JP2713758B2 - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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Description
膜、導体コイル膜及び絶縁膜を有する薄膜磁気ヘッド要
素を、多数、整列して形成した後、薄膜磁気ヘッド要素
の上に上部磁性膜を形成する工程を含む薄膜磁気ヘッド
の製造方法に関する。
ラミック構造体でなるウエハ上に多数個の薄膜磁気ヘッ
ド要素を整列して形成した後、このウエハを切断して、
薄膜磁気ヘッド要素の単体を取り出す製造工程が取られ
る。
2O3−TiC等のセラミック構造体でなるウエハ、Q1〜Qnは
ウエハ1上に形成された薄膜磁気ヘッド要素である。こ
の第4図は、面内記録再生用の薄膜磁気ヘッドの製造工
程において、上部磁性膜を形成した後のウエハを示して
いる。薄膜磁気ヘッド要素Q1〜Qnは、ポール方向が、全
て同一方向を向くように、ウエハ1の上に整列して設け
られている。
ける斜視図で、2は下部磁性膜、21はそのポール部、22
は同じくヨーク部、3はアルミナ等でなるギャップ膜、
4は下部磁性膜2と略相似形で対向する上部磁性膜、41
はそのポール部、42は同じくそのヨーク部、5は導体コ
イル膜、6はノボラック樹脂等の有機絶縁樹脂でなる絶
縁膜、7、8は引出リード部である。
要部構造を示す断面図で、基板1の上に、メッキ下地膜
9を介して、下部磁性膜2を形成し、下部磁性膜2上に
形成したギャップ膜3の上に、導体コイル膜51、52及び
絶縁膜61、62を積層して形成し、導体コイル膜5の上に
形成された絶縁膜63の上に、メッキ下地膜10を介して、
上部磁性膜4を形成してある。
ポール部21−41を、ギャップ膜3による磁気ギャップG1
を介して対向させると共に、ヨーク部22−42を後端部側
で互いに磁気結合させ、この結合部のまわりに渦巻状に
導体コイル膜51、52を形成してある。
を、図示しないアルミナ等の保護膜によって覆った構造
となる。
称される高精度パターン形成技術を基本にして形成され
る。このうち、上部磁性膜4をメッキによって形成する
工程の概略を第7図に示す。
にギャップ膜3、導体コイル膜51、52及び絶縁膜61、6
2、63をフォトリソグラフィによって形成した後、ギャ
ップ膜3、最外側にある絶縁膜63及び基板1の表面等の
露出する部分にメッキ下地膜10を設ける。
表面にフォトレジスト11を塗布する。フォトレジスト11
はスピンコーティングによって塗布する。第8図はスピ
ンコーティングを示す図で、ウエハ1を矢印aの方向に
軸回転させ、その時の遠心力により、フォトレジスト11
を回転中心から外周方向に、矢印bの如く流動拡散させ
る。薄膜磁気ヘッド要素Q1〜Qnの付された矢印Cはポー
ルの方向を示す。フォトレジスト11は、ポジ、ネガの何
れであってもよい。
の上にフォトマスク12を位置決めし、露光し、現像す
る。このフォトリソグラフィによるパターンニング化に
より、第7図(d)に示すように、フォトレジストによ
るレジストフレーム13が形成される。レジストフレーム
13はその内側に形成されるパターンが、最終的に得よう
とする上部磁性膜4のパターンとなるように形成する。
13をマスクとして、フレームメッキ工程を行ない、パタ
ーンメッキ14を施す。このパターンメッキ14のうち、レ
ジストフレーム13によって囲まれた領域内にあるパター
ンメッキ14が上部磁性膜となる。フレームメッキ工程
は、主としてヨーク部を形成するためのメッキ工程と、
ヨーク部の表面にメッキしながらポール部を形成するメ
ッキ工程の2段メッキ工程となるのが普通である。
ムレジスト及びその外側のメッキを除去し、保護膜をス
パッタリングする。
Qnのポール方向が全て同一方向を向くように、ウエハ1
の上に整列して設けられているため、第8図に示したよ
うに、フォトレジスト11をスピンコーティングによって
塗布する際、フォトレジスト11に対する流動抵抗が、回
転軸O1を通る中心線Xを境界にして、一方の領域(イ)
に属する薄膜磁気ヘッド要素の群Q1〜Qmと、他方の領域
(ロ)に属する薄膜磁気ヘッド要素の群Qm+1〜Qnと
で、フォトレジスト11に対する流動抵抗が異なる。
〜Qmでは、ポール方向Cに対して、スピンコートによる
フォトレジスト11の流動拡散方向bが逆行する方向であ
り、領域(ロ)に属する薄膜磁気ヘッド要素の群Qm+1
〜Qnでは、ポール方向Cが、スピンコートによるフォト
レジスト11の流動拡散方向bに沿う方向である。ポール
方向cの前後では、第5図にも示すように、絶縁膜6の
外周形状が異なる。従って、フォトレジスト11の拡散方
向bに対して、ポール方向Cが逆となる領域(イ)と、
ポール方向に向う領域(ロ)とでは、フォトレジスト11
に対する流動抵抗が異なったものとなる。
要素の群Qm+1〜Qnのポール部に塗布されるフォトレジ
スト11の厚みをh1と、領域(イ)に属する薄膜磁気ヘッ
ド要素の群Q1〜Qmのポール部に塗布されるフォトレジス
ト11の厚みh2との間に、厚み差Δhを生じる。この厚み
差Δhのために、第9図(b)に示す如く、フォトマス
ク12を当てた場合、フォトマスク12とフォトレジスト11
の表面の間の間隔d1が厚み差Δhの分だけ変動して間隔
d2となり、第10図に示す如く、露光幅が幅W1から幅w2変
動し、上部磁性膜のトラック幅及び磁気特性の変化を招
く。
ソグラフィ工程において、フォトレジストをスピンコー
ティングする際、フォトレジストの塗布厚みを、個々の
薄膜磁気ヘッド要素間で均一化し、ポール幅及び磁気特
性を一定化することである。
ッドの製造方法においては、第1図に示すように、一枚
のウエハ1の面上に多数の薄膜磁気ヘッド要素Q1〜Qnを
整列して形成したウエハを用いる。ウエハ1に設けられ
る薄膜磁気ヘッド要素のうち、前記ウエハ1の面上に仮
想された中心線Xを境界として、一方の領域(イ)に属
する薄膜磁気ヘッド要素の群Q1〜Qmと、他方の領域
(ロ)に属する薄膜磁気ヘッド要素の群Qm+1〜Qnと
は、ポール方向が互いに反対方向である。
膜、導体コイル膜及び前記導体コイル膜を支持する絶縁
膜を有する。
て形成した後、前記薄膜磁気ヘッド要素の上に上部磁性
膜を形成するに当たり、ウエハ1に矢印aで示すスピン
を与えながら、その表面に、薄膜磁気ヘッド要素の全体
を覆うように、フォトレジストをスピンコートする。こ
の後、前記フォトレジストの上にフォトマスクを位置決
めし、露光し、現像することにより、前記上部磁性膜の
ためのパターンを形成する。
面に垂直な軸O1を中心として矢印aの方向に軸回転さ
せ、フォトレジストを回転中心から外周方向に矢印bの
如く流動拡散させてスピンコーティングを行なう際、領
域(イ)に属する薄膜磁気ヘッド要素の群Q1〜Qmと、領
域(ロ)に属する薄膜磁気ヘッド要素の群Qm+1〜Qnと
は、フォトレジストの拡散方向bに対するポール方向C
1、C2の関係で、中心対称に近くなる。従って、領域
(イ)に属する薄膜磁気ヘッド要素の群Q1〜Qmと、領域
(ロ)に属する薄膜磁気ヘッド要素の群Qm+1〜Qnが、
方向bに流動拡散するフォトレジストに対して、ほぼ近
似した流動抵抗を持つようになる。
する薄膜磁気ヘッド要素の群Qm+1〜Qnのポール部に塗
布されるフォトレジスト11の厚みh1と、領域(イ)に属
する薄膜磁気ヘッド要素の群Q1〜Qmのポール部に塗布さ
れるフォトレジスト11の厚みh2との間の厚み差Δhが著
しく小さくなる。
フォトマスク12とフォトレジスト11の表面の間の間隔変
動(d1−d2)が小さくなる。この結果、10図において、
露光幅変動も縮小し、所定のトラック幅及び磁気特性を
有する上部磁性膜が形成される。
ポール方向C1、及び領域(ロ)に属する薄膜磁気ヘッド
要素の群Qm+1〜Qnのポール方向C2は、第1図図示とは
逆向きにしてもよい。
成するためのフォトリソグラフィ工程において、フォト
レジストをスピンコーティングする際、フォトレジスト
の塗布厚みを、薄膜磁気ヘッド要素間で均一化し、ポー
ル幅及び磁気特性の一定化し得る。
られるウエハをモデル的に示す斜視図、第2図は本発明
に係る製造方法の製造工程中のスピンコーティング工程
を示す斜視図、第3図はスピンコーティング後のフレー
ム形成工程を示す図、第4図は従来のウエハをモデル的
に示す斜視図、第5図は薄膜磁気ヘッド要素の斜視図、
第6図は同じく要部の断面図、第7図は上部磁性膜の形
成工程を示す図、第8図はフォトレジストのスピンコー
ティングを示す斜視図、第9図はスピンコーティング後
のフレーム形成工程における問題点を示す図、第10図は
第9図B1−B1線上における断面図である。 1……ウエハ 2……下部磁性膜 3……ギャップ膜 4……上部磁性膜 5……導体コイル膜 6、61〜63……絶縁膜 11……フォトレジスト及びレジストフレーム 21……下部磁性膜のポール部 41……上部磁性膜のポール部 Q1〜Qn……薄膜磁気ヘッド要素 X……中心線
Claims (1)
- 【請求項1】一枚のウエハ上に、下部磁性膜、ギャップ
膜、導体コイル膜及び前記導体コイル膜を支持する絶縁
膜を有する薄膜磁気ヘッド要素を、多数、整列して形成
した後、前記薄膜磁気ヘッド要素の上に上部磁性膜を形
成する工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、 前記上部磁性膜を形成する前記工程は、 前記ウエハにスピンを与えながら、その表面に、前記薄
膜磁気ヘッド要素の全体を覆うように、フォトレジスト
をスピンコートし、 次に、前記フォトレジストの上にフォトマスクを位置決
めし、露光し、現像することにより、前記上部磁性膜の
ためのパターンを形成する工程であり、 前記ウエハ上に設けられた前記薄膜磁気ヘッド要素の群
のうち、前記ウエハの面上に仮想された中心線を境界と
して、一方の領域に属する薄膜磁気ヘッド要素の群と、
他方の領域に属する薄膜磁気ヘッド要素の群は、ポール
方向が互いに反対方向にある 薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1070154A JP2713758B2 (ja) | 1989-03-22 | 1989-03-22 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1070154A JP2713758B2 (ja) | 1989-03-22 | 1989-03-22 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02249116A JPH02249116A (ja) | 1990-10-04 |
JP2713758B2 true JP2713758B2 (ja) | 1998-02-16 |
Family
ID=13423375
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1070154A Expired - Lifetime JP2713758B2 (ja) | 1989-03-22 | 1989-03-22 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2713758B2 (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58185018A (ja) * | 1982-04-21 | 1983-10-28 | Comput Basic Mach Technol Res Assoc | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
-
1989
- 1989-03-22 JP JP1070154A patent/JP2713758B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58185018A (ja) * | 1982-04-21 | 1983-10-28 | Comput Basic Mach Technol Res Assoc | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH02249116A (ja) | 1990-10-04 |
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