JP2710988B2 - Film forming equipment - Google Patents
Film forming equipmentInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はイオンビームスパッタ成膜装置におけるチャ
ンバー内の構成に関するものである。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a configuration in a chamber in an ion beam sputtering film forming apparatus.
従来、成膜装置としては、直流マグネトロンスパッタ
装置や高周波マグネトロンスパッタ装置などの二極スパ
ッタ装置や、電子ビームスパッタ装置、抵抗加熱蒸着装
置などが主流となっていた。しかし最近、イオンガンの
開発が進むにつれてイオンビームスパッタ装置が注目を
集めるようになってきた。Conventionally, as a film forming apparatus, a bipolar sputtering apparatus such as a DC magnetron sputtering apparatus and a high-frequency magnetron sputtering apparatus, an electron beam sputtering apparatus, and a resistance heating vapor deposition apparatus have been mainly used. However, recently, as the development of ion guns has progressed, ion beam sputtering apparatuses have been receiving attention.
イオンビームスパッタ装置は従来の二極マグネトロン
スパッタ装置と比べて一桁低いアルゴン圧力中で成膜で
き、また、スパッタ粒子のエネルギーとその密度（成膜
速度）をそれぞれ独立に制御できる等の特徴を有する。
また、イオンビームスパッタ装置で成膜された膜は特に
多層構造にした場合に顕著であるが、表面や界面の平滑
性が非常に優れているという特徴を有する。The ion beam sputtering system is capable of forming a film under an argon pressure one order of magnitude lower than that of a conventional two-pole magnetron sputtering system, and is capable of independently controlling the energy of sputter particles and their density (film forming speed). Have.
In addition, a film formed by an ion beam sputtering apparatus is particularly remarkable when a multilayer structure is formed, but has a feature that the smoothness of the surface and the interface is extremely excellent.
しかし、上記従来のイオンビームスパッタ装置ではタ
ーゲットの利用効率をあげ、膜厚の面内分布を均一にす
ることを目的にイオンビームにフラットな特性を広範囲
にわたってもたせており、そのためターゲットよりはみ
出たイオンがターゲット周辺部をスパッタし、そのスパ
ッタされた粒子が不純物として膜中に混入して膜特性を
低下させ、問題となっていた。However, in the conventional ion beam sputtering apparatus described above, the ion beam is given a flat characteristic over a wide range for the purpose of increasing the use efficiency of the target and making the in-plane distribution of the film thickness uniform. Have sputtered the periphery of the target, and the sputtered particles have been mixed as impurities into the film, deteriorating the film characteristics, which has been a problem.
本発明は上記課題に鑑み成されたものであり、表面や
界面の平滑性に優れ、かつ不純物混入の少ない膜を作製
できる新規な構成を有する装置を提供するものである。The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to provide an apparatus having a novel structure capable of producing a film having excellent surface and interface smoothness and having a small amount of impurities.
本発明は、チャンバー内にターゲットを複数個装着す
るイオンビームスパッタ成膜装置において、各々のター
ゲット周辺近傍にアパーチャーが設けられ、該アパーチ
ャーの少なくとも表面が、各々対応するターゲットを構
成する元素の少なくとも１つを含み、該ターゲット材料
とは異なる材料であって該ターゲット材料よりもスパッ
タリング率が小さい材料から構成されており、かつ、該
対応するターゲットと共に各々のアパーチャーを駆動さ
せる連動機能を備えたことを特徴とする成膜装置であ
る。上記構成によれば、ターゲット周辺部にはみ出した
イオンビームはそのターゲットを構成する元素を含む材
料から成るアパーチャーをスパッタするため、得られる
膜に混入する不純物量は従来の装置を用いた場合と比べ
て著しく小さい値となる。加えて、アパーチャーの少な
くとも表面が、各々対応するターゲット材料とは異なる
材料であって該ターゲット材料よりもスパッタリング率
が小さい材料から構成されるようにすることによって、
アパーチャー表面のスパッタリング率自体を低下させ、
成膜される膜への不純物の混入をさらに小さくするとい
う効果をも奏するものである。その際、前記アパーチャ
ーの少なくとも表面が、前記ターゲットよりも充填密度
の高い膜から構成されていることが好ましいものであ
る。According to the present invention, in an ion beam sputter deposition apparatus in which a plurality of targets are mounted in a chamber, an aperture is provided near the periphery of each target, and at least the surface of each of the apertures has at least one of the elements constituting the corresponding target. Including a material different from the target material and having a lower sputtering rate than the target material, and having an interlocking function of driving each aperture together with the corresponding target. This is a film forming apparatus characterized by the following. According to the above configuration, the ion beam protruding into the periphery of the target sputters an aperture made of a material containing the element constituting the target, so that the amount of impurities mixed into the obtained film is smaller than that in the case of using a conventional apparatus. Significantly smaller value. In addition, by making at least the surface of the aperture each of a material different from the corresponding target material and having a lower sputtering rate than the target material,
Reduce the sputtering rate itself on the aperture surface,
This also has the effect of further reducing the incorporation of impurities into the film to be formed. At this time, it is preferable that at least the surface of the aperture is formed of a film having a higher packing density than the target.
また、各々のアパーチャーの形状が曲面もしくは平面
の複合的形状から成り、各々対応するターゲットと平行
でない面を有することにより、アパーチャーにイオンビ
ームが照射された際にもスパッタされたアパーチャー材
料原子は基板とは異なる方向に飛散し、基板上に得られ
る膜はアパーチャーの成分の含有量も少なく、より純度
の高いものとなる。In addition, each aperture has a curved or planar complex shape, and each of the apertures has a surface that is not parallel to the corresponding target, so that even when the aperture is irradiated with the ion beam, the aperture material atoms are sputtered on the substrate. The film scatters in a direction different from that of the substrate, and the film obtained on the substrate has a smaller content of the components of the aperture and has higher purity.
本発明において、アパーチャーとは特定の場所に開口
部を有する平面もしくは曲面形状の板のことであり、タ
ーゲット周辺近傍に該ターゲットの周辺部分を覆うカバ
ー様のものである。すなわち、第１図に示した本発明に
おける成膜装置の一実施態様の概略を示す断面模式図に
おいて、イオンガン５中でプラズマを発生してアルゴン
をイオン化し、引き出し電極を通してターゲット１上に
照射すると、ターゲット物質はスパッタリング作用によ
って基板４上に堆積されるが、その際ターゲットホルダ
ー７へのスパッタリング粒子のまわりこみやダメージを
おさえる作用を行なうのがアパーチャー２である。In the present invention, the aperture is a flat or curved plate having an opening at a specific place, and is a cover-like member that covers the periphery of the target near the periphery of the target. That is, in the schematic cross-sectional view schematically showing one embodiment of the film forming apparatus according to the present invention shown in FIG. 1, when plasma is generated in the ion gun 5 to ionize argon and is irradiated onto the target 1 through the extraction electrode. The target material is deposited on the substrate 4 by the sputtering action. At this time, the aperture 2 performs an action of suppressing the spread and damage of the sputtered particles to the target holder 7.
該アパーチャーにより、ターゲットよりはみ出たイオ
ンがターゲットホルダー等のターゲット周辺部をスパッ
タすることは防げるが、該イオンはアパーチャー自体を
スパッタすることになる。本発明においてはさらにスパ
ッタされたアパーチャーから発生する粒子を制御する、
すなわち粒子の発生を抑える又は粒子を構成する元素を
制御することにより、成膜される膜へのコンタミネーシ
ョンを抑制するものである。The aperture prevents ions protruding from the target from being sputtered on the periphery of the target such as the target holder, but the ions sputter on the aperture itself. In the present invention, further controlling particles generated from the sputtered aperture,
That is, contamination of a film to be formed is suppressed by suppressing generation of particles or controlling elements constituting the particles.
まず、アパーチャーから発生する粒子を制御するに
は、イオンが照射されるアパーチャーの部分の構成元素
を目的としているターゲット物質のそれと同じにするこ
とにより達成されうる。しかし、ターゲットと同一物質
によりアパーチャーを製造するということは実用上常に
有効とはならない。そこで本発明者らは、鋭意研究の結
果、アパーチャーがターゲット構成元素のうちの少なく
とも１つを含む材料によって構成されていること、もし
くはターゲット構成元素のうち少なくとも１つを含む材
料によってコーティングされていることによって前記効
果が発揮されることを見い出したのである。すなわち、
アパーチャーのうち、少なくともイオンが照射される表
面がターゲットと共通の元素を含有していればよいので
ある。コーティングにより所望の材料をアパーチャー表
面に形成するか、所望の材料を用いてアパーチャーを製
造するかは、どのような共通元素を含有させるかによ
り、形成方法の容易性等を考慮して適宜選択すればよ
い。First, control of the particles generated from the aperture can be achieved by making the constituent elements of the portion of the aperture to be irradiated with ions the same as those of the target material. However, manufacturing an aperture using the same material as the target is not always practically effective. Therefore, the present inventors have made intensive studies and found that the aperture is made of a material containing at least one of the target constituent elements, or coated with a material containing at least one of the target constituent elements. Thus, it has been found that the above-mentioned effect is exhibited. That is,
It suffices that at least the surface of the aperture irradiated with ions contains an element common to the target. Whether a desired material is formed on the aperture surface by coating or an aperture is manufactured using a desired material can be appropriately selected in consideration of easiness of a forming method and the like depending on what common elements are contained. I just need.
コーティングによる場合はコーティング物質が充分ア
パーチャーを覆い、イオン照射によりコーティング物質
より発生する粒子が作業中充分持続するような密度及び
厚さでコーティングする必要があり、通常１〜100μｍ
程度になるように行なうとよい。In the case of coating, it is necessary that the coating material sufficiently covers the aperture, and that the particles generated from the coating material by ion irradiation be coated at a density and thickness such that they are sufficiently maintained during the work, and usually 1 to 100 μm.
It is good to do so.
アパーチャーとターゲットか共通元素を含有すると
は、基本的には、アパーチャーの構成元素がＡで、ター
ゲットの構成元素がＡ、すなわちＡ−Ａ、同様にして、
Ａ−AB、AB−Ａ、AB−AC等の関係をいうが、構成元素の
数は特に限定する必要はなく、たとえばABCD−AEFとい
うように共通元素の占める比率が小さくてもよい。しか
し、共通元素の比率が小さすぎれば不純物として粒子化
され膜中へ混入されやすくなる。Containing an aperture and a target or a common element basically means that the constituent element of the aperture is A and the constituent element of the target is A, that is, A-A.
It refers to the relationship of A-AB, AB-A, AB-AC, etc., but the number of constituent elements does not need to be particularly limited. For example, the ratio of common elements such as ABCD-AEF may be small. However, if the ratio of the common element is too small, it is likely to become particles as impurities and to be mixed into the film.
そのため、アパーチャーをターゲット材料と同一材料
以外で構成する場合には、化学量論光により近づけるた
め、また、不純物の混入をより少なくするためにターゲ
ット材料よりもスパッタリング率が小さい材料で構成す
ることが望ましく、同様に、アパーチャーをターゲット
材料と同一材料以外でコーティングする場合には、ター
ゲット材料よりもスパッタリング率が小さく、なおか
つ、充填密度の高い膜によって構成することが望まし
い。ここで、スパッタリング率とはターゲットへの入射
イオン１個あたりのスパッタ蒸発原子の数のことであ
り、制御されたイオンビームをターゲットに一定時間、
入射した後、ターゲットの質量減少分を測定することに
より測定できるものである。Therefore, when the aperture is made of a material other than the same material as the target material, it is necessary to use a material having a smaller sputtering rate than the target material in order to make the aperture closer to the stoichiometric light and to reduce the contamination of impurities. Similarly, when the aperture is coated with a material other than the same material as the target material, it is desirable that the aperture be formed of a film having a smaller sputtering rate and a higher packing density than the target material. Here, the sputtering rate is the number of sputtered atoms per one ion incident on the target, and a controlled ion beam is applied to the target for a certain period of time.
After the incidence, it can be measured by measuring the mass loss of the target.
実際の材料選定には、上記の関係を基準としてターゲ
ット材料の種類等により有効な共通元素及び材料を選定
する。In actual material selection, effective common elements and materials are selected based on the type of target material and the like based on the above relationship.
本発明においては、上記知見に基づき、ターゲットを
複数個装着する成膜装置において、対応するターゲット
と共にアパーチャーを駆動させるアパーチャー連動機構
を設け、常にターゲットとアパーチャーの前述関係、す
なわち、共通元素を含有する関係を保つことによって、
膜を構成するそれぞれの層のコンタミネーションを低減
させることを可能としている。In the present invention, based on the above-described knowledge, in a film forming apparatus in which a plurality of targets are mounted, an aperture interlocking mechanism that drives an aperture together with a corresponding target is provided, and the aforementioned relationship between the target and the aperture is always included, that is, a common element is contained. By maintaining a relationship,
It is possible to reduce contamination of each layer constituting the film.
ここで連動機構とは、それぞれのターゲットに対応す
る様、配置されたそれぞれのアパーチャーがターゲット
に連動して一緒に回転等により駆動する機構であり、タ
ーゲットの駆動機構とは別の駆動機構により構成されて
いても、又、単にターゲットホルダーにアパーチャーを
固定し、ターゲットと一緒に駆動するようにするもので
あってもよい。Here, the interlocking mechanism is a mechanism in which the arranged apertures are driven together with the target by rotation or the like so as to correspond to the respective targets, and are configured by a driving mechanism different from the driving mechanism of the target. Alternatively, the aperture may be simply fixed to the target holder and driven together with the target.
次に、アパーチャーの形状としては対応するターゲッ
トと平行でない部分を有する曲面もしくは平面の複合的
形状とすることにより、スパッタされたアパーチャー材
料原子の飛散方向をターゲット材料原子の飛散方向と異
ならせることができるため、アパーチャー材料の膜中へ
の混入を低減させることが可能となり、より好ましい。
ここで複合的形状とは、曲面もしくは平面で構成される
あらゆる立体形状を意味し、たとえば円筒形の上面部が
12面体である円柱と12面体の複合形状などであるが、タ
ーゲットのスパッタを受ける面と平行でない部分を多く
有するものであれば、いずれの形状でもよい。ターゲッ
トのスパッタを受ける面が平面である場合は単に曲率を
有するアパーチャー形状でよい。また、アパーチャーの
開口部の形状は、ターゲット形状と同様にするのが一般
的であるが、異なる形状であってもかまわない。また、
例えば円形のターゲットを用いてアパーチャーの開口部
も円形にする場合にはターゲットやイオンガンの大き
さ、ターゲットとイオンガンの幾何学的配置等にもよる
が、アパーチャーの穴径はターゲット径よりも５〜20mm
小さいものが望ましい。Next, the scattering direction of the sputtered aperture material atoms can be made different from the scattering direction of the target material atoms by forming the aperture shape as a curved or flat composite shape having a portion that is not parallel to the corresponding target. Therefore, it is possible to reduce the amount of the aperture material mixed into the film, which is more preferable.
Here, the complex shape means any three-dimensional shape composed of a curved surface or a flat surface.
Although it is a compound shape of a dodecahedral cylinder and a dodecahedron, any shape may be used as long as it has many portions that are not parallel to the surface of the target that receives sputter. When the surface of the target that receives the sputter is a flat surface, the target may simply have an aperture shape having a curvature. The shape of the aperture of the aperture is generally the same as the shape of the target, but may be different. Also,
For example, if the aperture of the aperture is made circular using a circular target, the hole diameter of the aperture is 5 to 5 times larger than the target diameter, depending on the size of the target and the ion gun, the geometric arrangement of the target and the ion gun, and the like. 20mm
A smaller one is desirable.
また本発明の成膜装置には、成膜時に膜厚の面内分布
を、より均一にするために基板を回転させる公知の回転
機構を設けることができる。Further, the film forming apparatus of the present invention can be provided with a known rotation mechanism for rotating the substrate in order to make the in-plane distribution of the film thickness uniform during film formation.
尚、本発明においては、上記説明した以外の構成につ
いては公知の従来により行なうことができ、アパーチャ
ーの製造法としては各種焼結体のプレス成形やバルク
材、板材の切削、成形加工等により行ない、また、アパ
ーチャーのコーティングは各種スパッタ法や電子ビーム
蒸着法、抵抗加熱法、化学的気相成長法等により行なえ
ばよい。In the present invention, the configuration other than the above-described configuration can be performed by a known conventional method. The method for manufacturing the aperture is performed by press-forming various sintered bodies, cutting a bulk material, cutting a sheet material, or forming. The coating of the aperture may be performed by various sputtering methods, electron beam evaporation methods, resistance heating methods, chemical vapor deposition methods, or the like.
参考例 第１図の模式構成図に示す成膜装置を用いて、洗浄し
たシリコンウエハ上にモリブデン（Mo）とシリコン（S
i）をそれぞれ35Åずつ交互に合計41層積層した。REFERENCE EXAMPLE Molybdenum (Mo) and silicon (S) were deposited on a cleaned silicon wafer using the film forming apparatus shown in the schematic configuration diagram of FIG.
i) were laminated alternately by 35 mm each for a total of 41 layers.
その際、モリブデンターゲットに対応するアパーチャ
ーとしては、モリブデン板に曲率をつけ、その中心付近
に円形の開口部を有するものを、シリコンターゲットに
対応するアパーチャーとしては曲率をもち、その中心付
近に円形の開口部を有するステンレス板に、シリコンを
約３μｍコーティングしたものを用いた。また、それぞ
れのターゲットに対応するアパーチャーはターゲット回
転時に連動して一緒に回転するような構造となってい
る。また、アパーチャーの開口部径は、４インチφター
ゲットに対してモリブデン用、シリコン用とも95mmとし
た。成膜条件は各層とも到達真空度:6×10-7Torr、アル
ゴン圧力:2×10-4Torr、加速電圧:1000V、ビーム電流:4
0mAとした。At that time, as the aperture corresponding to the molybdenum target, a molybdenum plate having a curvature and a circular opening near its center is used, while the aperture corresponding to the silicon target has a curvature and a circular shape near its center. A stainless steel plate having an opening was coated with silicon at about 3 μm. In addition, the apertures corresponding to the respective targets are structured so as to rotate together with the rotation of the targets. The aperture diameter of the aperture was 95 mm for both molybdenum and silicon with respect to a 4 inch φ target. The deposition conditions for each layer were: ultimate vacuum: 6 × 10 -7 Torr, argon pressure: 2 × 10 -4 Torr, acceleration voltage: 1000 V, beam current: 4
0 mA was set.
以上のようにして作製した多層膜に対してオージェ電
子分光法（AES）によって深さ方向の不純物分析を行な
ったところ、膜中に混入した微量のアルゴンと表面に吸
着した酸素と炭素の他は不純物は認められなかった。When the impurities in the depth direction were analyzed by Auger electron spectroscopy (AES) for the multilayer film fabricated as described above, trace amounts of argon mixed in the film, oxygen and carbon adsorbed on the surface, No impurities were found.
一方、前記と同一の成膜条件下において同一形状のス
テンレス製アパーチャー（内径95mm）を用いて成膜した
MolSi多層膜に対してラザフォード後方散乱法（RBS）に
よる不純物分析を行なったところ、鉄（Fe）13％、ニッ
ケル（Ni）14％、酸素10％、アルゴン0.5％、その他に
フィラメント材のタングステン（ｗ）と思われるもの0.
27％が含有されていた。On the other hand, under the same film formation conditions as above, a film was formed using the same shape stainless steel aperture (95 mm inner diameter).
Impurity analysis of the MolSi multilayer film by Rutherford backscattering method (RBS) revealed that iron (Fe) 13%, nickel (Ni) 14%, oxygen 10%, argon 0.5%, and tungsten filament ( What is considered w) 0.
27% was contained.
実施例１ 第１図の模式構成図に示す成膜装置を用いて、洗浄し
たシリコンウエハ上に炭化シリコン（SiC）を2.1μｍイ
オンビームスパッタ法によって成膜し、その上にクロム
（Cr）とアルミニウム（Al）をそれぞれ25Åずつ計151
層同様にイオンビームスパッタ法によって成膜した。Example 1 Silicon carbide (SiC) was formed on a cleaned silicon wafer by a 2.1 μm ion beam sputtering method using a film forming apparatus shown in the schematic configuration diagram of FIG. 1, and chromium (Cr) was deposited thereon. Aluminum (Al) 25Å each 151
Like the layer, the film was formed by the ion beam sputtering method.
アパーチャーとしては円筒形に加工したクロム板を用
い、炭化シリコンに対応した部分には炭素（Ｃ）を約15
μｍコーティングし、アルミニウムに対応した部分には
酸化アルミニウム（Al2O3）を約３μｍコーティングし
て、各々対応するターゲットに連動するようにした。各
々ターゲットとも直径４インチであり、それぞれに対応
する円形開口部の直径は93mmであった。また、成膜条件
は到達真空度７×10-7Torr、アルゴン圧２×10-4Torr、
加速電圧1500V、ビーム電流20mAとした。A cylindrical chromium plate is used as the aperture, and carbon (C) is applied to the portion corresponding to silicon carbide by about 15%.
A portion corresponding to aluminum was coated with aluminum oxide (Al 2 O 3 ) to a thickness of about 3 μm so that each portion was linked to a corresponding target. Each target was 4 inches in diameter, and the diameter of the corresponding circular opening was 93 mm. The film forming conditions were as follows: ultimate vacuum degree 7 × 10 −7 Torr, argon pressure 2 × 10 −4 Torr,
The acceleration voltage was 1500 V and the beam current was 20 mA.
以上のようにして作製した膜のうち、クロムとアルミ
ニウムの多層膜に対してオージェ電子分光法によって不
純物分析を行なったところ、膜中に混入した微量のアル
ゴンと表面に吸着した酸素と炭素以外に不純物混入は認
められなかった。アルミニウムに対するアパーチャーの
構成材料である酸化アルミニウムは、アルミニウム金属
と比較してスパッタリング率が1/4〜1/5程度であるた
め、膜中への不純物混入は分析器の検出限界以下の低い
値であると思われる。Of the films prepared as described above, impurity analysis was performed on the multilayer film of chromium and aluminum by Auger electron spectroscopy. In addition to trace amounts of argon mixed in the film and oxygen and carbon adsorbed on the surface, No impurities were found. Aluminum oxide, which is a constituent material of the aperture for aluminum, has a sputtering rate of about 1/4 to 1/5 as compared with aluminum metal.Therefore, contamination of the film with impurities has a low value below the detection limit of the analyzer. It appears to be.
次に炭化シリコンの下引き層に対して電子プローブ微
小分析法（EPMA）を用いて不純物分析を行なったとこ
ろ、１％未満程度のアルゴン以外に不純物の混入はみら
れなかった。Next, impurity analysis was performed on the silicon carbide undercoat layer using electron probe microanalysis (EPMA). As a result, no impurity was found other than about 1% of argon.
一方、前記と同一の成膜条件下において、炭化シリコ
ンの下引き層およびクロムとアルミニウムの多層膜とも
にアパーチャーを取り付けずに成膜し、得られた膜に対
し、電子プローブ微小分析法によって不純物分析を行な
ったところ、鉄（Fe）７％、ニッケル（Ni）３％が含有
されていた。On the other hand, under the same film formation conditions as above, both the undercoating layer of silicon carbide and the multilayer film of chromium and aluminum were formed without attaching an aperture, and the obtained film was analyzed for impurities by electron probe microanalysis. As a result, 7% of iron (Fe) and 3% of nickel (Ni) were contained.
以上説明したように、本発明における成膜装置によっ
て作製された膜は不純物の含有が非常に少なく、なおか
つイオンビームスパッタ装置の利点である膜表面や多層
膜界面が非常に平滑であるという特徴を有する。As described above, the film manufactured by the film forming apparatus of the present invention has a feature that the content of impurities is very small and the film surface and the multilayer film interface, which are advantages of the ion beam sputtering apparatus, are very smooth. Have.
例えば電子デバイスにおいては極微量の不純物がその
性質が大きく変えてしまい、再現性、生産性等にまで大
きな影響を及ぼすが、本装置においてはそれらの点でも
著しい向上がみられる。また、基板交換時に、ターゲッ
トやアパーチャーに付着する不純物も、シャッターで基
板を覆った状態のまま成膜時と同一条件下でプレスパッ
タ（クリーニング）することにより除去することができ
る。For example, in an electronic device, a very small amount of impurities greatly changes its properties, and has a great effect on reproducibility, productivity, and the like. Further, at the time of substrate exchange, impurities adhering to the target and the aperture can be removed by pre-sputtering (cleaning) under the same conditions as when forming the film while the substrate is covered with the shutter.
また、光学薄膜の作製に用いる場合、不純物が含まれ
ているために屈折率が変化し、デバイスの能力を低下さ
せてしまうこともない。とりわけ、Ｘ線用の多層膜反射
鏡等に関してはその使用波長域の特殊な性質から屈折率
の変化や吸収の増大が生じ、また各層界面のわずかな凸
凹も反射率に大きな影響を及ぼしてしまう。このような
不純物と各層界面の平滑性の両方を同時に満足させなけ
ればならないようなデバイスの作製に本装置は特に有効
である。In addition, in the case of using for manufacturing an optical thin film, the refractive index does not change due to the inclusion of impurities, so that the performance of the device is not reduced. In particular, regarding a multilayer film reflecting mirror for X-rays, a change in the refractive index and an increase in absorption occur due to the special properties of the wavelength region used, and slight irregularities at the interface between the layers also have a large effect on the reflectance. . The present apparatus is particularly effective for manufacturing a device in which both the impurity and the smoothness of each layer interface must be satisfied at the same time.
さらに、本発明は既存のイオンビームスパッタ装置に
わずかな改良を加えるだけで実施できるという利点を有
する。Furthermore, the present invention has the advantage that it can be implemented with only minor improvements to existing ion beam sputtering equipment.
第１図は本発明における成膜装置の一例を示す模式構成
図である。 1a,1b:ターゲット 2a,2b:アパーチャー（2aはターゲット1aのアパーチャ
ー、2bはターゲット1bのアパーチャー） 3:水晶振動子膜厚センサ 4:基板 5:イオンガン 6:チャンバー 7:ターゲットホルダーFIG. 1 is a schematic diagram showing an example of a film forming apparatus according to the present invention. 1a, 1b: Target 2a, 2b: Aperture (2a is target 1a aperture, 2b is target 1b aperture) 3: Quartz crystal film thickness sensor 4: Substrate 5: Ion gun 6: Chamber 7: Target holder
フロントページの続き (72)発明者 新部 正人 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 渡辺 豊 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 福田 恵明 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭55−34689（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−112779（ＪＰ，Ａ)Continued on the front page (72) Inventor Masato Shinbe 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Within Canon Inc. (72) Inventor Yutaka Watanabe 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. (72) Inventor Yoshiaki Fukuda 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Inside Canon Inc. (56) References JP-A-55-34689 (JP, A) JP-A-62-112779 (JP, A)
Claims (3)
るイオンビームスパッタ成膜装置において、各々のター
ゲット周辺近傍にアパーチャーが設けられ、該アパーチ
ャーの少なくとも表面が、各々対応するターゲットを構
成する元素の少なくとも１つを含み、該ターゲット材料
とは異なる材料であって該ターゲット材料よりもスパッ
タリング率が小さい材料から構成されており、かつ、該
対応するターゲットと共に各々のアパーチャーを駆動さ
せる連動機能を備えたことを特徴とする成膜装置。In an ion beam sputtering apparatus in which a plurality of targets are mounted in a chamber, an aperture is provided near the periphery of each target, and at least the surface of each of the apertures has at least one of the elements constituting the corresponding target. Including one, it is made of a material different from the target material and has a lower sputtering rate than the target material, and has an interlocking function for driving each aperture together with the corresponding target. A film forming apparatus characterized by the above-mentioned.
記ターゲットよりも充填密度の高い膜から構成されてい
ることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。2. The film forming apparatus according to claim 1, wherein at least the surface of the aperture is formed of a film having a higher packing density than the target.
面の複合的形状から成り、各々に対応するターゲットと
平行でない面を有することを特徴とする請求項１又は２
に記載の成膜装置。3. The aperture according to claim 1, wherein the shape of the aperture is a complex shape of a curved surface or a plane, and each of the apertures has a surface that is not parallel to the corresponding target.
3. The film forming apparatus according to item 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1150574A JP2710988B2 (en) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | Film forming equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1150574A JP2710988B2 (en) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | Film forming equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0317266A JPH0317266A (en) | 1991-01-25 |
| JP2710988B2 true JP2710988B2 (en) | 1998-02-10 |
Family
ID=15499864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1150574A Expired - Fee Related JP2710988B2 (en) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | Film forming equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2710988B2 (en) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5534689A (en) * | 1978-09-04 | 1980-03-11 | Anelva Corp | Sputtering device |
| JPS62112779A (en) * | 1985-11-12 | 1987-05-23 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | Surface treatment apparatus by ion beam sputtering |
-
1989
- 1989-06-15 JP JP1150574A patent/JP2710988B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0317266A (en) | 1991-01-25 |
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