路を保護す
るためのコンデンサ特性とバリスタ特性を有する電圧依
存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法
に関するものである。The present invention relates to an electric device, an abnormal high voltage generated in an electronic device,
The present invention relates to a voltage-dependent nonlinear resistor porcelain composition having capacitor characteristics and varistor characteristics for protecting semiconductors and circuits of equipment from noise, static electricity, and the like, and a method for manufacturing a varistor.

従来の技術 従来、各種の電気機器，電子機器における異常高電圧
の吸収，ノイズの除去，火花消去，静電気対策のために
電圧依存性非直線抵抗特性を有するSiCバリスタや、ZnO
系バリスタなどが使用されている。このようなバリスタ
の電圧−電流特性な近似的に次式のように表すことがで
きる。2. Description of the Related Art Conventionally, SiC varistors having a voltage-dependent nonlinear resistance characteristic for absorbing abnormally high voltage, eliminating noise, eliminating sparks, and preventing static electricity in various electric and electronic devices, and ZnO.
System varistors are used. The voltage-current characteristics of such a varistor can be approximately expressed by the following equation.

Ｉ＝（V/C）α ここで、Ｉは電流,Vは電圧,Cはバリスタ固有の定数，
αは電圧−電流非直線指数である。I = (V / C) α where I is current, V is voltage, C is a varistor-specific constant,
α is a voltage-current non-linear index.

SiCバリスタのαは２〜７程度、ZnO系バリスタではα
が50にもおよぶものがある。このようなバリスタは比較
的高い電圧の吸収には優れた性能を有しているが、誘電
率が低く、固有の静電容量が小さいため、バリスタ電圧
以下の比較的低い電圧の吸収にはほとんど効果を示さ
ず、また誘電損失tanδが５〜10％と大きい。Α of the SiC varistor is about 2 to 7, and α of the ZnO varistor.
There are as many as 50. Such varistors have excellent performance in absorbing relatively high voltages, but because of their low dielectric constant and small inherent capacitance, they are almost insensitive to absorbing relatively low voltages below the varistor voltage. No effect is exhibited, and the dielectric loss tan δ is as large as 5 to 10%.

一方、これらの低電圧のノイズなどの除去には見かけ
の誘電率が５×10⁴程度で、tanδが１％前後の半導体コ
ンデンサが利用されている。しかし、このような半導体
コンデンサはサージなどによりある限度以上の電圧また
は電流が印加されると、静電容量が減少したり、破壊し
たりしてコンデンサとしての機能を果たさなくなったり
する。On the other hand, a semiconductor capacitor having an apparent dielectric constant of about 5 × 10 ⁴ and a tan δ of about 1% is used for removing these low-voltage noises and the like. However, when a voltage or current exceeding a certain limit is applied to such a semiconductor capacitor due to a surge or the like, the capacitance is reduced or destroyed, so that the function as a capacitor is not achieved.

そこで最近になってSrTiO₃を主成分とし、バリスタ特
性とコンデンサ特性の両方の機能を有するものが開発さ
れ、コンピュータなどの電子機器におけるIC,LSIなどの
半導体素子の保護に利用されている。In recent years, a device having SrTiO ₃ as a main component and having both functions of a varistor characteristic and a capacitor characteristic has been developed, and is used for protecting semiconductor elements such as ICs and LSIs in electronic devices such as computers.

発明が解決しようとする課題 上記のSrTiO₃を主成分とするバリスタとコンデンサの
両方の機能を有する素子は、ZnO系バリスタに比べ誘電
率が約10倍と大きいが、αやサージ耐量が小さく、バリ
スタ電圧を低くすると特性が劣化しやすいといった欠点
を有していた。Problems to be Solved by the Invention An element having both functions of a varistor and a capacitor mainly composed of SrTiO ₃ as described above has a dielectric constant of about 10 times as large as that of a ZnO-based varistor, but has a small α and a surge withstand capacity, If the varistor voltage is reduced, the characteristics are liable to deteriorate.

そこで本発明では、誘電率が大きく、バリスタ電圧が
低く、αが大きいと共にサージ耐量が大きい電圧依存性
非直線抵抗体磁器組成物を提供することを目的とするも
のである。Accordingly, an object of the present invention is to provide a voltage-dependent nonlinear resistor porcelain composition having a large dielectric constant, a low varistor voltage, a large α and a large surge resistance.

課題を解決するための手段 上記の問題点を解決するために本発明では、Sr_1-xBa_x
TiO₃（0.001≦ｘ≦0.300）（以下第１成分と呼ぶ）を9
0.000〜99.998mol％,Nd₂O₅,Ta₂O₅,WO₃,Dy₂O₃,Y₂O₃,La₂O
₃,CeO₂,Sm₂O₃,Pr₆O₁₁,Nb₂O₃のうち少なくとも１種類以
上（以下第２成分と呼ぶ）を0.001〜5.000mol％,Al₂O₃,
Sb₂O₃,BaO,BeO,PbO,B₂O₃,Cr₂O₃,Fe₂O₃,CdO,K₂O,CaO,Co₂
O₃,CuO,Cu₂O,Li₂O,LiF,MgO,MnO₂,MoO₃,Na₂O,NaF,NiO,Rh
₂O₃,SeO₂,Ag₂O,SiO₂,SiC,SrO,Tl₂O₃,ThO₂,TiO₂,V₂O₅,Bi
₂O₃,ZnO,ZrO₂,SnO₂のうち少なくも１種類以上（以下第
３成分と呼ぶ）を0.001〜5.000mol％含有してなる主成
分100重量部と、BaTiO₃60.000〜32.500mol％,SiO₂40.00
0〜67.5mol％からなる混合物を1200〜1300℃で焼成して
なる添加物（以下第４成分と呼ぶ）0.001〜10.000重量
部とからなる電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物を得る
ことにより、問題を解決しようとするものである。Means for Solving the Problems In order to solve the above problems, the present invention provides Sr _1-x Ba _x
TiO ₃ (0.001 ≦ x ≦ 0.300) (hereinafter referred to as “first component”)
_{0.000~99.998mol%, Nd 2 O 5,} Ta 2 O 5, WO 3, Dy 2 O 3, Y 2 O 3, La 2 O
₃ , at least one or more of CeO ₂ , Sm ₂ O ₃ , Pr ₆ O ₁₁ , and Nb ₂ O ₃ (hereinafter referred to as a second component) is 0.001 to 5.000 mol%, Al ₂ O ₃ ,
Sb ₂ O ₃ , BaO, BeO, PbO, B ₂ O ₃ , Cr ₂ O ₃ , Fe ₂ O ₃ , CdO, K ₂ O, CaO, Co ₂
O ₃ , CuO, Cu ₂ O, Li ₂ O, LiF, MgO, MnO ₂ , MoO ₃ , Na ₂ O, NaF, NiO, Rh
₂ O ₃ , SeO ₂ , Ag ₂ O, SiO ₂ , SiC, SrO, Tl ₂ O ₃ , ThO ₂ , TiO ₂ , V ₂ O ₅ , Bi
100 parts by weight of a main component containing 0.001 to 5.000 mol% of at least one or more of ₂ O ₃ , ZnO, ZrO ₂ , and SnO ₂ (hereinafter referred to as a third component), and 60.000 to 32.500 mol% of BaTiO ₃ , SiO ₂ 40.00
By obtaining a voltage-dependent nonlinear resistor porcelain composition comprising 0.001 to 10.000 parts by weight of an additive (hereinafter referred to as a fourth component) obtained by firing a mixture of 0 to 67.5 mol% at 1200 to 1300 ° C. , Trying to solve the problem.

作用 上記の発明において、第１成分は主たる成分であり、
SrTiO₃のSrの一部をBaで置換することにより、粒界に形
成される高抵抗層がサージに対して強くなる。第２成分
は主に第１成分の半導体化を促進する金属酸化物であ
る。また、第３成分は誘電率，α，サージ耐量の改善に
寄与するものであり、第４成分はンバリスタ電圧の低
下、誘電率の改善に有効なものである。特に、第４成分
は融点が1230〜1250℃と比較的低いため、融点前後の温
度で焼成すると液相となり、その他の成分の反応を促進
すると共に粒子の成長を促進する。そのため粒界部分に
第３成分が偏析しやすくなり、粒界が高抵抗化されやす
くなり、バリスタ機能およびコンデンサ機能が改善され
る。また、粒成長が促進されるためバリスタ電圧が低く
なり、粒径の均一性が向上するため特性の安定性がよく
なり、とくにサージ耐量が改善される。Action In the above invention, the first component is a main component,
By substituting a part of Sr of SrTiO ₃ with Ba, the high resistance layer formed at the grain boundary becomes strong against surge. The second component is a metal oxide mainly promoting the conversion of the first component into a semiconductor. The third component contributes to the improvement of the dielectric constant, α, and the surge withstand amount, and the fourth component is effective for lowering the varistor voltage and improving the dielectric constant. In particular, since the fourth component has a relatively low melting point of 1230 to 1250 ° C., when it is fired at a temperature around the melting point, it becomes a liquid phase and promotes the reaction of other components and the growth of particles. Therefore, the third component is easily segregated in the grain boundary portion, the grain boundary is easily increased in resistance, and the varistor function and the capacitor function are improved. Further, since the grain growth is promoted, the varistor voltage is reduced, and the uniformity of the grain size is improved, so that the stability of characteristics is improved, and in particular, the surge resistance is improved.

実施例 以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。Examples Hereinafter, the present invention will be described specifically with reference to examples.

まず、BaTiO₃,SiO₂を下記の第１表に示すように組成
比を種々変えて秤量し、ボールミルなどで20Hr混合す
る。次に、これを乾燥した後、下記の第１表に示すよう
に温度を種々変えて焼成し、再びボールミルなどで20Hr
粉砕した後、乾燥し第４成分とする。次に、第１成分，
第２成分，第３成分，第４成分を下記の第１表に示した
組成比になるように秤量し、ボールミルなどで24Hr混合
した後、乾燥し、ポリビニルアルコールなどの有機バイ
ンダーを10wt％添加して造粒した後、１（t/cm²）のプ
レス圧力で10φ×1^t（mm）の円板状に成形し、1000℃で
10Hr焼成し、脱バインダーする。次いで、第１表に示し
たように温度と時間を種々変えて焼成（第１焼成）し、
その後還元性雰囲気、例えばN₂:H₂＝9:1のガス中で温度
と時間を種々変えて焼成（第２焼成）する。さらにその
後、酸化性雰囲気中で温度と時間を種々変えて焼成（第
３焼成）する。First, BaTiO ₃ and SiO ₂ are weighed at various composition ratios as shown in Table 1 below, and mixed for 20 hours by a ball mill or the like. Next, this was dried, and calcined at various temperatures as shown in Table 1 below.
After pulverization, it is dried to obtain a fourth component. Next, the first component,
The second component, the third component, and the fourth component are weighed so as to have the composition ratios shown in Table 1 below, mixed with a ball mill for 24 hours, dried, and added with an organic binder such as polyvinyl alcohol at 10 wt%. And granulate it at a pressing pressure of 1 (t / cm ² ) to form a 10φ × 1 ^t (mm) disc at 1000 ° C.
Fire for 10 hours and remove binder. Then, as shown in Table 1, the temperature and time were changed variously, and firing (first firing) was performed.
Thereafter, firing (second firing) is performed in a reducing atmosphere, for example, a gas of N ₂ : H ₂ = 9: 1 while changing the temperature and time in various ways. After that, firing (third firing) is performed in an oxidizing atmosphere with various changes in temperature and time.

こうして得られた第１図，第２図に示す焼結体１の両
平面に外周を残すようにしてAgなどの導電性ペーストを
スクリーン印刷などにより塗布し、600℃,5minで焼成
し、電極2,3を形成する。次に、半田などによりリード
線を取付け、エポキシなどの樹脂を塗装する。このよう
にして得られた素子の特性を下記の第２表に示す。A conductive paste such as Ag is applied by screen printing or the like so as to leave an outer periphery on both planes of the sintered body 1 shown in FIGS. 1 and 2 thus obtained, and is baked at 600 ° C. for 5 minutes. Form a few. Next, lead wires are attached with solder or the like, and a resin such as epoxy is coated. The characteristics of the device thus obtained are shown in Table 2 below.

なお、誘電率は1KHzでの静電容量から計算したもので
あり、αは α＝1/Log（V_10mA/V_1mA） （ただし、V_1mA,V_10mAは1mA,10mAの電流を流した時に
素子の両端にかかる電圧である。）で評価した。また、
サージ耐量はパルス性の電流を印加した後のV_1mAの変化
率が±10％以内であるときの最大のパルス性電流値によ
り評価した。The dielectric constant is calculated from the capacitance at 1 KHz. Α is α = 1 / Log ( _V10mA / _V1mA ) (However, _V1mA and _V10mA are 1mA and 10mA This is the voltage applied to both ends of the device.). Also,
The surge withstand capability was evaluated by the maximum pulse current value when the rate of change of _V1mA after application of the pulse current was within ± 10%.

また、第１成分のSr_1-xBa_xTiO₃のｘの範囲を規定した
のは、ｘが0.001よりも小さいと効果を示さず、0.300を
超えると格子欠陥が発生しにくくなるため半導体化が促
進されず、粒界にBaが単一相として析出するため、組織
が不均一になり、V_1mAが高くなりすぎて特性が劣化する
ためである。さらに、第２成分は0.001mol％未満では効
果を示さず、5.000mol％を超えると粒界に偏析して粒界
の高抵抗化を抑制し、粒界に第２相を形成するため特性
が劣化するものである。また、第３成分は0.001mol％未
満では効果を示さず、5.000mol％を超えると粒界に偏析
して第２相を形成するため特性が劣化するものである。
また、第４成分はBaTiO₃とSiO₂の２成分系の相図のなか
で最も融点の低い領域の物質であり、その範囲外では融
点が高くなるためである。また、第４成分の添加量は、
0.001重量部未満では効果を示さず、10.000重量部を超
えると粒界の抵抗は高くなるが粒界の幅が厚くなるた
め、静電容量が小さくなると共にV_1mAが高くなり、サー
ジに対して弱くなるものである。また、第４成分の焼成
温度を規定したのは、低融点の第４成分が合成される温
度が1200℃以上であるためである。そして、第１焼成の
温度を規定したのは、第４成分の融点が1230〜1250℃で
あるため、1100℃以上の温度で焼成すると第４成分が液
相に近い状態になって焼結が促進されるためであり、11
00℃未満では第４成分の液相焼結効果がないためであ
る。また、第２焼成の温度を規定したのは、1200℃未満
では第１焼成後の焼結体が十分に還元されず、バリスタ
特性，コンデンサ特性共に劣化するためである。さら
に、第３焼成の温度を規定したのは、900℃未満では粒
界の高抵抗化が十分に進まないため、V_1mAが低くなりす
ぎバリスタ特性が劣化するためであり、1300℃を超える
と静電容量が小さくなりすぎコンデンサ特性が劣化する
ためである。また、第１焼成の雰囲気は酸化性雰囲気で
も還元性雰囲気でも同様の効果があることを確認した。
また、本実施例では添加物の組み合わせについては、第
１成分としてSr_1-xBa_xTiO₃（0.001≦ｘ≦0.300）、第２
成分としてNb₂O₅,Ta₂O₅,WO₃,Dy₂O₃,Y₂O₃,La₂O₃,CeO₂,Sm
₂O₃,Pr₆O₁₁,Nb₂O₃、第３成分としてAl₂O₃,PbO,Cr₂O₃,Fe
₂O₃,CdO,K₂O,Co₂O₃,CuO,Cu₂O,Li₂O,MgO,MnO₂,MoO₂,NiO,
SeO₂,Ag₂O,SiC,Tl₂O₃,ZrO₂、第４成分としてBaTiO₃,SiO
₂についてのみ示したが、第３成分としてSb₂O₃,BaO,Be
O,B₂O₃,CaO,LiF,Na₂O,NaF,Rh₂O₃,SiO₂,SrO,ThO₂,TiO₂,V
₂O₅,Bi₂O₃,ZnO,SnO₂を用いた組成の組み合わせでも同様
の効果が得られることを確認した。 Further, the range of x of the first component, Sr _1-x Ba _x TiO ₃ , is defined as follows: when x is smaller than 0.001, no effect is exhibited, and when x is larger than 0.300, lattice defects are less likely to occur. Is not promoted, and Ba precipitates as a single phase at the grain boundary, resulting in a non-uniform structure and an excessively high _V1mA , resulting in deterioration of characteristics. Further, if the second component is less than 0.001 mol%, it has no effect, and if it exceeds 5.000 mol%, it segregates at the grain boundary, suppresses the increase in the resistance of the grain boundary, and forms a second phase at the grain boundary. It will deteriorate. If the content of the third component is less than 0.001 mol%, no effect is exhibited. If the content exceeds 5.000 mol%, the second phase is segregated at the grain boundary to form a second phase, so that the characteristics are deteriorated.
Further, the fourth component is a substance in the region having the lowest melting point in the phase diagram of the two-component system of BaTiO ₃ and SiO ₂ , and the melting point becomes higher outside the range. The amount of the fourth component added is
If less than 0.001 part by weight, no effect is exhibited, and if it exceeds 10.000 parts by weight, the resistance of the grain boundary increases, but the width of the grain boundary increases, so that the capacitance decreases and V _{1 mA} increases, and surge It becomes weak. The reason why the firing temperature of the fourth component is specified is that the temperature at which the low-melting fourth component is synthesized is 1200 ° C. or higher. The temperature of the first firing is specified because the melting point of the fourth component is 1230 to 1250 ° C, so that when firing at a temperature of 1100 ° C or higher, the fourth component is in a state close to a liquid phase and sintering is performed. To be promoted, 11
If the temperature is lower than 00 ° C., there is no liquid phase sintering effect of the fourth component. The reason why the temperature for the second firing is specified is that if the temperature is lower than 1200 ° C., the sintered body after the first firing is not sufficiently reduced, and both the varistor characteristics and the capacitor characteristics deteriorate. Furthermore, the reason why the third firing temperature is specified is that if the temperature is lower than 900 ° C., the resistance of the grain boundary does not sufficiently increase, so that V _{1 mA} becomes too low and the varistor characteristics deteriorate. This is because the capacitance becomes too small and the capacitor characteristics deteriorate. It was also confirmed that the same effect was obtained regardless of whether the atmosphere for the first firing was an oxidizing atmosphere or a reducing atmosphere.
In the present embodiment, the combination of additives is Sr _1-x Ba _x TiO ₃ (0.001 ≦ x ≦ 0.300) as the first component,
Nb ₂ O ₅ , Ta ₂ O ₅ , WO ₃ , Dy ₂ O ₃ , Y ₂ O ₃ , La ₂ O ₃ , CeO ₂ , Sm as components
₂ O ₃ , Pr ₆ O ₁₁ , Nb ₂ O ₃ , Al ₂ O ₃ , PbO, Cr ₂ O ₃ , Fe as the third component
₂ O ₃ , CdO, K ₂ O, Co ₂ O ₃ , CuO, Cu ₂ O, Li ₂ O, MgO, MnO ₂ , MoO ₂ , NiO,
SeO ₂ , Ag ₂ O, SiC, Tl ₂ O ₃ , ZrO ₂ , BaTiO ₃ , SiO as the fourth component
₂ , only Sb ₂ O ₃ , BaO, Be
O, B ₂ O ₃ , CaO, LiF, Na ₂ O, NaF, Rh ₂ O ₃ , SiO ₂ , SrO, ThO ₂ , TiO ₂ , V
It was confirmed that a similar effect can be obtained even with a combination of compositions using ₂ O ₅ , Bi ₂ O ₃ , ZnO, and SnO ₂ .

発明の効果 以上に示したように本発明によれば、第４成分による
液相焼結効果により粒子径が大きいためバリスタ電圧が
低く、誘電率εおよびαが大きく、粒子径のばらつきが
小さいためサージ電流が素子に均一に流れ、またBaによ
って粒界が効果的に高抵抗化されるため、サージ耐量が
大きくなるという効果が得られる。Effect of the Invention As described above, according to the present invention, the varistor voltage is low because the particle diameter is large due to the liquid phase sintering effect of the fourth component, the dielectric constants ε and α are large, and the dispersion of the particle diameter is small. The surge current flows uniformly through the element, and the grain boundary is effectively increased in resistance by Ba, so that the effect of increasing the surge withstand voltage is obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第１図は本発明による素子を示す上面図、第２図は本発
明による素子を示す断面図である。 １……焼結体、2,3……電極。FIG. 1 is a top view showing the device according to the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view showing the device according to the present invention. 1 ... Sintered body, 2,3 ... Electrode.

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】Sr_1-xBa_xTiO₃（0.001≦ｘ≦0.300）を90.0
00〜99.998mol％,Nd₂O₅,Ta₂O₅,WO₃,Dy₂O₃,Y₂O₃,La₂O₃,C
eO₂,Sm₂O₃,Pr₆O₁₁,Nb₂O₃のうち少なくとも１種類以上を
0.001〜5.000mol％,Al₂O₃,Sb₂O₃,BaO,BeO,PbO,B₂O₃,Cr₂
O₃,Fe₂O₃,CdO,K₂O,CaO,Co₂O₃,CuO,Cu₂O,Li₂O,LiF,MgO,M
nO₂,MoO₃,Na₂O,NaF,NiO,Rh₂O₃,SeO₂,Ag₂O,SiO₂,SiC,Sr
O,Tl₂O₃,ThO₂,TiO₂,V₂O₅,Bi₂O₃,ZnO,ZrO₂,SnO₂のうち少
なくも１種類以上を0.001〜5.000mol％含有してなる主
成分100重量部と、BaTiO₃60.000〜32.500mol％,SiO₂40.
000〜67.5mol％からなる混合物を1200℃以上で焼成して
なる添加物0.001〜10.000重量部とからなることを特徴
とする電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物。(1) Sr _1-x Ba _x TiO ₃ (0.001 ≦ x ≦ 0.300) is converted to 90.0%
_{00~99.998mol%, Nd 2 O 5,} Ta 2 O 5, WO 3, Dy 2 O 3, Y 2 O 3, La 2 O 3, C
eO ₂ , Sm ₂ O ₃ , Pr ₆ O ₁₁ , Nb ₂ O ₃
0.001 to 5.000 mol%, Al ₂ O ₃ , Sb ₂ O ₃ , BaO, BeO, PbO, B ₂ O ₃ , Cr ₂
O ₃ , Fe ₂ O ₃ , CdO, K ₂ O, CaO, Co ₂ O ₃ , CuO, Cu ₂ O, Li ₂ O, LiF, MgO, M
nO ₂ , MoO ₃ , Na ₂ O, NaF, NiO, Rh ₂ O ₃ , SeO ₂ , Ag ₂ O, SiO ₂ , SiC, Sr
_{O, Tl 2 O 3, ThO} 2, TiO 2, V 2 O 5, Bi 2 O 3, ZnO, comprising 0.001～5.000Mol% one or more even less of ZrO _2, SnO ₂ main ingredient 100 Parts by weight, BaTiO ₃ 60.000 to 32.500 mol%, SiO ₂ 40.
A voltage-dependent nonlinear resistor porcelain composition comprising: 0.001 to 10.000 parts by weight of an additive obtained by firing a mixture of 000 to 67.5 mol% at 1200 ° C. or higher. 【請求項２】Sr_1-xBa_xTiO₃（0.001≦ｘ≦0.300）を90.0
00〜99.998mol％,Nd₂O₅,Ta₂O₅,WO₃,Dy₂O₃,Y₂O₃,La₂O₃,C
eO₂,Sm₂O₃,Pr₆O₁₁,Nb₂O₃のうち少なくとも１種類以上を
0.001〜5.000mol％,Al₂O₃,Sb₂O₃,BaO,BeO,PbO,B₂O₃,Cr₂
O₃,Fe₂O₃,CdO,K₂O,CaO,Co₂O₃,CuO,Cu₂O,Li₂O,LiF,MgO,M
nO₂,MoO₃,Na₂O,NaF,NiO,Rh₂O₃,SeO₂,Ag₂O,SiO₂,SiC,Sr
O,Tl₂O₃,ThO₂,TiO₂,V₂O₅,Bi₂O₃,ZnO,ZrO₂,SnO₂のうち少
なくも１種類以上を0.001〜5.000mol％含有してなる主
成分100重量部と、BaTiO₃60.000〜32.500mol％,SiO₂40.
000〜67.5mol％からなる混合物を1200℃以上で焼成して
なる添加物0.001〜10.000重量部とからなる組成物を、1
100℃以上で焼成したことを特徴とするバリスタの製造
方法。2. The method according to claim 1, wherein Sr _1-x Ba _x TiO ₃ (0.001 ≦ x ≦ 0.300) is converted to 90.0%.
_{00~99.998mol%, Nd 2 O 5,} Ta 2 O 5, WO 3, Dy 2 O 3, Y 2 O 3, La 2 O 3, C
eO ₂ , Sm ₂ O ₃ , Pr ₆ O ₁₁ , Nb ₂ O ₃
0.001 to 5.000 mol%, Al ₂ O ₃ , Sb ₂ O ₃ , BaO, BeO, PbO, B ₂ O ₃ , Cr ₂
O ₃ , Fe ₂ O ₃ , CdO, K ₂ O, CaO, Co ₂ O ₃ , CuO, Cu ₂ O, Li ₂ O, LiF, MgO, M
nO ₂ , MoO ₃ , Na ₂ O, NaF, NiO, Rh ₂ O ₃ , SeO ₂ , Ag ₂ O, SiO ₂ , SiC, Sr
_{O, Tl 2 O 3, ThO} 2, TiO 2, V 2 O 5, Bi 2 O 3, ZnO, comprising 0.001～5.000Mol% one or more even less of ZrO _2, SnO ₂ main ingredient 100 Parts by weight, BaTiO ₃ 60.000 to 32.500 mol%, SiO ₂ 40.
A composition comprising 0.001 to 10.000 parts by weight of an additive obtained by baking a mixture consisting of 000 to 67.5 mol% at 1200 ° C. or higher,
A method for manufacturing a varistor, characterized in that the varistor is fired at 100 ° C or higher. 【請求項３】Sr_1-xBa_xTiO₃（0.001≦ｘ≦0.300）を90.0
00〜99.998mol％,Nd₂O₅,Ta₂O₅,WO₃,Dy₂O₃,Y₂O₃,La₂O₃,C
eO₂,Sm₂O₃,Pr₆O₁₁,Nb₂O₃のうち少なくとも１種類以上を
0.001〜5.000mol％,Al₂O₃,Sb₂O₃,BaO,BeO,PbO,B₂O₃,Cr₂
O₃,Fe₂O₃,CdO,K₂O,CaO,Co₂O₃,CuO,Cu₂O,Li₂O,LiF,MgO,M
nO₂,MoO₃,Na₂O,NaF,NiO,Rh₂O₃,SeO₂,Ag₂O,SiO₂,SiC,Sr
O,Tl₂O₃,ThO₂,TiO₂,V₂O₅,Bi₂O₃,ZnO,ZrO₂,SnO₂のうち少
なくも１種類以上を0.001〜5.000mol％含有してなる主
成分100重量部と、BaTiO₃60.000〜32.500mol％,SiO₂40.
000〜67.5mol％からなる混合物を1200℃以上で焼成して
なる添加物0.001〜10.000重量部とからなる組成物を110
0℃以上で焼成した後、還元性雰囲気中で1200℃以上で
焼成し、その後酸化性雰囲気中で900〜1300℃で焼成し
たことを特徴とするバリスタの製造方法。(3) Sr _1-x Ba _x TiO ₃ (0.001 ≦ x ≦ 0.300) is converted to 90.0%.
_{00~99.998mol%, Nd 2 O 5,} Ta 2 O 5, WO 3, Dy 2 O 3, Y 2 O 3, La 2 O 3, C
eO ₂ , Sm ₂ O ₃ , Pr ₆ O ₁₁ , Nb ₂ O ₃
0.001 to 5.000 mol%, Al ₂ O ₃ , Sb ₂ O ₃ , BaO, BeO, PbO, B ₂ O ₃ , Cr ₂
O ₃ , Fe ₂ O ₃ , CdO, K ₂ O, CaO, Co ₂ O ₃ , CuO, Cu ₂ O, Li ₂ O, LiF, MgO, M
nO ₂ , MoO ₃ , Na ₂ O, NaF, NiO, Rh ₂ O ₃ , SeO ₂ , Ag ₂ O, SiO ₂ , SiC, Sr
_{O, Tl 2 O 3, ThO} 2, TiO 2, V 2 O 5, Bi 2 O 3, ZnO, comprising 0.001～5.000Mol% one or more even less of ZrO _2, SnO ₂ main ingredient 100 Parts by weight, BaTiO ₃ 60.000 to 32.500 mol%, SiO ₂ 40.
A composition comprising 0.001 to 10.000 parts by weight of an additive obtained by calcining a mixture consisting of
A method for manufacturing a varistor, comprising firing at 0 ° C or higher, firing at 1200 ° C or higher in a reducing atmosphere, and then firing at 900 to 1300 ° C in an oxidizing atmosphere.