JP2716957B2 - 導電性微細パターンの形成方法 - Google Patents
導電性微細パターンの形成方法Info
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトマスクを用
いて基板上のフォトレジストをパターニングし、パター
ニングされたフォトレジストをマスクにして基板上の導
電層をリフトオフする導電性微細パターンの形成方法に
関する。
いて基板上のフォトレジストをパターニングし、パター
ニングされたフォトレジストをマスクにして基板上の導
電層をリフトオフする導電性微細パターンの形成方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、フォトリソグラフィ・プロセスの
サブミクロンオーダーのパターニングを行なう際に、ス
テッパーを用いてパターンを形成し、基板上にゲート電
極、パット電極などの導電層の形成を行ない、その後不
要部分を除去するリフトオフ法が用いられる。この方法
を用いる微細パターン形成には、前記ステッパーが基板
に対して逆テーパー形状であることが必要である。現
在、ポジ型フォトレジストを用いて、逆テーパーを形成
することが試みられている。通常のポジ型フォトレジス
トを用いた場合、図６及び図７に示すように、ポジ型フ
ォトレジスト３をＳｉやＧａＡｓなどの半導体基板１上
に塗布し、プリベーキングした後、図６（ａ）に示すよ
うに、フォトマスク４を用いて第１回目の露光を行い、
図６（ｂ）に示すように、基板に対して逆テーパー形状
の露光部５を形成する。このときの逆テーパー状の露光
部５（第１の露光部）は、使用するアルカリ現像液に可
溶なフォトレジストになっている。そして、半導体基板
１を９０〜１００℃の温度で熱処理し、この露光部５を
使用されるアルカリなどの現像液に対し不溶なフォトレ
ジストとする。ついで、図７（ａ）に示すように、フォ
トレジスト３の全体を露光する（第２回目の露光）。
サブミクロンオーダーのパターニングを行なう際に、ス
テッパーを用いてパターンを形成し、基板上にゲート電
極、パット電極などの導電層の形成を行ない、その後不
要部分を除去するリフトオフ法が用いられる。この方法
を用いる微細パターン形成には、前記ステッパーが基板
に対して逆テーパー形状であることが必要である。現
在、ポジ型フォトレジストを用いて、逆テーパーを形成
することが試みられている。通常のポジ型フォトレジス
トを用いた場合、図６及び図７に示すように、ポジ型フ
ォトレジスト３をＳｉやＧａＡｓなどの半導体基板１上
に塗布し、プリベーキングした後、図６（ａ）に示すよ
うに、フォトマスク４を用いて第１回目の露光を行い、
図６（ｂ）に示すように、基板に対して逆テーパー形状
の露光部５を形成する。このときの逆テーパー状の露光
部５（第１の露光部）は、使用するアルカリ現像液に可
溶なフォトレジストになっている。そして、半導体基板
１を９０〜１００℃の温度で熱処理し、この露光部５を
使用されるアルカリなどの現像液に対し不溶なフォトレ
ジストとする。ついで、図７（ａ）に示すように、フォ
トレジスト３の全体を露光する（第２回目の露光）。
【０００３】このとき前記露光部５は、現像液に不溶な
フォトレジストのままであるが、第１回目の露光におけ
る未露光部（第２の露光部）６は、露光されて使用する
現像液に対して可溶なフォトレジストになっている。そ
の後、所定のアルカリなどの現像液を用いて現像及びポ
ストベーキングを行なって図７（ｂ）に示すような第１
の露光部５からなる基板に対して逆テーパー形状のフォ
トレジストパターンを得る。上記レジストパターンの形
成方法は、いわゆるイメージリバース法といっている。
このフォトレジストパターンが形成された半導体基板１
全面にフォトレジストパターン上を含めてメタルなどの
導電層を蒸着などにより堆積させる。次に、リフトオフ
法によりフォトレジストパターン及びその上の導電層を
取り除いて所定形状の導電性の微細パターンを半導体基
板１の上に形成する。
フォトレジストのままであるが、第１回目の露光におけ
る未露光部（第２の露光部）６は、露光されて使用する
現像液に対して可溶なフォトレジストになっている。そ
の後、所定のアルカリなどの現像液を用いて現像及びポ
ストベーキングを行なって図７（ｂ）に示すような第１
の露光部５からなる基板に対して逆テーパー形状のフォ
トレジストパターンを得る。上記レジストパターンの形
成方法は、いわゆるイメージリバース法といっている。
このフォトレジストパターンが形成された半導体基板１
全面にフォトレジストパターン上を含めてメタルなどの
導電層を蒸着などにより堆積させる。次に、リフトオフ
法によりフォトレジストパターン及びその上の導電層を
取り除いて所定形状の導電性の微細パターンを半導体基
板１の上に形成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図５から判る
ように、従来のポジ型フォトレジストを使用したパター
ン形成では、逆テーパーを形成することのできる露光量
の範囲である露光マージンが小さくなり、フォトレジス
トの逆テーパー形状の角度も８０〜８５度程度しかつけ
ることができないという欠点があった。図において、丸
印は、フォトレジストパターンに逆テーパーが形成され
る状態を示し、ばつ（×）印は、フォトレジストパター
ンに逆テーパーが形成されなかった状態を示す。縦列の
数字は、フォトレジストの膜厚（μｍ）を示し、横行の
数字は、露光における露光量（ｍｓｅｃ）を表してい
る。このため、逆テーパー形状にするためのフォトレジ
ストの露光では、露光量についての条件が厳しく、容易
に逆テーパーを形成することが難しいので取扱いが面倒
であった。また逆テーパー形状の角度が８０〜８５度程
度であるので、レジスト側壁へのメタル・デボ時にメタ
ルの段切れが起こり難く、導電性の精密な微細パターン
が形成され難いという問題があった。本発明は、このよ
うな事情によりなされたものであり、露光マージンが大
きく、きわめて容易に所望のテーパー角度を有する逆テ
ーパー形状のフォトレジストパターンを得ることがで
き、これにより精密な導電性微細パターンを形成するこ
とができる方法を提供する。
ように、従来のポジ型フォトレジストを使用したパター
ン形成では、逆テーパーを形成することのできる露光量
の範囲である露光マージンが小さくなり、フォトレジス
トの逆テーパー形状の角度も８０〜８５度程度しかつけ
ることができないという欠点があった。図において、丸
印は、フォトレジストパターンに逆テーパーが形成され
る状態を示し、ばつ（×）印は、フォトレジストパター
ンに逆テーパーが形成されなかった状態を示す。縦列の
数字は、フォトレジストの膜厚（μｍ）を示し、横行の
数字は、露光における露光量（ｍｓｅｃ）を表してい
る。このため、逆テーパー形状にするためのフォトレジ
ストの露光では、露光量についての条件が厳しく、容易
に逆テーパーを形成することが難しいので取扱いが面倒
であった。また逆テーパー形状の角度が８０〜８５度程
度であるので、レジスト側壁へのメタル・デボ時にメタ
ルの段切れが起こり難く、導電性の精密な微細パターン
が形成され難いという問題があった。本発明は、このよ
うな事情によりなされたものであり、露光マージンが大
きく、きわめて容易に所望のテーパー角度を有する逆テ
ーパー形状のフォトレジストパターンを得ることがで
き、これにより精密な導電性微細パターンを形成するこ
とができる方法を提供する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に逆テ
ーパー形状のフォトレジストパターンを形成するにあた
って、染料を含有させたフォトレジストを塗布し、この
フォトレジストを所定の露光量で露光し現像してフォト
レジストパターンの逆テーパー角度を制御することに特
徴がある。本発明の導電性微細パターンの形成方法は、
基板上に逆テーパー状のフォトレジストパターンを形成
し、前記基板及び前記フォトレジストパターンの上に導
電層を形成した後、リフトオフ法を用いて前記フォトレ
ジストパターン上の導電層を除去し前記基板上に導電性
の微細パターンを形成する方法において、基板上に染料
を含有したフォトレジストを塗布する工程と、前記フォ
トレジストの所定部分を露光し前記基板に対し逆テーパ
ー形状の第１の露光部を形成する工程と、前記フォトレ
ジストを熱処理し前記第１の露光部を現像液に対し不溶
な状態にする工程と、この現像液に対し不溶な状態にす
る工程後、前記フォトレジストを露光して前記第１の露
光部以外の領域に前記現像液に対し可溶な第２の露光部
を形成する工程と、前記第２の露光部を前記現像液によ
り除去し前記基板上に逆テーパー形状の前記フォトレジ
ストパターンを形成する工程と、前記基板及び前記フォ
トレジストパターンの上に前記基板上の部分と前記フォ
トレジストパターン上の部分とが分離している導電層を
形成する工程と、前記フォトレジストパターンを前記基
板から除去し、このフォトレジストパターン上の前記導
電層を除去する工程とを具備したことを特徴とする。
ーパー形状のフォトレジストパターンを形成するにあた
って、染料を含有させたフォトレジストを塗布し、この
フォトレジストを所定の露光量で露光し現像してフォト
レジストパターンの逆テーパー角度を制御することに特
徴がある。本発明の導電性微細パターンの形成方法は、
基板上に逆テーパー状のフォトレジストパターンを形成
し、前記基板及び前記フォトレジストパターンの上に導
電層を形成した後、リフトオフ法を用いて前記フォトレ
ジストパターン上の導電層を除去し前記基板上に導電性
の微細パターンを形成する方法において、基板上に染料
を含有したフォトレジストを塗布する工程と、前記フォ
トレジストの所定部分を露光し前記基板に対し逆テーパ
ー形状の第１の露光部を形成する工程と、前記フォトレ
ジストを熱処理し前記第１の露光部を現像液に対し不溶
な状態にする工程と、この現像液に対し不溶な状態にす
る工程後、前記フォトレジストを露光して前記第１の露
光部以外の領域に前記現像液に対し可溶な第２の露光部
を形成する工程と、前記第２の露光部を前記現像液によ
り除去し前記基板上に逆テーパー形状の前記フォトレジ
ストパターンを形成する工程と、前記基板及び前記フォ
トレジストパターンの上に前記基板上の部分と前記フォ
トレジストパターン上の部分とが分離している導電層を
形成する工程と、前記フォトレジストパターンを前記基
板から除去し、このフォトレジストパターン上の前記導
電層を除去する工程とを具備したことを特徴とする。
【０００６】前記フォトレジストはポジ型であり、前記
フォトレジストの前記熱処理はアンモニア雰囲気中で行
うようにしても良い。前記現像液にはアルカリ現像液を
用いても良い。前記導電層にはメタルを用いても良い。
前記染料の含有量は前記フォトレジストの全重量の１．
２５％〜２．５％であるようにしても良い。一般に、フ
ォトレジストを露光するとフォトレジスト中のジアゾナ
フトキノンが露光によりインデンカルボン酸になり、そ
の後の熱処理によって脱カルボン反応を起こして、アル
カリ現像液に不溶な状態になる。露光量が少ないとレジ
スト上部だけ露光され脱カルボン反応が起こり、下部で
はほとんどがもとのフォトレジストのままであるため、
アルカリ現像を行なった場合に、ほとんど削り取られ、
パターンが倒れてしまうことがある。また露光量が多い
場合にはテーパーが形成されずに露光されてしまう。本
発明のイメージリバース法により得られた逆テーパー形
状のフォトレジストパターンを用いると、導電性の微細
パターンが正確に形成される。
フォトレジストの前記熱処理はアンモニア雰囲気中で行
うようにしても良い。前記現像液にはアルカリ現像液を
用いても良い。前記導電層にはメタルを用いても良い。
前記染料の含有量は前記フォトレジストの全重量の１．
２５％〜２．５％であるようにしても良い。一般に、フ
ォトレジストを露光するとフォトレジスト中のジアゾナ
フトキノンが露光によりインデンカルボン酸になり、そ
の後の熱処理によって脱カルボン反応を起こして、アル
カリ現像液に不溶な状態になる。露光量が少ないとレジ
スト上部だけ露光され脱カルボン反応が起こり、下部で
はほとんどがもとのフォトレジストのままであるため、
アルカリ現像を行なった場合に、ほとんど削り取られ、
パターンが倒れてしまうことがある。また露光量が多い
場合にはテーパーが形成されずに露光されてしまう。本
発明のイメージリバース法により得られた逆テーパー形
状のフォトレジストパターンを用いると、導電性の微細
パターンが正確に形成される。
【０００７】本発明の場合、染料入りフォトレジスト中
の染料の光の吸収効果により、フォトレジスト中の露光
の進み具合が遅くなるため、多量の露光を行なった場合
にのみレジストは逆テーパー形状になり、その量をよほ
ど多くしない限りテーパーが形成されなくなることはな
くなる。したがって、従来のフォトレジストに比べて容
易に逆テーパーを形成することができ、前述の露光マー
ジンも大きくなる。そして、フォトレジストの膜厚が変
わっても露光量を調節することでテーパーの形状を制御
でき、またフォトレジスト中の染料の量を調節すること
によって、逆テーパー形状の角度を変えることができ、
きわめて容易に取扱うことができる導電性微細パターン
の形成方法を提供できる。
の染料の光の吸収効果により、フォトレジスト中の露光
の進み具合が遅くなるため、多量の露光を行なった場合
にのみレジストは逆テーパー形状になり、その量をよほ
ど多くしない限りテーパーが形成されなくなることはな
くなる。したがって、従来のフォトレジストに比べて容
易に逆テーパーを形成することができ、前述の露光マー
ジンも大きくなる。そして、フォトレジストの膜厚が変
わっても露光量を調節することでテーパーの形状を制御
でき、またフォトレジスト中の染料の量を調節すること
によって、逆テーパー形状の角度を変えることができ、
きわめて容易に取扱うことができる導電性微細パターン
の形成方法を提供できる。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１乃至図３は、本発明の実施の
形態を示す半導体基板上の導電性微細パターンの形成方
法を説明するための工程断面図である。以下、図１乃至
図３を参照しながら本発明の実施の形態を説明する。ま
ず、図１（ａ）に示したように、半導体基板１上に染料
入りポジ型フォトレジスト２を１μｍ〜３μｍ程度の厚
さに塗布し、乾燥雰囲気中で１００℃前後の温度で熱処
理（ブリベーク）する。そしてプリベークしたフォトレ
ジスト２の上方にフォトマスク４を配置し、これを介し
てフォトレジスト２を露光する。フォトマスク４に遮光
されない部分が露光される。この露光された部分（第１
の露光部）５は、図１（ｂ）に示すように逆テーパー形
状になっている。この第１の露光部５のテーパー角度
は、図７に示す従来のフォトレジストを露光したときに
生ずる逆テーパーのテーパー角度７より小さくなってい
る。これは、フォトレジスト２に含有されている染料が
照射された光を吸収するのでこの光がフォトレジスト２
内を進むうちに光量が減少してテーパー角度が大きくな
るからである。この時点でのフォトレジスト２は、第１
の露光部５とそれ以外の領域の未露光部６から構成され
ている。
形態を示す半導体基板上の導電性微細パターンの形成方
法を説明するための工程断面図である。以下、図１乃至
図３を参照しながら本発明の実施の形態を説明する。ま
ず、図１（ａ）に示したように、半導体基板１上に染料
入りポジ型フォトレジスト２を１μｍ〜３μｍ程度の厚
さに塗布し、乾燥雰囲気中で１００℃前後の温度で熱処
理（ブリベーク）する。そしてプリベークしたフォトレ
ジスト２の上方にフォトマスク４を配置し、これを介し
てフォトレジスト２を露光する。フォトマスク４に遮光
されない部分が露光される。この露光された部分（第１
の露光部）５は、図１（ｂ）に示すように逆テーパー形
状になっている。この第１の露光部５のテーパー角度
は、図７に示す従来のフォトレジストを露光したときに
生ずる逆テーパーのテーパー角度７より小さくなってい
る。これは、フォトレジスト２に含有されている染料が
照射された光を吸収するのでこの光がフォトレジスト２
内を進むうちに光量が減少してテーパー角度が大きくな
るからである。この時点でのフォトレジスト２は、第１
の露光部５とそれ以外の領域の未露光部６から構成され
ている。
【０００９】フォトレジスト２中の染料は光の吸収効果
があるため、露光量は従来より多くして３３０ｍｓｅｃ
以上で行なうとよい。その後アンモニアガス雰囲気中で
９０℃〜１００℃で熱処理をすることにより、図１
（ｃ）に示すように第１の露光部５がアルカリ現像液に
不溶なフォトレジスト５０に変化する。これは、熱処理
によって、第１の露光部５がフォトレジストの露光によ
ってその中のジアゾナフトキノンが変化したインデンカ
ルボン酸がアンモニア類によって脱カルボン反応を起こ
してアルカリ現像液に不溶なインデンに変化しているか
らである。次に、図２（ａ）に示すように、フォトレジ
スト２全体を露光する。フォトレジスト５０は、露光に
よっては変化せず、未露光部６は、露光されてアルカリ
現像液に可溶な第２の露光部に変わる。次に、図２
（ｂ）に示すように、アルカリ現像液で現像すると第２
の露光部６は溶解されて除去される。そして、残った逆
テーパー形状を有し現像液に不溶なフォトレジスト５０
を１００℃前後で熱処理（ポストベーキング）を行な
う。この様にイメージリバース法により所定のテーパー
角を持った逆テーパー形状を有し現像液に不溶なレジス
ト５０が容易に形成される。
があるため、露光量は従来より多くして３３０ｍｓｅｃ
以上で行なうとよい。その後アンモニアガス雰囲気中で
９０℃〜１００℃で熱処理をすることにより、図１
（ｃ）に示すように第１の露光部５がアルカリ現像液に
不溶なフォトレジスト５０に変化する。これは、熱処理
によって、第１の露光部５がフォトレジストの露光によ
ってその中のジアゾナフトキノンが変化したインデンカ
ルボン酸がアンモニア類によって脱カルボン反応を起こ
してアルカリ現像液に不溶なインデンに変化しているか
らである。次に、図２（ａ）に示すように、フォトレジ
スト２全体を露光する。フォトレジスト５０は、露光に
よっては変化せず、未露光部６は、露光されてアルカリ
現像液に可溶な第２の露光部に変わる。次に、図２
（ｂ）に示すように、アルカリ現像液で現像すると第２
の露光部６は溶解されて除去される。そして、残った逆
テーパー形状を有し現像液に不溶なフォトレジスト５０
を１００℃前後で熱処理（ポストベーキング）を行な
う。この様にイメージリバース法により所定のテーパー
角を持った逆テーパー形状を有し現像液に不溶なレジス
ト５０が容易に形成される。
【００１０】次に、図２（ｃ）に示すように、この現像
液に不溶なフォトレジスト５０が形成された半導体基板
１の全面に前記現像液に不溶なフォトレジスト５０の上
を含めてメタルなどの導電層８を堆積させる。半導体基
板１上の導電層８と現像液に不溶なフォトレジスト５０
上の導電層８は、現像液に不溶なフォトレジスト５０の
十分なテーパーの存在により明確に分離している。次
に、リフトオフ法により現像液に不溶なフォトレジスト
５０及びその上の導電層８を取り除いて配線などに用い
る所定形状の導電性微細パターン９を半導体基板１の上
に形成する（図３）。さらに、本発明におけるフォトレ
ジストの膜厚１．１９〜２．４０μｍ間の逆テーパー形
成の可否を図４に示した。図４より明らかなように、逆
テーパー形状を形成することのできる露光量の範囲であ
る露光マージンは、フォトレジストの膜厚が１．７６μ
ｍのとき２３０ｍｓｅｃ以上である。図５と同様に、こ
の図に示す丸印は、所期の形状の逆テーパーが形成され
ていることを示し、ばつ（×）印は、フォトレジストに
逆テーパーが出来なかったことを示している。また、縦
列の数字は、フォトレジストの膜厚（μｍ）を示し、横
行の数字は、露光における露光量（ｍｓｅｃ）を表して
いる。逆テーパーが出来ない場合とは、必要なテーパー
角が得られなかったり、テーパーが進行しすぎてフォト
レジストが倒れてしまう現象をいう。
液に不溶なフォトレジスト５０が形成された半導体基板
１の全面に前記現像液に不溶なフォトレジスト５０の上
を含めてメタルなどの導電層８を堆積させる。半導体基
板１上の導電層８と現像液に不溶なフォトレジスト５０
上の導電層８は、現像液に不溶なフォトレジスト５０の
十分なテーパーの存在により明確に分離している。次
に、リフトオフ法により現像液に不溶なフォトレジスト
５０及びその上の導電層８を取り除いて配線などに用い
る所定形状の導電性微細パターン９を半導体基板１の上
に形成する（図３）。さらに、本発明におけるフォトレ
ジストの膜厚１．１９〜２．４０μｍ間の逆テーパー形
成の可否を図４に示した。図４より明らかなように、逆
テーパー形状を形成することのできる露光量の範囲であ
る露光マージンは、フォトレジストの膜厚が１．７６μ
ｍのとき２３０ｍｓｅｃ以上である。図５と同様に、こ
の図に示す丸印は、所期の形状の逆テーパーが形成され
ていることを示し、ばつ（×）印は、フォトレジストに
逆テーパーが出来なかったことを示している。また、縦
列の数字は、フォトレジストの膜厚（μｍ）を示し、横
行の数字は、露光における露光量（ｍｓｅｃ）を表して
いる。逆テーパーが出来ない場合とは、必要なテーパー
角が得られなかったり、テーパーが進行しすぎてフォト
レジストが倒れてしまう現象をいう。
【００１１】一方、従来のポジ型フォトレジストを使用
した場合の逆テーパー形状を形成する露光マージンは、
図５に示すように、フォトレジストの膜厚が１．７５μ
ｍのときに６０ｍｓｅｃであることから、本発明のよう
に、染料の入ったフォトレジスト２を用いることによ
り、きわめて容易に逆テーパーを形成することができる
ようになる。また、図２（ｂ）に示したフォトレジスト
の逆テーパー形状の角度７については、従来のポジ型フ
ォトレジストを使用すると、その角度は、８０〜８５度
であるが、本発明の染料入りポジ型フォトレジストを用
いると８０度以下にすることができ、レジスト側壁での
メタルなどの導電層を堆積した時の導電層の段切れを確
実に起こさせることができる。そして、フォトレジスト
２中の染料の量を変えることにより、フォトレジストの
テーパー角７を制御することができる。例えば、染料を
２．５％含有させたものではテーパー角７は６５度〜７
５度の範囲で設定でき、１．２５％含有させたものでは
７０度〜８０度の範囲で設定できる。
した場合の逆テーパー形状を形成する露光マージンは、
図５に示すように、フォトレジストの膜厚が１．７５μ
ｍのときに６０ｍｓｅｃであることから、本発明のよう
に、染料の入ったフォトレジスト２を用いることによ
り、きわめて容易に逆テーパーを形成することができる
ようになる。また、図２（ｂ）に示したフォトレジスト
の逆テーパー形状の角度７については、従来のポジ型フ
ォトレジストを使用すると、その角度は、８０〜８５度
であるが、本発明の染料入りポジ型フォトレジストを用
いると８０度以下にすることができ、レジスト側壁での
メタルなどの導電層を堆積した時の導電層の段切れを確
実に起こさせることができる。そして、フォトレジスト
２中の染料の量を変えることにより、フォトレジストの
テーパー角７を制御することができる。例えば、染料を
２．５％含有させたものではテーパー角７は６５度〜７
５度の範囲で設定でき、１．２５％含有させたものでは
７０度〜８０度の範囲で設定できる。
【００１２】
【発明の効果】以上のように、基板上にマスクを使用し
て逆テーパー形状のフォトレジストパターンを形成する
にあたって、フォトレジストに染料を加えることによ
り、露光マージンが大きく、きわめて容易に所定のテー
パー角度の逆テーパー形状のフォトレジストパターンを
得ることができるので、このフォトレジストパターンを
使用したリフトオフ法において、フォトレジスト側壁で
のメタルなどの導電層を堆積した時の導電層の段切れを
確実に起こさせることが可能になる。
て逆テーパー形状のフォトレジストパターンを形成する
にあたって、フォトレジストに染料を加えることによ
り、露光マージンが大きく、きわめて容易に所定のテー
パー角度の逆テーパー形状のフォトレジストパターンを
得ることができるので、このフォトレジストパターンを
使用したリフトオフ法において、フォトレジスト側壁で
のメタルなどの導電層を堆積した時の導電層の段切れを
確実に起こさせることが可能になる。
【図１】本発明の導電性微細パターンの形成方法の工程
を示す部分断面図。
を示す部分断面図。
【図２】本発明の導電性微細パターンの形成方法の工程
を示す部分断面図。
を示す部分断面図。
【図３】本発明の導電性微細パターンの形成方法の工程
を示す部分断面図。
を示す部分断面図。
【図４】本発明の導電性微細パターンの逆テーパー形成
の可否を示す図。
の可否を示す図。
【図５】従来の導電性微細パターンの逆テーパー形成の
可否を示す図。
可否を示す図。
【図６】従来の導電性微細パターンの形成方法の工程を
示す部分断面図。
示す部分断面図。
【図７】従来の導電性微細パターンの形成方法の工程を
示す部分断面図。
示す部分断面図。
１・・・半導体基板、 ２・・・染料入りポジ型フォ
トレジスト、３・・・ポジ型フォトレジスト、 ４・
・・フォトマスク、５・・・フォトレジストの露光部
（第１の露光部）、６・・・フォトレジストの未露光部
（第２の露光部）、７・・・テーパー角、 ８・・・導
電層、 ９・・・導電性微細パターン、５０・・・現像
液に不溶なフォトレジスト。
トレジスト、３・・・ポジ型フォトレジスト、 ４・
・・フォトマスク、５・・・フォトレジストの露光部
（第１の露光部）、６・・・フォトレジストの未露光部
（第２の露光部）、７・・・テーパー角、 ８・・・導
電層、 ９・・・導電性微細パターン、５０・・・現像
液に不溶なフォトレジスト。
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に逆テーパー状のフォトレジスト
パターンを形成し、前記基板及び前記フォトレジストパ
ターンの上に導電層を形成した後、リフトオフ法を用い
て前記フォトレジストパターン上の導電層を除去し前記
基板上に導電性の微細パターンを形成する方法におい
て、 基板上に染料を含有したフォトレジストを塗布する工程
と、 前記フォトレジストの所定部分を露光し前記基板に対し
逆テーパー形状の第１の露光部を形成する工程と、 前記フォトレジストを熱処理し前記第１の露光部を現像
液に対し不溶な状態にする工程と、 この現像液に対し不溶な状態にする工程後、前記フォト
レジストを露光して前記第１の露光部以外の領域に前記
現像液に対し可溶な第２の露光部を形成する工程と、 前記第２の露光部を前記現像液により除去し前記基板上
に逆テーパー形状の前記フォトレジストパターンを形成
する工程と、 前記基板及び前記フォトレジストパターンの上に前記基
板上の部分と前記フォトレジストパターン上の部分とが
分離している導電層を形成する工程と、 前記フォトレジストパターンを前記基板から除去し、こ
のフォトレジストパターン上の前記導電層を除去する工
程とを具備したことを特徴とする導電性微細パターンの
形成方法。 - 【請求項２】 前記フォトレジストはポジ型であり、前
記フォトレジストの前記熱処理はアンモニア雰囲気中で
行うことを特徴とする請求項１に記載の導電性微細パタ
ーンの形成方法。 - 【請求項３】 前記現像液はアルカリ系であることを特
徴とする請求項１又は請求項２に記載の導電性微細パタ
ーンの形成方法。 - 【請求項４】 前記導電層はメタルからなることを特徴
とする請求項１乃至請求項３のいづれかに記載の導電性
微細パターンの形成方法。 - 【請求項５】 前記染料の含有量は前記フォトレジスト
の全重量の１．２５％〜２．５％であることを特徴とす
る請求項１乃至請求項４のいづれかに記載の導電性微細
パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7291654A JP2716957B2 (ja) | 1995-10-16 | 1995-10-16 | 導電性微細パターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7291654A JP2716957B2 (ja) | 1995-10-16 | 1995-10-16 | 導電性微細パターンの形成方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63259384A Division JP2703949B2 (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | 逆テーパ形状のフォトレジストパターンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08227850A JPH08227850A (ja) | 1996-09-03 |
| JP2716957B2 true JP2716957B2 (ja) | 1998-02-18 |
Family
ID=17771747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7291654A Expired - Lifetime JP2716957B2 (ja) | 1995-10-16 | 1995-10-16 | 導電性微細パターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2716957B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7615495B2 (en) | 2005-11-17 | 2009-11-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method of the same |
| TWI305930B (en) | 2006-06-19 | 2009-02-01 | Touch Micro System Tech | Method of fabricating suspended structure |
| US7829264B1 (en) * | 2007-08-09 | 2010-11-09 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing a microelectronic device using a plurality of focus distances |
| JP6557447B2 (ja) * | 2013-10-31 | 2019-08-07 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
| JP2018186240A (ja) * | 2017-04-27 | 2018-11-22 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
-
1995
- 1995-10-16 JP JP7291654A patent/JP2716957B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08227850A (ja) | 1996-09-03 |
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